JP3339554B2 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法
に関するものであって、特に、高品位用のプラズマディ
スプレイパネルに関する。
に用いるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法
に関するものであって、特に、高品位用のプラズマディ
スプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハイビジョンをはじめとする高品
位で大画面のテレビに対する期待が高まっている中で、
ＣＲＴ，液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと記載す
る），プラズマディスプレイパネル（Plasma Display P
anel，以下ＰＤＰと記載する）といった各ディスプレイ
の分野において、これに適したディスプレイの開発が進
められている。
位で大画面のテレビに対する期待が高まっている中で、
ＣＲＴ，液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと記載す
る），プラズマディスプレイパネル（Plasma Display P
anel，以下ＰＤＰと記載する）といった各ディスプレイ
の分野において、これに適したディスプレイの開発が進
められている。
【０００３】従来からテレビのディスプレイとして広く
用いられているＣＲＴは、解像度・画質の点で優れてい
るが、画面の大きさに伴って奥行き及び重量が大きくな
る点で４０インチ以上の大画面には不向きである。ま
た、ＬＣＤは、消費電力が少なく、駆動電圧も低いとい
う優れた性能を有しているが、大画面を作製するのに技
術上の困難性があり、視野角にも限界がある。
用いられているＣＲＴは、解像度・画質の点で優れてい
るが、画面の大きさに伴って奥行き及び重量が大きくな
る点で４０インチ以上の大画面には不向きである。ま
た、ＬＣＤは、消費電力が少なく、駆動電圧も低いとい
う優れた性能を有しているが、大画面を作製するのに技
術上の困難性があり、視野角にも限界がある。
【０００４】これに対して、ＰＤＰは、小さい奥行きで
も大画面を実現することが可能であって、既に４０イン
チクラスの製品も開発されている。ＰＤＰは、大別して
直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）とに分けられる
が、現在では大型化に適したＡＣ型が主流となってい
る。図７は、従来の一般的な交流面放電型ＰＤＰの概略
断面図である。図７において、フロントカバープレート
１上に表示電極２が配設され、その上を鉛ガラス［Ｐｂ
Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2ガラス］からなる誘電体ガラス層
３で覆われている。
も大画面を実現することが可能であって、既に４０イン
チクラスの製品も開発されている。ＰＤＰは、大別して
直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）とに分けられる
が、現在では大型化に適したＡＣ型が主流となってい
る。図７は、従来の一般的な交流面放電型ＰＤＰの概略
断面図である。図７において、フロントカバープレート
１上に表示電極２が配設され、その上を鉛ガラス［Ｐｂ
Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2ガラス］からなる誘電体ガラス層
３で覆われている。
【０００５】また、バックプレート５上には、アドレス
電極６と隔壁７と、赤または緑または青の紫外線励起蛍
光体からなる蛍光体層８とが配設され、誘電体ガラス層
３，バックプレート５，隔壁７に囲まれた放電空間９内
には放電ガスが封入されている。封入する放電ガスとし
ては、一般的にヘリウム［Ｈｅ］とキセノン［Ｘｅ］の
混合ガス系やネオン［Ｎｅ］とキセノン［Ｘｅ］との混
合ガス系が用いられており、通常Ｘｅの量は、回路の駆
動電圧があまり高くならないように、０．１〜５体積％
程度の範囲に設定されている。
電極６と隔壁７と、赤または緑または青の紫外線励起蛍
光体からなる蛍光体層８とが配設され、誘電体ガラス層
３，バックプレート５，隔壁７に囲まれた放電空間９内
には放電ガスが封入されている。封入する放電ガスとし
ては、一般的にヘリウム［Ｈｅ］とキセノン［Ｘｅ］の
混合ガス系やネオン［Ｎｅ］とキセノン［Ｘｅ］との混
合ガス系が用いられており、通常Ｘｅの量は、回路の駆
動電圧があまり高くならないように、０．１〜５体積％
程度の範囲に設定されている。
【０００６】また、放電ガスの封入圧力は、放電電圧を
安定化させることを考慮して、通常、１００〜５００Ｔ
ｏｒｒ程度の範囲に設定されている（例えば、Ｍ．Ｎｏ
ｂｒｉｏ，Ｔ．Ｙｏｓｈｉｏｋａ，Ｙ．Ｓａｎｏ，Ｋ．
Ｎｕｎｏｍｕｒａ，ＳＩＤ９４’ Ｄｉｇｅｓｔ ７２
７〜７３０ １９９４参照）。
安定化させることを考慮して、通常、１００〜５００Ｔ
ｏｒｒ程度の範囲に設定されている（例えば、Ｍ．Ｎｏ
ｂｒｉｏ，Ｔ．Ｙｏｓｈｉｏｋａ，Ｙ．Ｓａｎｏ，Ｋ．
Ｎｕｎｏｍｕｒａ，ＳＩＤ９４’ Ｄｉｇｅｓｔ ７２
７〜７３０ １９９４参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このようなＰＤＰにお
いて、以下に述べるように、輝度及び寿命に対する課題
がある。４０〜４２インチクラスのテレビ用のＰＤＰに
おいて、ＮＴＳＣの画素レベル（画素数６４０×４８０
個，セルピッチ０．４３ｍｍ×１．２９ｍｍ，１セルの
面積０．５５ｍｍ2）の場合、現在１５０〜２５０ｃｄ
／ｍ2程度の画面輝度が獲られている（機能材料１９９
６年２月号Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．２ ページ７参照）。
いて、以下に述べるように、輝度及び寿命に対する課題
がある。４０〜４２インチクラスのテレビ用のＰＤＰに
おいて、ＮＴＳＣの画素レベル（画素数６４０×４８０
個，セルピッチ０．４３ｍｍ×１．２９ｍｍ，１セルの
面積０．５５ｍｍ2）の場合、現在１５０〜２５０ｃｄ
／ｍ2程度の画面輝度が獲られている（機能材料１９９
６年２月号Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．２ ページ７参照）。
【０００８】これに対して、近年期待されているフルス
ペックの４２インチクラスのハイビジョンテレビでは、
画素数が１９２０×１１２５で、セルピッチは０．１５
ｍｍ×０．４８ｍｍとなる。この場合、１セルの面積は
０．０７２ｍｍ2であって、ＮＴＳＣの場合と比べて１
／７〜１／８となるため、４２インチのハイビジョンテ
レビ用のＰＤＰを、従来通りのセル構成で作成した場
合、画面の輝度は３０〜４０ｃｄ／ｍ2程度に低下する
ことが予想される。
ペックの４２インチクラスのハイビジョンテレビでは、
画素数が１９２０×１１２５で、セルピッチは０．１５
ｍｍ×０．４８ｍｍとなる。この場合、１セルの面積は
０．０７２ｍｍ2であって、ＮＴＳＣの場合と比べて１
／７〜１／８となるため、４２インチのハイビジョンテ
レビ用のＰＤＰを、従来通りのセル構成で作成した場
合、画面の輝度は３０〜４０ｃｄ／ｍ2程度に低下する
ことが予想される。
【０００９】従って、４２インチのハイビジョンテレビ
用のＰＤＰにおいて、現行のＮＴＳＣのＣＲＴ並の明る
さ（５００ｃｄ／ｍ2）を得ようとすれば、各セルの輝
度を１２〜１５倍程度に向上させることが必要となる。
このような背景のもとで、ＰＤＰのセルの輝度を向上さ
せる技術が望まれている。
用のＰＤＰにおいて、現行のＮＴＳＣのＣＲＴ並の明る
さ（５００ｃｄ／ｍ2）を得ようとすれば、各セルの輝
度を１２〜１５倍程度に向上させることが必要となる。
このような背景のもとで、ＰＤＰのセルの輝度を向上さ
せる技術が望まれている。
【００１０】ＰＤＰの発光原理は基本的に蛍光灯と同様
であって、放電に伴って放電ガスから紫外線が放出さ
れ、この紫外線によって赤，緑，青の蛍光体が励起発光
されるが、放電エネルギの紫外線への変換する効率や、
蛍光体における可視光への変換効率が低いので、蛍光灯
のように高い輝度を得ることは難しい。この点に関し
て、応用物理Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．３ １９８２年 ペ
ージ３４４〜３４７には、Ｈｅ−Ｘｅ，Ｎｅ−Ｘｅ系の
ガス組成のＰＤＰにおいて、電気エネルギーの約２％し
か紫外線放射に利用されておらず、最終的に可視光に利
用されるのは０．２％程度ということが記載されている
（光学技術コンタクトＶｏｌ．３４，Ｎｏ．１ １９９
６年 ページ２５，ＦＬＡＴ ＰＡＮＥＬ ＤＩＳＰＬ
ＡＹ ９６’ Ｐａｒｔ５−３，ＮＨＫ 技術研究第３
１巻第１号 昭和５４年 ページ１８参照）。
であって、放電に伴って放電ガスから紫外線が放出さ
れ、この紫外線によって赤，緑，青の蛍光体が励起発光
されるが、放電エネルギの紫外線への変換する効率や、
蛍光体における可視光への変換効率が低いので、蛍光灯
のように高い輝度を得ることは難しい。この点に関し
て、応用物理Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．３ １９８２年 ペ
ージ３４４〜３４７には、Ｈｅ−Ｘｅ，Ｎｅ−Ｘｅ系の
ガス組成のＰＤＰにおいて、電気エネルギーの約２％し
か紫外線放射に利用されておらず、最終的に可視光に利
用されるのは０．２％程度ということが記載されている
（光学技術コンタクトＶｏｌ．３４，Ｎｏ．１ １９９
６年 ページ２５，ＦＬＡＴ ＰＡＮＥＬ ＤＩＳＰＬ
ＡＹ ９６’ Ｐａｒｔ５−３，ＮＨＫ 技術研究第３
１巻第１号 昭和５４年 ページ１８参照）。
【００１１】従って、ＰＤＰのセルの輝度を向上させる
ためには、発光効率を向上させることが重要と考えられ
る。次に、ＰＤＰの寿命について見ると、一般に、ＰＤ
Ｐの寿命を決定する要因としては、狭い放電空間内にプ
ラズマを閉じ込め紫外線を発生させるため蛍光体層が劣
下すること、並びに、誘電体ガラス層がガス放電によっ
てスパッタされて劣化することの２点が挙げられ、蛍光
体の長寿命化や誘電体ガラス層の劣化防止のための研究
が行われている。
ためには、発光効率を向上させることが重要と考えられ
る。次に、ＰＤＰの寿命について見ると、一般に、ＰＤ
Ｐの寿命を決定する要因としては、狭い放電空間内にプ
ラズマを閉じ込め紫外線を発生させるため蛍光体層が劣
下すること、並びに、誘電体ガラス層がガス放電によっ
てスパッタされて劣化することの２点が挙げられ、蛍光
体の長寿命化や誘電体ガラス層の劣化防止のための研究
が行われている。
【００１２】従来よりＰＤＰにおいては、誘電体ガラス
層の劣化を防止するため、図７に示すように、誘電体ガ
ラス層３の表面に、酸化マグネシウム［ＭｇＯ］からな
る保護層４を真空蒸着法によって形成している。保護層
４の性質としては、耐スパッタ性が良好で、２次電子の
放出量が大きいことが望ましいが、従来の真空蒸着法に
よって形成した酸化マグネシウム層では、十分な耐スパ
ッタ性を有する保護層を得ることが困難で、放電に伴っ
て保護層の２次電子の放出量が低下するという問題もあ
る。
層の劣化を防止するため、図７に示すように、誘電体ガ
ラス層３の表面に、酸化マグネシウム［ＭｇＯ］からな
る保護層４を真空蒸着法によって形成している。保護層
４の性質としては、耐スパッタ性が良好で、２次電子の
放出量が大きいことが望ましいが、従来の真空蒸着法に
よって形成した酸化マグネシウム層では、十分な耐スパ
ッタ性を有する保護層を得ることが困難で、放電に伴っ
て保護層の２次電子の放出量が低下するという問題もあ
る。
【００１３】本発明は、このような課題に鑑み、ＰＤＰ
において、放電エネルギの可視光への変換効率を向上さ
せることによってパネル輝度を向上させることを第１の
目的とし、誘電体ガラス層を保護する保護層を改善して
パネル寿命を向上させることを第２の目的とする。
において、放電エネルギの可視光への変換効率を向上さ
せることによってパネル輝度を向上させることを第１の
目的とし、誘電体ガラス層を保護する保護層を改善して
パネル寿命を向上させることを第２の目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】第１の目的を達成するた
め、本発明は、放電ガス中のＸｅの含有量を従来よりも
大きい１０体積％以上，１００体積％未満の範囲に設定
すると共に、放電ガスの圧力を従来よりも高い５００Ｔ
ｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒの範囲に設定した。この構成に
よってパネル輝度が向上されるのは、放電空間中のＸｅ
の量が増大することによって紫外線の発生量が多くなる
ことと、発光される紫外線の中でＸｅ分子の分子線によ
る励起波長（波長１７３ｎｍ）の比率が大きくなること
により蛍光体での可視光への変換効率が向上することと
によるものと考えられる。
め、本発明は、放電ガス中のＸｅの含有量を従来よりも
大きい１０体積％以上，１００体積％未満の範囲に設定
すると共に、放電ガスの圧力を従来よりも高い５００Ｔ
ｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒの範囲に設定した。この構成に
よってパネル輝度が向上されるのは、放電空間中のＸｅ
の量が増大することによって紫外線の発生量が多くなる
ことと、発光される紫外線の中でＸｅ分子の分子線によ
る励起波長（波長１７３ｎｍ）の比率が大きくなること
により蛍光体での可視光への変換効率が向上することと
によるものと考えられる。
【００１５】また、第２の目的を達成するため、本発明
は、誘電体ガラス層の表面に（１００）面または（１１
０）面配向したアルカリ土類の酸化物からなる保護層を
配設した。従来の真空蒸着法（ＥＢ法）によって形成し
た酸化マグネシウムの保護層は、結晶面が（１１１）面
に配向しているが、これと比べて、（１００）面または
（１１０）面配向したアルカリ土類の酸化物からなる保
護層は、膜が緻密で耐スパッタ性が良好であると共に２
次電子の放出量も大きい。
は、誘電体ガラス層の表面に（１００）面または（１１
０）面配向したアルカリ土類の酸化物からなる保護層を
配設した。従来の真空蒸着法（ＥＢ法）によって形成し
た酸化マグネシウムの保護層は、結晶面が（１１１）面
に配向しているが、これと比べて、（１００）面または
（１１０）面配向したアルカリ土類の酸化物からなる保
護層は、膜が緻密で耐スパッタ性が良好であると共に２
次電子の放出量も大きい。
【００１６】従って、誘電体ガラス層の劣化を抑制する
効果が優れると共に、放電電圧を低く維持する効果を奏
する。また、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法は、従来、
保護層の形成法として用いられなかったが、この方法で
（１００）面配向のアルカリ土類の酸化物からなる保護
層を形成すると、特にこれらの効果が優れたものとな
る。
効果が優れると共に、放電電圧を低く維持する効果を奏
する。また、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法は、従来、
保護層の形成法として用いられなかったが、この方法で
（１００）面配向のアルカリ土類の酸化物からなる保護
層を形成すると、特にこれらの効果が優れたものとな
る。
【００１７】
（ＰＤＰの全体的な構成及び製法）図１は、本実施の形
態に係る交流面放電型ＰＤＰの概略断面図である。図１
ではセルが１つだけ示されているが、赤，緑，青の各色
を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが構成されてい
る。
態に係る交流面放電型ＰＤＰの概略断面図である。図１
ではセルが１つだけ示されているが、赤，緑，青の各色
を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが構成されてい
る。
【００１８】このＰＤＰは、前面ガラス基板１１上に放
電電極１２と誘電体ガラス層１３が配された前面パネル
と、背面ガラス基板１５上にアドレス電極１６，隔壁１
７，蛍光体層１８が配された背面パネルとを張り合わ
せ、前面パネルと背面パネルの間に形成される放電空間
１９内に放電ガスが封入された構成となっており、以下
に示すように作製される。
電電極１２と誘電体ガラス層１３が配された前面パネル
と、背面ガラス基板１５上にアドレス電極１６，隔壁１
７，蛍光体層１８が配された背面パネルとを張り合わ
せ、前面パネルと背面パネルの間に形成される放電空間
１９内に放電ガスが封入された構成となっており、以下
に示すように作製される。
【００１９】前面パネルの作製：前面パネルは、前面ガ
ラス基板１１上に放電電極１２を形成し、その上を鉛系
の誘電体ガラス層１３で覆い、更に誘電体ガラス層１３
の表面上に保護層１４を形成することによって作製す
る。本実施の形態では、放電電極１２は銀電極であっ
て、銀電極用のペーストをスクリーン印刷した後に焼成
する方法で形成する。また、鉛系の誘電体ガラス層１３
の組成は、酸化鉛［ＰｂＯ］７５重量％，酸化硼素［Ｂ
2Ｏ3］１５重量％，酸化硅素［ＳｉＯ2］１０重量％で
あって、スクリーン印刷法と焼成によって形成する。
ラス基板１１上に放電電極１２を形成し、その上を鉛系
の誘電体ガラス層１３で覆い、更に誘電体ガラス層１３
の表面上に保護層１４を形成することによって作製す
る。本実施の形態では、放電電極１２は銀電極であっ
て、銀電極用のペーストをスクリーン印刷した後に焼成
する方法で形成する。また、鉛系の誘電体ガラス層１３
の組成は、酸化鉛［ＰｂＯ］７５重量％，酸化硼素［Ｂ
2Ｏ3］１５重量％，酸化硅素［ＳｉＯ2］１０重量％で
あって、スクリーン印刷法と焼成によって形成する。
【００２０】保護層１４は、アルカリ土類の酸化物から
なり、結晶が（１００）面に配向された緻密な膜構造と
なっている。本実施の形態では、ＣＶＤ法（熱ＣＶＤ
法，プラズマＣＶＤ法）を用いて、このような（１０
０）面配向の酸化マグネシウムからなる緻密な保護層を
形成する。具体的なＣＶＤ法による保護層の形成方法に
ついては後述する。
なり、結晶が（１００）面に配向された緻密な膜構造と
なっている。本実施の形態では、ＣＶＤ法（熱ＣＶＤ
法，プラズマＣＶＤ法）を用いて、このような（１０
０）面配向の酸化マグネシウムからなる緻密な保護層を
形成する。具体的なＣＶＤ法による保護層の形成方法に
ついては後述する。
【００２１】背面パネルの作製：背面ガラス基板１５上
に、銀電極用のペーストをスクリーン印刷しその後焼成
する方法によってアドレス電極１６を形成し、ガラス製
の隔壁１７を所定のピッチで固着する。そして、隔壁１
７に挟まれた各空間内に、赤色蛍光体，緑色蛍光体，青
色蛍光体の中の１つを配設することによって蛍光体層１
８を形成する。各色の蛍光体としては、一般的にＰＤＰ
に用いられている蛍光体を用いることができるが、ここ
では次の蛍光体を用いる。
に、銀電極用のペーストをスクリーン印刷しその後焼成
する方法によってアドレス電極１６を形成し、ガラス製
の隔壁１７を所定のピッチで固着する。そして、隔壁１
７に挟まれた各空間内に、赤色蛍光体，緑色蛍光体，青
色蛍光体の中の１つを配設することによって蛍光体層１
８を形成する。各色の蛍光体としては、一般的にＰＤＰ
に用いられている蛍光体を用いることができるが、ここ
では次の蛍光体を用いる。
【００２２】 赤色蛍光体： （ＹxＧｄ1-x）ＢＯ3：Ｅｕ3+ 緑色蛍光体： ＢａＡｌ12Ｏ19：Ｍｎ 青色蛍光体： ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ2+ パネル張り合わせによるＰＤＰの作製：次に、このよう
に作製した前面パネルと背面パネルとを封着用ガラスを
用いて張り合せると共に、隔壁１７で仕切られた放電空
間１９内を高真空（８×１０-7Ｔｏｒｒ）に排気した
後、所定の組成の放電ガスを所定の圧力で封入すること
によってＰＤＰを作製する。
に作製した前面パネルと背面パネルとを封着用ガラスを
用いて張り合せると共に、隔壁１７で仕切られた放電空
間１９内を高真空（８×１０-7Ｔｏｒｒ）に排気した
後、所定の組成の放電ガスを所定の圧力で封入すること
によってＰＤＰを作製する。
【００２３】なお、本実施の形態では、ＰＤＰのセルサ
イズは、４０インチクラスのハイビジョンテレビに適合
するよう、セルピッチを０．２ｍｍ以下、放電電極１２
の電極間距離ｄを０．１ｍｍ以下に設定する。封入する
放電ガスの組成は、従来から用いられているＨｅ−Ｘｅ
系，Ｎｅ−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量を１０体積％
以上に設定し、封入圧力は５００〜７６０Ｔｏｒｒの範
囲に設定する。
イズは、４０インチクラスのハイビジョンテレビに適合
するよう、セルピッチを０．２ｍｍ以下、放電電極１２
の電極間距離ｄを０．１ｍｍ以下に設定する。封入する
放電ガスの組成は、従来から用いられているＨｅ−Ｘｅ
系，Ｎｅ−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量を１０体積％
以上に設定し、封入圧力は５００〜７６０Ｔｏｒｒの範
囲に設定する。
【００２４】（ＣＶＤ法による保護層の形成について）
図２は、保護層１４を形成する際に用いるＣＶＤ装置の
概略図である。このＣＶＤ装置は、熱ＣＶＤ及びプラズ
マＣＶＤのいずれも行うことができるものであって、Ｃ
ＶＤ装置本体２５の中には、ガラス基板２７（図１にお
ける放電電極１２及び誘電体ガラス層１３を形成した前
面ガラス基板１１）を加熱するヒータ部２６が設けら
れ、ＣＶＤ装置本体２５内は排気装置２９で減圧にする
ことができるようになっている。また、ＣＶＤ装置本体
２５の中にプラズマを発生させるための高周波電源２８
が設置されている。
図２は、保護層１４を形成する際に用いるＣＶＤ装置の
概略図である。このＣＶＤ装置は、熱ＣＶＤ及びプラズ
マＣＶＤのいずれも行うことができるものであって、Ｃ
ＶＤ装置本体２５の中には、ガラス基板２７（図１にお
ける放電電極１２及び誘電体ガラス層１３を形成した前
面ガラス基板１１）を加熱するヒータ部２６が設けら
れ、ＣＶＤ装置本体２５内は排気装置２９で減圧にする
ことができるようになっている。また、ＣＶＤ装置本体
２５の中にプラズマを発生させるための高周波電源２８
が設置されている。
【００２５】Ａｒガスボンベ２１ａ，２１ｂは、キャリ
ヤであるアルゴン［Ａｒ］ガスを、気化器（バブラー）
２２，２３を経由してＣＶＤ装置本体２５に供給するも
のである。気化器２２は、アルカリ土類の酸化物の原料
（ソース）となる金属キレートを加熱して貯え、Ａｒガ
スボンベ２１ａからＡｒガスを吹き込むことによって、
この金属キレートを蒸発させてＣＶＤ装置本体２５に送
り込むことができるようになっている。
ヤであるアルゴン［Ａｒ］ガスを、気化器（バブラー）
２２，２３を経由してＣＶＤ装置本体２５に供給するも
のである。気化器２２は、アルカリ土類の酸化物の原料
（ソース）となる金属キレートを加熱して貯え、Ａｒガ
スボンベ２１ａからＡｒガスを吹き込むことによって、
この金属キレートを蒸発させてＣＶＤ装置本体２５に送
り込むことができるようになっている。
【００２６】気化器２３は、アルカリ土類の酸化物の原
料（ソース）となるシクロペンタジエニル化合物を加熱
して貯え、Ａｒガスボンベ２１ｂからＡｒガスを吹き込
むことによって、このシクロペンタジエニル化合物を蒸
発させてＣＶＤ装置本体２５に送り込むことができるよ
うになっている。酸素ボンベ２４は、反応ガスである酸
素［Ｏ2］をＣＶＤ装置本体２５に供給するものであ
る。
料（ソース）となるシクロペンタジエニル化合物を加熱
して貯え、Ａｒガスボンベ２１ｂからＡｒガスを吹き込
むことによって、このシクロペンタジエニル化合物を蒸
発させてＣＶＤ装置本体２５に送り込むことができるよ
うになっている。酸素ボンベ２４は、反応ガスである酸
素［Ｏ2］をＣＶＤ装置本体２５に供給するものであ
る。
【００２７】（１）このＣＶＤ装置を用いて熱ＣＶＤを
行う場合、ヒータ部２６の上に、誘電体ガラス層を上に
してガラス基板２７を置き、所定の温度（３５０〜４０
０℃、表１の「ガラス基板の加熱温度」参照）に加熱す
ると共に、反応容器内を排気装置２９で減圧にする（数
十Ｔｏｒｒ程度）。そして、気化器２２または気化器２
３で、ソースとなるアルカリ土類の金属キレートまたは
シクロペンタジエニル化合物を、所定の温度（表１の
「気化器の温度」参照）に加熱しながら、Ａｒガスボン
ベ２１ａまたは２１ｂからＡｒガスを送り込む。また、
これと同時に、酸素ボンベ２４から酸素を流す。
行う場合、ヒータ部２６の上に、誘電体ガラス層を上に
してガラス基板２７を置き、所定の温度（３５０〜４０
０℃、表１の「ガラス基板の加熱温度」参照）に加熱す
ると共に、反応容器内を排気装置２９で減圧にする（数
十Ｔｏｒｒ程度）。そして、気化器２２または気化器２
３で、ソースとなるアルカリ土類の金属キレートまたは
シクロペンタジエニル化合物を、所定の温度（表１の
「気化器の温度」参照）に加熱しながら、Ａｒガスボン
ベ２１ａまたは２１ｂからＡｒガスを送り込む。また、
これと同時に、酸素ボンベ２４から酸素を流す。
【００２８】これによって、ＣＶＤ装置本体２５内に送
り込まれる金属キレートもしくはシクロペンタジエニル
化合物が、酸素と反応し、ガラス基板２７の誘電体ガラ
ス層の表面上に、アルカリ土類の酸化物からなる保護層
が形成される。 （２）上記構成のＣＶＤ装置を用いて、プラズマＣＶＤ
を行う場合も、熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行うが、ヒ
ータ部２６によるガラス基板２７の加熱温度は２５０〜
３００℃程度（表１の「ガラス基板の加熱温度」参照）
に設定し、排気装置２９を用いて反応容器内を１０Ｔｏ
ｒｒ程度に減圧し、高周波電源２８を駆動して１３．５
６ＭＨｚの高周波電界を印加することにより、ＣＶＤ装
置本体２５内にプラズマを発生させながら、アルカリ土
類の酸化物からなる保護層を形成する。
り込まれる金属キレートもしくはシクロペンタジエニル
化合物が、酸素と反応し、ガラス基板２７の誘電体ガラ
ス層の表面上に、アルカリ土類の酸化物からなる保護層
が形成される。 （２）上記構成のＣＶＤ装置を用いて、プラズマＣＶＤ
を行う場合も、熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行うが、ヒ
ータ部２６によるガラス基板２７の加熱温度は２５０〜
３００℃程度（表１の「ガラス基板の加熱温度」参照）
に設定し、排気装置２９を用いて反応容器内を１０Ｔｏ
ｒｒ程度に減圧し、高周波電源２８を駆動して１３．５
６ＭＨｚの高周波電界を印加することにより、ＣＶＤ装
置本体２５内にプラズマを発生させながら、アルカリ土
類の酸化物からなる保護層を形成する。
【００２９】ところで、従来、保護層の形成に熱ＣＶＤ
法やプラズマＣＶＤ法が用いられなかった理由の一つと
して適当なソースが見つからなかった点が考えられる
が、本発明者等は、以下に示すようなソースを用いるこ
とによって熱ＣＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ法を用い
て保護層を形成することを可能とした。気化器２２及び
２３から供給するソース（金属キレート及びシクロペン
タジエニル化合物）の具体例としては、アルカリ土類の
ジピバロイルメタン化合物［Ｍ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］、ア
ルカリ土類のアセチルアセトン化合物［Ｍ（Ｃ5Ｈ
7Ｏ2）2］、アルカリ土類のトリフルオロアセチルアセ
トン化合物［Ｍ（Ｃ5Ｈ5Ｆ3Ｏ 2）2］、アルカリ土類の
シクロペンタジエン化合物［Ｍ（Ｃ5Ｈ5）2］を挙げる
ことができる（上記化学式で、Ｍはアルカリ土類の元素
を表す）。
法やプラズマＣＶＤ法が用いられなかった理由の一つと
して適当なソースが見つからなかった点が考えられる
が、本発明者等は、以下に示すようなソースを用いるこ
とによって熱ＣＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ法を用い
て保護層を形成することを可能とした。気化器２２及び
２３から供給するソース（金属キレート及びシクロペン
タジエニル化合物）の具体例としては、アルカリ土類の
ジピバロイルメタン化合物［Ｍ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］、ア
ルカリ土類のアセチルアセトン化合物［Ｍ（Ｃ5Ｈ
7Ｏ2）2］、アルカリ土類のトリフルオロアセチルアセ
トン化合物［Ｍ（Ｃ5Ｈ5Ｆ3Ｏ 2）2］、アルカリ土類の
シクロペンタジエン化合物［Ｍ（Ｃ5Ｈ5）2］を挙げる
ことができる（上記化学式で、Ｍはアルカリ土類の元素
を表す）。
【００３０】なお、本実施の形態では、アルカリ土類は
マグネシウムであって、MagnesiumDipivaloyl Methane
［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］、Magnesium Acetylacetone
［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2］、Cyclopentadienyl Magnesium
［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5）2］、Magnesium Trifluoroacetylacet
one［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5Ｆ3Ｏ2）2］をソースとして用いる。
マグネシウムであって、MagnesiumDipivaloyl Methane
［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］、Magnesium Acetylacetone
［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2］、Cyclopentadienyl Magnesium
［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5）2］、Magnesium Trifluoroacetylacet
one［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5Ｆ3Ｏ2）2］をソースとして用いる。
【００３１】そして、このように熱ＣＶＤ法或はプラズ
マＣＶＤ法によって保護層を形成すれば、アルカリ土類
の酸化物の結晶が緩やかに成長するようコントロールさ
れ、（１００）面配向の緻密なアルカリ土類の酸化物か
らなる保護層を形成することができる。 （保護層を（１００）面配向の酸化マグネシウムとした
ことによる効果）従来の真空蒸着法（ＥＢ法）によって
形成した酸化マグネシウムの保護層は、Ｘ線解析による
と、結晶が（１１１）面配向となっている（表２のＮ
ｏ．１５、表４のＮｏ．６７，６９参照）が、これと比
べて、（１００）面配向の酸化マグネシウムからなる保
護層は、以下のような特徴及び効果がある。
マＣＶＤ法によって保護層を形成すれば、アルカリ土類
の酸化物の結晶が緩やかに成長するようコントロールさ
れ、（１００）面配向の緻密なアルカリ土類の酸化物か
らなる保護層を形成することができる。 （保護層を（１００）面配向の酸化マグネシウムとした
ことによる効果）従来の真空蒸着法（ＥＢ法）によって
形成した酸化マグネシウムの保護層は、Ｘ線解析による
と、結晶が（１１１）面配向となっている（表２のＮ
ｏ．１５、表４のＮｏ．６７，６９参照）が、これと比
べて、（１００）面配向の酸化マグネシウムからなる保
護層は、以下のような特徴及び効果がある。
【００３２】＊（１００）面に配向した酸化マグネシウ
ムの層は、緻密であるため耐スパッタ性に優れ、誘電体
ガラス層の保護効果が大きい。従って、ＰＤＰの長寿命
化に寄与する。 ＊（１００）面に配向した酸化マグネシウムの層は二次
電子の放出係数（γ値）が大きいため、ＰＤＰの駆動電
圧の低下及びパネル輝度の向上に寄与する。
ムの層は、緻密であるため耐スパッタ性に優れ、誘電体
ガラス層の保護効果が大きい。従って、ＰＤＰの長寿命
化に寄与する。 ＊（１００）面に配向した酸化マグネシウムの層は二次
電子の放出係数（γ値）が大きいため、ＰＤＰの駆動電
圧の低下及びパネル輝度の向上に寄与する。
【００３３】＊（１１１）面に配向した酸化マグネシウ
ムの層は、各種配向面の中でも最も表面エネルギーの高
い面を形成するため、大気中の水分と反応して水酸化物
を形成しやすい（表面技術Ｖｏｌ．４１，Ｎｏ．４ １
９９０ ページ５０、 特開平５−３４２９９１号公報
参照）。そして、放電中にその水酸化物が分解して、２
次電子の放出量が低下するという問題があるが、（１０
０）面配向の酸化マグネシウムの層においては、そのよ
うな問題が生じにくい。
ムの層は、各種配向面の中でも最も表面エネルギーの高
い面を形成するため、大気中の水分と反応して水酸化物
を形成しやすい（表面技術Ｖｏｌ．４１，Ｎｏ．４ １
９９０ ページ５０、 特開平５−３４２９９１号公報
参照）。そして、放電中にその水酸化物が分解して、２
次電子の放出量が低下するという問題があるが、（１０
０）面配向の酸化マグネシウムの層においては、そのよ
うな問題が生じにくい。
【００３４】＊（１１１）面に配向した酸化マグネシウ
ムの層の場合、耐熱性は３５０℃以下であるが、（１０
０）面配向の酸化マグネシウムの層は耐熱性に優れるた
め、フロントカバープレートとバックプレートを張り合
わせて熱処理する工程において、４５０℃程度の高温で
熱処理することができる。 ＊パネルを張り合わせてＰＤＰを作製した後のエイジン
グ処理を、比較的短時間で行うことができる。
ムの層の場合、耐熱性は３５０℃以下であるが、（１０
０）面配向の酸化マグネシウムの層は耐熱性に優れるた
め、フロントカバープレートとバックプレートを張り合
わせて熱処理する工程において、４５０℃程度の高温で
熱処理することができる。 ＊パネルを張り合わせてＰＤＰを作製した後のエイジン
グ処理を、比較的短時間で行うことができる。
【００３５】このような特徴及び効果は、熱ＣＶＤ法や
プラズマＣＶＤ法で（１００）面配向の酸化マグネシウ
ムからなる保護層を形成した場合においては、特に顕緒
に見られる。 （放電ガス中のＸｅ量及び封入圧力と輝度との関係につ
いて）放電ガスのＸｅの含有量を１０体積％以上、封入
圧力を５００〜７６０Ｔｏｒｒに設定することによって
パネル輝度が向上する理由としては、次の２点が考えら
れる。
プラズマＣＶＤ法で（１００）面配向の酸化マグネシウ
ムからなる保護層を形成した場合においては、特に顕緒
に見られる。 （放電ガス中のＸｅ量及び封入圧力と輝度との関係につ
いて）放電ガスのＸｅの含有量を１０体積％以上、封入
圧力を５００〜７６０Ｔｏｒｒに設定することによって
パネル輝度が向上する理由としては、次の２点が考えら
れる。
【００３６】紫外線発光量が増大する：放電ガスのＸ
ｅの含有量を従来より大きく設定し、封入圧力も従来よ
り大きく設定したことによって、放電空間内に閉じ込め
られるＸｅの量が従来より大きくなり、その結果、紫外
線発光量が大きくなる。 紫外線の波長が長波長にシフトし、蛍光体の変換効率
が向上する：従来は、放電ガス中のＸｅの含有率は５重
量％以下、封入圧力も５００Ｔｏｒｒ未満であったた
め、Ｘｅからの紫外線発光は１４７ｎｍ（Ｘｅ原子の共
鳴線）が主であったが、Ｘｅの含有量を１０体積％以上
に設定し、封入圧力も５００Ｔｏｒｒ以上に設定するこ
とによって、長波長である１７３ｎｍ（Ｘｅ分子の分子
線による励起波長）の割合が増大し、これによって蛍光
体の変換効率が向上する（電気学会研究会資料，プラズ
マ研究会 １９９５年５月９日参照）。
ｅの含有量を従来より大きく設定し、封入圧力も従来よ
り大きく設定したことによって、放電空間内に閉じ込め
られるＸｅの量が従来より大きくなり、その結果、紫外
線発光量が大きくなる。 紫外線の波長が長波長にシフトし、蛍光体の変換効率
が向上する：従来は、放電ガス中のＸｅの含有率は５重
量％以下、封入圧力も５００Ｔｏｒｒ未満であったた
め、Ｘｅからの紫外線発光は１４７ｎｍ（Ｘｅ原子の共
鳴線）が主であったが、Ｘｅの含有量を１０体積％以上
に設定し、封入圧力も５００Ｔｏｒｒ以上に設定するこ
とによって、長波長である１７３ｎｍ（Ｘｅ分子の分子
線による励起波長）の割合が増大し、これによって蛍光
体の変換効率が向上する（電気学会研究会資料，プラズ
マ研究会 １９９５年５月９日参照）。
【００３７】これは、以下の説明からも裏づけられるこ
とである。図３は、Ｈｅ−Ｘｅ系の放電ガスを用いたＰ
ＤＰにおいて、封入ガス圧を変化させたときに、Ｘｅが
発光する紫外線の波長と発光量との関係がどのように変
化するかを示すグラフであって、「Ｏ Ｐｌｕｓ Ｅ
Ｎｏ．１９５ １９９６年のＰ．９８」に記載されてい
るものである。
とである。図３は、Ｈｅ−Ｘｅ系の放電ガスを用いたＰ
ＤＰにおいて、封入ガス圧を変化させたときに、Ｘｅが
発光する紫外線の波長と発光量との関係がどのように変
化するかを示すグラフであって、「Ｏ Ｐｌｕｓ Ｅ
Ｎｏ．１９５ １９９６年のＰ．９８」に記載されてい
るものである。
【００３８】図３から、封入圧力が低い場合には、Ｘｅ
から発光される紫外線は１４７ｎｍ（Ｘｅ原子の共鳴
線）が主であるが、封入圧力を高めるにつれて長波長の
１７３ｎｍの割合が増大することがわかる。また、図４
（ａ），（ｂ），（ｃ）は、各色蛍光体について励起波
長と相対放射効率との関係を示すグラフであって、「Ｏ
Ｐｌｕｓ Ｅ Ｎｏ．１９５ １９９６年のＰ．９
９」に記載されているものである。この図４から、いず
れの蛍光体についても、波長１４７ｎｍと比べて波長１
７３ｎｍの方が相対放射効率が大きいことがわかる。 （放電ガスの封入圧力，放電電極間の距離ｄと、パネル
の駆動電圧との関係についての考察）本実施の形態で
は、放電ガスにおけるＸｅの含有量及びガスの封入圧力
を従来より高く設定しているが、一般的には、Ｘｅの含
有量やガスの封入圧力を高くすると放電開始電圧Ｖｆが
大きくなり、ＰＤＰの駆動電圧が大きくなる点で不都合
と考えられている（「特開平６−３４２６３１号公報の
コラム２の第８行〜第１６行」、 「平成８年 電気学
会全国大会シンポジウム Ｓ３−１ プラズマディスプ
レイ放電，平成８年３月」参照）。
から発光される紫外線は１４７ｎｍ（Ｘｅ原子の共鳴
線）が主であるが、封入圧力を高めるにつれて長波長の
１７３ｎｍの割合が増大することがわかる。また、図４
（ａ），（ｂ），（ｃ）は、各色蛍光体について励起波
長と相対放射効率との関係を示すグラフであって、「Ｏ
Ｐｌｕｓ Ｅ Ｎｏ．１９５ １９９６年のＰ．９
９」に記載されているものである。この図４から、いず
れの蛍光体についても、波長１４７ｎｍと比べて波長１
７３ｎｍの方が相対放射効率が大きいことがわかる。 （放電ガスの封入圧力，放電電極間の距離ｄと、パネル
の駆動電圧との関係についての考察）本実施の形態で
は、放電ガスにおけるＸｅの含有量及びガスの封入圧力
を従来より高く設定しているが、一般的には、Ｘｅの含
有量やガスの封入圧力を高くすると放電開始電圧Ｖｆが
大きくなり、ＰＤＰの駆動電圧が大きくなる点で不都合
と考えられている（「特開平６−３４２６３１号公報の
コラム２の第８行〜第１６行」、 「平成８年 電気学
会全国大会シンポジウム Ｓ３−１ プラズマディスプ
レイ放電，平成８年３月」参照）。
【００３９】しかしながら、このような関係は、ある条
件の下では当てはまっても、常にあてはまるものではな
く、以下に説明するように、本実施形態のように放電電
極間の距離ｄが比較的小さく設定する場合には、封入圧
力を高く設定しても駆動電圧を低く抑えることができ
る。「電子ディスプレイデバイス，オーム社、昭和５９
年、Ｐ１１３〜１１４」に記載されているように、ＰＤ
Ｐにおいて、放電開始電圧Ｖｆは、Ｐとｄとの積［Ｐ×
ｄ］の関数として表すことができ、パッシェンの法則と
呼ばれている。
件の下では当てはまっても、常にあてはまるものではな
く、以下に説明するように、本実施形態のように放電電
極間の距離ｄが比較的小さく設定する場合には、封入圧
力を高く設定しても駆動電圧を低く抑えることができ
る。「電子ディスプレイデバイス，オーム社、昭和５９
年、Ｐ１１３〜１１４」に記載されているように、ＰＤ
Ｐにおいて、放電開始電圧Ｖｆは、Ｐとｄとの積［Ｐ×
ｄ］の関数として表すことができ、パッシェンの法則と
呼ばれている。
【００４０】図５は、この関数をグラフに表したもの
で、ＰＤＰの放電電極間の距離ｄが大きい場合（ｄ＝
０．１ｍｍ）と小さい場合（ｄ＝０．０５ｍｍ）におけ
る、放電ガスの封入圧力Ｐに対する放電開始電圧Ｖｆの
関係を示している。このグラフに示されるように、放電
ガスの封入圧力Ｐに対する放電開始電圧Ｖｆは、極小値
を有する曲線である。
で、ＰＤＰの放電電極間の距離ｄが大きい場合（ｄ＝
０．１ｍｍ）と小さい場合（ｄ＝０．０５ｍｍ）におけ
る、放電ガスの封入圧力Ｐに対する放電開始電圧Ｖｆの
関係を示している。このグラフに示されるように、放電
ガスの封入圧力Ｐに対する放電開始電圧Ｖｆは、極小値
を有する曲線である。
【００４１】そして、この極小値を示す封入圧力Ｐは、
ｄが小さいほど大きくなっており、ｄ＝０．１ｍｍのグ
ラフａでは約３００Ｔｏｒｒのときに極小値を示してい
るのに対して、ｄ＝０．０５ｍｍのグラフｂでは約６０
０Ｔｏｒｒのときに極小値を示している。これより、Ｐ
ＤＰの駆動電圧の低く抑えるためには、放電電極間の距
離ｄに対応する適当な封入圧力に設定することが好まし
く、この適当な圧力は、距離ｄが小さいほど大きくなる
ことがわかる。
ｄが小さいほど大きくなっており、ｄ＝０．１ｍｍのグ
ラフａでは約３００Ｔｏｒｒのときに極小値を示してい
るのに対して、ｄ＝０．０５ｍｍのグラフｂでは約６０
０Ｔｏｒｒのときに極小値を示している。これより、Ｐ
ＤＰの駆動電圧の低く抑えるためには、放電電極間の距
離ｄに対応する適当な封入圧力に設定することが好まし
く、この適当な圧力は、距離ｄが小さいほど大きくなる
ことがわかる。
【００４２】そして、放電電極間の距離ｄを０．１ｍｍ
以下（特に０．０５ｍｍ程度）に設定する場合には、放
電ガスの封入圧力を５００〜７６０Ｔｏｒｒ程度に設定
してもＰＤＰの駆動電圧を低く抑えることができると言
うこともできる。以上説明したように、本実施の形態の
ＰＤＰは、放電ガスのＸｅ含有量が１０体積％以上、封
入圧力が５００〜７６０Ｔｏｒｒに設定されているため
高いパネル輝度を得ることができると共に、放電電極間
の距離ｄが０．１ｍｍ以下に設定されているためＰＤＰ
の駆動電圧を低く抑えることができる。更に、保護層が
（１００）配向の緻密な酸化マグネシウムからなるため
保護効果に優れ、パネル寿命が優れたものとなる。
以下（特に０．０５ｍｍ程度）に設定する場合には、放
電ガスの封入圧力を５００〜７６０Ｔｏｒｒ程度に設定
してもＰＤＰの駆動電圧を低く抑えることができると言
うこともできる。以上説明したように、本実施の形態の
ＰＤＰは、放電ガスのＸｅ含有量が１０体積％以上、封
入圧力が５００〜７６０Ｔｏｒｒに設定されているため
高いパネル輝度を得ることができると共に、放電電極間
の距離ｄが０．１ｍｍ以下に設定されているためＰＤＰ
の駆動電圧を低く抑えることができる。更に、保護層が
（１００）配向の緻密な酸化マグネシウムからなるため
保護効果に優れ、パネル寿命が優れたものとなる。
【００４３】〔実施の形態２〕本実施の形態のＰＤＰ
は、全体的な構成及び製法については実施の形態１のＰ
ＤＰと同様であるが、（１００）面配向の緻密な酸化マ
グネシウムからなる保護層が、以下に示す印刷法によっ
て形成されている点が異なっている。 （印刷法による保護層の形成）結晶構造が板状のマグネ
シウム塩を、ペースト状にして誘電体ガラス層上に印刷
し、焼成することによって、（１００）面配向の緻密な
酸化マグネシウムからなる保護層を形成する。
は、全体的な構成及び製法については実施の形態１のＰ
ＤＰと同様であるが、（１００）面配向の緻密な酸化マ
グネシウムからなる保護層が、以下に示す印刷法によっ
て形成されている点が異なっている。 （印刷法による保護層の形成）結晶構造が板状のマグネ
シウム塩を、ペースト状にして誘電体ガラス層上に印刷
し、焼成することによって、（１００）面配向の緻密な
酸化マグネシウムからなる保護層を形成する。
【００４４】板状のマグネシウム塩としては、板状の炭
酸マグネシウム［ＭｇＣＯ3］，板状の水酸化マグネシ
ウム［Ｍｇ（ＯＨ）2］，板状結晶のシュウ酸マグネシ
ウム［ＭｇＣ2Ｏ4］等を挙げることができる。これらの
製法については、下記実施例１０〜１４において示す。
このように印刷法によって（１００）面配向の緻密な酸
化マグネシウムからなる保護層を形成した場合において
も、実施の形態１で説明した保護層の効果と同様の効果
を奏する。
酸マグネシウム［ＭｇＣＯ3］，板状の水酸化マグネシ
ウム［Ｍｇ（ＯＨ）2］，板状結晶のシュウ酸マグネシ
ウム［ＭｇＣ2Ｏ4］等を挙げることができる。これらの
製法については、下記実施例１０〜１４において示す。
このように印刷法によって（１００）面配向の緻密な酸
化マグネシウムからなる保護層を形成した場合において
も、実施の形態１で説明した保護層の効果と同様の効果
を奏する。
【００４５】〔実施の形態３〕本実施の形態のＰＤＰ
は、全体的な構成及び製法については実施の形態１のＰ
ＤＰと同様であるが、放電ガスにＡｒやＫｒが混合され
たガス、即ちＡｒ−Ｘｅ系，Ｋｒ−Ｘｅ系，Ａｒ−Ｎｅ
−Ｘｅ系，Ａｒ−Ｈｅ−Ｘｅ系，Ｋｒ−Ｎｅ−Ｘｅ系，
Ｋｒ−Ｈｅ−Ｘｅ系のガスを用いている点が異なってい
る。
は、全体的な構成及び製法については実施の形態１のＰ
ＤＰと同様であるが、放電ガスにＡｒやＫｒが混合され
たガス、即ちＡｒ−Ｘｅ系，Ｋｒ−Ｘｅ系，Ａｒ−Ｎｅ
−Ｘｅ系，Ａｒ−Ｈｅ−Ｘｅ系，Ｋｒ−Ｎｅ−Ｘｅ系，
Ｋｒ−Ｈｅ−Ｘｅ系のガスを用いている点が異なってい
る。
【００４６】このように、放電ガスに、ＡｒやＫｒを混
合することによって、更にパネル輝度を向上させること
ができるが、これは、Ｘｅの発光による紫外線中の１７
３ｎｍの割合が更に増大するためと考えられる。ここ
で、Ｘｅの含有量としては、７０重量％を越えると駆動
電圧が高くなる傾向を示すので、１０〜７０重量％の範
囲が好ましい。
合することによって、更にパネル輝度を向上させること
ができるが、これは、Ｘｅの発光による紫外線中の１７
３ｎｍの割合が更に増大するためと考えられる。ここ
で、Ｘｅの含有量としては、７０重量％を越えると駆動
電圧が高くなる傾向を示すので、１０〜７０重量％の範
囲が好ましい。
【００４７】また、Ａｒ−Ｎｅ−Ｘｅ系，Ａｒ−Ｈｅ−
Ｘｅ系，Ｋｒ−Ｎｅ−Ｘｅ系，Ｋｒ−Ｈｅ−Ｘｅ系とい
った３元系の場合、ＫｒやＡｒの含有量は１０〜５０重
量％の範囲とし、ＨｅやＮｅの含有量も１０〜５０重量
％の範囲とすることが好ましいと考えられる。また、本
実施の形態における保護層の形成方法は、実施の形態１
と同様に熱ＣＶＤ法或はプラズマＣＶＤ法によって（１
００）面配向の酸化マグネシウムの保護層を形成する方
法の他に、以下に示すようにイオンビームまたは電子ビ
ームを照射しながら酸化マグネシウムを蒸着することに
よって（１１０）面配向の酸化マグネシウムを形成する
方法を用いる。
Ｘｅ系，Ｋｒ−Ｎｅ−Ｘｅ系，Ｋｒ−Ｈｅ−Ｘｅ系とい
った３元系の場合、ＫｒやＡｒの含有量は１０〜５０重
量％の範囲とし、ＨｅやＮｅの含有量も１０〜５０重量
％の範囲とすることが好ましいと考えられる。また、本
実施の形態における保護層の形成方法は、実施の形態１
と同様に熱ＣＶＤ法或はプラズマＣＶＤ法によって（１
００）面配向の酸化マグネシウムの保護層を形成する方
法の他に、以下に示すようにイオンビームまたは電子ビ
ームを照射しながら酸化マグネシウムを蒸着することに
よって（１１０）面配向の酸化マグネシウムを形成する
方法を用いる。
【００４８】（イオンビーム又は電子ビームを照射しな
がらアルカリ土類の酸化物を蒸着させて保護層を形成す
る方法）図６は、本実施の形態のＰＤＰにおいて、保護
層を形成する際に用いるイオンビーム，電子ビーム照射
装置の概略図である。この装置において、真空チャンバ
ー４５内には、誘電体ガラス層が形成されたガラス基板
４１が装着されており、アルカリ土類の酸化物（本実施
の形態では酸化マグネシウム）を蒸発させる電子銃４２
が設けられている。
がらアルカリ土類の酸化物を蒸着させて保護層を形成す
る方法）図６は、本実施の形態のＰＤＰにおいて、保護
層を形成する際に用いるイオンビーム，電子ビーム照射
装置の概略図である。この装置において、真空チャンバ
ー４５内には、誘電体ガラス層が形成されたガラス基板
４１が装着されており、アルカリ土類の酸化物（本実施
の形態では酸化マグネシウム）を蒸発させる電子銃４２
が設けられている。
【００４９】イオンガン４３は、電子銃４２で蒸発させ
たアルカリ土類の酸化物にイオンビームを照射するもの
であり、電子銃４４は、電子銃４２で蒸発させたアルカ
リ土類の酸化物に電子ビームを照射するものである。こ
の装置を用いて、次のようにイオンビーム又は電子ビー
ムを照射しながらアルカリ土類の酸化物の蒸着を行う。
たアルカリ土類の酸化物にイオンビームを照射するもの
であり、電子銃４４は、電子銃４２で蒸発させたアルカ
リ土類の酸化物に電子ビームを照射するものである。こ
の装置を用いて、次のようにイオンビーム又は電子ビー
ムを照射しながらアルカリ土類の酸化物の蒸着を行う。
【００５０】先ず、誘電体ガラス層が形成されたガラス
基板４１を真空チャンバー４５内にセットし、アルカリ
土類の酸化物の結晶を電子銃４２の中に入れる。真空チ
ャンバー４５内を真空にして、基板４１を加熱する（１
５０℃）。そして、電子銃４２でアルカリ土類の酸化物
を蒸発させると共に、イオンガン４３もしくは電子銃４
４を用いてアルゴンのイオンビームもしくは電子ビーム
を基板４１に向けて照射することによって、アルカリ土
類の酸化物の保護層を形成する。
基板４１を真空チャンバー４５内にセットし、アルカリ
土類の酸化物の結晶を電子銃４２の中に入れる。真空チ
ャンバー４５内を真空にして、基板４１を加熱する（１
５０℃）。そして、電子銃４２でアルカリ土類の酸化物
を蒸発させると共に、イオンガン４３もしくは電子銃４
４を用いてアルゴンのイオンビームもしくは電子ビーム
を基板４１に向けて照射することによって、アルカリ土
類の酸化物の保護層を形成する。
【００５１】このように、イオンビームや電子ビームを
照射しながら蒸着する方法でアルカリ土類の酸化物の保
護層を形成することによって、アルカリ土類の酸化物の
結晶は緩やかに成長し配向性がコントロールされ、（１
１０）面配向の緻密なアルカリ土類の酸化物からなる保
護層を形成することができる。そして、この保護層は、
実施の形態１で説明した（１００）面配向の緻密なアル
カリ土類の酸化物の層とほぼ同様の効果を奏する。
照射しながら蒸着する方法でアルカリ土類の酸化物の保
護層を形成することによって、アルカリ土類の酸化物の
結晶は緩やかに成長し配向性がコントロールされ、（１
１０）面配向の緻密なアルカリ土類の酸化物からなる保
護層を形成することができる。そして、この保護層は、
実施の形態１で説明した（１００）面配向の緻密なアル
カリ土類の酸化物の層とほぼ同様の効果を奏する。
【００５２】〔実施の形態４〕本実施の形態のＰＤＰ
は、全体的な構成及び製法については実施の形態１のＰ
ＤＰと同様であるが、セルピッチは実施の形態１の場合
よりも大きく設定され、放電ガス［Ｈｅ−Ｘｅ系の混合
ガス］のＸｅ含有量は１０体積％未満に設定されてい
る。なお、電極間距離ｄについては、実施の形態１の場
合と同等もしくはより大きく設定されている。
は、全体的な構成及び製法については実施の形態１のＰ
ＤＰと同様であるが、セルピッチは実施の形態１の場合
よりも大きく設定され、放電ガス［Ｈｅ−Ｘｅ系の混合
ガス］のＸｅ含有量は１０体積％未満に設定されてい
る。なお、電極間距離ｄについては、実施の形態１の場
合と同等もしくはより大きく設定されている。
【００５３】また、本実施の形態では、保護層を形成す
る（１００）面配向した緻密なアルカリ土類の酸化物
が、酸化マグネシウム［ＭｇＯ］に限られず、酸化ベリ
リウム［ＢｅＯ］，酸化カルシウム［ＣａＯ］，酸化ス
トロンチウム［ＳｒＯ］，酸化バリウム［ＢａＯ］から
なるものもある。このような保護層は、実施の形態１で
説明した熱ＣＶＤ法或はプラズマＣＶＤ法によって、ア
ルカリ土類の種類に応じたソースを用いて形成すること
ができる。
る（１００）面配向した緻密なアルカリ土類の酸化物
が、酸化マグネシウム［ＭｇＯ］に限られず、酸化ベリ
リウム［ＢｅＯ］，酸化カルシウム［ＣａＯ］，酸化ス
トロンチウム［ＳｒＯ］，酸化バリウム［ＢａＯ］から
なるものもある。このような保護層は、実施の形態１で
説明した熱ＣＶＤ法或はプラズマＣＶＤ法によって、ア
ルカリ土類の種類に応じたソースを用いて形成すること
ができる。
【００５４】このように（１００）面配向した酸化ベリ
リウム，酸化カルシウム，酸化ストロンチウム，酸化バ
リウムからなる保護層も、実施の形態１で説明した（１
００）面配向した酸化マグネシウムの保護層とほぼ同様
の効果を奏する。なお、本実施の形態では、前面ガラス
基板上に形成される放電電極は、酸化スズ − 酸化アン
チモン、或は酸化インジウム − 酸化スズで構成されて
いる。
リウム，酸化カルシウム，酸化ストロンチウム，酸化バ
リウムからなる保護層も、実施の形態１で説明した（１
００）面配向した酸化マグネシウムの保護層とほぼ同様
の効果を奏する。なお、本実施の形態では、前面ガラス
基板上に形成される放電電極は、酸化スズ − 酸化アン
チモン、或は酸化インジウム − 酸化スズで構成されて
いる。
【００５５】
［実施例１〜９］
【００５６】
【表１】 表１に示したＮｏ．１〜９のＰＤＰは、上記実施の形態
１に基づいて作製したものであって、ＰＤＰのセルサイ
ズは、４２インチのハイビジョンテレビ用のディスプレ
イに合わせて、隔壁１７の高さは０．１５ｍｍ、隔壁１
７の間隔（セルピッチ）は０．１５ｍｍに設定し、放電
電極１２の電極間距離ｄは０．０５ｍｍに設定した。
１に基づいて作製したものであって、ＰＤＰのセルサイ
ズは、４２インチのハイビジョンテレビ用のディスプレ
イに合わせて、隔壁１７の高さは０．１５ｍｍ、隔壁１
７の間隔（セルピッチ）は０．１５ｍｍに設定し、放電
電極１２の電極間距離ｄは０．０５ｍｍに設定した。
【００５７】鉛系の誘電体ガラス層１３は、７５重量％
の酸化鉛［ＰｂＯ］と１５重量％の酸化硼素［Ｂ2Ｏ3］
と１０重量％の酸化硅素［ＳｉＯ2］と有機バインダー
［α− ターピネオールに１０％のエチルセルローズを
溶解したもの］とを混合してなる組成物を、スクリーン
印刷法で塗布した後、５２０℃で１０分間焼成すること
によって形成し、その膜厚は２０μｍに設定した。
の酸化鉛［ＰｂＯ］と１５重量％の酸化硼素［Ｂ2Ｏ3］
と１０重量％の酸化硅素［ＳｉＯ2］と有機バインダー
［α− ターピネオールに１０％のエチルセルローズを
溶解したもの］とを混合してなる組成物を、スクリーン
印刷法で塗布した後、５２０℃で１０分間焼成すること
によって形成し、その膜厚は２０μｍに設定した。
【００５８】放電ガスにおけるＨｅとＸｅの比率及び封
入圧力は、表１の各該当欄に示す条件に設定した。ただ
し、Ｎｏ．７〜９のＰＤＰは、表１に示すように、Ｎ
ｏ．７，９では放電ガス中のＸｅの比率を１０体積％未
満とし、Ｎｏ．７，８では放電ガスの封入圧力を５００
Ｔｏｒｒ未満とした。保護層の形成方法については、Ｎ
ｏ．１，３，５,７，８，９では保護層を熱ＣＶＤ法で
形成し、Ｎｏ．２，４，６では保護層をプラズマＣＶＤ
法で形成した。
入圧力は、表１の各該当欄に示す条件に設定した。ただ
し、Ｎｏ．７〜９のＰＤＰは、表１に示すように、Ｎ
ｏ．７，９では放電ガス中のＸｅの比率を１０体積％未
満とし、Ｎｏ．７，８では放電ガスの封入圧力を５００
Ｔｏｒｒ未満とした。保護層の形成方法については、Ｎ
ｏ．１，３，５,７，８，９では保護層を熱ＣＶＤ法で
形成し、Ｎｏ．２，４，６では保護層をプラズマＣＶＤ
法で形成した。
【００５９】また、Ｎｏ．１，２，７，８，９ではMagn
esium Dipivaloyl Methane［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］
を、Ｎｏ．３，４ではMagnesium Acetylacetone［Ｍｇ
（Ｃ5Ｈ 7Ｏ2）2］を、Ｎｏ．５，６ではCyclopentadien
yl Magnesium［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5）2］をソースとして用い
た。また、気化器２２，２３の温度、ガラス基板２７の
加熱温度は、表１の各欄に示す条件に設定して作製し
た。
esium Dipivaloyl Methane［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］
を、Ｎｏ．３，４ではMagnesium Acetylacetone［Ｍｇ
（Ｃ5Ｈ 7Ｏ2）2］を、Ｎｏ．５，６ではCyclopentadien
yl Magnesium［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ5）2］をソースとして用い
た。また、気化器２２，２３の温度、ガラス基板２７の
加熱温度は、表１の各欄に示す条件に設定して作製し
た。
【００６０】なお、熱ＣＶＤ法の場合、Ａｒガスの流量
は１ l／分、酸素の流量は２ l／分で、共に１分間流
し、膜形成速度は１．０μｍ／分に調整し、酸化マグネ
シウムの保護層の厚さは１．０μｍに設定した。プラズ
マＣＶＤ法の場合、Ａｒガスの流量は１ l／分、酸素の
流量は２ l／分として共に１分間流し、高周波の印加も
３００Ｗで１分間行い、膜形成速度は０．９μｍ／分に
調整し、形成する酸化マグネシウムの保護層の厚さは
０．９μｍに設定した。
は１ l／分、酸素の流量は２ l／分で、共に１分間流
し、膜形成速度は１．０μｍ／分に調整し、酸化マグネ
シウムの保護層の厚さは１．０μｍに設定した。プラズ
マＣＶＤ法の場合、Ａｒガスの流量は１ l／分、酸素の
流量は２ l／分として共に１分間流し、高周波の印加も
３００Ｗで１分間行い、膜形成速度は０．９μｍ／分に
調整し、形成する酸化マグネシウムの保護層の厚さは
０．９μｍに設定した。
【００６１】このように形成したＮｏ．１〜９の保護層
をＸ線解折した結果、いずれも酸化マグネシウムの結晶
が（１００）面に配向していることが確認された。 ［実施例１０〜１５］
をＸ線解折した結果、いずれも酸化マグネシウムの結晶
が（１００）面に配向していることが確認された。 ［実施例１０〜１５］
【００６２】
【表２】 表２に示したＮｏ．１０〜１５のＰＤＰは、セルサイズ
や放電電極１２の電極間距離ｄについては上記Ｎｏ．１
〜９のＰＤＰと同じに設定した。Ｎｏ．１０〜１４のＰ
ＤＰは、実施の形態２に基づいて作製したものであり、
Ｎｏ．１５のＰＤＰは、保護層を従来の真空蒸着法によ
って形成したものである。
や放電電極１２の電極間距離ｄについては上記Ｎｏ．１
〜９のＰＤＰと同じに設定した。Ｎｏ．１０〜１４のＰ
ＤＰは、実施の形態２に基づいて作製したものであり、
Ｎｏ．１５のＰＤＰは、保護層を従来の真空蒸着法によ
って形成したものである。
【００６３】Ｎｏ．１０では、板状のシュウ酸マグネシ
ウム［ＭｇＣ2Ｏ4］を、塩化マグネシウム［ＭｇＣ
ｌ2］水溶液にシュウ酸アンモニウム［ＮＨ4ＨＣ2Ｏ4］
を加えてシュウ酸マグネシウム水溶液を作成し、これを
１５０℃で加熱することによって作成した。Ｎｏ．１１
では、板状の炭酸マグネシウムを、塩化マグネシウム
［ＭｇＣｌ2］水溶液に炭酸アンモニウム［（ＮＨ4）2
ＣＯ3］を加えることによって作製した炭酸マグネシウ
ム［ＭｇＣＯ3］を、炭酸ガス［ＣＯ2］中で９００℃に
加熱することによって作製した。
ウム［ＭｇＣ2Ｏ4］を、塩化マグネシウム［ＭｇＣ
ｌ2］水溶液にシュウ酸アンモニウム［ＮＨ4ＨＣ2Ｏ4］
を加えてシュウ酸マグネシウム水溶液を作成し、これを
１５０℃で加熱することによって作成した。Ｎｏ．１１
では、板状の炭酸マグネシウムを、塩化マグネシウム
［ＭｇＣｌ2］水溶液に炭酸アンモニウム［（ＮＨ4）2
ＣＯ3］を加えることによって作製した炭酸マグネシウ
ム［ＭｇＣＯ3］を、炭酸ガス［ＣＯ2］中で９００℃に
加熱することによって作製した。
【００６４】Ｎｏ．１２〜１４では、板状の水酸化マグ
ネシウムを、塩化マグネシウム［ＭｇＣｌ2］水溶液に
水酸化ナトリウム［ＮａＯＨ］を加えることによって作
製した水酸化マグネシウム［Ｍｇ（ＯＨ）2］を、５気
圧に加圧され９００℃に加熱された水酸化ナトリウム中
で加圧加熱することによって作製した。このように作製
した板状の各マグネシウム塩を、３本ロールで、有機バ
インダ［１０重量％のエチルセルロースを９０重量％の
ターピネオールに溶解した溶液］と混練してペーストを
作製し、これをスクリーン印刷法によって誘電体ガラス
層上に３．５μｍの膜厚で印刷した。
ネシウムを、塩化マグネシウム［ＭｇＣｌ2］水溶液に
水酸化ナトリウム［ＮａＯＨ］を加えることによって作
製した水酸化マグネシウム［Ｍｇ（ＯＨ）2］を、５気
圧に加圧され９００℃に加熱された水酸化ナトリウム中
で加圧加熱することによって作製した。このように作製
した板状の各マグネシウム塩を、３本ロールで、有機バ
インダ［１０重量％のエチルセルロースを９０重量％の
ターピネオールに溶解した溶液］と混練してペーストを
作製し、これをスクリーン印刷法によって誘電体ガラス
層上に３．５μｍの膜厚で印刷した。
【００６５】そして、５００℃で２０分間焼成すること
によって膜厚約１．７μｍの酸化マグネシウムの保護層
を形成した。このように形成したＮｏ．１０〜１４の保
護層をＸ線解折した結果、いずれも酸化マグネシウムの
結晶が（１００）面に配向していることが確認された。
Ｎｏ．１５では、保護層を、酸化マグネシウムを電子ビ
ームで加熱して蒸着させる真空蒸着法によって形成し
た。この保護層をＸ線解折した結果、酸化マグネシウム
が（１１１）面に配向していることが確認された。
によって膜厚約１．７μｍの酸化マグネシウムの保護層
を形成した。このように形成したＮｏ．１０〜１４の保
護層をＸ線解折した結果、いずれも酸化マグネシウムの
結晶が（１００）面に配向していることが確認された。
Ｎｏ．１５では、保護層を、酸化マグネシウムを電子ビ
ームで加熱して蒸着させる真空蒸着法によって形成し
た。この保護層をＸ線解折した結果、酸化マグネシウム
が（１１１）面に配向していることが確認された。
【００６６】［実施例１６〜３４］
【００６７】
【表３】 表３に示すＮｏ．１６〜３４のＰＤＰは、実施の形態３
に基づいて作製したものであって、放電ガスは「放電ガ
スの種類と比率」の欄に記載されている組成のものを用
い、「封入ガス圧力」の欄に記載されている封入圧力に
設置した。保護膜の形成については、Ｎｏ．１６，２７
では熱ＣＶＤ法、Ｎｏ．１７，２３，２４，２８，３
２，３３ではプラズマＣＶＤ法によって、マグネシウム
ジピバロイルメタン［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］をソース
として用い、実施の形態１と同様の方法で形成した。
に基づいて作製したものであって、放電ガスは「放電ガ
スの種類と比率」の欄に記載されている組成のものを用
い、「封入ガス圧力」の欄に記載されている封入圧力に
設置した。保護膜の形成については、Ｎｏ．１６，２７
では熱ＣＶＤ法、Ｎｏ．１７，２３，２４，２８，３
２，３３ではプラズマＣＶＤ法によって、マグネシウム
ジピバロイルメタン［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2］をソース
として用い、実施の形態１と同様の方法で形成した。
【００６８】また、Ｎｏ．１８，２１，２２，２５，２
６，３４ではイオンビーム（電流１０ｍＡ）を照射しな
がら酸化マグネシウムを蒸着する方法で、Ｎｏ．１９，
２０，３０，３１では電子ビーム（電流１０ｍＡ）を照
射しながら酸化マグネシウムを蒸着する方法で、膜厚５
０００Ａの保護層を形成した。保護層についてのＸ線解
析を行なった結果、イオンビームや電子ビームを照射し
ながら酸化マグネシウムを蒸着する方法で形成したもの
は、いずれも結晶面が（１１０）面に配向していること
が確認された。
６，３４ではイオンビーム（電流１０ｍＡ）を照射しな
がら酸化マグネシウムを蒸着する方法で、Ｎｏ．１９，
２０，３０，３１では電子ビーム（電流１０ｍＡ）を照
射しながら酸化マグネシウムを蒸着する方法で、膜厚５
０００Ａの保護層を形成した。保護層についてのＸ線解
析を行なった結果、イオンビームや電子ビームを照射し
ながら酸化マグネシウムを蒸着する方法で形成したもの
は、いずれも結晶面が（１１０）面に配向していること
が確認された。
【００６９】［実施例３５〜６６］
【００７０】
【表４】 表４に示すＮｏ．３５〜６６のＰＤＰは、上記実施の形
態４に基づいて作製したものであって、隔壁の高さは
０．２ｍｍ，隔壁の間隔（セルピッチ）は０．３ｍｍ、
放電電極の電極間距離ｄは０．０５ｍｍに設定した。ま
た、放電ガスはＸｅを５体積％含有するＨｅ−Ｘｅ混合
ガスであり、封入圧力は５００Ｔｏｒｒに設定した。
態４に基づいて作製したものであって、隔壁の高さは
０．２ｍｍ，隔壁の間隔（セルピッチ）は０．３ｍｍ、
放電電極の電極間距離ｄは０．０５ｍｍに設定した。ま
た、放電ガスはＸｅを５体積％含有するＨｅ−Ｘｅ混合
ガスであり、封入圧力は５００Ｔｏｒｒに設定した。
【００７１】放電電極は、１０重量％の酸化スズ［Ｓｎ
Ｏ2］を含む酸化インジウム［Ｉｎ2Ｏ3］から成り、ス
パッタ法とフォトリソグラフィー法とを組み合わせた製
法で形成した。保護層は、熱ＣＶＤ法またはプラズマＣ
ＶＤ法で、表４の「ＣＶＤ原料」の欄に示す各種アルカ
リ土類の金属キレートもしくはシクロペンタジエニル化
合物をソースとして用い、「アルカリ土類酸化物の種
類」の欄に示す酸化マグネシウム，酸化ベリリウム，酸
化カルシウム，酸化ストロンチウム，酸化バリウムの層
を形成した。
Ｏ2］を含む酸化インジウム［Ｉｎ2Ｏ3］から成り、ス
パッタ法とフォトリソグラフィー法とを組み合わせた製
法で形成した。保護層は、熱ＣＶＤ法またはプラズマＣ
ＶＤ法で、表４の「ＣＶＤ原料」の欄に示す各種アルカ
リ土類の金属キレートもしくはシクロペンタジエニル化
合物をソースとして用い、「アルカリ土類酸化物の種
類」の欄に示す酸化マグネシウム，酸化ベリリウム，酸
化カルシウム，酸化ストロンチウム，酸化バリウムの層
を形成した。
【００７２】これらの保護層についてＸ線解析を行なっ
た結果、いずれも（１００）面に配向していることが確
認された。 ［比較例］表４に示すＮｏ．６７〜６９のＰＤＰも、Ｎ
ｏ．３５〜６６のＰＤＰと同様に作製したものである
が、保護層の形成方法が異なっており、Ｎｏ．６７では
酸化マグネシウムを電子ビームで加熱して蒸着させる真
空蒸着法、Ｎｏ．６８では酸化マグネシウムをターゲッ
トとするスパッタリング法、Ｎｏ．６９では酸化マグネ
シウムのペーストを用いたスクリーン印刷法によって保
護層を形成した。
た結果、いずれも（１００）面に配向していることが確
認された。 ［比較例］表４に示すＮｏ．６７〜６９のＰＤＰも、Ｎ
ｏ．３５〜６６のＰＤＰと同様に作製したものである
が、保護層の形成方法が異なっており、Ｎｏ．６７では
酸化マグネシウムを電子ビームで加熱して蒸着させる真
空蒸着法、Ｎｏ．６８では酸化マグネシウムをターゲッ
トとするスパッタリング法、Ｎｏ．６９では酸化マグネ
シウムのペーストを用いたスクリーン印刷法によって保
護層を形成した。
【００７３】これらの保護層についてＸ線解析を行なっ
た結果、Ｎｏ．６７及びＮｏ．６９では保護層の酸化マ
グネシウムが（１１１）面に配向していることが確認さ
れた。また、Ｎｏ．６８では保護層の酸化マグネシウム
が（１００）面に配向していることが確認されたが、ス
パッタリング法によって形成しているため、酸化マグネ
シウムの層が緻密には形成されていないものと考えられ
る。
た結果、Ｎｏ．６７及びＮｏ．６９では保護層の酸化マ
グネシウムが（１１１）面に配向していることが確認さ
れた。また、Ｎｏ．６８では保護層の酸化マグネシウム
が（１００）面に配向していることが確認されたが、ス
パッタリング法によって形成しているため、酸化マグネ
シウムの層が緻密には形成されていないものと考えられ
る。
【００７４】〈実験の部〉 （実験１）紫外線波長並びにパネルの輝度（初期値）の
測定 実験方法：Ｎｏ．１〜１５のＰＤＰについては、放電維
持電圧１５０Ｖ，周波数３０ＫＨｚで駆動させた時の紫
外線波長、パネルの輝度（初期値）を測定した。
測定 実験方法：Ｎｏ．１〜１５のＰＤＰについては、放電維
持電圧１５０Ｖ，周波数３０ＫＨｚで駆動させた時の紫
外線波長、パネルの輝度（初期値）を測定した。
【００７５】Ｎｏ．１６〜Ｎｏ．３４のＰＤＰについて
は、放電維持電圧１７０Ｖ，周波数３０ＫＨｚで駆動さ
せた時の紫外線波長、パネルの輝度（初期値）を測定し
た。 結果と考察：表１〜３に示されるように、Ｎｏ．７〜９
のＰＤＰでは、主に波長１４７ｎｍを中心とするＸｅの
共鳴線が観測され、低いパネル輝度（２００ｃｄ／ｍ2
程度）を示したのに対して、Ｎｏ．１〜６及びＮｏ．１
０〜３４のＰＤＰでは、主に波長１７３ｎｍを中心とす
るＸｅの分子線が観測され、高いパネル輝度（４００ｃ
ｄ／ｍ2程度以上）を示した。中でもＮｏ．１６〜Ｎ
ｏ．３４のＰＤＰは、高いパネル輝度（５００ｃｄ／ｍ
2程度以上）を示した。
は、放電維持電圧１７０Ｖ，周波数３０ＫＨｚで駆動さ
せた時の紫外線波長、パネルの輝度（初期値）を測定し
た。 結果と考察：表１〜３に示されるように、Ｎｏ．７〜９
のＰＤＰでは、主に波長１４７ｎｍを中心とするＸｅの
共鳴線が観測され、低いパネル輝度（２００ｃｄ／ｍ2
程度）を示したのに対して、Ｎｏ．１〜６及びＮｏ．１
０〜３４のＰＤＰでは、主に波長１７３ｎｍを中心とす
るＸｅの分子線が観測され、高いパネル輝度（４００ｃ
ｄ／ｍ2程度以上）を示した。中でもＮｏ．１６〜Ｎ
ｏ．３４のＰＤＰは、高いパネル輝度（５００ｃｄ／ｍ
2程度以上）を示した。
【００７６】これより、放電ガスのＸｅの含有量を１０
体積％以上とし、封入圧力を５００Ｔｏｒｒ以上とする
ことによって、パネル輝度向上の顕著な効果が得られる
ことがわかり、また、放電ガスにＫｒやＡｒを混入させ
ることによって更に高いパネル輝度が得られることがわ
かる。なお、Ｎｏ．１５のＰＤＰは、Ｎｏ．１〜６及び
Ｎｏ．１０〜１４のＰＤＰと比べてパネル輝度が若干低
いが、これは、保護層が（１１１）面配向の酸化マグネ
シウムからなるので、（１００）面配向の酸化マグネシ
ウムの場合と比べて、保護層の２次電子の放出量が低い
ためと考えられる。
体積％以上とし、封入圧力を５００Ｔｏｒｒ以上とする
ことによって、パネル輝度向上の顕著な効果が得られる
ことがわかり、また、放電ガスにＫｒやＡｒを混入させ
ることによって更に高いパネル輝度が得られることがわ
かる。なお、Ｎｏ．１５のＰＤＰは、Ｎｏ．１〜６及び
Ｎｏ．１０〜１４のＰＤＰと比べてパネル輝度が若干低
いが、これは、保護層が（１１１）面配向の酸化マグネ
シウムからなるので、（１００）面配向の酸化マグネシ
ウムの場合と比べて、保護層の２次電子の放出量が低い
ためと考えられる。
【００７７】（実験２）パネル輝度及び放電維持電圧の
変化率の測定 実験方法：Ｎｏ．１〜１５、Ｎｏ．３５〜６９のＰＤＰ
については、初期の放電維持電圧１５０Ｖ，周波数３０
ＫＨｚで７０００時間駆動し、パネル輝度の変化率及び
放電維持電圧の変化率（初期値に対する７０００時間駆
動後の値の変化率）を測定した。
変化率の測定 実験方法：Ｎｏ．１〜１５、Ｎｏ．３５〜６９のＰＤＰ
については、初期の放電維持電圧１５０Ｖ，周波数３０
ＫＨｚで７０００時間駆動し、パネル輝度の変化率及び
放電維持電圧の変化率（初期値に対する７０００時間駆
動後の値の変化率）を測定した。
【００７８】Ｎｏ．１６〜Ｎｏ．３４のＰＤＰパネルに
ついては、初期の放電維持電圧１７０Ｖ，周波数３０Ｋ
Ｈｚで５０００時間駆動した後のパネルの輝度の変化率
及び放電維持電圧の変化率を測定した。 結果と考察：表１，２に示されるように、Ｎｏ．１〜６
及びＮｏ．１０〜１４のＰＤＰでは、Ｎｏ．７〜９のＰ
ＤＰと比べて、パネル輝度の変化率が小さい。また、表
３に示されるように、Ｎｏ．１６〜３４のＰＤＰでは、
パネル輝度の変化率及び放電維持電圧の変化率が全体的
に小さい値を示している。
ついては、初期の放電維持電圧１７０Ｖ，周波数３０Ｋ
Ｈｚで５０００時間駆動した後のパネルの輝度の変化率
及び放電維持電圧の変化率を測定した。 結果と考察：表１，２に示されるように、Ｎｏ．１〜６
及びＮｏ．１０〜１４のＰＤＰでは、Ｎｏ．７〜９のＰ
ＤＰと比べて、パネル輝度の変化率が小さい。また、表
３に示されるように、Ｎｏ．１６〜３４のＰＤＰでは、
パネル輝度の変化率及び放電維持電圧の変化率が全体的
に小さい値を示している。
【００７９】これより、ＰＤＰの放電ガスのＸｅの含有
量を１０体積％以上とし、封入圧力を５００Ｔｏｒｒ以
上に設定することによって、パネル輝度の変化も小さく
なることがわかる。また、Ｎｏ．１〜１４のＰＤＰは、
Ｎｏ．１５のＰＤＰと比べて、パネル輝度の変化率及び
放電維持電圧の変化率が小さいが、これは、保護層が
（１００）面配向の酸化マグネシウムからなる場合に
は、（１１１）面配向の場合と比べて耐スパッタリング
性が高く、誘電体ガラス層の保護効果が大きいことを示
している。
量を１０体積％以上とし、封入圧力を５００Ｔｏｒｒ以
上に設定することによって、パネル輝度の変化も小さく
なることがわかる。また、Ｎｏ．１〜１４のＰＤＰは、
Ｎｏ．１５のＰＤＰと比べて、パネル輝度の変化率及び
放電維持電圧の変化率が小さいが、これは、保護層が
（１００）面配向の酸化マグネシウムからなる場合に
は、（１１１）面配向の場合と比べて耐スパッタリング
性が高く、誘電体ガラス層の保護効果が大きいことを示
している。
【００８０】表４では、Ｎｏ．３５〜６６のＰＤＰにお
いては、パネル輝度の変化率及び放電維持電圧の変化率
が小さい値を示し、Ｎｏ．６７〜６９のＰＤＰにおいて
は、大きい値を示している。これより、熱ＣＶＤ法、プ
ラズマＣＶＤ法、或はイオンビームや電子ビームを照射
しながら蒸着する方法によって形成した（１００）面配
向または（１１０面）配向のアルカリ土類の酸化物から
なる保護層は、（１１１）面配向のものと比べて、一般
的に耐スパッタリング性が高く、誘電体ガラス層の保護
効果が大きいことがわかる。但し、Ｎｏ．６７のＰＤＰ
のように、保護層が（１００）面配向のアルカリ土類の
酸化物からなるものであってもスパッタリング法で形成
されたものはパネル輝度の変化率及び放電維持電圧の変
化率が大きく、誘電体ガラス層の保護効果が小さいこと
もわかる。
いては、パネル輝度の変化率及び放電維持電圧の変化率
が小さい値を示し、Ｎｏ．６７〜６９のＰＤＰにおいて
は、大きい値を示している。これより、熱ＣＶＤ法、プ
ラズマＣＶＤ法、或はイオンビームや電子ビームを照射
しながら蒸着する方法によって形成した（１００）面配
向または（１１０面）配向のアルカリ土類の酸化物から
なる保護層は、（１１１）面配向のものと比べて、一般
的に耐スパッタリング性が高く、誘電体ガラス層の保護
効果が大きいことがわかる。但し、Ｎｏ．６７のＰＤＰ
のように、保護層が（１００）面配向のアルカリ土類の
酸化物からなるものであってもスパッタリング法で形成
されたものはパネル輝度の変化率及び放電維持電圧の変
化率が大きく、誘電体ガラス層の保護効果が小さいこと
もわかる。
【００８１】これは、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、
或はイオンビームや電子ビームを照射しながら蒸着する
方法で保護層を形成する場合は、アルカリ土類の酸化物
の結晶の成長を緩やかにコントロールすることができ、
（１００）面配向或は（１１０）面配向の緻密な層が形
成されるのに対して、スパッタリング法で保護層を形成
する場合は、結晶の成長を緩やかにコントロールするこ
とができず、（１００）面配向となっても層が緻密に形
成されないためと考えられる。
或はイオンビームや電子ビームを照射しながら蒸着する
方法で保護層を形成する場合は、アルカリ土類の酸化物
の結晶の成長を緩やかにコントロールすることができ、
（１００）面配向或は（１１０）面配向の緻密な層が形
成されるのに対して、スパッタリング法で保護層を形成
する場合は、結晶の成長を緩やかにコントロールするこ
とができず、（１００）面配向となっても層が緻密に形
成されないためと考えられる。
【００８２】（その他の事項） ＊表１〜４の「気化器の温度」、「ガラス基板の加熱温
度」、「パネル焼成温度」、「印刷膜厚」、「Ａｒガス
流量」、「Ｏ2ガス流量」の欄に示されている各数値
は、各アルカリ土類の原料に対して最適と考えられる数
値を示したものである。
度」、「パネル焼成温度」、「印刷膜厚」、「Ａｒガス
流量」、「Ｏ2ガス流量」の欄に示されている各数値
は、各アルカリ土類の原料に対して最適と考えられる数
値を示したものである。
【００８３】＊表４に示されるパネルの輝度の変化率や
放電維持電圧の変化率の結果は、放電ガス中のＸｅの含
有量が５体積％のＰＤＰについてのものであるが、放電
ガス中のＸｅの含有量を１０体積％以上とした場合にお
いても、これと同様の結果が得られる。 ＊上記実施の形態のＰＤＰでは、隔壁１７を背面ガラス
基板１５上に固着して背面パネルを構成する例を示した
が、本発明は、これに限定されることなく、例えば隔壁
が前面パネル側に取り付けられたもの等にも適用でき、
一般的なＡＣ型のＰＤＰに対して適用することができ
る。
放電維持電圧の変化率の結果は、放電ガス中のＸｅの含
有量が５体積％のＰＤＰについてのものであるが、放電
ガス中のＸｅの含有量を１０体積％以上とした場合にお
いても、これと同様の結果が得られる。 ＊上記実施の形態のＰＤＰでは、隔壁１７を背面ガラス
基板１５上に固着して背面パネルを構成する例を示した
が、本発明は、これに限定されることなく、例えば隔壁
が前面パネル側に取り付けられたもの等にも適用でき、
一般的なＡＣ型のＰＤＰに対して適用することができ
る。
【００８４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＰＤＰ
は、放電ガス中のＸｅの含有量を従来よりも大きい１０
体積％以上，１００体積％未満の範囲に設定すると共
に、放電ガスの圧力を従来よりも高い５００Ｔｏｒｒ〜
７６０Ｔｏｒｒの範囲に設定することによって、従来の
ＰＤＰと比べて高いパネル輝度を得ることができる。
は、放電ガス中のＸｅの含有量を従来よりも大きい１０
体積％以上，１００体積％未満の範囲に設定すると共
に、放電ガスの圧力を従来よりも高い５００Ｔｏｒｒ〜
７６０Ｔｏｒｒの範囲に設定することによって、従来の
ＰＤＰと比べて高いパネル輝度を得ることができる。
【００８５】特に、放電ガスを、Ａｒ−Ｘｅ系，Ｋｒ−
Ｘｅ系，Ａｒ−Ｎｅ−Ｘｅ系，Ａｒ−Ｈｅ−Ｘｅ系，Ｋ
ｒ−Ｎｅ−Ｘｅ系，Ｋｒ−Ｈｅ−Ｘｅ系とすることによ
り、高いパネル輝度を得ることができる。更に、本発明
は、誘電体ガラス層の表面に（１００）面または（１１
０）面配向したアルカリ土類の酸化物からなる保護層を
配設することによって、誘電体ガラス層の劣化を抑制す
る効果を優れたものとし、放電電圧を低く維持すること
ができる。
Ｘｅ系，Ａｒ−Ｎｅ−Ｘｅ系，Ａｒ−Ｈｅ−Ｘｅ系，Ｋ
ｒ−Ｎｅ−Ｘｅ系，Ｋｒ−Ｈｅ−Ｘｅ系とすることによ
り、高いパネル輝度を得ることができる。更に、本発明
は、誘電体ガラス層の表面に（１００）面または（１１
０）面配向したアルカリ土類の酸化物からなる保護層を
配設することによって、誘電体ガラス層の劣化を抑制す
る効果を優れたものとし、放電電圧を低く維持すること
ができる。
【００８６】特に、保護層を、熱化学蒸着法もしくはプ
ラズマ化学蒸着法で、アルカリ土類の有機金属化合物及
び酸素を用いて形成することにより、優れた効果を得る
ことができる。
ラズマ化学蒸着法で、アルカリ土類の有機金属化合物及
び酸素を用いて形成することにより、優れた効果を得る
ことができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る交流面放電型ＰＤ
Ｐの概略断面図である。
Ｐの概略断面図である。
【図２】保護層１４を形成する際に用いるＣＶＤ装置の
概略図である。
概略図である。
【図３】Ｈｅ−Ｘｅ系の放電ガスを用いたＰＤＰにおい
て、封入ガス圧を変化させたときの、Ｘｅが発光する紫
外線の波長と発光量との関係を示す特性図である。
て、封入ガス圧を変化させたときの、Ｘｅが発光する紫
外線の波長と発光量との関係を示す特性図である。
【図４】各色蛍光体について励起波長と相対放射効率と
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図５】ＰＤＰの放電電極間の距離ｄが大きい場合と小
さい場合における、放電ガスの封入圧力Ｐに対する放電
開始電圧Ｖｆの関係を示す特性図である。
さい場合における、放電ガスの封入圧力Ｐに対する放電
開始電圧Ｖｆの関係を示す特性図である。
【図６】実施の形態３のＰＤＰにおいて、保護層を形成
する際に用いるイオンビーム，電子ビーム照射装置の概
略図である。
する際に用いるイオンビーム，電子ビーム照射装置の概
略図である。
【図７】従来の一般的な交流面放電型ＰＤＰの概略断面
図である。
図である。
１ フロントカバープレート ２ 表示電極 ３ 誘電体ガラス層 ４ 保護層 ５ バックプレート ６ アドレス電極 ７ 隔壁 ８ 蛍光体層 ９ 放電空間 １１ 前面ガラス基板 １２ 放電電極 １３ 誘電体ガラス層 １４ 保護層 １５ 背面ガラス基板 １６ アドレス電極 １７ 隔壁 １８ 蛍光体層 １９ 放電空間 ２２，２３ 気化器 ２５ ＣＶＤ装置本体 ２６ ヒーター部 ２７ ガラス基板 ２８ 高周波電源 ２９ 排気装置 ４１ ガラス基板 ４２ 電子銃 ４３ イオンガン ４４ 電子銃 ４５ 真空チャンバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平8−16326 (32)優先日 平成８年２月１日(1996．2．1) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 大谷 光弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 井波 敬 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 河村 浩幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 田中 博由 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 村井 隆一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 西村 豊 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 石倉 靖久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 山下 勝義 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−205642（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−185945（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−296718（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−287833（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 11/02 H01J 9/02 H01J 11/00
Claims (20)
- 【請求項１】 第１の電極及び誘電体ガラス層が配設さ
れたフロントカバープレートと、 第２の電極及び蛍光体層が配設されたバックプレートと
を、 前記誘電体ガラス層及び蛍光体層を対向させた状態で配
して、 放電空間が形成されるとともに、 前記放電空間内にガス媒体が封入されてなるプラズマデ
ィスプレイパネルにおいて 、 前記誘電体ガラス層は、（１００）面または（１１０）
面に配向したアルカリ土類の酸化物からなる保護層で被
覆されていることを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネル。 - 【請求項２】 前記保護層は、熱化学蒸着法もしくはプ
ラズマ化学蒸着法で、アルカリ土類の有機金属化合物及
び酸素を用いて形成されたものであることを特徴とする
請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】 前記保護層は、イオンビーム又は電子ビ
ームを照射しながらアルカリ土類の酸化物を蒸着させて
形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の
プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記保護層は、（１００）面または（１
１０）面に配向した酸化マグネシウムからなることを特
徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】 前記保護層は、熱化学蒸着法もしくはプ
ラズマ化学蒸着法で、マグネシウムの有機金属化合物及
び酸素を用いて形成されたものであることを特徴とする
請求項４記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】 前記保護層は、板状結晶のマグネシウム
塩を、前記誘電体ガラス層上に印刷し焼成することによ
って形成されたものであることを特徴とする請求項４記
載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項７】 第１の電極及び誘電体ガラス層が配設さ
れたフロントカバープレートの誘電体ガラス層の上に、
（１００）面または（１１０）面に配向したアルカリ土
類の酸化物からなる保護層を形成する第１ステップと、 保護層が形成されたフロントカバープレートと、第２の
電極及び蛍光体層が配設されたバックプレートとを、対
向して配すると共に、フロントカバープレート及びバッ
クプレートの間に形成される放電空間内にガス媒体を封
入する第２ステップとを備えることを特徴とするプラズ
マディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項８】 前記第１ステップでは、熱化学蒸着法も
しくはプラズマ化学蒸着法で、アルカリ土類の有機金属
化合物及び酸素を用いて保護層を形成することを特徴と
する請求項７記載のプラズマディスプレイパネルの製造
方法。 - 【請求項９】 前記第１ステップでは、イオンビーム又
は電子ビームを照射しながらアルカリ土類の酸化物を蒸
着させて保護層を形成することを特徴とする請求項７記
載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１０】 前記第１ステップで用いるアルカリ土
類の有機金属化合物は、アルカリ土類の金属キレート化
合物又はアルカリ土類のシクロペンタジエニル化合物で
あることを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。 - 【請求項１１】 前記第１ステップで用いるアルカリ土
類の有機金属化合物は、Ｍ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2，Ｍ（Ｃ5
Ｈ7Ｏ）2，Ｍ（Ｃ5Ｈ5Ｆ3Ｏ2）2，Ｍ（Ｃ5Ｈ5）2から選
択されたものであることを特徴とする請求項１０記載の
プラズマディスプレイパネルの製造方法。（但し、Ｍ
は、マグネシウム，ベリリウム，カルシウム，ストロン
チウム，バリウムから選択された元素を表す） - 【請求項１２】 前記保護層は、酸化マグネシウムを含
むことを特徴とする請求項７〜９の何れかに記載のプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１３】 誘電体ガラス層が形成されたガラス基
板をセットする真空チャンバーと、 前記真空チャンバー内でアルカリ土類の酸化物を蒸発さ
せる電子銃と、 前記ガラス基板に向けてイオンビームを照射することに
よって、前記電子銃によって蒸発されたアルカリ土類の
酸化物を前記誘電体ガラス層の表面上に蒸発させて（１
１０）面配向の保護膜を形成するイオンガンとを備えた
保護膜形成装置 。 - 【請求項１４】 誘電体ガラス層が形成されたガラス基
板をセットする真空チャンバーと、 前記真空チャンバー内でアルカリ土類の酸化物を蒸発さ
せる第１の電子銃と、 前記ガラス基板に向けて電子ビームを照射することによ
って、前記第１の電子銃によって蒸発されたアルカリ土
類の酸化物を前記誘電体ガラス層の表面上に蒸発させて
（１１０）面配向の保護膜を形成する第２の電子銃とを
備えた保護膜形成装置。 - 【請求項１５】 前記アルカリ土類の酸化物は、酸化マ
グネシウムを含むことを特徴とする請求項１３又は１４
記載の保護膜形成装置。 - 【請求項１６】 ガラス基板に形成された誘電体ガラス
層の表面上に保護層を形成するＣＶＤ装置であって、 放電電極及び誘電体ガラス層が形成された基板を加熱す
るヒータと、 アルカリ土類の金属キレートを蓄積して加熱し、アルゴ
ンガスを吹き込ませることによって前記金属キレートを
蒸発させて前記ＣＶＤ装置本体に送り込む気化器と、 前記ＣＶＤ装置本体に酸素を供給する酸素ボンベとを備
え、 前記気化器によって送り込まれる金属キレートと、前記
酸素ボンベから供給される酸素を反応させて、（１０
０）面配向のアルカリ土類の酸化物からなる保護層を前
記誘電体層の表面上に形成するＣＶＤ装置 。 - 【請求項１７】 前記ヒータ部は前記基板を３５０〜４
００℃に加熱することを特徴とする請求項１６記載のＣ
ＶＤ装置。 - 【請求項１８】 前記ＣＶＤ装置の反応容器内を減圧す
る排気装置と、 前記排気装置によって減圧された前記ＣＶＤ装置本体で
高周波電界を印加する高周波電源とを更に備え、 前記排気装置によって減圧された状態で前記高周波電源
によってプラズマを発生させることによって、（１０
０）面配向のアルカリ土類の酸化物からなる保護層を前
記誘電体層の表面上に形成する請求項１６記載のＣＶＤ
装置 。 - 【請求項１９】 前記ヒータ部は前記基板を２５０〜３
００℃に加熱することを特徴とする請求項１８記載のＣ
ＶＤ装置。 - 【請求項２０】 前記排気装置は前記反応容器内を約１
０Ｔｏｒｒに減圧することを特徴とする請求項１９記載
のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP32845896A JP3339554B2 (ja) | 1995-12-15 | 1996-12-09 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP32676695 | 1995-12-15 | ||
| JP8-223428 | 1996-02-01 | ||
| JP7-326766 | 1996-02-01 | ||
| JP1632696 | 1996-02-01 | ||
| JP8-16326 | 1996-02-01 | ||
| JP8-162639 | 1996-02-01 | ||
| JP16263996 | 1996-06-24 | ||
| JP22342896 | 1996-08-26 | ||
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| JP2001226563A Division JP2002093327A (ja) | 1995-12-15 | 2001-07-26 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125237A JPH10125237A (ja) | 1998-05-15 |
| JP3339554B2 true JP3339554B2 (ja) | 2002-10-28 |
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ID=27456557
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2001226563A Pending JP2002093327A (ja) | 1995-12-15 | 2001-07-26 | プラズマディスプレイパネル |
| JP2007017154A Expired - Fee Related JP4505474B2 (ja) | 1995-12-15 | 2007-01-26 | プラズマディスプレイパネル |
| JP2009255320A Expired - Fee Related JP4569933B2 (ja) | 1995-12-15 | 2009-11-06 | プラズマディスプレイパネル |
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|---|---|---|---|
| JP2001226563A Pending JP2002093327A (ja) | 1995-12-15 | 2001-07-26 | プラズマディスプレイパネル |
| JP2007017154A Expired - Fee Related JP4505474B2 (ja) | 1995-12-15 | 2007-01-26 | プラズマディスプレイパネル |
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| US (5) | US5770921A (ja) |
| EP (6) | EP0779643B1 (ja) |
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-
1996
- 1996-12-09 JP JP32845896A patent/JP3339554B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-13 KR KR1019960065163A patent/KR100439878B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-13 EP EP96309148A patent/EP0779643B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-13 DE DE69630004T patent/DE69630004T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-13 EP EP02006618A patent/EP1221708A3/en not_active Withdrawn
- 1996-12-13 EP EP02006620A patent/EP1221711B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-13 EP EP02006619A patent/EP1221709A3/en not_active Withdrawn
- 1996-12-13 EP EP01116788A patent/EP1164620B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-13 DE DE69633148T patent/DE69633148T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-13 EP EP03075897A patent/EP1333462A3/en not_active Withdrawn
- 1996-12-13 DE DE1996633311 patent/DE69633311T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-16 US US08/766,030 patent/US5770921A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-07-09 US US08/890,577 patent/US5993543A/en not_active Ceased
-
2001
- 2001-07-26 JP JP2001226563A patent/JP2002093327A/ja active Pending
- 2001-11-29 US US09/997,536 patent/USRE40871E1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-29 US US09/997,988 patent/USRE40647E1/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-05-18 US US11/437,004 patent/USRE41503E1/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-01-26 JP JP2007017154A patent/JP4505474B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-06 JP JP2009255320A patent/JP4569933B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070816 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110816 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110816 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120816 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130816 Year of fee payment: 11 |
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