JP2003007214A - プラズマディスプレイ - Google Patents
プラズマディスプレイInfo
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- JP2003007214A JP2003007214A JP2001185297A JP2001185297A JP2003007214A JP 2003007214 A JP2003007214 A JP 2003007214A JP 2001185297 A JP2001185297 A JP 2001185297A JP 2001185297 A JP2001185297 A JP 2001185297A JP 2003007214 A JP2003007214 A JP 2003007214A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に用い
られる電極用保護膜の二次電子放出特性を高める。 【解決手段】表示電極８が配線されている前面板１０と
アドレス電極３が配線されている背面板４を有し、両基
板の間隙に形成された微小な放電空間での放電により画
像を表示するＰＤＰにおいて、前面板１０に設けられる
誘電体層７を覆う金属酸化物からなる二層の保護膜５，
６を有し、その外面側の上部層６は２０ｍ2／ｇ以上の
比表面積を有する材料層が膜厚１μｍ以下で形成されて
放電性能が高く、その内面側の下部層５は１０ｍ2／ｇ
以下の比表面積を有する材料層が膜厚１μｍ以上で形成
されて水の吸着性能が低い。
られる電極用保護膜の二次電子放出特性を高める。 【解決手段】表示電極８が配線されている前面板１０と
アドレス電極３が配線されている背面板４を有し、両基
板の間隙に形成された微小な放電空間での放電により画
像を表示するＰＤＰにおいて、前面板１０に設けられる
誘電体層７を覆う金属酸化物からなる二層の保護膜５，
６を有し、その外面側の上部層６は２０ｍ2／ｇ以上の
比表面積を有する材料層が膜厚１μｍ以下で形成されて
放電性能が高く、その内面側の下部層５は１０ｍ2／ｇ
以下の比表面積を有する材料層が膜厚１μｍ以上で形成
されて水の吸着性能が低い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示デバイスとして
用いられるプラズマディスプレイ(以下、ＰＤＰと称す
る)に関し、特に電極用保護膜に関する。
用いられるプラズマディスプレイ(以下、ＰＤＰと称す
る)に関し、特に電極用保護膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰは２枚のガラス基板の間隙に密閉
された微小な放電空間を多数設けた表示デバイスであ
る。たとえば、マトリックス表示方式のＰＤＰでは、多
数の電極が格子状に配列され、各電極の交差部の放電セ
ルを選択的に発光させて画像を表示する。代表的な面放
電型のＡＣ型ＰＤＰでは前面板の表示電極は誘電体層で
被覆され、さらに誘電体層上に保護膜が形成されてい
る。誘電体層は電極への電圧印加により生じた電荷を蓄
積するために設けられており、保護膜は放電ガス中のイ
オンの衝突による誘電体層の損傷を防ぐため、及び二次
電子の放出により放電開始電圧を低減するために設けら
れている。このようなＰＤＰについては、例えば、「プ
ラズマディスプレイ（電学誌１１９巻６号、ｐｐ３４６
−３４９，１９９９）」に記載されている。
された微小な放電空間を多数設けた表示デバイスであ
る。たとえば、マトリックス表示方式のＰＤＰでは、多
数の電極が格子状に配列され、各電極の交差部の放電セ
ルを選択的に発光させて画像を表示する。代表的な面放
電型のＡＣ型ＰＤＰでは前面板の表示電極は誘電体層で
被覆され、さらに誘電体層上に保護膜が形成されてい
る。誘電体層は電極への電圧印加により生じた電荷を蓄
積するために設けられており、保護膜は放電ガス中のイ
オンの衝突による誘電体層の損傷を防ぐため、及び二次
電子の放出により放電開始電圧を低減するために設けら
れている。このようなＰＤＰについては、例えば、「プ
ラズマディスプレイ（電学誌１１９巻６号、ｐｐ３４６
−３４９，１９９９）」に記載されている。
【０００３】従来、保護膜としては、蒸着などの薄膜法
を用いて形成された厚さ数百ｎｍ程度の酸化マグネシウ
ム膜が主に用いられていた。この酸化マグネシウム膜は
通常、水分、二酸化炭素、酸素、水素等を吸着してお
り、初期の放電特性に影響を与えるとともに、ＰＤＰ動
作中には封入ガス中に不純物ガスとして放出され、ＰＤ
Ｐの動作条件に悪影響を及ぼすことが懸念される。特に
放電電圧に大きな影響を及ぼす二次電子放出能に悪影響
を及ぼす。
を用いて形成された厚さ数百ｎｍ程度の酸化マグネシウ
ム膜が主に用いられていた。この酸化マグネシウム膜は
通常、水分、二酸化炭素、酸素、水素等を吸着してお
り、初期の放電特性に影響を与えるとともに、ＰＤＰ動
作中には封入ガス中に不純物ガスとして放出され、ＰＤ
Ｐの動作条件に悪影響を及ぼすことが懸念される。特に
放電電圧に大きな影響を及ぼす二次電子放出能に悪影響
を及ぼす。
【０００４】現在のＰＤＰ製造プロセスにおいては、放
電ガスの封入前にパネルの排気を行っている。この排気
工程で除去しきれないガスは製品完成後に不純物ガスと
して残留する。この時、特に保護膜に吸着されている水
分および二酸化炭素は脱離しにくく、高温度で長時間の
排気が必要である。この長時間の排気工程がライン全体
の律速工程になることが多い。また、高温での排気は他
の部材への影響もあり、制限がある。
電ガスの封入前にパネルの排気を行っている。この排気
工程で除去しきれないガスは製品完成後に不純物ガスと
して残留する。この時、特に保護膜に吸着されている水
分および二酸化炭素は脱離しにくく、高温度で長時間の
排気が必要である。この長時間の排気工程がライン全体
の律速工程になることが多い。また、高温での排気は他
の部材への影響もあり、制限がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＡＣ型ＰＤＰにおける
保護膜としては、二次電子放出能が高く、しかも使用時
にも安定していることが求められている。ＰＤＰパネル
製造工程において、保護膜上の吸着ガス成分、特に水分
および二酸化炭素を除去し、保護膜を活性化している
が、この除去が容易であること必要である。従来の保護
膜では水分、二酸化炭素の吸着量が大きいため、３５０
℃の真空加熱を行っても、多量の水分および二酸化炭素
が残留するという問題点があった。この結果、パネル作
成後、実効の二次電子放出能に悪影響を及ぼし、放電特
性が悪くなる。しかも使用時に保護膜から不純物ガスが
放出されるため、放電特性が安定しないという欠点があ
った。そのため、加熱温度を上げたり、排気時間を延ば
す等の対策が必要になり、製造コストの上昇につながっ
ていた。
保護膜としては、二次電子放出能が高く、しかも使用時
にも安定していることが求められている。ＰＤＰパネル
製造工程において、保護膜上の吸着ガス成分、特に水分
および二酸化炭素を除去し、保護膜を活性化している
が、この除去が容易であること必要である。従来の保護
膜では水分、二酸化炭素の吸着量が大きいため、３５０
℃の真空加熱を行っても、多量の水分および二酸化炭素
が残留するという問題点があった。この結果、パネル作
成後、実効の二次電子放出能に悪影響を及ぼし、放電特
性が悪くなる。しかも使用時に保護膜から不純物ガスが
放出されるため、放電特性が安定しないという欠点があ
った。そのため、加熱温度を上げたり、排気時間を延ば
す等の対策が必要になり、製造コストの上昇につながっ
ていた。
【０００６】本発明は上記した従来技術の課題を解決す
るためになされたもので、吸着水分および二酸化炭素の
吸着量が少なく、二次電子放出能が高く、安定性の良い
ＰＤＰ電極用保護膜を備えたＰＤＰを提供することにあ
る。
るためになされたもので、吸着水分および二酸化炭素の
吸着量が少なく、二次電子放出能が高く、安定性の良い
ＰＤＰ電極用保護膜を備えたＰＤＰを提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、表示電極が配線されている前面板とアドレス電極
が配線されている背面板を有し、両基板の間隙に形成さ
れた微小な放電空間での放電により画像を表示するプラ
ズマディスプレイにおいて、前記前面板の放電面側に設
けられる保護膜は二層からなり、その外面側となる上部
層は放電性能が高い材質、その内面側となる下部層は水
の吸着性能が低い材質からそれぞれ形成されていること
を特徴とする。
明は、表示電極が配線されている前面板とアドレス電極
が配線されている背面板を有し、両基板の間隙に形成さ
れた微小な放電空間での放電により画像を表示するプラ
ズマディスプレイにおいて、前記前面板の放電面側に設
けられる保護膜は二層からなり、その外面側となる上部
層は放電性能が高い材質、その内面側となる下部層は水
の吸着性能が低い材質からそれぞれ形成されていること
を特徴とする。
【０００８】または、前記前面板に単位重量当りの比表
面積が異なる上部層と下部層の２層で形成される保護膜
を有し、前記上層部は比表面積を大きく膜厚を薄く、前
記下層部は上層部に比して比表面積を小さく膜厚を厚く
形成されていることを特徴とする。ここで、前記上層部
は保護膜１ｇ当たりに換算して２０ｍ2／ｇ以上の比表
面積を有する材料層が膜厚１μｍ以下で形成されてお
り、下部層は保護膜１ｇ当たりに換算して１０ｍ2／ｇ
以下の比表面積を有する材料層が膜厚１μｍ以上で形成
されている。
面積が異なる上部層と下部層の２層で形成される保護膜
を有し、前記上層部は比表面積を大きく膜厚を薄く、前
記下層部は上層部に比して比表面積を小さく膜厚を厚く
形成されていることを特徴とする。ここで、前記上層部
は保護膜１ｇ当たりに換算して２０ｍ2／ｇ以上の比表
面積を有する材料層が膜厚１μｍ以下で形成されてお
り、下部層は保護膜１ｇ当たりに換算して１０ｍ2／ｇ
以下の比表面積を有する材料層が膜厚１μｍ以上で形成
されている。
【０００９】ＰＤＰの保護膜に比表面積が大きい材料を
用いると放電性能が高くなる。そこで、上部層に２０ｍ
2／ｇ以上の比表面積を有する酸化膜を用いる。これに
よれば、保護膜からの二次電子放出係数が向上し、その
結果、ＰＤＰの放電開始電圧を低減できる。一方、比表
面積が小さいと、成膜工程やその後のＰＤＰ製造工程に
おいて、水分および二酸化炭素の吸着が起きても、その
絶対量が少なく、加熱排気工程での脱離が容易である。
そこで、下部層に１０ｍ2／ｇ以下の比表面積有する材
料を用いる。これによれば、３５０℃程度、あるいはそ
れ以下の加熱排気でも吸着水分、及び二酸化炭素の脱離
が容易である。仮に加熱排気工程が不充分でも、保護膜
に吸着残存する量も少い。この場合、加熱排気に要する
時間は、パネルのサイズやセル構造、および排気装置の
能力や排気方法に依存する。従って一概には決められな
いが、通常のパネルでは２時間程度が目安である。
用いると放電性能が高くなる。そこで、上部層に２０ｍ
2／ｇ以上の比表面積を有する酸化膜を用いる。これに
よれば、保護膜からの二次電子放出係数が向上し、その
結果、ＰＤＰの放電開始電圧を低減できる。一方、比表
面積が小さいと、成膜工程やその後のＰＤＰ製造工程に
おいて、水分および二酸化炭素の吸着が起きても、その
絶対量が少なく、加熱排気工程での脱離が容易である。
そこで、下部層に１０ｍ2／ｇ以下の比表面積有する材
料を用いる。これによれば、３５０℃程度、あるいはそ
れ以下の加熱排気でも吸着水分、及び二酸化炭素の脱離
が容易である。仮に加熱排気工程が不充分でも、保護膜
に吸着残存する量も少い。この場合、加熱排気に要する
時間は、パネルのサイズやセル構造、および排気装置の
能力や排気方法に依存する。従って一概には決められな
いが、通常のパネルでは２時間程度が目安である。
【００１０】本発明の方法によるＰＤＰ用保護膜には酸
化物を用いるが、特に好ましいのは酸化マグネシウムを
主成分とする酸化膜である。もちろん、酸化マグネシウ
ムの特性を変えるために、他の成分が含有されていても
構わない。
化物を用いるが、特に好ましいのは酸化マグネシウムを
主成分とする酸化膜である。もちろん、酸化マグネシウ
ムの特性を変えるために、他の成分が含有されていても
構わない。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の保護膜を適用した
ＰＤＰの実施形態について、その一画素を構成する部分
を表す構成図である。（ａ）は拡大斜視図であり、
（ｂ）は（ａ）の部分断面図である。
ＰＤＰの実施形態について、その一画素を構成する部分
を表す構成図である。（ａ）は拡大斜視図であり、
（ｂ）は（ａ）の部分断面図である。
【００１２】図１（ａ）に示されるように、ＰＤＰは前
面板１０と背面板４が対向するように設けられている。
背面板４には、一画素の表示のための三種類の蛍光体１
Ｒ，１Ｇ，１Ｂが互いに隔壁２で隔てて備えられてい
る。この三種類の蛍光体１Ｒ，１Ｇ，１Ｂにより、一つ
の画素を各色で表示できるように構成されている。
面板１０と背面板４が対向するように設けられている。
背面板４には、一画素の表示のための三種類の蛍光体１
Ｒ，１Ｇ，１Ｂが互いに隔壁２で隔てて備えられてい
る。この三種類の蛍光体１Ｒ，１Ｇ，１Ｂにより、一つ
の画素を各色で表示できるように構成されている。
【００１３】背面板４には、Ｙ軸方向に沿って配線され
たアドレス電極３が設けられている。また、前面板９に
は表示電極８が前記アドレス電極と直交するようにＸ軸
方向に沿って配線されている。表示電極８にはこれに沿
うようにバス電極９が配線されている。表示電極８及び
バス電極９は、誘電体層７で被覆されている。さらに誘
電体層６の表面に保護膜５および６が設けられる。
たアドレス電極３が設けられている。また、前面板９に
は表示電極８が前記アドレス電極と直交するようにＸ軸
方向に沿って配線されている。表示電極８にはこれに沿
うようにバス電極９が配線されている。表示電極８及び
バス電極９は、誘電体層７で被覆されている。さらに誘
電体層６の表面に保護膜５および６が設けられる。
【００１４】前面板１０と背面板４との間には、放電ガ
スとして、所定の圧力の希ガスが封入される。このガス
媒体には、通常希ガス元素の混合体が使用される。具体
的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリ
プトンの中から選ばれた１種以上のガスが用いられる。
その封入圧力は特に限定されないが、４００〜７６０Ｔ
ｏｒｒが望ましい。
スとして、所定の圧力の希ガスが封入される。このガス
媒体には、通常希ガス元素の混合体が使用される。具体
的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、クリ
プトンの中から選ばれた１種以上のガスが用いられる。
その封入圧力は特に限定されないが、４００〜７６０Ｔ
ｏｒｒが望ましい。
【００１５】そして、前記アドレス電極３、表示電極
８、バス電極９に所定の電圧が印加されると、前記希ガ
スのプラズマ放電に伴う紫外線により蛍光体１が発光
し、前面板１０より外部に可視光が放射され、当該画素
による表示が行われる。
８、バス電極９に所定の電圧が印加されると、前記希ガ
スのプラズマ放電に伴う紫外線により蛍光体１が発光
し、前面板１０より外部に可視光が放射され、当該画素
による表示が行われる。
【００１６】本発明による水分および二酸化炭素の脱離
し易い保護膜によれば、保護膜からの二次電子放出係数
が向上し、その結果、ＰＤＰの放電開始電圧を低減でき
る。また、使用時の保護膜からの不純物ガスの放出も少
なく、放電の安定性も良い。
し易い保護膜によれば、保護膜からの二次電子放出係数
が向上し、その結果、ＰＤＰの放電開始電圧を低減でき
る。また、使用時の保護膜からの不純物ガスの放出も少
なく、放電の安定性も良い。
【００１７】本発明におけるＰＤＰ用保護膜は、本発明
の目的とする所定の物性、すなわち水分の脱離特性が得
られていれば、成膜方法に特に限定されない。電子ビー
ム蒸着法、スパッタ法、イオンプレーテイング法等が使
用できる。しかし、本発明の比表面積を有する膜を得る
ためには、それぞれ成膜条件の最適化等の工夫が必要で
ある。以下、本発明によるＰＤＰ電極用保護膜について
複数の例を述べる。
の目的とする所定の物性、すなわち水分の脱離特性が得
られていれば、成膜方法に特に限定されない。電子ビー
ム蒸着法、スパッタ法、イオンプレーテイング法等が使
用できる。しかし、本発明の比表面積を有する膜を得る
ためには、それぞれ成膜条件の最適化等の工夫が必要で
ある。以下、本発明によるＰＤＰ電極用保護膜について
複数の例を述べる。
【００１８】本発明の実施例ではイオンプレーテイング
法または電子ビーム蒸着法により成膜している。膜原料
は酸化マグネシウム粒を使用し、酸素ガスを真空装置内
に供給して、酸化マグネシウムからなる保護膜５および
６を形成した。成膜時の基板の加熱温度、酸素ガスの供
給量を変えて物性の異なる種々の膜を形成した。
法または電子ビーム蒸着法により成膜している。膜原料
は酸化マグネシウム粒を使用し、酸素ガスを真空装置内
に供給して、酸化マグネシウムからなる保護膜５および
６を形成した。成膜時の基板の加熱温度、酸素ガスの供
給量を変えて物性の異なる種々の膜を形成した。
【００１９】実施例１（保護膜Ｍ１、Ｍ２）
実施例１による保護膜Ｍ１、Ｍ２はイオンプレーテイン
グ法によった。真空成膜装置内に３×１０-2Ｐａの圧力
の酸素ガスを導入し、基板加熱ヒータにより、ガラス基
板を３５０℃、４００℃に加熱して成膜し、保護膜Ｍ１
およびＭ２とした。成膜速度は毎秒１ｎｍとした。高周
波コイルには１．５ｋＷの高周波を印加した。基板には
マイナスの直流バイアス電圧として、１００から４００
ｋＶを印加した。
グ法によった。真空成膜装置内に３×１０-2Ｐａの圧力
の酸素ガスを導入し、基板加熱ヒータにより、ガラス基
板を３５０℃、４００℃に加熱して成膜し、保護膜Ｍ１
およびＭ２とした。成膜速度は毎秒１ｎｍとした。高周
波コイルには１．５ｋＷの高周波を印加した。基板には
マイナスの直流バイアス電圧として、１００から４００
ｋＶを印加した。
【００２０】Ｋｒガス吸着によるＢ．Ｅ．Ｔ．法により
保護膜の比表面積を測定した結果、保護膜Ｍ１の比表面
積は９．５ｍ2／ｇ、Ｍ２の比表面積は７．５ｍ2／ｇで
あった。保護膜Ｍ１およびＭ２は図１の下部保護膜５と
して好ましい比表面積の値を有している。
保護膜の比表面積を測定した結果、保護膜Ｍ１の比表面
積は９．５ｍ2／ｇ、Ｍ２の比表面積は７．５ｍ2／ｇで
あった。保護膜Ｍ１およびＭ２は図１の下部保護膜５と
して好ましい比表面積の値を有している。
【００２１】実施例２（保護膜Ｍ３、Ｍ４）
実施例２による保護膜Ｍ３，Ｍ４は電子ビーム蒸着法に
より形成した。酸素ガスを１×１０-2Ｐａの圧力で導入
し、ガラス基板温度を３５０℃、４００℃にそれぞれ加
熱して成膜し、保護膜Ｍ３、Ｍ４とした。成膜速度は毎
秒１ｎｍとした。
より形成した。酸素ガスを１×１０-2Ｐａの圧力で導入
し、ガラス基板温度を３５０℃、４００℃にそれぞれ加
熱して成膜し、保護膜Ｍ３、Ｍ４とした。成膜速度は毎
秒１ｎｍとした。
【００２２】Ｋｒガス吸着によるＢ．Ｅ．Ｔ．法により
保護膜の比表面積を測定した結果、保護膜Ｍ３，Ｍ４の
比表面積はそれぞれ６．５、４．５ｍ2／ｇであった。
保護膜Ｍ３およびＭ４は下部保護膜５として好ましい比
表面積の値を有している。
保護膜の比表面積を測定した結果、保護膜Ｍ３，Ｍ４の
比表面積はそれぞれ６．５、４．５ｍ2／ｇであった。
保護膜Ｍ３およびＭ４は下部保護膜５として好ましい比
表面積の値を有している。
【００２３】実施例３（保護膜Ｍ５，Ｍ６）
実施例３による保護膜Ｍ５，Ｍ６はイオンプレーティン
グ法により形成した。真空成膜装置内に２×１０-2Ｐａ
の圧力の酸素ガスを導入し、基板加熱ヒータまたは赤外
線を含む光照射によりガラス基板を２００℃に加熱し、
膜厚０．５μｍの保護膜Ｍ５を作製した。さらに、ガラ
ス基板を２５０℃に加熱し、膜厚０．１μｍの保護膜Ｍ
６を作製した。成膜速度はいずれも毎秒１ｎｍとした。
高周波コイルには０．５〜１．５ｋＷの高周波を印加し
た。基板にはマイナスの直流バイアス電圧として、１０
０から８００ｋＶを印加した。
グ法により形成した。真空成膜装置内に２×１０-2Ｐａ
の圧力の酸素ガスを導入し、基板加熱ヒータまたは赤外
線を含む光照射によりガラス基板を２００℃に加熱し、
膜厚０．５μｍの保護膜Ｍ５を作製した。さらに、ガラ
ス基板を２５０℃に加熱し、膜厚０．１μｍの保護膜Ｍ
６を作製した。成膜速度はいずれも毎秒１ｎｍとした。
高周波コイルには０．５〜１．５ｋＷの高周波を印加し
た。基板にはマイナスの直流バイアス電圧として、１０
０から８００ｋＶを印加した。
【００２４】Ｋｒガス吸着によるＢ．Ｅ．Ｔ．法により
保護膜の比表面積を測定した結果、保護膜Ｍ５、Ｍ６の
比表面積はそれぞれ、１０５．３、９５．３ｍ2／ｇで
あった。保護膜Ｍ５およびＭ６は上部保護膜６として好
ましい比表面積の値を有している。
保護膜の比表面積を測定した結果、保護膜Ｍ５、Ｍ６の
比表面積はそれぞれ、１０５．３、９５．３ｍ2／ｇで
あった。保護膜Ｍ５およびＭ６は上部保護膜６として好
ましい比表面積の値を有している。
【００２５】比表面積がおおよそ１００ｍ2／ｇを超え
る保護膜は、柱状構造が基板界面から膜表面に向って良
好に成長している。このような膜では、真空加熱により
膜中の水分が脱離しやすい。たとえば、３５０℃、３時
間の真空加熱では、膜中水分の８０−９０％程度が脱離
するので、ＰＤＰの保護膜として使用するための障害に
はならない。
る保護膜は、柱状構造が基板界面から膜表面に向って良
好に成長している。このような膜では、真空加熱により
膜中の水分が脱離しやすい。たとえば、３５０℃、３時
間の真空加熱では、膜中水分の８０−９０％程度が脱離
するので、ＰＤＰの保護膜として使用するための障害に
はならない。
【００２６】実施例４（保護膜Ｍ７，Ｍ８、Ｍ９）
実施例４による保護膜Ｍ７，Ｍ８，Ｍ９を電子ビーム蒸
着法により形成した。酸素ガスを３×１０-2Ｐａの圧力
で導入し、ガラス基板温度を１５０℃、２００℃、２５
０℃にそれぞれ加熱して成膜し、保護膜Ｍ７，Ｍ８，Ｍ
９とした。成膜速度は毎秒１−３ｎｍとした。膜厚は
０．８μｍであった。
着法により形成した。酸素ガスを３×１０-2Ｐａの圧力
で導入し、ガラス基板温度を１５０℃、２００℃、２５
０℃にそれぞれ加熱して成膜し、保護膜Ｍ７，Ｍ８，Ｍ
９とした。成膜速度は毎秒１−３ｎｍとした。膜厚は
０．８μｍであった。
【００２７】Ｋｒガス吸着によるＢ．Ｅ．Ｔ．法により
保護膜の比表面積を測定した結果、保護膜Ｍ７，Ｍ８，
Ｍ９の比表面積はそれぞれ、５５．７，３６．８、２
５．５ｍ2／ｇであった。保護膜Ｍ７，Ｍ８，Ｍ９は上
部保護膜６として好ましい表面積の値を有している。
保護膜の比表面積を測定した結果、保護膜Ｍ７，Ｍ８，
Ｍ９の比表面積はそれぞれ、５５．７，３６．８、２
５．５ｍ2／ｇであった。保護膜Ｍ７，Ｍ８，Ｍ９は上
部保護膜６として好ましい表面積の値を有している。
【００２８】実施例５（保護膜Ｍ１０）
実施例５による保護膜Ｍ１０をイオンプレーティング法
により形成した。保護膜Ｍ１０は下部保護膜５と上部保
護膜６を連続的に成膜した。成膜は、図１において表示
電極８とバス電極９が配線されている前面板に、誘電体
層７を形成することなく直接下部保護膜５と上部保護膜
６を形成した。
により形成した。保護膜Ｍ１０は下部保護膜５と上部保
護膜６を連続的に成膜した。成膜は、図１において表示
電極８とバス電極９が配線されている前面板に、誘電体
層７を形成することなく直接下部保護膜５と上部保護膜
６を形成した。
【００２９】下部保護膜５は次のように成膜した。真空
成膜装置内に３×１０-2Ｐａの圧力の酸素ガスを導入
し、基板加熱ヒータまたは赤外線を含む光照射によりガ
ラス基板を３３０℃に加熱し、成膜速度毎秒１μｍで成
膜した。膜厚は３μｍとした。成膜時、高周波コイルに
は０．５−１．５ｋWの電力を投入した。基板にはマイ
ナスの直流バイアス電圧として１００から８００Ｖを印
加した。
成膜装置内に３×１０-2Ｐａの圧力の酸素ガスを導入
し、基板加熱ヒータまたは赤外線を含む光照射によりガ
ラス基板を３３０℃に加熱し、成膜速度毎秒１μｍで成
膜した。膜厚は３μｍとした。成膜時、高周波コイルに
は０．５−１．５ｋWの電力を投入した。基板にはマイ
ナスの直流バイアス電圧として１００から８００Ｖを印
加した。
【００３０】次に、上部保護膜６を次の方法により成膜
した。真空成膜装置内に５×１０-2Ｐａの圧力の酸素ガ
スを導入し、基板加熱ヒータまたは赤外線を含む光照射
によりガラス基板を２１０℃に加熱し、成膜速度毎秒１
−３μｍで成膜した。膜厚は０．５μｍとした。成膜時
に、高周波コイルには０．５−１．５ｋWの電力を投入
した。基板にはマイナスの直流バイアス電圧として１０
０から８００Ｖを印加した。
した。真空成膜装置内に５×１０-2Ｐａの圧力の酸素ガ
スを導入し、基板加熱ヒータまたは赤外線を含む光照射
によりガラス基板を２１０℃に加熱し、成膜速度毎秒１
−３μｍで成膜した。膜厚は０．５μｍとした。成膜時
に、高周波コイルには０．５−１．５ｋWの電力を投入
した。基板にはマイナスの直流バイアス電圧として１０
０から８００Ｖを印加した。
【００３１】Ｋｒガス吸着によるＢ．Ｅ．Ｔ．法により
保護膜の比表面積を測定した結果、保護膜Ｍ１０の比表
面積は１８．５ｍ2／ｇであった。保護膜Ｍ１０は図１
中の下部保護膜５および上部保護膜６として好ましい比
表面積の値を有している。
保護膜の比表面積を測定した結果、保護膜Ｍ１０の比表
面積は１８．５ｍ2／ｇであった。保護膜Ｍ１０は図１
中の下部保護膜５および上部保護膜６として好ましい比
表面積の値を有している。
【００３２】次に、ＰＤＰ保護膜の放電特性について説
明する。図２は、測定に用いた二次電子放出係数測定装
置の概略構成を示す。二次電子放出係数はＰＤＰの放電
特性に密接に関連するパラメータである。
明する。図２は、測定に用いた二次電子放出係数測定装
置の概略構成を示す。二次電子放出係数はＰＤＰの放電
特性に密接に関連するパラメータである。
【００３３】ステンレス基板１１の上に形成されたＭｇ
Ｏからなる保護膜１２の表面にＮｅのイオンビーム１３
を照射して二次電子１３を放出させ、保護膜１１の前面
に配置されたコレクタ電極１４により二次電子１５を捕
集し、コレクタ電極１４に生じた電流値により二次電子
放出比が求められる。
Ｏからなる保護膜１２の表面にＮｅのイオンビーム１３
を照射して二次電子１３を放出させ、保護膜１１の前面
に配置されたコレクタ電極１４により二次電子１５を捕
集し、コレクタ電極１４に生じた電流値により二次電子
放出比が求められる。
【００３４】また、コレクタ電極１４とステンレス基板
１１の間には、コレクタ電極１４が正電極となるように
バイアス電圧Ｖｃが印加され、ＭｇＯの保護膜１２より
放出された二次電子１５が全て捕集される。コレクタ電
極１４に印加される電圧Ｖｃを可変抵抗１６を調節して
増大し、二次電子の放出が飽和したときの値が二次電子
放出係数とされる。この二次電子放出特性の測定を行う
にあたり、Ｎｅのイオンビームを５００ｅＶの加速エネ
ルギーで照射した。
１１の間には、コレクタ電極１４が正電極となるように
バイアス電圧Ｖｃが印加され、ＭｇＯの保護膜１２より
放出された二次電子１５が全て捕集される。コレクタ電
極１４に印加される電圧Ｖｃを可変抵抗１６を調節して
増大し、二次電子の放出が飽和したときの値が二次電子
放出係数とされる。この二次電子放出特性の測定を行う
にあたり、Ｎｅのイオンビームを５００ｅＶの加速エネ
ルギーで照射した。
【００３５】図３は測定結果の一例で、二次電子放出係
数の時間変化を示している。測定試料は、実施例１の保
護膜Ｍ２と実施例３の保護膜Ｍ６をステンレス基板１１
上に作製した。図中、Ａは保護膜Ｍ６、Ｂは保護膜Ｍ２
の結果である。
数の時間変化を示している。測定試料は、実施例１の保
護膜Ｍ２と実施例３の保護膜Ｍ６をステンレス基板１１
上に作製した。図中、Ａは保護膜Ｍ６、Ｂは保護膜Ｍ２
の結果である。
【００３６】保護膜Ｍ６の２次電子放出係数は、保護膜
Ｍ２よりも優れていることが分かる。Ｘ線回折測定によ
り両者の結晶性を調べた結果、保護膜Ｍ６は保護膜Ｍ２
よりも結晶粒の成長が進んでいることが分かった。ＰＤ
Ｐの保護膜としては、２次電子放出係数がより大きいこ
とが求められており、保護膜Ｍ６の結晶性が保護膜材料
として好ましいことが分かる。
Ｍ２よりも優れていることが分かる。Ｘ線回折測定によ
り両者の結晶性を調べた結果、保護膜Ｍ６は保護膜Ｍ２
よりも結晶粒の成長が進んでいることが分かった。ＰＤ
Ｐの保護膜としては、２次電子放出係数がより大きいこ
とが求められており、保護膜Ｍ６の結晶性が保護膜材料
として好ましいことが分かる。
【００３７】図４に、下部保護膜５と上部保護膜６の特
徴比較をまとめる。保護膜としては、結晶性は高く、比
表面積は小さく、二次電子放出係数は大きく、膜厚は大
きいことが望まれる。従来の１層の保護膜では、表１に
示すべての要求を満たすことはできなかった。本発明に
よれば、保護膜を下部保護膜５と上部保護膜６の２層構
造にすることで、丸印で示すように各項目を満たすこと
ができる。
徴比較をまとめる。保護膜としては、結晶性は高く、比
表面積は小さく、二次電子放出係数は大きく、膜厚は大
きいことが望まれる。従来の１層の保護膜では、表１に
示すべての要求を満たすことはできなかった。本発明に
よれば、保護膜を下部保護膜５と上部保護膜６の２層構
造にすることで、丸印で示すように各項目を満たすこと
ができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による保護
膜をＡＣ型ＰＤＰの保護膜として用いることにより、安
定した二次電子放出係数を得られる効果がある。また、
パネル組み立て時の排気条件をより簡単なものにでき
る。
膜をＡＣ型ＰＤＰの保護膜として用いることにより、安
定した二次電子放出係数を得られる効果がある。また、
パネル組み立て時の排気条件をより簡単なものにでき
る。
【図１】本発明の一実施例による交流型ＰＤＰの一画素
に対応する部分を表す構成図。
に対応する部分を表す構成図。
【図２】二次電子放出係数測定装置の概略図。
【図３】二次電子放出係数特性の測定結果を表すグラ
フ。
フ。
【図４】下部保護膜５と上部保護膜６の特徴比較を示す
説明図。
説明図。
１Ｒ…赤色蛍光体、１Ｇ…緑色蛍光体、１Ｂ…青色蛍光
体、２…隔壁、３…アドレス電極、４…背面板、５…下
部保護膜、６…上部保護膜、７…誘電体層、８…表示電
極、９…バス電極、１０…前面板、１１…ステンレス基
板、１２…保護膜、１３…Ｎｅイオンビーム、１４…コ
レクタ電極、１５…二次電子。
体、２…隔壁、３…アドレス電極、４…背面板、５…下
部保護膜、６…上部保護膜、７…誘電体層、８…表示電
極、９…バス電極、１０…前面板、１１…ステンレス基
板、１２…保護膜、１３…Ｎｅイオンビーム、１４…コ
レクタ電極、１５…二次電子。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 鬼沢 賢一
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
(72)発明者 峯村 哲郎
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
(72)発明者 上谷 一夫
兵庫県西宮市小曾根町一丁目５番25号 新
明和工業株式会社内
(72)発明者 井原 靖
兵庫県西宮市小曾根町一丁目５番25号 新
明和工業株式会社内
(72)発明者 瀧川 志朗
兵庫県西宮市小曾根町一丁目５番25号 新
明和工業株式会社内
(72)発明者 能勢 功一
兵庫県西宮市小曾根町一丁目５番25号 新
明和工業株式会社内
(72)発明者 床本 勲
兵庫県西宮市小曾根町一丁目５番25号 新
明和工業株式会社内
(72)発明者 小泉 康浩
兵庫県西宮市小曾根町一丁目５番25号 新
明和工業株式会社内
Ｆターム(参考） 5C027 AA10
5C040 FA01 GB03 GB14 GE01 GE07
MA03
Claims (6)
- 【請求項１】 表示電極が配線されている前面板とアド
レス電極が配線されている背面板を有し、両基板の間隙
に形成された微小な放電空間での放電により画像を表示
するプラズマディスプレイにおいて、 前記前面板の放電面側に設けられる保護膜は二層からな
り、その外面側の上部層は放電性能が高い材質、その内
面側の下部層は水の吸着性能が低い材質からそれぞれ形
成されていることを特徴とするプラズマディスプレイ。 - 【請求項２】 表示電極が配線されている前面板とアド
レス電極が配線されている背面板を有し、両基板の間隙
に形成された微小な放電空間での放電により画像を表示
するプラズマディスプレイにおいて、 前記前面板に単位重量当りの比表面積が異なる上部層と
下部層のニ層で形成される保護膜を有し、前記上層部は
比表面積を大きくして膜厚を薄く、前記下層部は上層部
に比して比表面積を小さくして膜厚を厚く形成されてい
ることを特徴とするプラズマディスプレイ。 - 【請求項３】 請求項２において、 前記上層部は保護膜１ｇ当たりに換算して２０ｍ2／ｇ
以上の比表面積を有する材料層が膜厚１μｍ以下で形成
されており、下部層は保護膜１ｇ当たりに換算して１０
ｍ2／ｇ以下の比表面積を有する材料層が膜厚１μｍ以
上で形成されていることを特徴とするプラズマディスプ
レイ。 - 【請求項４】 請求項１、２または３において、 前記保護膜は、少なくとも前記上部層が酸化マグネシュ
ウムを主成分とする膜で形成されていることを特徴とす
るプラズマディスプレイ。 - 【請求項５】 請求項１、２、３または４において、 前記保護膜は、前記前面板に設けられる誘電体層を覆う
ように形成されていることを特徴とするプラズマディス
プレイ。 - 【請求項６】 請求項１、２、３または４において、 前記保護膜は、前記前面板に設けられる前記表示電極を
覆うように形成されていることを特徴とするプラズマデ
ィスプレイ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001185297A JP2003007214A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | プラズマディスプレイ |
| US10/073,099 US6816134B2 (en) | 2001-06-19 | 2002-02-12 | Plasma display panel |
| KR1020020010452A KR20020096852A (ko) | 2001-06-19 | 2002-02-27 | 플라스마 디스플레이 패널 |
| CN02106425A CN1392580A (zh) | 2001-06-19 | 2002-02-28 | 等离子体显示板 |
| US10/196,267 US6831413B2 (en) | 2001-06-19 | 2002-07-17 | Plasma display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001185297A JP2003007214A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | プラズマディスプレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007214A true JP2003007214A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19024904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001185297A Pending JP2003007214A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | プラズマディスプレイ |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2003007214A (ja) |
| KR (1) | KR20020096852A (ja) |
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| KR100709216B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| EP1780749A3 (en) * | 2005-11-01 | 2009-08-12 | LG Electronics Inc. | Plasma display panel and method for producing the same |
| KR100765513B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2007-10-10 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법 |
| WO2007126061A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3918136A (en) * | 1970-09-08 | 1975-11-11 | Owens Illinois Inc | Method of making gaseous discharge device having lower operating voltages of increased uniformity |
| GB1390105A (en) * | 1971-06-21 | 1975-04-09 | Fujitsu Ltd | Gas discharge display device and a method for fabricating the same |
| US5956044A (en) | 1993-05-07 | 1999-09-21 | Eastman Kodak Company | Imaging device to media compatibility and color appearance matching with flare, luminance, and white point comparison |
| JP3442876B2 (ja) * | 1994-08-31 | 2003-09-02 | パイオニア株式会社 | 交流型プラズマディスプレイ装置 |
| JPH0877931A (ja) * | 1994-09-02 | 1996-03-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | ガス放電パネルの保護膜及びその形成方法 |
| JP3412985B2 (ja) | 1995-10-02 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置及び方法 |
| US6149967A (en) | 1995-10-09 | 2000-11-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Sol solution and method for film formation |
| JPH09107484A (ja) | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Ricoh Co Ltd | 色補正装置、色管理方法および装置 |
| JPH1065930A (ja) | 1996-08-19 | 1998-03-06 | Fuji Xerox Co Ltd | カラー画像処理方法およびカラー画像処理装置 |
| JP3658104B2 (ja) | 1996-10-01 | 2005-06-08 | キヤノン株式会社 | 環境照明光特定装置 |
| JP3073451B2 (ja) | 1996-11-20 | 2000-08-07 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP3582946B2 (ja) | 1996-12-03 | 2004-10-27 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル及び保護膜の形成方法 |
| JPH10204625A (ja) | 1997-01-14 | 1998-08-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ＭｇＯ膜成膜方法及び成膜装置 |
| DE69730589T2 (de) | 1997-03-08 | 2005-08-11 | Lg Electronics Inc. | Verfahren zur Beurteilung des Umgebungslichts und deren Verwendung in einer Steuervorrichtung zur Videokompensation |
| JP3429438B2 (ja) * | 1997-08-22 | 2003-07-22 | 富士通株式会社 | Ａｃ型ｐｄｐの駆動方法 |
| JPH1175072A (ja) | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Toyota Motor Corp | 画像出力方法及び装置 |
| KR100247821B1 (ko) * | 1997-08-30 | 2000-03-15 | 손욱 | 플라즈마표시장치 |
| JP4076248B2 (ja) | 1997-09-09 | 2008-04-16 | オリンパス株式会社 | 色再現装置 |
| JPH11175048A (ja) | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Fuji Xerox Co Ltd | カラー画像変換係数算出方法およびカラー画像変換方法 |
| JP2000164136A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル用基板、その製造方法、ａｃ型プラズマディスプレイパネル、その製造方法、及びａｃ型プラズマディスプレイ装置 |
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2001
- 2001-06-19 JP JP2001185297A patent/JP2003007214A/ja active Pending
-
2002
- 2002-02-12 US US10/073,099 patent/US6816134B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-27 KR KR1020020010452A patent/KR20020096852A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-02-28 CN CN02106425A patent/CN1392580A/zh active Pending
- 2002-07-17 US US10/196,267 patent/US6831413B2/en not_active Expired - Fee Related
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| CN1392580A (zh) | 2003-01-22 |
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