JP3161024B2 - プラズマアドレス電気光学装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶セル等の電気光学セ
ルとプラズマセルの２層構造からなるプラズマアドレス
電気光学装置に関する。より詳しくはプラズマセルの構
造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来電気光学セルとして液晶セルを用い
たマトリクスタイプの電気光学装置例えば液晶表示装置
を高解像度化、高コントラスト化する為の手段として
は、各画素毎に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子
を設け、これを線順次で駆動するアクティブマトリクス
アドレス方式が一般に知られている。しかしながら、こ
の場合薄膜トランジスタの様な半導体素子を基板上に多
数設ける必要があり、特に大面積化した時に製造歩留り
が悪くなるという短所がある。

【０００３】そこでこの短所を解決する手段として、ブ
ザク等は特開平１−２１７３９６号公報において、薄膜
トランジスタ等からなるスイッチング素子に代えてプラ
ズマスイッチを利用する方式を提案している。以下、プ
ラズマ放電に基くスイッチを利用して液晶セルを駆動す
るプラズマアドレス電気光学装置の構成を簡単に説明す
る。図１３に示す様に、この装置は液晶セル１０１とプ
ラズマセル１０２と両者の間に介在する中間板１０３と
からなる積層フラットパネル構造を有している。プラズ
マセル１０２はガラス基板１０４を用いて形成されてお
り、その表面に複数の平行な溝１０５が設けられてい
る。この溝１０５は例えば行列マトリクスの行方向に伸
びている。各溝１０５は中間板１０３によって密封され
ており個々に分離したプラズマ室１０６を構成してい
る。この密封されたプラズマ室１０６にはイオン化可能
なガスが封入されている。隣接する溝１０５を隔てる凸
状部１０７は個々のプラズマ室１０６を区分けする隔壁
の役割を果すとともに各プラズマ室１０６のギャップス
ペーサとしての役割も果している。各溝１０５の底部に
は互いに平行な一対のプラズマ電極１０８，１０９が設
けられている。一対の電極はアノードＡ及びカソードＫ
として機能しプラズマ室１０６内のガスをイオン化して
放電プラズマを発生する。かかる放電領域は行走査単位
となる。溝１０５の底部は湾曲面となっており、一対の
アノードＡ及びカソードＫは所定の角度で傾斜しながら
対面配置されている。従ってアノードＡの電極表面とカ
ソードＫの電極表面との間で容易にプラズマ放電が生じ
る構造となっている。

【０００４】一方液晶セル１０１は透明基板１１０を用
いて構成されている。この透明基板１１０は中間基板１
０３に所定の間隙を介して対向配置されており間隙内に
は液晶層１１１が充填されている。又透明基板１１０の
内表面には透明導電材料からなる信号電極１１２が形成
されている。この信号電極１１２はプラズマ室１０６と
直交しており列駆動単位となる。列駆動単位と行走査単
位の交差部分にマトリクス状の画素が規定される。

【０００５】かかる構成を有する電気光学装置において
は、プラズマ放電が行なわれるプラズマ室１０６を線順
次で切り換え走査するとともに、この走査に同期して液
晶セル側の信号電極１１２にアナログ駆動電圧を印加す
る事により表示駆動が行なわれる。プラズマ室１０６内
にプラズマ放電が発生すると内部は略一様にアノード電
位になり１行毎の画素選択が行なわれる。即ち、プラズ
マ室１０６はサンプリングスイッチとして機能する。プ
ラズマサンプリングスイッチが導通した状態で各画素に
駆動電圧が印加されると、サンプリングホールドが行な
われ画素の点灯もしくは消灯が制御できる。プラズマサ
ンプリングスイッチが非導通状態になった後にもアナロ
グ駆動電圧はそのまま画素内に保持される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで上述の様に放
電プラズマを利用した電気光学装置では、半導体素子を
用いたものより大面積化が容易に行なわれるものと考え
られるが、実用化に当っては様々な問題を残している。
例えばプラズマ室１０６を構成する為の溝１０５をガラ
ス基板等からなる基板１０４上に形成する事は、製造上
かなりの困難を伴ない、特に高密度に溝１０５を形成す
る事は著しく困難である。又、溝１０５内にそれぞれ放
電用のプラズマ電極１０８，１０９を形成する必要があ
るが、この為のエッチングプロセスが繁雑である。

【０００７】かかる従来の技術の問題点あるいは課題に
鑑み、出願人は先に出願された特許願平成３年第４７７
８４号に、製造が簡単でしかも大画面化及び高精細化に
適したプラズマアドレス電気光学装置を提案している。
図１４を参照して、本発明の理解に供する為に、先に提
案された装置の構造を簡潔に説明する。この装置も液晶
セル２０１とプラズマセル２０２を積層したフラットパ
ネル構造を有している。基本的に液晶セル２０１は図１
３に示す液晶セル１０１と同一の構造を有している。一
方プラズマセル２０２は中間板２０３と下側の基板２０
４とから構成され、両者の間にはイオン化可能なガスが
封入されておりプラズマ室２０５を構成する。このプラ
ズマ室２０５は印刷法により形成された隔壁２０６によ
り分割されており行走査単位となる放電領域を形成す
る。分割された個々の放電領域内には一対のプラズマ電
極２０７が形成されており各々アノードＡ及びカソード
Ｋを構成する。このプラズマ電極２０７は平坦な基板２
０４表面に印刷形成されている。印刷法は非常に簡単な
技術で従来の溝形成に比べて生産性や作業性が向上する
とともに大面積化に適している。

【０００８】しかしながら図１４に示すフラットパネル
構造を実際に試作しプラズマ放電実験を行なったとこ
ろ、アノード及びカソード間において均一且つ一様な放
電を生ずるサンプルもあるが、封入ガス圧力や印加電圧
をどの様に設定しても殆ど放電しないサンプルも存在し
た。当初この現象はプラズマセル内の汚染等製造プロセ
ス上の不備による放電不良と考えられた。しかしこの現
象に関して、電極の作成法や種類による差異は殆ど認め
られなかった。引き続く検討の結果、この放電不良の原
因はプラズマ電極配置構造そのものにある事が判明し
た。図１４に示すプラズマ電極は導電性厚膜等から構成
されており、アノード電極表面とカソード電極表面との
間で発生する面放電型である。しかしながら、電極が平
坦な基板表面に形成されている為、アノード表面及びカ
ソード表面が同一レベルに位置し対面していない。これ
に対して図１３に示す従来例ではアノード及びカソード
が所定の角度を持って対面している。この様に、面放電
型であるにもかかわらず対面配置構造となっていない為
上述した放電不良が発生するものと考えられる。

【０００９】換言すると図１４に示すプラズマセル構造
において安定したプラズマ放電を起す為には構造上の制
約もしくは条件がある事が実験により示唆された。従っ
て、本発明はプラズマセルの設計条件を明確にする事に
より安定且つ一様なプラズマ放電を実現する事を目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した本発明の目的を
達成する為に講じられた手段を以下に説明する。即ち、
所定の主面に沿って互いに平行に配置された複数の第１
電極あるいは信号電極を有する第１の基板あるいは液晶
セル基板と、信号電極と直交し且つ互いに平行に配列さ
れた複数の第２電極あるいはプラズマ電極を有するとと
もにこのプラズマ電極が信号電極と対向する様に配置さ
れた第２の基板あるいはプラズマセル基板と、これら液
晶セル基板及びプラズマセル基板の間に挿入された電気
光学材料層と、この電気光学材料層とプラズマセル基板
の間に形成されたイオン化可能なガスを封入する為のプ
ラズマ室とを備えたプラズマアドレス電気光学装置にお
いて、前記プラズマ室の高さを隣接するプラズマ電極間
の距離即ち隣接するアノードとカソード間の距離の７５
パーセント以上に設定するという手段を講じた。

【００１１】

【作用】同一レベルに配置されたアノード電極表面とカ
ソード電極表面との間には弧状のプラズマ放電経路が形
成される。この経路を介してプラズマ中に含まれる電子
等の陰電荷とイオン等の陽電荷が移動する。プラズマ室
の高さ即ちプラズマセルの間隙寸法をある程度確保する
事により放電経路を確保する事ができ安定且つ一様なプ
ラズマを維持できる。その為の条件として、プラズマ室
の高さ寸法をアノード及びカソード電極間の距離の７５
パーセント以上に設定するものである。この値より低い
場合には放電路が遮断され有効な放電領域を形成する事
ができない。

【００１２】

【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図１は本発明にかかるプラズマアドレ
ス電気光学装置の基本的な構造を示す模式的な部分断面
図である。列方向即ち信号電極方向に沿って切断した形
状を表わしている。本装置は液晶セル１とプラズマセル
２と両者の間に介在する中間板３とを積層したフラット
パネル構造を有する。液晶セル１は上側のガラス基板４
を用いて構成されており、その内側主面には透明導電膜
からなる複数本の信号電極５が互いに平行に形成されて
いる。基板４は所定の間隙を介して中間板３に対向配置
されている。間隙内には電気光学材料層である液晶層６
が充填されている。なお本実施例はプラズマアドレス表
示装置に関するものであるが、本発明はこれに限られる
ものではなく光学変調装置等広くプラズマアドレス電気
光学装置に適用可能である。

【００１３】一方プラズマセル２は下側のガラス基板７
を用いて構成されている。基板７の内側主面上には信号
電極５に直交するプラズマ電極８が所定の間隔ｄを介し
て複数本形成されており、交互にアノードＡとカソード
Ｋの機能を果す。基板７は所定の間隙距離ｈを介して中
間板３に対向配置されており両者の間に気密封止された
プラズマ室９を形成する。この気密なプラズマ室９の内
部にはイオン化可能なガスが封入されている。ガス種は
例えばヘリウム、ネオン、アルゴンあるいはこれらの混
合気体から選ぶ事ができる。なお図１に示す構成は図１
４に示す先行開発された構造と異なり、一対のカソード
Ｋ及びアノードＡを囲む隔壁が形成されておらず、所謂
オープンセル構造となっている。しかしながらオープン
セル構造であっても、アノードＡとカソードＫに発生す
るプラズマは局在化可能であり行走査単位となる放電領
域を形成できる。なお本発明はかかるオープンセル構造
に限られるものではなく隔壁を備えたプラズマセルに対
しても適用可能である事はいうまでもない。

【００１４】本発明の特徴事項としてプラズマセル２の
間隙寸法ｈ即ちプラズマ室９の高さが、隣接するアノー
ドＡとカソードＫとの間の間隔ｄあるいは距離の７５パ
ーセント以上に設定されている。アノードＡとカソード
Ｋの間のプラズマ放電経路は弧線あるいは放物線を描
く。この放物線のピークは電極間距離ｄに比例して高く
なる。プラズマセル２の天井部分即ち中間板３がこの放
物線放電経路を遮断しない為にプラズマ室９の高さｈを
電極間距離ｄに応じて高く設定する必要がある。その割
合が約７５パーセント以上である。点線レベルで示す様
にプラズマ室９の高さｈを間隔ｄの７５パーセント以下
に設定するとプラズマ放電が有効に発生しない。

【００１５】プラズマ電極８の具体的なパタン寸法を以
下に列挙する。プラズマ電極８はストライプパタン状に
形成されており、ストライプ長が１３２mm、ストライプ
幅が０．１５mm、ストライプピッチが０．３９mmで、ス
トライプ数は２００本である。電極はＮｉあるいはＡｇ
等の金属材料を用いて印刷法あるいは蒸着法により形成
する。プラズマ室９に封入されるガス種は０．５パーセ
ントのＡｒを含むＮｅである。プラズマセル２はＤＣス
キャン又はＤＣスタティック駆動により放電電圧が印加
される。

【００１６】電極間距離ｄとプラズマ室の高さｈとの関
係を明らかにする為に、図２に示す楔型セルを作成して
放電実験を行なった。図示する様に楔型セルは一対のガ
ラス基板２１，２２の一端側にのみスペーサ２３を介在
させて貼り合わせたものであり、内部に形成されるプラ
ズマ室９の高さｈが連続的に変化している。下側のガラ
ス基板２２の内表面に電極間距離ｄでストライプパタン
状にプラズマ電極２４を形成している。プラズマ電極２
４を交互にアノード及びカソードとして放電電圧を印加
したところ、ｈが大きい領域では正常にプラズマが発生
するが、ｈが小さくなるとプラズマ放電がちらついて不
安定になり、さらにｈが小さくなると局所的に火花が走
るだけでプラズマガス圧ｐ及び放電電圧Ｖを変えても自
続的で均一な放電は起らなかった。

【００１７】ここで放電がちらつき始める遷移部分の高
さを安定放電させる為に必要な最少限の高さＨと定義す
る。そして電極間距離ｄ（アノード電極の一方端からカ
ソード電極の対向端までの最短距離）をパラメータとし
て３種類の楔型セルを作成しＨを測定した。図３に測定
結果を示す。パラメータｄを０．２３mmに設定した場合
には最少限高さＨは０．１mm程度であった。パラメータ
ｄが０．４mmの場合には最少限セル高さＨは０．３mm程
度であった。又パラメータｄを０．７４mmに設定した場
合にはセルの最少限高さＨは０．５２mm程度であった。
両者の関係は略直線状になりその傾きから、安定なプラ
ズマ放電あるいはグロー放電を得る為にプラズマセルの
高さは電極間距離の７５パーセント以上必要である事が
判明した。

【００１８】次に、放電経路について理論的に考察す
る。その為にまず、放電のメカニズムについて考えてみ
る。最初に一般的な平行平板における平等電界を条件と
する放電メカニズムを図４に示す。放電が起るとアノー
ド（Ａ）、カソード（Ｋ）両電極間はプラズマで満たさ
れるが、アノード表面には電子が集められて負空間電荷
が現われ、反対にカソード表面には正イオンが集められ
て正空間電荷が現われる。その結果、図４の様な電位分
布となる。正空間電荷の効果の方が大きいのは、正イオ
ンの方が重くて移動速度が遅い為に、空間に長くとどま
る為である。この電位分布を思い切った近似的表現を行
なって図５の様に表わしてみる。そうするとＭ−Ａ間は
プラズマであるので、この部分を導体と考えると、アノ
ードがＡからＭまで前進して、電極間距離がｄからｄ0
になった事と等価である。こう考えると、放電による空
間電荷の発生は、電極間距離を近づけるのと同様な効果
を与えるという事ができる。

【００１９】この時のガス圧力と電極間距離の積のｐｄ
0 を便宜上「等価なｐｄ」と呼ぶ事にする。この事を念
頭において、図６に示すパッシェンの法則（ｐｄ積と放
電開始電圧（ＶS ）との関係則）について考えてみると
次の事が分かる。ｐｄ＞（ｐｄ）min の場合は、放電開
始後自続放電を維持する為の電圧（ＶD ）は放電電流の
増加とともにＶS より低下し、図７のＶS −ｂに示す様
に負抵抗特性を示す。従って負荷抵抗がない場合は回路
の全抵抗が負となるので、ＶがＶS より少し大きくなる
といきなり大電流が流れて破壊の状態になる。一方、ｐ
ｄ＜（ｐｄ）min の場合は、実線ＶS −ｙの様な正抵抗
特性を示すので、Ｖ＞ＶS となっても放電が自続しない
か、その抵抗値で制限された小さな電流しか流れない。
ところが、Ｖを上昇させて放電電流を次第に増加させる
と、「等価なｐｄ」が次第に減少し、カソード表面の電
界強度が強くなり、特に電極端の部分に現われる不平等
電界が強くなる。その結果、今までの平等電界における
理論では説明できない様な現象が起り、ＶD −Ｉ特性は
ついに点線ｙｚで示す様に負抵抗特性に転じ、ＶS−ｂ
の場合と同様に破壊が起る。この様な経路を辿って現わ
れるＶD の最高値は破壊電圧（ブレークダウン電圧、Ｖ
B ）といわれる。以上の説明から分かる様に、ｐｄ＜
（ｐｄ）min の場合はＶB ＞ＶS となるが、ｐｄ＞（ｐ
ｄ）min の場合はＶS ＝ＶB である。破壊の現象は目で
見てもはっきり分かる現象である。従ってＶS の測定は
ｐｄが大きい場合ははっきり分かるが、ｐｄ＜（ｐｄ）
min の場合は、ＶS に達しても微弱な電流が流れるだけ
なので良く注意していないと分からない。

【００２０】続いて、放電の電圧−電流特性（Ｖ−Ｉ特
性）という側面から考えてみる。電界の歪みの程度を支
配するのは空間電荷密度であるから、図４に示す様な電
位分布の形を決定するのは全電流（Ｉ）ではなく、電流
密度（ｉ）である。従って何らかの理由でカソード表面
にｉの大きい部分ができると、その部分のｐｄは「等価
なｐｄ」に減少する。つまり、電界集中等で他よりもｉ
の大きい領域ができると、その部分の放電維持電圧（Ｖ
D ）が減少し、その為にその部分のｉはますます増加し
て電流の集中現象はますます甚だしくなる。ＶD の低下
はｉが「等価なｐｄ」を（ｐｄ）min に等しくする値、
ｉｎに達した時に終り、それと同時に電流集中の作用も
止まる。その時カソードの全表面積（ＳO ）のうち、ｉ
＝ｉｎなる値で放電の行なわれている部分の面積をＳと
すると、Ｉ＝Ｓinとなる。残余のＳ0 −Ｓの部分では放
電が殆ど行なわれず、ｉ＝０となっている。この様な状
態においては、ＶD はＶSminに近い値をとるであろうと
考えられる。なお、Ｉは負荷抵抗により定められる。

【００２１】Ｉをそれ以上に増加させる場合、増加分は
Ｓの増加で賄われ、ｉｎは変わらない。従って、ＶD も
変わらない。この様な状態はＳ＝Ｓ0 となってカソード
の全表面積で放電が行なわれる様になるまで続く。これ
が図８でｅｆ間の定電圧特性（Ｉが変わってもＶD が変
わらない特性）が現われる理由である。この区間は正常
グローと呼ばれる。Ｉがそれよりさらに増加すると「等
価なｐｄ」は再び減少し始め、（ｐｄ）min を下回るの
でＶD は上昇を始める。これがｆｇの区間であり、図７
のＶS −ｙの間の現象と同じ様な現象である。ｆｇの区
間は異常グローと名付けられている。ところが、ｇにお
いて図７のｙ点におけると同様に、現象の大きい変化が
起り、ＶD は急降下を始める。ｇｈの間でＶD の急激な
る減少が現われるのは、この間で自続放電を維持する機
構に根本的な変化が起る為であると考えられる。この変
化の主な原因として、極端な電界の集中がある事が明ら
かになっている。Ｉがさらに大きく増加したｈｊ間はそ
の新しい機構による自続放電で、ＶD はグロー放電の時
に比較して１桁以上低い。この放電形式はアーク放電と
名付けられている。以上図４ないし図８に基く説明は、
例えば文献「気体放電」（八田著，近代科学社刊）に示
されている。

【００２２】それでは何故、図１の様な構造で、一定以
上の高さが必要なのか図９を参照して考えてみる。プラ
ズマ室内の電気力線は互いに交差する事はなく、概略放
物線の様になっている。しかしながら、この電界は不平
等電界であり、特に電極端では原理的に電界の集中が強
くなる上に、電極端の形状に顕著な不均一性がある事も
加わって、電極端では一点に電気力線が集中し易く、著
しい不平等電界領域が出現し易い。前述した様に、均一
な正常グロー放電を自続するには平等電界が条件であ
り、著しい不平等電界はこれを妨げる。従って、電極端
では正常グロー放電は起りにくいと推察される。一方、
放電経路即ち電子のカソードからアノードへの経路は、
途中気体原子との衝突等による逸脱はあっても、統計的
に見ればその平均は概略電気力線に沿っていると考えら
れる。すると、図９の様なディメンジョンのプラズマセ
ルにおいては、放電経路の距離（ｄ）は概略０．２４〜
０．６mmまで幾通りも存在する事になる。ここで、ｄは
パッシェンの法則における電極間距離に相当する。従っ
て図９においては、ｐｄ値のｍａｘ／ｍｉｎの比は２倍
以上ある事になる。

【００２３】この様なセルで放電を行なう場合、次の様
なケースが考えられる。図９の放電経路No．１〜４に対
応して（ｐｄ） 1〜4 とすると、 （１）（ｐｄ）1,2 ＜（ｐｄ）min ＜（ｐｄ）3 の場合
（図１０） この場合、ＶS を越えると、放電経路１，２は殆ど放電
しないが、放電経路３は正常グロー放電するので、全体
としては均一で安定な放電が得られる。しかし、天井部
分が図９の様に破線部分まで下がると、放電経路３は物
理的に塞がれるので放電は停止する。印加電圧を上げて
も放電経路１〜２は自続放電せず、ブレークダウンある
いはアーク放電の様な電流密度の高い放電が局所的に発
生する。それ以外の部分では放電が起らず、結果として
均一な放電は得られない。 （２）（ｐｄ）min ＜（ｐｄ）1,2 ＜（ｐｄ）3 の場合
（図１１） この場合、放電経路３は正常グロー放電しようとする
が、放電経路１〜２は不平等電界が強い為に局所的に電
流密度が高くなり、その部分はブレークダウンあるいは
アーク放電の様な現象が起り易い。その場合、その他の
部分は電圧降下して放電は停止する。その結果、局所的
な不連続放電が起るだけで、全体として均一で自続的な
放電は得られない。 （３）（ｐｄ）1,2 ＜（ｐｄ）3 ＜（ｐｄ）min の場合
（図１２） 正常グロー放電は起らない。

【００２４】即ち、均一で安定なグロー放電を自続させ
る為には、ある程度電極の内側で放電させる事が必要で
あり、なお且つ電極端でのブレークダウンが起らない様
にしなければならない。図３の実験結果は、正常放電経
路に対応する高さが、図１の構造においては、電極端を
基準にして７５パーセント位である事を示してる。そし
て、放電経路はディメンジョンが拡大されても相似関係
にあるから、電極間距離が変わっても７５パーセントと
いう数字は変わらない。以上の考察は、実験により観測
される現象と良く一致しており矛盾がない。従って、一
定の高さが必要な理由は、放電経路に起因している可能
性が高いといえる。

【００２５】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、プ
ラズマアドレス電気光学装置においてプラズマ室の高さ
をアノード及びカソード電極間距離の７５パーセント以
上に設定する事により、安定且つ自続するプラズマ放電
が得られる。この為、放電領域を走査単位とするプラズ
マアドレス電気光学装置の線順次動作を確実に行なう事
ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるプラズマアドレス電気光学装置
の基本的な構成を示す断面図である。

【図２】プラズマ室高さとアノード／カソード電極間距
離との関係を調べる為に用いられた楔型プラズマセルを
示す断面図である。

【図３】電極間距離ｄとプラズマセルの最少限高さＨと
の関係を示すグラフである。

【図４】平行平板プラズマセルの電位分布を示すグラフ
である。

【図５】平行平板プラズマセルにおける空間電荷効果の
近似的表示を表わすグラフであるる。

【図６】気体の火花電圧Ｖとｐｄ積との関係を示すグラ
フである。

【図７】火花発生以後の放電維持電圧ＶD と電流Ｉとの
関係を示すグラフである。

【図８】低気圧自続放電の代表的なＶD −Ｉ特性を示す
グラフである。

【図９】表面放電型プラズマセルの放電経路を示す模式
図である。

【図１０】ｐｄとＶS との関係を示すグラフである。

【図１１】同じくｐｄとＶS との関係を示すグラフであ
る。

【図１２】同じくｐｄとＶS との関係を示すグラフであ
る。

【図１３】従来のプラズマアドレス電気光学装置を示す
断面図である。

【図１４】先行開発にかかるプラズマアドレス電気光学
装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 液晶セル ２ プラズマセル ３ 中間板 ４ 上側ガラス基板 ５ 信号電極 ６ 液晶層 ７ 下側ガラス基板 ８ プラズマ電極 ９ プラズマ室 Ａ アノード Ｋ カソード ｄ アノード／カソード電極間距離 ｈ プラズマ室高さ

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の主面に沿って互いに平行に配置さ
   れた複数の第１電極を有する第１の基板と、前記第１電
   極と直交し且つ互いに平行に配列された複数の第２電極
   を有するとともにこの第２電極が前記第１電極と対向す
   る様に配置された第２の基板と、前記第１及び第２の基
   板間に間挿された電気光学材料層と、この電気光学材料
   層と前記第２の基板間に形成されたイオン化可能なガス
   を封入する為のプラズマ室を備え、前記プラズマ室の高
   さを隣接する第２電極間の距離の７５パーセント以上に
   設定した事を特徴とするプラズマアドレス電気光学装
   置。