CN1959907A - 等离子体显示面板及其生产方法 - Google Patents

等离子体显示面板及其生产方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1959907A
CN1959907A CNA200610144578XA CN200610144578A CN1959907A CN 1959907 A CN1959907 A CN 1959907A CN A200610144578X A CNA200610144578X A CN A200610144578XA CN 200610144578 A CN200610144578 A CN 200610144578A CN 1959907 A CN1959907 A CN 1959907A
Authority
CN
China
Prior art keywords
diaphragm
magnesium oxide
plasma display
single crystal
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA200610144578XA
Other languages
English (en)
Inventor
郑真熙
朴珉洙
金甫铉
柳炳吉
朴德海
金泳成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN1959907A publication Critical patent/CN1959907A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/34Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有改进放电特性的等离子体显示面板。该等离子体显示面板包括:上板和通过隔肋与该上板接合在一起的下板,其中上板包括:介质层;第一保护膜,形成在该介质层的一个表面上而且由氧化镁构成;以及第二保护膜,形成在第一保护膜上而且由结晶氧化镁构成。

Description

等离子体显示面板及其生产方法
相关专利申请的相互参照
该专利申请要求2005年11月1日提交的第10-2005-0103826号、2005年11月1日提交的第10-2005-0103827号、2006年1月23日提交的第10-2006-0006829号韩国专利申请的优先权,如同在此做了全面说明一样,引用该专利申请供参考。
技术领域
本发明涉及一种等离子体显示面板,更具体地说,本发明涉及等离子体显示面板的保护层。
背景技术
等离子体显示面板包括:上板、下板以及形成在上板与下板之间用于限定放电区的隔肋。在放电区内填充诸如氖气、氦气或者它们的混合气体的主要放电气体以及含有少量氙气(Xe)的惰性气体。在为了在放电区内产生放电而施加高频电压时,惰性气体产生真空紫外线,以使位于隔肋之间的荧光粉发光,结果,产生图像。作为下一代显示器件,这种等离子体显示面板越来越受到关注,因为它们的厚度薄、重量轻。
图1是示出等离子体显示面板的结构的原理透视图。如图1所示,该等离子体显示面板包括:上板100;以及下板110,平行于该上板并离开该上板特定距离集成连接到该上板。上板100包括:上玻璃板101,作为在其上显示图像的显示面板;以及多个保持电极对,每个保持电极对分别包括排列在上玻璃板101上的扫描电极102和保持电极103。
下板110包括:下玻璃板111;以及多个地址电极113,排列在下玻璃板111上,以便与多个保持电极对交叉。
带状(或者壁状等)隔肋112用于形成多个放电空间,即,放电区,在下板110上,互相平行排列该带状隔肋112。多个地址电极113用于实现地址放电,平行于该隔肋排列多个地址电极113,以产生真空紫外线。红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)荧光粉114涂布在下板110的上侧,以在地址放电时,发出可见光线,因此,显示图像。在地址电极113与荧光粉114之间形成下介质层115,以保护地址电极113。
在保持电极对103上形成上介质层104,而在该上介质层104上形成保护层105。上介质层104包括在上板100上,它因为在等离子体显示面板放电时正(+)离子的轰击而被损坏。此时,诸如钠(Na)的金属元素可能导致电极短路。因此,通过涂布,形成氧化镁(MgO)薄膜,作为保护层105,以保护上介质层104。氧化镁足以承受正(+)离子的轰击,而且其二次电子发射率高,因此,实现低点火电压。
然而,传统等离子体显示面板的保护层存在下面的问题。
首先,由于构成保护层的氧化镁晶体颗粒的直径不均匀,所以降低了保护层的密度,而且不充分生长晶体。
其次,由于构成保护层的氧化镁晶体颗粒的大小不均匀,所以诸如湿气或者杂质气体的杂质附着在该保护层的表面上。这些杂质妨碍等离子体显示面板放电,而且导致等离子体显示面板的对比度低、点火电压高,使得电路结构复杂。这种复杂电路结构可能导致成本相当高。此外,保护层特性的恶化与抖动特性的恶化直接相关。
再次,尽管通过改善氧化镁的平直性和结晶性并提高保护层的密度,可以形成强抗溅蚀保护层,但是利用电子束沉积形成的保护层发射少量二次电子,因此,包括保护层的等离子体显示面板的功率消耗仍然高。
发明内容
因此,本发明涉及一种基本上克服了因为相关技术的局限性和缺陷存在的一个或者多个问题的等离子体显示面板和制造该等离子体显示面板的方法。
本发明的目的是提供等离子体显示面板的保护层,其中该保护层由均匀大小的氧化镁晶体颗粒构成。
本发明的另一个目的是提供一种可以降低包括该保护层的等离子体显示面板的点火电压,而且可以改善该等离子体显示面板的对比度和抖动特性的保护层。
本发明的又一个目的是提高一种可以改善亮度、降低功率消耗而且其保护层发射增加数量的二次电子的等离子体显示面板。
在下面的描述中将在某种程度上对本发明的其他优点、目的和特征进行说明,而且在某种程度上,通过研究下面的内容,本发明的其他优点、目的和特征对于本技术领域内的普通技术人员是显而易见的,或者通过实施本发明,可以得知本发明的其他优点、目的和特征。利用本发明的书面说明及其权利要求和附图特别指出的结构,可以实现和达到本发明的目的和其他优点。
为了实现这些目的以及其他优点,而且根据本发明的用途,正如在此所实现和广泛描述的那样,等离子体显示面板包括上板和通过隔肋与该上板接合在一起的下板,其中上板包括:介质层;第一保护膜,形成在该介质层的一个表面上而且由氧化镁构成;以及第二保护膜,形成在第一保护膜上而且由结晶氧化镁构成。
根据本发明的另一个方面,提供了一种用于制备氧化镁液体的方法,该方法包括:预混合溶剂和分散剂,研磨单晶氧化镁粉末,将研磨的单晶氧化镁粉末与预混合的溶剂和分散剂混合在一起,以及干燥并煅烧该混合物。
根据本发明的又一个方面,提供一种生产等离子体显示面板的方法,该方法包括:在上板的介质层的一个表面上形成由氧化镁构成的第一保护膜,以及对第一保护膜涂布单晶氧化镁液体,然后,对它进行干燥和煅烧。
显然,上面对本发明所做的一般说明和下面对本发明所做的详细说明是示例性的和说明性的,而且它们意在进一步解释所要求的本发明。
附图说明
所包括的附图有助于进一步理解本发明,它引入本说明书而且构成本说明书的一部分,它示出本发明的(各)实施例,而且与说明一起用于解释本发明原理。在附图中:
图1是传统等离子体显示面板的透视图;
图2是根据本发明第一实施例的等离子体显示面板的保护层的剖视图;
图3是根据本发明第二实施例的等离子体显示面板的剖视图;
图4是根据本发明第三实施例的等离子体显示面板的保护层的剖视图;
图5是示出根据本发明实施例的氧化镁液体制备方法的流程图;
图6是示出根据本发明实施例的等离子体显示面板的生产方法的流程图;
图7A和7B是分别示出等离子体显示面板的放电电流变化和亮度变化的曲线图,每个等离子体显示面板包括利用氧化镁液体形成的保护层;以及
图8是示出根据本发明实施例包括双层保护层的等离子体显示面板的放电电流变化的曲线图。
具体实施方式
现在,将详细说明本发明的优选实施例,附图示出其例子。在所有附图中,只有有可能就利用同样的参考编号表示同样或者类似的部分。
本发明提供了一种包括双层保护层的等离子体显示面板。下面,将形成在上介质层的一个表面上的层称为“第一保护膜”,而将形成在第一保护膜上的层称为“第二保护膜”。
图2是根据本发明第一实施例的等离子体显示面板的保护层的剖视图。下面将参考图2详细说明根据本发明第一实施例的等离子体显示面板的保护层。
根据本发明第一实施例的等离子体显示面板的保护层包括形成在上介质层的一个表面上的第一保护膜280a和形成在该第一保护膜上的第二保护膜280b。第一保护膜280a和第二保护膜280b均由氧化镁(MgO)构成。具体地说,涂布氧化镁,以形成薄膜,从而在等离子体放电时,保护上介质层,因此,保证延长等离子体显示面板的使用寿命。在等离子体离子入射到第一保护膜和第二保护膜上时,第一保护膜280a和第二保护膜280b的表面发出二次电子。这样发出二次电子允许以低电压产生放电,因此,降低功率消耗。
根据本发明第一实施例的等离子体显示面板保护层的氧化镁颗粒必须具有均匀直径、低孔隙率和高密度,因此,它们可以防止杂质气体吸附在保护层的表面上,而降低等离子体显示面板的点火电压。特别是,直接接触等离子气体的第二保护膜280b的成分确定该保护层的这些特性。根据本发明第一实施例的等离子体显示面板的保护层优选包括:第一保护膜280a,与传统保护膜具有相同特性;以及第二保护膜280b,具有适于实现本发明目的的特性。在第一实施例中,第二保护膜280b的厚度约为50至200μm,而第一保护膜280a的厚度约为300至750μm。
直接接触等离子气体的第二保护膜280b确定保护层的电特性,而直接接触等离子气体的表面特性确定保护膜280b的电特性。随着等离子体显示面板使用时间的延长,位于保护层表面内的氧化镁可能被溅蚀和被其他表面吸收。从等离子体显示面板的使用寿命的观点出发,必须将第一保护膜的厚度调整到50μm或者更厚,优选调整到200μm。如果利用非传统方法的方法形成等离子体显示面板的保护层,则预料存在缺陷,例如,难以处理而且提高了成本。考虑到这些缺陷,根据第一实施例,利用两层保护膜(例如,第一保护膜280a和第二保护膜280b)形成保护层,而且直接影响保护层的放电特性的第二保护膜280b具有与传统保护膜不同的成分。
即,第一保护膜280a的成分与传统保护膜的成分相同,它至少包括从单晶氧化镁和多晶氧化镁中选择的一种材料。作为一种选择,通过进行溅射,可以以基本上无结晶性方式形成第一保护膜。另一方面,第二保护膜280b由利用氧化镁粉末制备的材料构成。因此,与存在于第一保护膜280a内的氧化镁相比,存在于第二保护膜280b内的氧化镁具有高结晶性,而且尺寸也较大。用于形成第二保护膜280b的氧化镁可以是多晶或者单晶氧化镁。
通过粉碎单晶或者多晶氧化镁,利用压力定形粉末以及烧结该定形粉末,制备用于形成第二保护膜280b的氧化镁颗粒。下面详细说明氧化镁颗粒的制备过程。如图2所示,与构成第一保护膜280a的颗粒280a’相比,构成第二保护膜280b的氧化镁颗粒280b’优选具有均匀大小,低孔隙率和高密度,以便它们可以防止杂质气体吸附在保护层的表面上,从而降低等离子体显示面板的点火电压。即,在特定的条件下,粉碎氧化镁晶体颗粒,以控制颗粒的直径,压制它以定形该粉末,然后,以高温烧结它,以便可以将晶体颗粒的直径和密度调整到最佳水平,同时保持晶体颗粒的固有特性。由于随着氧化镁晶体颗粒直径的减小,氧化镁晶体颗粒的孔隙率降低,而该晶体颗粒的密度升高,所以预料难以进行处理,而且增加了成本。因此,氧化镁晶体颗粒优选具有10μm或者更小的直径。
优选添加从铝(Al)、硼(B)、钡(Ba)、硅(Si)、铅(Pb)、磷(P)、镓(Ga)、锗(Ge)、钪(Sc)以及钇(Y)中选择的至少一种元素,以形成第一保护膜280a,从而降低孔隙率,而提高第一保护膜的密度。因此,可以防止杂质气体吸附在MgO薄膜表面上,从而降低等离子体显示面板的点火电压。在图2中,利用数字280a”表示该元素。优选将从Al、B、Ba、Si、Pb、P、Ga、Ge、Sc和Y中选择的至少一种元素在第一保护膜280a内的浓度限制在5,000ppm(百万分之)或者更低,而且更优选在300与500ppm之间。为了控制等离子体显示面板的保护层的电特性,例如,二次电子发射率和膜阻,可以将添加的硅数量限制到预定浓度。因此,可以降低包括具有上述特性的保护层的等离子体显示面板的点火电压,而且可以单扫描等离子体显示面板,因此,可以降低驱动电路的生产成本。在第一保护膜280a内,优选将该元素的氧化物粉末与氧化镁晶体颗粒均匀混合在一起。适当氧化物例子包括:Al2O3、B2O3、SiO2、P2O5、Ga2O3、GeO2、Sc2O3和Y2O3。例如,粉碎Al2O3,然后,将它与氧化镁晶体颗粒粉末混合在一起,利用压力定形该混合粉末,然后,烧结该定形粉末,以形成第一保护膜280a。
通过沉积,在第一保护膜280a的下面形成第二保护膜280b。利用液相沉积、溅射、离子镀、电子束沉积或者汽相氧化,可以实现该沉积。适当液相沉积法的例子包括溶胶凝胶沉积和乳化沉积。根据溶胶凝胶沉积,通过在低温下水解缩合利用M(OR)n(其中M是从Cu、Al、Si、Ti、Ge、V、W、Y、Sn、In和Sb中选择的金属或者半金属,而R是甲基、乙基、丙基或者丁基)表示的金属烷氧基化合物,可以形成第二保护膜280b。溅射是利用溅射现象的方法,而且当前广泛采用溅射形成各种薄膜。根据溅射法,高能(>30eV)颗粒轰击目标,以使能量传递到目标原子,此后,该目标发射目标原子,以形成第二保护膜280b。最广泛采用轰击颗粒是正离子的阴极溅射。通常利用正离子进行溅射的原因是,在施加电场时,容易使正离子加速,而且刚好在轰击目标之前,可以与目标发射的电子中和,此后,中性原子轰击该目标。离子镀是合并了真空蒸发和溅射的总称。根据离子镀,当在高真空情况下,施加高压,以形成等离子体,而且使部分汽化原子离子化时,产生辉光放电。利用这些现象形成第二保护膜280b。根据电子束沉积,通过将氧化镁晶体颗粒加热到高温,即,利用物理能量,形成第二保护膜280b。根据汽相氧化,利用氧化镁气体加热多晶氧化镁。
图3是根据本发明第二实施例的等离子体显示面板的剖视图。下面将参考图3说明根据本发明第二实施例的等离子体显示面板。
根据第二实施例,接触隔肋340的第二保护膜380b的部分厚度大于第二保护膜380b的其他部分的厚度。具体地说,由于在等离子体显示面板放电时,经常使等离子气体的离子接触接触隔肋340的第二保护膜380b,所以在第二保护膜380b与隔肋之间形成的接触部分的厚度大于其他部分。与根据第一实施例的等离子体显示面板的保护层一样,根据第二实施例的等离子体显示面板的保护层包括两层保护膜380a和380b。第一保护膜380a具有均匀厚度,而第二保护膜380b具有非均匀厚度。
除了保护层的结构被改变之外,根据本发明第二实施例的等离子体显示面板与根据第一实施例的等离子体显示面板具有相同的结构。
即,第二保护膜380b由较均匀直径的氧化镁颗粒构成,而第一保护膜380a由较不均匀直径的氧化镁颗粒构成。第一保护膜380a至少由从单晶氧化镁和多晶氧化镁中选择的一种材料构成,而第二保护膜380b优选由利用氧化镁粉末制备的材料构成。不接触隔肋340的第二保护膜380b的部分厚度优选在1nm至200nm的范围内。第二保护膜380b可以含有从Al、B、Ba、Si、Pb、P、Ga、Ge、Sc和Y中选择的至少一种元素。优选以氧化物的方式添加该元素。此外,优选以不大于5,000ppm的浓度使用该元素,而且优选浓度为300至500nm。此外,优选利用从液相沉积、溅射、离子镀、电子束沉积以及汽相氧化中选择的沉积法,形成第二保护膜380b。
构成该保护层的颗粒的直径越小,颗粒之间的结合能越低。因此,在对包括保护层的等离子体显示面板施加驱动电压时,高能使颗粒升华。即,随着颗粒平均直径的降低,构成该保护层的颗粒的能量升高。因此,促进了晶体的生长,从而防止杂质(例如,湿气和杂质气体)吸附在保护膜的表面上,而且减少了对等离子体显示面板放电的障碍,因此,可以降低点火电压,而提高对比度。
图4是根据本发明第三实施例的等离子体显示面板的保护层的剖视图。下面将参考图4说明根据本发明第三实施例的等离子体显示面板。
与根据第二实施例的等离子体显示面板的保护层相同,通过在上介质层475的一个表面上形成第一保护膜480a,然后,在第一保护膜480a上形成第二保护膜480b,形成根据第三实施例的等离子体显示面板的保护层。第二保护膜480b优选由大小为100至500nm的单晶氧化镁颗粒构成。第一保护膜480a的厚度优选为500至800nm,而第二保护膜480b的厚度优选为100至1,500nm。优选通过电子束沉积氧化镁,形成第一保护膜480a,而通过对第一保护膜480a喷涂单晶氧化镁液体,然后,进行干燥和煅烧,形成第二保护膜480b。第二保护膜480b可以含有小尺寸的氧化镁晶体颗粒。通过在制备氧化镁液体期间进行研磨,形成小尺寸氧化镁晶体颗粒,下面做说明。优选在第一保护膜480a的整个表面上形成第二保护膜480b。第二保护膜480b用于防止第一保护膜480a被溅射,因此可以延长该保护层的使用寿命,而且可以改善二次电子发射特性。
图5是示出根据本发明实施例的氧化镁液体制备方法的流程图,图6是示出根据本发明实施例的等离子体显示面板的生产方法的流程图。下面将参考图5和6说明根据本发明实施例的等离子体显示面板的生产方法。
在上玻璃板上,顺序形成保持电极对和介质层(S610至S640),然后,在该介质层上形成保护层(S650)。形成保护层的过程大致划分为下面两个步骤。首先,通过沉积(例如,电子束沉积)氧化镁,优选在该介质层上形成第一保护膜。随后,利用下面的过程,在该第一保护膜上形成第二保护膜。
利用单晶氧化镁粉末液体,在第一保护膜上形成第二保护膜。首先,将溶剂和分散剂预混合在一起,以制备主要溶剂(S510)。作为溶剂,优选是从诸如甲醇和乙醇的醇、二醇、丙二醇醚、乙酸丙二酯、酮、BCA、二甲苯、萜品醇、texanol醇酯(2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇-异丁酯)和水中选择的至少之。作为分散剂,优选是从丙烯酸系树脂、环氧树脂、聚氨基甲酸酯树脂、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂、聚酰胺聚合物以及聚羧酸中选择的高分子分散剂。优选以2,000至4,000rpm的速度预混合1至10分钟。
随后,将单晶氧化镁粉末研磨(S520)成均匀大小。优选以6,000至10,000rpm的速度研磨10至60分钟。此时,可以形成小尺寸单晶MgO颗粒(图4所示的480b’)。将研磨的单晶MgO颗粒和主要溶剂混合在一起(S530),对它们进行干燥,然后,煅烧它们,从而制备液体。通过进行混合,分散剂和单晶氧化镁粉末均匀混合在一起。在混合期间,至少添加从有机黏合剂和无机黏合剂以及流平剂中选择的一种添加剂。此时,根据液体的总重量,以重量计,以1%至30%的数量使用单晶氧化镁粉末。根据单晶氧化镁粉末的重量,以重量计,以5%至60%的重量使用分散剂。
然后,以约100℃至200℃的温度干燥该液体,然后,以400℃至600°的温度进行煅烧(S550),以基本上蒸发该溶剂和分散剂,之后,留下单晶氧化镁粉末。将这样制备的液体喷涂在第一保护膜上,对它进行干燥、煅烧和退火,以形成第二保护膜。优选以300至500℃的温度进行退火,以蒸发有机材料。优选利用从浸渍、印模喷涂(diecoating)、旋转喷涂、溅射喷涂以及喷墨喷涂中选择的喷涂技术,在第一保护膜上喷涂该液体。构成第二保护膜的氧化镁晶体颗粒的尺寸比构成第一保护膜的氧化镁晶体颗粒的尺寸大。优选在第一保护膜的整个表面上形成第二保护膜。
在本发明的变换实施例中,可以将单晶氧化镁粉末成型为基片(green sheet)。具体地说,优选通过在第一保护膜上叠置含有单晶氧化镁粉末的基片,形成第二保护膜。基片中的溶剂数量必须比液体中的溶剂数量少。显然,可以利用多晶氧化镁粉末代替单晶氧化镁粉末。
在为了生产根据本发明包括保护层的等离子体显示面板而对上板涂布密封材料时,在上板上对保护层喷涂液体或者胶可能存在困难。作为一种选择,在对上板涂布密封材料之前,在上板上喷涂液体或者胶时,可以蒸发该密封材料内的成分,以与该液体或者胶产生化学反应。因此,优选在将密封材料涂布到下板上后,将下板和上板接合在一起。
本发明还提供了一种等离子体显示面板,该等离子体显示面板包括:上板,包括顺序形成在上部衬底上的保持电极对、上介质层以及保护层;以及下板,包括顺序形成在下部衬底上的地址电极、下介质层和隔肋,其中保护层包括形成在上介质层的一个表面上、由氧化镁构成的第一保护膜和形成在第一保护膜上、由氧化镁粉末构成的第二保护膜。优选将密封材料涂布在下板上,然后,将上板与下板接合在一起。优选通过将氧化镁液体涂布到第一保护膜上,然后,对该液体进行干燥、煅烧以及退火,制备氧化镁粉末。
图7A和7B是分别示出等离子体显示面板的放电电流变化和亮度变化的曲线图,每个等离子体显示面板分别包括利用氧化镁液体形成的保护层。图8是示出根据本发明实施例包括双层保护层的等离子体显示面板的放电电流变化的曲线图。
图7A和7B所示的曲线图说明,与传统等离子体显示面板相比,根据三个实施例,利用氧化镁液体形成其保护层的等离子体显示面板呈现低放电电流和高亮度。图8所示曲线图说明,在采用电子束沉积形成第一保护膜,而采用液相沉积在第一保护膜上形成第二保护膜时,该等离子体显示面板呈现低放电电流。即,氧化镁构成通过喷涂氧化镁液体形成的第二保护膜,该氧化镁处于其晶体尺寸大于构成第一保护膜的氧化镁的晶体尺寸的形式。这些结果说明,双层保护层的截面积的增加导致发射的二次电子数量增加,紫外(UV)线被单晶氧化镁粉末反射,因此,增加了荧光粉发出的可见光线的数量,而且第一保护膜用于保护上介质层,这是保护层的固有特性。
本技术领域内的技术人员明白,在不脱离本发明实质范围的情况下,可以在本发明范围内进行各种修改和变更。因此,本发明意在涵盖落入所附权利要求及其等同限定的范围内的本发明的各种修改和变更。

Claims (28)

1.一种等离子体显示面板,包括上板和通过隔肋与该上板接合在一起的下板,其中上板包括:介质层;第一保护膜,形成在该介质层的一个表面上而且由氧化镁构成;以及第二保护膜,形成在第一保护膜上而且由结晶氧化镁构成。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其中通过溅射氧化镁,形成第一保护膜。
3.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其中构成第二保护膜的结晶氧化镁颗粒的大小比构成第一保护膜的氧化镁颗粒的大小更均匀。
4.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其中第一保护膜由从单晶氧化镁和多晶氧化镁中选择的至少一种材料构成,而第二保护膜由利用单晶氧化镁粉末制备的材料构成。
5.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其中第一保护膜由从单晶氧化镁和多晶氧化镁中选择的至少一种材料构成,而第二保护膜由利用多晶氧化镁粉末制备的材料构成。
6.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其中结晶氧化镁颗粒的直径为10μm或者更小。
7.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其中第二保护膜的厚度比第一保护膜的厚度薄。
8.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其中第一保护膜含有从铝(Al)、硼(B)、钡(Ba)、硅(Si)、铅(Pb)、磷(P)、镓(Ga)、锗(Ge)、钪(Sc)以及钇(Y)中选择的至少一种元素。
9.根据权利要求8所述的等离子体显示面板,其中从Al、B、Ba、Si、Pb、P、Ga、Ge、Sc和Y中选择的至少一种元素在第一保护膜内的浓度为500ppm。
10.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其中利用从液相沉积、溅射、离子镀、溶胶凝胶沉积、电子束沉积以及汽相氧化中选择的沉积法,形成第二保护膜。
11.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其中第二保护膜具有接触隔肋的部分,而且该部分的厚度大于其他部分的厚度。
12.一种用于制备氧化镁液体的方法,该方法包括:
预混合溶剂和分散剂,
研磨单晶氧化镁粉末,
将研磨的单晶氧化镁粉末与预混合的溶剂和分散剂混合在一起,以及
干燥并煅烧该混合物。
13.根据权利要求12所述的方法,其中从醇、二醇、丙二醇醚、乙酸丙二酯、酮、BCA、二甲苯、萜品醇、texanol醇酯、水以及它们的混合物中选择溶剂。
14.根据权利要求12所述的方法,其中从丙烯酸系树脂、环氧树脂、聚氨基甲酸酯树脂、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂、聚酰胺聚合物、聚羧酸以及它们的混合物中选择分散剂。
15.根据权利要求12所述的方法,其中以2,000至4,000rpm的速度预混合1至10分钟。
16.根据权利要求12所述的方法,其中以6,000至10,000rpm的速度研磨10至60分钟。
17.根据权利要求12所述的方法,其中根据液体的总重量,以重量计,以1%至30%的量使用单晶氧化镁粉末。
18.根据权利要求17所述的方法,其中根据单晶氧化镁粉末的重量,以重量计,以5%至60%的量使用分散剂。
19.一种生产等离子体显示面板的方法,该方法包括:
在上板的介质层的一个表面上形成由氧化镁构成的第一保护膜,以及
对第一保护膜涂布单晶氧化镁液体,然后,对它进行干燥和煅烧。
20.根据权利要求19所述的方法,进一步包括对单晶氧化镁的液体进行退火。
21.根据权利要求20所述的方法,其中以300至500℃的温度进行退火。
22.根据权利要求19所述的方法,其中单晶氧化镁颗粒的大小为100至500nm。
23.根据权利要求19所述的方法,其中第一保护膜的厚度为500至800nm。
24.根据权利要求19所述的方法,其中第二保护膜的厚度为100至1,500nm。
25.根据权利要求19所述的方法,其中根据液体的总重量,以重量计,该液体含有1%至30%的单晶氧化镁粉末。
26.根据权利要求19所述的方法,其中根据单晶氧化镁粉末的重量,以重量计,该液体含有5%至60%的分散剂。
27.根据权利要求19所述的方法,其中利用从浸渍、印模喷涂、旋转喷涂、溅射喷涂以及喷墨喷涂中选择的喷涂技术,涂布该液体。
28.一种用于生产等离子体显示面板的方法,该方法包括:
在上板的介质层的一个表面上形成由氧化镁构成的第一保护膜,以及
在第一保护膜上形成单晶氧化镁的基片。
CNA200610144578XA 2005-11-01 2006-11-01 等离子体显示面板及其生产方法 Pending CN1959907A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050103826A KR20070047075A (ko) 2005-11-01 2005-11-01 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막
KR1020050103827 2005-11-01
KR1020050103826 2005-11-01
KR1020060006829 2006-01-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1959907A true CN1959907A (zh) 2007-05-09

Family

ID=38071528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200610144578XA Pending CN1959907A (zh) 2005-11-01 2006-11-01 等离子体显示面板及其生产方法

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20070047075A (zh)
CN (1) CN1959907A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102017048A (zh) * 2008-06-30 2011-04-13 松下电器产业株式会社 等离子显示面板的制造方法
CN101779263B (zh) * 2008-06-26 2012-09-05 松下电器产业株式会社 等离子显示面板的制造方法
CN101919019B (zh) * 2008-03-05 2013-02-13 株式会社日立制作所 等离子体显示面板的制造方法、氧化镁晶体粉体的制造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4492638B2 (ja) 2007-05-09 2010-06-30 株式会社日立製作所 プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの基板構体
JP2009170192A (ja) 2008-01-15 2009-07-30 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
US20110018786A1 (en) * 2008-04-07 2011-01-27 Keiichi Betsui Plasma display panel and plasma display device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101919019B (zh) * 2008-03-05 2013-02-13 株式会社日立制作所 等离子体显示面板的制造方法、氧化镁晶体粉体的制造方法
CN101779263B (zh) * 2008-06-26 2012-09-05 松下电器产业株式会社 等离子显示面板的制造方法
CN102017048A (zh) * 2008-06-30 2011-04-13 松下电器产业株式会社 等离子显示面板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070047075A (ko) 2007-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1780749A2 (en) Plasma display panel and method for producing the same
EP2214193B1 (en) Plasma display panel
CN1959907A (zh) 等离子体显示面板及其生产方法
KR100535430B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 장치 및 형광체 및 형광체의 제조 방법
CN1702812A (zh) 等离子体显示面板
KR20050118241A (ko) 플라즈마 디스플레이 장치
CN1314068C (zh) 具有改进的保护层的等离子显示板
CN1691255A (zh) 等离子显示板
EP2099052B1 (en) Plasma display panel
CN1723520A (zh) 等离子显示面板
CN1702814A (zh) 等离子显示面板和制造等离子显示面板的方法
CN1990408A (zh) 浆料组合物、用于等离子显示面板的阻挡肋的生片、以及使用它们的等离子显示面板
CN1664059A (zh) 用于等离子体显示板的绿色磷光体
CN1371115A (zh) 具有高亮度的等离子体图像显示屏
KR20130052543A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
KR20120130309A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
JPWO2011114700A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
CN1346504A (zh) 等离子体显示板的制造方法
KR100573617B1 (ko) 금속산화물이 첨가된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체페이스트 및 그의 제조방법
KR101100544B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
KR20120027493A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR20130079380A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
US8164261B2 (en) Plasma display panel
KR20090114447A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
KR101101667B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20070509