KR101106830B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101106830B1
KR101106830B1 KR1020107015555A KR20107015555A KR101106830B1 KR 101106830 B1 KR101106830 B1 KR 101106830B1 KR 1020107015555 A KR1020107015555 A KR 1020107015555A KR 20107015555 A KR20107015555 A KR 20107015555A KR 101106830 B1 KR101106830 B1 KR 101106830B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnesium oxide
oxide crystal
crystal powder
high temperature
particle
Prior art date
Application number
KR1020107015555A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100090724A (ko
Inventor
도모나리 미사와
다다요시 고사까
요시호 세오
Original Assignee
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Publication of KR20100090724A publication Critical patent/KR20100090724A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101106830B1 publication Critical patent/KR101106830B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

응집과 방전 지연 개선 효과를 양립한 산화 마그네슘 결정체를 포함하는 프라이밍 입자 방출층이 배치된 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)을 제조하는 방법이다. 본 발명의 대표적인 실시 형태는, 방전 공간에 노출되도록, 고온 가열 처리된 산화 마그네슘 결정체를 포함하는 프라이밍 입자 방출층이 배치된 PDP의 제조 방법으로서, 원료의 산화 마그네슘 결정체 분체의 열처리 공정에서, 산화 마그네슘 결정체 분체의 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 한 후에 고온 가열 처리를 행하는 것이다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD OF PRODUCING MAGNESIUM OXIDE POWDER}
본 발명은, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 프라이밍 입자 방출층(전자 방출층)에 포함되는 산화 마그네슘 결정체 분체 및 그 제조 방법에 적용하기에 유효한 기술에 관한 것이다.
PDP는 고정밀화가 진행되고 있고, 화소수가 증가하는 것에 의해 표시 셀의 점등/비점등을 선택 결정하는 어드레스 동작의 시간이 증대된다. 이 증대를 억제하기 위해서는, 어드레스 방전용의 전압(어드레스 전압)의 펄스 폭을 작게 하는 것이 유효하다. 그러나, 전압을 인가하고 나서 방전이 발생할 때까지의 시간(방전 지연)에는 변동이 있다. 그 때문에, 어드레스 전압의 펄스 폭이 지나치게 작으면, 펄스를 인가하여도 방전이 발생하지 않는 경우가 있을 수 있다. 그 경우, 서스테인 기간에서 해당 표시 셀이 올바르게 점등하지 않아 화질 열화를 초래한다.
PDP의 방전 지연을 개선하는 수단으로서는, 일본 특개 2006-59786호 공보(특허 문헌 1)에 기재되어 있는 바와 같이, 대향 배치된 2개의 기판 구조체간의 방전 공간에 노출되도록, 프라이밍 입자 방출층(전자 방출층)으로서 산화 마그네슘 결정체층을 형성하는 기술이 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특개 2006-59786호 공보
전술한 산화 마그네슘 결정체층에서, 보다 높은 방전 지연 개선 효과를 얻는 수단으로서, 본 발명자 등에 의한 이전의 출원인 일본 특원 2007-124718에 의하면, 산화 마그네슘 결정체 분체에 할로겐 원소를 혼합하여 소성하는 기술이 있다. 또한, 동일하게 본 발명자 등에 의한 이전의 출원인 PCT/JP2007/68348에 의하면, 산화 마그네슘 결정체 분체에 대하여 산화 분위기에서 열처리를 하는 기술이 있다.
그러나, 이들 기술에 의해 열처리한 산화 마그네슘 결정체 분체에는, 응집 덩어리가 존재하고 있는 경우가 있다. 큰 응집 덩어리가 PDP 내의 프라이밍 입자 방출층에 존재하면, 방전의 확대를 저해하여 표시 결점이 발생하거나, 셀간의 특성의 변동에 의해 표시 얼룩이 발생하거나 하는 경우가 있다.
응집 덩어리를 해소하는 방법으로서는, 열처리 후의 산화 마그네슘 결정체 분체에 대하여 유발과 막자에 의한 분쇄 처리를 실시하는 방법이나, 패널에의 습식 도포 시에 슬러리에 대하여 초음파 등의 분산 처리를 실시하는 방법 등이 있다. 그러나, 이들 방법에서는 산화 마그네슘의 결정을 파괴하여, 방전 지연 개선 효과를 손상시키는 경우가 있다.
본 발명은 이상과 같은 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 열처리한 산화 마그네슘 결정체 분체의 응집 억제와, 방전 지연 개선 효과를 양립하는 것을 가능하게 하는 기술을 제공하는 것에 있다.
본원에서 개시되는 발명 중, 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면, 이하와 같다. 즉, 본 발명의 대표적인 실시 형태에 따른 PDP의 제조 방법은, 방전 공간에 노출되도록, 고온 가열 처리된 산화 마그네슘 결정체 분체를 포함하는 프라이밍 입자 방출층이 배치된 PDP의 제조 방법으로서, 원료의 산화 마그네슘 결정체 분체의 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정을 행한 후에 고온 가열 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본원에서 개시되는 발명 중, 대표적인 것에 의해 얻어지는 효과를 간단히 설명하면 이하와 같다. 즉, 본 발명의 대표적인 실시 형태에 따르면, 고온 가열 시의 입자군끼리의 접촉이 적어지기 때문에, 방전 지연 개선 효과를 손상시키지 않고 응집이 억제된 산화 마그네슘 결정체 분체를 얻을 수 있다. 이 산화 마그네슘 결정체 분체를 포함하는 프라이밍 입자 방출층을 배치함으로써, 방전 지연의 개선과, 표시 결점, 표시 얼룩의 억제를 양립한 PDP를 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태 1에서의 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정의 예에 대한 개요를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시 형태 1에서의 전처리 공정을 포함하는 산화 마그네슘 결정체 분체 및 프라이밍 입자 방출층의 제조 플로우를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시 형태 2에서의 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정의 예에 대한 개요를 도시한 도면.
도 4의 (a), (b)는 입자(입자군)를 고온 가열한 경우의 융착의 형태의 예를 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태인 PDP의 기본 구조의 일례를, 주요부를 확대하여 분해 사시 구성으로서 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태의 PDP에서의 프라이밍 입자 방출층을 포함하는 전면 기판 구조체의 단면 구성의 예를 도시한 도면.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 실시 형태를 설명하기 위한 전체 도면에서, 동일부에는 원칙적으로 동일한 부호를 붙이고, 그 반복 설명은 생략한다.
<개요>
본 발명의 일 실시 형태인 PDP의 제조 방법에서는, 프라이밍 입자 방출층에서, 전술한 과제인, 열처리한 산화 마그네슘 결정체의 응집 억제와, 방전 지연 개선 효과의 양립을 실현시키기 위해서, 산화 마그네슘 결정체 분체의 열처리 공정에서, 열처리를 행하기 전에, 원료의 산화 마그네슘 결정체 분체의 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 함으로써, 고온 가열 처리 시의 입자군끼리의 접촉을 적게 한다.
여기서, 입자 혹은 입자군의 응집은, 고온 가열 시에 접하는 입자(입자군)끼리가 융착함으로써 일어난다. 도 4는, 입자(입자군)를 고온 가열 처리한 경우의 융착의 형태의 예를 도시한 도면이다. 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 고온 가열 시에, 입자(입자군)(40)의 형상, 사이즈가 균일하지 않은 경우에는, 입자(입자군)(40)끼리의 접촉이 커지게 되어, 고온 가열 후의 융착(41)의 면적이 커지기 때문에, 응집이 강해진다. 이에 대하여, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 입자(입자군)(40)의 형상, 사이즈가 균일한 경우에는, 입자(입자군)(40)끼리의 접촉이 최소한으로 억제되어, 고온 가열 후의 융착(41)의 면적이 적어져, 응집이 약해진다.
따라서, 산화 마그네슘 결정체 분체에 고온 가열 처리를 행하기 전에, 입자(입자군)의 형상, 사이즈가 균일하지 않은 경우에는 이들을 균일하게 하여, 입자(입자군)끼리의 접촉을 적게 함으로써, 고온 가열 처리 시의 입자(입자군)끼리의 융착에 의한 응집이 억제된다. 응집이 억제된 산화 마그네슘 결정체 분체를 프라이밍 입자 방출층에 이용함으로써, 방전 지연의 개선과, 표시 결점, 표시 얼룩의 억제를 양립한 PDP를 실현할 수 있다.
<PDP(기본 구조)>
도 5는, 본 발명의 일 실시 형태인 PDP(패널)(1)의 기본 구조의 일례를 도시한 도면이다. 도 5에서는, 화소에 대응하는 표시 셀의 세트(Cr, Cg, Cb)의 부분을 나타내고 있다. 또한, 설명을 위해서, x방향(제1 방향, 가로 방향), y방향(제2 방향, 세로 방향), z방향(제3 방향, 패널면 수직 방향)을 도시하고 있다.
PDP(1)는, 전면 기판 구조체(10)와, 배면 기판 구조체(20)를 조합하여 이루어지고, 그 사이에 방전 공간(26)을 갖는다. 전면 기판 구조체(10)에서는, 전면 글래스 기판(11) 상에, x방향으로 표시 전극(12)(12X, 12Y)군이 배치되어 있다. 표시 전극(12)은, 서스테인 동작용의 서스테인 전극(12X)과, 서스테인 동작 및 스캔 동작(겸용)의 스캔 전극(12Y)을 갖는다. 표시 전극(12)(12X, 12Y)은, 예를 들면, 투명 전극과 버스 전극으로 이루어진다. 전면 글래스 기판(11) 상에서, 표시 전극(12)군은, 유전체층(13)에 의해 덮여져 있다. 유전체층(13) 상에, 또한 보호층(14)이 형성되어 있다. 유전체층(13) 및 보호층(14)은, PDP(1)의 표시 영역(화면)에 대응한 전체면에 형성되어 있다.
배면 기판 구조체(20)에서는, 배면 글래스 기판(21) 상에, 표시 전극(12)과 교차하는 y방향으로 어드레스 전극(22)군이 배치되어 있다. 어드레스 전극(22)군은, 유전체층(23)으로 덮여져 있다. 유전체층(23) 상의 어드레스 전극(22) 사이에 대응하는 위치에, 예를 들면 y방향으로, 격벽(24)이 형성되어 있다. 격벽(24)은, 단위 발광 영역(표시 셀)에 대응하여 방전 공간(26)을 구획한다. 어드레스 전극(22)의 상방(z방향)의 격벽(24)에 의해 구획된 영역에는, R(적), G(녹), B(청)의 각 색의 형광체(형광체층)(25)(25r, 25g, 25b)가, 영역(열)마다 순서대로 구분되어 형성되어 있다.
전면 기판 구조체(10)와 배면 기판 구조체(20)가 접합됨으로써 형성되는 내부 영역에는, 방전 가스(예를 들면 Ne에 수％ 정도의 Xe를 혼합한 가스)가 봉입됨으로써, 기밀한 방전 공간(26)이 구성된다. PDP(1)의 주연부는, 봉착재에 의해 접합된다. 서스테인 전극(12X), 스캔 전극(12Y), 어드레스 전극(22)의 교차 부분에 대응하여 표시 셀이 구성된다.
PDP(1)의 구동(서브 필드법 및 어드레스 표시 분리 방식)에서는, 선택하는 표시 셀에서, 어드레스 전극(22)과 스캔 전극(12Y)의 사이에 전압 인가에 의해 방전(어드레스 방전)을 발생시킨다(어드레스 동작 기간). 또한, 선택된 표시 셀에 대하여, 표시 전극(12)의 쌍(12X, 12Y) 사이에 전압 인가에 의해 방전(서스테인 방전(표시 방전) 등)을 발생시킨다(서스테인 동작 기간). 이들에 의해, 서브 필드의 원하는 표시 셀에서의 발광(점등)이 행해진다. 또한, 필드 중에서의 점등하는 서브 필드를 선택함으로써, 화소(표시 셀)의 휘도가 표현된다.
<PDP(상세 구조)>
도 6은, 본 발명의 일 실시 형태의 PDP(1)에서의, 프라이밍 입자 방출층을 포함하는 전면 기판 구조체(10)의 단면 구성의 예를 도시한 도면이다. PDP(1)의 전면 기판 구조체(10)는, 보호층(14)의 표면에, 방전 공간(26)에 노출되어 형성되는 프라이밍 입자 방출층(15)을 갖는다. 프라이밍 입자 방출층(15)은, 산화 마그네슘(MgO) 결정체 분체를 포함하여 이루어지는 산화 마그네슘 결정체층이다. 혹은, 프라이밍 입자 방출층(15)은, 불소(F) 등의 할로겐 원소가 첨가된 산화 마그네슘 결정체 분체를 포함하여 이루어진다. 또한, 프라이밍 입자 방출층(15)에서는, 대상면(보호층(14))에 대하여, 산화 마그네슘 결정체 분체가, 밀하게 혹은 소하게 분포한다(또한, 소하게 분포하는 경우도 층(막)이라고 칭함).
전면 글래스 기판(11)에는, 글래스 등의 투명 재료를 사용할 수 있다. 표시 전극(12)은, 예를 들면, ITO(인듐 주석 산화물) 등에 의한 폭이 넓고 방전 갭을 형성하는 투명 전극(12a)과, Cu, Cr 등의 금속에 의한 폭이 좁고 전극 저항을 내리는 버스 전극(12b)으로 구성할 수 있다. 전극 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 투명 전극(12a)은 판 형상 혹은 표시 셀마다의 T자 형상 등이고, 버스 전극(12b)은 직선 형상이다.
표시 전극(12)은, 인접하는 서스테인 전극(12X)과 스캔 전극(12Y)의 쌍에 의해 표시 라인을 구성한다. 전극 배열 구성으로서는, 비방전 영역(역슬릿)으로 되는 표시 전극(12)의 쌍을 형성하는 노멀 구성이나, 표시 전극(12)(12X, 12Y)을 등간격으로 교대로 배열하고, 인접하는 모든 표시 전극(12)의 쌍에 의해 표시 라인을 구성하는 소위 ALIS(Alternate　Lighting　of　Surfaces　Method) 구성이 가능하다.
유전체층(13)은, 예를 들면, 전면 글래스 기판(11) 상에 저융점 글래스 페이스트를 스크린 인쇄법 등에 의해 도포하고, 소성함으로써 형성된다. 보호층(14)은, 유전체층(13)의 보호나, 2차 전자를 방출하는 등의 기능을 갖는다. 보호층(14)은, 예를 들면, 산화 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 스트론튬, 산화 바륨 등의 금속 산화물로 이루어지고, 바람직하게는, 2차 전자 방출 계수가 높은 산화 마그네슘층으로 이루어진다. 보호층(14)은, 예를 들면, 전자 빔 증착법(혹은 스퍼터법, 도포 방법 등)에 의해 형성된다.
배면 기판 구조체(20)는, 공지 기술을 이용하여 예를 들면 이하와 같이 제작할 수 있다. 배면 글래스 기판(21), 어드레스 전극(22), 유전체층(23) 등에 대해서는, 전면 기판 구조체(10)의 경우와 마찬가지로 제작할 수 있다. 격벽(24)은, 예를 들면, y방향만의 스트라이프 형상, 혹은, x방향 및 y방향의 격벽부를 갖는 박스 형상 등이 가능하다. 형광체(25)는, R, G, B마다, 예를 들면, 격벽(24)의 사이의 영역에 형광체 페이스트를 스크린 인쇄법, 디스펜서 등의 방법에 의해 도포하고, 소성함으로써 형성된다.
<프라이밍 입자 방출층(산화 마그네슘 결정체층)>
프라이밍 입자 방출층(산화 마그네슘 결정체층)(15)은, PDP(1)를 구성하는 기판 구조체에서, 방전 공간(26)에 노출되는 어느 하나의 개소에 배치된다. 예를 들면, 유전체층(13) 상에 직접 배치하는 구성, 혹은, 유전체층(13) 상의 보호층(14) 상에 배치하는 구성 등이 가능하다. 본 실시 형태에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 전면 기판 구조체(10)에서, 보호층(14) 상에 배치하는 구성으로 한다. 방전 공간(26)에 노출되어 프라이밍 입자 방출층(15)이 배치되는 구성으로 함으로써, 프라이밍 입자 방출층(15)(이것을 구성하는 산화 마그네슘 결정체 분체)에 의해, 방전 공간(26)에 프라이밍 입자를 방출하는 기능, 및 PDP(1)에서의 방전 지연이 개선되는 효과 등이 얻어진다.
프라이밍 입자 방출층(15)은, 프라이밍 입자 방출 분체 재료를 갖고 이루어진다. 프라이밍 입자 방출 분체 재료는, 산화 마그네슘 결정체 분체(분말), 혹은 할로겐 원소를 첨가한 산화 마그네슘 결정체 분체 등으로 이루어진다.
첨가되는 할로겐 원소의 종류는, 예를 들면, 불소(F), 염소, 브롬, 요오드 등 중 1종 또는 2종 이상으로 이루어진다. 불소를 이용하는 경우, 방전 지연의 개선 효과가 장시간 지속되는 것이 확인되어 있다. 첨가되는 할로겐 원소의 양은, 예를 들면 1∼10000ppm이다. 할로겐 원소 함유 물질로서는, 예를 들면, 마그네슘의 할로겐화물인 불화 마그네슘(MgF2)이나, Al, Li, Mn, Zn, Ca, Ce의 할로겐화물을 들 수 있다.
산화 마그네슘 결정체 분체를 포함하는 물질의 소성은, 예를 들면 1000∼1700℃의 범위 내에서 행한다. 산화 마그네슘 결정체 분체, 혹은 할로겐 원소를 첨가한 산화 마그네슘 결정체 분체에 열처리를 행한 후의 입경은, 소정 범위 내(50㎚∼20㎛)로 되는 것이 바람직하다. 입경이 지나치게 작으면 프라이밍 입자 방출층(15)에 의한 방전 지연의 개선 효과가 작다. 또한, 반대로 입경이 지나치게 크면 프라이밍 입자 방출층(15)이 균일하게 형성되기 어렵다.
프라이밍 입자 방출층(15)의 기본적인 형성 방법은, 예를 들면 이하와 같다. 산화 마그네슘 결정체 분체를 용매(용제)에 혼합하거나 하여 이루어지는 페이스트나 슬러리 등의 상태의 것(프라이밍 입자 방출 분체 함유 재료)을 준비한다. 이 재료를, 대상면에 대하여 분무(산포)나 도포 등의 방법에 의해 성막한다. 예를 들면 슬러리의 분무의 방법, 혹은, 인쇄법 등에 의한 페이스트의 산포의 방법 등을 사용할 수 있다. 또한, 성막된 재료를 건조나 소성함으로써 용제 성분 등을 제거하고, 분체 성분을 대상면에 고착시킴으로써, 프라이밍 입자 방출층(15)으로서 완성한다. 프라이밍 입자 방출층(15)은, 예를 들면, 대상면(보호층(14)의 표면)의 전체면에 소정의 두께로 되도록 형성된다.
<실시 형태 1>
이하에, 본 발명의 실시 형태 1인 산화 마그네슘 결정체 분체 및 이 산화 마그네슘 결정체 분체를 포함하는 프라이밍 입자 방출층(15)을 갖는 PDP(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 실시 형태의 PDP(1)의 제조 방법은, 산화 마그네슘 결정체 분체의 원료 분말을 고온 가열 처리하기 전에, 입자군끼리의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정을 갖는 것이다.
도 1은, 본 실시 형태에서의 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정의 예에 대한 개요를 도시한 도면이고, 도 2는, 본 실시 형태에서의 상기 전처리 공정을 포함하는 산화 마그네슘 결정체 분체 및 프라이밍 입자 방출층(15)의 제조 플로우를 도시한 도면이다.
도 2에서, 본 실시 형태에서는, 고온 가열 처리(공정 S2)를 행하기 전의 원료 분말(103)로서, 산화 마그네슘(MgO) 결정체 분체(201)에, 플럭스(산화 마그네슘의 융점을 내리는 작용을 갖는 물질(융제))(202)로서, 마그네슘의 할로겐화물인 불화 마그네슘(MgF2)을 첨가한 것을 이용한다.
여기서, 산화 마그네슘 결정체 분체(201)에는, 우베 머테리얼 주식회사제, 상품명 : 기상법 고순도 초미분 마그네시아(2000A)를 이용하고, 플럭스(202)에는 후루우치 화학 주식회사제, 불화 마그네슘(MgF2)(순도 99.99％)을 이용하고, 이들을 몰비로 MgO : MgF2=1 : 0.0001의 비율로 되도록 혼합한 것으로 한다. 또한, 원료 분말(103)의 상태는, 건조 분말 형상 이외에, 휘발성 용매와 혼합한 슬러리 형상이나, 바인더를 혼합한 것이어도 된다.
이 원료 분말(103)에 대하여, 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정(공정 S1)으로서, 예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같은 처리를 행한다. 도 1에서, 우선 표면에 복수의 오목 형상 구멍(102)을 형성한 기판(101)을 준비한다. 오목 형상 구멍(102)의 사이즈(개구부의 폭 및 깊이)는, 가열 처리 후의 분체의 입도 분포, 허용 응집 상한의 설계, 열처리 조건, 표시 셀의 사이즈 등에 의존하지만, 1㎛∼100㎛인 것이 바람직하다.
기판(101)의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 금속, 글래스, 수지 등을 이용할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 글래스를 이용한 평판의 기판(101)의 표면에 샌드 블러스트법에 의해 개구부의 폭 50㎛, 깊이 25㎛의 오목 형상 구멍(102)을 형성한 것으로 한다. 또한, 기판(101)은 평판 이외의, 예를 들면 롤 형상 등이어도 된다. 또한, 오목 형상 구멍(102)의 형상은, 도 1에서는 반구 형상으로서 도시되어 있지만, 특별히 이에 한정되지 않는다.
이 기판(101) 상의 오목 형상 구멍(102)에, 스퀴지(104) 등을 이용하여 원료 분말(103)을 균일하게 충전한다. 그 후, 기판(101)을 뒤집어서 진동 등을 줌으로써, 오목 형상 구멍(102)의 형상, 사이즈에 균일하게 성형된 원료 분말(103)로 이루어지는 입자군(105)이 얻어진다.
다음으로, 얻어진 입자군(105)을 고온 가열용 트레이에 회수하고, 도 2에서의 고온 가열 처리(공정 S2)를 행한다. 원료 분말(103)에 슬러리, 바인더를 혼합한 경우에는, 회수 전에 건조 처리를 행한다. 또한 입자군(105)끼리의 접촉을 최소한으로 억제하기 위해서, 회수 후부터 고온 가열 처리까지는, 얻어진 입자군(105)에 대하여 진동, 압력 등을 가하지 않도록 주의한다. 본 실시 형태에서는, 얻어진 입자군(105)을, 산화 분위기로 하여, 질소(N) : 산소(O)=4 : 1의 분위기 속에서, 1450℃, 4시간의 열처리를 실시한다.
상기 열처리 후의 산화 마그네슘 결정체 분체(203)를, 용제(204)인 IPA(이소프로필알코올) 1L에 대하여 2g의 비율(2g/L)로 혼합하여(공정 S3), 슬러리(205)를 얻는다.
이 슬러리(205)를, 도 6에서의 보호층(14)(산화 마그네슘층)이 증착에 의해 형성 완료된 전면 기판 구조체(10)의 보호층(14) 표면(대상면)에 대하여, 도장용 스프레이건 등을 이용한 분무(산포) 또는 도포 등에 의해, 해당 층(막)을 형성한다. 그리고, 해당 층(슬러리(205))을 가온에 의해 건조(용제 성분 제거 등)시킴으로써, 프라이밍 입자 방출층(15)으로서 완성시킨다(공정 S4). 또한，슬러리(205)의 형성(도포)의 양은, 2g/㎡로 되도록 한다.
상기의 공정에 의해 프라이밍 입자 방출층(15)이 형성된 전면 기판 구조체(10)를 이용하여, 도 5에 도시한 구성의 PDP(1)를 제작한다.
이상과 같이, 프라이밍 입자 방출층(15)을 제작하는 공정에서, 상기 전처리 공정(공정 S1)을 가짐으로써, 산화 마그네슘 결정체 분체(201)로 이루어지는 입자군(105)의 형상, 사이즈를 균일하게 할 수 있어, 고온 가열 처리(공정 S2) 시의 입자군(105)끼리의 접촉을 적게 함으로써, 방전 지연 개선 효과를 손상시키지 않고, 응집이 억제된 산화 마그네슘 결정체 분체(203)를 얻을 수 있다. 이 산화 마그네슘 결정체 분체(203)를 포함하는 프라이밍 입자 방출층(15)을 배치함으로써, 방전 지연의 개선과, 표시 결점, 표시 얼룩의 억제를 양립한 PDP(1)를 실현할 수 있다.
<실시 형태 2>
본 발명의 실시 형태 2인 산화 마그네슘 결정체 분체 및 이 산화 마그네슘 결정체 분체를 포함하는 프라이밍 입자 방출층(15)을 갖는 PDP(1)의 제조 방법은, 실시 형태 1의 도 2에 도시한 산화 마그네슘 결정체 분체(203) 및 프라이밍 입자 방출층(15)의 제조 플로우에서의, 원료 분말(103)의 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정(공정 S1)에서, 다른 수단을 이용하는 것이다. 다른 공정의 처리 내용 등은 실시 형태 1과 마찬가지이다.
도 3은, 본 실시 형태에서의 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정(공정 S1)의 예에 대한 개요를 도시한 도면이다. 우선 표면에 복수의 관통 구멍(106)을 형성한 기판(101)을 준비한다. 관통 구멍(106)의 사이즈(개구부의 폭 및 기판의 두께)는, 가열 처리 후의 분체의 입도 분포, 허용 응집 상한의 설계, 열처리 조건, 표시 셀의 사이즈 등에 의존하지만, 1㎛∼100㎛인 것이 바람직하다.
기판(101)의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 금속, 글래스, 수지 등을 이용할 수 있다. 또한, 기판(101)은, 판 형상이어도 되고, 와이어 등을 뜬 형상의 것 이어도 된다. 본 실시 형태에서는, 기판(101)은, SUS 와이어를 개구부의 폭 50㎛로 되도록 뜬 것으로 한다. 또한, 관통 구멍(106)의 형상은, 도 3에서는 원주 형상으로서 도시되어 있지만, 특별히 이에 한정되지 않는다.
이 기판(101)의 관통 구멍(106)에, 스퀴지(104) 등을 이용하여 일정한 압력으로 원료 분말(103)을 압입하여, 관통 구멍(106)을 통과시킨다. 이에 의해, 관통 구멍(106)을 통과한 원료 분말(103)로 이루어지는 입자군(105)의 형상, 사이즈는 균일한 것으로 된다. 또한, 원료 분말(103)에는, 실시 형태 1과 마찬가지의 것을 이용한다. 또한, 실시 형태 1과 마찬가지로, 원료 분말(103)의 상태는, 건조 분말형상 이외에, 휘발성 용매와 혼합한 슬러리 형상이나, 바인더를 혼합한 것이어도 된다.
이상과 같이, 실시 형태 1과 마찬가지로, 프라이밍 입자 방출층(15)을 제작하는 공정에서, 상기 전처리 공정(공정 S1)을 가짐으로써, 산화 마그네슘 결정체 분체(201)로 이루어지는 입자군(105)의 형상, 사이즈를 균일하게 할 수 있어, 고온 가열 처리(공정 S2) 시의 입자군(105)끼리의 접촉을 적게 함으로써, 방전 지연 개선 효과를 손상시키지 않고, 응집이 억제된 산화 마그네슘 결정체 분체(203)를 얻을 수 있다. 이 산화 마그네슘 결정체 분체(203)를 포함하는 프라이밍 입자 방출층(15)을 배치함으로써, 방전 지연의 개선과, 표시 결점, 표시 얼룩의 억제를 양립한 PDP(1)를 실현할 수 있다.
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시 형태에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
본 발명은, PDP 및 그 제조 방법에 이용 가능하다.

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 대향 배치된 2개의 기판 구조체간의 방전 공간에 노출되도록, 고온 가열 처리된 산화 마그네슘 결정체 분체를 포함하는 프라이밍 입자 방출층이 배치된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서,
    상기 산화 마그네슘 결정체 분체에 상기 고온 가열 처리를 행하기 전에, 기판 상에 형성한 오목 형상 구멍에 상기 산화 마그네슘 결정체 분체를 충전하여 성형함으로써, 상기 산화 마그네슘 결정체 분체의 복수의 입자로 이루어지는 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 오목 형상 구멍의 사이즈가 1∼100㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  4. 대향 배치된 2개의 기판 구조체간의 방전 공간에 노출되도록, 고온 가열 처리된 산화 마그네슘 결정체 분체를 포함하는 프라이밍 입자 방출층이 배치된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서,
    상기 산화 마그네슘 결정체 분체에 상기 고온 가열 처리를 행하기 전에, 기판 상에 형성한 관통 구멍에 상기 산화 마그네슘 결정체 분체를 압입하여 통과시킴으로써, 상기 산화 마그네슘 결정체 분체의 복수의 입자로 이루어지는 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 관통 구멍의 사이즈가 1∼100㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 플라즈마 디스플레이 패널에서의, 대향 배치된 2개의 기판 구조체간의 방전 공간에 노출되도록 배치된 프라이밍 입자 방출층에 포함되는, 고온 가열 처리된 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법으로서,
    상기 산화 마그네슘 결정체 분체에 상기 고온 가열 처리를 행하기 전에, 기판 상에 형성한 오목 형상 구멍에 상기 산화 마그네슘 결정체 분체를 충전하여 성형함으로써, 상기 산화 마그네슘 결정체 분체의 복수의 입자로 이루어지는 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 오목 형상 구멍의 사이즈가 1∼100㎛인 것을 특징으로 하는 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법.
  10. 플라즈마 디스플레이 패널에서의, 대향 배치된 2개의 기판 구조체간의 방전 공간에 노출되도록 배치된 프라이밍 입자 방출층에 포함되는, 고온 가열 처리된 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법으로서,
    상기 산화 마그네슘 결정체 분체에 상기 고온 가열 처리를 행하기 전에, 기판 상에 형성한 관통 구멍에 상기 산화 마그네슘 결정체 분체를 압입하여 통과시킴으로써, 상기 산화 마그네슘 결정체 분체의 복수의 입자로 이루어지는 입자군의 형상, 사이즈를 균일하게 하는 전처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 관통 구멍의 사이즈가 1∼100㎛인 것을 특징으로 하는 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법.
KR1020107015555A 2008-03-05 2008-03-05 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법 KR101106830B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2008/053975 WO2009110074A1 (ja) 2008-03-05 2008-03-05 プラズマディスプレイパネルの製造方法、酸化マグネシウム結晶体粉体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100090724A KR20100090724A (ko) 2010-08-16
KR101106830B1 true KR101106830B1 (ko) 2012-01-19

Family

ID=41055653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107015555A KR101106830B1 (ko) 2008-03-05 2008-03-05 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110018169A1 (ko)
JP (1) JP4961495B2 (ko)
KR (1) KR101106830B1 (ko)
CN (1) CN101919019B (ko)
WO (1) WO2009110074A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2980972A1 (en) 2014-07-31 2016-02-03 Nxp B.V. Charge pump for negative voltage generation

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007128891A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Lg Electronics Inc プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4773599A (en) * 1985-04-04 1988-09-27 Quadro Engineering Incorporated Series of screens for a size reduction machine
US5201916A (en) * 1992-07-23 1993-04-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Shaped abrasive particles and method of making same
US6440252B1 (en) * 1999-12-17 2002-08-27 Xerox Corporation Method for rotatable element assembly
CA2423597A1 (en) * 2000-10-16 2002-04-25 3M Innovative Properties Company Method of making ceramic aggregate particles
US6521004B1 (en) * 2000-10-16 2003-02-18 3M Innovative Properties Company Method of making an abrasive agglomerate particle
US7632434B2 (en) * 2000-11-17 2009-12-15 Wayne O. Duescher Abrasive agglomerate coated raised island articles
US8256091B2 (en) * 2000-11-17 2012-09-04 Duescher Wayne O Equal sized spherical beads
US6677926B2 (en) * 2001-06-11 2004-01-13 Xerox Corporation Electrophoretic display device
JP4225761B2 (ja) * 2002-10-10 2009-02-18 三菱マテリアル株式会社 Ｓｉ濃度を調整した多結晶ＭｇＯ蒸着材
JP4541832B2 (ja) * 2004-03-19 2010-09-08 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
US7713639B2 (en) * 2004-12-17 2010-05-11 Samsung Sdi Co., Ltd. Protective layer, composite for forming the protective layer, method of forming the protective layer, and plasma display panel including the protective layer
KR20070047075A (ko) * 2005-11-01 2007-05-04 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막
KR20070048017A (ko) * 2005-11-03 2007-05-08 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막
JP4562742B2 (ja) * 2006-02-21 2010-10-13 宇部マテリアルズ株式会社 フッ素含有酸化マグネシウム粉末
EP1883092A3 (en) * 2006-07-28 2009-08-05 LG Electronics Inc. Plasma display panel and method for manufacturing the same
JP2008053012A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法、プラズマディスプレイパネル
US20080157672A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Takuji Tsujita Plasma display panel and manufacturing method therefor
KR100983118B1 (ko) * 2007-12-07 2010-09-17 삼성전기주식회사 산화마그네슘 나노입자 제조방법 및 산화마그네슘 나노졸 제조방법
US8508437B2 (en) * 2008-04-16 2013-08-13 Panasonic Corporation Plasma display device having a protective layer including a base protective layer and a particle layer
JP2009258467A (ja) * 2008-04-18 2009-11-05 Panasonic Corp プラズマディスプレイ装置
JP5415215B2 (ja) * 2009-10-02 2014-02-12 タテホ化学工業株式会社 分散性に優れる酸化マグネシウム粉末及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007128891A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Lg Electronics Inc プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009110074A1 (ja) 2009-09-11
JPWO2009110074A1 (ja) 2011-07-14
US20110018169A1 (en) 2011-01-27
JP4961495B2 (ja) 2012-06-27
KR20100090724A (ko) 2010-08-16
CN101919019B (zh) 2013-02-13
CN101919019A (zh) 2010-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2214193B1 (en) Plasma display panel
KR20040028679A (ko) 플라즈마 표시장치
WO2002017345A1 (en) Gas dischargeable panel
KR100807942B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널과 그 제조방법
KR100990774B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
US8395320B2 (en) Plasma display panel
JP2002190256A (ja) プラズマディスプレイパネルとその製造方法
KR101106830B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 산화 마그네슘 결정체 분체의 제조 방법
US8237363B2 (en) Plasma display panel with MgO crystal protective layer
KR20100033543A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 산화 마그네슘 결정체, 플라즈마 디스플레이 패널
JP5298579B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2009113139A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP3411628B2 (ja) 面放電型プラズマディスプレイパネルの製造方法
WO2009113138A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
KR101151116B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
JP2010003423A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2004071220A (ja) プラズマ表示装置
JP3772914B2 (ja) Ｐｄｐにおける蛍光体層の形成方法
JP4259190B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
WO2009110195A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2001118520A (ja) ガス放電パネル
JP4788471B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP5115536B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2011222325A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法、及びプラズマディスプレイパネル
JP2005353338A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee