DE69633148T2 - Plasmaanzeigetafel geeignet für Anzeige hoher Qualität und Herstellungsverfahren - Google Patents

Plasmaanzeigetafel geeignet für Anzeige hoher Qualität und Herstellungsverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE69633148T2
DE69633148T2 DE69633148T DE69633148T DE69633148T2 DE 69633148 T2 DE69633148 T2 DE 69633148T2 DE 69633148 T DE69633148 T DE 69633148T DE 69633148 T DE69633148 T DE 69633148T DE 69633148 T2 DE69633148 T2 DE 69633148T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
protective layer
electrodes
plasma
discharge
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69633148T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69633148D1 (de
Inventor
Masaki Mino-shi AOKI
Hideo Higashiosaka-shi Torii
Eiji Hirakata-shi Fujii
Mitsuhiro Sakai-shi Ohtani
Takashi Suita-shi Inami
Hiroyuki Katano-shi Kawamura
Hiroyoshi Kyoto-shi Tanaka
Ryuichi Toyonaka-shi Murai
Yasuhisa Katano-shi Ishikura
Yutaka Kadoma-shi Nishimura
Katsuyoshi Katano-shi Yamashita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE69633148D1 publication Critical patent/DE69633148D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69633148T2 publication Critical patent/DE69633148T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/404—Oxides of alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/50—Filling, e.g. selection of gas mixture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/38—Dielectric or insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/50—Filling, e.g. selection of gas mixture
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • (1) Erfindungsgebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Plasmabildschirm, der als Anzeigevorrichtung genutzt wird, und das Verfahren zur Herstellung des Bildschirms, und speziell einen Plasmabildschirm, der für eine Anzeige hoher Qualität geeignet ist.
  • (2) Beschreibung des Standes der Technik
  • In jüngster Zeit sind, da der Bedarf an Fernsehgeräten hoher Qualität mit großem Bildschirm, wie z. B. High-Vision-Fernsehgeräte, gestiegen ist, Bildschirme entwickelt worden, die für solche Fernsehgeräte geeignet sind, wie z. B. die Kathodenstrahlröhre (CRT), die Flüssigkristallanzeige (LCD) und der Plasmabildschirm (PDP).
  • CRTs werden weit verbreitet als TV-Bildschirm verwendet und zeichnen sich durch Auflösung und Bildqualität aus. Die Tiefe und das Gewicht erhöhen sich jedoch in dem Maße, wie die Größe des Bildschirms zunimmt. Daher sind CRT nicht geeignet für Bildschirme, die größer als 40 Zoll (102 cm) sind. LCDs verbrauchen nur wenig Strom und arbeiten bei einer niedrigen Spannung. Die Herstellung eines großen LCD-Bildschirms ist jedoch technisch schwierig, und die Sichtwinkel von LCDs sind begrenzt.
  • Andererseits ist es möglich, einen Plasmabildschirm als einen großen Bildschirm mit geringer Tiefe herzustellen, und Plasmabildschirm-Erzeugnisse von 40 Zoll (102 cm) sind bereits entwickelt worden.
  • Plasmabildschirme werden in zwei Arten unterteilt: Gleichstrom- und Wechselstromvorrichtungen. Gegenwärtig sind die meisten Plasmabildschirme Wechselstromvorrichtungen, da sie als große Bildschirme geeignet sind.
  • 1 ist ein Schnittbild eines herkömmlichen Wechselstrom-Plasmabildschirms. In der Zeichnung ist die vordere Abdeckplatte 1 mit darauf angebrachten Anzeigeelektroden 2 von einer dielektrischen Glasschicht 3 bedeckt, die aus Bleiglas besteht, d. h. PbO-B2O3-SiO2-Glas.
  • Auf der rückseitigen Platte 5 befinden sich die Addresselektrode 6, Trennwände 7 und eine Leuchtstoffschicht 8, die aus einem roten, grünen oder blauen ultraviolett erregten Leuchtstoff besteht. Entladungsgas wird in den Entladungsraum 9 gefüllt, welcher mit der dielektrischen Glasschicht 3, der rückseitigen Platte 5 und den Trennwänden 7 verschlossen ist.
  • Das Entladungsgas ist im Wesentlichen Helium (He), Xenon (Xe) oder eine Mischung aus Neon (Ne) und Xe. Die Menge an Xe wird im Allgemeinen auf einen Bereich von 0,1 bis 5 Volumen-% eingestellt, wodurch verhindert wird, dass die Antriebsspannung des Stromkreises zu hoch wird.
  • Der Fülldruck des Entladungsgases wird ebenfalls im Allgemeinen auf einen Bereich von 100 Torr (13 kPa) bis 500 Torr (66,4 kPa) eingestellt, so dass die Entladungsspannung stabil ist (z. B. M. Nobrio, T. Yoshioka, Y. Sano, K. Nunomura, SID94' Digest, Seiten 727–730, 1994).
  • Plasmabildschirme weisen die folgenden Probleme in Bezug auf Helligkeit und Lebensdauer auf.
  • Gegenwärtig haben Plasmabildschirme für 40–42 Zoll (102–107 cm) Bildschirme nach dem Standard des National Television System Committee (NTSC) im Allgemeinen eine Helligkeit von zirka 150–250 cd/m2 (Anzahl der Pixel 640 × 480, Cell Pitch 0,43 mm × 1,29 mm, Quadrat einer Zelle 0,55 mm2). (Function & Materials, Feb. 1996, Band 16, Nr. 2, Seite 7).
  • Andererseits ist bei 43-Zoll-(107 cm)-High-Vision-Fernsehgeräten die Anzahl der Pixel 1.920 × 1.125, der Cell Pitch 0,15 mm × 0,48 mm und das Quadrat einer Zelle 0,072 mm2. Dieses Quadrat einer Zelle ist 1/7–1/8 des NTSC-Standards. Daher wird erwartet, dass, wenn der Plasmabildschirm für ein 42 Zoll-(107 cm)-High-Vision-Fernsehgerät mit der herkömmlichen Zellkonstruktion hergestellt wird, die Helligkeit des Bildschirms sich auf 30–40 cd/m2 verringert.
  • Dementsprechend sollte, um bei einem Plasmabildschirm, der für ein 42 Zoll (107 cm)-High-Vision-Fernsehgerät verwendet wird, die gleiche Helligkeit wie die einer gegenwärtigen NTSC CRT (500 cd/m2) zu erreichen, die Helligkeit jeder Zelle zirka 12–15 × erhöht werden.
  • Unter diesen Umständen ist es wünschenswert, Verfahren zum Erhöhen der Helligkeit von Plasmabildschirm-Zellen zu entwickeln.
  • Das Lichtemissionsprinzip beim Plasmabildschirm ist im Grunde das gleiche Prinzip wie bei Fluoreszenzlicht: eine Entladung lässt das Entladungsgas ultraviolettes Licht abgeben; das ultraviolette Licht regt Leuchtstoffe an; und die erregten Leuchtstoffe geben rotes, grünes und blaues Licht ab. Da die Entladungsenergie jedoch nicht wirksam in ultraviolettes Licht umgewandelt wird und das Umwandlungsverhältnis bei Leuchtstoff niedrig ist, ist es bei Plasmabildschirmen schwierig, eine Helligkeit zu erzielen, die so hoch ist wie die von Fluoreszenzlicht.
  • In Applied Physics, Band 51, Nr. 3, 1982, Seiten 344–347 wird Folgendes offen gelegt: beim Plasmabildschirm mit He-Xe oder Ne-Xe-Gas werden nur zirka 2% der elektrischen Energie für ultraviolettes Licht verwendet und zirka 0,2% der elektrischen Energie für sichtbare Strahlen (Optical Techniques Contact, Band 34, Nr. 1, 1996, Seite 25 und FLAT PANEL DISPLAY 96, Teile 5–3, NHK Techniques Study, 31-1, 1979, Seite 18).
  • Demzufolge wird die Erhöhung der Lichtemissionseffizienz als wichtig für die Erhöhung der Helligkeit von Plasmabildschirm-Zellen betrachtet.
  • Was die Lebensdauer des Plasmabildschirms betrifft, so wird im Allgemeinen Folgendes als bestimmend für die Lebensdauer des Plasmabildschirms betrachtet: (1) die Leuchtstoffschicht verliert an Qualität, da Plasma auf einen kleinen Entladungsraum zum Erzeugen von ultraviolettem Licht beschränkt ist; und (2) verschlechtert sich die Qualität der dielektrischen Glasschicht aufgrund des Sputterns durch Gasentladungen. Im Ergebnis werden Verfahren für die Verlängerung der Leuchtstoff-Lebensdauer oder die Verhinderung der Verschlechterung der dielektrischen Glasschicht untersucht.
  • Wie in 1 gezeigt, wird bei herkömmlichen Plasmabildschirmen die Schutzschicht 4, die aus Magnesiumoxid (MgO) besteht, auf der Oberfläche der dielektrischen Glasschicht 3 mittels Vakuumaufdampfverfahren ausgebildet, um zu verhindern, dass sich die Qualität der dielektrischen Glasschicht verschlechtert.
  • Es ist wünschenswert, dass die Schutzschicht 4 einen hohen Sputterwiderstand aufweist und eine große Anzahl von Sekundärelektronen emittiert. Bei der Magnesiumoxid-Schicht, die mit Hilfe des Vakuumaufdampfverfahrens ausgebildet wird, ist es jedoch schwierig, eine Schutzschicht mit ausreichendem Sputterwiderstand zu erzielen. Es besteht ebenfalls das Problem, dass Entladungen die Anzahl emittierter Sekundärelektronen verringern.
  • JP 06-342631 A offenbart einen Plasmabildschirm, der so ausgelegt ist, dass er die Antriebsspannung beschränkt und die Emissionseffizienz durch die Bereitstellung eines aus drei Elementen bestehenden Mischgases verbessert, das durch die Hinzufügung eines spezifischen Prozentsatzes Xenon zu einem in einem bestimmten Verhältnis hergestellten Mischgas aus Helium und Neon als Entladungsgas gebildet wird, das in einem Entladungsgasraum eingeschlossen wird, in dem eine Phosphorschicht vorhanden ist. Die Phosphorschicht wird auf der inneren Oberfläche eines Entladungsgasraumes bereitgestellt und emittiert Licht mit Hilfe von ultraviolettem Licht, das durch die Entladung eines Entladungsgases erzeugt wird. Ein aus drei Elementen bestehendes Mischgas, gebildet aus 1,5–10 Volumen-% Xenon, Helium und Neon, ist als Entladungsgas vorgesehen. Berkenblit M. et al: 'Herstellungsverfahren für Gasentladungsbildschirme', IBM Technical Disclosure Bulletin, November 1975, Band 18, Nr. 6, offenbart die Verwendung einer Schutzschicht aus Magnesiumoxid mit einer (100)-Kristallflächenorientierung auf einer dielektrischen Glasschicht in einem Plasmabildschirm und die Herstellung der Schichten durch Elektronenstrahlbedampfung.
  • JP 05-234519 A offenbart den Einsatz einer (111)-Flächenorientierungsschicht aus Magnesiumoxid, gebildet durch ein Vakuumbedampfungsverfahren, als Schutzschicht für die Abdeckung einer dielektrischen Schicht gegen einen Entladungsraum in einem Wechselstrom-Plasmabildschirm.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist daher die erste bevorzugte Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Plasmabildschirm mit verbesserter Bildschirmhelligkeit zu schaffen, was durch die Verbesserung der Effizienz der Umwandlung von Entladungsenergie in sichtbare Strahlen erreicht wird. Eine zweite Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Plasmabildschirms mit längerer Lebensdauer des Bildschirms, was durch die Verbesserung der Schutzschicht erreicht wird, welche die dielektrische Glasschicht schützt.
  • Die vorliegende Erfindung schafft einen Plasmabildschirm sowie ein Verfahren zur Herstellung von Plasmabildschirmen, wie in den beigefügten Ansprüchen dargelegt wird.
  • Für die Lösung der ersten bevorzugten Aufgabe stellt die vorliegende Erfindung vorzugsweise den Anteil von Xe im Entladungsgas im Bereich von 10 Volumen-% auf weniger als 100 Volumen-% ein, und stellt den Fülldruck für das Entladungsgas auf den Bereich von 500 bis 760 Torr (66,5–101 kPa) ein, der höher ist als herkömmlicher Fülldruck. Bei dieser Konstruktion verbessert sich die Helligkeit des Bildschirms. Die Gründe, von denen hier ausgegangen wird, sind Folgende: Die Erhöhung des Anteils von Xe im Entladungsraum erhöht den Anteil des emittierten ultravioletten Lichts; das Verhältnis der Anregungswellenlänge (173 nm Wellenlänge) zu molekularem Xe im emittierten ultravioletten Licht erhöht sich; und dies erhöht die Effizienz einer Umwandlung von Leuchtstoff in sichtbare Strahlen.
  • Die vorliegende Erfindung weist ebenfalls für die Lösung der zweiten Aufgabe auf der Oberfläche der dielektrischen Glasschicht eine Schutzschicht auf, die aus einem Erdalkalioxid mit (110)-Flächenorientierung besteht.
  • Die herkömmliche Schutzschicht aus Magnesiumoxid, die mit Hilfe des Verfahrens der Vakuumbedampfung (Elektronenstrahlbedampfungsverfahren) ausgebildet wird, hat eine (111)-Kristallflächenorientierung. Im Vergleich dazu ist die Schutzschicht aus Erdalkalioxid mit (110)-Flächenorientierung dicht, sie hat einen hohen Sputterwiderstand und emittiert eine große Anzahl von Sekundärelektronen.
  • Demgemäß verhindert die vorliegende Erfindung die Verschlechterung der dielektrischen Glasschicht und hält die Entladungsspannung niedrig.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Diese und andere Aufgaben, Vorteile und Merkmale der Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung derselben in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen offensichtlich, die eine spezielle Ausführungsform der Erfindung veranschaulichen. Die Zeichnungen zeigen Folgendes:
  • 1 ist ein Schnittbild eines herkömmlichen Wechselspannungs-Plasmabildschirms;
  • 2 ist ein Schnittbild eines Wechselspannungs-Plasmabildschirms, beschrieben in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 3 zeigt eine CVD-Vorrichtung, die für die Ausbildung der Schutzschicht 14 eingesetzt wird;
  • 4 ist ein Diagramm, welches das Verhältnis zwischen der Wellenlänge und dem Anteil des ultravioletten Lichts für jeden Fülldruck zeigt, wobei das ultraviolette Licht, das von Xe in He-Xe Gas emittiert wird, als Entladungsgas bei einem Plasmabildschirm benutzt wird;
  • 5(a)–(c) zeigt das Verhältnis zwischen Anregungswellenlänge und relativer Strahlungsleistung für jede Farbe des Leuchtstoffes;
  • 6 ist ein Diagramm, welches das Verhältnis zwischen Fülldruck P des Entladungsgases und Entladungs-Anfangsspannung Vf für zwei Abstandswerte d zeigt, wobei d der Abstand zwischen dielektrischen Elektroden in einem Plasmabildschirm ist; und
  • 7 zeigt eine Ionen-/Elektronenstrahl-Bestrahlungsvorrichtung, die für die Ausbildung einer Schutzschicht beim Plasmabildschirm der Ausführungsform 1 eingesetzt wird.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM UND BEISPIELHAFTER ANORDNUNGEN (Anordnung 1)
  • Aufbau und Herstellungsverfahren
  • 2 ist ein Schnittbild eines Entladungs-Plasmabildschirms der vorliegenden Anordnung. Obwohl 2 nur eine Zelle zeigt, schließt ein Plasmabildschirm eine Reihe von Zellen ein, die jeweils rotes, grünes oder blaues Licht emittieren.
  • Der vorliegende Plasmabildschirm umfasst: einen vorderen Schirm, der aus vorderem Glassubstrat 11 besteht, mit Anzeigeelektroden 12 und einer dielektrischen Glasschicht 13 auf diesem; und einen hinteren Schirm, der aus hinterem Glassubstrat 15 besteht, mit Adresselektrode 16, Trennwänden 17 und Leuchtstoffschicht 18, wobei der vordere Schirm und der hintere Schirm miteinander verbunden sind. Der Entladungsraum 19, der mit dem vorderen Schirm und dem hinteren Schirm abgedichtet wird, ist mit einem Entladungsgas gefüllt. Der vorliegende Plasmabildschirm wird wie folgt hergestellt.
  • Herstellung des vorderen Schirms
  • Der vordere Schirm wird hergestellt, indem Anzeigeelektroden 12 auf das vordere Glassubstrat 11 aufgebracht werden, dieses mit der dielektrischen Glasschicht 13 bedeckt wird und dann auf der Oberfläche der dielektrischen Glasschicht 13 eine Schutzschicht 14 ausgebildet wird.
  • Bei der vorliegenden Anordnung sind die Entladungselektroden 12 Silberelektroden, die ausgebildet werden, indem eine Paste für die Silberelektroden mit Siebdruck auf das vordere Glassubstrat 11 aufgetragen wird und sie anschließend gebrannt wird. Die dielektrische Glasschicht 13, die aus Bleiglas besteht, setzt sich aus 75 Gew.-% Bleioxid (PbO), 15 Gew.-% Boroxid (B2O3) und 10 Gew.-% Siliziumoxid (SiO2) zusammen. Die dielektrische Glasschicht 13 wird ebenfalls durch Siebdruck und Brennen ausgebildet.
  • Die Schutzschicht 14 besteht aus einem Erdalkalioxid mit (100)-Flächenorientierung (und ist daher kein Bestandteil der Erfindung), und sie ist dicht. Die vorliegende Anordnung nutzt ein CVD-Verfahren (thermisches CVD-Verfahren oder plasmaunterstütztes CVD-Verfahren), um eine solche dichte Schutzschicht auszubilden, die aus Magnesiumoxid mit (100)-Flächenorientierung besteht. Die Ausbildung der Schutzschicht mit Hilfe des CVD-Verfahrens wird später beschrieben.
  • Herstellung des hinteren Schirms
  • Der hintere Schirm wird hergestellt, indem die Paste für die Silberelektroden auf das hintere Glassubstrat 15 durch Siebdruck aufgetragen wird und dann das hintere Glassubstrat 15 gebrannt wird, um die Adresselektroden 16 auszubilden und indem Trennwände 17 aus Glas an dem hinteren Glassubstrat 15 mit einem bestimmten Abstand (pitch) befestigt werden. Die Leuchtstoffschicht 18 wird ausgebildet, indem jeweils ein roter Leuchtstoff, ein grüner Leuchtstoff und ein blauer Leuchtstoff in jeden Raum eingebracht werden, der von Trennwänden 17 umgeben wird. Jeder Leuchtstoff, der im Allgemeinen für Plasmabildschirme benutzt wird, kann für jede Farbe benutzt werden. Die vorliegende Anordnung benutzt die folgenden Leuchtstoffe:
    roter Leuchtstoff (YxGd1–x)BO3: Eu3+
    grüner Leuchtstoff BaAl12O19: Mn
    blauer Leuchtstoff BaMgAl14O23: Eu2+
  • Herstellung eines Plasmabildschirms durch Verbinden der Schirme
  • Ein Plasmabildschirm wird durch das Verbinden des oben genannten vorderen Schirms und des hinteren Schirms mit Abdichtglas hergestellt, wobei gleichzeitig die Luft aus dem Entladungsraum 19, der durch Trennwände 17 abgeteilt ist, für ein Hochvakuum (8 × 10–7 Torr–1 × 10–7 kPa) entfernt wird und dann bei einem bestimmten Fülldruck ein Entladungsgas mit einer bestimmten Zusammensetzung in den Entladungsraum 19 gefüllt wird.
  • Bei der vorliegenden Anordnung liegt der Cell Pitch unter 0,2 mm, und der Abstand zwischen den Elektroden "d" liegt unter 0,1 mm, wodurch die Größe der Zelle des Plasmabildschirms an 40-Zoll-(102 cm)-High-Vision-Fernsehgeräte angepasst wird.
  • Das Entladungsgas setzt sich aus He-Xe Gas oder Ne-Xe Gas zusammen, die beide herkömmlich eingesetzt werden. Der Anteil von Xe wird jedoch mit 10 Volumen-% oder mehr vorgegeben, und der Fülldruck wird im Bereich von 500 bis 700 Torr (66,5 bis 93,3 kPa) vorgegeben.
  • Ausbildung der Schutzschicht nach dem CVD-Verfahren
  • 3 zeigt ein CVD-Gerät, das für die Ausbildung der Schutzschicht 14 eingesetzt wird. Für das CVD-Gerät kann sowohl das thermische CVD-Verfahren als auch das plasmaunterstützte CVD-Verfahren zur Anwendung kommen. Das CVD-Gerät 25 schließt die Heizeinrichtung 26 für das Erhitzen des Glassubstrats 27 ein (das äquivalent zum vorderen Glassubstrat 11 mit Anzeigeelektroden 12 und zur dielektrischen Glasschicht 13 ist, wie in 2 gezeigt wird). Der Druck innerhalb des CVD-Geräts 25 kann durch das Entlüftungsgerät 29 verringert werden. Das CVD-Gerät 25 umfasst ebenfalls eine Hochfrequenzstromvorrichtung 28 für die Erzeugung von Plasma im CVD-Gerät 25.
  • Argon-Gaszylinder 21a und 21b führen dem CVD-Gerät 25 über die Druckmischer 22 bzw. 23 Argon-(Ar)-Gas zu, das als Träger eingesetzt wird.
  • Der Druckmischer 22 speichert ein Metallchelat aus Erdalkalioxid, das als Ausgangsstoff genutzt wird und erhitzt es. Das Metallchelat wird dem CVD-Gerät 25 zugeführt, wenn es durch das Argongas verdampft wird, das durch den Argon-Gaszylinder 21a auf dieses geblasen wird.
  • Der Druckmischer 23 speichert eine Cyclopentadienyl-Verbindung aus Erdalkalioxid, die als Ausgangsstoff genutzt wird und erhitzt sie. Die Cyclopentadienyl-Verbindung wird dem CVD-Gerät 25 zugeführt, wenn sie durch das Argongas verdampft wird, das durch den Argon-Gaszylinder 21b auf diese geblasen wird.
  • Der Sauerstoffzylinder 24 führt dem CVD-Gerät 25 Sauerstoff (O2) zu, der als Reaktionsgas genutzt wird.
  • (1) Bei thermischen CVD-Verfahren, die mit dem vorliegenden CVD-Gerät ausgeführt werden, wird das Glassubstrat 27 auf die Heizeinrichtung 26 aufgebracht, um die dielektrische Glasschicht auf dem Glassubstrat 27 bei einer bestimmten Temperatur zu erhitzen (350 bis 400°C. Siehe Tabelle 1 "ERHITZUNGSTEMPERATUR FÜR GLASSUBSTRAT").
  • Gleichzeitig wird der Druck im Reaktionsbehälter mit Hilfe der Entlüftungsvorrichtung 29 reduziert (um zirka mehrere zehn Torr, wobei zehn Torr 1,3 kPa entsprechen).
  • Der Druckmischer 22 oder 23 wird zur Erhitzung des Metallchelats oder der Cyclopentadienyl-Verbindung aus Erdalkalioxid eingesetzt, die als Ausgangsstoff genutzt werden, auf eine bestimmte Temperatur (Siehe Tabelle 1 "TEMPERATUR DES DRUCKMISCHERS"). Gleichzeitig wird Argon-Gas dem Druckmischer 22 oder 23 über den Argon-Gaszylinder 21a oder 21b zugeführt, und Sauerstoff wird durch den Zylinder 24 geschickt.
  • Das Metallchelat oder die Cyclopentadienyl-Verbindung reagiert mit Sauerstoff im CVD-Gerät 25, um eine Schutzschicht aus einem Erdalkalioxid auf der Oberfläche des Glassubstrats 27 auszubilden.
  • (2) Für plasmaunterstützte CVDs, die mit dem vorliegenden CVD-Gerät vorgenommen werden, ist das Verfahren fast identisch mit dem oben beschriebenen thermischen CVD-Verfahren. Das Glassubstrat 27 wird jedoch mit Hilfe der Heizvorrichtung 26 auf Temperaturen erhitzt, die von 250° bis 300°C reichen. (Siehe Tabelle 1, "ERHITZUNGSTEMPARATUR FÜR GLASSUBSTRAT"). Gleichzeitig wird der Druck im Reaktionsbehälter durch die Entlüftungsvorrichtung 29 auf ungefähr 10 Torr (1,3 kPA) verringert. Unter diesen Umständen wird eine Schutzschicht, die aus einem Erdalkalioxid besteht, durch den Antrieb der Hochfrequenzstromvorrichtung 28 für ein elektrisches Hochfrequenzfeld von 13,56 MHz ausgebildet und Plasma im CVD-Gerät 25 erzeugt.
  • Herkömmlicherweise ist das thermische CVD-Verfahren oder das plasmaunterstützte CVD-Verfahren für die Ausbildung einer Schutzschicht nicht eingesetzt worden. Einer der Gründe dafür, dass diese Verfahren nicht zur Anwendung kamen, ist, dass kein geeigneter Ausgangsstoff für diese Verfahren gefunden wurde. Die jetzigen Erfinder haben es möglich gemacht, eine Schutzschicht mit dem thermischen CVD-Verfahren oder dem plasmaunterstützten CVD-Verfahren auszubilden, indem sie die nachstehend beschriebenen Ausgangsstoffe nutzen.
  • Der Ausgangsstoff (Metallchelat oder Cyclopentadienyl-Verbindung) wird über die Druckmischer 22 und 23 zugeführt:
    Alkalierde-Dipivaloylmethan-Verbindung M(C11H19O2)2,
    Alkalierde-Acetylaceton-Verbindung M(C5H7O2)2,
    Alkalierde-Trifluoracetylaceton-Verbindung M(C5H4F3O2)2, und
    Alkalierde-Cyclopentadien-Verbindung M(C5H5)2, wobei "M" einen Alkalierde-Bestandteil darstellt.
  • Bei der vorliegenden Anordnung ist die Alkalierde Magnesium. Aus diesem Grund sind die Ausgangsstoffe wie folgt: Magnesium-Dipivaloylmethan Mg(C11H19O2)2, Magnesium-Acetylaceton Mg(C5H7O2)2, Magnesium-Trifluoracetylaceton Mg(C5H4F3O2)2, und Cyclopentadienyl-Magnesium Mg(C5H5)2.
  • Die mit dem thermischen CVD-Verfahren oder dem plasmaunterstützten CVD-Verfahren ausgebildete Schutzschicht ermöglicht den Kristallen der Erdalkalioxide ein langsames Wachstum zur Ausbildung einer dichten Schutzschicht, die aus einem Erdalkalioxid mit (100)-Flächenorientierung besteht.
  • Wirkungen der Schutzschicht aus Magnesiumoxid mit (100)-Flächenorientierung
  • Die herkömmliche Schutzschicht aus Magnesiumoxid, ausgebildet durch das Vakuumbedampfungsverfahren (Elektronenstrahlbedampfungsverfahren), weist eine (111)-Kristallflächenorientierung gemäß der Röntgenanalyse auf (Siehe Nr. 15 in Tabelle 2 und die Nummern 67 und 69 in Tabelle 4). Im Vergleich dazu weist die Schutzschicht aus Magnesiumoxid mit (100)-Flächenorientierung die folgenden Merkmale und Wirkungen auf:
    • (1) Das Magnesiumoxid mit (100)-Flächenorientierung verlängert die Lebensdauer des Plasmabildschirms, da es die dielektrische Glasschicht aufgrund des Sputterwiderstands, der auf dessen Dichte beruht, schützt.
    • (2) Das Magnesiumoxid mit (100)-Flächenorientierung reduziert die Antriebsspannung des Plasmabildschirms und verbessert die Helligkeit des Schirms, da es einen großen Emissionskoeffizienten (γ-Wert) des Sekundärelektrons hat.
    • (3) Das Magnesiumoxid mit (111)-Flächenorientierung neigt dazu, mit dem Wassergehalt in der Luft zu reagieren, um Hydroxide zu bilden, da es Flächen mit der höchsten Oberflächenenergie aus einer Vielzahl von Flächen mit Orientierung bildet (siehe Surface Techniques, Band 41, Nr. 4, 1990, Seite 50 und die japanische offen gelegte Patentanmeldung Nr. 50-342991). Demgemäß besteht beim Magnesiumoxid mit (111)-Flächenorientierung ein Problem dergestalt, dass die ausgebildeten Hydroxide während einer Entladung zerfallen und den Umfang der Emission des Sekundärelektrons verringern. Andererseits ist die Schutzschicht eines Magnesiumoxids mit (100)-Flächenorientierung in großem Maße immun gegen dieses Problem.
    • (4) Das Magnesiumoxid mit (111)-Flächenorientierung weist einen Wärmewiderstand von bis zu 350°C auf. Andererseits wird, da die Schutzschicht eines Magnesiumoxids mit (100)-Flächenorientierung einen höheren Wärmewiderstand aufweist, die Wärmebehandlung bei einer Temperatur von zirka 450°C vorgenommen, wenn die vordere Abdeckplatte und die hintere Platte verbunden werden.
    • (5) Bei der Schutzschicht aus einem Magnesiumoxid mit (100)-Flächenorientierung ist der Alterungsprozess nach der Verbindung der Schirme relativ kurz.
  • Diese Merkmale und Wirkungen sind besonders deutlich bei der Schutzschicht aus einem Magnesiumoxid mit (100)-Flächenorientierung, die mit Hilfe des thermischen CVD-Verfahrens oder des plasmaunterstützten CVD-Verfahrens ausgebildet wird.
  • Verhältnis zwischen Xe-Menge, Fülldruck und Helligkeit
  • Die Helligkeit des Bildschirms verbessert sich, indem die Menge von Xe im Entladungsgas mit 10 Volumen-% oder mehr vorgegeben wird und indem der Fülldruck für das Entladungsgas auf 500 bis 760 Torr (66,5 bis 101 kPa) eingestellt wird. Nachfolgendes wird als ursächlich dafür betrachtet.
  • (1) Erhöhung des Anteils von ultraviolettem Licht
  • Das Einstellen des Anteils an Xe im Entladungsgas auf 10 Volumen-% oder mehr und die Einstellung des Fülldrucks für das Entladungsgas auf den Bereich von 500–760 Torr (66,5–101 kPA) erhöht den Anteil von Xe im Entladungsraum, wodurch die Menge an emittiertem ultravioletten Licht steigt.
  • (2) Verbesserung der Umwandlungseffizienz von Leuchtstoff mit Verlagerung von ultraviolettem Licht zu einer längeren Wellenlänge
  • Herkömmlicherweise emittierte Xe ultraviolettes Licht vor allem bei 147 nm (Resonanzlinie von Xe), da der Anteil von Xe im Entladungsgas auf 5 Volumen-% oder weniger eingestellt wurde, und da der Fülldruck für das Entladungsgas mit weniger als 500 Torr (66,5 kPA) vorgegeben wurde. Wenn jedoch der Anteil von Xe im Entladungsgas auf 10 Volumen-% oder mehr eingestellt wird und der Fülldruck für das Entladungsgas im Bereich von 500 bis 760 Torr (66,5–101 kPA) vorgegeben wird, steigt die Emission von ultraviolettem Licht bei 173 nm (Wellenlänge des angeregten Moleküls), was eine lange Wellenlänge ist und verbessert die Umwandlungseffizienz von Leuchtstoff (siehe ein Material, veröffentlicht von der Plasma Study Group in Electrical Engineers of Japan, 9. Mai 1995).
  • Der oben genannte Grund wird durch die nachfolgende Beschreibung gestützt.
  • 4 ist ein Diagramm, das die Veränderung in dem Verhältnis zwischen der Wellenlänge und der Menge an ultraviolettem Licht für jeden Fülldruck zeigt, wobei das ultraviolette Licht von Xe in He-Xe-Gas emittiert wird, das als Entladungsgas in einem Plasmabildschirm verwendet wird. Dieses Diagramm wird in O Plus E, Nr. 195, 1996, Seite 99) vorgestellt.
  • Aus 4 ist ersichtlich, dass Xe bei niedrigem Fülldruck ultraviolettes Licht vor allem bei 147 nm emittiert (Resonanzlinie von Xe), und dass bei steigendem Fülldruck das Verhältnis der Emission von ultraviolettem Licht bei 173 nm steigt.
  • 5(a)–(c) zeigen das Verhältnis zwischen der Anregungswellenlänge und dem relativen Strahlungswirkungsgrad für jede Farbe des Leuchtstoffs. Dieses Diagramm ist in O Plus E, Nr. 1965, 1996, Seite 99 enthalten. Aus dieser Zeichnung geht hervor, dass der relative Strahlungswirkungsgrad bei einer Wellenlänge von 173 nm höher ist als bei 147 nm für jede Farbe des Leuchtstoffs.
  • Verhältnis zwischen dem Fülldruck des Entladungsgases, dem Abstand "d" zwischen Entladungselektroden und der Bildschirmantriebsspannung
  • Der Anteil von Xe im Entladungsgas und der Fülldruck für das Entladungsgas werden bei der vorliegenden Anordnung auf einem höheren Niveau eingestellt. Im Allgemeinen wird dies jedoch so betrachtet, dass es dabei einen Nachteil dergestalt gibt, dass sich die Antriebsspannung des Plasmabildschirms erhöht, weil sich die Entladungsanfangsspannung "Vf" erhöht, wenn der Anteil von Xe im Entladungsgas oder wenn der Fülldruck zunimmt. (Siehe japanische offen gelegte Patentanmeldung Nr. 6-342631, Spalte 2, Seiten 8–16, und Electrical Engineers of Japan National Conference Symposium 1996, S. 3–1, Plasma Display Discharge, März 1996).
  • Ein solcher Nachteil tritt jedoch nicht immer auf. Wie nachstehend beschrieben, kann die Antriebsspannung niedrig sein, selbst wenn der Fülldruck auf ein hohes Niveau eingestellt wird, wenn der Abstand "d" zwischen Entladungselektroden auf einen relativ kleinen Wert eingestellt wird.
  • Wie in Electronic Display Device, Ohm Corp., 1984, auf den Seiten 113–114 beschrieben, kann die Entladungsanfangsspannung Vf als eine Funktion von P multipliziert mit d dargestellt werden, was als Paschensches Gesetz bezeichnet wird.
  • 6 zeigt das Verhältnis zwischen dem Fülldruck P des Entladungsgases und der Entladungsanfangsspannung Vf für zwei Werte des Abstandes d:
    d = 0,1 mm; und d = 0,05 mm.
  • Wie in diesem Diagramm gezeigt wird, wird die Entladungsanfangsspannung Vf, die dem Fülldruck P des Entladungsgases entspricht, durch eine Kurve dargestellt, die ein Minimum einschließt.
  • Der Fülldruck P, der dem Minimum entspricht, erhöht sich, wenn sich d verringert. Die Kurve des Diagramms "a" (d = 0,1 mm) verläuft durch das Minimum bei 300 Torr (40 kPa), und die Kurve des Diagramms "b" (d = 0,05 mm) verläuft bei 600 Torr (80 kPa). Aus der obigen Beschreibung geht hervor, dass ein entsprechender Wert, der dem Abstand d zwischen den Entladungselektroden entspricht, als Fülldruck eingestellt werden sollte, um die Antriebsspannung des Plasmabildschirms niedrig zu halten.
  • Es ist ebenfalls möglich zu sagen, dass die Antriebsspannung des Plasmabildschirms bei Einstellung des Abstands d zwischen den Entladungselektroden auf 0,1 mm oder darunter (wünschenswert bei ungefähr 0,05 mm) niedrig gehalten wird, selbst wenn der Fülldruck für das Entladungsgas auf den Bereich von 500 bis 760 Torr (66,5–101 kPa) eingestellt wird.
  • Wie aus der obigen Beschreibung ersichtlich ist, weist der Plasmabildschirm der vorliegenden Anordnung eine große Bildschirmhelligkeit auf, da der Anteil von Xe im Entladungsgas auf 10 Volumen-% oder darüber eingestellt wird und der Fülldruck für das Entladungsgas auf den Bereich von 500 bis 760 Torr (66,5–101 kPa) eingestellt wird.
  • Die Antriebsspannung des Plasmabildschirms der vorliegenden Anordnung wird ebenfalls niedrig gehalten, da der Abstand d zwischen den Entladungselektroden auf 0,1 mm oder darunter eingestellt wird. Des Weiteren hat der Plasmabildschirm der vorliegenden Anordnung eine lange Lebensdauer, da er eine Schutzschicht eines dichten Magnesiumoxids mit (100)-Flächenorientierung einschließt, die eine gute Schutzwirkung hat.
  • Beispiele 1–9
  • Die Tabelle 1 zeigt Plasmabildschirm-Beispiele 1 bis 9, die gemäß der vorliegenden Anordnung hergestellt wurden (1 Torr = 0,133 kPa). Die Zellengröße des Plasmabildschirms wurde wie folgt vorgegeben: die Höhe der Trennwände 7 ist 0,15 mm, der Abstand zwischen den Trennwänden 7 (Cell Pitch) ist 0,15 mm, und der Abstand d zwischen den Entladungselektroden 12 ist 0,05 mm.
  • Die dielektrische Glasschicht 13 aus Bleiglas wurde durch das Auftragen eines Gemisches aus 75 Gew.-% Bleioxid (PbO), 15 Gew.-% Boroxid (B2O3), 10 Gew.-% Siliziumoxid (SiO2) und einem organischen Bindemittel (hergestellt durch die Auflösung von 10% Ethylzellulose in α-Terpineol) auf das vorderes Glassubstrat 11 mit Anzeigeelektroden 12 durch Siebdruck und Brennen über einen Zeitraum von 10 Minuten bei 520°C ausgebildet. Die Dicke der dielektrischen Glasschicht 13 wurde mit 20 μm vorgegeben.
  • Das Verhältnis von He zu Xe im Entladungsgas und der Fülldruck wurden so vorgegeben, wie in Tabelle 1 gezeigt wird, mit der Ausnahme, dass das Verhältnis von He im Entladungsgas für die Beispiele 7 und 9 mit weniger als 10 Volumen-% vorgegeben wurde, und dass der Fülldruck für das Entladungsgas für die Beispiele 7 und 8 mit weniger als 500 Torr (66,5 kPa) vorgegeben wurde.
  • Was das Verfahren zur Ausbildung der Schutzschicht betrifft, wurde das thermische CVD-Verfahren bei den Beispielen 1, 3, 5, und 7–9, und das plasmaunterstützte CVD-Verfahren bei den Beispielen 2, 4 und 6 eingesetzt. Ebenfalls wurde Magnesiumdipivaloylmethan Mg (C11H19O2)2 als Ausgangsstoff für die Beispiele, 1, 2, 7, 8 und 9 eingesetzt, Magnesiumacetylaceton (Mg (C5H7O2)2 für die Beispiele 3 und 4 und Cyclopentadienylmagnesium Mg (C5H5)2 für die Beispiel 5 und 6.
  • Die Temperatur der Druckmischer 22 und 23 und die Heiztemperatur des Glassubstrats 27 wurden vorgegeben, wie in Tabelle 1 gezeigt ist.
  • Bei dem thermischen CVD-Verfahren wurde Ar-Gas für eine Minute bei einer Durchflussgeschwindigkeit von 1 l/min. bereitgestellt, Sauerstoff für eine Minute bei einer Durchflussgeschwindigkeit von 2 l/min. Die Geschwindigkeit der Schichtausbildung wurde ebenfalls auf 1,0 μm/min. eingestellt und die Dicke der Schutzschicht aus Magnesiumoxid auf 1,0 μm.
  • Bei dem plasmaunterstützten CVD-Verfahren wurde Ar-Gas eine Minute lang bei einer Durchflussgeschwindigkeit von 1 l/min. bereitgestellt, Sauerstoff für eine Minute bei einer Durchflussgeschwindigkeit von 2 l/min. Eine Minute lang wurde eine Hochfrequenzwelle bei 300 W eingesetzt. Die Geschwindigkeit der Schichtausbildung wurde ebenfalls auf 0,90 μm/min. eingestellt und die Dicke der Schutzschicht aus Magnesiumoxid auf 0,9 μm.
  • Mit der Röntgenanalyse der Schutzschichten für die Beispiele 1–9, die wie oben beschrieben ausgebildet worden waren, wurde für jedes Beispiel bestätigt, dass die Kristalle aus Magnesiumoxiden eine (100)-Flächenorientierung aufweisen.
  • Anordnung 2
  • Die Gesamtstruktur und das Herstellungsverfahren des Plasmabildschirms der vorliegenden Anordnung sind die gleichen wie bei Anordnung 1, mit der Ausnahme, dass eine dichte Schutzschicht, bestehend aus Magnesiumoxid mit (100)-Flächenorientierung, mit dem nachstehend beschriebenen Druckverfahren ausgebildet wird.
  • Ausbildung der Schutzschicht mit dem Druckverfahren
  • Eine dichte Schutzschicht aus Magnesiumoxid mit (100)-Flächenorientierung wird ausgebildet, indem eine Paste aus Magnesiumsalz mit einer plattenförmigen Kristallstruktur auf die dielektrische Glasschicht aufgetragen und gebrannt wird.
  • Die eingesetzten Magnesiumsalze mit einer plattenförmigen Kristallstruktur sind Magnesiumkarbonat (MgCO3), Magnesiumhydroxid (Mg(OH)2), Magnesiumoxalat (MgC2O4), usw. Die Herstellungsverfahren für diese Magnesiumsalze werden nachstehend in den Beispielen 10–14 beschrieben.
  • Die dichte Schutzschicht aus Magnesiumoxid mit (100)-Flächenorientierung, die mit Hilfe des Druckverfahrens ausgebildet wurde, hat die gleichen Wirkungen wie diejenige, die nach dem Verfahren ausgebildet wurde, das in Bezug auf Anordnung 1 beschrieben wurde.
  • Beispiele 10–15
  • Tabelle 2 zeigt die Beispiele 10–15 des Plasmabildschirms, deren Zellengröße und Abstand d zwischen den Entladungselektroden 12 auf die gleiche Weise vorgegeben wurden, wie bei den Beispielen 1–9 des Plasmabildschirms.
  • Die Beispiele 10–14 wurden gemäß der vorliegenden Anordnung hergestellt. Beispiel 15 schließt eine Schutzschicht ein, die nach einem herkömmlichen Vakuumbedampfungsverfahren ausgebildet wurde.
  • Das für Beispiel 10 eingesetzte Magnesiumoxalat (MgC2O4) mit plattenförmiger Kristallstruktur wurde hergestellt, indem Ammoniumoxalat (NH4HC2O4) in wässriger Magnesiumchloridlösung (MgCl2) aufgelöst wurde, um eine wässrige Magnesiumoxalatlösung zu erhalten, die dann bei 150°C erhitzt wurde.
  • Das für Beispiel 11 eingesetzte Magnesiumkarbonat mit plattenförmiger Kristallstruktur wurde hergestellt, indem Ammoniumkarbonat ((NH4)2CO3) in wässriger Magnesiumchloridlösung (MgCl2) aufgelöst wurde, um Magnesiumkarbonat (MgCO3) zu erhalten, das dann in Kohlengas auf 900°C erhitzt wurde.
  • Das für die Beispiele 12–14 eingesetzte Magnesiumhydroxid mit plattenförmiger Kristallstruktur wurde hergestellt, indem Natriumhydroxid (NaOH) in wässriger Magnesiumchloridlösung (MgCl2) aufgelöst wurde, um Magnesiumhydroxid (Mg)OH)2) zu erhalten, das dann in Natriumhydroxid bei einem Druck von 5 Atmosphären und auf 900°C unter Druck gesetzt und erhitzt wurde.
  • Jedes der oben beschrieben hergestellten Magnesiumsalze mit plattenförmiger Kristallstruktur wurde mit Hilfe einer Drei-Walzen-Mühle mit einem organischen Bindemittel (hergestellt durch die Auslösung von 10% Ethylzellulose in 90 Gew.-% Terpineol) gemischt, um eine Paste zu erhalten, welche dann mit Siebdruck in einer Dicke von 3,5 μm auf die dielektrische Glasschicht aufgetragen wurde.
  • Nach dem Brennen derselben für 20 Minuten bei 500°C entstand eine Schutzschicht aus Magnesiumoxid mit einer Dicke von zirka 1,7 μm.
  • Mit der Röntgenanalyse der Schutzschichten für die Beispiele 10–14, die wie oben beschrieben ausgebildet worden waren, wurde für jedes Beispiel bestätigt, dass die Kristalle aus Magnesiumoxiden eine (100)-Flächenorientierung aufwiesen.
  • Für das Beispiel 15 wurde eine Schutzschicht mit dem Vakuumbedampfungsverfahren ausgebildet, d. h. durch die Erhitzung von Magnesiumoxid mit dem Elektronenstrahl. Mit der Röntgenanalyse der Schutzschicht wurde bestätigt, dass die Kristalle aus Magnesiumoxiden eine (111)-Flächenorientierung aufwiesen.
  • Ausführungsform 1
  • Die Gesamtstruktur und das Herstellungsverfahren des Plasmabildschirms der vorliegenden Ausführungsform sind die gleichen wie bei Anordnung 1, mit der Ausnahme, dass ein Gas, das Ar oder Kr einschließt, d. h. Ar-Xe, Kr-Xe, Ar-Ne-Xe, Ar-He-Xe, Kr-Ne-Xe oder Kr-He-Xe Gas als Entladungsgas eingesetzt wird.
  • Durch Mischen von Ar oder Kr mit dem Entladungsgas wird die Bildschirmhelligkeit weiter verbessert. Als Grund dafür wird angenommen, dass sich das Verhältnis der Emission von ultraviolettem Licht bei 173 nm weiter erhöht.
  • Hier ist es wünschenswert, dass der Anteil von Xe auf den Bereich von 10 bis 70 Volumen-% eingestellt wird, da die Antriebsspannung dahin tendiert anzusteigen, wenn der Anteil 70 Volumen-% übersteigt.
  • Für aus drei Elementen bestehende Entladungsgase, wie z. B. Ar-Ne-Xe, Ar-He-Xe, Kr-Ne-Xe und Kr-He-Xe Gase ist es ebenfalls wünschenswert, dass der Anteil von Kr, Ar, He oder Ne im Bereich von 10 bis 50 Volumen-% liegt.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird zum Ausbilden einer Schutzschicht anstelle des thermischen CVD- oder plasmaunterstützten CVD-Verfahrens für die Ausbildung von Magnesiumoxid mit (110)-Flächenorientierung, wie in Anordnung 1 beschrieben, ein Verfahren zum Aufdampfen eines Magnesiumoxids mit (110)-Flächenorientierung auf die dielektrische Glasschicht mit Bestrahlung durch Ionen- oder Elektronenstrahl eingesetzt. Das Verfahren wird nachstehend beschrieben.
  • Verfahren zum Aufdampfen von Erdalkalioxid auf die dielektrische Glasschicht durch den Einsatz von Ionen- oder Elektronenstrahl-Bestrahlung zur Ausbildung der Schutzschicht
  • 7 zeigt eine Vorrichtung zum Bestrahlen mit Ionen-/Elektronenstrahl, die für die Ausbildung einer Schutzschicht im Plasmabildschirm der vorliegenden Ausführungsform eingesetzt wird.
  • Die Vorrichtung zum Bestrahlen mit Ionen-/Elektronenstrahl umfasst die Vakuumkammer 45, an der das Glassubstrat 41 mit einer dielektrischen Glasschicht angebracht ist. Die Vakuumkammer 45 schließt ebenfalls die Elektronenstrahlkanone 42 für das Aufdampfen eines Erdalkalioxids ein (bei der vorliegenden Ausführungsform Magnesiumoxid).
  • Der Ionenstrahler 43 strahlt einen Ionenstrahl zur Verdampfung des Erdalkalioxids ab, das durch die Elektronenstrahlkanone 42 aufgedampft wurde. Die Elektronenstrahlkanone 44 strahlt einen Elektronenstrahl zur Verdampfung des Erdalkalioxids ab, das durch die Elektronenstrahlkanone 42 aufgedampft wurde.
  • Die nachfolgende Beschreibung zeigt, wie das Erdalkalioxid mit Hilfe der Ionen- oder Elektronenstrahl-Strahlung für die Verdampfung unter Verwendung der oben beschriebenen Vorrichtung für die Bestrahlung mit Ionen-/Elektronenstrahl auf die dielektrische Glasschicht aufgedampft wird.
  • Zunächst wird das Glassubstrat 41 mit einer dielektrischen Glasschicht in die Kammer 45 eingebracht, und danach werden Kristalle eines Erdalkalioxids in die Elektronenstrahlkanone 42 eingebracht.
  • Als zweiter Schritt wird die Kammer 45 entleert, und danach wird das Substrat 41 erhitzt (150°C). Die Elektronenstrahlkanone 42 wird für das Aufdampfen des Erdalkalioxids eingesetzt. Gleichzeitig wird der Ionenstrahler 43 oder die Elektronenstrahlkanone 44 eingesetzt, um das Substrat 41 mit Argonionenstrahl oder Elektronenstrahl zu bestrahlen. Es bildet eine Schutzschicht aus Erdalkalioxid aus.
  • Die Kristalle des Erdalkalioxids wachsen langsam, und eine dichte Schutzschicht aus Erdalkalioxid mit (110)-Flächenorientierung wird ausgebildet, wenn, wie oben beschrieben, das Erdalkalioxid auf die dielektrische Glasschicht durch Bestrahlen mit dem Ionen- oder Elektronenstrahl aufgedampft wird. Die ausgebildete Schutzschicht weist fast die gleiche Wirkung wie die dichte Schutzschicht aus Erdalkalioxid mit (100)-Flächenorientierung auf, die bei Anordnung 1 ausgebildet wird.
  • Beispiele 16–34
  • Die Tabelle 3 zeigt die Beispiele 16–34 des Plasmabildschirms. Hinsichtlich der Zusammensetzung des Entladungsgases wird auf die Spalte "ART UND VERHÄLTNIS DES ENTLADUNGSGASES" verwiesen, und hinsichtlich des Fülldrucks wird auf die Spalte "GASFÜLLDRUCK" verwiesen.
  • Die Schutzschicht bei den Beispielen 16 und 27 wurde unter Verwendung von Magnesiumdipivaloylmethan Mg(C11H19O2)2 als Ausgangsstoff mit dem thermischen CVD-Verfahren ausgebildet, wie in der Anordnung 1 beschrieben, und bei den Beispielen 17, 23, 24, 28, 32 und 33 mit dem plasmaunterstützten CVD-Verfahren.
  • Bei den Beispielen 18, 21, 22, 25, 26 und 34 wurde eine Bestrahlung mit Ionenstrahl (Stromstärke von 10 mA) vorgenommen, und bei den Beispielen 19, 20, 30 und 31 mit dem Elektronenstrahl (10 mA), um ein Magnesiumoxid auf die dielektrische Glasschicht aufzudampfen und so eine Schutzschicht mit einer Schichtdicke von 5000 Å (0,5 μm) auszubilden.
  • Bei der Röntgenanalyse der Schutzschichten, die durch das Aufdampfen von Magnesiumoxid auf die dielektrische Glasschicht mit Bestrahlung durch Ionen- oder Elektronenstrahl ausgebildet wurden, wurde bestätigt, dass die Kristalle der Magnesiumoxide eine (110)-Flächenorientierung aufwiesen.
  • Anordnung 3
  • Die Gesamtstruktur und das Herstellungsverfahren des Plasmabildschirms der vorliegenden Anordnung sind die gleichen wie bei Anordnung 1, mit der Ausnahme, dass der Cell Pitch auf einen größeren Wert eingestellt wird und der Anteil von Xe in einem als Entladungsgas eingesetzten He-Xe Gas mit weniger als 10 Volumen-% vorgegeben wird. Es ist zu beachten, dass der Abstand zwischen den Elektroden "d" auf einen gleich großen oder größeren Wert eingestellt wird.
  • Bei der vorliegenden Anordnung werden andere Erdalkalioxide mit (100)-Flächenorientierung als Magnesiumoxid (MgO) als Schutzschichten ausgebildet, wie zum Beispiel Berylliumoxid (BeO), Kalziumoxid (CaO), Strontiumoxid (SrO) und Bariumoxid (BaO).
  • Diese Schutzschichten werden mit dem Einsatz geeigneter Ausgangsstoffe für entsprechendes Erdalkali mit Hilfe des thermischen oder plasmaunterstützten CVD-Verfahrens ausgebildet, das in Zusammenhang mit Anordnung 1 beschrieben wird.
  • Die auf dem vorderen Glassubstrat ausgebildeten Entladungselektroden schließen ein Zinnoxid-Antimonoxid oder ein Indiumoxid-Zinnoxid ein.
  • Die Schutzschicht aus Berylliumoxid, Kalziumoxid, Strontiumoxid oder Bariumoxid mit (100)-Flächenorientierung hat fast die gleiche Wirkung wie das Magnesiumoxid mit (100)-Flächenorientierung, das bei Anordnung 1 ausgebildet wird.
  • Beispiele 35–66
  • Die Tabelle 4 zeigt die Beispiele 35–66 des Plasmabildschirms, die gemäß der vorliegenden Anordnung hergestellt wurden. Die Höhe der Trennwände wurde mit 0,2 mm, der Abstand zwischen den Trennwänden (Cell Pitch) mit 0,3 mm, und der Abstand d zwischen den Entladungselektroden mit 0,05 mm vorgegeben. Das Entladungsgas war eine Mischung aus He-Xe-Gas, mit einem Anteil von 5 Volumen-% Xe, und der Fülldruck war mit 500 Torr (66,5 kPA) vorgegeben.
  • Die Entladungselektroden, die mit dem Sputter-Verfahren und dem Fotolithographie-Verfahren hergestellt wurden, bestehen aus Indiumoxid (In2O3), einschließlich von 10 Volumen-% Zinnoxid (SnO2).
  • Die Schutzschichten wurden mit dem thermischen oder plasmaunterstützten CVD-Verfahren aus Metallchelat oder Cyclopentadienyl-Verbindungen der Erdalkalioxide hergestellt, die in der Spalte "CVD-Ausgangsstoff" in Tabelle 4 gezeigt werden. Die ausgebildeten Schichten bestanden aus Magnesiumoxid, Berylliumoxid, Kalziumoxid, Strontiumoxid oder Bariumoxid, wie in der Spalte ""ERDALKALIOXID" gezeigt.
  • Mit der Röntgenanalyse der Schutzschichten wurde bestätigt, daß jedes Beispiel eine (100)-Flächenorientierung aufwies.
  • Bezugnahme
  • Die in Tabelle 4 gezeigten Beispiele 67–69 wurden auf die gleiche Weise wie die Beispiele 35–66 hergestellt. Die Schutzschichten der Beispiele 67–69 wurden jedoch mit unterschiedlichen Verfahren ausgebildet: beim Beispiel 67 wurde das Vakuumaufdampf verfahren für das Aufdampfen von Magnesiumoxid auf die dielektrische Glasschicht durch das Erhitzen des Magnesiumoxids mit dem Elektronenstrahl eingesetzt; beim Beispiel 68 wurde das Sputtern auf das Magnesiumoxid als Target genutzt und beim Beispiel 69 der Siebdruck mit Magnesiumoxid-Paste.
  • Bei der Röntgenanalyse der Schutzschichten wurde bestätigt, dass die Magnesiumoxid-Schutzschichten der Beispiele 67 und 69 (111)-Flächenorientierung aufwiesen. Es wurde ebenfalls bestätigt, dass die Magnesiumoxid-Schutzschicht des Beispiels 68 eine (100)-Flächenorientierung aufwies. Die Schutzschicht des Beispiels 68 wird jedoch nicht als dicht betrachtet, da sie durch Sputtern ausgebildet wurde.
  • Experiment 1: Messen der Wellenlänge des ultravioletten Lichts und der Schirmhelligkeit (Anfangswert)
  • Verfahren des Experiments
  • Bei den Beispielen 1–15 wurden die Wellenlänge des ultravioletten Lichts und die Schirmhelligkeit (anfänglicher Wert) gemessen, als sie bei 150 V Entladungs-Betriebsspannung und 30 KHz Frequenz betrieben wurden.
  • Ergebnisse und Analyse
  • Wie in den Tabellen 1–3 gezeigt, wurden Resonanzlinien von Xe bei einer Wellenlänge von 147 nm hauptsächlich bei den Beispielen 7–9 festgestellt, mit einer niedrigen Bildschirmhelligkeit (rund 200 cd/m2), während angeregtes molekulares Xe mit einer Wellenlänge von 173 nm vor allem bei den Beispielen 1–6 und 10–34 festgestellt wurde, mit einer hohen Bildschirmhelligkeit (rund 400 cd/m2 oder mehr). Von diesen zeigten die Beispiele 16–34 die größte Bildschirmhelligkeit (rund 500 cdm2 oder mehr).
  • Aus den obigen Ergebnissen ist ersichtlich, dass sich die Helligkeit der Bildschirme verbessert, wenn der Anteil von Xe im Entladungsgas auf 10 Volumen-% oder mehr und der Fülldruck auf 500 Torr (66,5 kPa) oder mehr eingestellt wird, und dass sich die Helligkeit der Bildschirme durch Zumischung von Kr oder Ar zum Entladungsgas weiter verbessert. Die Bildschirmhelligkeit von Beispiel 15 liegt etwas unter der der Beispiele 1–6 und 10–14. Als Grund dafür wird angenommen, dass die Schutzschicht von Beispiel 15, die aus Magnesiumoxid mit (111)-Flächenorientierung besteht, weniger Sekundärelektronen emittiert als mit (100)-Flächenorientierung.
  • Experiment 2: Messen der Änderungsraten der Bildschirmhelligkeit und der Entladungshaltespannung
  • Bei den Beispielen 1–15 und 35–69 wurden die Änderungsraten (Änderungsraten von den jeweiligen Anfangswerten nach 7000 Betriebsstunden) der Bildschirmhelligkeit und der Entladungshaltespannung gemessen, nachdem sie 7000 Stunden bei einer Entladungshaltespannung von 150 V und bei einer Frequenz von 30 kHz betrieben worden waren.
  • Bei den Beispielen 16–34 wurden die Änderungsraten der Bildschirmhelligkeit und der Entladungshaltespannung gemessen, nachdem sie 5000 Stunden bei einer Entladungshaltespannung von 170 V und bei einer Frequenz von 30 kHz betrieben worden waren.
  • Ergebnisse und Analyse
  • Wie in den Tabellen 1 und 2 gezeigt wird, sind die Änderungsraten der Bildschirmhelligkeit der Beispiele 1–6 und 10–14 kleiner als diejenigen der Beispiele 7–9. Ebenfalls waren, wie in Tabelle 3 gezeigt wird, die Änderungsraten der Bildschirmhelligkeit und der Entladungshaltespannung der Beispiele 16–34 insgesamt gering.
  • Aus den obigen Ergebnissen ist ersichtlich, dass sich das Änderungsverhältnis der Bildschirmhelligkeit verringert, wenn der Anteil von Xe im Entladungsgas mit 10 Volumen-% oder mehr und der Fülldruck mit 500 Torr (66,5 kPa) oder mehr vorgegeben werden.
  • Die Änderungsraten der Bildschirmhelligkeit und der Entladungshaltespannung der Beispiele 1–14 sind kleiner als diejenigen des Beispiels 15. Als Grund dafür wird angenommen, dass die Schutzschicht aus Magnesiumoxid mit (111)-Flächenorientierung einen höheren Sputterwiderstand und eine höhere Leistung beim Schutz der dielektrischen Glasschicht aufweist als diejenige mit (100)-Flächenorientierung.
  • Wie in Tabelle 4 gezeigt wird, sind die Änderungsraten der Bildschirmhelligkeit und der Entladungshaltespannung der Beispiele 35–66 klein, und diejenigen der Beispiele 67–69 sind groß.
  • Die obigen Ergebnisse zeigen, dass im Allgemeinen die Schutzschicht aus Erdalkalioxid mit (100)-Flächenorientierung oder (110)-Flächenorientierung, die mit dem thermischen CVD-Verfahren, dem plasmaunterstützten CVD-Verfahren oder dem Aufdampfungsverfahren mit Ionen- oder Elektronenstrahl-Bestrahlung ausgebildet wurde, einen höheren Sputterwiderstand und eine höhere Leistung beim Schutz der dielektrischen Glasschicht aufweist als diejenige mit (111)-Flächenorientierung. Zu beachten ist, dass die Ergebnisse von Beispiel 67 zeigen, dass die Schutzschicht aus Erdalkalioxid mit (100)-Flächenorientierung, die mit dem Sputterverfahren ausgebildet wurde, hohe Änderungsraten der Bildschirmhelligkeit und der Entladungshaltespannung und eine geringe Leistung beim Schutz der dielektrischen Glasschicht aufweist.
  • Als Grund für die obigen Ergebnisse wird angenommen, dass bei dem Erdalkalioxid der Schutzschicht, die mit dem thermischen CVD-Verfahren, dem plasmaunterstützten CVD-Verfahren oder mit dem Verfahren der Aufdampfung des Oxids auf eine Schicht mit Ionen- oder Elektronenstrahl-Bestrahlung ausgebildet wurde, die Kristalle langsam wachsen und so eine dichte Schutzschicht mit (100)-Flächenorientierung oder (110)-Flächenorientierung auszubilden; bei der mit dem Sputterverfahren ausgebildeten Schutzschicht wachsen die Kristalle nicht langsam, und die Schutzschicht wird nicht dicht, obwohl sie eine (100)-Flächenorientierung aufweist.
  • Anderes
    • – Die Werte in den Tabellen 1–4 in "DRUCKMISCHERTEMPERATUR", "ERHITZUNGSTEMPERATUR FÜR GLASSUBSTRAT", "BILDSCHIRMBRENNTEMPERATUR", "GEDRUCKTE SCHICHTDICKE", "Ar-GASDURCHSTRÖMGESCHWINDIGKEIT" und "O2-GASDRUCHSTRÖMGESCHWINDIGKEIT" wurden als Optimum für die jeweiligen Erdalkali-Ausgangsstoffe betrachtet.
    • – Die Ergebnisse der Änderungsraten der Bildschirmhelligkeit und der dielektrischen Betriebsspannung in Tabelle 4 wurden bei Plasmabildschirmen mit 5 Volumen-% Xe im Entladungsgas erhalten. Die gleichen Ergebnisse können jedoch bei 10 Volumen-% Xe oder mehr erhalten werden.
    • – Bei der obigen Ausführungsform und den Beispiel-Anordnungen schließt der hintere Schirm der Plasmabildschirme das hintere Glassubstrat 15 ein, mit welchem die Trennwände 17 verbunden sind. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf eine solche Konstruktion beschränkt, und sie kann bei allgemeinen Wechselspannungs-Plasmabildschirmen Anwendung finden, wie z. B. diejenigen, bei denen Trennwände am vorderen Schirm befestigt sind.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung umfassend mit Beispielen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben wurde, liegen für Fachleute natürlich verschiedene Änderungen und Abwandlungsmöglichkeiten auf der Hand. Der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert.
  • Figure 00220001
  • Figure 00230001
  • Figure 00240001
  • Figure 00250001

Claims (17)

  1. Plasmabildschirm, der enthält: eine vorderes Glassubstrat (11); erste Elektroden (12); eine dielektrische Glasschicht (13); eine Schutzschicht aus Erdalkalioxid; und eine Vielzahl von Entladungsraumzellen, wobei die Schutzschicht die dielektrische Glasschicht bedeckt und der Vielzahl von Entladungsraumzellen zugewandt ist und die dielektrische Glasschicht zusammen mit den ersten Elektroden an dem vorderen Glassubstrat ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Erdalkalioxid für die Schutzschicht eine (110)-Kristallflächenorientierung hat.
  2. Plasmabildschirm nach Anspruch 1, wobei jede Zelle unter einen Druck im Bereich von 500 Torr (66,5 kPa) bis 760 Torr (101 kPa) gesetzt ist.
  3. Plasmabildschirm nach Anspruch 2, wobei jede Zelle mit einem Xenon-Entladungsgas in einem Bereich von 10 Vol.-% bis 100 Vol.-% gefüllt ist.
  4. Plasmabildschirm nach Anspruch 3, wobei das Xenon mit Argon, Krypton, Helium oder Neon gemischt ist.
  5. Plasmabildschirm nach Anspruch 3, wobei das Xenon mit einem ausreichenden Volumen an Argon oder Krypton gemischt ist, um die Emission von ultraviolettem Licht mit einer Wellenlänge von 173 nm zu verstärken.
  6. Plasmabildschirm nach Anspruch 3, wobei das Xenon mit zwei zusätzlichen Entladungsgasen, die aus Argon, Krypton, Helium und Neon ausgewählt werden, in einem Bereich von 10 Vol.-% bis 50 Vol.-% gemischt ist.
  7. Plasmabildschirm nach Anspruch 2, wobei die ersten Elektroden Anzeigeelektroden (12) sind und wobei ein Abstand zwischen Anzeigeelektroden in der gleichen Ebene nicht mehr als 0,1 mm beträgt.
  8. Plasmabildschirm nach Anspruch 1, wobei die Schutzschicht Magnesiumoxid mit einer (110)-Kristallflächenorientierung ist.
  9. Verfahren zum Herstellen eines Plasmabildschirms, der aufweist: ein vorderes Glassubstrat (11); erste Elektroden (12); eine dielektrische Glasschicht (13); eine Schutzschicht aus einem Erdalkalioxid; und eine Vielzahl von Entladungsraumzellen, wobei die Schutzschicht die dielektrische Glasschicht bedeckt und der Vielzahl von Entladungsraumzellen zugewandt ist und die dielektrische Glasschicht zusammen mit den ersten Elektroden an dem vorderen Glassubstrat ausgebildet ist, und das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Abscheiden der Schutzschicht auf einer Oberfläche der dielektrischen Glasschicht (13); und Einleiten eines Entladungsgases in jede Zelle, dadurch gekennzeichnet, dass der Abscheideschritt das Abscheiden eines Erdalkalioxids mit einer (110)-Kristallflächenorientierung auf der Oberfläche der dielektrischen Glasschicht umfasst.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei jede Zelle unter einen Druck im Bereich von 500 Torr (66,5 kPa) bis 760 torr (101 kPa) gesetzt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei jede Zelle mit einem Xenon-Entladungsgas in einem Bereich von 10 Vol.-% bis 100 Vol.-% gefüllt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Xenon mit Argon, Krypton, Helium oder Neon mit gemischt wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Xenon mit einem ausreichenden Volumen an Argon oder Krypton gemischt wird, um die Emission von ultraviolettem Licht mit einer Wellenlänge von 173 nm zu verstärken.
  14. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Xenon mit zwei zusätzlichen Entladungsgasen, die aus Argon, Krypton, Helium und Neon ausgewählt werden, im Bereich von 10 Vol.-% bis 50 Vol.-% mit dem Xenon gemischt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Schutzschicht ausgebildet wird, indem Magnesiumoxid mit einer (110)-Kristallflächenorientierung mit einem Ionen- oder Elektronenstrahl auf die dielektrische Glasschicht gedampft wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die ersten Elektroden Silber-Anzeigeelektroden (12) sind, die ausgebildet werden, indem eine Paste auf das vordere Glassubstrat aufgetragen wird, die Paste anschließend gebrannt wird, um sie auszuhärten, und die Anzeigeelektroden anschließend zwischen dem vorderen Glassubstrat und der dielektrischen Schicht (13) eingeschlossen werden.
  17. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Abscheiden der Schutzschicht durch Aufdampfen des Erdalkalioxids mit einem Ionen-/Elektronenstrahl in einem Vakuum durchgeführt wird.
DE69633148T 1995-12-15 1996-12-13 Plasmaanzeigetafel geeignet für Anzeige hoher Qualität und Herstellungsverfahren Expired - Fee Related DE69633148T2 (de)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32676695 1995-12-15
JP32676695 1995-12-15
JP1632696 1996-02-01
JP1632696 1996-02-01
JP16263996 1996-06-24
JP16263996 1996-06-24
JP22342896 1996-08-26
JP22342896 1996-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69633148D1 DE69633148D1 (de) 2004-09-16
DE69633148T2 true DE69633148T2 (de) 2004-12-30

Family

ID=27456557

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1996633311 Expired - Fee Related DE69633311T2 (de) 1995-12-15 1996-12-13 Für Anzeigen von hoher Qualität geeignete Plasmaanzeigetafel und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE69630004T Expired - Fee Related DE69630004T2 (de) 1995-12-15 1996-12-13 Plasmaanzeigetafel geeignet für Anzeige hoher Qualität
DE69633148T Expired - Fee Related DE69633148T2 (de) 1995-12-15 1996-12-13 Plasmaanzeigetafel geeignet für Anzeige hoher Qualität und Herstellungsverfahren

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1996633311 Expired - Fee Related DE69633311T2 (de) 1995-12-15 1996-12-13 Für Anzeigen von hoher Qualität geeignete Plasmaanzeigetafel und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE69630004T Expired - Fee Related DE69630004T2 (de) 1995-12-15 1996-12-13 Plasmaanzeigetafel geeignet für Anzeige hoher Qualität

Country Status (5)

Country Link
US (5) US5770921A (de)
EP (6) EP0779643B1 (de)
JP (4) JP3339554B2 (de)
KR (1) KR100439878B1 (de)
DE (3) DE69633311T2 (de)

Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100186540B1 (ko) * 1996-04-25 1999-03-20 구자홍 피디피의 전극 및 그 형성방법
KR19980065367A (ko) * 1996-06-02 1998-10-15 오평희 액정표시소자용 백라이트
JPH10247474A (ja) * 1997-01-06 1998-09-14 Sony Corp 平面照明灯及びその製造方法
US6013309A (en) 1997-02-13 2000-01-11 Lg Electronics Inc. Protection layer of plasma display panel and method of forming the same
WO1998052179A1 (en) * 1997-05-09 1998-11-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
JPH117895A (ja) * 1997-06-05 1999-01-12 Lg Electron Inc プラズマディスプレイパネル及びその隔壁の形成方法
DE69826977T2 (de) * 1997-08-14 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Gasentladungstafel und lichterzeugende gasvorrichtung
US6150030A (en) * 1997-11-20 2000-11-21 Balzers Hochvakuum Ag Substrate coated with an MgO-layer
TW494428B (en) 1998-06-25 2002-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd A plasma display panel
JP3481142B2 (ja) * 1998-07-07 2003-12-22 富士通株式会社 ガス放電表示デバイス
JP4011746B2 (ja) * 1998-08-26 2007-11-21 株式会社日立製作所 プラズマディスプレイパネル
WO2000014711A2 (en) 1998-09-04 2000-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Driving method and apparatus for a display panel with high image quality and high luminous efficiency
KR100648770B1 (ko) 1998-09-08 2006-11-23 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 디스플레이 패널 제조방법
KR20070088816A (ko) 1998-10-20 2007-08-29 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 플라즈마 디스플레이 패널
JP2000357462A (ja) 1998-10-23 2000-12-26 Sony Corp 平面型プラズマ放電表示装置と駆動方法
DE19851348A1 (de) * 1998-11-06 2000-05-25 Philips Corp Intellectual Pty Lumineszierender Schirm mit oxidhaltiger Leuchtstoffzubereitung
JP3327858B2 (ja) * 1999-01-28 2002-09-24 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
US6541913B1 (en) 1999-07-02 2003-04-01 Sony Corporation Flat display apparatus
TW452812B (en) 1999-08-04 2001-09-01 Koninkl Philips Electronics Nv Plasma display panel
TW478007B (en) * 1999-10-19 2002-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Gas discharge panel and a manufacturing method for the same
JP4614609B2 (ja) * 1999-12-07 2011-01-19 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP2001228823A (ja) * 1999-12-07 2001-08-24 Pioneer Electronic Corp プラズマディスプレイ装置
KR20020062656A (ko) * 1999-12-14 2002-07-26 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 고정밀하며 고휘도로 화상표시할 수 있는 에이씨형플라즈마 디스플레이 패널 및 그 구동방법
JP3384390B2 (ja) * 2000-01-12 2003-03-10 ソニー株式会社 交流駆動型プラズマ表示装置
TW509960B (en) 2000-04-04 2002-11-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Highly productive method of producing plasma display panel
KR100769414B1 (ko) 2000-05-11 2007-10-22 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 전자 방출성 박막, 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널및 이들의 제조 방법
DE10023341A1 (de) * 2000-05-12 2001-11-29 Philips Corp Intellectual Pty Plasmabildschirm mit Schutzschicht
US6873106B2 (en) * 2000-06-01 2005-03-29 Pioneer Corporation Plasma display panel that inhibits false discharge
JP4153983B2 (ja) * 2000-07-17 2008-09-24 パイオニア株式会社 保護膜、その成膜方法、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
FR2812125A1 (fr) * 2000-07-21 2002-01-25 Thomson Plasma Dalle en verre munie d'electrodes en un materiau conducteur
JP2002110050A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Hitachi Ltd プラズマ表示パネル
DE10123235A1 (de) * 2001-05-12 2002-11-14 Philips Corp Intellectual Pty Plasmafarbbildschirm mit Pixelmatrix-Array
KR100859054B1 (ko) 2001-06-01 2008-09-17 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 가스방전패널 및 그 제조방법
JP4271902B2 (ja) 2002-05-27 2009-06-03 株式会社日立製作所 プラズマディスプレイパネル及びそれを用いた画像表示装置
KR100468416B1 (ko) * 2002-07-12 2005-01-27 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법
JP3624234B2 (ja) * 2002-07-17 2005-03-02 パイオニアプラズマディスプレイ株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造装置及びプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP4097480B2 (ja) * 2002-08-06 2008-06-11 株式会社日立製作所 ガス放電パネル用基板構体、その製造方法及びａｃ型ガス放電パネル
JP4056357B2 (ja) * 2002-10-31 2008-03-05 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 ガス放電パネル及びその製造方法
JP4137013B2 (ja) 2003-06-19 2008-08-20 三星エスディアイ株式会社 プラズマディスプレイパネル
US7425797B2 (en) 2003-07-04 2008-09-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Plasma display panel having protrusion electrode with indentation and aperture
US7466079B2 (en) * 2003-09-18 2008-12-16 Lg Electronics Inc. Plasma display panel and method for manufacturing the same
EP2360710B1 (de) * 2003-09-26 2013-05-22 Panasonic Corporation Plasmaanzeigetafel und Verfahren zu ihrer Herstellung
KR20050036450A (ko) * 2003-10-16 2005-04-20 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US7084567B2 (en) * 2003-10-20 2006-08-01 .Au Optronics Corporation Plasma display panel performing high luminance and luminous efficiency
KR100522613B1 (ko) * 2003-10-22 2005-10-19 삼성전자주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR100589369B1 (ko) 2003-11-29 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP4541832B2 (ja) * 2004-03-19 2010-09-08 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4396832B2 (ja) 2004-04-26 2010-01-13 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4764615B2 (ja) * 2004-05-07 2011-09-07 富士フイルム株式会社 塗布装置、塗布方法及び塗布膜付きウエブの製造方法
EP1640946A3 (de) * 2004-09-24 2008-05-14 Pioneer Corporation Plasmaanzeigevorrichtung
JP2006120356A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
KR101139662B1 (ko) * 2004-11-05 2012-05-14 가부시키가이샤 알박 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막 및 그 보호막의 제조방법, 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
JP4399344B2 (ja) 2004-11-22 2010-01-13 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2006222034A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイパネル
JP4650829B2 (ja) * 2005-03-22 2011-03-16 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2006286324A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイパネル
US20090079323A1 (en) * 2005-06-02 2009-03-26 Masashi Gotou Plasma display panel and plasma display panel unit
KR100726937B1 (ko) * 2005-06-08 2007-06-14 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP2007012436A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> プラズマディスプレイパネル
JP4829888B2 (ja) * 2005-07-08 2011-12-07 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネル装置
JP2007095436A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネル
KR100659101B1 (ko) * 2005-10-12 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 기체 방전 표시 장치와 이의 제조 방법
JP4894234B2 (ja) * 2005-11-15 2012-03-14 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP2007141483A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネル
CN101346793A (zh) * 2005-12-22 2009-01-14 筱田等离子有限公司 彩色显示装置
EP1994555A4 (de) 2006-03-10 2009-12-16 Advanced Tech Materials Vorläuferzusammensetzungen zur ablage von atomschichten und chemiedämpfen von titan, lanthanat und dielektrischen tantalat-filmen
JP4777827B2 (ja) * 2006-05-25 2011-09-21 株式会社アルバック プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置
WO2007139184A1 (ja) 2006-05-31 2007-12-06 Panasonic Corporation プラズマディスプレイパネルとその製造方法
US7858163B2 (en) * 2006-07-31 2010-12-28 3M Innovative Properties Company Molded monocomponent monolayer respirator with bimodal monolayer monocomponent media
US7905973B2 (en) * 2006-07-31 2011-03-15 3M Innovative Properties Company Molded monocomponent monolayer respirator
US7902096B2 (en) * 2006-07-31 2011-03-08 3M Innovative Properties Company Monocomponent monolayer meltblown web and meltblowing apparatus
US9770058B2 (en) 2006-07-17 2017-09-26 3M Innovative Properties Company Flat-fold respirator with monocomponent filtration/stiffening monolayer
US8029723B2 (en) * 2006-07-31 2011-10-04 3M Innovative Properties Company Method for making shaped filtration articles
US7947142B2 (en) * 2006-07-31 2011-05-24 3M Innovative Properties Company Pleated filter with monolayer monocomponent meltspun media
PL2049720T3 (pl) 2006-07-31 2014-02-28 3M Innovative Properties Co Sposób wytwarzania kształtowych produktów filtracyjnych
US7754041B2 (en) * 2006-07-31 2010-07-13 3M Innovative Properties Company Pleated filter with bimodal monolayer monocomponent media
KR100768333B1 (ko) 2006-08-14 2007-10-17 (주)씨앤켐 피디피 보호막 재료 및 그 제조방법
KR20090067190A (ko) 2006-10-20 2009-06-24 파나소닉 주식회사 플라스마 디스플레이 패널과 그 제조방법
WO2008047911A1 (fr) 2006-10-20 2008-04-24 Panasonic Corporation Écran à plasma et procédé de fabrication de celui-ci
JP4542080B2 (ja) * 2006-11-10 2010-09-08 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
KR20090017266A (ko) * 2007-08-14 2009-02-18 엘지전자 주식회사 ＭｇＯ 보호막 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널용상부패널
JP4818318B2 (ja) * 2008-06-13 2011-11-16 宇部マテリアルズ株式会社 酸化マグネシウム蒸着材及びその製造方法
JP5363918B2 (ja) * 2009-08-31 2013-12-11 エア・ウォーター株式会社 酸化マグネシウム膜およびその成膜方法、ならびにプラズマ生成電極
JP4598154B2 (ja) * 2010-03-17 2010-12-15 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
US9373677B2 (en) 2010-07-07 2016-06-21 Entegris, Inc. Doping of ZrO2 for DRAM applications
CN103943436A (zh) * 2011-12-31 2014-07-23 四川虹欧显示器件有限公司 提高掺杂型MgO介质保护层稳定性的方法及等离子显示屏
US9443736B2 (en) 2012-05-25 2016-09-13 Entegris, Inc. Silylene compositions and methods of use thereof
US9024526B1 (en) 2012-06-11 2015-05-05 Imaging Systems Technology, Inc. Detector element with antenna
US10186570B2 (en) 2013-02-08 2019-01-22 Entegris, Inc. ALD processes for low leakage current and low equivalent oxide thickness BiTaO films
CN112630288B (zh) * 2020-11-17 2021-10-12 燕山大学 一种基于放电的二次电子发射系数测量装置及方法

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3863089A (en) * 1970-09-28 1975-01-28 Owens Illinois Inc Gas discharge display and memory panel with magnesium oxide coatings
US3916245A (en) * 1970-12-07 1975-10-28 Owens Illinois Inc Multiple gaseous discharge display/memory panel comprising rare gas medium and photoluminescent phosphor
US4048533A (en) * 1971-10-12 1977-09-13 Owens-Illinois, Inc. Phosphor overcoat
JPS5263663A (en) * 1975-11-19 1977-05-26 Fujitsu Ltd Gas electric discharge panel
JPS5388566A (en) * 1977-01-14 1978-08-04 Hitachi Ltd Gas discharge display unit
US4320418A (en) * 1978-12-08 1982-03-16 Pavliscak Thomas J Large area display
JPS5638729A (en) * 1979-08-18 1981-04-14 Fujitsu Ltd Manufacture of gas discharge panel
DE3002930A1 (de) * 1980-01-28 1981-07-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Gasentladungsanzeigevorrichtung
GB2109628B (en) * 1981-11-16 1985-04-17 United Technologies Corp Optical display with excimer flurorescence
JPS60219548A (ja) * 1984-04-16 1985-11-02 Ngk Spark Plug Co Ltd 自動車排気ガス用酸素濃度検出器
US4717584A (en) 1985-02-07 1988-01-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a magnetic thin film
JPH0664738B2 (ja) * 1985-06-12 1994-08-22 松下電器産業株式会社 磁性体薄膜の製造方法
JPS63205031A (ja) * 1987-02-19 1988-08-24 Fujitsu Ltd ガス放電パネル
JPH01104774A (ja) * 1987-10-14 1989-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸化物超伝導体薄膜の製造方法
JPH0788271B2 (ja) * 1988-03-14 1995-09-27 松下電器産業株式会社 酸化物薄膜の製造方法
EP0364068A3 (de) * 1988-10-14 1990-05-30 Westinghouse Electric Corporation Methode zur Abscheidung eines oxidischen Supraleiters auf ein Substrat
JPH0315136A (ja) * 1989-06-12 1991-01-23 Mitsubishi Electric Corp プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイ装置の製造方法
US5179318A (en) * 1989-07-05 1993-01-12 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Cathode-ray tube with interference filter
JPH0686657B2 (ja) * 1989-09-11 1994-11-02 松下電工株式会社 薄膜形成装置
US5108983A (en) * 1989-11-21 1992-04-28 Georgia Tech Research Corporation Method for the rapid deposition with low vapor pressure reactants by chemical vapor deposition
JP2984015B2 (ja) 1990-02-01 1999-11-29 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
US5139999A (en) * 1990-03-08 1992-08-18 President And Fellows Of Harvard College Chemical vapor deposition process where an alkaline earth metal organic precursor material is volatilized in the presence of an amine or ammonia and deposited onto a substrate
JP3007117B2 (ja) 1990-04-27 2000-02-07 沖電気工業株式会社 ガス放電表示装置およびその製造方法
JPH04170394A (ja) * 1990-11-05 1992-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超伝導薄膜およびその製造方法
JP2731480B2 (ja) * 1992-01-28 1998-03-25 富士通株式会社 面放電型プラズマディスプレイパネル
CA2061384C (en) * 1991-02-20 2003-12-23 Masatake Hayashi Electro-optical device
DE69214040T2 (de) 1991-07-18 1997-03-06 Japan Broadcasting Corp Gleichfeld-Gasentladungsanzeigeeinrichtung und diese verwendende Gasentladungsanzeigevorrichtung
JP3190714B2 (ja) * 1991-11-21 2001-07-23 日本放送協会 直流型放電パネルとそれをパルスメモリ駆動する表示装置
JP3126756B2 (ja) * 1991-07-18 2001-01-22 日本放送協会 直流型放電パネルと表示装置
EP0554172B1 (de) 1992-01-28 1998-04-29 Fujitsu Limited Plasma Farbanzeige-Vorrichtung von Oberflächenentladungs-Typ
JP3149249B2 (ja) * 1992-02-25 2001-03-26 富士通株式会社 Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP3161024B2 (ja) * 1992-04-21 2001-04-25 ソニー株式会社 プラズマアドレス電気光学装置
JP3236665B2 (ja) * 1992-06-05 2001-12-10 富士通株式会社 Ａｃ型プラズマディスプレイパネルのエージング方法
US5438343A (en) * 1992-07-28 1995-08-01 Philips Electronics North America Corporation Gas discharge displays and methodology for fabricating same by micromachining technology
JP3459933B2 (ja) 1993-05-10 2003-10-27 平樹 内池 ａｃ形プラズマディスプレイおよびその製造方法
JP2616538B2 (ja) * 1993-06-01 1997-06-04 日本電気株式会社 ガス放電型表示装置
US5469021A (en) 1993-06-02 1995-11-21 Btl Fellows Company, Llc Gas discharge flat-panel display and method for making the same
EP0638625B1 (de) * 1993-07-30 2002-09-11 Toshiba Lighting & Technology Corporation Lumineszentes Material für Quecksilberentladungslampe
US5458086A (en) * 1993-10-13 1995-10-17 Superconductor Technologies, Inc. Apparatus for growing metal oxides using organometallic vapor phase epitaxy
JPH07111134A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Oki Electric Ind Co Ltd ガス放電表示パネル及びその電極形成方法
JP3194454B2 (ja) * 1994-01-17 2001-07-30 日本放送協会 気体放電型表示装置
JPH07220640A (ja) * 1994-02-02 1995-08-18 Oki Electric Ind Co Ltd ガス放電パネルの保護膜、その形成方法、そのガス放電パネルの保護膜を用いたガス放電パネルおよび表示装置
JPH07300397A (ja) * 1994-05-10 1995-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 強誘電体薄膜素子およびその製造方法
JPH0877932A (ja) * 1994-09-02 1996-03-22 Oki Electric Ind Co Ltd ガス放電パネルの保護膜及びその形成方法
US5818168A (en) * 1994-09-07 1998-10-06 Hitachi, Ltd. Gas discharge display panel having communicable main and auxiliary discharge spaces and manufacturing method therefor
JPH08111177A (ja) 1994-10-12 1996-04-30 Dainippon Printing Co Ltd 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法
JPH08115673A (ja) * 1994-10-17 1996-05-07 Kasei Optonix Co Ltd 真空紫外線励起発光素子
JPH08236025A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Oki Electric Ind Co Ltd ガス充填方法、ガス充填構造およびガス放電表示パネルの製造方法
JPH08248917A (ja) * 1995-03-08 1996-09-27 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 気体放電型表示装置の駆動方法
WO1996032520A1 (en) * 1995-04-14 1996-10-17 Spectra-Physics Lasers, Inc. Method for producing dielectric coatings
DE69606806T2 (de) * 1995-07-14 2000-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lumineszenzelement, Methode zur Herstellung desselben, und beleuchtetes Schaltelement damit
KR19980065367A (ko) * 1996-06-02 1998-10-15 오평희 액정표시소자용 백라이트
JP2001104774A (ja) 1999-10-05 2001-04-17 Sony Corp プラズマ処理装置
JP2004170394A (ja) 2002-10-29 2004-06-17 Toppan Printing Co Ltd 刷版検査装置及び刷版検査システム

Also Published As

Publication number Publication date
DE69630004T2 (de) 2004-04-01
JP4569933B2 (ja) 2010-10-27
EP1333462A3 (de) 2007-12-05
JP2010092867A (ja) 2010-04-22
JP3339554B2 (ja) 2002-10-28
DE69630004D1 (de) 2003-10-23
EP1164620B1 (de) 2004-09-01
US5770921A (en) 1998-06-23
DE69633148D1 (de) 2004-09-16
USRE40871E1 (en) 2009-08-18
EP0779643A3 (de) 1999-03-10
JP2002093327A (ja) 2002-03-29
DE69633311T2 (de) 2005-01-13
EP1164620A2 (de) 2001-12-19
KR970051640A (ko) 1997-07-29
EP1164620A3 (de) 2002-01-02
JP4505474B2 (ja) 2010-07-21
JP2007173251A (ja) 2007-07-05
KR100439878B1 (ko) 2004-10-08
EP1221709A2 (de) 2002-07-10
USRE40647E1 (en) 2009-03-10
EP1221708A2 (de) 2002-07-10
USRE41503E1 (en) 2010-08-17
EP1221711A3 (de) 2002-12-18
EP1221711A2 (de) 2002-07-10
US5993543A (en) 1999-11-30
EP0779643A2 (de) 1997-06-18
DE69633311D1 (de) 2004-10-07
EP1221708A3 (de) 2002-12-04
EP0779643B1 (de) 2003-09-17
EP1221709A3 (de) 2002-12-11
JPH10125237A (ja) 1998-05-15
EP1221711B1 (de) 2004-08-11
EP1333462A2 (de) 2003-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69633148T2 (de) Plasmaanzeigetafel geeignet für Anzeige hoher Qualität und Herstellungsverfahren
DE69824034T2 (de) Lumineszenzmittel, pulverförmiges lumineszenzmittel, plasma-anzeigetafel und herstellungsverfahren dersleben
DE69926812T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Plasma-Anzeigevorrichtung mit verbesserten Lichtemissionseigenschaften
DE602004003186T2 (de) Plasmaanzeigevorrichtung
DE60305371T2 (de) Plasmaanzeigegerät mit Kohlenstoff-Nanotubes und Verfahren zur Herstellung der Frontplatte des Plasmaanzeigegeräts
DE69910843T2 (de) Herstellungsverfahren einer Plasma-Anzeigetafel zur Erzielung gewisser Lumineszenzeigenschaften
DE2647396A1 (de) Gasentladungspaneel
EP1215698B1 (de) Plasmabildschirm mit Leuchtstoffschicht
DE69826977T2 (de) Gasentladungstafel und lichterzeugende gasvorrichtung
DE602004006783T2 (de) Gasentladungsanzeigetafel und Herstellungsverfahren dafür
DE10106963A1 (de) Plasmabildschirm mit erhöhter Luminanz
EP1187167B1 (de) Farbbildschirm mit blauer Leuchtstoffschicht
DE602004010489T2 (de) Plasma anzeigetafel
EP1154456A2 (de) Plasmabildschirm mit Schutzschicht
DE10146798A1 (de) Plasmabildschirm mit erhöhter Effizienz
DE3328036A1 (de) Gasentladungsanzeigevorrichtung mit einem abstandsrahmen und verfahren zur herstellung dieses rahmens
KR100573617B1 (ko) 금속산화물이 첨가된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체페이스트 및 그의 제조방법
DE60207906T2 (de) Leuchtstoff
DE60316087T2 (de) Plasma-Anzeigetafel mit grünem Leuchtstoff aus Aluminatmischung mit Spinelstruktur
DE10122287A1 (de) Plasmabildschirm mit verbessertem Weißfarbpunkt
DE2607888A1 (de) Leuchtstoff
DE10104364A1 (de) Plasmabildschirm mit einer Leuchtstoffschicht
JPH11250814A (ja) プラズマディスプレイパネル
DE2230373A1 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee