JP2007128891A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマディスプレイパネルの放電特性を向上させる。
【解決手段】保護膜は、上板誘電体層上に形成された第１保護膜２８０ａ及び第１保護膜上に形成された第２保護膜２８０ｂからなり、第１保護膜２８０ａは、単結晶の酸化マグネシウムまたは多結晶の酸化マグネシウムのうち少なくとも一つを含んでなり、スパッタリング法で形成され、結晶性をほとんど帯びなくても良く、第２保護膜２８０ｂは、酸化マグネシウムを粉砕して作った物質を材料として、薄い膜の形態にコーティング形成して、プラズマ放電時に上板誘電体層を保護し、プラズマディスプレイパネルの寿命を保障する。また、プラズマからイオンが入射すると保護膜２８０ａ，２８０ｂ表面から二次電子が放出され、より低い電圧で放電がおきるようにし、消費電力を節減させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルに係り、特に、プラズマディスプレイパネルの保護膜に関する。

プラズマディスプレイパネルは、上部パネルと下部パネル間に形成された隔壁（barrier rib）がそれぞれの放電セルを区画してなる。それぞれの放電セル内には、ネオン、ヘリウムまたはネオンとヘリウムとの混合気体などのような主放電気体と少量のキセノンを含有する不活性ガスが充填されている。そして、高周波電圧によって放電がおきると、不活性ガスから真空紫外線（Vacuum ultra violet rays）が発生し隔壁間の蛍光体を発光させることで画像が具現される。このような構造のプラズマディスプレイパネルは、軽薄の構成が可能な点から次世代表示装置として脚光を浴びている。

図１は、プラズマディスプレイパネルの構造を概略的に示す斜視図である。図１に示すように、プラズマディスプレイパネルの上部パネル１００は、画像がディスプレイされる表示面である上部ガラス板１０１上に、スキャン電極１０２と維持電極１０３が対で形成された複数の維持電極対１０６が配列される。スキャン電極１０２は透明電極１０２ａ及びバス電極１０３ａを備え、サステイン電極１０３は透明電極１０３ａ及びバス電極１０３ａを備える。透明電極１０２ａ及び１０３ａは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなり、可視光を透過させる。バス電極１０２ｂ及び１０３ｂは、Ａｇ等からなり、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３の抵抗値を低減する補助電極として機能する。そして、下部パネル１１０は、下部ガラス板１１１上に、前述した複数の維持電極対１０６と交差するように複数のアドレス電極１１３が配列される。これらの下部パネル１１０と上部パネル１００は互いに一定の距離をおいて平行に結合される。

下部パネル１１０は、複数個の放電空間、すなわち、放電セルを形成させるためのストライプタイプ（または、ウェルタイプ等）の隔壁１１２が平行に配列される。そして、アドレス放電を行って真空紫外線を発生させる複数のアドレス電極１１３が下部ガラス基板１１１上において隔壁に対して平行に配置される。下部パネル１１０の上面には、アドレス放電時に画像表示のための可視光線を放出する赤色Ｒ、緑色Ｇ及び青色Ｂの蛍光体１１４が塗布される。また、アドレス電極１１３と蛍光体１１４との間には、アドレス電極１１３を保護する下板誘電体層１１５が形成される。

なお、維持電極対上に形成された上板誘電体層１０４上には、保護膜１０５が形成される。これは、プラズマディスプレイパネルの放電時に（＋）イオンの衝撃によって上部パネルに設けられた上板誘電体層１０４がすり消え、ナトリウム（Ｎａ）などの金属物質が電極を短絡（short）させることを防ぐためのものである。したがって、保護膜１０５として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）薄膜をコーティングして上板誘電体層１０４を保護しており、酸化マグネシウムは（＋）イオンの衝撃に対する耐性が良好であり、２次電子放出係数が高いため放電開始電圧を下げる特性を有する。

しかしながら、上記の従来プラズマディスプレイパネルの保護膜は、下記の問題点を有する。

第一に、保護膜を構成する酸化マグネシウム結晶の直径が均一でないため、密度が低くなり、結晶が十分に成長しない。

第二に、保護膜を構成する酸化マグネシウム結晶の大きさが均一でないと、保護膜の表面に水分や不純物ガスなどの不純物が付着し、これは、プラズマディスプレイパネルの放電を邪魔する。さらに、コントラストが低下し、放電開始電圧が高まって回路構成が複雑になり、高コストを招く。また、このような保護膜の特性の低下は、ジッター（jitter）特性の低下とも密接な関連を持つ。

第三に、酸化マグネシウムの配向性、結晶性及び膜密度を高め、耐スパッタリング性の高い保護膜を形成できるが、電子ビーム蒸着法によって形成された保護膜は二次電子放出量が少ないため、プラズマディスプレイパネルの消費電力は依然として高い。

本発明は上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、酸化マグネシウム結晶が均一に形成されたプラズマディスプレイパネルの保護膜を提供することにある。

本発明の他の目的は、プラズマディスプレイパネルの放電開始電圧を下げ、コントラストとジッター特性が向上した保護膜を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、保護膜での二次電子放出を増加させることによって、輝度が増加し、消費電力を節減できるプラズマディスプレイパネルを提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、隔壁を介して互いに接合される上部パネルと下部パネルを含むプラズマディスプレイパネルにおいて、前記上部パネルの誘電体層上に形成され、酸化マグネシウムを含む第１保護膜と、前記第１保護膜上に形成され、結晶型酸化マグネシウムを含む第２保護膜と、を備えてなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルを提供する。

また、本発明は、溶媒と分散剤をプレミキシング（pre-mixing）する段階と、単結晶の酸化マグネシウムパウダーをミーリング（milling）する段階と、前記ミーリングされた単結晶の酸化マグネシウムパウダーと、プレミキシングされた溶媒及び分散剤とを混合する段階と、前記混合された酸化マグネシウムと溶媒及び分散剤を乾燥し焼成する段階と、を含んでなることを特徴とする酸化マグネシウム液相の製造方法を提供する。

また、本発明は、上部パネルの誘電体層上に、酸化マグネシウムを含む第１保護膜を形成する段階と、前記第１保護膜上に、単結晶の酸化マグネシウム液相を塗布し、乾燥及び焼成して第２保護膜を形成する段階と、を含んでなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。

本発明によれば、酸化マグネシウム粒子の直径が均一になるため、気孔が少なく、粒子の密度が高くなり、これにより、保護膜表面への不純物ガスの付着を防止し、放電開始電圧を下げ、さらには駆動回路の製造費用を節減することが可能になる。

以下、本発明に係る好適な実施例を、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。

本発明によるプラズマディスプレイパネルは、２層構造の保護膜を備えることを特徴とする。以下では、上板誘電体層上に形成された層を第１保護膜、第１保護膜上に形成された層を第２保護膜という。

図２は、本発明によるプラズマディスプレイパネルの第１実施例に備えられた保護膜を示す断面図である。図２を参照して、本発明によるプラズマディスプレイパネルの第１実施例における保護膜について具体的に説明する。

本実施例においてプラズマディスプレイパネルの保護膜は、上板誘電体層上に形成された第１保護膜２８０ａ及び第１保護膜上に形成された第２保護膜２８０ｂからなる。保護膜２８０ａ，２８０ｂは、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を含んでなるが、酸化マグネシウムは、薄い膜の形態にコーティング（coating）形成され、プラズマ放電時に上板誘電体層を保護し、プラズマディスプレイパネルの寿命を保障する。また、プラズマからイオンが入射すると保護膜２８０ａ，２８０ｂ表面から二次電子が放出され、より低い電圧で放電がおきるようにし、消費電力を節減させる。

本実施例によるプラズマディスプレイパネルの保護膜は、酸化マグネシウム粒子の直径を均一にし、気孔が少なく、粒子の密度が高いものとし、これにより、保護膜表面への不純物ガスの付着を防止し、放電開始電圧を下げなければならない。このような特性は、プラズマガスと直接触れる第２保護膜２８０ｂの組成などに特に左右される。したがって、本実施例による保護膜は、従来と類似の特性を持つ第１保護膜２８０ａと、本発明で解決しようとする課題を達成できる特性を持つ第２保護膜２８０ｂとすることが好ましい。なお、本実施例で、第２保護膜２８０ｂの厚さを約５０〜２００ｎｍとし、第１保護膜２８０ａの厚さを約３００〜７５０ｎｍとする。

ここで、上述した保護膜の電気的特性は、プラズマガスと接する第２保護膜２８０ｂによって決定され、第２保護膜２８０ｂの電気的特性は、プラズマガスと接する表面において決定される。しかしながら、長期使用によって表面の酸化マグネシウムがスパッタリング（sputtering）され他の所に吸着するので、プラズマディスプレイパネルの寿命に鑑み、第２保護膜２８０ｂの厚さは、少なくとも５０ｎｍとし、２００ｎｍであれば充分である。なお、プラズマディスプレイパネルの保護膜全体を従来と異なる方法で製造すると、工程上の困難及び製造コストの増加などが予想されるので、本発明では保護膜を２つの層に区分し、放電特性などに直接的な影響を及ぼす第２保護膜２８０ｂの組成などのみを従来と異にしたわけである。

すなわち、第１保護膜２８０ａは、従来の保護膜の組成と類似しており、単結晶の酸化マグネシウムまたは多結晶の酸化マグネシウムのうち少なくとも一つを含んでなり、スパッタリング法で形成され、結晶性をほとんど帯びなくても良い。これに対し、第２保護膜２８０ｂは、酸化マグネシウムを粉砕して作った物質を材料とする。したがって、第２保護膜２８０ｂ中の酸化マグネシウムは、第１保護膜２８０ａ中の酸化マグネシウムよりも結晶性が大きく、粒子の大きさが比較的均一となる。ここで、第２保護膜２８０ｂ中の酸化マグネシウムは、多結晶または単結晶のものでありうる。

また、第２保護膜２８０ｂをなす粒子は、単結晶または多結晶の酸化マグネシウムを粉砕し、プレス（press）成形したのち焼結して製造されるもので、具体的な製造方法については後述する。また、第２保護膜２８０ｂをなす酸化マグネシウム粒子２８０ｂ’の大きさは、図２に示すように、第１保護膜２８０ａをなす粒子２８０ａ’の大きさよりも均一に形成されているため、気孔が少なく且つ密度が高く、これにより、保護膜表面に不純物ガスの付着を防ぎ、放電開始電圧を下げうるので好ましい。すなわち、酸化マグネシウム結晶を一定の条件で粉砕して粒子の直径を制御した後、加圧して成形したのち高温で焼結することで、本来の粒子特性を生かしながら結晶粒子の直径及び密度などを調整することができる。ただし、酸化マグネシウム結晶の直径が小さくなるほど気孔が少なく密度は増加するが、工程上の困難と費用の増加を考慮し、酸化マグネシウム結晶の直径は１０μｍ以下にすれば充分である。

なお、第１保護膜２８０ａには、アルミニウム（Ａｌ）、ホウ素（Ｂ）、バリウム（Ｂｉ）、シリコン（Ｓｉ）、鉛（Ｐｂ）、リン（Ｐ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スカンジウム（Ｓｃ）、及びイットリウム（Ｙ）のうち少なくとも一つの元素を添加する。これによって、気孔を減らし密度を上げてＭｇＯ薄膜の表面に不純物が付着するのを防止し、放電開始電圧を下げることが好ましく、図２に、添加された元素（２８０ａ”）が示されている。第１保護膜２８０ａ中の上述したＡｌ、Ｂ、Ｂａ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅ、ＳｃまたはＹの濃度は、５０００ｐｐｍ（parts per million）以下にすることが好ましく、より好ましくは、３００〜５００ｐｐｍとする。ここで、シリコンなどの添加量を一定に制限し、プラズマディスプレイパネルの保護膜の２次電子放出係数及び膜抵抗などの電気的特性を調整することができる。したがって、上述した特性の保護膜を備えたプラズマディスプレイパネルの放電開始電圧を下げることができ、シングルスキャン（single scan）が可能となるため、駆動回路の製造費用を節減できる。また、これらの元素は、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ｐ_２Ｏ_５、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、Ｓｃ_２Ｏ_３及びＹ_２Ｏ_３などの酸化物の粉体として添加し、第１保護膜２８０ａ中で酸化マグネシウム結晶などと均一に混合されることが好ましい。具体的に、Ａｌ_２Ｏ_３などを粉砕して酸化マグネシウム結晶を粉砕した粉末に混合し、プレス成形したものを焼結して第１保護膜２８０ａを形成することができる。

第２保護膜２８０ｂは、第１保護膜２８０ａの下部に蒸着されてなるもので、その蒸着方法には、液相法、スパッタリング法、イオンメッキ（ion-plating）法、電子ビーム（E-Beam）蒸着法及び気相酸化法などを用いれば良い。液相法には、ゾル−ゲル（sol-gel）法、エマルジョン（emulsion）法などがあり、ゾル−ゲル法を用いて金属アルコキシドＭ(ＯＲ)ｎの加水分解−縮合反応によって低温で第２保護膜２８０ｂを形成できる。ここで、Ｍには、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂなどの金属や半金属が用いられ、Ｒには、メチル、エチル、プロピル、ブチル基などが用いられる。そして、スパッタリング法は、スパッタリング現象を利用するもので、現在は様々な薄膜の形成に広範囲に使用されている。スパッタリング法では、高いエネルギー（＞３０ｅＶ）を持つ粒子をターゲット（target）に衝突させターゲット原子にエネルギーを伝達することによってターゲット原子が放出され、第２保護膜２８０ｂを形成することができる。もし、衝突する粒子が正のイオン（positive-ion）であるとカソードスパッタリング（cathodic sputtering）と呼ぶ。大部分のスパッタリングが、このカソードスパッタリングである。通常、スパッタリングには正のイオンが多く使用されるが、その理由は、正のイオンは電場（electric field）を印加することによって加速し易く、また、ターゲットに衝突する直前にターゲットから放出される電子によって中性化し、中性原子としてターゲットに衝突するためである。イオンメッキ法は、真空蒸着法とスパッタリングとを複合した場合を指す一般的な名称で、高度に減圧された真空下で高い電圧がかかって生じるグロー放電によってプラズマを形成し、気化した原子の一部がイオン化する原理を用いて第２保護膜２８０ｂを形成する。電子ビーム法は、酸化マグネシウム結晶などを高温で加熱し、物理的なエネルギーを用いて第２保護膜２８０ｂを形成する方法である。また、気相酸化法（Vapor Phase Oxidation）は、マグネシウムを加熱して発生する蒸気によって多結晶酸化マグネシウムを加熱する方法である。

図３は、本発明によるプラズマディスプレイパネルの第２実施例を示す断面図である。図３を参照して、本発明によるプラズマディスプレイパネルの第２実施例について説明する。

本実施例で、第２保護膜３８０ｂは、隔壁３４０と接する部分の厚さが、他の部分に比べて厚く形成されている。すなわち、プラズマディスプレイパネルの放電時に、プラズマ気体のイオンなどが隔壁３４０と接する第２保護膜３８０ｂに頻繁に接触することを考慮し、この接触部分における保護膜を厚く形成したわけである。本実施例でも、保護膜が、第１保護膜３８０ａと第２保護膜３８０ｂとからなっている。ただし、第１保護膜３８０ａの厚さは一定である反面、第２保護膜３８０ｂの厚さは一定でない。

また、本実施例は、保護膜の構造以外は、上述したプラズマディスプレイパネルの第１実施例と同様に構成される。すなわち、第２保護膜３８０ｂは、第１保護膜３８０ａよりも直径が均一な酸化マグネシウム粒子からなり、第１保護膜３８０ａは、単結晶または多結晶の酸化マグネシウムのうち少なくとも一つを含んでなり、第２保護膜３８０ｂは、酸化マグネシウム結晶を粉砕して作った物質を材料とすることが好ましい。また、第２保護膜３８０ｂは、隔壁３４０と接しない部分における厚さが１ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましい。ここで、第２保護膜３８０ｂは、Ａｌ、Ｂ、Ｂａ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｃ、及びＹのうち少なくとも一つの元素を含んでなり、これらの元素は、酸化物の形態で添加されることが好ましく、その濃度は、５０００ｐｐｍ以下、好ましくは３００〜５００ｎｍとする。また、第２保護膜３８０ｂは、液相法、スパッタリング法、イオンメッキ法、電子ビーム蒸着法、ゾル−ゲル法、及び気相酸化法のうち一つで形成されることが好ましい。

上述したような保護膜を備えるプラズマディスプレイパネルに駆動電圧が印加されると、保護膜をなす粒子の直径が小さいほどそれらの粒子間の結合エネルギーが小さく、よって、それらの粒子が大きいエネルギーで昇華するようになる。したがって、粒子の平均直径が小さいほど、基板上で上記粒子のエネルギーが大きくなって結晶の成長が促進され、保護膜の表面に水分や不純物ガスなどの不純物の付着が抑えられ、また、プラズマディスプレイパネル内での放電における障害が低減し、放電開始電圧が減少してコントラストが高まるようになる。

図４は、本発明によるプラズマディスプレイパネルの第３実施例を示す断面図である。図４を参照して、本発明によるプラズマディスプレイパネルの第３実施例について説明する。

本実施例でも、上板誘電体層４７５上に第１保護膜４８０ａが形成され、第１保護膜４８０ａ上に第２保護膜４８０ｂが形成される。ここで、第２保護膜４８０ｂをなす単結晶の酸化マグネシウムは、大きさを１００〜５００ｎｍとすることが好ましい。また、第１保護膜４８０ａの厚さは５００〜８００ｎｍが好ましく、第２保護膜４８０ｂの厚さは１００〜１５００ｎｍが好ましい。そして、第１保護膜４８０ａは、酸化マグネシウムを電子ビーム蒸着法等で形成することが好ましく、第２保護膜４８０ｂは、第１保護膜４８０ａ上に酸化マグネシウム単結晶の液相を塗布し乾燥させたのち焼成して形成する。ここで、第２保護膜４８０ｂ上には、結晶の大きさが小さい酸化マグネシウム４８０ｂ’が含まれても良いが、これは液相製造工程のうちミーリング工程で生成されるもので、後述される。第２保護膜４８０ｂは、第１保護膜４８０ａの全面に塗布されることが好ましい。これは、保護膜がスパッタリングされることを防止し、寿命を増加させ且つ二次電子放出特性を増加させるためである。

図５は、本発明による酸化マグネシウム液相の製造方法の一実施例を示す流れ図であり、図６は、本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法の一実施例を示す流れ図である。図５及び図６を参照して、本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法について説明する。

まず、上部ガラス板に維持電極対と誘電体層を順番に形成し（Ｓ６１０〜Ｓ６４０）、誘電体層上に保護膜を形成する（Ｓ６５０）。この保護膜の形成過程は、２段階に大別される。まず、誘電体層上に第１保護膜を形成する過程は、酸化マグネシウムを電子ビーム蒸着法等で形成することが好ましい。続いて、第２保護膜を第１保護膜上に形成する過程は、次の通りである。

第２保護膜は、単結晶の酸化マグネシウムパウダーを液相に製造して第１保護膜上に形成することを特徴とする。このため、まず、溶剤と分散剤をプレミキシングして１次ソリューションを製造する（Ｓ５１０）。ここで、溶剤は、メタノールやエタノールなどのアルコール系、グリコール系、プロピレングリコールエーテル類、プロピレングリコールアセテート類、ケトン類、ＢＣＡ、キシレン、テルピネオール、テキサノール、水のうちいずれか一つとすることが好ましい。そして、分散剤には、アクリル、エポキシ、ウレタン、アクリルウレタン、アルキド、ポリアミドポリマー、ポリカルボン酸などの高分子分散剤を用いることが好ましい。また、プレミキシング段階は、２０００〜４０００ｒｐｍで１〜１０分間持続することが好ましい。

続いて、単結晶の酸化マグネシウムパウダーをミーリングする（Ｓ５２０）。好ましくは、６０００〜１００００ｒｐｍで１０〜６０分間ミーリングして一定の大きさに粉砕すると良い。この時、図４の４８０ｂ’のように大きさの小さいＭｇＯ単結晶が形成されることもある。そして、ミーリングされた単結晶のＭｇＯパウダーと１次ソリューションを混合した後（Ｓ５３０）、乾燥し焼成して液相を完成する。この混合工程によって分散剤と単結晶の酸化マグネシウムパウダーが均一に混合され、添加剤として有機物または無機物であるバインダーとレベリング剤などが混合される。この時、全体液相中において単結晶の酸化マグネシウムパウダーは１〜３０％の重量比を占め、分散剤は、単結晶の酸化マグネシウムパウダーの５〜６０％の重量比を占める。

続いて、上記液相を約１００〜２００℃で乾燥し（Ｓ５４０）、４００〜６００℃で焼成すると（Ｓ５５０）、溶剤及び分散剤等はほとんど蒸発し、単結晶の酸化マグネシウムパウダーのみ残り、第２保護膜を形成するための液相が得られる。得られた酸化マグネシウム液相を、第１保護膜上にコーティングし乾燥及び焼成したのち熱処理をして、第２保護膜を完成する。上述の熱処理段階は、有機物を蒸発させるための段階であり、好ましくは、３００〜５００℃で熱処理される。得られた酸化マグネシウム液相を第１保護膜上にコーティングする方法には、ディッピング（dipping）法、ダイコーティング（die coating）法、スピンコーティング（spin coating）法、スプレー（spray）法及びインクジェット（inkjet）法のうちいずれかの方法を用いることが好ましい。上述したように、液相をコーティングし乾燥及び焼成して得られた第２保護膜をなす酸化マグネシウムは、結晶の大きさが、第１保護膜をなす酸化マグネシウムに比べて大きく形成される。そして、第２保護膜は、第１保護膜の全面に塗布されることが好ましい。

他の実施例として、単結晶の酸化マグネシウムパウダーをグリーンシートに製造して上述の第２保護膜を形成しても良い。これは、単結晶の酸化マグネシウムパウダーを含むグリーンシートを製造した後、第１保護膜上にラミネーティングして形成することが好ましい。また、単結晶の酸化マグネシウムを含むグリーンシートは、上述した液相よりも溶媒の重量比を少なくする。ここでは、単結晶の酸化マグネシウムパウダーを例にして説明したが、多結晶の酸化マグネシウムパウダーを使用しても良い。

本発明による保護膜を備えるプラズマディスプレイパネルの製造時にシーリング（sealing）材を上板に塗布すると、保護膜を形成するための液相またはペーストを上板にコーティングし難く、液相またはペーストをまず塗布してからシーリング材を塗布する場合にもシーリング剤の成分が蒸発し液相またはペーストと化学反応を起こす恐れがある。したがって、シーリング材を下板に塗布したのち上板と接合させることが好ましい。

本発明によるプラズマディスプレイパネルは、上部基板上に維持電極対、上部誘電体層、及び、酸化マグネシウムを含んでなる第１保護膜層と第１保護膜層上に形成され、酸化マグネシウムパウダーを含む第２保護膜層とからなる保護膜を備えてなる上板；及び、下部基板上に、アドレス電極、下部誘電体層、及び隔壁を備えてなる下板；とからなるが、下板上にシーリング（sealing）材が塗布されて上板と接合されることが好ましい。そして、酸化マグネシウムパウダーは、第１保護膜層上に酸化マグネシウム液相を塗布して乾燥及び焼成したのち熱処理することが好ましい。

図７Ａ及び図７Ｂは、酸化マグネシウム液相で保護膜を形成した時の放電電流及び輝度をそれぞれ示すグラフであり、図８は、本発明による２層構造の保護膜を備えるプラズマディスプレイパネルの一実施例における放電電流を示すグラフである。図７Ａ乃至図８を参照して、上述した本発明によるプラズマディスプレイパネルの保護膜の作用について説明する。ここで、Ｒｅｆは従来の保護膜の場合の結果値を示す。また、Ｌｉｑｕｉｄ１，２，３は、液相で保護膜を製造した場合のサンプルの結果値を示す。

図７Ａ及び図７Ｂから、酸化マグネシウム液相で保護膜を形成した本発明の３つの実施例の場合、従来に比べて放電時の電流は低く、輝度はそれぞれ増加したことがわかる。図８から、電子ビーム蒸着法で第１保護膜を形成した後、液相法で第２保護膜を蒸着すると、放電時の電流が低くなることがわかる。すなわち、酸化マグネシウム液相をコーティングして形成される第２保護膜をなす酸化マグネシウムは、第１保護膜をなす酸化マグネシウムに比べて結晶の大きいパウダー形態をなす。したがって、２層構造を有する保護膜は、断面積が増加して２次電子放出が増加し、単結晶の酸化マグネシウムパウダーからＵＶ（ultraviolet）を反射して、蛍光体から発生する可視光線の量を増加させ、第１保護膜は誘電体層の保護という本来の役割を担うようになる。

以上説明した内容から、当業者なら本発明の技術思想を逸脱しない範囲で、様々な変更及び修正が可能であることが理解される。したがって、本発明の技術的範囲は、実施例に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められるべきである。

プラズマディスプレイパネルの一実施例を示す斜視図である。 本発明によるプラズマディスプレイパネルの第１実施例に備えられる保護膜を示す断面図である。 本発明によるプラズマディスプレイパネルの第２実施例を示す断面図である。 本発明によるプラズマディスプレイパネルの第３実施例を示す断面図である。 本発明による酸化マグネシウム液相の製造方法の一実施例を示す流れ図である。 本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法の一実施例を示す流れ図である。 酸化マグネシウム液相で保護膜を形成した時の放電電流及び輝度をそれぞれ示すグラフである。 酸化マグネシウム液相で保護膜を形成した時の放電電流及び輝度をそれぞれ示すグラフである。 本発明による２層構造の保護膜を有するプラズマディスプレイパネルの一実施例における放電電流を示すグラフである。

Claims (28)

1. 隔壁を介して互いに接合される上部パネルと下部パネルを含むプラズマディスプレイパネルであって、
   前記上部パネルの誘電体層上に形成され、酸化マグネシウムを含む第１保護膜と、
   前記第１保護膜上に形成され、結晶型酸化マグネシウムを含む第２保護膜と、
   を備えてなることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
2. 前記第１保護膜中の酸化マグネシウムは、スパッタリング法で形成されたことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記結晶型酸化マグネシウムは、前記第１保護膜に含まれた酸化マグネシウムよりも均一な大きさを有することを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 前記第１保護膜は、単結晶または多結晶の酸化マグネシウムのうち少なくとも一つを含み、
   前記第２保護膜は、単結晶の酸化マグネシウムを粉砕して作った物質を材料として形成されたことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記第１保護膜層は、単結晶または多結晶の酸化マグネシウムのうち少なくとも一つを含み、
   前記第２保護膜は、多結晶の酸化マグネシウムを粉砕して作った物質を材料として形成されたことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記結晶型酸化マグネシウムは、直径が１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 前記第２保護膜は、厚さが前記第１保護膜よりも薄いことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
8. 前記第１保護膜は、アルミニウム、ホウ素、バリウム、シリコン、鉛、リン、ガリウム、ゲルマニウム、スカンジウム及びイットリウムのうち少なくとも一つを含んでなることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 前記第１保護膜中において、前記アルミニウム、ホウ素、バリウム、シリコン、鉛、リン、ガリウム、ゲルマニウム、スカンジウム及びイットリウムの濃度は、５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする、請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
10. 前記第２保護膜は、液相法、スパッタリング法、イオンメッキ法、ゾル−ゲル法、電子ビーム蒸着法及び気相酸化法のうちいずれか一方法で形成されたことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
11. 前記第２保護膜は、前記隔壁と接する部分の厚さが、前記隔壁と接しない部分の厚さに比べて厚いことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
12. 溶媒と分散剤をプレミキシング（pre-mixing）する段階と、
    単結晶の酸化マグネシウムパウダーをミーリング（milling）する段階と、
    前記ミーリングされた単結晶の酸化マグネシウムパウダーと、プレミキシングされた溶媒及び分散剤とを混合する段階と、
    前記混合された酸化マグネシウムと溶媒及び分散剤を乾燥し焼成する段階と、を含んでなることを特徴とする、酸化マグネシウム液相の製造方法。
13. 前記溶媒は、アルコール系、グリコール系、プロピレングリコールエーテル類、プロピレングリコールアセテート類、ケトン類、ＢＣＡ、キシレン、テルピネオール、テキサノール、水のうち少なくとも一つであることを特徴とする、請求項１２に記載の酸化マグネシウム液相の製造方法。
14. 前記分散剤は、アクリル、エポキシ、ウレタン、アクリルウレタン、アルキド、ポリアミドポリマー、ポリカルボン酸のうち少なくとも一つであることを特徴とする、請求項１２に記載の酸化マグネシウム液相の製造方法。
15. 前記プレミキシング段階は、２０００〜４０００ｒｐｍ（revolutions per minute）で１〜１０分間持続することを特徴とする、請求項１２に記載の酸化マグネシウム液相の製造方法。
16. 前記ミーリング段階は、６０００〜１００００ｒｐｍで１０〜６０分間持続することを特徴とする、請求項１２に記載の酸化マグネシウム液相の製造方法。
17. 前記酸化マグネシウム液相は、単結晶の酸化マグネシウムパウダーが１〜３０％の重量比で含まれたことを特徴とする、請求項１２に記載の酸化マグネシウム液相の製造方法。
18. 前記酸化マグネシウム液相は、分散剤が前記単結晶の酸化マグネシウムパウダーの５〜６０％の重量比で含まれたことを特徴とする、請求項１７に記載の酸化マグネシウム液相の製造方法。
19. 上部パネルの誘電体層上に、酸化マグネシウムを含む第１保護膜を形成する段階と、
    前記第１保護膜上に、単結晶の酸化マグネシウム液相を塗布し、乾燥及び焼成して第２保護膜を形成する段階と、
    を含んでなることを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの製造方法。
20. 前記第１保護膜上に塗布された単結晶の酸化マグネシウム液相を熱処理する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
21. 前記熱処理段階は、３００〜５００℃で行われることを特徴とする、請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
22. 前記単結晶の酸化マグネシウムは、大きさが１００〜５００ｎｍであることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
23. 前記第１保護膜は、厚さが５００〜８００ｎｍであることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
24. 前記第２保護膜は、厚さが１００〜１５００ｎｍであることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
25. 前記酸化マグネシウム液相は、単結晶の酸化マグネシウムパウダーが１〜３０％の重量比で含まれたことを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
26. 前記酸化マグネシウム液相は、分散剤が前記単結晶の酸化マグネシウムパウダーの５〜６０％の重量比で含まれたことを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
27. 前記第１保護膜上に単結晶の酸化マグネシウム液相を塗布する段階は、ディッピング（dipping）法、ダイコーティング（die coating）法、スピンコーティング（spin coating）法、スプレー（spray）法及びインキゼット（inkjet）法のうちいずれか一方法を用いることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
28. 上部パネルの誘電体層上に、酸化マグネシウムを含む第１保護膜を形成する段階と、
    前記第１保護膜上に、単結晶の酸化マグネシウムパウダーをグリーンシートで形成する段階と、
    を含んでなることを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの製造方法。

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