JP2001015038A

JP2001015038A - プラズマディスプレィパネル

Info

Publication number: JP2001015038A
Application number: JP11185627A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Takagi; 彰浩高木; Tadatsugu Hirose; 忠継広瀬; Shigeki Kameyama; 茂樹亀山; Tomokatsu Kishi; 智勝岸; Noriaki Setoguchi; 典明瀬戸口
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1999-06-30
Filing date: 1999-06-30
Publication date: 2001-01-19
Also published as: US6593693B1

Abstract

(57)【要約】【課題】電力効率の高いプラズマディスプレイパネル
を提供する。【解決手段】対向して配置された第１および第２の基
板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って延在する
複数のアドレス線と、前記第１の基板上で隣接するアド
レス線間に形成されたリブと、前記第１の基板上で各ア
ドレス線を覆い、隣接するリブ間に形成された蛍光体層
と、前記第２の基板上で前記第１の方向と交差する第２
の方向に沿って延在する複数組のX電極とY電極と、前記
第２の基板上で前記X電極とY電極とを覆い、第２の基板
よりも高い誘電率を有する高誘電体層と、前記各組内の
X電極とY電極の間で少なくとも前記高誘電体層を貫通し
て形成され、前記第２の方向に延在するトレンチとを有
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルに関し、特に一方の基板上に共通電極である
X電極と走査電極であるY電極を有する三電極型プラズマ
ディスプレイパネルに関する。

【０００２】

【従来の技術】三電極型プラズマディスプレイパネル
は、対向基板の一方の対向面上に複数のアドレス電極、
対向基板の他方の対向面上にアドレス電極と交差する複
数組の維持電極を有する。

【０００３】各維持電極の組はX電極とY電極とを有す
る。維持電極の表面は高誘電体層で覆われる。対向基板
間の空間には所定圧力のＮｅ＋Ｘｅ等の放電ガスが収容
される。アドレス電極上には所定色の蛍光体が配置され
る。

【０００４】選択したY電極とアドレス電極との間に画
像信号に従ってしきい値以上の電圧を印可すると、交差
部の放電ガスが放電を開始し、高誘電体層表面に電荷が
蓄積される。次のY電極を選択し、画像信号に従ってア
ドレス電極に電圧を印加し、同様の電荷蓄積を行う。

【０００５】１画面分の電荷蓄積を終了した後、X電極
とY電極間に交互に極性が反転する電圧を印加する。Y電
極上方に蓄積されていた電荷は、X電極上方に移動し、
次にY電極上方に移動する。このようにしてX電極上方と
Y電極上方に交互に電荷が移動し、放電が維持される。
放電に伴う紫外線発光等により対応する蛍光体が発色す
る。

【０００６】放電時間の異なる発光を組み合わせること
により、多階調の表示を行うことができる。維持電極
（X電極、Y電極）の各々を幅の広い透明電極と幅が狭く
低抵抗のバス電極の積層構造とすることにより、透明電
極を透過した発光を外部で観察することを可能とし、配
線の抵抗を低減して高速動作を可能とする。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】Y電極（およびX電極）
上方に電荷を蓄積するためには、維持電極を誘電体層で
覆うことが必要である。なるべく多量の電荷を蓄積する
ためには誘電体層の誘電率は高い程好ましい。アドレス
電極とY電極との間に一定に電圧を印加した時、なるべ
く高い分割電圧を基板間の空間に印加するためにも誘電
体層の誘電率は高い程好ましい。

【０００８】各組内のX電極とY電極とは近接して配置さ
れる。X電極とY電極間の付随容量は高くなる。この付随
容量を充電するために消費される電力は、発光に寄与し
ない無効電力となる。

【０００９】本発明の目的は、電力効率の高いプラズマ
ディスプレイパネルを提供することである。

【００１０】本発明の他の目的は、充電電流の低いプラ
ズマディスプレイパネルを提供することである。

【００１１】本発明の他の目的は、高速動作の可能なプ
ラズマディスプレイパネルを提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、対向して配置された第一および第２の基板と、前記
第１の基板上で第１の方向に沿って延在する複数のアド
レス線と、前記第１の基板上で隣接するアドレス線間に
形成されたリブと、前記第１の基板上で各アドレス線を
覆い、隣接するリブ間に形成された蛍光体層と、前記第
２の基板上で前記第１の方向と交差する第２の方向に沿
って延在する複数組のX電極とY電極と、前記第２の基板
上で前記X電極とY電極とを覆い、第２の基板よりも高い
誘電率を有する高誘電体層と、前記各組内のX電極とY電
極の間で少なくとも前記高誘電体層を貫通して形成さ
れ、前記第２の方向に延在するトレンチとを有するプラ
ズマディスプレイパネルが提供される。

【００１３】各組内のX電極とY電極との間で少なくとも
高誘電体層が取り除かれるため、X電極とY電極間の付随
容量が小さくなる。従って、X電極ないしY電極を充電す
る電力が低減し、電力効率が高くなる。充電時間を一定
とすれば、充電電流を低くすることができる。充電電流
を一定とすれば、充電時間を短縮し、高速動作を可能と
できる。

【００１４】電荷蓄積面積を増大し多量の電荷を蓄積で
きるようにすれば、放電開始電圧を低下させることもで
きよう。

【００１５】X電極とY電極との間に放電空間を形成すれ
ば、面放電と同時に、対向放電を行わせることもでき
る。

【００１６】本発明の他の観点によれば、透明な第１の
基板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って延在す
る複数のアドレス線と、前記第１の基板上で隣接するア
ドレス線間に形成されたリブと、前記第１の基板上で各
アドレス線を覆い、隣接するリブ間に形成された蛍光体
層と、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延
在する複数の突起部を有する第２の基板と、前記第２の
基板上で前記突起部を挟んで、突起部に沿って形成され
た複数組のX電極とY電極と、前記X電極とY電極を覆い、
前記第２の基板の突起部両側の領域に形成された高誘電
体層とを有するプラズマディスプレイパネルが提供され
る。

【００１７】X電極とY電極間の誘電率を低下させること
により、X電極とY電極間の付随容量が小さくなる。従っ
て、X電極ないしY電極を充電する電力が低減し、電力効
率が高くなる。充電時間を一定とすれば、充電電流を低
くすることができる。充電電流を一体とすれば、充電時
間を短縮し、高速動作を可能とできる。

【００１８】なお、本発明の特徴は、以下の項で示す構
造にも見出されよう。

【００１９】（項１）対向して配置された第１および
第２の基板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って
延在する複数のアドレス線と、前記第１の基板上で隣接
するアドレス線間に形成されたリブと、前記第１の基板
上で各アドレス線を覆い、隣接するリブ間に形成された
蛍光体層と、前記第２の基板上で前記第１の方向と交差
する第２の方向に沿って延在する複数組のX電極とY電極
と、前記第２の基板上で前記X電極とY電極とを覆い、第
２の基板よりも高い誘電率を有する高誘電体層と、前記
各組内のX電極とY電極の間で少なくとも前記高誘電体層
を貫通して形成され、前記第２の方向に延在するトレン
チとを有するプラズマディスプレイパネル。

【００２０】（項２）前記トレンチが前記第２の基板
の表面から内部にも及んでいる項１記載のプラズマディ
スプレイパネル。

【００２１】（項３）さらに、前記高誘電体層とトレ
ンチの表面を覆う保護層を有する項１または２記載のプ
ラズマディスプレイパネル。

【００２２】（項４）さらに前記トレンチを埋め込
み、前記高誘電体層よりも低い誘電率を有する低誘電体
領域を有する項１または２記載のプラズマディスプレイ
パネル。

【００２３】（項５）さらに、各組内のY電極と隣接
する組のX電極の間で少なくとも前記高誘電体層を貫通
して形成され、前記第２の方向に沿って延在する補助ト
レンチを有する項１〜４のいずれかに記載のプラズマデ
ィスプレイパネル。

【００２４】（項６）対向して配置された第１および
第２の基板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って
延在する複数のアドレス線と、前記第１の基板上で隣接
するアドレス線間に形成されたリブと、前記第１の基板
上で各アドレス線を覆い、隣接するリブ間に形成された
蛍光体層と、前記第２の基板上で前記第１の方向と交差
する第２の方向に沿って延在する複数組のX電極とY電極
と、前記第２の基板内で少なくとも前記X電極とY電極と
の間の領域に形成され、前記第２の方向に沿って延在す
る空隙とを有するプラズマディスプレイパネル。

【００２５】（項７）さらに、前記孔部を埋め、前記
第２の基板より低い誘電率を有する埋込部を有する項６
記載のプラズマディスプレイパネル。

【００２６】（項８）透明な第１の基板と、前記第１
の基板上で第１の方向に沿って延在する複数のアドレス
線と、前記第１の基板上で隣接するアドレス線間に形成
されたリブと、前記第１の基板上で各アドレス線を覆
い、隣接するリブ間に形成された蛍光体層と、前記第１
の方向と交差する第２の方向に沿って延在する複数の突
起部を有する第２の基板と、前記第２の基板上で前記突
起部を挟んで、突起部に沿って形成された複数組のX電
極とY電極と、前記X電極とY電極を覆い、前記第２の基
板の突起部両側の領域に形成された高誘電体層とを有す
るプラズマディスプレイパネル。

【００２７】（項９）前記第２の基板が前記複数の突
起部の間かつX電極とY電極の間に形成され、第２の方向
に沿って延在する補助突起部を有する項８記載のプラズ
マディスプレイパネル。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。

【００２９】図４（A）、（B）は、プラズマディスプレ
イパネルの全体の回路構成および表示部の構造を示す。

【００３０】図４（A）に示すように、プラズマディス
プレイパネルの表示部PDPに対しアドレスドライバAD、Y
スキャンドライバYSD、X共通ドライバXCDが接続されて
いる。YスキャンドライバYSDは、Y共通ドライバYCDにも
接続されている。

【００３１】これら各周辺回路は、制御回路CTLからの
信号により制御される。制御回路CTLには、外部より垂
直同期信号、ドットクロック、表示データが供給され
る。制御回路CTLは、表示データ制御部DDC、パネル駆動
制御部PDCを含む。パネル駆動制御部PDCは、スキャンド
ライバ制御部SDC、共通ドライバ制御部CDCを含む。

【００３２】スキャンドライバ制御部SDCにより、１本
のY電極が選択され、アドレスドライバADから供給され
る信号により、選択されたY電極の点灯すべきアドレス
をアドレス線で選択し、放電を発生させて電荷を蓄積す
る。次のY電極を選択し、アドレス線による同様のアド
レス（電荷蓄積）を行う。このようにして全画面をスキ
ャンする。

【００３３】全画面の電荷蓄積終了後、X共通ドライバX
CD、Y共通ドライバYCDにより、X電極、Y電極に交互に極
性の反転する電圧を与えることにより、蓄積された電荷
を交互にX電極上、Y電極上に移動させる。このようにし
て、放電を維持する。この放電により、プラズマが発生
し、蛍光体より発光を行う。

【００３４】図４（B）は、表示部の構成を概略的に示
す。前面ガラス基板１と背面ガラス基板３が対向して配
置される。前面ガラス基板１の対向面上には、X電極、Y
電極を構成する１対の表示電極１２およびその上に形成
される１対のバス電極１４が形成され、全体として維持
電極１１を構成する。図示の維持電極が１組の維持電極
であり、前面ガラス基板１上には多数組の維持電極が並
列に形成される。

【００３５】多数組の維持電極１１は、基板１よりも誘
電率の高い高誘電体層１７に覆われる。高誘電体層１７
の表面は、さらにMｇO等で形成される保護層１９によっ
て覆われる。保護層１９は、プラズマにより高誘電体層
１７がスパッタされるのを防止する。

【００３６】背面ガラス基板３の上には、維持電極１１
と交差する方向に複数のアドレス電極２１が延在して配
置される。アドレス電極２１は、基板３よりも高い誘電
率を有する高誘電体層２２によって覆われる。誘電体層
２２の表面上に、アドレス電極間を分離するように突堤
状の隔壁２４が、例えばサンドブラストで形成される。
高誘電体層１７，２２および隔壁２４は、例えばＰｂＯ
_XとＳｉO₂とB₂O₃の混合物等により形成される。

【００３７】隔壁間の凹部に蛍光体２５が印刷技術等を
用いて配置される。蛍光体２５は、赤色発光を行う蛍光
体２５R、緑色発光を行う蛍光体２４G、青色発光を行う
蛍光体２５Bの組を繰り返し含む。

【００３８】表示電極１２は、例えばインジウム錫酸化
物（ＩＴＯ）等の透明電極材料により形成される。バス
電極１４およびアドレス電極２１は、高導電率の金属、
例えばCｒ、Al、W、Cu、Au、Pｔ等、又はこれらの金属
の積層、例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等により形成される。

【００３９】以下、前面ガラス基板上の維持電極周辺の
構造を主として説明する。

【００４０】図１は、維持電極のX電極とY電極との間に
トレンチを形成した実施例を示す。

【００４１】図１（A）に示すように、前面ガラス基板
１の表面上に透明電極１２とバス電極１４の組み合わせ
により、X電極１２ｘ、１４ｘおよびY電極１２ｙ、１４
ｙが形成され、維持電極１１を構成する。維持電極１１
の表面は基板１よりも高い誘電率を有する高誘電体層１
７で覆われる。ここで、高誘電体層１７の表面から、ガ
ラス基板１の所定深さまでトレンチ１８が形成される。
トレンチ１８は、維持電極１１の全長にわたって設けら
れる。

【００４２】トレンチ１８は好ましくはX電極１２ｘの
端からY電極１２ｙの端まで到達するように形成する。
またトレンチが基板内に入る所定深さは１００μｍ以上
あることが好ましい。但し、基板１の厚さの１／２以下
にすることが基板の強度維持のため好ましい。

【００４３】高誘電体層１７の表面およびトレンチ１８
の表面を覆うように、ＭｇＯ等により保護層１９が形成
される。

【００４４】このような構成とすると、X電極１２ｘ、
１４ｘとY電極１２ｙ、１４ｙとの間の容量は、トレン
チ１８の形成により両者間の媒体の実効誘電率が低下す
ることに伴い減少する。従って、X電極、Y電極の付随容
量が低下し、所定電圧まで充電する電荷量を減少させる
ことができる。このことは、プラズマディスプレイパネ
ルの駆動電力を低下できることを意味し、同一充電時間
であれば充電電流を減少でき、同一電流であれば充電時
間を減少できることを意味する。

【００４５】さらに、X電極、Y電極の間にトレンチに基
づく空間２０が形成され、この空間２０が放電空間を構
成する。すなわち、従来と同様面放電を行うと共にX電
極、Y電極間で対向放電を行うことが可能となる。従っ
て、より多量の電荷を蓄積することができ、維持放電を
容易にすることができよう。

【００４６】図１（A）においては、対応する維持電極
間にトレンチを形成し、維持電極の付随容量を減少させ
た。維持電極は、X電極とY電極とが組となり、複数組の
維持電極が並列に配列されている。異なる組間の維持電
極間にも付随容量が形成される。

【００４７】図１（B）は、異なる組の維持電極間にも
トレンチを形成した構成を示す。図中中央に示すX電極
１２ｘ、１４ｘとY電極１２ｙ、１４ｙとの間のトレン
チ１８および対向放電空間２０は、図１（A）に示すも
のと同様である。本構成においては、さらに隣接する組
のY電極１２ｙとX電極１２ｘ、１４ｘとの間にもトレン
チ２８が形成されている。トレンチの表面は保護層１９
で覆われ、凹部２９を形成している。

【００４８】凹部２３は、非放電空間であり、表示には
寄与しない。しかしながら、凹部２３の領域が基板１お
よび高誘電体層１７で形成されていた場合と比べ、空間
となることにより、誘電率が減少し、X電極１２ｘ、１
４ｘおよびY電極１２ｙ、１４ｙの付随容量は減少す
る。従って、図１（A）の場合と比べ、維持電極の付随
容量がさらに減少し、消費電力の低下、充電電流の減少
又は充電時間の減少を期待することができる。

【００４９】図２は、図１（A）に示す構成を製造する
ための方法の例を示す。

【００５０】図２（A）に示すように、前面ガラス基板
用のガラス基板１を準備する。

【００５１】図２（B）に示すように、ガラス基板１の
表面上に透明電極12ｘ、12ｙおよびその上のバス電極１
４ｘ、１４ｙを形成する。これらの電極の形成は、スパ
ッタリングとホトレジストを用いたパターニング工程に
よって形成することができる。

【００５２】図２（C）に示すように、維持電極１２，
１４を覆うように高誘電体層１７を形成する。高誘電体
層１７は、例えば鉛ガラスとＳｉＯ₂とB₂O₃の混合物に
よって形成することができる。

【００５３】図２（D）に示すように、高誘電体層２７
の表面上にレジストパターンPR1を形成し、X電極、Y電
極間の高誘電体層１７および基板１の表面層をエッチン
グする。このようにして、X電極、Y電極間のトレンチ１
８が形成される。その後レジストパターンPR1は除去す
る。

【００５４】図２（E）に示すように、高誘電体層１７
およびトレンチ１８の表面上に、ＭｇＯなどの保護層１
９を製膜する。保護層１９は、例えばスパッタリングに
より堆積される。

【００５５】図２（F）に示すように、基板の周辺部分
にシール２７を形成する。

【００５６】その後、前面基板１を背面ガラス基板３と
シール２７を介して張り合わせることにより、放電空間
を有するプラズマディスプレイ基板を形成することがで
きる。

【００５７】なお、背面ガラス基板は従来と同様の方法
により、形成することができる。図３（A）〜（E）は、
背面ガラス基板の製造方法の例を示す。

【００５８】図３（A）に示すように、背面ガラス基板
用のガラス基板３１を準備する。

【００５９】図３（B）に示すように、ガラス基板３１
の表面上に、複数のアドレス線２１を形成する。アドレ
ス線２１は、アドレス線用の金属層をスパッタリング等
により堆積し、レジストを用いたパターニング工程を行
うことにより形成することができる。アドレス線２１を
覆い、ガラス基板３１上に高誘電体層２２を形成する。

【００６０】図３（C）に示すように、高誘電体層２２
の上に隔壁２４を形成する。隔壁２４は、隣接するアド
レス線２１間に突堤状にアドレス線２１よりも高く形成
する。

【００６１】図３（D）に示すように、隔壁２４で挟ま
れた空間に蛍光体層２５を形成する。蛍光体層２５は、
例えば印刷により隔壁間の表面を凹ませるように形成さ
れる。例えば、隔壁に挟まれた空間の内１／３程度の体
積を占有するように蛍光体層２５が形成される。

【００６２】図３（E）に示すように、必要に応じ基板
周辺部にシール２７を形成する。なお、シール２７は、
少なくとも前面基板と背面基板の一方に形成すればよ
い。その後、前面基板と背面基板を組み合わせ、プラズ
マディスプレイパネルを作成する。

【００６３】維持電極であるX電極およびY電極の付随容
量を減少させる方法は、上述の構成例に限らない。

【００６４】図５（A）〜（D）は、X電極、Y電極の付随
容量を減少させ、かつ平坦な表面を得ることのできる構
成例を示す。

【００６５】図５（A）に示すように、ガラス基板１の
表面上には、X電極１２ｘ、１４ｘおよびY電極１２ｙ、
１４ｙが形成され、その上を高誘電体層１７で覆われ
る。X電極とY電極の間の領域に、高誘電体層１７と基板
１の表面層を貫通するトレンチ１８が形成される。ここ
までの構成は、図１（A）に示す構成と同様である。

【００６６】本構成においては、トレンチ１８が基板１
よりも低誘電率の低誘電率材料１６で埋め戻される。研
磨などを行うことにより、低誘電率材料領域１６と高誘
電体層１７の表面を面一とする。この共通表面上に、保
護層１９が形成される。低誘電率材料領域１６は、基板
１および高誘電体層１７と比べ、低い誘電率を有する材
料で形成されるのでX電極とY電極の付随容量を減少でき
る。

【００６７】図５（B）〜（D）は、図５（A）の構造を
作成するための方法の例を示す。

【００６８】図５（B）に示すように、基板１上に透明
電極層１２、バス電極層１４、高誘電体層１７を形成し
た後、高誘電体層１７表面上にレジストパターンPR1を
形成し、X電極、Y電極間の領域にトレンチ１８を形成す
る。ここまでの工程は、図２（A）〜（D）に示した工程
と同様である。その後レジストパターンPR１は除去す
る。

【００６９】図５（C）に示すように、トレンチ１８内
に低誘電率材料１６を充填する。低誘電率材料が樹脂、
スピンオンガラスなどの流体で構成される場合は、基板
表面上に流体を塗布し、表面上の余分の樹脂を除去すれ
ばよい。その他、低誘電率材料をスパッタリング等によ
り堆積し、表面を化学機械研磨などにより平坦化するこ
ともできる。

【００７０】図５（D）に示すように、高誘電体層１
７，低誘電率領域１８に平坦表面を形成した後、この平
坦表面上に保護層１９をスパッタリングなどにより堆積
する。このようにして、図５（A）に示す構成を得る。

【００７１】なお、X電極とY電極間にトレンチを形成
し、そのトレンチを低誘電率材料で埋め戻す場合を説明
したが、図１（B）に示すように、隣接する組間のX電極
とY電極の間にもトレンチ２２を形成し、このトレンチ
を低誘電率材料で埋め戻しても良い。

【００７２】図６は、図５（A）に示す構成を作成する
ための他の製造方法を示す。

【００７３】図６（A）に示すように、基板１上に透明
電極１２，バス電極１４を形成した後、X電極とY電極の
間に開孔を有するレジストパターンPR2を作成する。こ
のレジストパターンPR2をマスクとし、基板１をエッチ
ングすることにより、トレンチ１８ａを形成する。その
後レジストパターンPR2は除去する。

【００７４】図６（B）に示すように、基板１，透明電
極１２，バス電極１４を覆って高誘電率層１７ａを堆積
する。

【００７５】図６（C）に示すように、高誘電率層１７
ａの上にレジストパターンPR2と同様のパターンを有す
るレジストパターンPR3を作成する。このレジストパタ
ーンPR3をマスクとし、高誘電率層１７ａ、基板１をエ
ッチングする。なお、このエッチングはX電極とY電極の
間の高誘電率層１７ａを除去すれば足り、基板１はエッ
チングしなくとも良い。その後レジストパターンPR3は
除去する。

【００７６】図６（D）に示すように、トレンチ１８内
を低誘電率材料で埋め戻し、低誘電率領域１６を形成す
る。

【００７７】その後、図５（D）に示す工程と同様低誘
電率領域１６，高誘電率層１７表面上に保護層を形成す
る。このようにして、図５（A）に示す構成が得られ
る。

【００７８】なお、X電極、Y電極を作成した後基板１に
トレンチを形成する場合を説明したが、他の方法を採用
することもできる。

【００７９】図６（E）に示すように、基板１に先ずト
レンチ１８を形成し、その上部表面上にX電極、Y電極を
作成し、上述の製造工程と同様の工程を続けても良い。

【００８０】X電極とY電極の付随容量は、その下地基板
の実効誘電率を減少させることによっても減少させるこ
とができる。

【００８１】図７（D）は、X電極とY電極の付随容量を
減少させる他の構成例を示す。本構成においては、基板
１が単層ガラス基板ではなく、１対の薄いガラス基板１
ａ、１ｂとその間に挟まれた低誘電率層１ｃで形成され
る。低誘電率層１ｃは、例えば誘電率の低い樹脂で作成
することができる。また、低誘電率層１ｃを空間のまま
とすることもできる。

【００８２】図７（B）は、図７（A）の変形例を示す。
図において、ガラス基板１は、薄い下部ガラス基板１
ａ、上部ガラス基板１ｂをリブ１ｄが連続する構成を有
する。リブ1d間の領域は、空間又は低誘電率材料領域１
ｃで形成される。この構成とすることにより、基板１の
強度を高めることができる。

【００８３】図７（C）、（D）は、図７（A）、（B）に
示す基板１の製造方法の例を示す。

【００８４】図７（C）に示すように、ガラス基板１１
表面上にレジストパターンPR4を作成し、開口部をエッ
チングする。エッチングにより、ガラス基板１１の所定
表面領域が除去され、トレンチ１ｃ’が形成される。な
お、ガラス基板１１の残った底部領域がガラス基板１ａ
に相当し、トレンチ１ｃ’間の領域がリブ１ｄに相当す
る。エッチング後レジストパターンPR4は除去する。そ
の後、トレンチ１ｃ’に必要に応じ、図７（Ｄ）に示す
ように、低誘電率材料１ｃを充填し、他の薄いガラス基
板１ｂを上から張り合わせる。このようにして、図７
（A）または図７（B）に示す複合ガラス基板１を作成す
ることができる。

【００８５】図８（A）は、さらに他の構成例を示す。
本構成において、ガラス基板１はX電極、Y電極の間にス
トライプ状突起１３を有する。すなわち、X電極、Y電極
ガスがストライプ突起１３により分離されている構成と
なる。X電極、Y電極を覆って高誘電体層１７が形成され
る点は他の構成と同様である。高誘電体層１７とストラ
イプ状突起１３の表面上には、保護層１９が形成され
る。ストレイプ状突起１３は、ガラス基板１と同一材料
で形成され、高誘電体層１７よりも低い誘電率を有す
る。従って、この領域が高誘電体層で形成された場合と
比べ、X電極、Y電極の付随容量を減少させることができ
る。

【００８６】図８（B）〜（D）は、図８（A）の構成を
作成する製造方法の例を示す。

【００８７】図８（B）に示すように、ガラス基板１の
表面上にトレンチを形成し、トレンチ間にストライプ状
の突起領域１３を作成する。このようなエッチングは、
例えば図７（C）に示すような工程により行うことがで
きる。

【００８８】図８（C）に示すように、透明電極１２
ｘ、１２ｙを作成し、その上にバス電極１４ｘ、１４ｙ
を作成する。

【００８９】図８（D）に示すように、残ったトレンチ
内を高誘電体層１７で埋め戻す。その後、表面に保護層
１９を作成し、図８（A）に示す構成を得る。なお、隣
接する組のX電極とY電極の間にもストライプ状ガラス領
域１３を形成することが好ましい。X電極、Y電極の付随
容量は減少する。

【００９０】以上実施例に沿った本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えばアド
レス電極用基板にも図７、図８の構造を設け、アドレス
電極の付随容量を減少することもできる。また、トレン
チと突起とを組み合わせてもよい。その他種々の変更、
改良、組み合わせが可能なことは当業者には自明であろ
う。

【００９１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プラズマディスプレイパネルの電極の付随容量が減少
し、低消費電力化を図ることができる。

【００９２】充電電流を減少させたり、充電時間を短縮
化することも可能である。また、放電開始電圧を低下さ
せることも可能であろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるプラズマディスプレイパ
ネルの基板構造を示す断面図である。

【図２】図１に示す基板構造を作成するための製造方法
の例を示す断面図である。

【図３】図１に示す基板構造を作成するための製造方法
の例を示す断面図である。

【図４】プラズマディスプレイパネルの全体の回路構成
を示す等価回路図および全体の構造を概略的に示す斜視
図である。

【図５】本発明の他の実施例によるプラズマディスプレ
イパネルの構造およびその製造工程を示す概略断面図で
ある。

【図６】図５（A）に示す構造を作成するための他の製
造方法の例を示す概略断面図である。

【図７】本発明の他の実施例によるプラズマディスプレ
イパネルの基板構造およびその製造工程を示す概略断面
図である。

【図８】本発明の他の実施例によるプラズマディスプレ
イパネルの基板構造およびその製造工程を示す概略断面
図である。

【符号の説明】

１前面ガラス基板３背面ガラス基板１１維持電極１２透明電極１４バス電極１７高誘電体層１８トレンチ１９保護層２０放電空間２１アドレス電極２２高誘電体層２３非放電空間２４隔壁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者亀山茂樹神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者岸智勝神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者瀬戸口典明鹿児島県薩摩郡入来町副田5950番地株式会社九州富士通エレクトロニクス内Ｆターム(参考） 5C040 FA01 FA04 GA02 GB03 GB14 GD01 GD03 GD07 GD09 JA15 KB19 KB29 LA11 MA12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向して配置された第１および第２の基
板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って延在する複数の
アドレス線と、前記第２の基板上で前記第１の方向と交差する第２の方
向に沿って延在する複数のX電極とY電極と、前記第２の基板上で前記X電極とY電極とを覆い、第２の
基板よりも高い誘電率を有する高誘電体層と、前記各組内のX電極とY電極の間で少なくとも前記高誘電
体層を貫通して形成され、前記第２の方向に延在するト
レンチとを有するプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】さらに前記トレンチを埋め込み、前記高
誘電体層よりも低い誘電率を有する低誘電体領域を有す
る請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】対向して配置された第１および第２の基
板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って延在する複数の
アドレス線と、前記第２の基板上で前記第１の方向と交差する第２の方
向に沿って延在する複数のX電極とY電極と、前記第２の基板内で少なくとも前記X電極とY電極との間
の領域に形成され、前記第２の方向に沿って延在する空
隙とを有するプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】透明な第１の基板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って延在する複数の
アドレス線と、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延在する
複数の突起部を有する第２の基板と、前記第２の基板上で前記突起部を挟んで、突起部に沿っ
て形成された複数のX電極とY電極と、前記X電極とY電極を覆い、前記第２の基板の突起部両側
の領域に形成された高誘電体層とを有するプラズマディ
スプレイパネル。