JP4097480B2 - ガス放電パネル用基板構体、その製造方法及びａｃ型ガス放電パネル - Google Patents
ガス放電パネル用基板構体、その製造方法及びａｃ型ガス放電パネル Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス放電パネル用基板構体、その製造方法及びＡＣ型ガス放電パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ガス放電パネルとして、種々の様式のパネルが報告されているが、その内３電極面放電構造のＡＣ型プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）が商品化されている。
図５に商品化されているＰＤＰの概略構造斜視図を示す。ＰＤＰは前面ガラス基板１と背面ガラス基板２を貼り合わせた構造をしている。前面ガラス基板１には、透明電極３１とバス電極３２からなる表示電極３が配置され、表示電極３は誘電体層４で覆われている。誘電体層４の上にさらに２次電子放出係数の高いＭｇＯ層からなる保護層５が形成されている。背面ガラス基板２には、表示電極と直交するようにアドレス電極６が配置されている。アドレス電極６間には、発光領域を規定するために隔壁７が設けられ、アドレス電極６上の隔壁７で区分けされた領域には、赤、緑、青の蛍光体８が塗り分けられている。貼り合わせた前面ガラス基板１と背面ガラス基板２の内部には、Ｎｅ−Ｘｅガスが封入されている。
【０００３】
図６に断面から見た放電セルの放電時の様子を示す。ＸとＹの２本１組からなる表示電極３間に電圧を印加し、放電空間に電界をかけるとＸｅが励起されガス放電９を生じ、そこから真空紫外線１０が放出される。真空紫外線１０は蛍光体８に当たり可視光１１を出す。セル内部の電界で真空紫外線１０を制御することによりディスプレイとして動作する。このとき真空紫外線１０は蛍光体８だけでなく前面ガラス基板１にも照射される。前面ガラス基板１上には放電面から順に保護層（ＭｇＯ層）５と誘電体層４が形成されているが、ＭｇＯは真空紫外線１０の一部波長（１６５ｎｍ以上）を透過するため真空紫外線１０の一部は誘電体層４まで到達している。図６中、参照番号２と６は図５と同義である。
【０００４】
ＰＤＰの誘電体層の形成方法としては、一般的にフリットガラスを分散させて形成する方法が知られている。分散前のフリットガラスは、一般に、エチルセルロース樹脂を主体としたビヒクルにガラス成分を分散させてペースト化したものである。このフリットガラスを印刷により基板に塗布し、焼成することで、樹脂分はバーンアウトし、その結果、ガラス成分を主体とする誘電体層が形成される。また、近年より大量生産に適した誘電体層の形成方法として、フリットガラスをアクリル樹脂等に分散させてシート化したものを貼り合わせ焼成して形成する方法や、ＣＶＤ法等の気相成膜による方法も提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の発明者等は、誘電体層の形成方法とＰＤＰの色度との関係について検討した。その結果、誘電体層をシート化による方法やＰＥＣＶＤ（ＰｌａｓｍａＥｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法のような気相成膜法により形成した場合には、色度異常が起こることがわかった。具体的には、誘電体層を、表１に示す形成条件でそれぞれ形成し、その後、ＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着し、通常工程でＰＤＰを形成し、ＰＤＰの表示品質試験を行った。
【０００６】
【表１】
【０００７】
フリットペーストを用いた誘電体層形成条件でのＰＤＰの白色色度座標はＣＩＥ表色系で（０．３００，０．３００）だが、シートフリットを用いた場合は（０．３１０，０．２８５）、ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2においても（０．３２０，０．２８０）となり、どちらも赤っぽい白色となった。この色度の異常は、発明者等による検討の結果、緑の蛍光体が劣化し色度座標がずれたために起こっていることがわかった。
すなわち、表示試験中に起こした放電によりシートフリットにより形成又はＰＥＣＶＤで形成された誘電体層からガス放出が起こり、そのガスが蛍光体を劣化させると推測される。
【０００８】
ガス源としては、シートフリットにより形成された誘電体層では、形成前のシート層に有機成分が多く含まれていることから、焼成時にバーンアウトしきれずに層中に残留する炭化水素結合を有する物質が考えられる。また、ＰＥＣＶＤ法では、成膜時に完全に分解されず一部未反応のまま層中に残留するＳｉＨ4ガス又はＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4等の珪素及び／又は炭素と水素との結合を有する物質が考えられる。そして、これら物質が放電により発生した紫外線によって分解され、炭化水素あるいは水素ガスを放出し、それらのガスがＭｇＯ層中を通り抜けて放電空間中に放出されて蛍光体を劣化させていると考えられる。また、これらのガスは、放電により活性化され還元性を有することから、保護層（ＭｇＯ層）をも還元すると考えられる。還元された保護層は、着色するため、透過率が悪化する。これらの結果によりパネル表示中に輝度が劣化してしまい、色度が変動してしまうと考えられる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は係る点に注目し、蛍光体劣化現象の発生しないガス放電パネル用基板構体、ガス放電パネル及びその製造方法を提案するものである。
かくして本発明によれば、基板上に電極と、電極を被覆する誘電体層と、誘電体層を被覆し放電空間に接する保護層とを備え、誘電体層がシート状のフリットガラスの焼成物又はＣＶＤ−ＳｉＯ 2 からなり、保護層が、ＭｇＯと、Ａｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｙ化合物、Ｚｎ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔａ化合物及びＳｉＣから少なくとも１つ選択される紫外線遮蔽機能を有する化合物とを含むことを特徴とする第１のガス放電パネル用基板構体が提供される。
【００１０】
更に、本発明によれば、基板上に電極と、電極を被覆する誘電体層と、誘電体層を被覆する中間層と、中間層を被覆し放電空間に接する保護層とを備え、誘電体層がシート状のフリットガラスの焼成物又はＣＶＤ−ＳｉＯ 2 からなり、中間層が、Ａｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｙ化合物、Ｚｎ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔａ化合物及びＳｉＣから少なくとも１つ選択される紫外線遮蔽機能を有する化合物とを含むことを特徴とする第２のガス放電パネル用基板構体が提供される。
また、本発明によれば、第１と第２のガス放電パネル用基板構体の誘電体層を、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法で形成するか、又はシート状のフリットガラスを基板上に貼付し焼成する方法で形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法が提供される。
【００１１】
更に、本発明によれば、第２のガス放電パネル用基板構体の中間層を、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ゾルゲル法又はバインダ法で形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、第２のガス放電パネル用基板構体の中間層と誘電体層を、ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法で連続的に形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法が提供される。
【００１２】
更に、本発明によれば、第２のガス放電パネル用基板構体の中間層と保護層を、真空蒸着法で連続的に形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、上記第１又は第２のガス放電パネル用基板構体を前面側のガス放電パネル用基板構体として用いたＡＣ型ガス放電パネルが提供される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、具体的には、保護層に紫外線遮蔽機能を持たせるか（第１のガス放電パネル用基板構体）、誘電体層と保護層の間に紫外線遮蔽機能を有する中間層を挿入すること（第２のガス放電パネル用基板構体）を特徴の一つとしている。紫外線遮蔽機能とは、主に２００ｎｍ以下の紫外光を遮蔽することができる機能を意味する。
まず、第１のガス放電パネル用基板構体において、誘電体層を被覆し、放電空間に接する保護層は、放電電界から誘電体層を保護するためのＭｇＯと、紫外線遮蔽機能を有するＡｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｙ化合物、Ｚｎ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔａ化合物及びＳｉＣから少なくとも１つ選択される化合物とからなる。
【００１４】
Ａｌ化合物としては、アルミナ、窒化アルミニウム等が挙げられ、Ｔｉ化合物としては、チタニア、窒化チタン等が挙げられ、Ｙ化合物としては、酸化イットリウム、窒化イットリウム等が挙げられ、Ｚｎ化合物としては、酸化亜鉛、窒化亜鉛、硫化亜鉛等が挙げられ、Ｚｒ化合物としては、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム等が挙げられ、Ｔａ化合物としては、酸化タンタル等が挙げられる。紫外線遮蔽機能を有する化合物は、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）、ＡｌＮ、ＴｉＯ2（チタニア）、Ｙ2Ｏ3（酸化イットリウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＺｒＯ2（酸化ジルコニウム）、Ｔａ2Ｏ5（酸化タンタル）、ＳｉＣから選択することがより好ましい。以下の表２にこれら化合物のバンドギャップを示す。
【００１５】
【表２】
【００１６】
上記化合物のうち、バンドギャップが６．２ｅＶ以下の化合物が、真空紫外線（ＶＵＶ）を遮蔽する効果を奏するためより好ましい。
ＭｇＯと、紫外線遮蔽機能を有する化合物との混合割合は、使用する化合物種によっても異なるが、９５〜８５：５〜１５（重量比）であることが好ましい。紫外線遮蔽機能を有する化合物の割合が５より少ない場合、遮蔽効果が少なくなるので好ましくなく、１５より多い場合、２次電子放出比が低下するので好ましくない。
保護層の厚さは、所定の機能を果たす限り特に限定されず、０．５〜１．５μｍの範囲であることが好ましい。
保護層の形成方法は、特に限定されず、当該分野で公知の方法をいずれも使用することができる。例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法、真空又は常圧の蒸着法等が挙げられ、これら方法の内、真空蒸着法が好ましい。
【００１７】
ＣＶＤ法は、保護層を構成する化合物の原料ガス（例えば、塩化物）を加熱することにより分解し、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
スパッタ法は、保護層を構成する化合物を不活性ガスでスパッタすることで、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
蒸着法は、保護層を構成する化合物を電子ビーム等の加熱手段により加熱して蒸発させ、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
【００１８】
一方、第２のガス放電パネル用基板構体において、誘電体層と保護層の間に位置する中間層は、紫外線遮蔽機能を有するＡｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｙ化合物、Ｚｎ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔａ化合物及びＳｉＣから少なくとも１つ選択される化合物からなる。これら化合物の具体例は、上記第１のガス放電パネル用基板構体と同一の化合物が挙げられる。また、第１の放電パネル用基板構体と同様に、バンドギャップが６．２ｅＶ以下の化合物が好ましい。
中間層の厚さは、所定の機能を果たす限り特に限定されず、０．１〜１μｍの範囲であることが好ましい。
中間層の形成方法としては、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ゾルゲル法、バインダ法等が挙げられる。
【００１９】
真空蒸着法は、中間層を構成する化合物を、１０-3〜１０-8Ｔｏｒｒの真空下で、電子ビーム等の加熱手段により加熱して蒸発させ、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
ＣＶＤ法は、中間層を構成する化合物の原料ガス（例えば、塩化物）を加熱することにより分解し、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
プラズマＣＶＤ法は、中間層を構成する化合物の原料ガス（例えば、塩化物）をプラズマにより分解し、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
ゾルゲル法は、中間層を構成する化合物の脂肪酸塩又はアルコキシドを含む溶液を基板上に塗布し、塗膜を焼成することで中間層を形成する方法である。
バインダ法は、中間層を構成する化合物を含む溶液又は分散液を基板上に塗布し、塗膜を焼成することで中間層を形成する方法である。
【００２０】
なお、第２のガス放電パネル用基板構体において、中間層上に形成され、放電空間と接する保護層は、ＭｇＯが好適に使用され、その厚さは０．５〜１．５μｍの範囲であることが好ましい。保護層の形成方法は、第１のガス放電パネル用基板構体と同様の方法を使用することができる。
また、保護層に紫外線遮蔽機能をもたせることで、中間層に紫外線遮蔽機能をもたせる構成と比べて、製造工程数を減らすことができ、その結果タクト向上及びコストを低減することができる。
上記保護層及び中間層以外のガス放電パネル用基板構体の構成部材は、第１及び第２のガス放電パネル用基板構体において同一の部材を使用することができる。
【００２１】
基板としては、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。具体的には、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板が挙げられる。
基板上に形成される電極としては、特に限定されず、当該分野で公知の電極をいずれも使用することができる。具体的には、ＩＴＯ、ＮＥＳＡ等からなる透明電極が挙げられる。また、透明電極上に、透明電極の抵抗を下げるためのＣｒ、Ｃｕ又はそれらの積層体等からなる金属電極を設けてもよい。電極の構成としては、ガス放電パネルの種類によって異なるが、通常ストライプ状に基板上に設けられる。
【００２２】
次に、電極を被覆する誘電体層としては、特に限定されず、当該分野で公知の電極をいずれも使用することができる。具体的には、低融点ガラス、ＳｉＯ2等からなる層が挙げられる。
前者の低融点ガラスは、フリットペースト又はシートフリットを用いて形成することができる。フリットペーストは、例えば、低融点ガラス（フリットガラス）にエチルセルロース系バインダと任意に溶媒とを添加することで得ることができる。このフリットペーストは、所定の位置に印刷法等により塗布され、焼成することにより誘電体層となる。シートフリットは、例えば、フリットガラスにアクリル系バインダを添加しシート状にすることで得ることができる。このシートフリットは、基板上に貼付した後、焼成することにより誘電体層となる。低融点ガラスからなる誘電体層は、通常１５〜３５μｍの厚さを有している。
【００２３】
後者のＳｉＯ2は、ＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法等により形成することができる。具体的には、ＰＥＣＶＤ法の場合、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6等のシラン系ガス又はテトラオルソエチルシリケート（ＴＥＯＳ）等のケイ素含有化合物を、ＲＦ出力１〜２ｋＷ、温度３００〜４００℃、圧力１〜３Ｔｏｒｒの条件下でのプラズマにより分解することで形成することができる。また、常圧ＣＶＤ法で形成してもよい。ＳｉＯ2からなる誘電体層は、通常５〜１５μｍの厚さを有している。
上記誘電体層の形成方法の内、下記理由及び製造の容易性から、シートフリットを用いて形成する方法及びＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法等の気相法により形成する方法が好ましい。
【００２４】
上記誘電体層のうち、シートフリットにより形成された誘電体層では、形成前のシート層に有機成分が多く含まれていることから、焼成時にバーンアウトしきれずに層中に残留する炭化水素結合を有する物質が存在すると考えられる。また、気相法では、成膜時に完全に分解されず一部未反応のまま層中に残留するＳｉＨ4ガス又はＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4等の珪素及び／又は炭素と水素との結合を有する物質が存在すると考えられる。そして、これら物質が放電により発生した紫外線によって分解され、炭化水素あるいは水素ガスを放出し、それらのガスがＭｇＯ層中を通り抜けて放電空間中に放出されて蛍光体を劣化させていると考えられる。また、これらのガスは、放電により活性化され還元性を有することから、保護層（ＭｇＯ層）をも還元すると考えられる。還元された保護層は、着色するため、透過率が悪化する。これらの結果によりパネル表示中に輝度が劣化してしまい、色度が変動してしまうと考えられる。本発明において、第１のガス放電パネル用基板構体の保護層及び第２ガス放電パネル用基板構体の中間層は、紫外線遮蔽機能を有している。そのため、放電空間から生じる紫外線が誘電体層に達することを防ぐことができるので、炭化水素あるいは水素ガスの発生を防ぐことができる。
【００２５】
なお、フリットペーストを用いた場合でも、フリットシートほどではないが、誘電体層に炭化水素結合を有する物質が存在すると考えられることから、本発明の構成は有用である。
上記保護層、中間層及び誘電体層の形成において、中間層と誘電体層とを、ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法で連続的に形成してもよく、中間層と保護層を、真空蒸着法で連続的に形成してもよい。連続に形成することで、製造時間の短縮と各層への不純物の混入を防ぐことができる。
以下、本発明の第１のガス放電パネル用基板構体の製造方法の一例を図１（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、基板側の表示電極（透明電極、バス電極）形成から保護層形成までの工程を示す概略断面図である。
【００２６】
まず、ガラス基板上に透明電極３１が形成され（図１（ａ））、続けてバス電極（例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造）３２が形成され（図１（ｂ））、これによって表示電極（維持電極ともいう）３が形成される。透明電極及びバス電極は公知の方法により形成することができる。
次に、上記表示電極３を被覆する誘電体層４が形成される（図１（ｃ））。形成方法はフリットガラスを含むフリットペースト又はシートフリットを使用する方法とＣＶＤ法等の気相成膜法とがある。
そして最後に紫外線遮蔽機能を有する保護層１２を形成する（図１（ｄ））。保護層１２の形成方法としては、ＣＶＤ法、真空又は常圧の蒸着法、スパッタ法等の気相成膜法を用いることができる。
【００２７】
次に、本発明の第２のガス放電パネル用基板構体の製造方法の一例を図２（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。図２（ａ）〜（ｅ）は、基板側の表示電極（透明電極、バス電極）形成から保護層形成までの工程を示す概略断面図である。
まず、ガラス基板上に透明電極３１が形成され（図２（ａ））、続けてバス電極３２が形成され（図２（ｂ））、これによって表示電極（維持電極ともいう）３が形成される。透明電極及びバス電極は公知の方法により形成することができる。
【００２８】
次に、上記表示電極３を被覆する誘電体層４が形成される（図２（ｃ））。形成方法はフリットガラスを含むフリットペースト又はシートフリットを使用する方法とＣＶＤ法等の気相成膜法とがある。
次いで、紫外線遮蔽機能を有する中間層１３を形成する（図２（ｄ））。形成方法としては、真空蒸着法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、あるいは、バインダ法を用いることができる。
そして最後に保護層５を形成する（図２（ｅ））。保護層５の形成方法としては、蒸着、スパッタ法等の気相成膜法を用いる手法が一般的である。
以下、本発明のガス放電パネル用基板構体を前面側に用いた場合のガス放電パネル（ＰＤＰ）の構成を図３及び４を用いて説明する。
【００２９】
図３及び４のＰＤＰは、３電極ＡＣ型面放電ＰＤＰである。このＰＤＰは、サブピクセル（放電セル）がストライプ状の隔壁によって形成された場合を例示している。図３のＰＤＰは第１のガス放電パネル用基板構体を、図４のＰＤＰは第２のガス放電パネル用基板構体を使用したＰＤＰである。
図３のＰＤＰは、前面基板と背面基板とから構成される。
まず、前面基板には、上記図１の工程により得られた第１のガス放電パネル用基板構体をそのまま使用される。
【００３０】
次に、背面基板は、一般的に、背面ガラス基板２上に形成された複数本のストライプ状のアドレス電極６、隣接するアドレス電極６間で背面ガラス基板２上に形成された複数本のストライプ状の隔壁７、隔壁７間に壁面を含めて形成された蛍光体８とからなる。図３では、蛍光体８は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体からなる。
また、背面ガラス基板２上に、アドレス電極６を被覆するように誘電体層を形成し、誘電体層上に隔壁７を形成してもよい。この誘電体層は、前面基板側の誘電体層と同様にして形成することができる。
図４のＰＤＰは、図３のＰＤＰのように紫外線遮蔽機能を保護層に付与させるのではなく、保護層と誘電体層との間に紫外線遮蔽機能を有する中間層を形成することを特徴の１つとしている。この構成以外は、図３のＰＤＰと同じである。
【００３１】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、成膜条件、層厚、材料等はこれらに限定されない。
実施例１（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋紫外線遮蔽機能を有する保護層：電子ビーム蒸着−ＭｇＯと、ＺｒＯ2、アルミナ、チタニア、Ｙ2Ｏ3、ＺｎＳ、Ｔａ2Ｏ5又はＳｉＣの同時蒸着）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2からなる誘電体層を５μｍ成膜した。次に、ＺｒＯ2及びＭｇＯを電子ビーム蒸着で同時に蒸着することで、厚さ１．０μｍの保護層を得た。その後、通常工程で下記に示すスペックのＰＤＰを形成し、ＰＤＰの表示品質試験を行った。
【００３２】
（ＰＤＰのスペック）
画面サイズ：４２インチ
ピクセル（画素）数：８５２×４８０（ＶＧＡ）
サブピクセル数：２５５６×４８０
サブピクセルサイズ：１０８０μｍ×３９０μｍ
前面基板の材質：ソーダライムガラス
前面基板の厚さ：３ｍｍ
透明電極の幅：２７５μｍ
バス電極の幅：１００μｍ
面放電ギャップ：１００μｍ
透明電極間の遮光層の幅：３５０μｍ
隔壁の幅：７０μｍ
隔壁の高さ：１４０μｍ
隔壁ピッチ：３６０μｍ
蛍光体の種類：ＰＤＰ標準ＲＧＢ蛍光体、赤（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ，
緑Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ
駆動条件：１８０Ｖで、２５ｋＨｚ
【００３３】
（表示品質試験）
負荷率１０％の白色表示をトプコン社製輝度計ＢＭ７にて測定した。
試験の結果、ＣＩＥ表色系での色度座標は、（０．３００，０．３０１）となり色度異常は抑制された。
また、ＺｒＯ2をアルミナ、チタニア、Ｙ2Ｏ3、ＺｎＳ、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＣにかえること以外は上記と同様にしてＰＤＰを形成した。得られたＰＤＰの色度は、それぞれ（０．３０１，０．２９８）、（０．３０１，０．２９８）、（０．３０３，０．２９８）、（０．３０２，０．２９８）、（０．３００，０．３００）、（０．３０２，０．２９８）となり劣化が抑制された。
【００３４】
実施例２（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：電子ビーム蒸着−ＺｒＯ2、アルミナ、チタニア、Ｙ2Ｏ3、ＺｎＳ、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＣ）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、ＺｒＯ2層からなる中間層を電子ビーム蒸着で０．３μｍの厚さに成膜した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．３０２）となり色度異常は抑制された。
また、中間層をアルミナ、チタニア、Ｙ2Ｏ3、ＺｎＳ、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＣにかえること以外は上記と同様にしてＰＤＰを形成した。得られたＰＤＰの色度は、それぞれ（０．３０２，０．２９９）、（０．３０２，０．２９９）、（０．３０１，０．２９８）、（０．３０１，０．２９９）、（０．３００，０．３００）、（０．３０１，０．２９９）となり劣化が抑制された。
【００３５】
実施例３（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：チタニアバインダ法−ＴｉＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、平均粒径０．５μｍのチタニア粉体を、エチルセルロース５ｗｔ％とテルピネオール９５ｗｔ％とからなるバインダに分散させ、印刷法により塗膜を形成後、４００℃大気中で３０分間、塗膜を焼成することによりＴｉＯ2層からなる３．０μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００３６】
実施例４（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：チタニアゾルゲル法−ＴｉＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、Ｔｉ（ＯＣ2Ｈ5）4と０．５％希塩酸とをモル比で１：８に混合し３０分間反応させた後エタノールで１０倍に希釈したものをスピンコート法により塗膜として形成後、４００℃大気中で３０分間、塗膜を焼成することによりＴｉＯ2層からなる３．０μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３００，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００３７】
実施例５（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：チタニアチタン酸イソプロピルの大気圧ＣＶＤ−ＴｉＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、常圧ＣＶＤ装置においてＴｉ［ＣＯＨ（ＣＨ3）2］4：１００ｓｃｃｍとＯ2：５００ｓｃｃｍ、基板温度４００℃の条件で、ＴｉＯ2層からなる１．０μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９８）となり色度異常は抑制された。
【００３８】
実施例６（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：チタニア四塩化チタンの大気圧ＣＶＤ−ＴｉＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、常圧ＣＶＤ装置においてＴｉＣｌ4：１００ｓｃｃｍとＯ2：５００ｓｃｃｍ、基板温度４００℃の条件で、ＴｉＯ2層からなる０．３μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９８）となり色度異常は抑制された。
【００３９】
実施例７（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：四塩化ジルコニアの大気圧ＣＶＤ−ＺｒＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、常圧ＣＶＤ装置においてＺｒＣｌ4：１００ｓｃｃｍとＯ2：５００ｓｃｃｍ、基板温度４８０℃の条件で、ＺｒＯ2層からなる０．３μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００４０】
実施例８（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：アルミナのプラズマＣＶＤ−Ａｌ2Ｏ3）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜し、連続して２ＡｌＣｌ3：１００ｓｃｃｍ、ＣＯ2：１０００ｓｃｃｍ、Ｈ2：５００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件でＡｌ2Ｏ3層からなる０．３μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．３００）となり色度異常は抑制された。
【００４１】
実施例９（誘電体層：シートフリット−低融点ガラス＋中間層：電子ビーム蒸着−ＺｒＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ5−ＳｉＯ2からなるフリットガラスにアクリル系バインダを添加しシート状に加工したものを貼付し、コンベア型焼成炉で３５０℃２４０分→６００℃６０分焼成することで３０μｍの誘電体層を形成した。次いで、ＺｒＯ2層からなる中間層を電子ビーム蒸着で０．３μｍの厚さに形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００４２】
実施例１０（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：電子ビーム蒸着−ＺｒＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＴＥＯＳ：８００ｓｃｃｍ、Ｏ2：２０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力１．５ｋＷ、３５０℃、１．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。なお、上記と同じ条件でシリコン基板及びソーダライム基板上に形成した誘電体層は、それぞれ−０．７Ｅ９ｄｙｎ／ｃｍ2及び−１．９ｄｙｎ／ｃｍ2の応力を有していた。次いで、ＺｒＯ2層からなる中間層を電子ビーム蒸着で０．３μｍの厚さに形成した。そして、引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。
その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００４３】
実施例１１（誘電体層：ＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：電子ビーム蒸着−ＺｒＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、常圧ＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：１０００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：１００００ｓｃｃｍ、４５０℃の条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。なお、上記と同じ条件でシリコン基板及びソーダライム基板上に形成した誘電体層は、それぞれ＋４Ｅ９ｄｙｎ／ｃｍ2及び＋２．３ｄｙｎ／ｃｍ2の応力を有していた。次いで、次いで、ＺｒＯ2層からなる中間層を電子ビーム蒸着で０．３μｍの厚さに形成した。そして、引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。
その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００４４】
実施例１２（誘電体層：ＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：酸化タンタルのプラズマＣＶＤ−Ｔａ2Ｏ5）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。連続して、Ｔａ（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）5：２００ｓｃｃｍ（気化して直接供給）、Ｏ2：１０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、４．０Ｔｏｒｒの条件で、Ｔａ2Ｏ5膜からなる０．２μｍの中間層を形成した。その後、引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。
【００４５】
その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３００，０．３００）となり色度異常は抑制された。
なお、本発明は上記した実施例に限らず、種々の変形が可能である。例えば、隔壁、蛍光体層を設けた基板を前面側に配置し、かつ誘電体層、保護層等を設けた基板を背面側に配置した構造にすることも可能である。また、アドレス電極を誘電体層で覆いその誘電体層上に隔壁と蛍光体層を設けることも可能であり、その場合には誘電体層表面を紫外線遮蔽機能膜で覆うのが望ましい。更に２電極ＡＣ型対向放電ＰＤＰにも適用可能である。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、保護層自体に紫外線遮蔽機能をもたせるか、あるいは、保護層と誘電体層の間に紫外線遮蔽機能を有する中間層を導入することにより、放電中に発生する真空紫外光の誘電体層への到達を防ぎ、誘電体層内の炭素水素結合等の切断を防止することができる。そのため、切断により生じる水素による蛍光体及び保護層の還元を防ぐことができるので、蛍光体劣化のないガス放電パネルが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のガス放電パネル用基板構体の概略工程断面図である。
【図２】本発明のガス放電パネル用基板構体の概略工程断面図である。
【図３】本発明のガス放電パネルの概略断面図である。
【図４】本発明のガス放電パネルの概略断面図である。
【図５】従来のＰＤＰの概略斜視図である。
【図６】ガス放電パネルの放電時の様子を示す概略図である。
【符号の説明】
１ 前面ガラス基板
２ 背面ガラス基板
３ 表示電極
３１ 透明電極
３２ バス電極
４ 誘電体層
５ 保護層
６ アドレス電極
７ 隔壁
８ 蛍光体
９ ガス放電
１０ 真空紫外線
１１ 可視光
１２ 紫外線遮蔽機能を有する保護層
１３ 中間層
ＸとＹ ２本１組からなる表示電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス放電パネル用基板構体、その製造方法及びＡＣ型ガス放電パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ガス放電パネルとして、種々の様式のパネルが報告されているが、その内３電極面放電構造のＡＣ型プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）が商品化されている。
図５に商品化されているＰＤＰの概略構造斜視図を示す。ＰＤＰは前面ガラス基板１と背面ガラス基板２を貼り合わせた構造をしている。前面ガラス基板１には、透明電極３１とバス電極３２からなる表示電極３が配置され、表示電極３は誘電体層４で覆われている。誘電体層４の上にさらに２次電子放出係数の高いＭｇＯ層からなる保護層５が形成されている。背面ガラス基板２には、表示電極と直交するようにアドレス電極６が配置されている。アドレス電極６間には、発光領域を規定するために隔壁７が設けられ、アドレス電極６上の隔壁７で区分けされた領域には、赤、緑、青の蛍光体８が塗り分けられている。貼り合わせた前面ガラス基板１と背面ガラス基板２の内部には、Ｎｅ−Ｘｅガスが封入されている。
【０００３】
図６に断面から見た放電セルの放電時の様子を示す。ＸとＹの２本１組からなる表示電極３間に電圧を印加し、放電空間に電界をかけるとＸｅが励起されガス放電９を生じ、そこから真空紫外線１０が放出される。真空紫外線１０は蛍光体８に当たり可視光１１を出す。セル内部の電界で真空紫外線１０を制御することによりディスプレイとして動作する。このとき真空紫外線１０は蛍光体８だけでなく前面ガラス基板１にも照射される。前面ガラス基板１上には放電面から順に保護層（ＭｇＯ層）５と誘電体層４が形成されているが、ＭｇＯは真空紫外線１０の一部波長（１６５ｎｍ以上）を透過するため真空紫外線１０の一部は誘電体層４まで到達している。図６中、参照番号２と６は図５と同義である。
【０００４】
ＰＤＰの誘電体層の形成方法としては、一般的にフリットガラスを分散させて形成する方法が知られている。分散前のフリットガラスは、一般に、エチルセルロース樹脂を主体としたビヒクルにガラス成分を分散させてペースト化したものである。このフリットガラスを印刷により基板に塗布し、焼成することで、樹脂分はバーンアウトし、その結果、ガラス成分を主体とする誘電体層が形成される。また、近年より大量生産に適した誘電体層の形成方法として、フリットガラスをアクリル樹脂等に分散させてシート化したものを貼り合わせ焼成して形成する方法や、ＣＶＤ法等の気相成膜による方法も提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の発明者等は、誘電体層の形成方法とＰＤＰの色度との関係について検討した。その結果、誘電体層をシート化による方法やＰＥＣＶＤ（ＰｌａｓｍａＥｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法のような気相成膜法により形成した場合には、色度異常が起こることがわかった。具体的には、誘電体層を、表１に示す形成条件でそれぞれ形成し、その後、ＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着し、通常工程でＰＤＰを形成し、ＰＤＰの表示品質試験を行った。
【０００６】
【表１】
フリットペーストを用いた誘電体層形成条件でのＰＤＰの白色色度座標はＣＩＥ表色系で（０．３００，０．３００）だが、シートフリットを用いた場合は（０．３１０，０．２８５）、ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2においても（０．３２０，０．２８０）となり、どちらも赤っぽい白色となった。この色度の異常は、発明者等による検討の結果、緑の蛍光体が劣化し色度座標がずれたために起こっていることがわかった。
すなわち、表示試験中に起こした放電によりシートフリットにより形成又はＰＥＣＶＤで形成された誘電体層からガス放出が起こり、そのガスが蛍光体を劣化させると推測される。
【０００８】
ガス源としては、シートフリットにより形成された誘電体層では、形成前のシート層に有機成分が多く含まれていることから、焼成時にバーンアウトしきれずに層中に残留する炭化水素結合を有する物質が考えられる。また、ＰＥＣＶＤ法では、成膜時に完全に分解されず一部未反応のまま層中に残留するＳｉＨ4ガス又はＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4等の珪素及び／又は炭素と水素との結合を有する物質が考えられる。そして、これら物質が放電により発生した紫外線によって分解され、炭化水素あるいは水素ガスを放出し、それらのガスがＭｇＯ層中を通り抜けて放電空間中に放出されて蛍光体を劣化させていると考えられる。また、これらのガスは、放電により活性化され還元性を有することから、保護層（ＭｇＯ層）をも還元すると考えられる。還元された保護層は、着色するため、透過率が悪化する。これらの結果によりパネル表示中に輝度が劣化してしまい、色度が変動してしまうと考えられる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は係る点に注目し、蛍光体劣化現象の発生しないガス放電パネル用基板構体、ガス放電パネル及びその製造方法を提案するものである。
かくして本発明によれば、基板上に電極と、電極を被覆する誘電体層と、誘電体層を被覆し放電空間に接する保護層とを備え、誘電体層がシート状のフリットガラスの焼成物又はＣＶＤ−ＳｉＯ 2 からなり、保護層が、ＭｇＯと、Ａｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｙ化合物、Ｚｎ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔａ化合物及びＳｉＣから少なくとも１つ選択される紫外線遮蔽機能を有する化合物とを含むことを特徴とする第１のガス放電パネル用基板構体が提供される。
【００１０】
更に、本発明によれば、基板上に電極と、電極を被覆する誘電体層と、誘電体層を被覆する中間層と、中間層を被覆し放電空間に接する保護層とを備え、誘電体層がシート状のフリットガラスの焼成物又はＣＶＤ−ＳｉＯ 2 からなり、中間層が、Ａｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｙ化合物、Ｚｎ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔａ化合物及びＳｉＣから少なくとも１つ選択される紫外線遮蔽機能を有する化合物とを含むことを特徴とする第２のガス放電パネル用基板構体が提供される。
また、本発明によれば、第１と第２のガス放電パネル用基板構体の誘電体層を、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法で形成するか、又はシート状のフリットガラスを基板上に貼付し焼成する方法で形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法が提供される。
【００１１】
更に、本発明によれば、第２のガス放電パネル用基板構体の中間層を、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ゾルゲル法又はバインダ法で形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、第２のガス放電パネル用基板構体の中間層と誘電体層を、ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法で連続的に形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法が提供される。
【００１２】
更に、本発明によれば、第２のガス放電パネル用基板構体の中間層と保護層を、真空蒸着法で連続的に形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、上記第１又は第２のガス放電パネル用基板構体を前面側のガス放電パネル用基板構体として用いたＡＣ型ガス放電パネルが提供される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、具体的には、保護層に紫外線遮蔽機能を持たせるか（第１のガス放電パネル用基板構体）、誘電体層と保護層の間に紫外線遮蔽機能を有する中間層を挿入すること（第２のガス放電パネル用基板構体）を特徴の一つとしている。紫外線遮蔽機能とは、主に２００ｎｍ以下の紫外光を遮蔽することができる機能を意味する。
まず、第１のガス放電パネル用基板構体において、誘電体層を被覆し、放電空間に接する保護層は、放電電界から誘電体層を保護するためのＭｇＯと、紫外線遮蔽機能を有するＡｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｙ化合物、Ｚｎ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔａ化合物及びＳｉＣから少なくとも１つ選択される化合物とからなる。
【００１４】
Ａｌ化合物としては、アルミナ、窒化アルミニウム等が挙げられ、Ｔｉ化合物としては、チタニア、窒化チタン等が挙げられ、Ｙ化合物としては、酸化イットリウム、窒化イットリウム等が挙げられ、Ｚｎ化合物としては、酸化亜鉛、窒化亜鉛、硫化亜鉛等が挙げられ、Ｚｒ化合物としては、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム等が挙げられ、Ｔａ化合物としては、酸化タンタル等が挙げられる。紫外線遮蔽機能を有する化合物は、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）、ＡｌＮ、ＴｉＯ2（チタニア）、Ｙ2Ｏ3（酸化イットリウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＺｒＯ2（酸化ジルコニウム）、Ｔａ2Ｏ5（酸化タンタル）、ＳｉＣから選択することがより好ましい。以下の表２にこれら化合物のバンドギャップを示す。
【００１５】
【表２】
上記化合物のうち、バンドギャップが６．２ｅＶ以下の化合物が、真空紫外線（ＶＵＶ）を遮蔽する効果を奏するためより好ましい。
ＭｇＯと、紫外線遮蔽機能を有する化合物との混合割合は、使用する化合物種によっても異なるが、９５〜８５：５〜１５（重量比）であることが好ましい。紫外線遮蔽機能を有する化合物の割合が５より少ない場合、遮蔽効果が少なくなるので好ましくなく、１５より多い場合、２次電子放出比が低下するので好ましくない。
保護層の厚さは、所定の機能を果たす限り特に限定されず、０．５〜１．５μｍの範囲であることが好ましい。
保護層の形成方法は、特に限定されず、当該分野で公知の方法をいずれも使用することができる。例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法、真空又は常圧の蒸着法等が挙げられ、これら方法の内、真空蒸着法が好ましい。
【００１７】
ＣＶＤ法は、保護層を構成する化合物の原料ガス（例えば、塩化物）を加熱することにより分解し、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
スパッタ法は、保護層を構成する化合物を不活性ガスでスパッタすることで、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
蒸着法は、保護層を構成する化合物を電子ビーム等の加熱手段により加熱して蒸発させ、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
【００１８】
一方、第２のガス放電パネル用基板構体において、誘電体層と保護層の間に位置する中間層は、紫外線遮蔽機能を有するＡｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｙ化合物、Ｚｎ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔａ化合物及びＳｉＣから少なくとも１つ選択される化合物からなる。これら化合物の具体例は、上記第１のガス放電パネル用基板構体と同一の化合物が挙げられる。また、第１の放電パネル用基板構体と同様に、バンドギャップが６．２ｅＶ以下の化合物が好ましい。
中間層の厚さは、所定の機能を果たす限り特に限定されず、０．１〜１μｍの範囲であることが好ましい。
中間層の形成方法としては、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ゾルゲル法、バインダ法等が挙げられる。
【００１９】
真空蒸着法は、中間層を構成する化合物を、１０-3〜１０-8Ｔｏｒｒの真空下で、電子ビーム等の加熱手段により加熱して蒸発させ、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
ＣＶＤ法は、中間層を構成する化合物の原料ガス（例えば、塩化物）を加熱することにより分解し、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
プラズマＣＶＤ法は、中間層を構成する化合物の原料ガス（例えば、塩化物）をプラズマにより分解し、所望の化合物を基板上に堆積させる方法である。
ゾルゲル法は、中間層を構成する化合物の脂肪酸塩又はアルコキシドを含む溶液を基板上に塗布し、塗膜を焼成することで中間層を形成する方法である。
バインダ法は、中間層を構成する化合物を含む溶液又は分散液を基板上に塗布し、塗膜を焼成することで中間層を形成する方法である。
【００２０】
なお、第２のガス放電パネル用基板構体において、中間層上に形成され、放電空間と接する保護層は、ＭｇＯが好適に使用され、その厚さは０．５〜１．５μｍの範囲であることが好ましい。保護層の形成方法は、第１のガス放電パネル用基板構体と同様の方法を使用することができる。
また、保護層に紫外線遮蔽機能をもたせることで、中間層に紫外線遮蔽機能をもたせる構成と比べて、製造工程数を減らすことができ、その結果タクト向上及びコストを低減することができる。
上記保護層及び中間層以外のガス放電パネル用基板構体の構成部材は、第１及び第２のガス放電パネル用基板構体において同一の部材を使用することができる。
【００２１】
基板としては、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。具体的には、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板が挙げられる。
基板上に形成される電極としては、特に限定されず、当該分野で公知の電極をいずれも使用することができる。具体的には、ＩＴＯ、ＮＥＳＡ等からなる透明電極が挙げられる。また、透明電極上に、透明電極の抵抗を下げるためのＣｒ、Ｃｕ又はそれらの積層体等からなる金属電極を設けてもよい。電極の構成としては、ガス放電パネルの種類によって異なるが、通常ストライプ状に基板上に設けられる。
【００２２】
次に、電極を被覆する誘電体層としては、特に限定されず、当該分野で公知の電極をいずれも使用することができる。具体的には、低融点ガラス、ＳｉＯ2等からなる層が挙げられる。
前者の低融点ガラスは、フリットペースト又はシートフリットを用いて形成することができる。フリットペーストは、例えば、低融点ガラス（フリットガラス）にエチルセルロース系バインダと任意に溶媒とを添加することで得ることができる。このフリットペーストは、所定の位置に印刷法等により塗布され、焼成することにより誘電体層となる。シートフリットは、例えば、フリットガラスにアクリル系バインダを添加しシート状にすることで得ることができる。このシートフリットは、基板上に貼付した後、焼成することにより誘電体層となる。低融点ガラスからなる誘電体層は、通常１５〜３５μｍの厚さを有している。
【００２３】
後者のＳｉＯ2は、ＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法等により形成することができる。具体的には、ＰＥＣＶＤ法の場合、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6等のシラン系ガス又はテトラオルソエチルシリケート（ＴＥＯＳ）等のケイ素含有化合物を、ＲＦ出力１〜２ｋＷ、温度３００〜４００℃、圧力１〜３Ｔｏｒｒの条件下でのプラズマにより分解することで形成することができる。また、常圧ＣＶＤ法で形成してもよい。ＳｉＯ2からなる誘電体層は、通常５〜１５μｍの厚さを有している。
上記誘電体層の形成方法の内、下記理由及び製造の容易性から、シートフリットを用いて形成する方法及びＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法等の気相法により形成する方法が好ましい。
【００２４】
上記誘電体層のうち、シートフリットにより形成された誘電体層では、形成前のシート層に有機成分が多く含まれていることから、焼成時にバーンアウトしきれずに層中に残留する炭化水素結合を有する物質が存在すると考えられる。また、気相法では、成膜時に完全に分解されず一部未反応のまま層中に残留するＳｉＨ4ガス又はＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4等の珪素及び／又は炭素と水素との結合を有する物質が存在すると考えられる。そして、これら物質が放電により発生した紫外線によって分解され、炭化水素あるいは水素ガスを放出し、それらのガスがＭｇＯ層中を通り抜けて放電空間中に放出されて蛍光体を劣化させていると考えられる。また、これらのガスは、放電により活性化され還元性を有することから、保護層（ＭｇＯ層）をも還元すると考えられる。還元された保護層は、着色するため、透過率が悪化する。これらの結果によりパネル表示中に輝度が劣化してしまい、色度が変動してしまうと考えられる。本発明において、第１のガス放電パネル用基板構体の保護層及び第２ガス放電パネル用基板構体の中間層は、紫外線遮蔽機能を有している。そのため、放電空間から生じる紫外線が誘電体層に達することを防ぐことができるので、炭化水素あるいは水素ガスの発生を防ぐことができる。
【００２５】
なお、フリットペーストを用いた場合でも、フリットシートほどではないが、誘電体層に炭化水素結合を有する物質が存在すると考えられることから、本発明の構成は有用である。
上記保護層、中間層及び誘電体層の形成において、中間層と誘電体層とを、ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法で連続的に形成してもよく、中間層と保護層を、真空蒸着法で連続的に形成してもよい。連続に形成することで、製造時間の短縮と各層への不純物の混入を防ぐことができる。
以下、本発明の第１のガス放電パネル用基板構体の製造方法の一例を図１（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、基板側の表示電極（透明電極、バス電極）形成から保護層形成までの工程を示す概略断面図である。
【００２６】
まず、ガラス基板上に透明電極３１が形成され（図１（ａ））、続けてバス電極（例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造）３２が形成され（図１（ｂ））、これによって表示電極（維持電極ともいう）３が形成される。透明電極及びバス電極は公知の方法により形成することができる。
次に、上記表示電極３を被覆する誘電体層４が形成される（図１（ｃ））。形成方法はフリットガラスを含むフリットペースト又はシートフリットを使用する方法とＣＶＤ法等の気相成膜法とがある。
そして最後に紫外線遮蔽機能を有する保護層１２を形成する（図１（ｄ））。保護層１２の形成方法としては、ＣＶＤ法、真空又は常圧の蒸着法、スパッタ法等の気相成膜法を用いることができる。
【００２７】
次に、本発明の第２のガス放電パネル用基板構体の製造方法の一例を図２（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。図２（ａ）〜（ｅ）は、基板側の表示電極（透明電極、バス電極）形成から保護層形成までの工程を示す概略断面図である。
まず、ガラス基板上に透明電極３１が形成され（図２（ａ））、続けてバス電極３２が形成され（図２（ｂ））、これによって表示電極（維持電極ともいう）３が形成される。透明電極及びバス電極は公知の方法により形成することができる。
【００２８】
次に、上記表示電極３を被覆する誘電体層４が形成される（図２（ｃ））。形成方法はフリットガラスを含むフリットペースト又はシートフリットを使用する方法とＣＶＤ法等の気相成膜法とがある。
次いで、紫外線遮蔽機能を有する中間層１３を形成する（図２（ｄ））。形成方法としては、真空蒸着法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、あるいは、バインダ法を用いることができる。
そして最後に保護層５を形成する（図２（ｅ））。保護層５の形成方法としては、蒸着、スパッタ法等の気相成膜法を用いる手法が一般的である。
以下、本発明のガス放電パネル用基板構体を前面側に用いた場合のガス放電パネル（ＰＤＰ）の構成を図３及び４を用いて説明する。
【００２９】
図３及び４のＰＤＰは、３電極ＡＣ型面放電ＰＤＰである。このＰＤＰは、サブピクセル（放電セル）がストライプ状の隔壁によって形成された場合を例示している。図３のＰＤＰは第１のガス放電パネル用基板構体を、図４のＰＤＰは第２のガス放電パネル用基板構体を使用したＰＤＰである。
図３のＰＤＰは、前面基板と背面基板とから構成される。
まず、前面基板には、上記図１の工程により得られた第１のガス放電パネル用基板構体をそのまま使用される。
【００３０】
次に、背面基板は、一般的に、背面ガラス基板２上に形成された複数本のストライプ状のアドレス電極６、隣接するアドレス電極６間で背面ガラス基板２上に形成された複数本のストライプ状の隔壁７、隔壁７間に壁面を含めて形成された蛍光体８とからなる。図３では、蛍光体８は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体からなる。
また、背面ガラス基板２上に、アドレス電極６を被覆するように誘電体層を形成し、誘電体層上に隔壁７を形成してもよい。この誘電体層は、前面基板側の誘電体層と同様にして形成することができる。
図４のＰＤＰは、図３のＰＤＰのように紫外線遮蔽機能を保護層に付与させるのではなく、保護層と誘電体層との間に紫外線遮蔽機能を有する中間層を形成することを特徴の１つとしている。この構成以外は、図３のＰＤＰと同じである。
【００３１】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、成膜条件、層厚、材料等はこれらに限定されない。
実施例１（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋紫外線遮蔽機能を有する保護層：電子ビーム蒸着−ＭｇＯと、ＺｒＯ2、アルミナ、チタニア、Ｙ2Ｏ3、ＺｎＳ、Ｔａ2Ｏ5又はＳｉＣの同時蒸着）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2からなる誘電体層を５μｍ成膜した。次に、ＺｒＯ2及びＭｇＯを電子ビーム蒸着で同時に蒸着することで、厚さ１．０μｍの保護層を得た。その後、通常工程で下記に示すスペックのＰＤＰを形成し、ＰＤＰの表示品質試験を行った。
【００３２】
（ＰＤＰのスペック）
画面サイズ：４２インチ
ピクセル（画素）数：８５２×４８０（ＶＧＡ）
サブピクセル数：２５５６×４８０
サブピクセルサイズ：１０８０μｍ×３９０μｍ
前面基板の材質：ソーダライムガラス
前面基板の厚さ：３ｍｍ
透明電極の幅：２７５μｍ
バス電極の幅：１００μｍ
面放電ギャップ：１００μｍ
透明電極間の遮光層の幅：３５０μｍ
隔壁の幅：７０μｍ
隔壁の高さ：１４０μｍ
隔壁ピッチ：３６０μｍ
蛍光体の種類：ＰＤＰ標準ＲＧＢ蛍光体、赤（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ，
緑Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ
駆動条件：１８０Ｖで、２５ｋＨｚ
【００３３】
（表示品質試験）
負荷率１０％の白色表示をトプコン社製輝度計ＢＭ７にて測定した。
試験の結果、ＣＩＥ表色系での色度座標は、（０．３００，０．３０１）となり色度異常は抑制された。
また、ＺｒＯ2をアルミナ、チタニア、Ｙ2Ｏ3、ＺｎＳ、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＣにかえること以外は上記と同様にしてＰＤＰを形成した。得られたＰＤＰの色度は、それぞれ（０．３０１，０．２９８）、（０．３０１，０．２９８）、（０．３０３，０．２９８）、（０．３０２，０．２９８）、（０．３００，０．３００）、（０．３０２，０．２９８）となり劣化が抑制された。
【００３４】
実施例２（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：電子ビーム蒸着−ＺｒＯ2、アルミナ、チタニア、Ｙ2Ｏ3、ＺｎＳ、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＣ）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、ＺｒＯ2層からなる中間層を電子ビーム蒸着で０．３μｍの厚さに成膜した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．３０２）となり色度異常は抑制された。
また、中間層をアルミナ、チタニア、Ｙ2Ｏ3、ＺｎＳ、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＣにかえること以外は上記と同様にしてＰＤＰを形成した。得られたＰＤＰの色度は、それぞれ（０．３０２，０．２９９）、（０．３０２，０．２９９）、（０．３０１，０．２９８）、（０．３０１，０．２９９）、（０．３００，０．３００）、（０．３０１，０．２９９）となり劣化が抑制された。
【００３５】
実施例３（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：チタニアバインダ法−ＴｉＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、平均粒径０．５μｍのチタニア粉体を、エチルセルロース５ｗｔ％とテルピネオール９５ｗｔ％とからなるバインダに分散させ、印刷法により塗膜を形成後、４００℃大気中で３０分間、塗膜を焼成することによりＴｉＯ2層からなる３．０μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００３６】
実施例４（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：チタニアゾルゲル法−ＴｉＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、Ｔｉ（ＯＣ2Ｈ5）4と０．５％希塩酸とをモル比で１：８に混合し３０分間反応させた後エタノールで１０倍に希釈したものをスピンコート法により塗膜として形成後、４００℃大気中で３０分間、塗膜を焼成することによりＴｉＯ2層からなる３．０μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３００，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００３７】
実施例５（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：チタニアチタン酸イソプロピルの大気圧ＣＶＤ−ＴｉＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、常圧ＣＶＤ装置においてＴｉ［ＣＯＨ（ＣＨ3）2］4：１００ｓｃｃｍとＯ2：５００ｓｃｃｍ、基板温度４００℃の条件で、ＴｉＯ2層からなる１．０μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９８）となり色度異常は抑制された。
【００３８】
実施例６（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：チタニア四塩化チタンの大気圧ＣＶＤ−ＴｉＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、常圧ＣＶＤ装置においてＴｉＣｌ4：１００ｓｃｃｍとＯ2：５００ｓｃｃｍ、基板温度４００℃の条件で、ＴｉＯ2層からなる０．３μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９８）となり色度異常は抑制された。
【００３９】
実施例７（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：四塩化ジルコニアの大気圧ＣＶＤ−ＺｒＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。次いで、常圧ＣＶＤ装置においてＺｒＣｌ4：１００ｓｃｃｍとＯ2：５００ｓｃｃｍ、基板温度４８０℃の条件で、ＺｒＯ2層からなる０．３μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００４０】
実施例８（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：アルミナのプラズマＣＶＤ−Ａｌ2Ｏ3）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜し、連続して２ＡｌＣｌ3：１００ｓｃｃｍ、ＣＯ2：１０００ｓｃｃｍ、Ｈ2：５００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件でＡｌ2Ｏ3層からなる０．３μｍの中間層を形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．３００）となり色度異常は抑制された。
【００４１】
実施例９（誘電体層：シートフリット−低融点ガラス＋中間層：電子ビーム蒸着−ＺｒＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ5−ＳｉＯ2からなるフリットガラスにアクリル系バインダを添加しシート状に加工したものを貼付し、コンベア型焼成炉で３５０℃２４０分→６００℃６０分焼成することで３０μｍの誘電体層を形成した。次いで、ＺｒＯ2層からなる中間層を電子ビーム蒸着で０．３μｍの厚さに形成した。そして引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００４２】
実施例１０（誘電体層：ＰＥＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：電子ビーム蒸着−ＺｒＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＴＥＯＳ：８００ｓｃｃｍ、Ｏ2：２０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力１．５ｋＷ、３５０℃、１．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。なお、上記と同じ条件でシリコン基板及びソーダライム基板上に形成した誘電体層は、それぞれ−０．７Ｅ９ｄｙｎ／ｃｍ2及び−１．９ｄｙｎ／ｃｍ2の応力を有していた。次いで、ＺｒＯ2層からなる中間層を電子ビーム蒸着で０．３μｍの厚さに形成した。そして、引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。
その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００４３】
実施例１１（誘電体層：ＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：電子ビーム蒸着−ＺｒＯ2）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、常圧ＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：１０００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：１００００ｓｃｃｍ、４５０℃の条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。なお、上記と同じ条件でシリコン基板及びソーダライム基板上に形成した誘電体層は、それぞれ＋４Ｅ９ｄｙｎ／ｃｍ2及び＋２．３ｄｙｎ／ｃｍ2の応力を有していた。次いで、次いで、ＺｒＯ2層からなる中間層を電子ビーム蒸着で０．３μｍの厚さに形成した。そして、引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。
その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３０１，０．２９９）となり色度異常は抑制された。
【００４４】
実施例１２（誘電体層：ＣＶＤ−ＳｉＯ2＋中間層：酸化タンタルのプラズマＣＶＤ−Ｔａ2Ｏ5）
前面側の基板上に透明電極及びバス電極形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置において、ＳｉＨ4：９００ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ：９０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、３．０Ｔｏｒｒの条件で、ＳｉＯ2を誘電体層として５μｍ成膜した。連続して、Ｔａ（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）5：２００ｓｃｃｍ（気化して直接供給）、Ｏ2：１０００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力２．０ｋＷ、４００℃、４．０Ｔｏｒｒの条件で、Ｔａ2Ｏ5膜からなる０．２μｍの中間層を形成した。その後、引き続きＭｇＯ層からなる保護層を１．０μｍ蒸着した。
【００４５】
その後、実施例１と同様にしてＰＤＰを形成し、その表示品質試験を行った。試験の結果、色度座標は、（０．３００，０．３００）となり色度異常は抑制された。
なお、本発明は上記した実施例に限らず、種々の変形が可能である。例えば、隔壁、蛍光体層を設けた基板を前面側に配置し、かつ誘電体層、保護層等を設けた基板を背面側に配置した構造にすることも可能である。また、アドレス電極を誘電体層で覆いその誘電体層上に隔壁と蛍光体層を設けることも可能であり、その場合には誘電体層表面を紫外線遮蔽機能膜で覆うのが望ましい。更に２電極ＡＣ型対向放電ＰＤＰにも適用可能である。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、保護層自体に紫外線遮蔽機能をもたせるか、あるいは、保護層と誘電体層の間に紫外線遮蔽機能を有する中間層を導入することにより、放電中に発生する真空紫外光の誘電体層への到達を防ぎ、誘電体層内の炭素水素結合等の切断を防止することができる。そのため、切断により生じる水素による蛍光体及び保護層の還元を防ぐことができるので、蛍光体劣化のないガス放電パネルが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のガス放電パネル用基板構体の概略工程断面図である。
【図２】本発明のガス放電パネル用基板構体の概略工程断面図である。
【図３】本発明のガス放電パネルの概略断面図である。
【図４】本発明のガス放電パネルの概略断面図である。
【図５】従来のＰＤＰの概略斜視図である。
【図６】ガス放電パネルの放電時の様子を示す概略図である。
【符号の説明】
１ 前面ガラス基板
２ 背面ガラス基板
３ 表示電極
３１ 透明電極
３２ バス電極
４ 誘電体層
５ 保護層
６ アドレス電極
７ 隔壁
８ 蛍光体
９ ガス放電
１０ 真空紫外線
１１ 可視光
１２ 紫外線遮蔽機能を有する保護層
１３ 中間層
ＸとＹ ２本１組からなる表示電極
Claims (10)
- 基板上に電極と、電極を被覆する誘電体層と、誘電体層を被覆し放電空間に接する保護層とを備え、誘電体層がシート状のフリットガラスの焼成物又はＣＶＤ−ＳｉＯ 2 からなり、保護層が、ＭｇＯと、Ａｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｙ化合物、Ｚｎ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔａ化合物及びＳｉＣから少なくとも１つ選択される紫外線遮蔽機能を有する化合物とを含むことを特徴とするガス放電パネル用基板構体。
- 保護層が、２００ｎｍ以下の波長の光を透過しない層からなる請求項１に記載のガス放電パネル用基板構体。
- 基板上に電極と、電極を被覆する誘電体層と、誘電体層を被覆する中間層と、中間層を被覆し放電空間に接する保護層とを備え、誘電体層がシート状のフリットガラスの焼成物又はＣＶＤ−ＳｉＯ 2 からなり、中間層が、Ａｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｙ化合物、Ｚｎ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔａ化合物及びＳｉＣから少なくとも１つ選択される紫外線遮蔽機能を有する化合物とを含むことを特徴とするガス放電パネル用基板構体。
- Ａｌ化合物、Ｔｉ化合物、Ｙ化合物、Ｚｎ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔａ化合物及びＳｉＣから少なくとも１つ選択される化合物が、６．２ｅＶ以下のバンドギャップを有する化合物である請求項１又は３に記載のガス放電パネル用基板構体。
- 中間層が、２００ｎｍ以下の波長の光を透過しない層からなる請求項３に記載のガス放電パネル用基板構体。
- 請求項１又は３に記載された誘電体層を、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法で形成するか、又はシート状のフリットガラスを基板上に貼付し焼成する方法で形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法。
- 請求項３に記載された中間層を、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ゾルゲル法又はバインダ法で形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法。
- 請求項３に記載された中間層と誘電体層を、ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法で連続的に形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法。
- 請求項３に記載された中間層と保護層を、真空蒸着法で連続的に形成することを特徴とするガス放電パネル用基板構体の製造方法。
- 請求項１〜５のいずれかに記載のガス放電パネル用基板構体を前面側のガス放電パネル用基板構体として用いたＡＣ型ガス放電パネル。
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