JPS63289725A - 化合物超電導薄膜の作製方法 - Google Patents
化合物超電導薄膜の作製方法Info
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- JPS63289725A JPS63289725A JP62124612A JP12461287A JPS63289725A JP S63289725 A JPS63289725 A JP S63289725A JP 62124612 A JP62124612 A JP 62124612A JP 12461287 A JP12461287 A JP 12461287A JP S63289725 A JPS63289725 A JP S63289725A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、化合物超電導薄膜の作製方法に係り、特に、
酸化物系の化合物超電導薄膜の作製方法に関する。
酸化物系の化合物超電導薄膜の作製方法に関する。
（従来の技術）
最近１組成がＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０などで表わされる酸化
物系化合物超電導体が注目されている。
物系化合物超電導体が注目されている。
これら、酸化物系化合物超電導体の多くは、臨界温度が
液体窒素温度以上である。このため、冷媒として高価で
扱い難い液体ヘリウムを使用する必要がなく、また冷却
系も大幅に簡略化できるので。
液体窒素温度以上である。このため、冷媒として高価で
扱い難い液体ヘリウムを使用する必要がなく、また冷却
系も大幅に簡略化できるので。
超電導技術を飛躍的に発展させるものと期待されている
。
。
ところで、酸化物系化合物超電導体を集積回路等に応用
するには、この超電導体を対象にした薄膜作製技術の確
立が不可欠である。現在、公表されている唯一の薄膜作
製方法は２組成がＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０などで表わされる
ターゲットを用いてＡｒ−０２雰囲気中でスパッタ法で
作製する方法である。しかし、この作製方法では、スパ
ッタリングを行なうときのアルゴンと酸素との濃度比等
の微妙な違いが得られる薄膜の特性に大きな影響を与え
、臨界温度の高い薄膜を再現性高く作製できない問題が
あった。
するには、この超電導体を対象にした薄膜作製技術の確
立が不可欠である。現在、公表されている唯一の薄膜作
製方法は２組成がＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０などで表わされる
ターゲットを用いてＡｒ−０２雰囲気中でスパッタ法で
作製する方法である。しかし、この作製方法では、スパ
ッタリングを行なうときのアルゴンと酸素との濃度比等
の微妙な違いが得られる薄膜の特性に大きな影響を与え
、臨界温度の高い薄膜を再現性高く作製できない問題が
あった。
（発明が解決しようとする問題点）
上述の如く、今まで公表されている方法では。
臨界温度が液体窒素温度以上の化合物超電導薄膜を再現
性高く作製できない問題があった。
性高く作製できない問題があった。
そこで本発明は、複雑な工程を伴わずに、しかも臨界温
度が液体窒素温度以上の化合物超電導薄膜を極めて簡単
に、かつ再現性高く作製できる作製方法を提供すること
を目的としている。
度が液体窒素温度以上の化合物超電導薄膜を極めて簡単
に、かつ再現性高く作製できる作製方法を提供すること
を目的としている。
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段）
本発明では、基板上に組成が、Ｌ−バリウム−銅（ただ
し、Ｌ＝イットリウム、エルビウム。
し、Ｌ＝イットリウム、エルビウム。
ジスプロシウム、サマリウム、ガドリニウム、ホルミウ
ム、ネオジム、イッテルビウム、ツリウム。
ム、ネオジム、イッテルビウム、ツリウム。
ルテチウムの中から選ばれた少なくとも１種）からなる
蒸着層を形成した後、上記蒸着層に酸素ガス雰囲気中で
熱処理を施して酸化物系化合物超電導層に変換すること
によって目的を達成している。
蒸着層を形成した後、上記蒸着層に酸素ガス雰囲気中で
熱処理を施して酸化物系化合物超電導層に変換すること
によって目的を達成している。
さらに詳しく述べると、蒸着層の形成は、制御性の面か
らスパッタで行なうことが望ましい。また、熱処理は、
８５０〜９５０℃で、２〜５０時間が望ましい。
らスパッタで行なうことが望ましい。また、熱処理は、
８５０〜９５０℃で、２〜５０時間が望ましい。
（作用）
本発明作製方法では、酸化物系化合物超電導体の母材と
なる層の形成工程と、この母材を最終的に酸化物系化合
物超電導体に変換する工程とを別けているので、各工程
を実施するときには、それを実施するに必要な単一のガ
スだけ供給すればよいことになる。したがって、従来の
作製方法とは違って、微妙なガス調整等は必要がなく、
この結果、臨界温度の高い薄膜を再現性良く作製するこ
とが可能となる。
なる層の形成工程と、この母材を最終的に酸化物系化合
物超電導体に変換する工程とを別けているので、各工程
を実施するときには、それを実施するに必要な単一のガ
スだけ供給すればよいことになる。したがって、従来の
作製方法とは違って、微妙なガス調整等は必要がなく、
この結果、臨界温度の高い薄膜を再現性良く作製するこ
とが可能となる。
（実施例）
６４組成がＹＩＢａ２Ｃｕ３からなる円板をターゲット
として用い、アルゴンガス（圧力１０ ’ ｔｏｒｒ）
中でスパッタ法によって５ｉ０２基板の表面に厚さ１μ
ｍのＹ−Ｂａ−Ｃｕ膜を作製した。次に、基板を加熱炉
に移し、酸素ガスを通流させながら９００℃、２時間の
熱処理を行なって薄膜作製工程を終了した。
として用い、アルゴンガス（圧力１０ ’ ｔｏｒｒ）
中でスパッタ法によって５ｉ０２基板の表面に厚さ１μ
ｍのＹ−Ｂａ−Ｃｕ膜を作製した。次に、基板を加熱炉
に移し、酸素ガスを通流させながら９００℃、２時間の
熱処理を行なって薄膜作製工程を終了した。
このようにして作製された薄膜についてＸ線分光分析し
たところ、 ＹＩ Ｂ ａ２ Ｃｕ３０７−Ｙの組成
式を持つ化合物超電導層が形成されていることが確認さ
れた。また、上記のようにして作製された薄膜の超電導
特性を調べたところ、臨界温度はＴｃ、ｏｎ １００
Ｋ 、 Ｔｃ、ｅｎｄ９２にであった。熱処理時間を１
０時間、３０時間と変えて作製した場合もほぼ同様の特
性の薄膜が得られた。このように再現性が良いのは、母
材膜の作製工程と、この膜を化合物超電導膜への変換す
る工程とを完全に分離したことが有効に作用しているも
のと思われる。
たところ、 ＹＩ Ｂ ａ２ Ｃｕ３０７−Ｙの組成
式を持つ化合物超電導層が形成されていることが確認さ
れた。また、上記のようにして作製された薄膜の超電導
特性を調べたところ、臨界温度はＴｃ、ｏｎ １００
Ｋ 、 Ｔｃ、ｅｎｄ９２にであった。熱処理時間を１
０時間、３０時間と変えて作製した場合もほぼ同様の特
性の薄膜が得られた。このように再現性が良いのは、母
材膜の作製工程と、この膜を化合物超電導膜への変換す
る工程とを完全に分離したことが有効に作用しているも
のと思われる。
なお１本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。すなわち、イツトリウムを、エルビウム、ジスプロ
シウム、サマリウム、ガドリニウム、ホルミウム、ネオ
ジム、イッテルビウム、ツリウム、ルテチウムの中から
選ばれた少なくとも１柾に置き代えてもよい。また、ス
パッタリングを行なうときの雰囲気ガスとしては、アル
ゴンガスに限らず、他の不活性ガスを用いてもよい。ま
た、蒸着層の形成は、スパッタ法に限らず真空類骨法で
形成してもよい。また、熱処理は、酸素ガス雰囲気中で
８５０〜９５０℃、２〜５０時間であればよい。
い。すなわち、イツトリウムを、エルビウム、ジスプロ
シウム、サマリウム、ガドリニウム、ホルミウム、ネオ
ジム、イッテルビウム、ツリウム、ルテチウムの中から
選ばれた少なくとも１柾に置き代えてもよい。また、ス
パッタリングを行なうときの雰囲気ガスとしては、アル
ゴンガスに限らず、他の不活性ガスを用いてもよい。ま
た、蒸着層の形成は、スパッタ法に限らず真空類骨法で
形成してもよい。また、熱処理は、酸素ガス雰囲気中で
８５０〜９５０℃、２〜５０時間であればよい。
［発明の効果］
以上述べたように２本発明によれば、酸化物系化合物超
電導体特有の高い臨界温度特性を持つ薄膜を再現性良く
作製できる化合物超電導薄膜の作製方法を提供できる。
電導体特有の高い臨界温度特性を持つ薄膜を再現性良く
作製できる化合物超電導薄膜の作製方法を提供できる。
Claims (3)
- （１）基板上に組成が、Ｌ−バリウム−銅（ただし、Ｌ
＝イットリウム、エルビウム、ジスプロシウム、サマリ
ウム、ガドリニウム、ホルミウム、ネオジム、イッテル
ビウム、ツリウム、ルテチウムの中から選ばれた少なく
とも１種）からなる蒸着層を形成した後、上記蒸着層に
酸素ガス雰囲気中で熱処理を施して酸化物系化合物超電
導層に変換することを特徴とする化合物超電導薄膜の作
製方法。 - （２）前記蒸着層は、スパッタ法で形成されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物超電導薄膜
の作製方法。 - （３）前記熱処理は、８５０〜９５０℃で２時間以上行
われることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化
合物超電導薄膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124612A JPS63289725A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 化合物超電導薄膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124612A JPS63289725A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 化合物超電導薄膜の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289725A true JPS63289725A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14889734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62124612A Pending JPS63289725A (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 化合物超電導薄膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63289725A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152772A (ja) * | 1987-09-25 | 1989-06-15 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 基板上に超伝導酸化物層を製造する方法 |
-
1987
- 1987-05-21 JP JP62124612A patent/JPS63289725A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152772A (ja) * | 1987-09-25 | 1989-06-15 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 基板上に超伝導酸化物層を製造する方法 |
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