JP3442876B2 - 交流型プラズマディスプレイ装置 - Google Patents
交流型プラズマディスプレイ装置Info
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、交流駆動型プラズマデ
ィスプレイ装置に関する。
ィスプレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大型で且つ薄形のカラー表示装置
としてプラズマディスプレイパネルの実用化が期待され
ている。プラズマディスプレイパネルとしての面放電型
交流型プラズマディスプレイパネルの構造の一例を図１
に示す。図１のプラズマディスプレイパネルにおいて、
表示面となるガラス基板１には、対をなす電極２，２の
複数がサスティン電極として数百ｎｍの膜厚で形成さ
れ、さらに電極２を被覆して誘電体層３が２０〜３０μ
ｍの膜厚で形成され、誘電体層３を被覆してＭｇＯ層４
が形成されている。一方、背面側のガラス基板５には、
電極６がアドレス電極として形成され、電極６を被覆し
て蛍光体層７が形成されている。基板１の電極２と基板
５の電極６とが対向して互いに直交するように、基板
１，５が離間配置されて放電空間８が形成され、基板
１，５が封着された後の放電空間８の排気後に希ガスが
封入される。このように、基板１の電極２と基板５の電
極６の交点を中心として画素セルが形成されるので、プ
ラズマディスプレイパネルは複数の画素セルを有し、画
像の表示が可能となる。
としてプラズマディスプレイパネルの実用化が期待され
ている。プラズマディスプレイパネルとしての面放電型
交流型プラズマディスプレイパネルの構造の一例を図１
に示す。図１のプラズマディスプレイパネルにおいて、
表示面となるガラス基板１には、対をなす電極２，２の
複数がサスティン電極として数百ｎｍの膜厚で形成さ
れ、さらに電極２を被覆して誘電体層３が２０〜３０μ
ｍの膜厚で形成され、誘電体層３を被覆してＭｇＯ層４
が形成されている。一方、背面側のガラス基板５には、
電極６がアドレス電極として形成され、電極６を被覆し
て蛍光体層７が形成されている。基板１の電極２と基板
５の電極６とが対向して互いに直交するように、基板
１，５が離間配置されて放電空間８が形成され、基板
１，５が封着された後の放電空間８の排気後に希ガスが
封入される。このように、基板１の電極２と基板５の電
極６の交点を中心として画素セルが形成されるので、プ
ラズマディスプレイパネルは複数の画素セルを有し、画
像の表示が可能となる。
【０００３】上記プラズマディスプレイパネルにて表示
を行う際、選択された画素セルにおいて、発光していな
い状態から対をなす電極のうちの一方２と電極６との間
に封入ガスの放電開始電圧以上の電圧を印加するとＭｇ
Ｏ層４の表面で放電が生じて発光が生じる。この放電開
始電圧は、基板１，５の間隙長、封入ガスの種類と圧
力、及び誘電体層３及びＭｇＯ層４の特性などによって
定まる。放電開始電圧の印加により画素セルにおいて放
電が開始されると、電離によって生じた陽イオンや電子
は、画素セルが容量性負荷であるため放電空間内をそれ
ぞれ反対極性の電極へと向けて移動して両側のＭｇＯ層
４の内壁に帯電し、内壁の電荷はＭｇＯ層４の抵抗が高
いために減衰せずに残留する。この壁電荷によって、放
電空間内に外部からの印加電圧とは逆極性の電界が形成
されるのでセル内の電界は弱められて放電は直ちに停止
する。
を行う際、選択された画素セルにおいて、発光していな
い状態から対をなす電極のうちの一方２と電極６との間
に封入ガスの放電開始電圧以上の電圧を印加するとＭｇ
Ｏ層４の表面で放電が生じて発光が生じる。この放電開
始電圧は、基板１，５の間隙長、封入ガスの種類と圧
力、及び誘電体層３及びＭｇＯ層４の特性などによって
定まる。放電開始電圧の印加により画素セルにおいて放
電が開始されると、電離によって生じた陽イオンや電子
は、画素セルが容量性負荷であるため放電空間内をそれ
ぞれ反対極性の電極へと向けて移動して両側のＭｇＯ層
４の内壁に帯電し、内壁の電荷はＭｇＯ層４の抵抗が高
いために減衰せずに残留する。この壁電荷によって、放
電空間内に外部からの印加電圧とは逆極性の電界が形成
されるのでセル内の電界は弱められて放電は直ちに停止
する。
【０００４】次に、電極２，２間に放電維持電圧を印加
することにより放電は維持される、壁電荷により放電開
始電圧より低い電圧にて放電の維持が継続される。すな
わち、一旦放電が開始されると放電開始電圧よりも低い
交流駆動電圧で放電は間欠的に持続される。これがプラ
ズマディスプレイパネルのメモリ機能である。故に、誘
電体層３は画素セルの動作電圧の決定やメモリ機能に対
して重要な役割を果たす。
することにより放電は維持される、壁電荷により放電開
始電圧より低い電圧にて放電の維持が継続される。すな
わち、一旦放電が開始されると放電開始電圧よりも低い
交流駆動電圧で放電は間欠的に持続される。これがプラ
ズマディスプレイパネルのメモリ機能である。故に、誘
電体層３は画素セルの動作電圧の決定やメモリ機能に対
して重要な役割を果たす。
【０００５】このような誘電体層３として、例えば酸化
鉛（ＰｂＯ）を主成分とする低融点ガラスが広く用いら
れている。
鉛（ＰｂＯ）を主成分とする低融点ガラスが広く用いら
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記プラズマディスプ
レイパネルでは、放電開始時には、容量性負荷のために
印加パルス電圧の立ち上がりとともにセルに放電電流が
流れて電荷が移動し電流が停止する。ＰｂＯからなる誘
電体層３は、比誘電率が９〜１２と大きいためにセルの
容量が大きくセルの発光１回当たりにセルに流れる放電
電流量が多いので、パネルの消費電力が多くなってい
た。
レイパネルでは、放電開始時には、容量性負荷のために
印加パルス電圧の立ち上がりとともにセルに放電電流が
流れて電荷が移動し電流が停止する。ＰｂＯからなる誘
電体層３は、比誘電率が９〜１２と大きいためにセルの
容量が大きくセルの発光１回当たりにセルに流れる放電
電流量が多いので、パネルの消費電力が多くなってい
た。
【０００７】そこで、セルの容量を減らすべく誘電体層
３を比誘電率の低いＳｉＯ2 にて形成することが考えら
れたが、ＳｉＯ2 は蒸着法やスパッタリング法にて成膜
されるために２０〜３０μｍ程度の膜厚に厚く形成する
ことが困難であり、また厚く形成すると膜にクラックが
生じることがあり、ＳｉＯ2 による誘電体層３の容量の
低減は困難であった。
３を比誘電率の低いＳｉＯ2 にて形成することが考えら
れたが、ＳｉＯ2 は蒸着法やスパッタリング法にて成膜
されるために２０〜３０μｍ程度の膜厚に厚く形成する
ことが困難であり、また厚く形成すると膜にクラックが
生じることがあり、ＳｉＯ2 による誘電体層３の容量の
低減は困難であった。
【０００８】本発明の目的は、上記問題点に鑑みて、消
費電力が抑制されたプラズマディスプレイ装置を提供す
ることである。
費電力が抑制されたプラズマディスプレイ装置を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の交流型プラズマ
ディスプレイ装置は、互いに平行に配設された複数の行
電極対と、前記行電極対と直交して離間配設された複数
の列電極と、前記行電極対を被覆する壁電荷形成用誘電
体層とを含み、前記行電極対を構成する行電極間で放電
を生ぜしめる交流型プラズマディスプレイ装置であっ
て、前記誘電体層は比誘電率が８以下の低融点ガラスか
らなるものである。また本発明の他の交流型プラズマデ
ィスプレイ装置は、互いに平行に配設された複数の行電
極対と、前記行電極対と直交して離間配設された複数の
列電極と、前記行電極対を被覆する壁電荷形成用誘電体
層とを含み、前記行電極対を構成する行電極間で放電を
生ぜしめる交流型プラズマディスプレイ装置であって、
前記誘電体層は比誘電率が８以下のアルカリ系低融点ガ
ラスからなり、前記行電極対と前記誘電体層との間に電
極保護層が介在することを特徴としている。
ディスプレイ装置は、互いに平行に配設された複数の行
電極対と、前記行電極対と直交して離間配設された複数
の列電極と、前記行電極対を被覆する壁電荷形成用誘電
体層とを含み、前記行電極対を構成する行電極間で放電
を生ぜしめる交流型プラズマディスプレイ装置であっ
て、前記誘電体層は比誘電率が８以下の低融点ガラスか
らなるものである。また本発明の他の交流型プラズマデ
ィスプレイ装置は、互いに平行に配設された複数の行電
極対と、前記行電極対と直交して離間配設された複数の
列電極と、前記行電極対を被覆する壁電荷形成用誘電体
層とを含み、前記行電極対を構成する行電極間で放電を
生ぜしめる交流型プラズマディスプレイ装置であって、
前記誘電体層は比誘電率が８以下のアルカリ系低融点ガ
ラスからなり、前記行電極対と前記誘電体層との間に電
極保護層が介在することを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明の交流型プラズマディスプレイ装置で
は、誘電体層の比誘電率が８以下と小さいので、互いに
対向して交差する行電極及び列電極を中心に形成される
１画素セルの容量が小さくなる。
は、誘電体層の比誘電率が８以下と小さいので、互いに
対向して交差する行電極及び列電極を中心に形成される
１画素セルの容量が小さくなる。
【００１１】
【実施例】本発明によるプラズマディスプレイパネルの
実施例を図２及び図３を参照しながら説明する。図２
は、３電極構造を採る面放電型交流型プラズマディスプ
レイパネルを構成する複数の画素セルのうちの１つの断
面構造を示す。この画素セルは、表示面となる透明な前
面ガラス基板１１と、背面ガラス基板１２とが例えば１
００〜２００μｍの間隙を介して互いに平行に対向して
いる。さらに、前面基板１１と背面基板１２との間隙を
保持するために背面基板１２に隔壁（図示せず）が形成
され、前面基板１１と背面基板１２との間に放電空間１
３が形成される。
実施例を図２及び図３を参照しながら説明する。図２
は、３電極構造を採る面放電型交流型プラズマディスプ
レイパネルを構成する複数の画素セルのうちの１つの断
面構造を示す。この画素セルは、表示面となる透明な前
面ガラス基板１１と、背面ガラス基板１２とが例えば１
００〜２００μｍの間隙を介して互いに平行に対向して
いる。さらに、前面基板１１と背面基板１２との間隙を
保持するために背面基板１２に隔壁（図示せず）が形成
され、前面基板１１と背面基板１２との間に放電空間１
３が形成される。
【００１２】前面基板１１では、背面基板１２と対向す
る面に、対をなす透明電極１４，１４が行電極対、すな
わち駆動制御電極対として例えばＩＴＯや酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2）などの蒸着によりおよそ数百ｎｍの膜厚で互いに
平行に伸長し形成されている。さらに、これらの透明電
極１４，１４の導電率を向上せしめるために、各行電極
１４，１４において、対をなす他方の行電極が近接する
一方の端縁部とは反対側の他方の端縁部近傍に沿って、
例えばアルミニウム（Ａｌ）などからなる金属補助電極
１５が行電極１４の幅よりも細い幅にて積層形成されて
いる。このようにして形成された行電極対１４，１４を
覆うように、電極保護層１６が０．１〜０．２μｍの膜
厚で形成されている。この電極保護層１６の上に誘電体
層１７が２０〜５０μｍの膜厚で形成され、さらにＳｉ
Ｏ2 からなる保護層１８が積層形成され、この保護層１
８の上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる層１９が
およそ数百ｎｍの膜厚で積層形成されている。
る面に、対をなす透明電極１４，１４が行電極対、すな
わち駆動制御電極対として例えばＩＴＯや酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2）などの蒸着によりおよそ数百ｎｍの膜厚で互いに
平行に伸長し形成されている。さらに、これらの透明電
極１４，１４の導電率を向上せしめるために、各行電極
１４，１４において、対をなす他方の行電極が近接する
一方の端縁部とは反対側の他方の端縁部近傍に沿って、
例えばアルミニウム（Ａｌ）などからなる金属補助電極
１５が行電極１４の幅よりも細い幅にて積層形成されて
いる。このようにして形成された行電極対１４，１４を
覆うように、電極保護層１６が０．１〜０．２μｍの膜
厚で形成されている。この電極保護層１６の上に誘電体
層１７が２０〜５０μｍの膜厚で形成され、さらにＳｉ
Ｏ2 からなる保護層１８が積層形成され、この保護層１
８の上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる層１９が
およそ数百ｎｍの膜厚で積層形成されている。
【００１３】上記誘電体層１７は、軟化点が６５０℃以
下であり且つ比誘電率が８以下の低融点ガラスにて形成
されている。そして、この低融点ガラスは、組成に少な
くとも酸化ナトリウム（Ｎａ2 Ｏ）及び酸化ほう素（Ｂ
2 Ｏ3 ）を含むものである。このような低融点ガラスと
しては、例えば表１に示すように、日本電気硝子株式会
社製の所定のガラスコード（製品番号）を有する低融点
ガラスが用いられている。
下であり且つ比誘電率が８以下の低融点ガラスにて形成
されている。そして、この低融点ガラスは、組成に少な
くとも酸化ナトリウム（Ｎａ2 Ｏ）及び酸化ほう素（Ｂ
2 Ｏ3 ）を含むものである。このような低融点ガラスと
しては、例えば表１に示すように、日本電気硝子株式会
社製の所定のガラスコード（製品番号）を有する低融点
ガラスが用いられている。
【００１４】
【表１】
【００１５】次に、上記電極保護層１６は、例えば誘電
体層１７とは種類の異なる酸化鉛（ＰｂＯ）を含むガラ
スや二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）などの無機物からなり、電
極１４を保護するために設けられている。すなわち、誘
電体層１７を形成する低融点ガラスはアルカリ系ガラス
であるために、アルカリ系ガラスからなる誘電体層１７
が直接電極１４，１５に接触するとガラスに含まれるナ
トリウム（Ｎａ）が電極内に拡散して電極１４，１５を
腐食させるので、Ｎａの電極１４，１５への拡散を防止
すべく誘電体層１７と電極１４，１５との間に形成する
ものである。
体層１７とは種類の異なる酸化鉛（ＰｂＯ）を含むガラ
スや二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）などの無機物からなり、電
極１４を保護するために設けられている。すなわち、誘
電体層１７を形成する低融点ガラスはアルカリ系ガラス
であるために、アルカリ系ガラスからなる誘電体層１７
が直接電極１４，１５に接触するとガラスに含まれるナ
トリウム（Ｎａ）が電極内に拡散して電極１４，１５を
腐食させるので、Ｎａの電極１４，１５への拡散を防止
すべく誘電体層１７と電極１４，１５との間に形成する
ものである。
【００１６】なお、保護層１８は省略することもでき
る。一方、背面基板１２では、前面基板１１と対向する
面に、アドレス電極２１が列電極、すなわちサスティン
電極として形成されている。この列電極２１は、例えば
ＡｌやＡｌ合金からなり、行電極１４と対向しながら行
電極１４の伸長方向と直交する方向におよそ１μｍの膜
厚で伸長して形成されている。また、列電極２１はＡｌ
やＡｌ合金などの反射率の高い金属にて形成されている
ので、波長帯域：３８０〜６５０ｎｍにおいて８０％以
上の反射率を有している。なお、列電極２１は、Ａｌや
Ａｌ合金に限らず、高い反射率を有するＣｕ，Ａｕなど
の適宜の金属や合金にて作製することができる。
る。一方、背面基板１２では、前面基板１１と対向する
面に、アドレス電極２１が列電極、すなわちサスティン
電極として形成されている。この列電極２１は、例えば
ＡｌやＡｌ合金からなり、行電極１４と対向しながら行
電極１４の伸長方向と直交する方向におよそ１μｍの膜
厚で伸長して形成されている。また、列電極２１はＡｌ
やＡｌ合金などの反射率の高い金属にて形成されている
ので、波長帯域：３８０〜６５０ｎｍにおいて８０％以
上の反射率を有している。なお、列電極２１は、Ａｌや
Ａｌ合金に限らず、高い反射率を有するＣｕ，Ａｕなど
の適宜の金属や合金にて作製することができる。
【００１７】さらに、例えば背面基板１２の列電極２１
を覆うように蛍光体層２２が形成される。上記プラズマ
ディスプレイパネルにおいてカラー表示を行う場合は、
例えば列電極毎に３色、すなわちＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体の
うちの１つが順に対応して蛍光体層として形成される。
このようにして、行電極対１４，１４と列電極２１との
交点を中心とする発光領域の１つが放電空間１３に形成
されて画素セルが構成される。そして、プラズマディス
プレイパネルのカラー表示を行う場合、各画素セルが蛍
光体の３色のうちの対応す音色に発光する。
を覆うように蛍光体層２２が形成される。上記プラズマ
ディスプレイパネルにおいてカラー表示を行う場合は、
例えば列電極毎に３色、すなわちＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体の
うちの１つが順に対応して蛍光体層として形成される。
このようにして、行電極対１４，１４と列電極２１との
交点を中心とする発光領域の１つが放電空間１３に形成
されて画素セルが構成される。そして、プラズマディス
プレイパネルのカラー表示を行う場合、各画素セルが蛍
光体の３色のうちの対応す音色に発光する。
【００１８】上述の如く、行電極対１４，１４及び列電
極２１が形成された前面基板１１及び背面基板１２は封
着されて放電空間１３の排気が行われ、さらにベーキン
グによりＭｇＯ層１９の表面が活性化される。次に、放
電空間１３に希ガスとして例えばキセノン（Ｘｅ）を１
〜１０％含む不活性混合ガスが２００〜６００ｔｏｒｒ
封入される。
極２１が形成された前面基板１１及び背面基板１２は封
着されて放電空間１３の排気が行われ、さらにベーキン
グによりＭｇＯ層１９の表面が活性化される。次に、放
電空間１３に希ガスとして例えばキセノン（Ｘｅ）を１
〜１０％含む不活性混合ガスが２００〜６００ｔｏｒｒ
封入される。
【００１９】上述の如く形成されたプラズマディスプレ
イパネルにおいて、行電極対１４，１４には画素セルの
発光開始、発光維持及び消去を駆動制御するパルス電圧
が印加され、列電極２１には各画素セルの画像データパ
ルスが印加されて、各画素セルの発光の開始、維持及び
消去が行われる。次に、上記プラズマディスプレイパネ
ル作用効果を説明する。本実施例の作用効果を説明する
にあたり、本発明の図２に示す構成を採る実施例Ａと、
例えば誘電体層としてＰｂＯを用いた図１に示す構成を
採る比較例とを比較して説明する。
イパネルにおいて、行電極対１４，１４には画素セルの
発光開始、発光維持及び消去を駆動制御するパルス電圧
が印加され、列電極２１には各画素セルの画像データパ
ルスが印加されて、各画素セルの発光の開始、維持及び
消去が行われる。次に、上記プラズマディスプレイパネ
ル作用効果を説明する。本実施例の作用効果を説明する
にあたり、本発明の図２に示す構成を採る実施例Ａと、
例えば誘電体層としてＰｂＯを用いた図１に示す構成を
採る比較例とを比較して説明する。
【００２０】実施例Ａと比較例とにそれぞれ用いられた
誘電体１７，５の主要成分及び比誘電率を表２に示す。
表２において、各誘電体１７，５は日本電気硝子株式会
社製の低融点ガラスであり、ガラスコードはその製品ナ
ンバーである。
誘電体１７，５の主要成分及び比誘電率を表２に示す。
表２において、各誘電体１７，５は日本電気硝子株式会
社製の低融点ガラスであり、ガラスコードはその製品ナ
ンバーである。
【００２１】
【表２】
【００２２】なお、実施例Ａ及び比較例の各々におい
て、誘電体層１７，５の膜厚はそれぞれ３０μｍとし、
誘電体１７，５及び電極保護層１６を除く各要素の組成
及び寸法は同一に形成されている。次に、各プラズマデ
ィスプレイパネルが発光しているときに流れる放電電流
量を比較する。図３は、発光状態を維持するために画素
セルに流れる放電電流の時間変化を示す。すなわち、各
画素セルは予め発光しており、この発光状態を維持する
ために、画素セルの電極間に１７０Ｖの維持電圧を印加
することにより１回の放電を生ぜしめた時に画素セルに
流れる電流量を示している。なお、図３において、曲線
ａは実施例Ａの放電電流量を示し、曲線ｂは比較例の放
電電流量を示す。
て、誘電体層１７，５の膜厚はそれぞれ３０μｍとし、
誘電体１７，５及び電極保護層１６を除く各要素の組成
及び寸法は同一に形成されている。次に、各プラズマデ
ィスプレイパネルが発光しているときに流れる放電電流
量を比較する。図３は、発光状態を維持するために画素
セルに流れる放電電流の時間変化を示す。すなわち、各
画素セルは予め発光しており、この発光状態を維持する
ために、画素セルの電極間に１７０Ｖの維持電圧を印加
することにより１回の放電を生ぜしめた時に画素セルに
流れる電流量を示している。なお、図３において、曲線
ａは実施例Ａの放電電流量を示し、曲線ｂは比較例の放
電電流量を示す。
【００２３】図３から、実施例Ａ及び比較例は、維持電
圧の印加によりともに放電電流量は増大し、ほぼ同時点
でピーク値に達するが、実施例Ａのピーク値は比較例の
ピーク値のおよそ１／２であり、ピーク値に達した後は
いずれも同時間のうちに電流は停止されることが判る。
これは次のように説明される。画素セルの容量Ｃは次に
示す関係を有する。
圧の印加によりともに放電電流量は増大し、ほぼ同時点
でピーク値に達するが、実施例Ａのピーク値は比較例の
ピーク値のおよそ１／２であり、ピーク値に達した後は
いずれも同時間のうちに電流は停止されることが判る。
これは次のように説明される。画素セルの容量Ｃは次に
示す関係を有する。
【００２４】
【数１】Ｃ＝ε・ε0 （Ｓ／ｄ） ・・・
但し、εは比誘電率、ε0 は真空の誘電率、Ｓは電極面
積、ｄは電極間距離である。すなわち、画素セルの容量
Ｃは誘電体の比誘電率εと比例関係を有しているので、
誘電体層の比誘電率εが小さくなると、それに伴い画素
セルの容量Ｃも小さくなる。従って、実施例Ａの誘電体
層１７は比誘電率εが６．７であり、比較例の誘電体層
の誘電率は１０であるから、式により画素セルの容量
Ｃは比較例の画素セルの容量に比して小さくなる。よっ
て、電極間の同一電圧による印加に対して、実施例Ａの
画素セルは、比較例の画素セルに対して流れる電流量が
少なくて済むのである。
積、ｄは電極間距離である。すなわち、画素セルの容量
Ｃは誘電体の比誘電率εと比例関係を有しているので、
誘電体層の比誘電率εが小さくなると、それに伴い画素
セルの容量Ｃも小さくなる。従って、実施例Ａの誘電体
層１７は比誘電率εが６．７であり、比較例の誘電体層
の誘電率は１０であるから、式により画素セルの容量
Ｃは比較例の画素セルの容量に比して小さくなる。よっ
て、電極間の同一電圧による印加に対して、実施例Ａの
画素セルは、比較例の画素セルに対して流れる電流量が
少なくて済むのである。
【００２５】故に、誘電率を低減することにより同一電
圧の印加に対する画素セルの放電電流量が少なくなるの
で、実施例Ａにおいては、比較例に比してプラズマディ
スプレイパネルの消費電力を低減させることができる。
なお、誘電体層１７は２０〜５０μｍの範囲内の膜厚に
て作製することとしているが、これは次に示す理由によ
る。すなわち、膜厚を２０μｍ未満に形成すると誘電体
層１７の耐圧が低くなるので、駆動時の電極間１４，１
４の印加電圧によって誘電体層１７が絶縁破壊を起こす
場合があるからである。例えば誘電体層１７の膜厚が３
０μｍであれば、誘電体層１７の耐圧はおよそ１ｋＶと
なる。また、誘電体層１７の膜厚を５０μｍ以上に形成
すると放電開始電圧が４００Ｖ以上となり、プラズマデ
ィスプレイパネルの駆動回路の制御が難しくなるためで
ある。従って、誘電体層１７の膜厚としては、２０μｍ
以上５０μｍ以下が好ましいのである。
圧の印加に対する画素セルの放電電流量が少なくなるの
で、実施例Ａにおいては、比較例に比してプラズマディ
スプレイパネルの消費電力を低減させることができる。
なお、誘電体層１７は２０〜５０μｍの範囲内の膜厚に
て作製することとしているが、これは次に示す理由によ
る。すなわち、膜厚を２０μｍ未満に形成すると誘電体
層１７の耐圧が低くなるので、駆動時の電極間１４，１
４の印加電圧によって誘電体層１７が絶縁破壊を起こす
場合があるからである。例えば誘電体層１７の膜厚が３
０μｍであれば、誘電体層１７の耐圧はおよそ１ｋＶと
なる。また、誘電体層１７の膜厚を５０μｍ以上に形成
すると放電開始電圧が４００Ｖ以上となり、プラズマデ
ィスプレイパネルの駆動回路の制御が難しくなるためで
ある。従って、誘電体層１７の膜厚としては、２０μｍ
以上５０μｍ以下が好ましいのである。
【００２６】なお、上記実施例は、前面基板に行電極を
形成し且つ背面基板に列電極を形成する面放電型交流型
プラズマディスプレイパネルについて説明した。しかし
ながら、本発明は、上記構成に限らず、対向型交流型プ
ラズマディスプレイパネル等電極が誘電体で覆われてい
る全ての交流型プラズマディスプレイパネルに適用で
き、上記実施例と同様な効果を奏ずるものである。
形成し且つ背面基板に列電極を形成する面放電型交流型
プラズマディスプレイパネルについて説明した。しかし
ながら、本発明は、上記構成に限らず、対向型交流型プ
ラズマディスプレイパネル等電極が誘電体で覆われてい
る全ての交流型プラズマディスプレイパネルに適用で
き、上記実施例と同様な効果を奏ずるものである。
【００２７】
【発明の効果】本発明の交流型プラズマディスプレイ装
置によれば、行電極対を被覆する誘電体層は比誘電率が
８以下の低融点ガラスからなるので、行電極及び列電極
の交点を中心に形成される画素セルの容量が小さくな
る。故に、放電１回あたりに流れる電流量が低減せしめ
られるので、プラズマディスプレイパネルの消費電力を
低減せしめることができる。
置によれば、行電極対を被覆する誘電体層は比誘電率が
８以下の低融点ガラスからなるので、行電極及び列電極
の交点を中心に形成される画素セルの容量が小さくな
る。故に、放電１回あたりに流れる電流量が低減せしめ
られるので、プラズマディスプレイパネルの消費電力を
低減せしめることができる。
【図１】従来の交流型プラズマディスプレイパネルを示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明による交流型プラズマディスプレイパネ
ルの一実施例を示す断面図である。
ルの一実施例を示す断面図である。
【図３】本発明による交流型プラズマディスプレイパネ
ルの画素セル及び従来のプラズマディスプレイパネルの
画素セルに流れる放電電流量を比較したグラフである。
ルの画素セル及び従来のプラズマディスプレイパネルの
画素セルに流れる放電電流量を比較したグラフである。
１４ 行電極
１６ 電極保護層
１７ 誘電体層
２１ 列電極
Claims (5)
- 【請求項１】 互いに平行に配設された複数の行電極対
と、前記行電極対と直交して離間配設された複数の列電
極と、前記行電極対を被覆する壁電荷形成用誘電体層と
を含み、前記行電極対を構成する行電極間で放電を生ぜ
しめる交流型プラズマディスプレイ装置であって、 前記誘電体層は比誘電率が８以下の低融点ガラスからな
ることを特徴とする交流型プラズマディスプレイ装置。 - 【請求項２】 前記誘電体層は膜厚が２０μｍ以上５０
μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の交流型
プラズマディスプレイ装置。 - 【請求項３】 前記低融点ガラスは、成分として酸化ナ
トリウム（Ｎａ2 Ｏ）及び酸化ほう素（Ｂ2 Ｏ3 ）を含
むことを特徴とする請求項１記載の交流型プラズマディ
スプレイ装置。 - 【請求項４】 前記行電極対と前記誘電体層との間に電
極保護層が介在することを特徴とする請求項１記載の交
流型プラズマディスプレイ装置。 - 【請求項５】 互いに平行に配設された複数の行電極対
と、前記行電極対と直交して離間配設された複数の列電
極と、前記行電極対を被覆する壁電荷形成用誘電体層と
を含み、前記行電極対を構成する行電極間で放電を生ぜ
しめる交流型プラズマディスプレイ装置であって、 前記誘電体層は比誘電率が８以下のアルカリ系低融点ガ
ラスからなり、前記行電極対と前記誘電体層との間に電
極保護層が介在することを特徴とする交流型プラズマデ
ィスプレイ装置。
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|---|---|---|---|
| JP20703894A JP3442876B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 交流型プラズマディスプレイ装置 |
| US08/816,883 US5703437A (en) | 1994-08-31 | 1997-03-13 | AC plasma display including protective layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20703894A JP3442876B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 交流型プラズマディスプレイ装置 |
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|---|---|
| JPH0877930A JPH0877930A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3442876B2 true JP3442876B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=16533182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20703894A Expired - Fee Related JP3442876B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 交流型プラズマディスプレイ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP3688114B2 (ja) * | 1998-04-14 | 2005-08-24 | パイオニア株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| KR20000007610A (ko) * | 1998-07-04 | 2000-02-07 | 구자홍 | 분리형 유전층 및 보호층을 가지는 플라즈마 표시장치와 그 제조방법 |
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| KR20000046689A (ko) * | 1998-12-31 | 2000-07-25 | 구자홍 | 플라즈마 표시장치의 기판 제조방법 |
| KR100556475B1 (ko) * | 1999-04-01 | 2006-03-03 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US6897610B1 (en) | 1999-04-28 | 2005-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| JP2001015038A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Fujitsu Ltd | プラズマディスプレィパネル |
| US6680573B1 (en) | 1999-07-26 | 2004-01-20 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel with improved illuminance |
| FR2797521A1 (fr) * | 1999-08-10 | 2001-02-16 | Thomson Plasma | Perfectionnement a un procede de fabrication d'un panneau a plasma de type matriciel |
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| DE10118531A1 (de) * | 2001-04-14 | 2002-10-17 | Philips Corp Intellectual Pty | Plasmabildschirm vom Oberflächenentladungstyp |
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| EP1381071B1 (en) * | 2002-01-28 | 2010-04-28 | Panasonic Corporation | Plasma display device |
| USRE41914E1 (en) | 2002-05-10 | 2010-11-09 | Ponnusamy Palanisamy | Thermal management in electronic displays |
| US6849935B2 (en) | 2002-05-10 | 2005-02-01 | Sarnoff Corporation | Low-cost circuit board materials and processes for area array electrical interconnections over a large area between a device and the circuit board |
| KR100515323B1 (ko) * | 2003-07-30 | 2005-09-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR20050037639A (ko) | 2003-10-20 | 2005-04-25 | 엘지전자 주식회사 | 에너지 회수장치 |
| JP4803726B2 (ja) * | 2006-02-01 | 2011-10-26 | 旭硝子株式会社 | 電子回路及びその製造方法 |
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| US4853590A (en) * | 1988-08-01 | 1989-08-01 | Bell Communications Research, Inc. | Suspended-electrode plasma display devices |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP20703894A patent/JP3442876B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-13 US US08/816,883 patent/US5703437A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0877930A (ja) | 1996-03-22 |
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