JP3481142B2 - ガス放電表示デバイス - Google Patents
ガス放電表示デバイスInfo
- Publication number
- JP3481142B2 JP3481142B2 JP19127398A JP19127398A JP3481142B2 JP 3481142 B2 JP3481142 B2 JP 3481142B2 JP 19127398 A JP19127398 A JP 19127398A JP 19127398 A JP19127398 A JP 19127398A JP 3481142 B2 JP3481142 B2 JP 3481142B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- dielectric layer
- electrode
- pdp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
- H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/38—Dielectric or insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/44—Optical arrangements or shielding arrangements, e.g. filters, black matrices, light reflecting means or electromagnetic shielding means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J2211/38—Dielectric or insulating layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＤＰ、ＰＡＬＣ
などの放電のための電極群及びそれを覆う誘電体層を有
したガス放電表示デバイスの製造方法に関する。 【０００２】ＰＤＰは、カラー表示の実用化を機に大画
面のテレビジョン映像やコンピュータ出力の表示デバイ
スとして普及しつつある。市場ではより大画面でより高
品位のデバイスが求められている。 【０００３】 【従来の技術】カラー表示デバイスとして３電極面放電
構造のＡＣ型ＰＤＰが商品化されている。これは、マト
リクス表示の行（ライン）毎に点灯維持のための一対の
主電極（第１及び第２の電極）が配置され、列毎にアド
レス電極（第３の電極）が配置されたものである。ＡＣ
型であるので、表示に際しては主電極を覆う誘電体層の
メモリ機能が利用される。すなわち、線走査形式で表示
内容に応じた帯電状態を形成するアドレッシングを行
い、その後に全ての主電極対に対して一斉に交番極性の
点灯維持電圧Ｖｓを印加する。これにより、壁電荷の存
在するセルのみにおいて実効電圧（セル電圧ともいう）
Ｖｅｆｆが放電開始電圧Ｖｆを越えて基板面に沿った面
放電が生じる。点灯維持電圧Ｖｓの印加周期を短くすれ
ば、見かけの上で連続した点灯状態が得られる。 【０００４】面放電形式のＰＤＰでは、カラー表示のた
めの蛍光体層を主電極対を配置した基板と対向する他方
の基板上に設けることによって、放電時のイオン衝撃に
よる蛍光体層の劣化を軽減し、長寿命化を図ることがで
きる。蛍光体層を背面側の基板上に配置したものは“反
射型”と呼称され、逆に前面側の基板上に配置したもの
は“透過型”と呼称されている。発光効率に優れるの
は、蛍光体層における前面側表面が発光する反射型であ
る。 【０００５】従来において、ＡＣ駆動のための誘電体層
は、低融点ガラスペーストをベタ膜状に印刷して焼成す
る厚膜手法によって形成されていた。なお、主電極間の
静電容量を低減するため、低融点ガラスよりも比誘電率
の小さい材料からなる誘電体層の形成が検討されてお
り、その例として特開平９−３５６４１号公報にポリイ
ミドをスクリーン印刷し、又はスピナーで塗布する旨の
記載がある。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】従来の厚膜手法による
誘電体層では、焼成時に気泡が発生し、画面の全体にわ
たって膜質を均一にするのが難しいという問題があっ
た。気泡は主電極とアドレス電極との間の耐圧を低下さ
せる。加えて、気泡によって透明性が低下するので、誘
電体層が放電空間の前面側に位置する反射型のＰＤＰで
は、誘電体層によって輝度が損なわれていた。 【０００７】また、低融点ガラスの比誘電率が大きいこ
とから電極間の静電容量の充電に多くの電力を費やすと
いう問題、及び焼成時に基板に熱歪みが生じるという問
題もあった。電極間の静電容量については誘電体層を薄
くすることが考えられるが、薄くすると塗布むらが生じ
易くなり、放電特性のばらつきが顕著になるとともに電
極群の一部が露出するおそれが高まる。 【０００８】さらに、従来のＰＤＰの要部断面構造を模
式的に示す図８のように、スクリーン印刷やスピンコー
トによる誘電体層１７ｐの上面は、下地面の起伏に係わ
らずほぼ平坦になる。このため、対をなす主電極Ｘｐ，
Ｙｐのそれぞれが透明導電膜４１ｐとその一部に重なる
金属膜４２ｐとからなる反射型においては、誘電体層１
７ｐのうちの金属膜４２ｐを覆う部分が透明導電膜４１
ｐを覆う部分より薄くなるので、放電ギャップから遠い
にも係わらず金属膜４２ｐの上方で強い放電が起こる。
この放電は、それによる発光が金属膜４２ｐで遮光され
るので、表示に寄与しない無駄な電力消費となる。 【０００９】これらの問題を解決するため、薄膜手法に
よって誘電体層を形成する試みがなされたが、蒸着法及
び常圧ＣＶＤ法ではクラックを生じさせずに十分な厚さ
の成膜を行うことができなかった。 【００１０】本発明は、比誘電率の小さい均質な誘電体
層を有したガス放電表示デバイスの製造を可能にするこ
とを目的としている。 【００１１】 【課題を解決するための手段】本発明においては、誘電
体層の形成にプラズマ気相成長法（プラズマＣＶＤ法）
を用いる。成膜条件を適切に選定して膜の応力を制御す
ることにより、クラック耐性の高い所定厚さの層を得る
ことができる。焼成によらないので誘電体層を低融点ガ
ラス以外の物質からなる層とすることもでき、例えば二
酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒
化珪素（ＳｉＮ）などの珪素化合物、又は有機酸化珪素
（ＲＳｉＯ：Ｒはアルキル基、アリル基を示す）の層と
すれば、低融点ガラス層の場合よりも比誘電率は大幅に
小さくなる。 【００１２】また、プラズマＣＶＤ法によれば、下地面
に対して等方的に堆積が進行するので、電極の上面に段
差があっても電極の覆う誘電体層の厚さは均等になる。
したがって、電極が透明導電膜と金属膜との積層構造で
ある場合に、金属膜の上方での無用の放電を抑えること
ができる。 【００１３】 請求項１の発明のデバイスは、基板上に
透明導電膜に金属膜を重ねた複層構造の主電極が面放電
を生じさせるための電極対を構成するように配列され、
前記主電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層を
有したガス放電表示デバイスであって、前記誘電体層
が、プラズマ気相成長法によって形成され、その下地面
を等方的に覆い、かつ圧縮応力を有するものである。 【００１４】 【００１５】 【００１６】 【００１７】 【００１８】 【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕図１は本発明に
係るＰＤＰ１の電極配列を示す平面図である。 【００１９】例示のＰＤＰ１は、対をなす第１及び第２
の主電極Ｘ，Ｙが平行配置され、各セルＣにおいて主電
極Ｘ，Ｙと第３の電極としてのアドレス電極Ａとが交差
する３電極面放電構造のＡＣ型ＰＤＰである。主電極
Ｘ，Ｙはともに画面の行方向（水平方向）に延び、一方
の主電極Ｙはアドレッシングに際して行単位にセルＣを
選択するためのスキャン電極として用いられる。アドレ
ス電極Ａは列方向（垂直方向）に延びており、列単位に
セルＣを選択するためのデータ電極として用いられる。
基板面のうちの主電極群とアドレス電極群とが交差する
範囲が表示領域（画面）ＥＳとなる。 【００２０】 図２は本発明に係るＰＤＰの内部の基本
構造を示す分解斜視図である。ＰＤＰ１は反射型であっ
て、一対の基板構体１０，２０からなる。基板構体と
は、表示領域以上の大きさの板状の支持体と他の少なく
とも１種のデバイス構成要素とからなる構造体を意味す
る。すなわち、支持体としての基板に複数種のデバイス
構成要素を順に形成していく製造過程において、最初の
デバイス構成要素の形成を終えた後の各段階の基板を主
体とする仕掛品は基板構体である。ＰＤＰ１において、
主電極Ｘ，Ｙは前面側の基板構体１０の基材であるガラ
ス基板１１の内面に、行毎に一対ずつ配列されている。
行は水平方向のセル列である。主電極Ｘ，Ｙは、それぞ
れが透明導電膜４１と金属膜（バス導体）４２とからな
り、厚さ１０μｍ程度の誘電体層１７で被覆されてい
る。誘電体層１７の表面にはマグネシア（ＭｇＯ）から
なる厚さ数千オングストロームの保護膜１８が設けられ
ている。アドレス電極Ａは、背面側の基板構体２０の基
材であるガラス基板２１の内面に配列されており、誘電
体層２４によって被覆されている。誘電体層２４の上に
は、高さ１５０μｍの平面視直線帯状の隔壁２９が各ア
ドレス電極Ａの間に１つずつ設けられている。これらの
隔壁２９によって放電空間３０が行方向にサブピクセル
（単位発光領域）毎に区画され、且つ放電空間３０の間
隙寸法が規定されている。そして、アドレス電極Ａの上
方及び隔壁２９の側面を含めて背面側の内面を被覆する
ように、カラー表示のためのＲ，Ｇ，Ｂの３色の蛍光体
層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設けられている。放電空間
３０には主成分のネオンにキセノンを混合した放電ガス
が充填されており、蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは
放電時にキセノンが放つ紫外線によって局部的に励起さ
れて発光する。表示の１ピクセル（画素）は行方向に並
ぶ３個のサブピクセルで構成される。各サブピクセル内
の構造体がセル（表示素子）Ｃである。隔壁２９の配置
パターンがストライプパターンであることから、放電空
間３０のうちの各列に対応した部分は全ての行Ｌに跨が
って列方向に連続している。 【００２１】図３は第１実施形態に係るＰＤＰの要部断
面構造の模式図である。同図では誘電体層１７の形状の
理解を容易にするため、ＰＤＰ１の前面側を図の下側と
してある。また、保護膜の図示を省略してある。後述す
る他の実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造についても
図示の要領は同様である。 【００２２】図３のように、金属膜４２は、透明導電膜
４１における面放電ギャップと反対の側の端部に寄せて
配置されている。誘電体層１７は、このような主電極
Ｘ，Ｙを等方的に覆うように形成されており、圧縮応力
Ｆを有している。誘電体層１７の厚さが均等であるの
で、面放電ギャップから遠い金属膜４２の上方での不要
の放電は起こりにくい。したがって、駆動電圧の選定に
よって放電範囲を適正化するのが容易である。また、圧
縮応力Ｆによりクラックの発生が抑制されている。 【００２３】以上の構成のＰＤＰ１は、各ガラス基板１
１，２１について別個に所定の構成要素を設けて前面側
及び背面側の基板構体１０，２０を作製し、両基板構体
１０，２０を重ね合わせて対向間隙の周縁を封止し、内
部の排気及び放電ガスの充填を行う一連の工程によって
製造される。その際、基板構体１０の構成要素である誘
電体層１７は薄膜形成法の一種であるプラズマＣＶＤ法
によって形成される。 【００２４】図４は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の
概略図である。プラズマＣＶＤ装置１００は平行平板型
である。真空チャンバ内に主電極Ｘ，Ｙの配列を終えた
段階の基板構体１０’を配置し、プラズマを発生させて
下地面ｓに所定の物質を堆積させる。下地面ｓは主電極
Ｘ，Ｙ及びガラス基板１１の露出面である。例えば、ソ
ースガスとしてテトラエトキシシラン〔ＴＥＯＳ：Ｓｉ
（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 〕を導入するとともに反応ガスとして
と酸素（Ｏ2 ）とを導入し、ＳｉＯ2 からなる誘電体層
１７を形成する。 〔実施例１〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。 【００２５】 導入ガスと流量 ：ＴＥＯＳ／８００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｏ2 ／２０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：１．５ｋＷ 基板温度 ：３５０℃ 真空度 ：１．０Ｔｏｒｒ 得られたＳｉＯ2 膜は、シリコン基板では−０．７×１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 、ソーダライムガラス基板では−
１．９×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の圧縮応力を有してお
り、比誘電率は４．１であった。 【００２６】同一の条件で表１の材質のガラス基板及び
主電極からなる基板構体に厚さ１０μｍのＳｉＯ2 膜を
成膜した。 【００２７】 【表１】 【００２８】成膜により基板構体は成膜面を上側に向け
た状態で凸状に約５ｍｍ反った。ＳｉＯ2 膜の上に厚さ
０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって成膜し、それに
より得られた基板構体と別途に作製した背面側の基板構
体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効率の測
定結果は１．５ｌｍ／Ｗであった。 〔実施例２〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。 【００２９】 導入ガスと流量 ：ＳｉＨ4 ／９００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｎ2 Ｏ／４０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：１．０ｋＷ 基板温度 ：３４０℃ 真空度 ：１．２Ｔｏｒｒ 得られたＳｉＯ2 膜は、シリコン基板では＋１．０×１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の引張応力を有し、ソーダライムガ
ラス基板では−０．２×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2の圧縮応
力を有しており、比誘電率は４．１であった。 【００３０】同一の条件で実施例１と同じ表１の材質の
ガラス基板及び主電極からなる基板構体に、厚さ１０μ
ｍのＳｉＯ2 膜を成膜した。成膜により基板構体は成膜
面を上側に向けた状態で凸状に約１ｍｍ反った。ＳｉＯ
2 膜の上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって
成膜して得られた基板構体と、別途に作製した背面側の
基板構体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効
率の測定結果は１．５ｌｍ／Ｗであった。 〔実施例３〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、試料基板に次の条件で有機酸化珪素膜（ＣＨ3 Ｓ
ｉＯ）を成膜した。 【００３１】 導入ガスと流量 ：Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ／８００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｈ2 Ｏ／４０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：２．０ｋＷ 基板温度 ：４００℃ 真空度 ：１．０Ｔｏｒｒ 得られた有機酸化珪素膜の比誘電率は２．６であった。 【００３２】同一の条件で実施例１と同じ表１の材質の
ガラス基板及び主電極からなる基板構体に、厚さ１０μ
ｍのＣＨ3 ＳｉＯ膜を成膜した。このＣＨ3 ＳｉＯ膜の
上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって成膜し
て得られた基板構体と、別途に作製した背面側の基板構
体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効率の測
定結果は１．７ｌｍ／Ｗであった。 〔比較例１〕常圧ＣＶＤ装置１００を用い、シリコン基
板とソーダライムガラス基板とにそれぞれ次の条件でＳ
ｉＯ2 膜（熱ＣＶＤ膜）を成膜した。 【００３３】 導入ガスと流量 ：ＳｉＨ4 ／９００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｈ2 Ｏ／６０００ＳＣＣＭ 基板温度 ：４５０℃ 得られたＳｉＯ2 膜は、シリコン基板では＋４．０×１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 、ソーダライムガラス基板では＋
２．３×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の引張応力を有してい
た。 【００３４】同一の条件で実施例１と同じ表１の材質の
ガラス基板及び主電極とからなる基板構体に、厚さ１０
μｍのＳｉＯ2 膜を成膜した。膜面に多数のクラックが
発生し、ＰＤＰを組み立てることができなかった。 〔比較例２〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。 【００３５】 導入ガスと流量 ：ＳｉＨ４／９００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｎ２Ｏ／５０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：１．８ｋＷ 基板温度 ：３８０℃ 真空度 ：０．７Ｔｏｒｒ 得られたＳｉＯ２膜は、シリコン基板では−３．３×１
０９ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力を有し、ソーダライムガ
ラス基板では−４．６×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応
力を有していた。 【００３６】 同一の条件で実施例１と同じ表１の材質
のガラス基板及び主電極とからなる基板構体に、厚さ１
０μｍのＳｉＯ２膜を成膜した。成膜により基板構体は
成膜面を上側に向けた状態で凸状に約１２ｍｍ反った。
反りが過大であるため、背面側の基板構体と張り合わせ
ることができなかった。 〔比較例３〕 従来の厚膜手法により誘電体層を形成した。すなわち、
実施例１と同じ表１の材質のガラス基板及び主電極とか
らなる基板構体に、ＰｂＯ−ＢＯ−ＳｉＯ系フリットガ
ラスをロールコータで３０μｍの厚さに印刷し、コンベ
ア炉を用いて大気雰囲気で焼成した（５８０℃，６０ｍ
ｉｎ）。得られた低融点ガラス層は無数の泡を含んでお
り、比誘電率の測定値は１２．０であった。低融点ガラ
ス層の上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって
成膜し、得られた基板構体と別途に作製した背面側の基
板構体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効率
の測定結果は０．８ｌｍ／Ｗであった。 〔第２実施形態〕 図５は第２実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造の模式
図である。 【００３７】ＰＤＰ２では、前面側のガラス基板１１ｂ
の上に透明導電膜４１ｂと金属膜４２ｂとを順に設けて
主電極Ｘｂ，Ｙｂを形成した後、薄膜手法で誘電体層１
７ｂを成膜する以前に、金属膜４２ｂの上に絶縁体層５
０が設けられている。これにより、主電極Ｘｂ，Ｙｂの
うちの金属膜４２ｂの重なる部分を被覆する層が他の部
分より厚くなるので、金属膜４２ｂの上方での不要の放
電が抑えられて発光効率が高まる。 〔第３実施形態〕図６は第３実施形態に係るＰＤＰの要
部断面構造の模式図である。図７は第３実施形態に係る
ＰＤＰの表示領域の平面図である。 【００３８】 ＰＤＰ３においては、前面側のガラス基
板１１ｃの上に透明導電膜４１ｃと金属膜４２ｃとを順
に設けて主電極Ｘｃ，Ｙｃを形成した後、薄膜手法で誘
電体層１７ｃを成膜する以前に、金属膜４２ｃと逆スリ
ットＳ２とを覆うように暗色の絶縁体層５５が設けられ
ている。逆スリットＳ２は隣接する行どうしの電極配列
間隙であり、面放電ギャップである行内の電極配列間隙
（スリット）Ｓ１より幅広である。絶縁体層５５によ
り、図７のように表示領域ＥＳｃの全体ではストライプ
状の遮光パターンが形成され、行間において蛍光体層が
隠れて表示のコントラストが高まる。加えて、主電極Ｘ
ｃ，Ｙｃのうちの金属膜４２ｃの重なる部分を被覆する
層が他の部分より厚くなるので、金属膜４２ｃの上方で
の不要の放電が抑えられて発光効率が高まる。 【００３９】以上の実施形態によれば、焼成に比べて低
い温度で誘電体層１７，１７ｂ，１７ｃを設けることが
でき、基板の熱歪みを低減することができる。また、誘
電体層１７，１７ｂ，１７ｃの比誘電率が従来の低融点
ガラス層より低いので電極間容量が低減されて消費電力
が少なくなる。さらに、誘電体層１７，１７ｂ，１７ｃ
が鉛、亜鉛などの金属を含まないので、製造の作業安全
性が高まり、リサイクル性に優れたＰＤＰ１，２，３が
得られる。 【００４０】 【００４１】【発明の効果】 請求項１の発明によれば、面放電を生じ
させるための電極対における金属膜の上方での不要の放
電が起こりにくく、誘電体層のクラックが発生しにくい
ガス放電表示デバイスとなる。
などの放電のための電極群及びそれを覆う誘電体層を有
したガス放電表示デバイスの製造方法に関する。 【０００２】ＰＤＰは、カラー表示の実用化を機に大画
面のテレビジョン映像やコンピュータ出力の表示デバイ
スとして普及しつつある。市場ではより大画面でより高
品位のデバイスが求められている。 【０００３】 【従来の技術】カラー表示デバイスとして３電極面放電
構造のＡＣ型ＰＤＰが商品化されている。これは、マト
リクス表示の行（ライン）毎に点灯維持のための一対の
主電極（第１及び第２の電極）が配置され、列毎にアド
レス電極（第３の電極）が配置されたものである。ＡＣ
型であるので、表示に際しては主電極を覆う誘電体層の
メモリ機能が利用される。すなわち、線走査形式で表示
内容に応じた帯電状態を形成するアドレッシングを行
い、その後に全ての主電極対に対して一斉に交番極性の
点灯維持電圧Ｖｓを印加する。これにより、壁電荷の存
在するセルのみにおいて実効電圧（セル電圧ともいう）
Ｖｅｆｆが放電開始電圧Ｖｆを越えて基板面に沿った面
放電が生じる。点灯維持電圧Ｖｓの印加周期を短くすれ
ば、見かけの上で連続した点灯状態が得られる。 【０００４】面放電形式のＰＤＰでは、カラー表示のた
めの蛍光体層を主電極対を配置した基板と対向する他方
の基板上に設けることによって、放電時のイオン衝撃に
よる蛍光体層の劣化を軽減し、長寿命化を図ることがで
きる。蛍光体層を背面側の基板上に配置したものは“反
射型”と呼称され、逆に前面側の基板上に配置したもの
は“透過型”と呼称されている。発光効率に優れるの
は、蛍光体層における前面側表面が発光する反射型であ
る。 【０００５】従来において、ＡＣ駆動のための誘電体層
は、低融点ガラスペーストをベタ膜状に印刷して焼成す
る厚膜手法によって形成されていた。なお、主電極間の
静電容量を低減するため、低融点ガラスよりも比誘電率
の小さい材料からなる誘電体層の形成が検討されてお
り、その例として特開平９−３５６４１号公報にポリイ
ミドをスクリーン印刷し、又はスピナーで塗布する旨の
記載がある。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】従来の厚膜手法による
誘電体層では、焼成時に気泡が発生し、画面の全体にわ
たって膜質を均一にするのが難しいという問題があっ
た。気泡は主電極とアドレス電極との間の耐圧を低下さ
せる。加えて、気泡によって透明性が低下するので、誘
電体層が放電空間の前面側に位置する反射型のＰＤＰで
は、誘電体層によって輝度が損なわれていた。 【０００７】また、低融点ガラスの比誘電率が大きいこ
とから電極間の静電容量の充電に多くの電力を費やすと
いう問題、及び焼成時に基板に熱歪みが生じるという問
題もあった。電極間の静電容量については誘電体層を薄
くすることが考えられるが、薄くすると塗布むらが生じ
易くなり、放電特性のばらつきが顕著になるとともに電
極群の一部が露出するおそれが高まる。 【０００８】さらに、従来のＰＤＰの要部断面構造を模
式的に示す図８のように、スクリーン印刷やスピンコー
トによる誘電体層１７ｐの上面は、下地面の起伏に係わ
らずほぼ平坦になる。このため、対をなす主電極Ｘｐ，
Ｙｐのそれぞれが透明導電膜４１ｐとその一部に重なる
金属膜４２ｐとからなる反射型においては、誘電体層１
７ｐのうちの金属膜４２ｐを覆う部分が透明導電膜４１
ｐを覆う部分より薄くなるので、放電ギャップから遠い
にも係わらず金属膜４２ｐの上方で強い放電が起こる。
この放電は、それによる発光が金属膜４２ｐで遮光され
るので、表示に寄与しない無駄な電力消費となる。 【０００９】これらの問題を解決するため、薄膜手法に
よって誘電体層を形成する試みがなされたが、蒸着法及
び常圧ＣＶＤ法ではクラックを生じさせずに十分な厚さ
の成膜を行うことができなかった。 【００１０】本発明は、比誘電率の小さい均質な誘電体
層を有したガス放電表示デバイスの製造を可能にするこ
とを目的としている。 【００１１】 【課題を解決するための手段】本発明においては、誘電
体層の形成にプラズマ気相成長法（プラズマＣＶＤ法）
を用いる。成膜条件を適切に選定して膜の応力を制御す
ることにより、クラック耐性の高い所定厚さの層を得る
ことができる。焼成によらないので誘電体層を低融点ガ
ラス以外の物質からなる層とすることもでき、例えば二
酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒
化珪素（ＳｉＮ）などの珪素化合物、又は有機酸化珪素
（ＲＳｉＯ：Ｒはアルキル基、アリル基を示す）の層と
すれば、低融点ガラス層の場合よりも比誘電率は大幅に
小さくなる。 【００１２】また、プラズマＣＶＤ法によれば、下地面
に対して等方的に堆積が進行するので、電極の上面に段
差があっても電極の覆う誘電体層の厚さは均等になる。
したがって、電極が透明導電膜と金属膜との積層構造で
ある場合に、金属膜の上方での無用の放電を抑えること
ができる。 【００１３】 請求項１の発明のデバイスは、基板上に
透明導電膜に金属膜を重ねた複層構造の主電極が面放電
を生じさせるための電極対を構成するように配列され、
前記主電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層を
有したガス放電表示デバイスであって、前記誘電体層
が、プラズマ気相成長法によって形成され、その下地面
を等方的に覆い、かつ圧縮応力を有するものである。 【００１４】 【００１５】 【００１６】 【００１７】 【００１８】 【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕図１は本発明に
係るＰＤＰ１の電極配列を示す平面図である。 【００１９】例示のＰＤＰ１は、対をなす第１及び第２
の主電極Ｘ，Ｙが平行配置され、各セルＣにおいて主電
極Ｘ，Ｙと第３の電極としてのアドレス電極Ａとが交差
する３電極面放電構造のＡＣ型ＰＤＰである。主電極
Ｘ，Ｙはともに画面の行方向（水平方向）に延び、一方
の主電極Ｙはアドレッシングに際して行単位にセルＣを
選択するためのスキャン電極として用いられる。アドレ
ス電極Ａは列方向（垂直方向）に延びており、列単位に
セルＣを選択するためのデータ電極として用いられる。
基板面のうちの主電極群とアドレス電極群とが交差する
範囲が表示領域（画面）ＥＳとなる。 【００２０】 図２は本発明に係るＰＤＰの内部の基本
構造を示す分解斜視図である。ＰＤＰ１は反射型であっ
て、一対の基板構体１０，２０からなる。基板構体と
は、表示領域以上の大きさの板状の支持体と他の少なく
とも１種のデバイス構成要素とからなる構造体を意味す
る。すなわち、支持体としての基板に複数種のデバイス
構成要素を順に形成していく製造過程において、最初の
デバイス構成要素の形成を終えた後の各段階の基板を主
体とする仕掛品は基板構体である。ＰＤＰ１において、
主電極Ｘ，Ｙは前面側の基板構体１０の基材であるガラ
ス基板１１の内面に、行毎に一対ずつ配列されている。
行は水平方向のセル列である。主電極Ｘ，Ｙは、それぞ
れが透明導電膜４１と金属膜（バス導体）４２とからな
り、厚さ１０μｍ程度の誘電体層１７で被覆されてい
る。誘電体層１７の表面にはマグネシア（ＭｇＯ）から
なる厚さ数千オングストロームの保護膜１８が設けられ
ている。アドレス電極Ａは、背面側の基板構体２０の基
材であるガラス基板２１の内面に配列されており、誘電
体層２４によって被覆されている。誘電体層２４の上に
は、高さ１５０μｍの平面視直線帯状の隔壁２９が各ア
ドレス電極Ａの間に１つずつ設けられている。これらの
隔壁２９によって放電空間３０が行方向にサブピクセル
（単位発光領域）毎に区画され、且つ放電空間３０の間
隙寸法が規定されている。そして、アドレス電極Ａの上
方及び隔壁２９の側面を含めて背面側の内面を被覆する
ように、カラー表示のためのＲ，Ｇ，Ｂの３色の蛍光体
層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設けられている。放電空間
３０には主成分のネオンにキセノンを混合した放電ガス
が充填されており、蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは
放電時にキセノンが放つ紫外線によって局部的に励起さ
れて発光する。表示の１ピクセル（画素）は行方向に並
ぶ３個のサブピクセルで構成される。各サブピクセル内
の構造体がセル（表示素子）Ｃである。隔壁２９の配置
パターンがストライプパターンであることから、放電空
間３０のうちの各列に対応した部分は全ての行Ｌに跨が
って列方向に連続している。 【００２１】図３は第１実施形態に係るＰＤＰの要部断
面構造の模式図である。同図では誘電体層１７の形状の
理解を容易にするため、ＰＤＰ１の前面側を図の下側と
してある。また、保護膜の図示を省略してある。後述す
る他の実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造についても
図示の要領は同様である。 【００２２】図３のように、金属膜４２は、透明導電膜
４１における面放電ギャップと反対の側の端部に寄せて
配置されている。誘電体層１７は、このような主電極
Ｘ，Ｙを等方的に覆うように形成されており、圧縮応力
Ｆを有している。誘電体層１７の厚さが均等であるの
で、面放電ギャップから遠い金属膜４２の上方での不要
の放電は起こりにくい。したがって、駆動電圧の選定に
よって放電範囲を適正化するのが容易である。また、圧
縮応力Ｆによりクラックの発生が抑制されている。 【００２３】以上の構成のＰＤＰ１は、各ガラス基板１
１，２１について別個に所定の構成要素を設けて前面側
及び背面側の基板構体１０，２０を作製し、両基板構体
１０，２０を重ね合わせて対向間隙の周縁を封止し、内
部の排気及び放電ガスの充填を行う一連の工程によって
製造される。その際、基板構体１０の構成要素である誘
電体層１７は薄膜形成法の一種であるプラズマＣＶＤ法
によって形成される。 【００２４】図４は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の
概略図である。プラズマＣＶＤ装置１００は平行平板型
である。真空チャンバ内に主電極Ｘ，Ｙの配列を終えた
段階の基板構体１０’を配置し、プラズマを発生させて
下地面ｓに所定の物質を堆積させる。下地面ｓは主電極
Ｘ，Ｙ及びガラス基板１１の露出面である。例えば、ソ
ースガスとしてテトラエトキシシラン〔ＴＥＯＳ：Ｓｉ
（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 〕を導入するとともに反応ガスとして
と酸素（Ｏ2 ）とを導入し、ＳｉＯ2 からなる誘電体層
１７を形成する。 〔実施例１〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。 【００２５】 導入ガスと流量 ：ＴＥＯＳ／８００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｏ2 ／２０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：１．５ｋＷ 基板温度 ：３５０℃ 真空度 ：１．０Ｔｏｒｒ 得られたＳｉＯ2 膜は、シリコン基板では−０．７×１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 、ソーダライムガラス基板では−
１．９×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の圧縮応力を有してお
り、比誘電率は４．１であった。 【００２６】同一の条件で表１の材質のガラス基板及び
主電極からなる基板構体に厚さ１０μｍのＳｉＯ2 膜を
成膜した。 【００２７】 【表１】 【００２８】成膜により基板構体は成膜面を上側に向け
た状態で凸状に約５ｍｍ反った。ＳｉＯ2 膜の上に厚さ
０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって成膜し、それに
より得られた基板構体と別途に作製した背面側の基板構
体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効率の測
定結果は１．５ｌｍ／Ｗであった。 〔実施例２〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。 【００２９】 導入ガスと流量 ：ＳｉＨ4 ／９００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｎ2 Ｏ／４０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：１．０ｋＷ 基板温度 ：３４０℃ 真空度 ：１．２Ｔｏｒｒ 得られたＳｉＯ2 膜は、シリコン基板では＋１．０×１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の引張応力を有し、ソーダライムガ
ラス基板では−０．２×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2の圧縮応
力を有しており、比誘電率は４．１であった。 【００３０】同一の条件で実施例１と同じ表１の材質の
ガラス基板及び主電極からなる基板構体に、厚さ１０μ
ｍのＳｉＯ2 膜を成膜した。成膜により基板構体は成膜
面を上側に向けた状態で凸状に約１ｍｍ反った。ＳｉＯ
2 膜の上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって
成膜して得られた基板構体と、別途に作製した背面側の
基板構体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効
率の測定結果は１．５ｌｍ／Ｗであった。 〔実施例３〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、試料基板に次の条件で有機酸化珪素膜（ＣＨ3 Ｓ
ｉＯ）を成膜した。 【００３１】 導入ガスと流量 ：Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ／８００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｈ2 Ｏ／４０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：２．０ｋＷ 基板温度 ：４００℃ 真空度 ：１．０Ｔｏｒｒ 得られた有機酸化珪素膜の比誘電率は２．６であった。 【００３２】同一の条件で実施例１と同じ表１の材質の
ガラス基板及び主電極からなる基板構体に、厚さ１０μ
ｍのＣＨ3 ＳｉＯ膜を成膜した。このＣＨ3 ＳｉＯ膜の
上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって成膜し
て得られた基板構体と、別途に作製した背面側の基板構
体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効率の測
定結果は１．７ｌｍ／Ｗであった。 〔比較例１〕常圧ＣＶＤ装置１００を用い、シリコン基
板とソーダライムガラス基板とにそれぞれ次の条件でＳ
ｉＯ2 膜（熱ＣＶＤ膜）を成膜した。 【００３３】 導入ガスと流量 ：ＳｉＨ4 ／９００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｈ2 Ｏ／６０００ＳＣＣＭ 基板温度 ：４５０℃ 得られたＳｉＯ2 膜は、シリコン基板では＋４．０×１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 、ソーダライムガラス基板では＋
２．３×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の引張応力を有してい
た。 【００３４】同一の条件で実施例１と同じ表１の材質の
ガラス基板及び主電極とからなる基板構体に、厚さ１０
μｍのＳｉＯ2 膜を成膜した。膜面に多数のクラックが
発生し、ＰＤＰを組み立てることができなかった。 〔比較例２〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。 【００３５】 導入ガスと流量 ：ＳｉＨ４／９００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｎ２Ｏ／５０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：１．８ｋＷ 基板温度 ：３８０℃ 真空度 ：０．７Ｔｏｒｒ 得られたＳｉＯ２膜は、シリコン基板では−３．３×１
０９ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応力を有し、ソーダライムガ
ラス基板では−４．６×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２の圧縮応
力を有していた。 【００３６】 同一の条件で実施例１と同じ表１の材質
のガラス基板及び主電極とからなる基板構体に、厚さ１
０μｍのＳｉＯ２膜を成膜した。成膜により基板構体は
成膜面を上側に向けた状態で凸状に約１２ｍｍ反った。
反りが過大であるため、背面側の基板構体と張り合わせ
ることができなかった。 〔比較例３〕 従来の厚膜手法により誘電体層を形成した。すなわち、
実施例１と同じ表１の材質のガラス基板及び主電極とか
らなる基板構体に、ＰｂＯ−ＢＯ−ＳｉＯ系フリットガ
ラスをロールコータで３０μｍの厚さに印刷し、コンベ
ア炉を用いて大気雰囲気で焼成した（５８０℃，６０ｍ
ｉｎ）。得られた低融点ガラス層は無数の泡を含んでお
り、比誘電率の測定値は１２．０であった。低融点ガラ
ス層の上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって
成膜し、得られた基板構体と別途に作製した背面側の基
板構体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効率
の測定結果は０．８ｌｍ／Ｗであった。 〔第２実施形態〕 図５は第２実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造の模式
図である。 【００３７】ＰＤＰ２では、前面側のガラス基板１１ｂ
の上に透明導電膜４１ｂと金属膜４２ｂとを順に設けて
主電極Ｘｂ，Ｙｂを形成した後、薄膜手法で誘電体層１
７ｂを成膜する以前に、金属膜４２ｂの上に絶縁体層５
０が設けられている。これにより、主電極Ｘｂ，Ｙｂの
うちの金属膜４２ｂの重なる部分を被覆する層が他の部
分より厚くなるので、金属膜４２ｂの上方での不要の放
電が抑えられて発光効率が高まる。 〔第３実施形態〕図６は第３実施形態に係るＰＤＰの要
部断面構造の模式図である。図７は第３実施形態に係る
ＰＤＰの表示領域の平面図である。 【００３８】 ＰＤＰ３においては、前面側のガラス基
板１１ｃの上に透明導電膜４１ｃと金属膜４２ｃとを順
に設けて主電極Ｘｃ，Ｙｃを形成した後、薄膜手法で誘
電体層１７ｃを成膜する以前に、金属膜４２ｃと逆スリ
ットＳ２とを覆うように暗色の絶縁体層５５が設けられ
ている。逆スリットＳ２は隣接する行どうしの電極配列
間隙であり、面放電ギャップである行内の電極配列間隙
（スリット）Ｓ１より幅広である。絶縁体層５５によ
り、図７のように表示領域ＥＳｃの全体ではストライプ
状の遮光パターンが形成され、行間において蛍光体層が
隠れて表示のコントラストが高まる。加えて、主電極Ｘ
ｃ，Ｙｃのうちの金属膜４２ｃの重なる部分を被覆する
層が他の部分より厚くなるので、金属膜４２ｃの上方で
の不要の放電が抑えられて発光効率が高まる。 【００３９】以上の実施形態によれば、焼成に比べて低
い温度で誘電体層１７，１７ｂ，１７ｃを設けることが
でき、基板の熱歪みを低減することができる。また、誘
電体層１７，１７ｂ，１７ｃの比誘電率が従来の低融点
ガラス層より低いので電極間容量が低減されて消費電力
が少なくなる。さらに、誘電体層１７，１７ｂ，１７ｃ
が鉛、亜鉛などの金属を含まないので、製造の作業安全
性が高まり、リサイクル性に優れたＰＤＰ１，２，３が
得られる。 【００４０】 【００４１】【発明の効果】 請求項１の発明によれば、面放電を生じ
させるための電極対における金属膜の上方での不要の放
電が起こりにくく、誘電体層のクラックが発生しにくい
ガス放電表示デバイスとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＰＤＰの電極配列を示す平面図で
ある。 【図２】本発明に係るＰＤＰの内部の基本構造を示す分
解斜視図である。 【図３】第１実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造の模
式図である。 【図４】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の概略図であ
る。 【図５】第２実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造の模
式図である。 【図６】第３実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造の模
式図である。 【図７】第３実施形態に係るＰＤＰの表示領域の平面図
である。 【図８】従来のＰＤＰの要部断面構造の模式図である。 【符号の説明】 １，２，３ ＰＤＰ（ガス放電表示デバイス） １１，１１ｂ，１１ｃ ガラス基板（基板） Ｘ，Ｙ，Ｘｂ，Ｙｂ，Ｘｃ，Ｙｃ 主電極（電極） ＥＳ，ＥＳｃ 表示領域 １７，１７ｂ，１７ｃ 誘電体層 ｓ 下地面 Ｆ 圧縮応力 ５０ 絶縁体層 ５５ 絶縁体層（遮光層） Ｓ１ スリット（放電間隙） Ｓ２ 逆スリット（電極間部分）
ある。 【図２】本発明に係るＰＤＰの内部の基本構造を示す分
解斜視図である。 【図３】第１実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造の模
式図である。 【図４】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の概略図であ
る。 【図５】第２実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造の模
式図である。 【図６】第３実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造の模
式図である。 【図７】第３実施形態に係るＰＤＰの表示領域の平面図
である。 【図８】従来のＰＤＰの要部断面構造の模式図である。 【符号の説明】 １，２，３ ＰＤＰ（ガス放電表示デバイス） １１，１１ｂ，１１ｃ ガラス基板（基板） Ｘ，Ｙ，Ｘｂ，Ｙｂ，Ｘｃ，Ｙｃ 主電極（電極） ＥＳ，ＥＳｃ 表示領域 １７，１７ｂ，１７ｃ 誘電体層 ｓ 下地面 Ｆ 圧縮応力 ５０ 絶縁体層 ５５ 絶縁体層（遮光層） Ｓ１ スリット（放電間隙） Ｓ２ 逆スリット（電極間部分）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 9/02
H01J 11/02
H01J 11/00
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】基板上に透明導電膜に金属膜を重ねた複層
構造の主電極が面放電を生じさせるための電極対を構成
するように配列され、前記主電極を覆って表示領域の全
域に拡がる誘電体層を有したガス放電表示デバイスであ
って、 前記誘電体層は、プラズマ気相成長法によって形成さ
れ、その下地面を等方的に覆い、かつ圧縮応力を有する
ことを特徴とするガス放電表示デバイス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19127398A JP3481142B2 (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | ガス放電表示デバイス |
| US09/289,579 US6450849B1 (en) | 1998-07-07 | 1999-04-12 | Method of manufacturing gas discharge display devices using plasma enhanced vapor deposition |
| KR1019990016363A KR100321089B1 (ko) | 1998-07-07 | 1999-05-07 | 가스 방전 표시 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19127398A JP3481142B2 (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | ガス放電表示デバイス |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003320074A Division JP3835555B2 (ja) | 2003-09-11 | 2003-09-11 | ガス放電表示デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021304A JP2000021304A (ja) | 2000-01-21 |
| JP3481142B2 true JP3481142B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=16271815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19127398A Expired - Fee Related JP3481142B2 (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | ガス放電表示デバイス |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6450849B1 (ja) |
| JP (1) | JP3481142B2 (ja) |
| KR (1) | KR100321089B1 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6610354B2 (en) * | 2001-06-18 | 2003-08-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma display panel with a low k dielectric layer |
| JP4251816B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2009-04-08 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP4034202B2 (ja) * | 2003-02-10 | 2008-01-16 | 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 | ガス放電パネル及びその製造方法 |
| KR100524777B1 (ko) * | 2003-07-26 | 2005-10-31 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 제조 방법 |
| JP4151587B2 (ja) | 2004-02-26 | 2008-09-17 | ソニー株式会社 | 交流駆動型プラズマ表示装置の製造方法 |
| JP2006054073A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| US7956540B2 (en) | 2004-08-17 | 2011-06-07 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| JP2006134703A (ja) | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネルおよび基板 |
| JP2006196307A (ja) | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| KR20070095311A (ko) * | 2005-01-13 | 2007-09-28 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 플라스마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| JP2006222034A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP2006228639A (ja) | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP4515952B2 (ja) | 2005-03-31 | 2010-08-04 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置 |
| WO2007013135A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置 |
| CN101208455A (zh) * | 2005-08-26 | 2008-06-25 | 富士通日立等离子显示器股份有限公司 | 成膜方法、成膜用掩模和成膜装置 |
| JPWO2007029295A1 (ja) * | 2005-09-02 | 2009-03-12 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JPWO2007055030A1 (ja) * | 2005-11-14 | 2009-04-30 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | Ｃｖｄ装置を用いる成膜方法およびマスキングのためのマスク |
| WO2007055031A1 (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Ｃｖｄ装置を用いる成膜方法およびマスキングのためのマスク |
| US20100129530A1 (en) * | 2005-12-16 | 2010-05-27 | Masahiro Watabe | Method for manufacturing flat panel display |
| US20100127621A1 (en) * | 2005-12-16 | 2010-05-27 | Masahiro Watabe | Method for manfacturing flat panel display and panel for flat panel display |
| WO2007099603A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | プラズマディスプレイパネル |
| JPWO2007125600A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2009-09-10 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその前面板の製造方法 |
| WO2007125589A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Hitachi Plasma Display Limited | プラズマディスプレイパネルおよびその製造に用いる成膜装置 |
| JP4661981B2 (ja) * | 2007-05-28 | 2011-03-30 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2009026477A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
| JP2011014450A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Hitachi Consumer Electronics Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5374882A (en) | 1976-12-15 | 1978-07-03 | Fujitsu Ltd | Manufacture of gas discharge panel |
| JPS53112056A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Fujitsu Ltd | Gas discharging panel of self shift type |
| JPS53125760A (en) | 1977-04-08 | 1978-11-02 | Fujitsu Ltd | Manufacture for gas discharging panel |
| JPS607337B2 (ja) | 1980-01-31 | 1985-02-23 | 富士通株式会社 | ガス放電パネルの製造方法 |
| JPS56149749A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-19 | Fujitsu Ltd | Face discharge type gas discharge panel |
| JPH05211031A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-08-20 | Nec Corp | ガス放電表示素子の製造方法 |
| JP3339554B2 (ja) * | 1995-12-15 | 2002-10-28 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| US5727977A (en) * | 1996-03-04 | 1998-03-17 | Motorola, Inc. | Process for manufacturing a field-emission device |
| US5684356A (en) * | 1996-03-29 | 1997-11-04 | Texas Instruments Incorporated | Hydrogen-rich, low dielectric constant gate insulator for field emission device |
| FR2747839B1 (fr) * | 1996-04-18 | 1998-07-03 | Pixtech Sa | Ecran plat de visualisation a source d'hydrogene |
| KR100196336B1 (en) * | 1996-07-27 | 1999-06-15 | Lg Electronics Inc | Method of manufacturing thin film transistor |
| KR100241287B1 (ko) * | 1996-09-10 | 2000-02-01 | 구본준 | 액정표시소자 제조방법 |
-
1998
- 1998-07-07 JP JP19127398A patent/JP3481142B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-04-12 US US09/289,579 patent/US6450849B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-07 KR KR1019990016363A patent/KR100321089B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020137424A1 (en) | 2002-09-26 |
| JP2000021304A (ja) | 2000-01-21 |
| KR20000011260A (ko) | 2000-02-25 |
| KR100321089B1 (ko) | 2002-02-04 |
| US6450849B1 (en) | 2002-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3481142B2 (ja) | ガス放電表示デバイス | |
| KR100812866B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 | |
| JP3327858B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP4097480B2 (ja) | ガス放電パネル用基板構体、その製造方法及びａｃ型ガス放電パネル | |
| JPH1154051A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| CN1661756A (zh) | 交流驱动型等离子显示器及其制造方法 | |
| JP3835555B2 (ja) | ガス放電表示デバイスの製造方法 | |
| JP2003331734A (ja) | プラズマディスプレイ装置 | |
| JP3886523B2 (ja) | ガス放電表示デバイスの製造方法 | |
| JP3546987B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP2001155647A (ja) | ガス放電表示デバイス及びその製造方法 | |
| JP4085223B2 (ja) | プラズマ表示装置 | |
| WO2004105074A1 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP3440921B2 (ja) | ガス放電パネル及びその製造方法 | |
| JPH11185631A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| KR100605762B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 | |
| JPH11204044A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| US7187127B2 (en) | Plasma display panel having exothermal inhibition layer | |
| JP2001135241A (ja) | ガス放電パネル及びその製造方法 | |
| JP3152628B2 (ja) | 導体膜上への透明厚膜誘電体の形成方法 | |
| JP2004288401A (ja) | 平板型表示装置 | |
| KR20060104536A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널용 그린 시트 및 그의 제조방법 | |
| KR100738214B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법 | |
| US20070152585A1 (en) | Plasma display panel | |
| JP2003123655A (ja) | プラズマ表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030930 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313131 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071010 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081010 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091010 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091010 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101010 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131010 Year of fee payment: 10 |
|
| S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313135 |
|
| SZ03 | Written request for cancellation of trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z03 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131010 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |