JP2008282624A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

【課題】輝度を低下させることなく放電遅れを短縮させることができるＰＤＰを提供する。
【解決手段】本発明のＰＤＰは、対向配置された第１基板構体及び第２基板構体を有し、第１基板構体は、複数の表示電極を有し、第２基板構体は、前記表示電極に交差するアドレス電極を有し、前記表示電極のそれぞれは、金属バス電極を含み、第１基板構体は、第２基板構体に対向する側に正面視において前記金属バス電極の範囲内に収まるように配置されたプライミング粒子放出層を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と呼ぶ。）に関する。

図１０は、従来のＰＤＰの構成を示す斜視図である。ＰＤＰは、前面側基板構体１と、背面側基板構体２を貼り合わせた構造をしている。前面側基板構体１は、ガラス基板からなる前面側基板１ａ上に、透明電極３ａと金属バス電極３ｂからなる表示電極３が配置され、表示電極３は、誘電体層４で覆われている。誘電体層４の上にさらに２次電子放出係数の高い酸化マグネシウム層からなる保護層５が形成されている。背面側基板構体２には、ガラス基板からなる背面側基板２ａ上に、表示電極と直交するようにアドレス電極６を配置し、かつアドレス電極６間には、発光領域を規定するために隔壁７が設けられ、アドレス電極６上の隔壁７で区分けされた領域には、赤、緑、青の蛍光体層８が形成されている。貼り合わせた前面側基板構体１と背面側基板構体２の内部に形成された気密な放電空間には、Ｎｅ−Ｘｅガスからなる放電ガスが封入されている。なお、図示していないが、アドレス電極６は、誘電体層で被覆されており、隔壁７及び蛍光体層８は、この誘電体層上に設けられている。

このようなＰＤＰでは、アドレス電極６と、スキャン電極を兼ねる表示電極３の間に電圧を印加することによって、アドレス放電を生じさせ、対をなす２本の表示電極３の間に電圧を印加することによって、リセット放電や表示のためのサステイン放電を生じさせる。

ＰＤＰは、大型薄型テレビとして実用化されており、近年は高精細化が進んでいる。高精細化すると画素数が増えるため、セルの点灯非点灯を決めるアドレス操作の時間が増大する。アドレス操作の時間が増大するのを抑えるためには、アドレス放電用電圧（アドレス電圧ともいう）のパルス幅を小さくする必要がある。しかし、電圧を印加してから放電が起こるまでの時間（放電遅れ）にばらつきがあるため、アドレス電圧のパルス幅が小さ過ぎると放電が起きないことがあり得る。その場合、表示期間においてセルが正しく点灯しないため、画質の劣化を招くという問題がある。

この問題を解決するため、特許文献１では保護膜上に酸化マグネシウム結晶体層を形成することを提案している。酸化マグネシウム結晶体は、アドレス放電前に行なわれるリセット放電によって励起され、その後少しずつ電子を放出すると推測されている。放出された電子が種となるため、アドレス放電が起こりやすくなり放電遅れが短縮されると考えられている。
特開２００６−１１４４８４号公報

しかし、酸化マグネシウム結晶体層は、蛍光体からの光を完全には透過させないため、酸化マグネシウム結晶体層を形成することによって輝度が低下するという問題がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、輝度を低下させることなく放電遅れを短縮させることができるＰＤＰを提供するものである。

課題を解決するための手段及び発明の効果

本発明のＰＤＰは、対向配置された第１基板構体及び第２基板構体を有し、第１基板構体は、複数の表示電極を有し、第２基板構体は、前記表示電極に交差するアドレス電極を有し、前記表示電極のそれぞれは、金属バス電極を含み、第１基板構体は、第２基板構体に対向する側に正面視において前記金属バス電極の範囲内に収まるように配置されたプライミング粒子放出層を有する。
本発明では、元々遮光される部分にプライミング粒子（以下、「Ｐ粒子」と呼ぶ。）放出層を配置するため、Ｐ粒子放出層を配置することによって輝度が低下することがない。Ｐ粒子放出層とは、放電開始のためのＰ粒子を放出する材料からなる層であり、この層を設けることによって、放電遅れを短縮させることができる。従って、本発明によれば、輝度を低下させることなく放電遅れを短縮させることができる。

前記複数の表示電極は、２本がペアになって表示ラインを構成し、前記ペアの一方は、アドレス電極との間でのアドレス放電に用いられるスキャン電極であり、前記Ｐ粒子放出層は、正面視において前記スキャン電極の金属バス電極の範囲内に収まるように配置されてもよい。アドレス放電は、スキャン電極とアドレス電極との間で起こるので、Ｐ粒子放出層をこのように配置することによって、アドレス放電の放電遅れの改善効果をあまり損なうことなくＰ粒子放出材料の使用量を減少させることができる。

前記プライミング粒子放出層は、酸化マグネシウム結晶体（以下、「ＭｇＯ結晶体」と呼ぶ。）を含んでもよい。この場合、放電遅れの改善効果が大きい。

前記プライミング粒子放出層は、ハロゲン元素が１〜１００００ｐｐｍ添加されたＭｇＯ結晶体を含んでもよい。この場合、放電遅れの改善効果が長時間持続する。放電遅れの改善効果が長時間持続する理由は必ずしも明らかではないが、添加したハロゲン元素がＭｇＯ結晶体中の酸素と置換され、これが電子トラップとなって、電子放出特性が向上したためであると推測される。また、放電遅れの改善効果が長時間持続するため、比較的少量であっても休止期間が長い場合の放電遅れを効果的に抑制することができ、コスト低減に繋がる。

また、前記Ｐ粒子放出層は、前記金属バス電極の範囲内に収まるように配置される代わりに、アドレス放電に用いられるスキャン電極の範囲内に収まるように配置されてもよい。この場合、若干の輝度低下は起こり得る。しかし、アドレス放電に用いられるスキャン電極の比較的広い範囲にＰ粒子放出層を形成することができるので、輝度低下を最小限に抑えつつアドレス放電の放電遅れの改善効果を大きくすることができる。
ここで示した種々の構成は、互いに組み合わせることができる。

以下、本発明の種々の実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す構成は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。以下の実施形態では、３電極面放電型ＰＤＰを例にとって説明を進めるが、本発明は、これ以外の種類のＰＤＰにも適用可能である。

１．第１実施形態
図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態のＰＤＰの構造を示し、図１（ａ）は、正面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＩ−Ｉ断面図である。
本実施形態のＰＤＰは、対向配置された前面側基板構体１及び背面側基板構体２を有する。前面側基板構体１は、前面側基板１ａ上にそれぞれが透明電極３ａと金属バス電極３ｂとからなる複数の表示電極３と、複数の表示電極３を覆う誘電体層４と、誘電体層４上に保護層５と、保護層５上にＰ粒子放出層１１とを有する。背面側基板構体２は、背面側基板１ｂ上に表示電極３に交差（好ましくは、直交）する複数のアドレス電極６、複数のアドレス電極６を覆う誘電体層９、誘電体層９上に隔壁７及び蛍光体層８を有する。Ｐ粒子放出層１１は、正面視において（別の言い方では正面図において）金属バス電極３ｂの範囲内に収まるように配置されている。
前面側基板構体１と背面側基板構体２とは、周縁部が封着材で貼り合わされており、前面側基板構体１と背面側基板構体２の間の気密な放電空間内には放電ガス（例えば、ネオンに数％程度のキセノンを混合させたもの）が封入されている。
以下、各構成要素について詳細に説明する。

１−１．基板、表示電極、誘電体層、保護層（前面側基板構体）
前面側の基板１ａは、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。具体的には、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板が挙げられる。
表示電極３は、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂ などの幅の広い透明電極３ａと、電極の抵抗を下げるための、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる幅の狭い金属バス電極３ｂとで構成することができる。図１（ａ）、（ｂ）には、透明電極３ａ及び金属バス電極３ｂがストレート形の場合を示しているが、透明電極３ａ及び金属バス電極３ｂの形状は、特に限定されず、Ｔ字形や梯子形であってもよい。透明電極３ａと金属バス電極３ｂの形状は、同じであっても互いに異なっていてもよい。例えば、透明電極３ａをＴ字形や梯子形にして、金属バス電極３ｂをストレート形にしてもよい。
複数の表示電極３は、２本がペアになって表示ラインを構成している。このペアは、アドレス電極６との間のアドレス放電に用いられるスキャン電極３Ｙと、スキャン電極３Ｙとの間のサステイン放電等に用いられるサステイン電極３Ｘとで構成される。本発明は表示電極３が２本ずつのペアになっている場合に限定されず、表示電極３が等間隔に並ぶいわゆるＡＬＩＳ構造のＰＤＰにも適用可能である。この場合、金属バス電極３ｂは、例えば、透明電極３ａの中央に配置される。
誘電体層４は、例えば、低融点ガラスフリットにバインダと溶剤を加えた低融点ガラスペーストを、表示電極３形成後の基板上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することによって形成することができる。誘電体層４は、表示電極３形成後の基板上にＣＶＤ法などで酸化シリコンを堆積することによって形成してもよい。
保護層５は、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム又は酸化バリウム等の金属（より具体的には２価の金属）酸化物からなり、好ましくは、酸化マグネシウムからなる。保護層５は、蒸着法、スパッタ法又は塗布法等で形成される。

１−２．基板、アドレス電極、誘電体層、隔壁、蛍光体層（背面側基板構体）
背面側の基板２ａは、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。具体的には、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板が挙げられる。
アドレス電極６は、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等で構成することができる。
誘電体層９は、誘電体層４と同様の材料及び方法で形成することができる。
隔壁７は、誘電体層９上に低融点ガラスペースト等の隔壁材料層を形成し、この隔壁材料層をサンドブラスト等によりパターニングし、焼成することによって形成することができる。隔壁７は、これ以外の方法で形成してもよい。隔壁７の形状は、限定されず、例えば、ストライプ形、ミアンダ形、格子形又は梯子形にすることができる。
蛍光体層８は、例えば、蛍光体粉末とバインダとを含む蛍光体ペーストを隣接する隔壁７間の溝内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎に繰り返した後、焼成することにより形成することができる。

１−３．プライミング粒子（Ｐ粒子）放出層
Ｐ粒子放出層１１は、前面側基板構体１の背面側基板構体２に対向する側に正面視において表示電極３の金属バス電極３ｂの範囲内に収まるように配置されている。本実施形態では、このように元々遮光される部分にＰ粒子放出層１１を配置しているので、蛍光体層８からの光が遮られることがなく、輝度が低下することがない。

Ｐ粒子放出層１１の厚さは、特に限定されない。特に本実施形態では、Ｐ粒子放出層１１を厚く形成しても輝度が低下することがないので、Ｐ粒子放出層１１は、比較的厚く形成することができる。これによって、放電遅れの改善効果をより高めることができる。
Ｐ粒子放出層１１の幅は、金属バス電極３ｂの範囲内に収まるものであれば特に限定されない。
Ｐ粒子放出層１１の形状は、特に限定されず、図１（ａ），（ｂ）に示すようにストレート状に形成してもよく、例えば、放電セル毎に分離した島状に形成してもよい。

Ｐ粒子放出層１１は、図１（ｂ）では、保護層５上に配置されているが、例えば、図２に示すように、Ｐ粒子放出層１１を形成する部位に開口を有する保護層５を形成し、この開口内にＰ粒子放出層１１を形成してもよい。この場合、Ｐ粒子放出層１１を先に形成し、その後に保護層５を形成してもよい。また、Ｐ粒子放出層１１を先に形成し、Ｐ粒子放出層１１を覆うように保護層５を形成してもよい。この場合、Ｐ粒子放出層１１の少なくとも一部が放電空間に露出するように保護層５を形成する。

Ｐ粒子放出層１１の形成方法は、特に限定されない。例えば、Ｐ粒子放出層１１の形状に対応した開口部を有するマスクを準備し、この開口部がＰ粒子放出層１１を形成する部位に位置するようにマスクを配置した状態でＰ粒子放出材料を保護層５上に付着させることによって形成することができる。Ｐ粒子放出材料を付着させる方法は、特に限定されないが、例えば、粉体状のＰ粒子放出材料をそのまま又は分散媒に分散させた状態で保護層５に向けて散布する方法が挙げられる。また、スクリーン印刷によって、Ｐ粒子放出材料を保護層５上に付着させてもよい。また、Ｐ粒子放出層１１は、開口部を有するマスクを用いる代わりに、ディスペンサーやインクジェット装置を用いてＰ粒子放出層１１を形成する部位にＰ粒子放出材料を含むペーストや懸濁液を付着させることによって形成してもよい。

Ｐ粒子放出層１１は、Ｐ粒子放出材料を含む層である。Ｐ粒子放出層１１は、Ｐ粒子放出材料以外の成分を含んでいてもよく、Ｐ粒子放出材料を主成分としてもよく、Ｐ粒子放出材料のみからなってもよい。Ｐ粒子放出材料とは、過去の放電によって励起され放電開始のためのＰ粒子（電子などの荷電粒子）を放出する材料であり、その種類は、特に限定されない。Ｐ粒子放出材料は、例えば、以下に示す気相法で形成された金属（より具体的には２価の金属）酸化物結晶体（例えば、ＭｇＯ結晶体、酸化カルシウム結晶体、酸化ストロンチウム結晶体又は酸化バリウム結晶体など）や、このような結晶体にハロゲン元素が添加されたものからなる。上記金属酸化物結晶体は、ＭｇＯ結晶体に構成が類似しているので同様の効果が得られると考えられる。

以下、Ｐ粒子放出材料が、ＭｇＯ結晶体にハロゲン元素が添加されたもの（以下、「ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体」と呼ぶ。）からなる場合を例にとって説明を進める。また、以下の説明中のＭｇＯ結晶体は、無添加のままでもＰ粒子放出材料として利用可能である。

ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体に添加されるハロゲン元素の種類は、特に限定されない。ハロゲン元素は、例えば、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素のうちの一種又は二種以上からなる。フッ素の場合に放電遅れの改善効果が長時間持続することが確認されているが、電子状態の類似性からフッ素以外のハロゲンを添加した場合にも同様の効果が得られると考えられる。

ハロゲン元素の添加量は、特に限定されない。ハロゲン元素の添加量は、例えば、１〜１００００ｐｐｍである。本明細書では、「ｐｐｍ」は、重量濃度である。
参考実験例では、２４〜４４０ｐｐｍの範囲でハロゲン元素の添加量を変化させてもほぼ同様の効果が得られることが確認されていることから、ハロゲン元素の添加量が効果に与える影響は大きくないと考えられ、添加量が１〜１００００ｐｐｍ程度の範囲であれば、放電遅れの改善効果が長時間持続すると考えられる。ハロゲン元素の添加量は、例えば、１，５，１０，１５，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００，１２０，１４０，１６０，１８０，２００，２５０，３００，３５０，４００，４５０，５００，６００，７００，８００，９００，１０００，１５００、２０００，３０００，４０００，５０００，６０００，７０００，８０００，９０００又は１００００ｐｐｍである。ハロゲン元素の添加量は、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲内であってもよい。ハロゲン元素の添加量は、燃焼−イオンクロマトグラフ分析によって測定することができる。

ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体の製造方法は、特に限定されない。ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体は、一例では、ＭｇＯ結晶体とハロゲン含有物質を混合して焼成し、解砕することによって製造することができる。ＭｇＯ結晶体については、後述する。ハロゲン含有物質としては、例えば、マグネシウムのハロゲン化物（フッ化マグネシウム等）やＡｌ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｃａ，Ｃｅのハロゲン化物が挙げられる。焼成は、１０００〜１７００℃で行うことが好ましい。焼成の温度は、例えば、１０００，１１００，１２００，１３００，１４００，１５００，１６００又は１７００℃である。焼成の温度は、ここで例示した何れか２つの数値の間の範囲内であってもよい。焼成物の解砕を行う方法は、特に限定されないが、例えば、焼成物を乳鉢に入れて、それを乳棒ですり潰して粉体状にする方法が挙げられる。

ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体は、好ましくは、粉体状であり、そのサイズや形状は特に限定されないが、平均粒径が０．０５〜２０μｍであることが好ましい。ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体は、平均粒径が小さすぎると、放電遅れの改善効果が小さく、平均粒径が大きすぎると、Ｐ粒子放出層１１が均一に形成されにくいからである。

ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体の平均粒径は、次の式に従って求めることができる。
式：平均粒径＝ａ／（Ｓ×ρ）
（但し、ａは、形状係数で６、Ｓは、窒素吸着法により求まるＢＥＴ比表面積、ρは、ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体の真密度である。）
ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体の平均粒径は、具体的には、例えば、０．０５、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０μｍである。ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体の平均粒径の範囲は、上記具体的な平均粒径として例示した数値の何れか２つの間であってもよい。

ＭｇＯ結晶体は、電子線の照射によって波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行うという特性を有している。ＭｇＯ結晶体は、好ましくは、粉体状であり、そのサイズや形状は特に限定されないが、平均粒径が０．０５〜２０μｍであることが好ましい。ＭｇＯ結晶体は、平均粒径が小さすぎると、放電遅れの改善効果が小さく、平均粒径が大きすぎると、Ｐ粒子放出層１１が均一に形成されにくいからである。

ＭｇＯ結晶体の平均粒径は、式１に従って求めることができる。
式１：平均粒径＝ａ／（Ｓ×ρ）
（但し、ａは、形状係数で６、Ｓは、窒素吸着法により求まるＢＥＴ比表面積、ρは、酸化マグネシウムの真密度である。）
ＭｇＯ結晶体の平均粒径は、具体的には、例えば、０．０５、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０μｍである。ＭｇＯ結晶体の平均粒径の範囲は、上記具体的な平均粒径として例示した数値の何れか２つの間であってもよい。

ＭｇＯ結晶体の製造方法は、特に限定されないが、マグネシウム蒸気と酸素とを反応させる気相法で製造することが好ましく、例えば、特開２００４−１８２５２１号公報に記載された方法や、『材料』昭和６２年１１月号、第３６巻第４１０号の第１１５７〜１１６１頁の『気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質』に記載された方法で製造することができる。また、ＭｇＯ結晶体は、宇部マテリアルズ株式会社から購入してもよい。気相法で製造することが好ましいのは、気相法によりＭｇＯ結晶体を製造すると、純度の高い単結晶体が得られるからである。

２．第２実施形態
図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２実施形態のＰＤＰの構造を示し、図３（ａ）は、正面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）中のＩ−Ｉ断面図である。
本実施形態のＰＤＰは、第１実施形態のＰＤＰに類似しているが、Ｐ粒子放出層１１が正面視においてスキャン電極３Ｙに対してのみそれの金属バス電極３ｂの範囲内に収まるように配置されている点が異なっている。アドレス放電は、スキャン電極３Ｙとアドレス電極６の間で行われるので、このようにＰ粒子放出層１１を配置することによって、アドレス放電の放電遅れの改善効果をあまり損なうことなくＰ粒子放出材料の使用量を減少させることができる。

３．第３実施形態
図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３実施形態のＰＤＰの構造を示し、図４（ａ）は、正面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）中のＩ−Ｉ断面図である。
本実施形態のＰＤＰは、第１実施形態のＰＤＰに類似しているが、Ｐ粒子放出層１１が正面視においてスキャン電極３Ｙの範囲内に収まるように配置されている点が異なっている。
本実施形態では、Ｐ粒子放出層１１が金属バス電極３ｂに正面視において重なる部分以外の部分にも配置されているので、若干の輝度低下が起こり得る。しかし、アドレス放電に用いられるスキャン電極３Ｙ側にのみＰ粒子放出層１１が形成されているので、輝度低下は最小限に抑えられる。また、スキャン電極３Ｙの比較的広い範囲にＰ粒子放出層１１が形成されているので、アドレス放電の放電遅れの改善効果を大きくすることができる。従って、本実施形態によれば、輝度低下を最小限に抑えつつアドレス放電の放電遅れの改善効果を大きくすることができる。

４．ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体による放電遅れ改善効果を示す参考実験例
以下、ハロゲン添加ＭｇＯ結晶体による放電遅れ改善効果を示す参考実験例を示す。
以下の実験例では、フッ素が添加されたＭｇＯ結晶体（以下、「Ｆ添加ＭｇＯ結晶体」と呼ぶ。）を放電空間に露出するように配置することによる放電遅れ改善効果を調べた。また、フッ素が添加されていない通常のＭｇＯ結晶体を放電空間に露出するように配置した場合と比較した。

４−１．Ｆ添加ＭｇＯ結晶体の製造方法
以下の方法でＦ添加量が互いに異なる５種類のＦ添加ＭｇＯ結晶体（サンプルＡ〜Ｅと呼ぶ。）を作製した。

まず、ＭｇＯ結晶体（宇部マテリアルズ株式会社製、商品名：気相法高純度超微粉マグネシア（２０００Ａ））と、ＭｇＦ₂（フルウチ化学株式会社製、純度：９９．９９％）をそれぞれ乳鉢と乳棒を用いて凝集解砕して粉体状にした。
次に、表１に示す混合量になるように、凝集解砕したＭｇＯ結晶体とＭｇＦ₂を秤量し、タンブラー混合機で混合した。
次に、混合したものを大気中１４５０℃で１時間焼成した。
次に、焼成した粉を凝集解砕して粉体状にして、サンプルＡ〜ＥのＦ添加ＭｇＯ結晶体を得た。

次に、サンプルＡとＣのＦ添加量を燃焼イオンクロマトグラフ分析によって測定した。その結果を表１に示す。また、サンプルＡとＣのＦ添加量の測定値から推測されるサンプルＢ，Ｄ，ＥのＦ添加量の推定値を図５のグラフに従って求めた。表１ではＦ添加量の推定値は括弧で囲んで表示した。

４−２．ＰＤＰの製造方法
次に、サンプルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ又はＥのＦ添加ＭｇＯ結晶体からなるＰ粒子放出層１１を有する図６（ａ）〜（ｃ）に示す構造のＰＤＰを以下の方法で製造した。図６（ａ）〜（ｃ）は、参考実験例のＰＤＰの構造を示す断面図であり、図６（ａ）は、平面図であり、図６（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、図６（ａ）中のＩ−Ｉ断面図及びＩＩ−ＩＩ断面図である。
また、後述する放電遅れ試験の比較例に使用するために、Ｆ添加ＭｇＯ結晶体の代わりにＦ添加を行っていないＭｇＯ結晶体（メーカ，商品名は同上）を用いてＰＤＰを同様の方法及び条件で製造した。

４−２−１．概要
図６（ａ）〜（ｃ）に示すようにガラス基板１ａ上に表示電極３、誘電体層４、保護層５、Ｐ粒子放出層１１を形成することによって前面側基板構体１を作製した。また、ガラス基板２ａ上にアドレス電極６、誘電体層９、隔壁７及び蛍光体層８を形成することによって背面側基板構体２を作製した。次に、前面側基板構体１と背面側基板構体２を重ね合わせて周縁部を封着材で封止することによって内部に気密な放電空間を有するパネルを作製した。次に、放電空間内を排気後、放電ガスを封入し、ＰＤＰを完成させた。

４−２−２．Ｐ粒子放出層の形成方法
Ｐ粒子放出層１１は、詳しくは、以下の方法で形成した。
まず、Ｆ添加ＭｇＯ結晶体をＩＰＡ（関東化学株式会社製、電子工業用）１Ｌに対して２ｇの割合で混合し、超音波分散機で分散させて凝集解砕させ、スラリーを作製した。
次に、保護層５上に塗装用スプレーガンを用いて上記スラリーをスプレー塗布し、その後にドライエアを吹き付けて乾燥させる工程を数回繰り返すことによってＰ粒子放出層１１を形成した。Ｐ粒子放出層１１は、Ｆ添加ＭｇＯ結晶体の重量が１ｍ²当り２ｇとなるように形成した。

４−２−３．その他
その他の条件は、以下の通りにした。

前面側基板構体１：
表示電極３ａの幅：２７０μｍ
金属バス電極３ｂ幅：９５μｍ
放電ギャップの幅：１００μｍ
誘電体層４：低融点ガラスペーストの塗布焼成により形成、厚さ：３０μｍ
保護層５：電子ビーム蒸着によるＭｇＯ層、厚さ：７５００Å

背面側基板構体２：
アドレス電極６の幅：７０μｍ
誘電体層９：低融点ガラスペーストの塗布焼成により形成、厚さ：１０μｍ
アドレス電極６の真上での蛍光体層８の厚さ：２０μｍ
蛍光体層８の材料：Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ（緑蛍光体）
隔壁７の高さ：１４０μｍ 頂部での幅：５０μｍ
隔壁７のピッチ（図６（ａ）の寸法Ａ）：３６０μｍ
放電ガス：Ｎｅ９６％−Ｘｅ４％、５００Ｔｏｒｒ

４−３．放電遅れ試験
次に、製造した各ＰＤＰについて放電遅れ試験を行った。放電遅れ試験は、図７に示す測定用の電圧波形によって行った。リセット放電期間ではサステイン電極３Ｘとスキャン電極３Ｙの間でリセット放電を起こさせて誘電体層の電荷状態をリセットし、以前の放電の影響を除去した。予備放電期間では特定のセルを選択した後にサステイン電極３Ｘとスキャン電極３Ｙの間で放電を起こさせてＰ粒子放出材料を励起した。その後、１０μｓ〜５０ｍｓの休止期間を経過した後、アドレス放電期間においてアドレス電極６に電圧を印加し、この電圧印加時から実際に放電が開始されるまでの時間を測定した。放電開始までの時間は１０００回測定し、累積放電確率が９０％となる時間を放電遅れと定義した。

このようにして得られた結果を表２、図８及び図９に示す。図８は、サンプルＣを用いて製造したＰＤＰと、無添加のＭｇＯ結晶体を用いて製造したＰＤＰについての、休止期間と放電遅れとの関係を示すグラフである。図９は、表２をプロットしたものである。

図８から明らかなように、サンプルＣを用いて製造したＰＤＰでは、無添加ＭｇＯ結晶体を用いて製造したＰＤＰに比べて、休止期間が長いところでも放電遅れが短いことが分かる。このことは、サンプルＣのような、Ｆ添加ＭｇＯ結晶体は、無添加のＭｇＯ結晶体に比べて放電遅れを抑制する効果が長く持続することを意味している。Ｆ添加ＭｇＯ結晶体において放電遅れの改善効果が長時間持続する理由は必ずしも明らかではないが、添加したハロゲン元素がＭｇＯ結晶体中の酸素と置換され，これが電子トラップとなって，電子放出特性が向上するためであると推測される。

また、表２及び図９から明らかなように、Ｆ添加量が２４〜４４０ｐｐｍの範囲において、放電遅れの変化が小さいことが分かる。このことは、Ｆ元素の添加量が放電遅れの改善効果に与える影響は大きくないことを示しており、添加量が１〜１００００ｐｐｍ程度の範囲であれば、放電遅れの改善効果が長時間持続することを示唆していると考えられる。

（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１実施形態のＰＤＰの構造を示し、（ａ）は、正面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＩ−Ｉ断面図である。 本発明の第１実施形態のＰＤＰの構造の変形例を示す、図１（ｂ）に対応した断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２実施形態のＰＤＰの構造を示し、（ａ）は、正面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＩ−Ｉ断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３実施形態のＰＤＰの構造を示し、（ａ）は、正面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＩ−Ｉ断面図である。 参考実験例において、実施例サンプルＢ，Ｄ，ＥのＦ添加量の推定値を求めるためのグラフである。 （ａ）〜（ｃ）は、参考実験例のＰＤＰの構造を示す断面図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、（ａ）中のＩ−Ｉ断面図及びＩＩ−ＩＩ断面図である。 参考実験例の放電遅れの測定に用いた電圧波形を示す。 サンプルＣを用いて製造したＰＤＰと、無添加のＭｇＯ結晶体を用いて製造したＰＤＰについての、休止期間と放電遅れとの関係を示すグラフである。 参考実験例にかかる、Ｆ添加量の測定値又は推定値と、放電遅れとの関係を示すグラフである。 従来のＰＤＰの構造を示す斜視図である。

符号の説明

１：前面側基板構体 １ａ：前面側基板 ２：背面側基板構体 ２ａ：背面側基板 ３：表示電極 ３ａ：透明電極 ３ｂ：金属バス電極 ３Ｘ：サステイン電極 ３Ｙ：スキャン電極 ４：誘電体層 ５：保護層 ６：アドレス電極 ７：隔壁 ８：蛍光体層 ９：誘電体層 １１：プライミング粒子放出層

Claims (7)

1. 対向配置された第１基板構体及び第２基板構体を有し、
   第１基板構体は、複数の表示電極を有し、第２基板構体は、前記表示電極に交差するアドレス電極を有し、
   前記表示電極のそれぞれは、金属バス電極を含み、
   第１基板構体は、第２基板構体に対向する-側に正面視において前記金属バス電極の範囲内に収まるように配置されたプライミング粒子放出層を有するプラズマディスプレイパネル。
2. 前記複数の表示電極は、２本がペアになって表示ラインを構成し、前記ペアの一方は、アドレス電極との間でのアドレス放電に用いられるスキャン電極であり、
   前記プライミング粒子放出層は、正面視において前記スキャン電極の金属バス電極の範囲内に収まるように配置される請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 対向配置された第１基板構体及び第２基板構体を有し、
   第１基板構体は、第１方向に延びる複数の表示電極を有し、第２基板構体は、前記表示電極に交差するアドレス電極を有し、
   前記複数の表示電極は、２本がペアになって表示ラインを構成し、前記ペアの一方は、アドレス電極との間でのアドレス放電に用いられるスキャン電極であり、
   第１基板構体は、第２基板構体に対向する側に正面視において前記スキャン電極の範囲内に収まるように配置されたプライミング粒子放出層を有するプラズマディスプレイパネル。
4. 前記プライミング粒子放出層は、酸化マグネシウム結晶体を含む請求項１〜３の何れか１つに記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記プライミング粒子放出層は、ハロゲン元素が１〜１００００ｐｐｍ添加された酸化マグネシウム結晶体を含む請求項１〜３の何れか１つに記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記ハロゲン元素は、フッ素である請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 前記フッ素の添加量は、５〜１０００ｐｐｍである請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。

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