JP2006054073A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】気相堆積法によって形成され、かつ電極をその端子部を除いて被覆する誘電体層を有したプラズマディスプレイパネルの製造の量産性を高めることを目的とする。
【解決手段】一端に端子部をもつ電極が配列された基板に、前記電極を全長にわたって被覆する層を形成するように気相堆積法によって誘電体を付着させ、気相堆積法によって形成された層における前記電極の端子部を覆う部分を、当該部分に対する研磨速度が前記端子部に対する研磨速度よりも大きい研磨法またはドライエッチング法によって取り除く。
【選択図】図6
【解決手段】一端に端子部をもつ電極が配列された基板に、前記電極を全長にわたって被覆する層を形成するように気相堆積法によって誘電体を付着させ、気相堆積法によって形成された層における前記電極の端子部を覆う部分を、当該部分に対する研磨速度が前記端子部に対する研磨速度よりも大きい研磨法またはドライエッチング法によって取り除く。
【選択図】図6
Description
本発明はプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
AC型のプラズマディスプレイパネルは表示電極を被覆する誘電体層を有する。誘電体層は画面全体にわたる大面積の構成要素である。ガス放電によって誘電体層に帯電する壁電荷と呼称される電荷が、画面内のセルを選択的に発光させる駆動制御に利用される。
一般に、誘電体層は低融点ガラスからなり、ガラスフリット層を焼成する厚膜法によって形成される。焼成の段階において、表示電極の全体がガラスフリット層で覆われ、これによって表示電極の酸化が防止される。焼成が終わり、さらに当該誘電体層が形成された基板と他の基板との貼り合せが終わった後に、表示電極の端子部を駆動回路基板と接続するために、端子部を露出させるために誘電体層の端部が除去される。
低融点ガラスからなる誘電体層の部分的な除去に好適な手法はウエットエッチングである。一体化された基板対の周辺部分をエッチャント槽に浸漬することにより、効率的に表示電極の端子部を露出させることができる。低融点ガラスのエッチャントの代表例は硝酸である。
一方、近年において誘電体層の形成方法として気相堆積法(気相成長法ともいう)が注目されている。特開2000−21304号公報には、化学的気相堆積法の一種であるプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)によって二酸化珪素または有機酸化珪素からなる誘電体層を形成することが記載されている。気相堆積法によれば、薄くて厚さの均一な誘電体層を得ることができるとともに、電極間容量の低減に有利な比誘電率の小さい物質からなる誘電体層を厚膜法よりも低い温度で形成することができる。
特開2000−21304号公報
気相堆積法で誘電体層を形成する場合には、量産性を損なわずに電極の端子部を露出させるのが困難であった。
電極の端子部を露出させる手法として、電極が配列された基板に誘電体を堆積させるときに電極の端子部の上にマスクを配置してマスキングをする方法と、電極全体を被覆するように誘電体を堆積させた後に誘電体層を部分的に除去する方法とがある。
しかし、マスキングにおいては、基板上に形成される誘電体層とマスク上に堆積する誘電体とが繋がって一体になり易い。基板とマスクとが誘電体で繋がると、成膜後にマスクを基板から離そうとしたときに誘電体層の損傷が生じて歩留まりが低下する。加えて、マスキングは、サイズの異なる複数種のプラズマディスプレイパネルを製造する場合において、成膜装置の稼動率を低下させる。それは、マスクを交換する度に作業の安全のために十分な時間をかけて成膜装置の内部温度を下げなければならないからである。
また、誘電体層の部分的な除去の手法として、従来と同様にウエットエッチングを用いると、電極の端子部の消失が起こり易い。つまり、気相堆積法による誘電体層を溶解し且つ電極を溶解しない選択性をもち、しかも経済性および安全性に優れる適切なエッチャントがない。例えば、二酸化珪素を溶解するフッ酸には、電極の端子部の典型的な材料である銅およびクロムに対する選択性がない。したがって、二酸化珪素からなる誘電体層をフッ酸でエッチングする際には、電極の端子部の溶解を最小限にする極めて精密なエッチング制御を行わなければならない。
本発明は、気相堆積法によって形成され、かつ電極をその端子部を除いて被覆する誘電体層を有したプラズマディスプレイパネルの製造の量産性を高めることを目的とする。
本発明においては、一端に端子部をもつ電極が配列された基板に、前記電極を全長にわたって被覆する層を形成するように気相堆積法によって誘電体を付着させ、気相堆積法によって形成された層における前記電極の端子部を覆う部分を、当該部分に対する研磨速度が前記端子部に対する研磨速度よりも大きい研磨法またはドライエッチング法によって取り除く。化学的機械的研磨は好適な研磨法である。
機械的研磨法と化学的機械的研磨法の併用は研磨工程の時間短縮を可能にする。端子部と誘電体層とに対する選択性をもつ化学的機械的研磨法による研磨に先立って、化学的機械的研磨法よりも研磨速度の大きい機械的研磨によって誘電体層の研磨対象部分を薄くする。これにより、化学的機械的研磨法のみによる研磨と比べて、短い時間で端子部を露出させることができる。
請求項1ないし請求項6の発明によれば、気相堆積法によって形成されかつ電極をその端子部を除いて被覆する誘電体層を有したプラズマディスプレイパネルの製造の量産性を高めることができる。
図1はプラズマディスプレイパネルの概略構成を示し、図2は断面構造を示す。プラズマディスプレイパネル1は前面板10と背面板20とで構成され、縦横に並ぶ放電セルからなる画面60を有する。前面板10および背面板20はともに画面60よりも大きい厚さ3mm程度のガラス基板に電極とその他の構成要素とが固着した構造体である。前面板10および背面板20は重ね合わせるように対向配置され、互いに重なり合った領域の周辺部において平面視枠状の封着材35によって接合されている。前面板10と背面板20と封着材35とで密封された内部空間30に、ネオンとキセノンとを混合した放電ガスが充填されている。例えば、画面60のサイズが対角42インチである場合、プラズマディスプレイパネル1はおよそ994mm×585mmの大きさをもつ。内部空間30の厚さ(前後方向の寸法)は100μm〜200μmの範囲内の値である。
前面板10は背面板20に対して図1の左右に5mm程度張り出し、背面板20は前面板10に対して図1の上下に5mm程度張り出す。このように張り出した前面板10および背面板20のそれぞれの端部には、駆動ユニットとの導電接続のためのフレキシブル配線板が接合される。
図3は電極マトリクスの模式図である。電極マトリクスは、行電極である表示電極Xおよび表示電極Yと、列電極であるアドレス電極とで構成される。表示電極Xおよび表示電極Yは、XYXY…XYXの順に1本ずつ交互に並ぶように平行に配列され、隣り合う表示電極Xと表示電極Yの組が面放電形式の表示放電を生じさせるための電極対(陽極および陰極)を構成する。表示電極Xと表示電極Yの総数は画面60の行数に1を加えた数である。アドレス電極の数は列数と等しい。
図4はプラズマディスプレイパネルのセル構造の一例を示す。図4では内部構造を判り易くするために前面板10と背面板20とを分離させて描いてある。
前面板10は、ガラス基板11、表示電極X,Y、誘電体層17、および保護膜18から構成される。表示電極X,Yのそれぞれは、パターニングされた透明導電膜41および金属膜42の積層体である。誘電体層17および保護膜18は、表示電極X,Yを被覆して放電ガスと隔てる。
背面板20は、ガラス基板21、アドレス電極A、絶縁層24、複数の隔壁29、および蛍光体層28R,28G,28Bから構成される。例示の隔壁29の配置はストライプパターンである。図中の括弧内のアルファベットR,G,Bは蛍光体の発光色を示す。
次に、本発明に深く関係する表示電極X,Yについて、さらに詳しく説明する。
図5は表示電極のパターンを示す。表示電極Xおよび表示電極Yは、画面60からガラス基板11の周縁の近傍まで延長されており、駆動ユニットとの導電接続のための端子部Xt,Ytを有する。図5において、表示電極Xの端子部Xtはガラス基板11の左端側に配置され、表示電極Yの端子部Ytはガラス基板11の右端側に配置されている。端子部Xtの配列ピッチは画面60での表示電極Xの配列ピッチと異なるので、表示電極Xの左端の部分(端子部Xtを含む)は屈曲した帯状にパターニングされている。この屈曲した部分は透明導電膜41と金属膜42の積層体ではなく、金属膜42のみからなる。同様に、表示電極Yの右端の部分(端子部Ytを含む)は屈曲した帯状にパターニングされており、この屈曲した部分は金属膜42のみからなる。
以上の構成のプラズマディスプレイパネル1は、前面板10および背面板20を別個に作製し、その後に貼り合わす手順で製造される。前面板10の作製にはガラス基板11の2倍以上の面積をもつマザーガラスが用いられ、複数個の前面板10が一括に作製される。同様に複数個の背面板20が一括に作製される。貼り合わせに先立ってマザーガラスの分割が行われ、個別化された前面板10と個別化された背面板20との貼り合わせが行われる。
前面板10の製造において、誘電体層17は気相堆積法によって形成される。その際に端子部Xt,Ytに対するマスキングは行わない。気相堆積を終えた後に、端子部Xt,Ytを露出させるために以下の実施例のように堆積層を部分的に除去する。
図6はプラズマディスプレイパネルの製造工程の第1例を示し、図7は誘電体の研磨領域を示す。
前面板10の作製においては次の手順で上述の表示電極X,Yを形成する。〔1〕ガラス基板11の表面(厳密にはマザーガラスの表面)にネサまたはITOからなる厚さ5000Å程度の透明導電膜を成膜し、それをフォトリソグラフィによってパターニングする。〔2〕ガラス基板11に金属膜を成膜し、それをフォトリソグラフィによってパターニングする。典型的な金属膜は、クロム−銅−クロムの三層膜であり、その厚さは約3μmである。図6(A)は、表示電極X,Yが形成されたガラス基板11における表示電極Xの端子部Xtが配置された部分の断面構造を模式的に示している。
表示電極を形成した後、表示電極を全長にわたって被覆する層を形成するように気相堆積法によって誘電体をガラス基板11に付着させる。具体的には、気相堆積法の一種であるプラズマCVDによって二酸化珪素(SiO2)を堆積させて、厚さ10μm程度の層を形成する。堆積条件の一例は次のとおりである。
装置形式:平行平板型
ソースガス:テトラエトキシシラン〔TEOS:Si(C2H5O)4〕
反応ガス:酸素(O2)
導入ガス流量:TEOS/800SCCM,O2/2000SCCM
高周波出力:1.5kW
基板温度:350℃
真空度:1.0Toor
他の堆積条件の例は次のとおりである。
ソースガス:テトラエトキシシラン〔TEOS:Si(C2H5O)4〕
反応ガス:酸素(O2)
導入ガス流量:TEOS/800SCCM,O2/2000SCCM
高周波出力:1.5kW
基板温度:350℃
真空度:1.0Toor
他の堆積条件の例は次のとおりである。
装置形式:平行平板型
ソースガス:SiH4
反応ガス:N2O
導入ガス流量:SiH4/900SCCM,N2O/10000SCCM
高周波出力:2.0kW
基板温度:400℃
真空度:2.5Toor
装置形式:平行平板型
ソースガス:SiH4
反応ガス:CO2
導入ガス流量:SiH4/900SCCM,CO2/20000SCCM
高周波出力:2.0kW
基板温度:350℃
真空度:3.5Toor
図6(B)は、二酸化珪素からなる層17Aと、保護膜材料であるマグネシア(MgO)からなる膜18Aとが形成された状態を示している。気相堆積法による成膜の特徴として、層17Aの上面は堆積下地面の凹凸に応じた起伏をもつ。膜18Aの厚さは5000Å程度であって層17Aと比べて極めて薄いので、実質的に端子部Xt,Yt(図示はXtのみ)を覆う絶縁物は層17Aである。
ソースガス:SiH4
反応ガス:N2O
導入ガス流量:SiH4/900SCCM,N2O/10000SCCM
高周波出力:2.0kW
基板温度:400℃
真空度:2.5Toor
装置形式:平行平板型
ソースガス:SiH4
反応ガス:CO2
導入ガス流量:SiH4/900SCCM,CO2/20000SCCM
高周波出力:2.0kW
基板温度:350℃
真空度:3.5Toor
図6(B)は、二酸化珪素からなる層17Aと、保護膜材料であるマグネシア(MgO)からなる膜18Aとが形成された状態を示している。気相堆積法による成膜の特徴として、層17Aの上面は堆積下地面の凹凸に応じた起伏をもつ。膜18Aの厚さは5000Å程度であって層17Aと比べて極めて薄いので、実質的に端子部Xt,Yt(図示はXtのみ)を覆う絶縁物は層17Aである。
図6(C)は、気相堆積法によって形成された層17Aにおける不要部分、すなわち端子部Xtおよび図外の端子部Ytを覆う部分171の除去の様子を示す。本実施例において、部分171の除去は化学的機械的研磨(CMP: Chemical Mechanical Polishing)によって行われる。研磨の深さの基準は層17Aの上端位置である。図6(C)ではガラス基板11は単独であるが、実際にはマザーガラス内の2個のガラス基板11に対して一括に研磨を行う。その研磨の対象となる領域は、図7に示すようにマザーガラス110のうちの画面に対応した領域S60を挟む2つの領域S11,S12である。
化学的機械的研磨には研磨布を固定した運動体を回転させて研磨する装置を用いた。次の条件で研磨をしたところ、研磨速度は300nm/minであった。
研磨剤:セリア(CeO2:酸化セリウム)
運動体の回転数:50rpm
加工圧力400g/cm2
図6(D)は端子部Xtが露出するように加工された誘電体層17をもつ前面板10を示している。この前面板10を別途作製された背面板20とを重ね合わせて接合する工程を経て、プラズマディスプレイパネル1が完成する。
運動体の回転数:50rpm
加工圧力400g/cm2
図6(D)は端子部Xtが露出するように加工された誘電体層17をもつ前面板10を示している。この前面板10を別途作製された背面板20とを重ね合わせて接合する工程を経て、プラズマディスプレイパネル1が完成する。
図8はプラズマディスプレイパネルの製造工程の第2例を示す。
上述の実施例1と同様に、表示電極X,Yを形成し、さらに誘電体である二酸化珪素からなる層17Aおよび保護膜材料であるマグネシアからなる膜18Aを形成する〔図8(A),(B)〕。
本実施例2では、層17Aおよび膜18Aの部分的な除去に、機械的研磨と化学的機械研磨を併用する。すなわち、気相堆積法によって形成された層17Aにおける表示電極の端子部を覆う部分171を機械的研磨によって薄くし〔図8(C),(D)〕、その後に部分171における薄くなった残り171bを化学的機械的研磨によって取り除く〔図8(E),(F)〕。
機械的研磨には、運動体を回転させて研磨する固定砥粒方式の装置を用いた。回転数50rpm、加工圧力400g/cm2の条件で研磨をしたところ、研磨速度は1000nm/minであった。機械的研磨によって厚さ10μmの部分171を厚さ1μmになるまで研磨し、残りの1μmの研磨を実施例1と同じ条件の化学的機械的研磨によって行った。機械的研磨については時間管理によって終了時期を決定し、化学的機械的研磨については回転動力のトルク変化を監視する終点検出によって終了時期を決定した。
10μmの研磨に要した時間は約12分であった。化学的機械的研磨に先立って機械的研磨を行うことにより、化学的機械的研磨のみで研磨を行う場合と比べて処理時間を短縮することができた。
図9はプラズマディスプレイパネルの製造工程の第3例を示す。なお、図の参照にあたっては、図9(A),(B)と図9(C),(D)との間で断面の方向が90度異なることに注意を要する。図9(A),(B)は画面の垂直方向に沿った断面構造の模式図であり、図9(C),(D)は画面の水平方向に沿った断面構造の模式図である。
上述の実施例1と同様に、表示電極X,Yを形成し、さらに誘電体である二酸化珪素からなる層17Aおよび保護膜材料であるマグネシアからなる膜18Aを形成する〔図9(A),(B)〕。
本実施例3では、層17Aおよび膜18Aの部分的な除去を、背面板20と端子部Xt,Ytが露出していない状態の前面板10Aとを貼り合せた後に行う。貼り合せでは、背面側(図9では上側)のガラス基板21と前面側(図9では下側)のガラス基板11とを、ガラス基板21がガラス基板11の端子部Xt,Ytと重ならないように対向させる。そして、層17Aにおける端子部Xt,Ytを覆う部分171を、化学的機械的研磨によって、または機械的研磨および化学的機械的研磨によって取り除く〔図9(C),(D)〕。研磨条件は実施例1,2と同一とする。
部分171の除去によって前面板10が完成し、この後の放電ガスの充填を経てプラズマディスプレイパネル1が完成する。
図10はプラズマディスプレイパネルの製造工程の第4例を示す。ここでも図10(A),(B)と図10(C),(D)との間で断面の方向が90度異なることに注意を要する。
本実施例4も実施例3と同様に前面板10Aと背面板20とを貼り合せた後に表示電極の端子部Xt,Ytを露出させる例である。
上述の実施例1と同様に、表示電極X,Yを形成し〔図10(A)〕、二酸化珪素からなる層17Aおよびマグネシアからなる膜18Aを形成する〔図10(B)〕。そして、マザーガラスを分割して得た単独の前面板10Aを背面板20と貼り合わす。以上の工程は実施例3と同様である。
本実施例4では、端子部Xt,Ytを露出させる手段としてドライエッチングの一種であるプラズマエッチングを用いる。
以上の実施例1〜4において、誘電体の材質、成膜条件、および研磨条件を含む種々の要件の変更が可能である。例えば、有機酸化珪素からなる誘電体層を気相堆積法により形成してもよい。化学的機械的研磨の研磨剤として、セリアとシリカの混合物、またはシリカを分散させたアルカリ性溶液を用いることができる。機械的研磨の研磨剤には、酸化アルミナ、酸化クロム、および酸化ナトリウムがある。研磨の終点検出に、光学的に端子部の露出を検出する方法を用いてもよい。誘電体の厚さを実測する方法もある。
研磨の終了時期に関しては、必ずしも端子部Xt、Ytが露出した時点である必要はない。研磨の選択性が良好であって端子部Xt、Ytが重大な損傷を受けない場合には、ガラス基板11が露出するまで研磨を続けても導電接続に支障は生じない。つまり、誘電体の研磨速度が端子部の研磨速度よりも大きく且つその差が大きいほど、研磨の終点検出の要求精度が緩やかである。
回転式運動体に代えて摺動式運動体によって研磨をすることができる。複数の運動体を用いて複数箇所の研磨を同時に行うことによって、処理時間を短縮することができる。
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造に際して誘電体層の形成に気相堆積法を積極的に使用する新規の製造形態の確率に貢献する。
1 プラズマディスプレイパネル
Xt 端子部
Yt 端子部
X 表示電極
Y 表示電極
17 誘電体層
17A 気相堆積法によって形成された層
171 端子部を覆う部分
11 ガラス基板(第1基板)
21 ガラス基板(第2基板)
Xt 端子部
Yt 端子部
X 表示電極
Y 表示電極
17 誘電体層
17A 気相堆積法によって形成された層
171 端子部を覆う部分
11 ガラス基板(第1基板)
21 ガラス基板(第2基板)
Claims (6)
- 一端に端子部をもつ電極とそれを被覆する誘電体層とを有したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記電極が配列された基板に、前記電極を全長にわたって被覆する層を形成するように気相堆積法によって誘電体を付着させ、
気相堆積法によって形成された層における前記電極の端子部を覆う部分を、当該部分に対する研磨速度が前記端子部に対する研磨速度よりも大きい研磨法によって取り除く
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 一端に端子部をもつ電極とそれを被覆する誘電体層とを有したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記電極が配列された基板に、前記電極を全長にわたって被覆する層を形成するように気相堆積法によって誘電体を付着させ、
気相堆積法によって形成された層における前記電極の端子部を覆う部分を化学的機械的研磨によって取り除く
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 一端に端子部をもつ電極とそれを被覆する誘電体層とを有したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記電極が配列された第1基板に、前記電極を全長にわたって被覆する層を形成するように気相堆積法によって誘電体を付着させ、
第2基板を前記第1基板に前記電極の端子部と重ならないように対向させて接合し、その後に
気相堆積法によって形成された層における前記電極の端子部を覆う部分を化学的機械的研磨によって取り除く
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 一端に端子部をもつ電極とそれを被覆する誘電体層とを有したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記電極が配列された基板に、前記電極を全長にわたって被覆する層を形成するように気相堆積法によって誘電体を付着させ、
気相堆積法によって形成された層における前記電極の端子部を覆う部分を機械的研磨によって薄くした後、前記部分における薄くなった残りを化学的機械的研磨によって取り除く
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 一端に端子部をもつ電極とそれを被覆する誘電体層とを有したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記電極が配列された第1基板に、前記電極を全長にわたって被覆する層を形成するように気相堆積法によって誘電体を付着させ、
第2基板を前記第1基板に前記電極の端子部と重ならないように対向させて接合し、その後に
気相堆積法によって形成された層における前記電極の端子部を覆う部分を機械的研磨によって薄くし、さらに前記部分における薄くなった残りを化学的機械的研磨によって取り除く
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 一端に端子部をもつ電極とそれを被覆する誘電体層とを有したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記電極が配列された第1基板に、前記電極を全長にわたって被覆する層を形成するように気相堆積法によって誘電体を付着させ、
第2基板を前記第1基板に前記電極の端子部と重ならないように対向させて接合し、その後に
気相堆積法によって形成された層における前記電極の端子部を覆う部分をドライエッチングによって取り除く
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (6)
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Applications Claiming Priority (1)
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