JP4554439B2 - プラズマディスプレィパネル - Google Patents

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルに関し、特に一方の基板上に共通電極であるX電極と走査電極であるY電極を有する三電極型プラズマディスプレイパネルに関する。

三電極型プラズマディスプレイパネルは、対向基板の一方の対向面上に複数のアドレス電極、対向基板の他方の対向面上にアドレス電極と交差する複数組の維持電極を有する。

各維持電極の組はX電極とY電極とを有する。維持電極の表面は高誘電体層で覆われる。対向基板間の空間には所定圧力のＮｅ＋Ｘｅ等の放電ガスが収容される。アドレス電極上には所定色の蛍光体が配置される。

選択したY電極とアドレス電極との間に画像信号に従ってしきい値以上の電圧を印可すると、交差部の放電ガスが放電を開始し、高誘電体層表面に電荷が蓄積される。次のY電極を選択し、画像信号に従ってアドレス電極に電圧を印加し、同様の電荷蓄積を行う。

１画面分の電荷蓄積を終了した後、X電極とY電極間に交互に極性が反転する電圧を印加する。Y電極上方に蓄積されていた電荷は、X電極上方に移動し、次にY電極上方に移動する。このようにしてX電極上方とY電極上方に交互に電荷が移動し、放電が維持される。放電に伴う紫外線発光等により対応する蛍光体が発色する。

放電時間の異なる発光を組み合わせることにより、多階調の表示を行うことができる。維持電極（X電極、Y電極）の各々を幅の広い透明電極と幅が狭く低抵抗のバス電極の積層構造とすることにより、透明電極を透過した発光を外部で観察することを可能とし、配線の抵抗を低減して高速動作を可能とする。
特開平５−１２９９１号公報 特開平１１−９６９１９号公報 特開平７−１１１１３５号公報

Y電極（およびX電極）上方に電荷を蓄積するためには、維持電極を誘電体層で覆うことが必要である。なるべく多量の電荷を蓄積するためには誘電体層の誘電率は高い程好ましい。アドレス電極とY電極との間に一定に電圧を印加した時、なるべく高い分割電圧を基板間の空間に印加するためにも誘電体層の誘電率は高い程好ましい。

各組内のX電極とY電極とは近接して配置される。X電極とY電極間の付随容量は高くなる。この付随容量を充電するために消費される電力は、発光に寄与しない無効電力となる。

本発明の目的は、電力効率の高いプラズマディスプレイパネルを提供することである。

本発明の他の目的は、充電電流の低いプラズマディスプレイパネルを提供することである。

本発明の他の目的は、高速動作の可能なプラズマディスプレイパネルを提供することである。

本発明の一観点によれば、対向して配置された第一および第２の基板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って延在する複数のアドレス線と、前記第１の基板上で隣接するアドレス線間に形成されたリブと、前記第１の基板上で各アドレス線を覆い、隣接するリブ間に形成された蛍光体層と、前記第２の基板上で前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延在する複数組のX電極とY電極と、前記第２の基板上で前記X電極とY電極とを覆い、第２の基板よりも高い誘電率を有する高誘電体層と、前記各組内のX電極とY電極の間で少なくとも前記高誘電体層を貫通して形成され、前記第２の方向に延在するトレンチとを有するプラズマディスプレイパネルが提供される。

各組内のX電極とY電極との間で少なくとも高誘電体層が取り除かれるため、X電極とY電極間の付随容量が小さくなる。従って、X電極ないしY電極を充電する電力が低減し、電力効率が高くなる。充電時間を一定とすれば、充電電流を低くすることができる。充電電流を一定とすれば、充電時間を短縮し、高速動作を可能とできる。

電荷蓄積面積を増大し多量の電荷を蓄積できるようにすれば、放電開始電圧を低下させることもできよう。

X電極とY電極との間に放電空間を形成すれば、面放電と同時に、対向放電を行わせることもできる。

本発明の他の観点によれば、透明な第１の基板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って延在する複数のアドレス線と、前記第１の基板上で隣接するアドレス線間に形成されたリブと、前記第１の基板上で各アドレス線を覆い、隣接するリブ間に形成された蛍光体層と、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延在する複数の突起部を有する第２の基板と、前記第２の基板上で前記突起部を挟んで、突起部に沿って形成された複数組のX電極とY電極と、前記X電極とY電極を覆い、前記第２の基板の突起部両側の領域に形成された高誘電体層とを有するプラズマディスプレイパネルが提供される。

X電極とY電極間の誘電率を低下させることにより、X電極とY電極間の付随容量が小さくなる。従って、X電極ないしY電極を充電する電力が低減し、電力効率が高くなる。充電時間を一定とすれば、充電電流を低くすることができる。充電電流を一体とすれば、充電時間を短縮し、高速動作を可能とできる。

なお、本発明の特徴は、以下の項で示す構造にも見出されよう。

（項１） 対向して配置された第１および第２の基板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って延在する複数のアドレス線と、前記第１の基板上で隣接するアドレス線間に形成されたリブと、前記第１の基板上で各アドレス線を覆い、隣接するリブ間に形成された蛍光体層と、前記第２の基板上で前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延在する複数組のX電極とY電極と、前記第２の基板上で前記X電極とY電極とを覆い、第２の基板よりも高い誘電率を有する高誘電体層と、前記各組内のX電極とY電極の間で少なくとも前記高誘電体層を貫通して形成され、前記第２の方向に延在するトレンチとを有するプラズマディスプレイパネル。

（項２） 前記トレンチが前記第２の基板の表面から内部にも及んでいる項１記載のプラズマディスプレイパネル。

（項３） さらに、前記高誘電体層とトレンチの表面を覆う保護層を有する項１または２記載のプラズマディスプレイパネル。

（項４） さらに前記トレンチを埋め込み、前記高誘電体層よりも低い誘電率を有する低誘電体領域を有する項１または２記載のプラズマディスプレイパネル。

（項５） さらに、各組内のY電極と隣接する組のX電極の間で少なくとも前記高誘電体層を貫通して形成され、前記第２の方向に沿って延在する補助トレンチを有する項１〜４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。

（項６） 対向して配置された第１および第２の基板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って延在する複数のアドレス線と、前記第１の基板上で隣接するアドレス線間に形成されたリブと、前記第１の基板上で各アドレス線を覆い、隣接するリブ間に形成された蛍光体層と、前記第２の基板上で前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延在する複数組のX電極とY電極と、前記第２の基板内で少なくとも前記X電極とY電極との間の領域に形成され、前記第２の方向に沿って延在する空隙とを有するプラズマディスプレイパネル。

（項７） さらに、前記孔部を埋め、前記第２の基板より低い誘電率を有する埋込部を有する項６記載のプラズマディスプレイパネル。

（項８） 透明な第１の基板と、前記第１の基板上で第１の方向に沿って延在する複数のアドレス線と、前記第１の基板上で隣接するアドレス線間に形成されたリブと、前記第１の基板上で各アドレス線を覆い、隣接するリブ間に形成された蛍光体層と、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延在する複数の突起部を有する第２の基板と、前記第２の基板上で前記突起部を挟んで、突起部に沿って形成された複数組のX電極とY電極と、前記X電極とY電極を覆い、前記第２の基板の突起部両側の領域に形成された高誘電体層とを有するプラズマディスプレイパネル。

（項９） 前記第２の基板が前記複数の突起部の間かつX電極とY電極の間に形成され、第２の方向に沿って延在する補助突起部を有する項８記載のプラズマディスプレイパネル。

本発明によれば、プラズマディスプレイパネルの電極の付随容量が減少し、低消費電力化を図ることができる。

充電電流を減少させたり、充電時間を短縮化することも可能である。また、放電開始電圧を低下させることも可能であろう。

以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。

図４（A）、（B）は、プラズマディスプレイパネルの全体の回路構成および表示部の構造を示す。

図４（A）に示すように、プラズマディスプレイパネルの表示部PDPに対しアドレスドライバAD、YスキャンドライバYSD、X共通ドライバXCDが接続されている。YスキャンドライバYSDは、Y共通ドライバYCDにも接続されている。

これら各周辺回路は、制御回路CTLからの信号により制御される。制御回路CTLには、外部より垂直同期信号、ドットクロック、表示データが供給される。制御回路CTLは、表示データ制御部DDC、パネル駆動制御部PDCを含む。パネル駆動制御部PDCは、スキャンドライバ制御部SDC、共通ドライバ制御部CDCを含む。

スキャンドライバ制御部SDCにより、１本のY電極が選択され、アドレスドライバADから供給される信号により、選択されたY電極の点灯すべきアドレスをアドレス線で選択し、放電を発生させて電荷を蓄積する。次のY電極を選択し、アドレス線による同様のアドレス（電荷蓄積）を行う。このようにして全画面をスキャンする。

全画面の電荷蓄積終了後、X共通ドライバXCD、Y共通ドライバYCDにより、X電極、Y電極に交互に極性の反転する電圧を与えることにより、蓄積された電荷を交互にX電極上、Y電極上に移動させる。このようにして、放電を維持する。この放電により、プラズマが発生し、蛍光体より発光を行う。

図４（B）は、表示部の構成を概略的に示す。前面ガラス基板１と背面ガラス基板３が対向して配置される。前面ガラス基板１の対向面上には、X電極、Y電極を構成する１対の表示電極１２およびその上に形成される１対のバス電極１４が形成され、全体として維持電極１１を構成する。図示の維持電極が１組の維持電極であり、前面ガラス基板１上には多数組の維持電極が並列に形成される。

多数組の維持電極１１は、基板１よりも誘電率の高い高誘電体層１７に覆われる。高誘電体層１７の表面は、さらにMｇO等で形成される保護層１９によって覆われる。保護層１９は、プラズマにより高誘電体層１７がスパッタされるのを防止する。

背面ガラス基板３の上には、維持電極１１と交差する方向に複数のアドレス電極２１が延在して配置される。アドレス電極２１は、基板３よりも高い誘電率を有する高誘電体層２２によって覆われる。誘電体層２２の表面上に、アドレス電極間を分離するように突堤状の隔壁２４が、例えばサンドブラストで形成される。高誘電体層１７，２２および隔壁２４は、例えばＰｂＯXとＳｉO2とB2O3の混合物等により形成される。

隔壁間の凹部に蛍光体２５が印刷技術等を用いて配置される。蛍光体２５は、赤色発光を行う蛍光体２５R、緑色発光を行う蛍光体２４G、青色発光を行う蛍光体２５Bの組を繰り返し含む。

表示電極１２は、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明電極材料により形成される。バス電極１４およびアドレス電極２１は、高導電率の金属、例えばCｒ、Al、W、Cu、Au、Pｔ等、又はこれらの金属の積層、例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等により形成される。

以下、前面ガラス基板上の維持電極周辺の構造を主として説明する。

図１は、維持電極のX電極とY電極との間にトレンチを形成した実施例を示す。

図１（A）に示すように、前面ガラス基板１の表面上に透明電極１２とバス電極１４の組み合わせにより、X電極１２ｘ、１４ｘおよびY電極１２ｙ、１４ｙが形成され、維持電極１１を構成する。維持電極１１の表面は基板１よりも高い誘電率を有する高誘電体層１７で覆われる。ここで、高誘電体層１７の表面から、ガラス基板１の所定深さまでトレンチ１８が形成される。トレンチ１８は、維持電極１１の全長にわたって設けられる。

トレンチ１８は好ましくはX電極１２ｘの端からY電極１２ｙの端まで到達するように形成する。またトレンチが基板内に入る所定深さは１００μｍ以上あることが好ましい。但し、基板１の厚さの１／２以下にすることが基板の強度維持のため好ましい。

高誘電体層１７の表面およびトレンチ１８の表面を覆うように、ＭｇＯ等により保護層１９が形成される。

このような構成とすると、X電極１２ｘ、１４ｘとY電極１２ｙ、１４ｙとの間の容量は、トレンチ１８の形成により両者間の媒体の実効誘電率が低下することに伴い減少する。従って、X電極、Y電極の付随容量が低下し、所定電圧まで充電する電荷量を減少させることができる。このことは、プラズマディスプレイパネルの駆動電力を低下できることを意味し、同一充電時間であれば充電電流を減少でき、同一電流であれば充電時間を減少できることを意味する。

さらに、X電極、Y電極の間にトレンチに基づく空間２０が形成され、この空間２０が放電空間を構成する。すなわち、従来と同様面放電を行うと共にX電極、Y電極間で対向放電を行うことが可能となる。従って、より多量の電荷を蓄積することができ、維持放電を容易にすることができよう。

図１（A）においては、対応する維持電極間にトレンチを形成し、維持電極の付随容量を減少させた。維持電極は、X電極とY電極とが組となり、複数組の維持電極が並列に配列されている。異なる組間の維持電極間にも付随容量が形成される。

図１（B）は、異なる組の維持電極間にもトレンチを形成した構成を示す。図中中央に示すX電極１２ｘ、１４ｘとY電極１２ｙ、１４ｙとの間のトレンチ１８および対向放電空間２０は、図１（A）に示すものと同様である。本構成においては、さらに隣接する組のY電極１２ｙとX電極１２ｘ、１４ｘとの間にもトレンチ２８が形成されている。トレンチの表面は保護層１９で覆われ、凹部２９を形成している。

凹部２９は、非放電空間であり、表示には寄与しない。しかしながら、凹部２９の領域が基板１および高誘電体層１７で形成されていた場合と比べ、空間となることにより、誘電率が減少し、X電極１２ｘ、１４ｘおよびY電極１２ｙ、１４ｙの付随容量は減少する。従って、図１（A）の場合と比べ、維持電極の付随容量がさらに減少し、消費電力の低下、充電電流の減少又は充電時間の減少を期待することができる。

図２は、図１（A）に示す構成を製造するための方法の例を示す。

図２（A）に示すように、前面ガラス基板用のガラス基板１を準備する。

図２（B）に示すように、ガラス基板１の表面上に透明電極12ｘ、12ｙおよびその上のバス電極１４ｘ、１４ｙを形成する。これらの電極の形成は、スパッタリングとホトレジストを用いたパターニング工程によって形成することができる。

図２（C）に示すように、維持電極１２，１４を覆うように高誘電体層１７を形成する。高誘電体層１７は、例えば鉛ガラスとＳｉＯ2とB2O3の混合物によって形成することができる。

図２（D）に示すように、高誘電体層２７の表面上にレジストパターンPR1を形成し、X電極、Y電極間の高誘電体層１７および基板１の表面層をエッチングする。このようにして、X電極、Y電極間のトレンチ１８が形成される。その後レジストパターンPR1は除去する。

図２（E）に示すように、高誘電体層１７およびトレンチ１８の表面上に、ＭｇＯなどの保護層１９を製膜する。保護層１９は、例えばスパッタリングにより堆積される。

図２（F）に示すように、基板の周辺部分にシール２７を形成する。

その後、前面基板１を背面ガラス基板３とシール２７を介して張り合わせることにより、放電空間を有するプラズマディスプレイ基板を形成することができる。

なお、背面ガラス基板は従来と同様の方法により、形成することができる。図３（A）〜（E）は、背面ガラス基板の製造方法の例を示す。

図３（A）に示すように、背面ガラス基板用のガラス基板３１を準備する。

図３（B）に示すように、ガラス基板３１の表面上に、複数のアドレス線２１を形成する。アドレス線２１は、アドレス線用の金属層をスパッタリング等により堆積し、レジストを用いたパターニング工程を行うことにより形成することができる。アドレス線２１を覆い、ガラス基板３１上に高誘電体層２２を形成する。

図３（C）に示すように、高誘電体層２２の上に隔壁２４を形成する。隔壁２４は、隣接するアドレス線２１間に突堤状にアドレス線２１よりも高く形成する。

図３（D）に示すように、隔壁２４で挟まれた空間に蛍光体層２５を形成する。蛍光体層２５は、例えば印刷により隔壁間の表面を凹ませるように形成される。例えば、隔壁に挟まれた空間の内１／３程度の体積を占有するように蛍光体層２５が形成される。

図３（E）に示すように、必要に応じ基板周辺部にシール２７を形成する。なお、シール２７は、少なくとも前面基板と背面基板の一方に形成すればよい。その後、前面基板と背面基板を組み合わせ、プラズマディスプレイパネルを作成する。

維持電極であるX電極およびY電極の付随容量を減少させる方法は、上述の構成例に限らない。

図５（A）〜（D）は、X電極、Y電極の付随容量を減少させ、かつ平坦な表面を得ることのできる構成例を示す。

図５（A）に示すように、ガラス基板１の表面上には、X電極１２ｘ、１４ｘおよびY電極１２ｙ、１４ｙが形成され、その上を高誘電体層１７で覆われる。X電極とY電極の間の領域に、高誘電体層１７と基板１の表面層を貫通するトレンチ１８が形成される。ここまでの構成は、図１（A）に示す構成と同様である。

本構成においては、トレンチ１８が基板１よりも低誘電率の低誘電率材料１６で埋め戻される。研磨などを行うことにより、低誘電率材料領域１６と高誘電体層１７の表面を面一とする。この共通表面上に、保護層１９が形成される。低誘電率材料領域１６は、基板１および高誘電体層１７と比べ、低い誘電率を有する材料で形成されるのでX電極とY電極の付随容量を減少できる。

図５（B）〜（D）は、図５（A）の構造を作成するための方法の例を示す。

図５（B）に示すように、基板１上に透明電極層１２、バス電極層１４、高誘電体層１７を形成した後、高誘電体層１７表面上にレジストパターンPR1を形成し、X電極、Y電極間の領域にトレンチ１８を形成する。ここまでの工程は、図２（A）〜（D）に示した工程と同様である。その後レジストパターンPR１は除去する。

図５（C）に示すように、トレンチ１８内に低誘電率材料１６を充填する。低誘電率材料が樹脂、スピンオンガラスなどの流体で構成される場合は、基板表面上に流体を塗布し、表面上の余分の樹脂を除去すればよい。その他、低誘電率材料をスパッタリング等により堆積し、表面を化学機械研磨などにより平坦化することもできる。

図５（D）に示すように、高誘電体層１７，低誘電率領域１８に平坦表面を形成した後、この平坦表面上に保護層１９をスパッタリングなどにより堆積する。このようにして、図５（A）に示す構成を得る。

なお、X電極とY電極間にトレンチを形成し、そのトレンチを低誘電率材料で埋め戻す場合を説明したが、図１（B）に示すように、隣接する組間のX電極とY電極の間にもトレンチ２２を形成し、このトレンチを低誘電率材料で埋め戻しても良い。

図６は、図５（A）に示す構成を作成するための他の製造方法を示す。

図６（A）に示すように、基板１上に透明電極１２，バス電極１４を形成した後、X電極とY電極の間に開孔を有するレジストパターンPR2を作成する。このレジストパターンPR2をマスクとし、基板１をエッチングすることにより、トレンチ１８ａを形成する。その後レジストパターンPR2は除去する。

図６（B）に示すように、基板１，透明電極１２，バス電極１４を覆って高誘電率層１７ａを堆積する。

図６（C）に示すように、高誘電率層１７ａの上にレジストパターンPR2と同様のパターンを有するレジストパターンPR3を作成する。このレジストパターンPR3をマスクとし、高誘電率層１７ａ、基板１をエッチングする。なお、このエッチングはX電極とY電極の間の高誘電率層１７ａを除去すれば足り、基板１はエッチングしなくとも良い。その後レジストパターンPR3は除去する。

図６（D）に示すように、トレンチ１８内を低誘電率材料で埋め戻し、低誘電率領域１６を形成する。

その後、図５（D）に示す工程と同様低誘電率領域１６，高誘電率層１７表面上に保護層を形成する。このようにして、図５（A）に示す構成が得られる。

なお、X電極、Y電極を作成した後基板１にトレンチを形成する場合を説明したが、他の方法を採用することもできる。

図６（E）に示すように、基板１に先ずトレンチ１８を形成し、その上部表面上にX電極、Y電極を作成し、上述の製造工程と同様の工程を続けても良い。

X電極とY電極の付随容量は、その下地基板の実効誘電率を減少させることによっても減少させることができる。

図７（D）は、X電極とY電極の付随容量を減少させる他の構成例を示す。本構成においては、基板１が単層ガラス基板ではなく、１対の薄いガラス基板１ａ、１ｂとその間に挟まれた低誘電率層１ｃで形成される。低誘電率層１ｃは、例えば誘電率の低い樹脂で作成することができる。また、低誘電率層１ｃを空間のままとすることもできる。

図７（B）は、図７（A）の変形例を示す。図において、ガラス基板１は、薄い下部ガラス基板１ａ、上部ガラス基板１ｂをリブ１ｄが連続する構成を有する。リブ1d間の領域は、空間又は低誘電率材料領域１ｃで形成される。この構成とすることにより、基板１の強度を高めることができる。

図７（C）、（D）は、図７（A）、（B）に示す基板１の製造方法の例を示す。

図７（C）に示すように、ガラス基板１１表面上にレジストパターンPR4を作成し、開口部をエッチングする。エッチングにより、ガラス基板１１の所定表面領域が除去され、トレンチ１ｃ’が形成される。なお、ガラス基板１１の残った底部領域がガラス基板１ａに相当し、トレンチ１ｃ’間の領域がリブ１ｄに相当する。エッチング後レジストパターンPR4は除去する。その後、トレンチ１ｃ’に必要に応じ、図７（Ｄ）に示すように、低誘電率材料１ｃを充填し、他の薄いガラス基板１ｂを上から張り合わせる。このようにして、図７（A）または図７（B）に示す複合ガラス基板１を作成することができる。

図８（A）は、さらに他の構成例を示す。本構成において、ガラス基板１はX電極、Y電極の間にストライプ状突起１３を有する。すなわち、X電極、Y電極がストライプ突起１３により分離されている構成となる。X電極、Y電極を覆って高誘電体層１７が形成される点は他の構成と同様である。高誘電体層１７とストライプ状突起１３の表面上には、保護層１９が形成される。ストレイプ状突起１３は、ガラス基板１と同一材料で形成され、高誘電体層１７よりも低い誘電率を有する。従って、この領域が高誘電体層で形成された場合と比べ、X電極、Y電極の付随容量を減少させることができる。

図８（B）〜（D）は、図８（A）の構成を作成する製造方法の例を示す。

図８（B）に示すように、ガラス基板１の表面上にトレンチを形成し、トレンチ間にストライプ状の突起領域１３を作成する。このようなエッチングは、例えば図７（C）に示すような工程により行うことができる。

図８（C）に示すように、透明電極１２ｘ、１２ｙを作成し、その上にバス電極１４ｘ、１４ｙを作成する。

図８（D）に示すように、残ったトレンチ内を高誘電体層１７で埋め戻す。その後、表面に保護層１９を作成し、図８（A）に示す構成を得る。なお、隣接する組のX電極とY電極の間にもストライプ状ガラス領域１３を形成することが好ましい。X電極、Y電極の付随容量は減少する。

以上実施例に沿った本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えばアドレス電極用基板にも図７、図８の構造を設け、アドレス電極の付随容量を減少することもできる。また、トレンチと突起とを組み合わせてもよい。その他種々の変更、改良、組み合わせが可能なことは当業者には自明であろう。

本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネルの基板構造を示す断面図である。 図１に示す基板構造を作成するための製造方法の例を示す断面図である。 図１に示す基板構造を作成するための製造方法の例を示す断面図である。 プラズマディスプレイパネルの全体の回路構成を示す等価回路図および全体の構造を概略的に示す斜視図である。 本発明の他の実施例によるプラズマディスプレイパネルの構造およびその製造工程を示す概略断面図である。 図５（A）に示す構造を作成するための他の製造方法の例を示す概略断面図である。 本発明の他の実施例によるプラズマディスプレイパネルの基板構造およびその製造工程を示す概略断面図である。 本発明の他の実施例によるプラズマディスプレイパネルの基板構造およびその製造工程を示す概略断面図である。

符号の説明

１ 前面ガラス基板
３ 背面ガラス基板
１１ 維持電極
１２ 透明電極
１４ バス電極
１７ 高誘電体層
１８ トレンチ
１９ 保護層
２０ 放電空間
２１ アドレス電極
２２ 高誘電体層
２９ 非放電空間
２４ 隔壁

Claims (1)

1. 対向して配置された第１および第２の基板と、
   前記第１の基板上で第１の方向に沿って延在する複数のアドレス線と、
   前記第２の基板上で前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って延在する複数組のＸ電極とＹ電極と、
   前記第２の基板上で前記Ｘ電極とＹ電極とを覆い、第２の基板よりも高い誘電率を有する高誘電体層と、
   前記Ｘ電極とＹ電極の間で、前記高誘電体層と前記第２の基板の一部とを貫通して形成され、前記第２の方向に延在するトレンチとを有し、
   前記トレンチは維持放電が行われる前記Ｘ電極とＹ電極間と、非維持放電側の前記Ｘ電極とＹ電極間の双方に、前記Ｘ電極の端から前記Ｙ電極の端まで達するように形成され、
   前記高誘電体層の表面と、前記Ｘ電極とＹ電極の両端部とを被う保護層を有するプラズマディスプレイパネル。

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