JPH01104774A - 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導体薄膜の製造方法Info
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- JPH01104774A JPH01104774A JP62258922A JP25892287A JPH01104774A JP H01104774 A JPH01104774 A JP H01104774A JP 62258922 A JP62258922 A JP 62258922A JP 25892287 A JP25892287 A JP 25892287A JP H01104774 A JPH01104774 A JP H01104774A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は超伝導を示す薄膜の作製を可能とする酸化物超
伝導体薄膜の製造方法に関するものである。
伝導体薄膜の製造方法に関するものである。
従来の技術
超伝導材料には多くの応用が考えられることば周知の事
実である。しかし、従来の合金超伝導材料は、常伝導状
態から超伝導状態へ転移する転移温度（Ｔｃ）が一番高
いＮ ｂ ｓ Ｇ ｅでさえ２３．９にであり、液体ヘ
リウムなくしては使用できないのである。そのためかな
りの経済的負担を覚悟しなくてはならなかった。
実である。しかし、従来の合金超伝導材料は、常伝導状
態から超伝導状態へ転移する転移温度（Ｔｃ）が一番高
いＮ ｂ ｓ Ｇ ｅでさえ２３．９にであり、液体ヘ
リウムなくしては使用できないのである。そのためかな
りの経済的負担を覚悟しなくてはならなかった。
近年、液体窒素温度（７７’Ｋ）以上にＴｃをもつ酸化
物超伝導体（Ｂａ ２ ｙ ｃ ｕ ３ ｏ ７等）が
発見され、その後、イツトリウム（Ｙ）を他のランタニ
ド系列の元素［ネオジウム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ
）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリウム（Ｃｄ）、 ジ
スプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウ
ム（Ｅｒ）、 ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙ
ｂ）、ランタン（Ｌａ）、ルテチウム（Ｌｕ）］で１き
換えても７７°に以上にＴｃをもつ酸化物超伝導体であ
ることが確認された。これらのことにより、これまで一
部の分野でしか実用化されていなかった超伝導材料の応
用が幅広い分野で実用化されることも可能となった。
物超伝導体（Ｂａ ２ ｙ ｃ ｕ ３ ｏ ７等）が
発見され、その後、イツトリウム（Ｙ）を他のランタニ
ド系列の元素［ネオジウム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ
）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリウム（Ｃｄ）、 ジ
スプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウ
ム（Ｅｒ）、 ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙ
ｂ）、ランタン（Ｌａ）、ルテチウム（Ｌｕ）］で１き
換えても７７°に以上にＴｃをもつ酸化物超伝導体であ
ることが確認された。これらのことにより、これまで一
部の分野でしか実用化されていなかった超伝導材料の応
用が幅広い分野で実用化されることも可能となった。
実用化が可能となった分野の一つに大きな市場をもつエ
レクトロニクス分野がある。しかしエレクトロニクス分
野への応用を考えた場合には超伝導体の薄膜化が不可欠
となる。現在すでに酸化物超伝導体の薄膜化へのアプロ
ーチがさかんになされている。薄膜化の方法としてはま
ず真空蒸着法がある。しかし、真空蒸着法は組成の制御
性に問題がある。次にスパッタ法がある。これは蒸着と
くらべると組成の制御性にすぐれている。また生産性の
高いＣＶＤ法も薄膜化のを力な手段である。
レクトロニクス分野がある。しかしエレクトロニクス分
野への応用を考えた場合には超伝導体の薄膜化が不可欠
となる。現在すでに酸化物超伝導体の薄膜化へのアプロ
ーチがさかんになされている。薄膜化の方法としてはま
ず真空蒸着法がある。しかし、真空蒸着法は組成の制御
性に問題がある。次にスパッタ法がある。これは蒸着と
くらべると組成の制御性にすぐれている。また生産性の
高いＣＶＤ法も薄膜化のを力な手段である。
発明が解決しようとする問題点
真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法いずれの方法におい
ても、膜を堆積したままでは超伝導性を示さない。その
ために９００℃前後の酸素雰囲気中アニールが必要とな
る。
ても、膜を堆積したままでは超伝導性を示さない。その
ために９００℃前後の酸素雰囲気中アニールが必要とな
る。
本発明は上記問題点に鑑み、酸化物超伏４体薄膜を３０
０℃以下の低温で比較的簡単に製造する方法を提供する
ものである。
０℃以下の低温で比較的簡単に製造する方法を提供する
ものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明は、酸化物超伝導体
の製造方法に、プラズマの活性さを利用したプラズマＭ
ＯＣＶＤ法を用いることにより、３００℃以下の低温で
しかも膜堆積後の酸素雰囲気中アニールなしで７７°に
以上のＴｃをもつ酸化物超伝導体薄膜を比較的簡単に成
膜するという構成を備えたものである。
の製造方法に、プラズマの活性さを利用したプラズマＭ
ＯＣＶＤ法を用いることにより、３００℃以下の低温で
しかも膜堆積後の酸素雰囲気中アニールなしで７７°に
以上のＴｃをもつ酸化物超伝導体薄膜を比較的簡単に成
膜するという構成を備えたものである。
作用
本発明は上記した構成の製造方法であるので、銅を含む
有機金属化合物の蒸気と、バリウムを含む含フッ素有機
金属化合物の蒸気と、希土類金属を含む有機金属化合物
の蒸気と酸素の流量比、真空痩、プラズマ発生高周波出
力等の条件を選んでやることにより、直接酸化物超伝導
体薄膜を比較的容易に成膜できるのである。
有機金属化合物の蒸気と、バリウムを含む含フッ素有機
金属化合物の蒸気と、希土類金属を含む有機金属化合物
の蒸気と酸素の流量比、真空痩、プラズマ発生高周波出
力等の条件を選んでやることにより、直接酸化物超伝導
体薄膜を比較的容易に成膜できるのである。
実施例
以下本発明の一実施例のプラズマＭＯＣＶＤ法による酸
化物超伝導体薄膜の製造方法につい゛て、図面を参照し
ながら説明する。
化物超伝導体薄膜の製造方法につい゛て、図面を参照し
ながら説明する。
図は本発明の一実施例におｔするプラズマＭＯＣＶＤ装
置の概略図を示すものである。図において１は反応チャ
ンバー、２は電極、３は反応チャンバー内を低圧に保つ
ための排気系で、４は下地基板、５は基板加熱ヒーター
である。６，７゜８は有機金属化合物の入ったバブラー
で、９はキャリアガスポンベ（Ａ「）、１０は反応ガス
である酸素ポンベで、１）は高周波電源（１３，５６Ｍ
Ｈｚ）−である。
置の概略図を示すものである。図において１は反応チャ
ンバー、２は電極、３は反応チャンバー内を低圧に保つ
ための排気系で、４は下地基板、５は基板加熱ヒーター
である。６，７゜８は有機金属化合物の入ったバブラー
で、９はキャリアガスポンベ（Ａ「）、１０は反応ガス
である酸素ポンベで、１）は高周波電源（１３，５６Ｍ
Ｈｚ）−である。
バフ゛ラー６に１同アセチルアセトナート［Ｃｕ（Ｃ６
Ｈ，Ｏ□）２〕、７にバリウムトリフロロアセチルアセ
トナート［Ｂａ （ｃ５Ｈ，０２Ｆ３）２］、８にイ
ツトリウムアセチルアセトナート［Ｙ （Ｃ５Ｈ薔０２
）３］を入れ、それぞれ１３０℃に加熱し、その蒸気を
アルゴンキャリア（流量は６に１０ｍｉ！７分、７に５
ｍ１）分、８に３ｍｊ！／分）とともに排気系３により
減圧された反応チャンバー１内に導入する。同時に反応
ガスである酸素（流ｆｆ１３０ｍ／／分）も酸素ポンベ
１０より導入する。また、基板４（シリコン）は基板加
熱ヒーター５よりあらかじめ３００’Ｃに加熱しておき
プラズ゛マを発生（高周波電力２Ｗ／ｃ＋Ｊ）させ、３
０分間減圧下（０，０８Ｔｏｒｒ）で反応を行ない、Ｙ
Ｂａ２Ｃｕ３Ｆ ｏ７ ｉ膜を堆積させた。得４れ
た膜は、結晶構造をＸ線回折により解析した結果から斜
方晶系に属していた。４端子法により超伝導転移温度を
測定すると９２”Ｋであった。また膜厚は６００人であ
った。
Ｈ，Ｏ□）２〕、７にバリウムトリフロロアセチルアセ
トナート［Ｂａ （ｃ５Ｈ，０２Ｆ３）２］、８にイ
ツトリウムアセチルアセトナート［Ｙ （Ｃ５Ｈ薔０２
）３］を入れ、それぞれ１３０℃に加熱し、その蒸気を
アルゴンキャリア（流量は６に１０ｍｉ！７分、７に５
ｍ１）分、８に３ｍｊ！／分）とともに排気系３により
減圧された反応チャンバー１内に導入する。同時に反応
ガスである酸素（流ｆｆ１３０ｍ／／分）も酸素ポンベ
１０より導入する。また、基板４（シリコン）は基板加
熱ヒーター５よりあらかじめ３００’Ｃに加熱しておき
プラズ゛マを発生（高周波電力２Ｗ／ｃ＋Ｊ）させ、３
０分間減圧下（０，０８Ｔｏｒｒ）で反応を行ない、Ｙ
Ｂａ２Ｃｕ３Ｆ ｏ７ ｉ膜を堆積させた。得４れ
た膜は、結晶構造をＸ線回折により解析した結果から斜
方晶系に属していた。４端子法により超伝導転移温度を
測定すると９２”Ｋであった。また膜厚は６００人であ
った。
以下同様にして、プラズマ発生電力、真空度、基板温度
、希土類金属を含む有機金属化合物の種類等の条件を変
化させた場合についての結果を表に示す。
、希土類金属を含む有機金属化合物の種類等の条件を変
化させた場合についての結果を表に示す。
（以下余白）
なお本発明においてプラズマを維持する時の圧力が１×
１０°’ 〜１． ＯＴｏｒｒとしたのは１．０ Ｔｏ
ｒｒ以上だと化学蒸着の際プラズマが有効に効かないた
め低温で酸化物超伝導体薄膜が得られないためである。
１０°’ 〜１． ＯＴｏｒｒとしたのは１．０ Ｔｏ
ｒｒ以上だと化学蒸着の際プラズマが有効に効かないた
め低温で酸化物超伝導体薄膜が得られないためである。
またＩ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ以上だと酸化物超伝導体
薄膜の成膜速度が非常に遅くなってしまうからである。
薄膜の成膜速度が非常に遅くなってしまうからである。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明は減圧プラズマ中でのＣ
ＶＤ反応を巧みに利用して、基板温度３００℃以下の低
温で直接酸化物超伝導体薄膜を合成できる製造方法であ
り、産業上きわめて有益な発明である。
ＶＤ反応を巧みに利用して、基板温度３００℃以下の低
温で直接酸化物超伝導体薄膜を合成できる製造方法であ
り、産業上きわめて有益な発明である。
図は本発明の一実施例におけるプラズマＭＯＣＶＤ装置
の概略図である。 １・・・・・・反応チャンバー、２・・・・・・ｉｔ極
、３・・・・・・排気系、４・・・・・・下地基板、５
・・・・・・基板加熱ヒーター、６・・・・・・銅アセ
チルアセトナートのバブラー、７・・・・・・バリウム
トリフロロアセチルｉセトナートのバブラー、８・・・
・・・インドリウムアセチルアセトナートのバブラー、
９・・・・・・キャリアガスボンベ（Ａｒ）、１０・・
・・・・反応ガスボンベ（０□）、１）・・・・・・高
周波電源（１３，５６Ｍ）Ｉｚ）。
の概略図である。 １・・・・・・反応チャンバー、２・・・・・・ｉｔ極
、３・・・・・・排気系、４・・・・・・下地基板、５
・・・・・・基板加熱ヒーター、６・・・・・・銅アセ
チルアセトナートのバブラー、７・・・・・・バリウム
トリフロロアセチルｉセトナートのバブラー、８・・・
・・・インドリウムアセチルアセトナートのバブラー、
９・・・・・・キャリアガスボンベ（Ａｒ）、１０・・
・・・・反応ガスボンベ（０□）、１）・・・・・・高
周波電源（１３，５６Ｍ）Ｉｚ）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）銅を含む有機金属化合物の蒸気と、バリウムを含
む有機金属化合物の蒸気と、希土類金属を含む有機金属
化合物の蒸気と、反応ガスとしての酸素を減圧プラズマ
中で分解させ、下地基板上に酸化物超伝導体薄膜を化学
蒸着することを特徴とする酸化物超伝導体薄膜の製造方
法。 （２）銅を含む有機金属化合物がβ−ジケトン系金属錯
体であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の酸化物超伝導体薄膜の製造方法。 （３）バリウムを含む有機金属化合物を含フッ素β−ジ
ケトン系金属錯体であることを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の酸化物超伝導体薄膜の製造方法。 （４）希土類金属がランタン、イットリウム、ネオジウ
ム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリウム、ジスプロ
シウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテル
ビウムまたはルテチウムであり、上記元素を含む有機金
属化合物がβ−ジケトン系金属錯体であることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の酸化物超伝導体薄
膜の製造方法。 （５）プラズマを維持する時の圧力が１×１０＾３〜１
．０Ｔｏｒｒであることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の酸化物超伝導体薄膜の製造方法。 （６）酸化物超伝導体が化学式ＬｎＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｆ
Ｏ＿７（ただしＬｎは希土類金属、αは ０．５以下の数、δは０．１〜０．４の数）で示される
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の酸化
物超伝導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258922A JPH01104774A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258922A JPH01104774A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01104774A true JPH01104774A (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=17326902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62258922A Pending JPH01104774A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01104774A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0193405A (ja) * | 1987-06-16 | 1989-04-12 | Kawasaki Steel Corp | 酸化物超伝導体薄膜形成用原料混合物および酸化物超伝導体薄膜の形成方法 |
| JPH01192725A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Sharp Corp | 高温酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
| JPH01200519A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Fujikura Ltd | 酸化物系超電導線材の製造方法 |
| JPH01208468A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-22 | Riken Corp | バリウム系薄膜製造法 |
| JPH01240664A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-09-26 | Kurosaki Refract Co Ltd | 超電導薄膜の気相合成方法 |
| JPH01308806A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-13 | Mitsubishi Metal Corp | 膜状超電導体の製造方法 |
| JPH01308802A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-13 | Mitsubishi Metal Corp | 膜状超電導体の製造方法及びその装置 |
| JPH01308804A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-13 | Mitsubishi Metal Corp | 膜状超電導体の製造方法 |
| JPH04154618A (ja) * | 1989-11-14 | 1992-05-27 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導体の製造方法 |
| EP1221709A2 (en) * | 1995-12-15 | 2002-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel suitable for high-quality display and production method |
| US8512798B2 (en) * | 2003-06-05 | 2013-08-20 | Superpower, Inc. | Plasma assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62258922A patent/JPH01104774A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0193405A (ja) * | 1987-06-16 | 1989-04-12 | Kawasaki Steel Corp | 酸化物超伝導体薄膜形成用原料混合物および酸化物超伝導体薄膜の形成方法 |
| JPH01240664A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-09-26 | Kurosaki Refract Co Ltd | 超電導薄膜の気相合成方法 |
| JPH01192725A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Sharp Corp | 高温酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
| JPH01200519A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Fujikura Ltd | 酸化物系超電導線材の製造方法 |
| JPH01208468A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-22 | Riken Corp | バリウム系薄膜製造法 |
| JPH01308806A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-13 | Mitsubishi Metal Corp | 膜状超電導体の製造方法 |
| JPH01308802A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-13 | Mitsubishi Metal Corp | 膜状超電導体の製造方法及びその装置 |
| JPH01308804A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-13 | Mitsubishi Metal Corp | 膜状超電導体の製造方法 |
| JPH04154618A (ja) * | 1989-11-14 | 1992-05-27 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物超電導体の製造方法 |
| EP1221709A2 (en) * | 1995-12-15 | 2002-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel suitable for high-quality display and production method |
| USRE41503E1 (en) | 1995-12-15 | 2010-08-17 | Panasonic Corporation | Method of producing plasma display panel with protective layer of an alkaline earth oxide |
| US8512798B2 (en) * | 2003-06-05 | 2013-08-20 | Superpower, Inc. | Plasma assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system |
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