JP5115536B2 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と呼ぶ。）及びＰＤＰの基板構体に関する。

図６は、従来のＰＤＰの構成を示す斜視図である。ＰＤＰは、前面側基板構体１と、背面側基板構体２を貼り合わせた構造をしている。前面側基板構体１は、ガラス基板からなる前面側基板１ａ上に、透明電極３ａと金属電極３ｂからなる表示電極３が配置され、表示電極３は、誘電体層４で覆われている。誘電体層４の上にさらに２次電子放出係数の高い酸化マグネシウム層からなる保護層５が形成されている。背面側基板構体２には、ガラス基板からなる背面側基板２ａ上に、表示電極と直交するようにアドレス電極６を配置し、かつアドレス電極６間には、発光領域を規定するために隔壁７が設けられ、アドレス電極６上の隔壁７で区分けされた領域には、赤、緑、青の蛍光体層８が形成されている。貼り合わせた前面側基板構体１と背面側基板構体２の内部に形成された気密な放電空間には、Ｎｅ−Ｘｅガスからなる放電ガスが封入されている。なお、図示していないが、アドレス電極６は、誘電体層で被覆されており、隔壁７及び蛍光体層８は、この誘電体層上に設けられている。

このようなＰＤＰでは、アドレス電極６と、スキャン電極を兼ねる表示電極３の間に電圧を印加することによって、アドレス放電を生じさせ、対をなす表示電極３の間に電圧を印加することによって、リセット放電や表示のためのサステイン放電を生じさせる。

ＰＤＰは、大型薄型テレビとして実用化されており、近年は高精細化が進んでいる。高精細化すると画素数が増えるため、セルの点灯非点灯を決めるアドレス操作の時間が増大する。アドレス操作時間の増大を抑えるためには、アドレス放電用電圧（アドレス電圧ともいう）のパルス幅を小さくする必要がある。しかし、電圧を印加してから放電が起こるまでの時間（放電遅れ）にばらつきがあるため、アドレス電圧のパルス幅が小さ過ぎると放電が起きないことがあり得る。その場合、表示期間においてセルが正しく点灯しないため、画質の劣化を招くという問題がある。

ＰＤＰの放電遅れを改善する手段として、前面側基板基板構体に電子放出層として酸化マグネシウム結晶体層を設ける方法がある（例えば、特許文献１を参照）。

特開２００６−５９７８６号公報

本発明者らが鋭意研究を行ったところ、特許文献１に記載の方法では、前回の放電からアドレス放電までの休止期間が短い場合（概ね、数ｍｓ程度以下の場合）には放電遅れの改善効果が見られるが、休止期間が長い場合には放電遅れの改善効果が極端に劣化することが明らかになった。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、前回の放電からアドレス放電までの休止期間が長い場合でも効果的に放電遅れを改善させることができるＰＤＰを提供するものである。

本発明によれば、対向配置された２つの基板構体間の放電空間に露出するように、ハロゲン元素が１〜１００００ｐｐｍ添加された酸化マグネシウム結晶体を含むプライミング粒子放出層が配置されているＰＤＰが提供される。

本発明者は、鋭意研究を行った結果、ハロゲン元素が１〜１００００ｐｐｍ添加された酸化マグネシウム結晶体（以下、「ＭｇＯ結晶体」と呼ぶ。）を含むプライミング粒子（以下、「Ｐ粒子」と呼ぶ）放出層が放電空間に露出するように配置されている場合、放電遅れの改善効果が長時間持続するため、前回の放電からアドレス放電までの休止期間が長い場合でも効果的に放電遅れを改善させることができることを見出し、本発明の完成に到った。

本発明によって放電遅れの改善効果が長時間持続する理由は必ずしも明らかではないが、添加したハロゲン元素がＭｇＯ結晶体中の酸素と置換され、これが電子トラップとなって、電子放出特性が向上したためであると推測される。

本発明によれば、放電遅れの改善効果が長時間持続するため、比較的少量であっても休止期間が長い場合の放電遅れを効果的に抑制することができ、コスト低減に繋がる。

（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態のＰＤＰの構造を示す断面図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、（ａ）中のＩ−Ｉ断面図及びＩＩ−ＩＩ断面図である。 本発明の実施例において、実施例サンプルＢ，Ｄ，ＥのＦ添加量の推定値を求めるためのグラフである。 本発明の実施例の放電遅れの測定に用いた電圧波形を示す。 実施例サンプルＣを用いて製造したＰＤＰと、無添加のＭｇＯ結晶体を用いて製造したＰＤＰについての、休止期間と放電遅れとの関係を示すグラフである。 本発明の実施例にかかる、Ｆ添加量の測定値又は推定値と、放電遅れとの関係を示すグラフである。 従来のＰＤＰの構造を示す斜視図である。

以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す構成は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。以下の実施形態では、反射型３電極面放電型ＰＤＰを例にとって説明を進めるが、本発明は、これ以外の種類のＰＤＰにも適用可能である。例えば、「前面側」と「背面側」の構成が逆転した透過型ＰＤＰや、電極数、電極配置、放電形式等が異なるＰＤＰにも適用可能である。

図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態のＰＤＰの構造を示す断面図である。図１（ａ）は、本実施形態のＰＤＰの構造を示す平面図であり、図１（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、図１（ａ）中のＩ−Ｉ断面図及びＩＩ−ＩＩ断面図である。

本実施形態のＰＤＰは、対向配置された前面側基板構体１及び背面側基板構体２を有する。前面側基板構体１は、前面側基板１ａ上にそれぞれが透明電極３ａと金属電極３ｂとからなる複数の表示電極３と、複数の表示電極３を覆う誘電体層４と、誘電体層４上に保護層５を介してＰ粒子放出層１１を有する。 背面側基板構体２は、背面側基板１ｂ上に表示電極３に交差（好ましくは、直交）する複数のアドレス電極６、複数のアドレス電極６を覆う誘電体層９、誘電体層９上に隔壁７及び蛍光体層８を有する。 前面側基板構体１と背面側基板構体２とは、周縁部が封着材で貼り合わされており、前面側基板構体１と背面側基板構体２の間の気密な放電空間内には放電ガス（例えば、ネオンに数％程度のキセノンを混合させたもの）が封入されている。 Ｐ粒子放出層１１は、放電空間に露出するように配置され、ハロゲン元素が１〜１００００ｐｐｍ添加されたＭｇＯ結晶体を含んでいる。 以下、各構成要素について詳細に説明する。

１−１．基板、表示電極、誘電体層、保護層（前面側基板構体） 前面側の基板１ａは、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。具体的には、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板が挙げられる。

表示電極３は、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂ などの幅の広い透明電極３ａと、電極の抵抗を下げるための、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる幅の狭い金属電極３ｂとで構成することができる。透明電極３ａ及び金属電極３ｂの形状は、特に限定されず、Ｔ字形や梯子形であってもよい。透明電極３ａと金属電極３ｂの形状は、同じであっても互いに異なっていてもよい。例えば、透明電極３ａをＴ字形や梯子形にして、金属電極３ｂをストレート形にしてもよい。また、透明電極３ａは、省略することもでき、この場合、表示電極３は、金属電極３ｂのみからなる。

複数の表示電極３は、２本ずつがペアになって表示ラインを構成するが、電極配列形態として電極ペア間に非放電領域（逆スリットともいう）を設けた配列、電極を等間隔に配列して隣接する電極間が全て放電領域となるＡＬＩＳ形式の配列のいずれかによって配置されている。このペアは、アドレス電極６との間のアドレス放電に用いられるスキャン電極３Ｙと、スキャン電極３Ｙとの間のサステイン放電等に用いられるサステイン電極３Ｘとで構成される。

誘電体層４は、例えば、低融点ガラスフリットにバインダと溶剤を加えた低融点ガラスペーストを、表示電極３形成後の基板上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することによって形成することができる。誘電体層４は、表示電極３形成後の基板上にＣＶＤ法などで酸化シリコンを堆積することによって形成してもよい。

保護層５は、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム又は酸化バリウム等の金属（より具体的には２価の金属）酸化物からなり、好ましくは、酸化マグネシウムからなる。保護層５は、蒸着法、スパッタ法又は塗布法等で形成される。

１−２．基板、アドレス電極、誘電体層、隔壁、蛍光体層（背面側基板構体） 背面側の基板２ａは、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。具体的には、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板が挙げられる。アドレス電極６は、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等で構成することができる。 誘電体層９は、誘電体層４と同様の材料及び方法で形成することができる。

隔壁７は、誘電体層９上に低融点ガラスペースト等の隔壁形成材料層を形成し、この隔壁形成材料層をサンドブラスト等によりパターニングし、焼成することによって形成することができる。隔壁７は、これ以外の方法で形成してもよい。隔壁７の形状は、限定されず、例えば、ストライプ形、ミアンダ形、格子形又は梯子形にすることができる。 蛍光体層８は、例えば、蛍光体粉末とバインダとを含む蛍光体ペーストを隣接する隔壁７間の溝内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎に繰り返した後、焼成することにより形成することができる。

１−３．プライミング粒子（Ｐ粒子）放出層 Ｐ粒子放出層１１は、放電空間に露出するように配置され、ハロゲン元素が１〜１００００ｐｐｍ添加されたＭｇＯ結晶体（以下、ハロゲン元素が添加されたＭｇＯ結晶体を「ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体」と呼ぶ。）を含むＰ粒子放出材料からなる。本明細書では、「ｐｐｍ」は、重量濃度である。Ｐ粒子放出材料は、ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体以外の成分を含んでいてもよく、ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体を主成分としてもよく、ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体のみからなってもよい。

ハロゲン元素の種類は、特に限定されない。ハロゲン元素は、例えば、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素のうちの一種又は二種以上からなる。フッ素の場合に放電遅れの改善効果が長時間持続することが確認されているが、電子状態の類似性からフッ素以外のハロゲンを添加した場合にも同様の効果が得られると考えられる。

ハロゲン元素の添加量は、特に限定されない。ハロゲン元素の添加量は、例えば、１〜１００００ｐｐｍである。実施例では、２４〜４４０ｐｐｍの範囲でハロゲン元素の添加量を変化させてもほぼ同様の効果が得られることが確認されていることから、ハロゲン元素の添加量が効果に与える影響は大きくないと考えられ、添加量が１〜１００００ｐｐｍ程度の範囲であれば、放電遅れの改善効果が長時間持続すると考えられる。ハロゲン元素の添加量は、例えば、１，５，１０，１５，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００，１２０，１４０，１６０，１８０，２００，２５０，３００，３５０，４００，４５０，５００，６００，７００，８００，９００，１０００，１５００、２０００，３０００，４０００，５０００，６０００，７０００，８０００，９０００又は１００００ｐｐｍである。ハロゲン元素の添加量は、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲内であってもよい。ハロゲン元素の添加量は、燃焼−イオンクロマトグラフ分析によって測定することができる。

ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体の製造方法は、特に限定されない。ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体は、一例では、ＭｇＯ結晶体とハロゲン含有物質を混合して焼成し、解砕することによって製造することができる。ＭｇＯ結晶体については、後述する。ハロゲン含有物質としては、例えば、マグネシウムのハロゲン化物（フッ化マグネシウム等）やＡｌ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｃａ，Ｃｅのハロゲン化物が挙げられる。焼成は、１０００〜１７００℃で行うことが好ましい。焼成の温度は、例えば、１０００，１１００，１２００，１３００，１４００，１５００，１６００又は１７００℃である。焼成の温度は、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲内であってもよい。焼成物の解砕を行う方法は、特に限定されないが、例えば、焼成物を乳鉢に入れて、それを乳棒ですり潰して粉体状にする方法が挙げられる。

ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体は、好ましくは、粉体状であり、そのサイズや形状は特に限定されないが、平均粒径が０．０５〜２０μｍであることが好ましい。ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体は、平均粒径が小さすぎると、放電遅れの改善効果が小さく、平均粒径が大きすぎると、Ｐ粒子放出層１１が均一に形成されにくいからである。

ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体の平均粒径は、次の式に従って求めることができる。 式：平均粒径＝ａ／（Ｓ×ρ）（但し、ａは、形状係数で６、Ｓは、窒素吸着法により求まるＢＥＴ比表面積、ρは、ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体の真密度である。） ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体の平均粒径は、具体的には、例えば、０．０５、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０μｍである。ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体の平均粒径の範囲は、上記具体的な平均粒径として例示した数値の何れか２つの間であってもよい。

次に、ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体の製造に使用されるＭｇＯ結晶体について説明する。ＭｇＯ結晶体は、電子線の照射によって波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行うという特性を有している。ＭｇＯ結晶体は、好ましくは、粉体状であり、そのサイズや形状は特に限定されないが、平均粒径が０．０５〜２０μｍであることが好ましい。

ＭｇＯ結晶体の平均粒径は、次式に従って求めることができる。式：平均粒径＝ａ／（Ｓ×ρ）（但し、ａは、形状係数で６、Ｓは、窒素吸着法により求まるＢＥＴ比表面積、ρは、酸化マグネシウムの真密度である。） ＭｇＯ結晶体の平均粒径は、具体的には、例えば、０．０５、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０μｍである。ＭｇＯ結晶体の平均粒径の範囲は、上記具体的な平均粒径として例示した数値の何れか２つの間であってもよい。

ＭｇＯ結晶体の製造方法は、特に限定されないが、マグネシウム蒸気と酸素とを反応させる気相法で製造することが好ましく、例えば、特開２００４−１８２５２１号公報に記載された方法や、『材料』昭和６２年１１月号、第３６巻第４１０号の第１１５７〜１１６１頁の『気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質』に記載された方法で製造することができる。また、ＭｇＯ結晶体は、宇部マテリアルズ株式会社から購入してもよい。気相法で製造することが好ましいのは、気相法によりＭｇＯ結晶体を製造すると、純度の高い単結晶体が得られるからである。

Ｐ粒子放出層１１は、直接又は別の層を介して誘電体層４上に配置することができる。図１では、Ｐ粒子放出層１１は、保護層５を介して誘電体層４上に配置されている。図１の構成は、一例であって、Ｐ粒子放出層１１は、前面側基板構体１と背面側基板構体２の間の放電空間に露出するように、放電空間のどこかに配置されていればよい。放電空間内のどこかにＰ粒子放出層１１が配置されていれば、Ｐ粒子放出層１１からのＰ粒子によって放電遅れが改善されるからである。Ｐ粒子放出層１１は、その全体が放電空間に露出していることが好ましいが、一部のみが露出していてもよい。

例えば、Ｐ粒子放出層１１は、前面側基板構体１に配置してもよく、背面側基板構体２に配置してもよい。Ｐ粒子放出層１１を前面側基板構体１に配置する場合、保護層５を省略してＰ粒子放出層１１を誘電体層４上に配置してもよく、開口部を有する保護層５を誘電体層４上に配置して、この開口部内にＰ粒子放出層１１を配置してもよい。

Ｐ粒子放出層１１の厚さや形状は、特に限定されない。Ｐ粒子放出層１１は、表示領域の全面に配置してもよく、一部にのみ配置してもよい。例えば、正面視において表示電極３と重なる領域にのみ形成したり、スキャン電極３Ｙと重なる領域にのみ形成したりしてもよい。この場合、放電遅れの改善効果をあまり低下させることなくＰ粒子放出材料の使用量を低減することができる。また、金属電極３ｂと重なる領域にのみ形成したり、面放電の起こらない表示電極対間の非放電ライン（逆スリット）と重なる領域にのみ形成したりしてもよい。この場合、Ｐ粒子放出層１１を形成することによる輝度低下を抑えることができる。Ｐ粒子放出層１１は、ストレート状に形成してもよく、放電セル毎に分離した島状に形成してもよい。

Ｐ粒子放出層１１の形成方法は、特に限定されない。Ｐ粒子放出層１１は、例えば、粉体状のＰ粒子放出材料をそのまま又は分散媒に分散させた状態で保護層５に向けて散布することによって形成することができる。また、スクリーン印刷によって、Ｐ粒子放出材料を保護層５上に付着させてもよい。また、Ｐ粒子放出層１１は、ディスペンサーやインクジェット装置を用いてＰ粒子放出層１１を形成する部位にＰ粒子放出材料を含むペーストや懸濁液を付着させることによって形成してもよい。

以下、本発明の実施例について説明する。以下の実施例では、フッ素が添加されたＭｇＯ結晶体（以下、「Ｆ添加ＭｇＯ結晶体」と呼ぶ。）を放電空間に露出するように配置することによる放電遅れ改善効果を調べた。また、フッ素が添加されていない通常のＭｇＯ結晶体を放電空間に露出するように配置した場合と比較した。

１．Ｆ添加ＭｇＯ結晶体の製造方法 以下の方法でＦ添加量が互いに異なる５種類のＦ添加ＭｇＯ結晶体（実施例サンプルＡ〜Ｅと呼ぶ。）を作製した。

まず、ＭｇＯ結晶体（宇部マテリアルズ株式会社製、商品名：気相法高純度超微粉マグネシア（２０００Ａ））と、ＭｇＦ₂（フルウチ化学株式会社製、純度：９９．９９％）をそれぞれ乳鉢と乳棒を用いて凝集解砕して粉体状にした。 次に、表１に示す混合量になるように、凝集解砕したＭｇＯ結晶体とＭｇＦ₂を秤量し、タンブラー混合機で混合した。 次に、混合したものを大気中１４５０℃で１時間焼成した。 次に、焼成した粉を凝集解砕して粉体状にして、実施例サンプルＡ〜ＥのＦ添加ＭｇＯ結晶体を得た。

次に、実施例サンプルＡとＣのＦ添加量を燃焼イオンクロマトグラフ分析によって測定した。その結果を表１に示す。また、実施例サンプルＡとＣのＦ添加量の測定値から推測される実施例サンプルＢ，Ｄ，ＥのＦ添加量の推定値を図２のグラフに従って求めた。表１ではＦ添加量の推定値は括弧で囲んで表示した。

２．ＰＤＰの製造方法 次に、実施例サンプルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ又はＥのＦ添加ＭｇＯ結晶体からなるＰ粒子放出層１１を有するＰＤＰを以下の方法で製造した。また、後述する放電遅れ試験の比較例に使用するために、Ｆ添加ＭｇＯ結晶体の代わりにＦ添加を行っていないＭｇＯ結晶体（メーカ，商品名は同上）を用いてＰＤＰを同様の方法及び条件で製造した。

２−１．概要 図１（ａ）〜（ｃ）に示すようにガラス基板１ａ上に表示電極３、誘電体層４、保護層５、Ｐ粒子放出層１１を形成することによって前面側基板構体１を作製した。また、ガラス基板２ａ上にアドレス電極６、誘電体層９、隔壁７及び蛍光体層８を形成することによって背面側基板構体２を作製した。次に、前面側基板構体１と背面側基板構体２を重ね合わせて周縁部を封着材で封止することによって内部に気密な放電空間を有するパネルを作製した。次に、放電空間内を排気後、放電ガスを封入し、ＰＤＰを完成させた。

２−２．Ｐ粒子放出層の形成方法 Ｐ粒子放出層１１は、詳しくは、以下の方法で形成した。 まず、Ｆ添加ＭｇＯ結晶体をＩＰＡ（関東化学株式会社製、電子工業用）１Ｌに対して２ｇの割合で混合し、超音波分散機で分散させて凝集解砕させ、スラリーを作製した。 次に、保護層５上に塗装用スプレーガンを用いて上記スラリーをスプレー塗布し、その後にドライエアを吹き付けて乾燥させる工程を数回繰り返すことによってＰ粒子放出層１１を形成した。Ｐ粒子放出層１１は、Ｆ添加ＭｇＯ結晶体の重量が１ｍ²当り２ｇとなるように形成した。

２−３．その他 その他の条件は、以下の通りにした。

前面側基板構体１： 表示電極３ａの幅：２７０μｍ 金属電極３ｂ幅：９５μｍ 放電ギャップの幅：１００μｍ 誘電体層４：低融点ガラスペーストの塗布焼成により形成、厚さ：３０μｍ 保護層５：電子ビーム蒸着によるＭｇＯ層、厚さ：７５００Å

背面側基板構体２： アドレス電極６の幅：７０μｍ 誘電体層９：低融点ガラスペーストの塗布焼成により形成、厚さ：１０μｍ アドレス電極６の真上での蛍光体層８の厚さ：２０μｍ 蛍光体層８の材料：Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ（緑蛍光体） 隔壁７の高さ：１４０μｍ 頂部での幅：５０μｍ 隔壁７のピッチ（図１（ａ）の寸法Ａ）：３６０μｍ放電ガス：Ｎｅ９６％−Ｘｅ４％、５００Ｔｏｒｒ

３．放電遅れ試験 次に、製造した各ＰＤＰについて放電遅れ試験を行った。放電遅れ試験は、図３に示す測定用の電圧波形によって行った。リセット放電期間ではサステイン電極３Ｘとスキャン電極３Ｙの間でリセット放電を起こさせて誘電体層の電荷状態をリセットし、以前の放電の影響を除去した。予備放電期間では特定のセルを選択した後にサステイン電極３Ｘとスキャン電極３Ｙの間で放電を起こさせてＰ粒子放出材料を励起した。その後、１０μｓ〜５０ｍｓの休止期間を経過した後、アドレス放電期間にアドレス電極６に電圧を印加し、この電圧印加時から実際に放電が開始されるまでの時間を測定した。放電開始までの時間は１０００回測定し、累積放電確率が９０％となる時間を放電遅れと定義した。

このようにして得られた結果を表２、図４及び図５に示す。図４は、実施例サンプルＣを用いて製造したＰＤＰと、無添加のＭｇＯ結晶体を用いて製造したＰＤＰについての、休止期間と放電遅れとの関係を示すグラフである。図５は、表２をプロットしたものである。

図４から明らかなように、実施例サンプルＣを用いて製造したＰＤＰでは、無添加ＭｇＯ結晶体を用いて製造したＰＤＰに比べて、休止期間が長いところでも放電遅れが短いことが分かる。このことは、実施例サンプルＣのような、Ｆ添加ＭｇＯ結晶体は、無添加のＭｇＯ結晶体に比べて放電遅れを抑制する効果が長く持続することを意味している。

また、表２及び図５から明らかなように、Ｆ添加量が２４〜４４０ｐｐｍの範囲において、放電遅れの変化が小さいことが分かる。このことは、Ｆ元素の添加量が放電遅れの改善効果に与える影響は大きくないことを示しており、添加量が１〜１００００ｐｐｍ程度の範囲であれば、放電遅れの改善効果が長時間持続することを示唆していると考えられる。

１：前面側基板構体 １ａ：前面側基板 ２：背面側基板構体 ２ａ：背面側基板 ３：表示電極 ３ａ：透明電極 ３ｂ：金属電極 ３Ｘ：サステイン電極 ３Ｙ：スキャン電極 ４：誘電体層 ５：保護層 ６：アドレス電極 ７：隔壁 ８：蛍光体層 ９：誘電体層 １１：プライミング粒子放出層

Claims (11)

1. プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   ＭｇＯ結晶体と、ＭｇF_２を混合する工程と、
   混合されたＭｇＯ結晶体とＭｇF_２を焼成する工程と、
   前記焼成により得られたフッ素が添加されたＭｇＯ結晶体を粉体状にする工程と、
   前記粉体状にされたフッ素が２４ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満添加されたＭｇＯ結晶体をプラズマディスプレイパネルの保護膜上に形成する工程と、
   を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
2. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記ＭｇＯ結晶体と、ＭｇF_２を混合する工程の前に、前記ＭｇＯ結晶体と、ＭｇF_２をそれぞれ凝集解砕して紛体状にする工程を設けたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
3. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記ＭｇＯ結晶体と、ＭｇF_２を混合する工程において、ＭｇF_２の混合量を０．００３〜０．０１モル％とすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
4. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   フッ素が添加されたＭｇＯ結晶体をプラズマディスプレイパネルの保護膜上に形成する工程において、前記粉体状のフッ素が添加されたＭｇＯ結晶体を用いてスラリーを生成し、
   前記スラリーを前記保護膜上にスプレー塗布し、その後乾燥させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
5. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   フッ素が添加されたＭｇｏ結晶体をプラズマディスプレイパネルの保護膜上に形成する工程において、スクリーン印刷によって、前記粉体状のフッ素が添加されたＭｇＯ結晶体を保護膜上に形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
6. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   フッ素が添加されたＭｇO結晶体をプラズマディスプレイパネルの保護膜上に形成する工程において、ディスペンサーまたはインクジェット装置によって、前記粉体状のフッ素が添加されたＭｇＯ結晶体を含むペースト又は懸濁液を付着させることで、保護膜上に形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
7. プラズマディスプレイパネルのプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   ハロゲン元素が２４ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満添加された粉体状のＭｇＯ結晶体を用いてスラリーを生成し、
   前記スラリーを前記保護膜上にスプレー塗布し、
   乾燥させることにより、前記ハロゲン元素が１〜１００００ｐｐｍ添加された粉体状のＭｇＯ結晶体をプラズマディスプレイパネルの保護膜上に形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
8. プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   ハロゲン元素が２４ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満添加された粉体状のＭｇＯ結晶体をスクリーン印刷により、プラズマディスプレイパネルの保護膜上に形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
9. プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   ハロゲン元素が２４ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満添加された粉体状のＭｇＯ結晶体をディスペンサーまたはインクジェット装置によって、前記粉体状のフッ素が添加されたＭｇＯ結晶体を含むペースト又は懸濁液を前記プラズマディスプレイパネルの保護膜に付着させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
10. 請求項７乃至請求項９のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
    前記粉体状のＭｇO結晶体は、プラズマディスプレイパネルの保護膜上であって、表示領域の一部に形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
11. 請求項７乃至請求項９のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
    前記ＭｇO結晶体はフッ素を２４ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満添加したことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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