JP2006012772A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

【課題】 一方の基板側にサステイン電極とアドレス電極が形成される面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルにおける問題点を解決する。
【解決手段】 前面ガラス基板１の背面側にサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）とこのサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する透明誘電体層２が形成され、この透明誘電体層２の背面側にこの透明誘電体層２の背面から突出するとともに列方向に延び行方向に並設された複数の第１嵩上げ誘電体層１１が形成され、この第１嵩上げ誘電体層１１上にサステイン電極Ｙとの間で放電を発生させるアドレス電極Ｄ１が形成される。
【選択図】 図４

Description

この発明は、面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルのパネル構造に関する。

面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）には、図１および２に示されるように、放電空間を介して互いに対向される一対のガラス基板のうちの一方のガラス基板に、サステイン電極対とアドレス電極の双方が形成された構成を備えているものがある。

この図１および２のＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、行方向（図１において左右方向）に延びるとともに列方向（図１において上下方向）に並設されたサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が形成されている。

このサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）を構成するサステイン電極ＸとＹは、それぞれ、行方向に帯状に延びるバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａに沿って等間隔に配列されて互いに放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成されている。

そして、前面ガラス基板１の背面側に第１誘電体層２が形成されていて、この第１誘電体層２によってサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆されている。

この第１誘電体層２の背面側には、サステイン電極Ｘ（Ｙ）の行方向に等間隔に並ぶ透明電極Ｘｂ（Ｙｂ）のそれぞれの中間位置に対向する位置において列方向に延びるとともに行方向に並設されたアドレス電極Ｄが形成されており、第１誘電体層２の背面側に形成された第２誘電体層３によって被覆されている。

この第２誘電体層３の背面には、アドレス電極Ｄに対向する位置において列方向に延びるとともに第２誘電体層３から背面側に突出する嵩上げ誘電体層４が形成されている。

そして、第２誘電体層３および嵩上げ誘電体層４の表面に、ＭｇＯ等の高γ誘電体によって形成された図示しない保護層が形成されている。

一方、前面ガラス基板１と放電空間を介して対向する背面ガラス基板５の表示側の面上には、白色誘電体層６が形成され、さらに、この白色誘電体層６上に、アドレス電極Ｄに対向する位置において列方向に延びる縦壁部７Ａと、隣接するサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置しているサステイン電極ＸとＹのバス電極ＸａとＹａに対向する位置において行方向に延びる横壁部７Ｂとを有する略格子形状の隔壁７が形成されている。

そして、この隔壁７によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板５の間の放電空間が、各サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対向して対になっている透明電極ＸｂとＹｂに対向する部分ごとに区画されて、放電セルＣが形成されている。

この隔壁７の間の背面ガラス基板５の表面と隔壁７の側面に、それぞれ赤，緑，青に色分けされた蛍光体層８が、行方向に順に並ぶように形成されている。

放電空間内には、キセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが封入されている（例えば特許文献１参照）。

上記ＰＤＰは、サステイン電極ＸとＹ間またはサステイン電極Ｙとアドレス電極Ｄ間においてリセット放電が行われた後、サステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂとアドレス電極Ｄ間において選択的にアドレス放電が行われて、このアドレス放電が行われた放電セルＣに対向する第１誘電体層２および第２誘電体層３に壁電荷が形成される。

この状態で各サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）のサステイン電極ＸとＹに交互にサステイン・パルスが印加されて、第１誘電体層２および第２誘電体層３に壁電荷が形成されている放電セルＣ（発光セル）内においてサステイン放電が発生される。

そして、このサステイン放電によって、発光セル内の放電ガス中のキセノンガスから真空紫外線が放射され、この真空紫外線によって、それぞれ赤，緑，青に色分けされている蛍光体層８が励起されて発光することにより、マトリクス表示による画像の形成が行われる。

上記のような構成のＰＤＰは、前面ガラス基板１にサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）とアドレス電極Ｄとを形成するので、前面ガラス基板と背面ガラス基板の一方の基板にサステイン電極対が形成され他方の基板にアドレス電極が形成されている形式のＰＤＰに比べて、製造工程において基板の位置合わせが容易である等の利点を有している。

しかしながら、上記のようにサステイン電極対とアドレス電極を同じガラス基板側に形成した場合には、サステイン電極対とアドレス電極を対向する二枚のガラス基板に別々に形成した場合と比べて、サステイン電極とアドレス電極間の放電が略面放電になって放電が発生し難くなり、その放電電圧が大きくなるとともにアドレス電圧マージンが狭くなり、さらに、サステイン電極とアドレス電極の距離が接近しているとともに両者の間に空間が存在していないことによって、両者の間に大きな静電容量が形成されて、消費電力が大きくなるという問題点を有している。

特開２００３−２５７３２１号公報

この発明は、上記のような一方の基板側にサステイン電極とアドレス電極が形成される面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルにおける問題点を解決するために為されたものである。

第１の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、前面基板と背面基板が放電空間を介して対向され、前面基板の背面側に行方向に延び列方向に並設された複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層が形成され、列方向に延び行方向に並設されて放電空間に形成される単位発光領域毎に行電極との間で放電を行う複数の列電極を備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層の背面側にこの誘電体層の背面から突出するとともに列方向に延び行方向に並設された複数の第１突出誘電体層が形成され、この第１突出誘電体層上にそれぞれ列電極が形成されていることを特徴としている。

第２の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、前面基板と背面基板が放電空間を介して対向され、前面基板の背面側に行方向に延び列方向に並設された複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層が形成され、列方向に延び行方向に並設されて放電空間に形成される単位発光領域毎に行電極との間で放電を行う複数の列電極を備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記背面基板上に、少なくとも列方向に延びて行方向において隣接する単位発光領域間を区画する隔壁を有し、この隔壁上に列電極が形成されていることを特徴としている。

この発明は、サステイン電極対の一方のサステイン電極との間で放電を発生させるアドレス電極が、前面ガラス基板の背面側に形成されてサステイン電極対を被覆する透明誘電体層の背面にこの透明誘電体層の背面から突出するように形成された第１嵩上げ誘電体層の頂面上に形成されるか、または、背面ガラス基板上に形成された隔壁の頂面上に形成されているプラズマディスプレイパネルを、その最良の実施形態としている。

上記実施形態のプラズマディスプレイパネルは、アドレス電極を前面ガラス基板側に設けるプラズマディスプレイパネルにおいて、このアドレス電極との間で放電を発生させるサステイン電極との間の間隔が従来のものよりも拡がるとともに、このアドレス電極とサステイン電極間に空間が介在されるので、この電極間に形成される静電容量が小さくなって消費電力が低減される。

さらに、アドレス電極がサステイン電極に対してパネルのほぼ厚み方向に位置されて、この両電極間において発生されるアドレス放電が略対向放電になるので、放電が発生し易くなってアドレス放電電圧が低下するとともに、アドレス電圧マージンが広くなる。

図３および４は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第１実施例を示しており、図３はこの第１実施例のＰＤＰを模式的に示す正面図であり、図４は図３のIV−IV線における断面図である。

この図３および４において、ＰＤＰ１０は、表示面である前面ガラス基板１の背面に、行方向（図３において左右方向）に延びるとともに列方向（図３において上下方向）に並設されたサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が形成されている。

このサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）を構成するサステイン電極ＸとＹは、それぞれ、行方向に帯状に延びるバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａに沿って等間隔に配列されてバス電極Ｘａ，Ｙａから対になっている他方のサステイン電極側に延びて互いに放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成されている。

そして、前面ガラス基板１の背面側に透明誘電体層２が形成されていて、この透明誘電体層２によってサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆されている。

以上の構成は、前述した図１および２の従来のＰＤＰの構成と同様であり、同一の構成部分については同一の符号が付されている。

透明誘電体層２の背面には、サステイン電極Ｘ（Ｙ）のバス電極Ｘａ（Ｙａ）に沿って等間隔の配列された透明電極Ｘｂ（Ｙｂ）の中間位置に対応する部分において列方向に延びるとともに透明誘電体層２から背面側に突出する第１嵩上げ誘電体層１１が、行方向に等間隔に並設された状態で形成されている。

そして、この第１嵩上げ誘電体層１１のそれぞれの背面ガラス基板５に平行に対向する頂面１１ａ上に、列方向に延びるアドレス電極Ｄ１が形成されている。

このアドレス電極Ｄ１の形成位置は、図４（ａ）に示されるように、第１嵩上げ誘電体層１１の頂面１１ａの中央位置、すなわち、行方向に並設されている透明電極Ｘｂ（Ｙｂ）間の中央位置に対向される位置でも良いが、後述するように対になる透明電極Ｙｂとの間で確実にアドレス放電を発生させ、隣接する他の透明電極Ｙｂとの間で誤放電が発生するのを防止するために、図４（ｂ）に示されるように、アドレス電極Ｄ１を、第１嵩上げ誘電体層１１の頂面１１ａ上の対になる透明電極Ｙｂ側（この例では、図３および４においてそれぞれ左側）にシフトした（偏った）位置に形成するのが好ましい。

第１嵩上げ誘電体層１１上には、さらに第２嵩上げ誘電体層１２が第１嵩上げ誘電体層１１と平行に形成されていて、この第２嵩上げ誘電体層１２によって、第１嵩上げ誘電体層１１の頂面１１ａ上に形成されたアドレス電極Ｄ１が被覆されている。

そして、透明誘電体層２および第１嵩上げ誘電体層１１，第２嵩上げ誘電体層１２の表面に、ＭｇＯ等の高γ誘電体によって形成された図示しない保護層が形成されて、これらの表面が被覆されている。

一方、前面ガラス基板１と放電空間を介して対向する背面ガラス基板５の表示側の面上には、白色誘電体層６が形成され、さらに、この白色誘電体層６上に、アドレス電極Ｄ１に対向する位置において列方向に延びる縦壁部７Ａと、隣接するサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置しているサステイン電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘａ，Ｙａ、および、この背中合わせのバス電極Ｘａ，Ｙａ間の領域部分に対向する位置において行方向に延びる横壁部７Ｂとによって略格子形状に成形された隔壁７が形成されている。

そして、この隔壁７の間の白色誘電体層６の表面と隔壁７の縦壁部７Ａおよび横壁部７Ｂの側面の五つの面に、それぞれ赤，緑，青に色分けされた蛍光体層８が、行方向に順に並ぶように形成されている。

以上の背面ガラス基板５側の構成については、前述した図１および２の従来のＰＤＰの構成と同様であり、同一の構成部分については同一の符号が付されている。

この隔壁７によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板５の間の放電空間が、各サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対向して対になっている透明電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分ごとに区画されて、放電セルＣ１が形成されている。

そして、前面ガラス基板１と背面ガラス基板５の間の放電空間内には、キセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが封入されている
上記ＰＤＰにおける画像形成は、以下のようにして行われる。

すなわち、先ず、全ての放電セルＣ１内においてサステイン電極ＸとＹ間またはサステイン電極Ｙとアドレス電極Ｄ１間で一斉にリセット放電が行われて、透明誘電体層２の放電セルＣ１に対向する全ての部分の壁電荷が消去（または、透明誘電体層２の放電セルＣ１に対向する全ての部分に壁電荷が形成）される。

次に、サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の一方のサステイン電極（この例においてはサステイン電極Ｙ）に走査パルスが順次印加されるとともに、アドレス電極Ｄ１に映像信号の表示データに対応したデータ・パルスが印加されて、このデータ・パルスが印加されたアドレス電極Ｄ１と、このアドレス電極Ｄ１と対になっているサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間で、放電セルＣ１内において選択的にアドレス放電が発生される。

このアドレス放電によって、アドレス放電が発生された放電セルＣ１に対向している部分の透明誘電体層２に壁電荷が形成（または、形成されていた壁電荷が消去）されて、対向する透明誘電体層２の部分に壁電荷が形成されている放電セル（発光セル）Ｃ１と、壁電荷が形成されていない放電セル（非発光セル）Ｃ１とがパネル面に分布される。

この後、サステイン電極ＸとＹにサステイン・パルスが印加され、これによって、透明誘電体層２に壁電荷が形成されている放電セル（発光セル）Ｃ１内において、サステイン電極Ｘ，Ｙの放電ギャップｇを介して互いに対向する透明電極ＸｂとＹｂの間で、サステイン放電が発生される。

そして、放電セル（発光セル）Ｃ１内において、サステイン放電によって放電ガス中のキセノンガスから真空紫外線が放射され、この真空紫外線によって、それぞれ赤，緑，青に色分けされている蛍光体層８が励起されて発光することにより、マトリクス表示による画像が形成される。

上記のＰＤＰ１０によれば、アドレス電極Ｄ１が透明誘電体層２の背面から背面ガラス基板５側に突出する第１嵩上げ誘電体層１１の頂面１１ａ上に形成されていることによって、アドレス放電を発生させるアドレス電極Ｄ１とサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂとの間の間隔が従来のものよりも拡がっているとともに、このアドレス電極Ｄ１とサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間に、図４から分かるように、空間が介在されるので、この電極間に形成される静電容量が小さくなって消費電力が低減される。

さらに、アドレス電極Ｄ１がサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂに対してパネルのほぼ厚み方向に位置されて、この両電極間において発生されるアドレス放電が略対向放電になるので、放電が発生し易くなってアドレス放電電圧が低下するとともに、アドレス電圧マージンが広くなる。

上記ＰＤＰ１０において、アドレス電極Ｄ１とサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間の静電容量が小さくなって消費電力が低減される理由は、以下の通りである。

すなわち、一般に、電極間に電位差が生じたときに電流が流れ、この電流の大きさは電極間の静電容量が大きいほど大きくなり、ＰＤＰにおいては、この静電容量によって生じる電流は無効電流となる。

従来のＰＤＰにおいては、図２において、アドレス電極Ｄとサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間の静電容量は、そのほとんどがアドレス電極Ｄと透明電極Ｙｂ間に介在される第１誘電体層２によって形成され、このアドレス電極Ｄと透明電極Ｙｂ間の距離が短いことによってその静電容量が大きくなる。

これに対して、ＰＤＰ１０では、アドレス電極Ｄ１とサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間の静電容量は、そのほとんどが、アドレス電極Ｄ１と透明電極Ｙｂ間に介在される透明誘電体層２および第１嵩上げ誘電体層１１によって形成され、このアドレス電極Ｄ１と透明電極Ｙｂ間の距離が従来のＰＤＰと比較して長くなっていることによって、その静電容量が小さくなる。

なお、以上のことから、アドレス電極Ｄ１とサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間において静電容量を形成する第１嵩上げ誘電体層１１を比誘電率が小さい誘電材料によって形成したり、または、第１嵩上げ誘電体層１１の厚さを大きくすることによって、アドレス電極Ｄ１と透明電極Ｙｂ間の静電容量をさらに低減させることができる。

また、第２嵩上げ誘電体層１２もアドレス電極Ｄ１と透明電極Ｙｂ間の静電容量の形成に関与するので、この第２嵩上げ誘電体層１２を比誘電率が小さい誘電材料によって形成することによっても、両電極間の静電容量の低減を図ることができる。

なお、透明誘電体層２もアドレス電極Ｄ１と透明電極Ｙｂ間の静電容量の形成に大きく関与しているが、この透明誘電体層２はパネルの表示面側に形成されるため、透明な誘電体材料によって形成される必要があり、このため、その比誘電率を小さくすることは困難である。

第１嵩上げ誘電体層１１については、透明誘電体層２のように透明な誘電体材料によって形成する必要が無いので、上記のようにその比誘電率を小さくすることによって静電容量の低減化を図ることが可能である。

例えば、比誘電率が１０前後である透明誘電体層２に対して、第１嵩上げ誘電体層１１の比誘電率を１〜１０前後の範囲内の値になるように設定するのが好ましい。

図５は、上記ＰＤＰ１０の製造工程のフロー図である。

次に、この図５に基づいてＰＤＰ１０の製造工程の説明を行う。

前面ガラス基板１の製造工程Ａにおいて、先ず、前面ガラス基板１の背面側にサステイン電極Ｘ，Ｙが形成される（工程ＡＳ１）。

この工程程ＡＳ１には、サステイン電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘａ，Ｙａの形成工程と透明電極Ｘｂ，Ｙｂの形成工程が含まれる。

この工程ＡＳ１によってサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が形成された後、さらに、前面ガラス基板１の背面側に透明誘電体層２が形成されて（工程ＡＳ２）、工程ＡＳ１よって形成されたサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆される。

この工程ＡＳ２の終了後、透明誘電体層２の背面側の所定位置に、誘電体ペーストのパターン印刷および焼成などの方法によって第１嵩上げ誘電体層１１が形成される（工程ＡＳ３）。

この工程ＡＳ３によって第１嵩上げ誘電体層１１が形成された後、この第１嵩上げ誘電体層１１の頂面１１ａ上に、アドレス電極Ｄ１が形成される（工程ＡＳ４）。

そして、この工程ＡＳ４によって第１嵩上げ誘電体層１１の頂面１１ａ上に、アドレス電極Ｄ１が形成された後、第１嵩上げ誘電体層１１に重ねて第２嵩上げ誘電体層１２が形成されて（工程ＡＳ５）、この第２嵩上げ誘電体層１２によってアドレス電極Ｄ１が被覆される。

この工程ＡＳ５の後、高γ誘電体材料によって透明誘電体層２および第１嵩上げ誘電体層１１，第２嵩上げ誘電体層１２の表面を被覆する保護層が形成される（工程ＡＳ６）。

一方、背面ガラス基板５の製造工程Ｂにおいて、先ず、背面ガラス基板５の表示面側に白色誘電体層６が形成され（工程ＢＳ１）、この工程ＢＳ１による白色誘電体層６の形成後、隔壁７の形成が行われる（工程ＢＳ２）。

そして、この工程ＢＳ２による隔壁７の形成後、この隔壁７による各区画部分の内側に、それぞれ、赤，緑，青の蛍光体層８が形成され（工程ＢＳ３）、さらに、背面ガラス基板５の表示面側の周縁部に封着層が形成される（工程ＢＳ４）。

以上のようにして、製造工程Ａにおいて各構造物が形成された前面ガラス基板１と、製造工程Ｂにおいて各構造物が形成された背面ガラス基板５は、放電空間を介して重ね合わされて互いの位置合わせが行われた後（工程ＣＳ１）、この前面ガラス基板１と背面ガラス基板５の間の放電空間の封着工程（工程ＣＳ２）および放電空間内からの排気・ベーキング工程（工程ＣＳ３），放電空間内への放電ガスの導入工程（工程ＣＳ４），この放電ガスの封止（チップオフ）工程（工程ＣＳ５）が順次行われて、ＰＤＰ１０が製造される。

図６および７は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第２実施例を示しており、図６はこの第２実施例のＰＤＰを模式的に示す正面図であり、図７は図６のV I I−V I I線における断面図である。

この図６および７において、ＰＤＰ２０は、表示面である前面ガラス基板１の背面に、行方向（図６において左右方向）に延びるとともに列方向（図６において上下方向）に並設されたサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が形成されている。

このサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）を構成するサステイン電極ＸとＹは、それぞれ、行方向に帯状に延びるバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａに沿って等間隔に配列されてバス電極Ｘａ，Ｙａから対になっている他方のサステイン電極側に延びて互いに放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成されている。

そして、前面ガラス基板１の背面側に透明誘電体層２が形成されていて、この透明誘電体層２によってサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆されている。

以上の構成は、前述した第１実施例のＰＤＰ１０の構成と同様であり、同一の構成部分については同一の符号が付されている。

透明誘電体層２の背面には、ＭｇＯ等の高γ誘電体によって形成された図示しない保護層が形成されて、この保護層によって透明誘電体層２の表面が被覆されている。

前面ガラス基板１と放電空間を介して対向する背面基板２５は、金属材料によって隔壁２７と一体成形されている。

すなわち、背面基板２５と隔壁２７は、背面基板２５を構成する金属板２５ａ上に隔壁２７を構成する後述するような形状の金属格子２７ａが一体的に成形され、この金属板２５ａと金属格子２７ａの表面がそれぞれ絶縁膜２５ｂおよび２７ｂによって被覆されている。

隔壁２７は、前面ガラス基板１側のサステイン電極Ｘ（Ｙ）のバス電極Ｘａ（Ｙａ）に沿って等間隔の配列された透明電極Ｘｂ（Ｙｂ）の中間位置に対向する位置において、列方向に延びる縦壁部２７Ａと、隣接するサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置しているサステイン電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘａ，Ｙａ、および、この背中合わせのバス電極Ｘａ，Ｙａの間の領域部分に対向する位置において行方向に延びる横壁部２７Ｂとによって、略格子形状に成形されている。

この隔壁２７の縦壁部２７Ａの前面ガラス基板１に対向する頂面２７Ａａ上に、列方向に延びるアドレス電極Ｄ２が形成されている。

このアドレス電極Ｄ２の形成位置は、図７（ａ）に示されるように、縦壁部２７Ａの頂面２７ａの中央位置、すなわち、行方向に並設されている透明電極Ｘｂ（Ｙｂ）間の中央位置に対向される位置でも良いが、後述するように対になる透明電極Ｙｂとの間で確実にアドレス放電を発生させ、隣接する他の透明電極Ｙｂとの間で誤放電が発生するのを防止するために、図７（ｂ）に示されるように、アドレス電極Ｄ２を、縦壁部２７Ａの頂面２７Ａａ上の対になる透明電極Ｙｂ側（この例では、図６および７において右側）にシフトした（偏った）位置に形成するのが好ましい。

縦壁部２７Ａの頂面２７Ａａ上には、誘電体材料によって誘電体被覆層２１が形成されていて、この誘電体被覆層２１によって、縦壁部２７Ａの頂面２７Ａａ上に形成されたアドレス電極Ｄ２が被覆されている。

隔壁２７間の背面ガラス基板２５の表面と隔壁２７の縦壁部２７Ａおよび横壁部２７Ｂの側面の五つの面に、それぞれ赤，緑，青に色分けされた蛍光体層２８が、行方向に順に並ぶように形成されている。

隔壁２７によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板２５の間の放電空間が、各サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対向して対になっている透明電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分ごとに区画されて、放電セルＣ２が形成されている。

そして、前面ガラス基板１と背面ガラス基板２５の間の放電空間内には、キセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが封入されている
上記ＰＤＰにおける画像形成は、以下のようにして行われる。

すなわち、先ず、全ての放電セルＣ２内においてサステイン電極ＸとＹ間またはサステイン電極Ｙとアドレス電極Ｄ２間で一斉にリセット放電が行われて、透明誘電体層２の放電セルＣ２に対向する全ての部分の壁電荷が消去（または、透明誘電体層２の放電セルＣ２に対向する全ての部分に壁電荷が形成）される。

次に、サステイン電極対（Ｘ，Ｙ）の一方のサステイン電極（この例においてはサステイン電極Ｙ）に走査パルスが順次印加されるとともに、アドレス電極Ｄ２に映像信号の表示データに対応したデータ・パルスが印加されて、このデータ・パルスが印加されたアドレス電極Ｄ２と、このアドレス電極Ｄ２と対になっているサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間で、放電セルＣ２内において選択的にアドレス放電が発生される。

このアドレス放電によって、アドレス放電が発生された放電セルＣ２に対向している部分の透明誘電体層２に壁電荷が形成（または、形成されていた壁電荷が消去）されて、対向する透明誘電体層２の部分に壁電荷が形成されている放電セル（発光セル）Ｃ２と、壁電荷が形成されていない放電セル（非発光セル）Ｃ２とがパネル面に分布される。

この後、サステイン電極ＸとＹにサステイン・パルスが印加され、これによって、透明誘電体層２に壁電荷が形成されている放電セル（発光セル）Ｃ２内において、サステイン電極Ｘ，Ｙの放電ギャップｇを介して互いに対向する透明電極ＸｂとＹｂの間で、サステイン放電が発生される。

そして、放電セル（発光セル）Ｃ２内において、サステイン放電によって放電ガス中のキセノンガスから真空紫外線が放射され、この真空紫外線によって、それぞれ赤，緑，青に色分けされている蛍光体層２８が励起されて発光することにより、マトリクス表示による画像が形成される。

上記のＰＤＰ２０によれば、アドレス電極Ｄ２が放電空間を放電セルＣ２毎に区画する隔壁２７の縦壁部２７Ａの頂面２７Ａａ上に形成されていることによって、アドレス放電を発生させるアドレス電極Ｄ２とサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂとの間の間隔が従来のものよりも拡がっているとともに、このアドレス電極Ｄ２とサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間に、図７から分かるように、空間が介在されるので、この電極間に形成される静電容量が小さくなって消費電力が低減される。

さらに、アドレス電極Ｄ２がサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂに対してパネルのほぼ厚み方向に位置されて、この両電極間において発生されるアドレス放電が略対向放電になるので、放電が発生し易くなってアドレス放電電圧が低下するとともに、アドレス電圧マージンが広くなる。

上記ＰＤＰ２０において、アドレス電極Ｄ２とサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間の静電容量が小さくなって消費電力が低減される理由は、以下の通りである。

すなわち、一般に、電極間に電位差が生じたときに電流が流れ、この電流の大きさは電極間の静電容量が大きいほど大きくなり、ＰＤＰにおいては、この静電容量によって生じる電流は無効電流となる。

従来のＰＤＰにおいては、図２において、アドレス電極Ｄとサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間の静電容量は、そのほとんどがアドレス電極Ｄと透明電極Ｙｂ間に介在される第１誘電体層２によって形成され、このアドレス電極Ｄと透明電極Ｙｂ間の距離が短いことによってその静電容量が大きくなる。

これに対して、ＰＤＰ２０では、アドレス電極Ｄ２とサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間の静電容量は、そのほとんどがアドレス電極Ｄ２と透明電極Ｙｂ間に介在される透明誘電体層２および誘電体被覆層２１によって形成され、このアドレス電極Ｄ２と透明電極Ｙｂ間の距離が従来のＰＤＰと比較して長くなっていることによって、その静電容量が小さくなる。

なお、以上のことから、アドレス電極Ｄ２とサステイン電極Ｙの透明電極Ｙｂ間において静電容量を形成する誘電体被覆層２１を比誘電率が小さい誘電材料によって形成したり、または、誘電体被覆層２１の厚さを大きくすることによって、アドレス電極Ｄ２と透明電極Ｙｂ間の静電容量をさらに低減させることができる。

また、隔壁２７を構成する金属格子２７ａを被覆している絶縁層２７ｂもアドレス電極Ｄ２と透明電極Ｙｂ間の静電容量の形成に関与するので、この絶縁膜２７ｂを比誘電率が小さい誘電材料によって形成したり、この絶縁層２７ｂの厚さを厚くすることによっても、両電極間の静電容量の低減を図ることができる。

なお、透明誘電体層２もアドレス電極Ｄ２と透明電極Ｙｂ間の静電容量の形成に大きく関与しているが、この透明誘電体層２はパネルの表示面側に形成されるため、透明な誘電体材料によって形成される必要があり、このため、その比誘電率を小さくすることは困難である。

誘電体被覆層２１については、透明誘電体層２のように透明な誘電体材料によって形成する必要が無いので、上記のようにその比誘電率を小さくすることによって静電容量の低減化を図ることが可能である。

例えば、比誘電率が１０前後である透明誘電体層２に対して、誘電体被覆層２１の比誘電率を１〜１０前後の範囲内の値になるように設定するのが好ましい。

なお、上記ＰＤＰ２０によれば、背面ガラス基板２５と隔壁２７が、金属製材料によってあらかじめ一体成形されていることによって、製造プロセスの簡略化を図ることができる。

図８は、上記ＰＤＰ２０の製造工程のフロー図である。

次に、この図５に基づいてＰＤＰ１０の製造工程の説明を行う。

前面ガラス基板１の製造工程Ｄにおいて、先ず、前面ガラス基板１の背面側にサステイン電極Ｘ，Ｙが形成される（工程ＤＳ１）。

この工程程ＤＳ１には、サステイン電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘａ，Ｙａの形成工程と透明電極Ｘｂ，Ｙｂの形成工程が含まれる。

この工程ＤＳ１によってサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が形成された後、さらに、前面ガラス基板１の背面側に透明誘電体層２が形成されて（工程ＤＳ２）、工程ＤＳ１よって形成されたサステイン電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆される。

この工程ＤＳ２の後、高γ誘電体材料によって透明誘電体層２の表面を被覆する保護層が形成される（工程ＤＳ３）。

一方、背面基板２５の製造工程Ｅにおいて、金属板２５ａと金属格子２７ａが一体成形された金属製基板が形成され（工程ＥＳ１）、この工程ＥＳ１による金属製基板の形成後、この金属製基板の表面に絶縁膜２５ｂおよび２７ｂの形成が行われる（工程ＥＳ２）。

この工程ＥＳ１およびＥＳ２によって背面基板２５および隔壁２７が一体成形された後、隔壁２７の縦壁部２７Ａの頂面２７Ａａ上に、アドレス電極Ｄ２が形成される（工程ＥＳ３）。

そして、この工程ＥＳ３によってアドレス電極Ｄ２が形成された後、隔壁２７の縦壁部２７Ａの頂面２７Ａａ上に誘電体被覆層２１が形成されて（工程ＥＳ４）、この誘電体被覆層２１によってアドレス電極Ｄ２が被覆される。

この後、隔壁２７による各区画部分の内側に、それぞれ、赤，緑，青の蛍光体層２８が形成され（工程ＥＳ５）、さらに、背面基板２５の表示面側の周縁部に封着層が形成される（工程ＥＳ６）。

以上のようにして、製造工程Ｄにおいて各構造物が形成された前面ガラス基板１と、製造工程Ｅにおいて各構造物が形成された背面基板２５は、放電空間を介して重ね合わされて互いの位置合わせが行われた後（工程ＦＳ１）、この前面ガラス基板１と背面基板２５の間の放電空間の封着工程（工程ＦＳ２）および放電空間内からの排気ベーキング工程（工程ＦＳ３），放電空間内への放電ガスの導入工程（工程ＦＳ４），この放電ガスの封止（チップオフ）工程（工程ＦＳ５）が順次行われて、ＰＤＰ２０が製造される。

図９は、上記第２実施例におけるＰＤＰ２０の変形例であって、上記ＰＤＰ２０の背面基板２５が隔壁２７と一体的に成形された金属製基板であったのに対し、この例におけるＰＤＰ３０は、背面ガラス基板３５が、第１実施例のＰＤＰ１０の場合と同様に、ガラス基板によって構成され、この背面ガラス基板３５の表示面側に白色誘電体層３６が形成されている。

そして、隔壁３７のみが、金属格子３７ａの表面が絶縁膜３７ｂによって被覆されることにより構成される金属製の隔壁になっている。

他の部分の構成は、上記ＰＤＰ２０と同様であり、同一の構成部分についてはＰＤＰ２０と同一の符号が付されている。

この例のＰＤＰ３０も、ＰＤＰ２０の場合と同様に、消費電力の低減化およびアドレス放電電圧の低減化を図ることができる。

図１０は、この発明の実施形態における第３実施例を示す断面図であり、この第３実施例におけるＰＤＰを、前述した第１実施例の図４と同じ位置（図３のIV−IV線位置）において断面して示している。

この図１０において、ＰＤＰ４０は、前述した第１実施例のＰＤＰと同様に、前面ガラス基板１の背面側に形成されたサステイン電極対（図には、透明電極Ｙｂのみが表示されている）を被覆する透明誘電体層２の背面に、サステイン電極のバス電極に沿って等間隔の配列された透明電極の中間位置に対向する位置において列方向に延びるとともに透明誘電体層２から背面側に突出する第１嵩上げ誘電体層３１が、それぞれ、行方向に等間隔に並設された状態で形成されている。

そして、この第１嵩上げ誘電体層３１の背面ガラス基板５に平行に対向する頂面３１ａ上に、アドレス電極Ｄ３が、それぞれ列方向に延びるように形成されており、このアドレス電極Ｄ３が、第１嵩上げ誘電体層３１上に形成された第２嵩上げ誘電体層３２によって被覆されている。

このＰＤＰ４０のアドレス電極Ｄ３は、その厚さ（前面ガラス基板１および背面ガラス基板５の厚さ方向と平行な方向における長さ）ａ１が、幅（前面ガラス基板１および背面ガラス基板５と平行な方向における長さ）ｂ１の１０分の１以上で、第２嵩上げ誘電体層３２の厚さ（前面ガラス基板１および背面ガラス基板５の厚さ方向と平行な方向における長さ）ｖ１よりも小さい値になるように設定されている。

例えば、５０インチ前後のＰＤＰにおいて、アドレス電極Ｄ３の幅ｂ１が５０μｍに設定され、第２嵩上げ誘電体層３２の厚さｖ１が１５μｍに設定された場合に、アドレス電極Ｄ３の厚さａ１は、５μｍ以上でかつ１５μｍ未満の値となるように設定される。

他の部分の構成は、第１実施例の場合と同様であり、図１０において、第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図３および４と同一の符号が付されている。

アドレス電極Ｄ３の寸法が上記のように設定されることによって、以下のような技術的効果が発揮される。

すなわち、図１０に示されるように、アドレス電極Ｄ３と透明電極Ｙｂとの間でアドレス放電ｄ１が行われる際、アドレス電極Ｄ３の有効電極面積（電極の放電に関与する部分の面積）は、アドレス電極Ｄ３の放電セルＣ１側に対向する側の側面Ｄ３ａの面積である。

このため、アドレス電極Ｄ３の有効電極面積が小さい場合には、アドレス放電が発生し難くなるが、上記ＰＤＰ４０は、アドレス電極Ｄ３の厚さａ１が、幅ｂ１に対して、１０分の１以上の値となるように設定されることによって、十分な有効電極面積を確保することが出来るので、アドレス放電が容易に発生されるようになり、第１実施例において述べた技術的効果に加えて、アドレス放電電圧をさらに低減することが出来るようになる。

上記において、アドレス電極Ｄ３の厚さａ１が第２嵩上げ誘電体層３２の厚さｖ１よりも小さい値になるように設定されるのは、アドレス電極Ｄ３が第２嵩上げ誘電体層３２によって完全に被覆されるようにするためである。

なお、上記においては、第１実施例のＰＤＰと同様の構成のＰＤＰにおいてアドレス電極の寸法を設定した場合について説明を行ったが、第２実施例のＰＤＰと同様の構成のＰＤＰにおいて、アドレス電極の寸法を上記と同様に設定するようにしてもよい。

すなわち、第２実施例と同様の構成のＰＤＰにおいて、放電セルを区画する隔壁の縦壁部の頂面上に形成されたアドレス電極の前面ガラス基板および背面ガラス基板の厚さ方向と平行な方向の厚さが、このアドレス電極の行方向と平行な方向の幅の１０分の１以上で、かつ、アドレス電極を被覆する誘電体被覆層の前面ガラス基板および背面ガラス基板の厚さ方向と平行な方向の厚さよりも小さい値に設定されることにより、同様に、アドレス放電が容易に発生されるようになって、アドレス放電電圧がさらに低減されるようになる。

図１１は、この発明の実施形態における第４実施例を示す断面図であり、この第４実施例におけるＰＤＰを、前述した第１実施例の図４と同じ位置（図３のIV−IV線位置）において断面して示している。

この図１１において、ＰＤＰ５０は、前述した第１実施例のＰＤＰと同様に、前面ガラス基板１の背面側に形成されたサステイン電極対（図には、透明電極Ｙｂのみが表示されている）を被覆する透明誘電体層２の背面に、サステイン電極のバス電極に沿って等間隔の配列された透明電極の中間位置に対向する位置において列方向に延びるとともに透明誘電体層２から背面側に突出する第１嵩上げ誘電体層４１が、それぞれ、行方向に等間隔に並設された状態で形成されている。

そして、この第１嵩上げ誘電体層４１の背面ガラス基板５に平行に対向する頂面４１ａ上に、アドレス電極Ｄ４が、それぞれ列方向に延びるように形成されており、このアドレス電極Ｄ４が、第１嵩上げ誘電体層４１上に形成された第２嵩上げ誘電体層４２によって被覆されている。

このＰＤＰ５０のアドレス電極Ｄ４は、その幅（前面ガラス基板１および背面ガラス基板５と平行な方向における長さ）ｂ２が、厚さ（前面ガラス基板１および背面ガラス基板５の厚さ方向と平行な方向における長さ）ａ２に対して、１０倍以上で、第２嵩上げ誘電体層４２の幅（前面ガラス基板１および背面ガラス基板５と平行な方向における長さ）ｗ１よりも小さい値になるように設定されている。

例えば、５０インチ前後のＰＤＰにおいて、アドレス電極Ｄ４の厚さａ２が５μｍに設定され、第２嵩上げ誘電体層４２の幅ｗ１が７０μｍに設定された場合に、アドレス電極Ｄ３の幅ｂ２は、５０μｍ以上でかつ７０μｍ未満の値となるように設定される。

他の部分の構成は、第１実施例の場合と同様であり、図１１において、第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図３および４と同一の符号が付されている。

アドレス電極Ｄ３の寸法が上記のように設定されることによって、以下のような技術的効果が発揮される。

すなわち、アドレス電極Ｄ４と透明電極Ｙｂとの間でアドレス放電ｄ２が行われる際、アドレス電極Ｄ４の有効電極面積（電極の放電に関与する部分の面積）は、アドレス電極Ｄ４の放電セルＣ１側に対向する側の側面Ｄ４ａの面積であり、アドレス電極Ｄ４の厚さａ２が小さく有効電極面積が小さい場合には、アドレス放電が発生し難くなるが、実際には、電界の回り込みによって、アドレス電極Ｄ４の側面Ｄ４ａに連続する頂面（背面ガラス基板５に平行に対向する側の面）Ｄ４ｂの一部もアドレス放電ｄ２に関与する。

このため、上記ＰＤＰ５０は、アドレス電極Ｄ４の幅ｂ２が、厚さａ２に対して、１０倍以上の寸法になるように設定されることによって、実質的にアドレス電極Ｄ４の有効電極面積が拡大され、これによって、アドレス放電が容易に発生されるようになり、第１実施例において述べた技術的効果に加えて、アドレス放電電圧をさらに低減することが出来るようになる。

上記において、アドレス電極Ｄ３の幅ｂ２が第２嵩上げ誘電体層４２の幅ｗ１よりも小さい値になるように設定されるのは、アドレス電極Ｄ４が第２嵩上げ誘電体層４２によって完全に被覆されるようにするためである。

なお、上記においては、第１実施例のＰＤＰと同様の構成のＰＤＰにおいてアドレス電極の寸法を設定した場合について説明を行ったが、第２実施例のＰＤＰと同様の構成のＰＤＰにおいて、アドレス電極の寸法を上記と同様に設定するようにしても良い。

すなわち、第２実施例と同様の構成のＰＤＰにおいて、放電セルを区画する隔壁の縦壁部の頂面上に形成されたアドレス電極の行方向と平行な方向の幅が、このアドレス電極の前面ガラス基板および背面ガラス基板の厚さ方向と平行な方向の厚さの１０倍以上で、かつ、アドレス電極を被覆する誘電体被覆層の行方向と平行な方向の幅よりも小さい値に設定されることにより、同様に、アドレス放電が容易に発生されるようになって、アドレス放電電圧がさらに低減されるようになる。

図１２は、この発明の実施形態における第５実施例を示す断面図であり、この第５実施例におけるＰＤＰを、前述した第１実施例の図４と同じ位置（図３のIV−IV線位置）において断面して示している。

この図１２において、ＰＤＰ６０は、前述した第１実施例のＰＤＰと同様に、前面ガラス基板１の背面側に形成されたサステイン電極対（図には、透明電極Ｙｂのみが表示されている）を被覆する透明誘電体層２の背面に、サステイン電極のバス電極に沿って等間隔の配列された透明電極の中間位置に対向する位置において列方向に延びるとともに透明誘電体層２から背面側に突出する第１嵩上げ誘電体層５１が、それぞれ、行方向に等間隔に並設された状態で形成されている。

そして、この第１嵩上げ誘電体層５１の背面ガラス基板５に平行に対向する頂面５１ａ上に、アドレス電極Ｄ５が、それぞれ列方向に延びるように形成されており、このアドレス電極Ｄ５が、第１嵩上げ誘電体層５１上に形成された第２嵩上げ誘電体層５２によって被覆されている。

このＰＤＰ６０の第２嵩上げ誘電体層５２は、その幅（前面ガラス基板１および背面ガラス基板５と平行な方向における長さ）ｗ２が、厚さ（前面ガラス基板１および背面ガラス基板５の厚さ方向と平行な方向における長さ）ｖ２に対して、４．５倍以上の値になるように設定されている。

例えば、５０インチ前後のＰＤＰにおいて、第２嵩上げ誘電体層５２の厚さｖ２が１５μｍに設定される場合、その幅ｗ２は、６７．５μｍ以上、好ましくは７０μｍ以上の値になるように設定される。

なお、この第２嵩上げ誘電体層５２の幅ｗ２の上限値は、第１嵩上げ誘電体層５１の幅と同じかこの第１嵩上げ誘電体層５１の幅よりも小さい値になるように設定される。

第２突出誘電体層５２の幅ｗ２が第１突出誘電体層５１の幅よりも大きいと、構造上、第２突出誘電体層５２が安定して形成できなくなるからである。

他の部分の構成は、第１実施例の場合と同様であり、図１１において、第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図３および４と同一の符号が付されている。

第２嵩上げ誘電体層５２の寸法が上記のように設定されることによって、以下のような技術的効果が発揮される。

すなわち、アドレス電極Ｄ５と透明電極Ｙｂとの間でアドレス放電ｄ３が行われる際、アドレス電極Ｄ５の有効電極面積（電極の放電に関与する部分の面積）は、アドレス電極Ｄ５の放電セルＣ１側に対向する側の側面Ｄ５ａの面積であり、アドレス電極Ｄ５の厚さが小さく有効電極面積が小さい場合には、アドレス放電が発生し難くなるが、第２嵩上げ誘電体層５２の幅が大きくなると、図１２に示されているように、アドレス放電ｄ３の放電経路が第２嵩上げ誘電体層５２の頂面（背面ガラス基板５に平行に対向する側の面）５２ａ側に回り込んで、アドレス電極Ｄ５の頂面Ｄ５ｂ側もアドレス放電ｄ３に関与するようになる。

上記ＰＤＰ６０は、第２嵩上げ誘電体層５２の幅ｗ２が、厚さｖ２に対して、４．５倍以上の値になるように設定されることによって、実質的にアドレス電極Ｄ５の有効電極面積が拡大され、これによって、アドレス放電が容易に発生されるようになり、第１実施例において述べた技術的効果に加えて、アドレス放電電圧をさらに低減することが出来るようになる。

なお、上記においては、第１実施例のＰＤＰと同様の構成のＰＤＰにおいてアドレス電極の寸法を設定した場合について説明を行ったが、第２実施例のＰＤＰと同様の構成のＰＤＰにおいて、アドレス電極の寸法を上記と同様に設定するようにしても良い。

すなわち、第２実施例と同様の構成のＰＤＰにおいて、放電セルを区画する隔壁の縦壁部の頂面上に形成されたアドレス電極を被覆する誘電体被覆層の行方向と平行な方向の幅が、この誘電体被覆層の前面ガラス基板および背面ガラス基板の厚さ方向と平行な方向の厚さの４．５倍以上の値に設定され、さらには、誘電体被覆層の行方向と平行な方向の幅が、隔壁の縦壁部の行方向と平行な方向の幅と同じかこの縦壁部の幅よりも小さい値に設定されることにより、同様に、アドレス放電が容易に発生されるようになって、アドレス放電電圧がさらに低減されるようになる。

図１３および１４は、この発明の実施形態における第６実施例を示しており、図１３はこの第６実施例のＰＤＰを模式的に示す正面図であり、図１４は図１３のXIV−XIV線における断面図である。

この図１３および１４において、サステイン電極対を構成するサステイン電極のうちアドレス放電を行うサステイン電極Ｙ１の透明電極Ｙ１ｂが、略Ｉ字形状を有していて、アドレス放電の相手となるアドレス電極Ｄ１側の側部Ｙ１ｂ１がアドレス電極Ｄ１と平行に直線状に延びるように形成されている。

他の部分の構成は、第１実施例の場合と同様であり、図１３および１４において、第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図３および４と同一の符号が付されている。

このＰＤＰ７０は、サステイン電極Ｙ１の透明電極Ｙ１ｂのアドレス放電を行うアドレス電極Ｄ１側の側部Ｙ１ｂ１が、アドレス電極Ｄ１と平行に直線状に延びていることによって、透明電極Ｙ１ｂのアドレス放電に寄与する面積が、第１実施例のような略Ｔ字形状の透明電極の場合と比べて増加するので、これによって、アドレス放電が容易に発生されるようになり、第１実施例において述べた技術的効果に加えて、アドレス放電電圧をさらに低減することが出来るようになる。

なお、アドレス放電を行うサステイン電極の透明電極の形状は、アドレス電極側の側部がアドレス電極と平行に直線状に延びていれば良いので、図１３の形状に限らず、例えば、図１５に示されるように、サステイン電極Ｙ２の透明電極Ｙ２ｂが略Ｌ字形状に成形されていて、アドレス放電を行うアドレス電極Ｄ１側の側部Ｙ２ｂ１が、アドレス電極Ｄ１と平行に直線状に延びているようにしても良い。

このサステイン電極Ｙ２の透明電極Ｙ２ｂが、図１５に示されるように略Ｌ字形状に成形されている（アドレス放電を行う相手のアドレス電極Ｄ１に対向する側と反対側の側部に凹部が形成されている）ことにより、透明電極Ｙ２ｂと、この透明電極Ｙ２ｂとの間でアドレス放電を行う相手のアドレス電極Ｄ１に対して反対側に位置するアドレス電極Ｄ１との間の距離が拡がって、これにより、アドレス放電を行う相手のアドレス電極Ｄ１に対して反対側に位置するアドレス電極Ｄ１との間で誤放電が発生するのが防止される。

なお、サステイン電極対を構成するもう一方のサステイン電極Ｘの形状は、図１３および１５に示されるように略Ｔ字形状、または、図１３に示されるサステイン電極Ｙ１の透明電極Ｙ１ｂと同様の略Ｉ字形状，図１５に示されるサステイン電極Ｙ２の透明電極Ｙ２ｂと同様の略Ｌ字形状等の種々の形状を採用することが出来る。

また、上記においては、第１実施例のＰＤＰと同様の構成のＰＤＰにおいてアドレス電極との間でアドレス放電を行うサステイン電極の形状を変更した場合について説明を行ったが、第２実施例のＰＤＰと同様の構成のＰＤＰにおいて、アドレス電極との間でアドレス放電を行うサステイン電極の形状を上記と同様に変更することにより、同様に、アドレス放電が容易に発生されるようになって、アドレス放電電圧がさらに低減されるようになる。

従来例を示す正面図である。 図１のII−II線における断面図である。 この発明の実施形態における第１実施例を模式的に示す正面図である。 図３のIV−IV線における断面図である。 同実施例によるプラズマディスプレイパネルの製造工程を示すフローチャートである。 この発明の実施形態における第２実施例を模式的に示す正面図である。 図６のVII−VII線における断面図である。 同実施例によるプラズマディスプレイパネルの製造工程を示すフローチャートである。 この発明の実施形態における第２実施例の変形例を示す断面図である。 この発明の実施形態における第３実施例を示す断面図である。 この発明の実施形態における第４実施例を示す断面図である。 この発明の実施形態における第５実施例を示す断面図である。 この発明の実施形態における第６実施例を模式的に示す正面図である。 図１４のXIV−XIV線における断面図である。 同実施例の変形例を示す正面図である。

符号の説明

１ …前面ガラス基板（前面基板）
２ …誘電体層（背面基板）
５，３５ …背面ガラス基板（背面基板）
１１，３１，４１，５１
…第１嵩上げ誘電体層（第１突出誘電体層）
１１ａ，３１ａ，４１ａ，５１ａ
…頂面（平行面）
１２，３２，４２，５２ …第２嵩上げ誘電体層（第１突出誘電体層）
２１ …誘電体被覆層
２５ …背面基板
２５ａ …金属板（基台）
２５ｂ …絶縁層
２７，３７ …隔壁
２７ａ，３７ａ …金属格子（基台）
２７ｂ，３７ｂ …絶縁層
２７Ａａ …頂面（平行面）
Ｘ，Ｙ，Ｙ１，Ｙ２ …サステイン電極（行電極）
Ｘａ，Ｙａ，Ｙ１ａ，Ｙ２ａ
…バス電極（電極本体部）
Ｘｂ，Ｙｂ，Ｙ１ｂ，Ｙ２ｂ
…透明電極（電極突出部）
Ｙ１ｂ１，Ｙ２ｂ１ …側部
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５
…アドレス電極（列電極）
Ｃ１，Ｃ２ …放電セル（単位発光領域）
ａ１，ａ２、ｖ１，ｖ２ …厚さ
ｂ１，ｂ２、ｗ１，ｗ２ …幅

Claims (27)

1. 前面基板と背面基板が放電空間を介して対向され、前面基板の背面側に行方向に延び列方向に並設された複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層が形成され、列方向に延び行方向に並設されて放電空間に形成される単位発光領域毎に行電極との間で放電を行う複数の列電極を備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記誘電体層の背面側にこの誘電体層の背面から突出するとともに列方向に延び行方向に並設された複数の第１突出誘電体層が形成され、
   この第１突出誘電体層上にそれぞれ列電極が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 前記第１突出誘電体層が、誘電体層の背面において行方向に隣接する単位発光領域の境界部分に対応する位置に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記第１突出誘電体層上にさらに第２突出誘電体層が形成され、この第２突出誘電体層によって、第１突出誘電体層上に形成された列電極が被覆されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 前記列電極が、第１突出誘電体層の背面基板に対向する面上に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記行電極対を構成する各行電極が、行方向に延びる電極本体部と、この電極本体部に沿って等間隔に並設されて対になっている他の行電極側に突出して放電ギャップを介して互いに対向される複数の電極突出部とを有し、各列電極が、それぞれ、行電極の電極本体部に沿って並設された隣接する電極突出部間の中間位置に対向する位置に位置されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記列電極が、それぞれ、行電極の電極本体部に沿って並設された隣接する電極突出部間において、列電極との間で放電を発生させる電極突出部側に偏った位置に位置されている請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 前記第１突出誘電体層の比誘電率が、行電極対を被覆している誘電体層の比誘電率よりも小さい請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
8. 前記第２突出誘電体層の比誘電率が、行電極対を被覆している誘電体層の比誘電率よりも小さい請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 前面基板と背面基板が放電空間を介して対向され、前面基板の背面側に行方向に延び列方向に並設された複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層が形成され、列方向に延び行方向に並設されて放電空間に形成される単位発光領域毎に行電極との間で放電を行う複数の列電極を備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記背面基板上に、少なくとも列方向に延びて行方向において隣接する単位発光領域間を区画する隔壁を有し、
   この隔壁上に列電極が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
10. 前記列電極が、隔壁の前面基板に対向する面上に形成されている請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
11. 前記行電極対を構成する各行電極が、行方向に延びる電極本体部と、この電極本体部に沿って等間隔に並設されて対になっている他の行電極側に突出して放電ギャップを介して互いに対向される複数の電極突出部とを有し、各列電極が、それぞれ、行電極の電極本体部に沿って並設された隣接する電極突出部間の中間位置に対向する位置に位置されている請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
12. 前記列電極が、それぞれ、行電極の電極本体部に沿って並設された隣接する電極突出部間において、列電極との間で放電を発生させる電極突出部側に偏った位置に位置されている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
13. 前記隔壁上に誘電体被覆層が形成され、この誘電体被覆層によって列電極が被覆されている請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
14. 前記誘電体被覆層の比誘電率が、行電極対を被覆している誘電体層の比誘電率よりも小さい請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
15. 前記隔壁が、金属製の基台とこの基台を被覆する絶縁層によって形成され、この絶縁層上に列電極が形成されている請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
16. 前記絶縁層の比誘電率が、行電極対を被覆している誘電体層の比誘電率よりも小さい請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
17. 前記背面基板が、金属製の基台とこの基台を被覆する絶縁層によって形成され、この背面基板の金属製の基台と隔壁の金属製の基台とが一体成形されている請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
18. 前記列電極の前面基板および背面基板の厚さ方向と平行な方向の厚さが、この列電極の行方向と平行な方向の幅の１０分の１以上で、かつ、第２突出誘電体層の前面基板および背面基板の厚さ方向と平行な方向の厚さよりも小さい値に設定されている請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
19. 前記列電極の前面基板および背面基板の厚さ方向と平行な方向の厚さが、この列電極の行方向と平行な方向の幅の１０分の１以上で、かつ、誘電体被覆層の前面基板および背面基板の厚さ方向と平行な方向の厚さよりも小さい値に設定されている請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
20. 前記列電極の行方向と平行な方向の幅が、この列電極の前面基板および背面基板の厚さ方向と平行な方向の厚さの１０倍以上で、かつ、第２突出誘電体層の行方向と平行な方向の幅よりも小さい値に設定されている請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
21. 前記列電極の行方向と平行な方向の幅が、この列電極の前面基板および背面基板の厚さ方向と平行な方向の厚さの１０倍以上で、かつ、誘電体被覆層の行方向と平行な方向の幅よりも小さい値に設定されている請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
22. 前記第２突出誘電体層の行方向と平行な方向の幅が、この第２突出誘電体層の前面基板および背面基板の厚さ方向と平行な方向の厚さの４．５倍以上の値に設定されている請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
23. 前記第２突出誘電体層の行方向と平行な方向の幅が、第１突出誘電体層の行方向と平行な方向の幅と同じか第１突出誘電体層の幅よりも小さい値に設定されている請求項２２に記載のプラズマディスプレイパネル。
24. 前記誘電体被覆層の行方向と平行な方向の幅が、この誘電体被覆層の前面基板および背面基板の厚さ方向と平行な方向の厚さの４．５倍以上の値に設定されている請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
25. 前記誘電体被覆層の行方向と平行な方向の幅が、隔壁の行方向において隣接する単位発光領域間を区画する部分の行方向と平行な方向の幅と同じかこの隔壁の幅よりも小さい値に設定されている請求項２４に記載のプラズマディスプレイパネル。
26. 前記列電極との間で放電を発生させる電極突出部の列電極に対向する側の側部のほぼ全域が、列電極と略平行に延びる直線状に形成されている請求項５または請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
27. 前記列電極との間で放電を発生させる電極突出部の列電極に対向する側と反対側の側部に凹部が形成されている請求項２６に記載のプラズマディスプレイパネル。

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