JP2006120356A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】誘電体層と保護膜との屈折率の差を考慮することで、干渉ムラの緩和を図る。
【解決手段】前面側の基板と背面側の基板との間に放電空間を形成し、前面側の基板の内面に電極と、その電極を覆う誘電体層と、その誘電体層を覆う保護膜を有してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルにおいて、誘電体層の屈折率と保護膜の屈折率との差を０．２０以下とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」と記す）及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、表示ムラの緩和を図ったＰＤＰ及びその製造方法に関する。

従来のＰＤＰとして、ＡＣ型３電極面放電形式のＰＤＰが知られている。このＰＤＰは、前面側（表示面側）の基板の内面に面放電が可能な表示電極を水平方向に多数設け、背面側の基板の内面に発光セル選択用のアドレス電極を表示電極と交差する方向に多数設け、表示電極とアドレス電極との交差部をセルとするものである。

前面側の基板の表示電極は誘電体層で覆われ、その上に保護膜が形成されている。背面側の基板のアドレス電極も誘電体層で覆われ、アドレス電極とアドレス電極との間には隔壁が形成され、隔壁間には蛍光体層が形成されている。

ＰＤＰは、このように作製した前面側のパネルアセンブリと背面側のパネルアセンブリとを対向させて周辺を封止した後、内部に放電ガスを封入することにより作製されている（特許文献１参照）。

特開平５−２３４５１９号公報

上述のＰＤＰでは、前面側の基板を見た場合、表示電極が誘電体層で被覆され、その上に保護膜が形成される。一般に、誘電体層は厚み１０μｍ以上の厚膜プロセスで形成され、保護膜は厚さ１μｍ前後の薄膜プロセスで形成される。

この前面側の基板の光学特性に着目すると、保護膜が薄膜であるために光の干渉が発生することが分っている。この干渉特性は膜厚に応じて異なるため、パネル面内で保護膜の膜厚ムラが存在すると、前面側の基板に透過率ムラが生じる。

ＰＤＰは放電によって蛍光体が発光し、その発光が前面側の基板を透過し、画像として表示される。したがって、干渉により前面側の基板に透過率ムラがあると、パネルの表示ムラとなって見える（これを「干渉ムラ」と呼ぶ）。

この干渉ムラを解決するためには、保護膜の膜厚を均一にすることが考えられる。しかし、保護膜の膜厚差が７０ｎｍあると干渉特性が半周期ずれるため、膜厚差７０ｎｍで干渉ムラが発生すると考えられる。今後、ＰＤＰの生産数アップに伴い基板の大面積化やタクト短縮が予測されるなか、保護膜の膜厚差７０ｎｍ以下でＰＤＰの生産を維持することは非常に困難である。

本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、保護膜の膜厚の均一性に関わらず、誘電体層と保護膜との屈折率の差を考慮することで、干渉ムラの緩和を図るようにしたものである。

本発明は、前面側の基板と背面側の基板との間に放電空間を形成し、前面側の基板の内面に電極と、その電極を覆う誘電体層と、その誘電体層を覆う保護膜を有してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体層の屈折率と保護膜の屈折率との差が０．２０以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。

本発明によれば、前面側の基板において、誘電体層と保護膜との屈折率の差が０．２０以下であるので、保護膜の膜厚ムラに起因した表示ムラを緩和し、白均一性の高いプラズマディスプレイパネルを製造することができる。

本発明において、屈折率とは、真空中の光速度ｃと媒質中の光速度（位相速度）ｖとの比ｃ／ｖを意味する。したがって、誘電体層の屈折率とは真空中の光速度と誘電体層中の光速度との比を意味し、保護膜の屈折率とは真空中の光速度と保護膜中の光速度との比を意味する。

本発明は、屈折率の大きさを規定するものではなく、屈折率の差を規定するものである。誘電体層と保護膜との屈折率の差とは、誘電体層の屈折率をｎ、保護膜の屈折率をｎ₁とした場合、屈折率差Δｎ＝｜ｎ−ｎ₁｜である。したがって、誘電体層の屈折率と保護膜の屈折率はいずれが大きくてもよい。

本発明において、前面側の基板および背面側の基板としては、ガラス、石英、セラミック等の基板や、これらの基板上に、電極、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板が含まれる。

電極は、前面側の基板の内面に形成されていればよい。この電極は、当該分野で公知の各種の材料と方法を用いて形成することができる。電極に用いられる材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ２などの透明な導電性材料や、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの金属の導電性材料が挙げられる。電極の形成方法としては、当該分野で公知の各種の方法を適用することができる。たとえば、印刷などの厚膜形成技術を用いて形成してもよいし、物理的堆積法または化学的堆積法からなる薄膜形成技術を用いて形成してもよい。厚膜形成技術としては、スクリーン印刷法などが挙げられる。薄膜形成技術の内、物理的堆積法としては、蒸着法やスパッタ法などが挙げられる。化学的堆積方法としては、熱ＣＶＤ法や光ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法などが挙げられる。

誘電体層は、低融点ガラスフリットとバインダー樹脂からなる低融点ガラスペーストを、前面側の基板または背面側の基板上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することで形成することができる。ここで用いる低融点ガラスとしては、酸化シリコン，ホウケイ酸ガラス，酸化アルミニウム，酸化イットリウム，酸化鉛からなる群から選択された１つまたは２つ以上の混合物を主成分とするガラス材を適用することができる。

本発明においては、保護膜はＭｇＯを用い、かつ平均膜厚１μｍ前後の薄膜形成プロセスで形成することができる。

誘電体層は、その誘電体層の屈折率とその上に形成される保護膜の屈折率との差が０．２０以下となるような材料を用いて形成されることが望ましい。

保護膜がＭｇＯを用い、かつ平均膜厚１μｍ前後の薄膜形成プロセスで形成される場合、誘電体層は、その屈折率が、波長５００ｎｍの光に対し１．４５〜１．７４の値を有していることが望ましい。

保護膜は、電子ビーム蒸着法やプラズマＣＶＤ法のような、当該分野で公知の薄膜形成プロセスによって形成することができる。保護膜は、その薄膜形成プロセスの際の成膜条件として温度または圧力が制御されることで屈折率が調整されてもよい。

本発明においては、誘電体層と保護膜との間に、誘電体層との間の屈折率の差と、保護膜との間の屈折率の差が、それぞれ０．０５以下となるような干渉防止層が設けられていてもよい。

本発明は、また、前面側の基板と背面側の基板との間に放電空間を形成し、前面側の基板の内面に電極と、その電極を覆う誘電体層と、その誘電体層を覆う保護膜を有してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルであって、前記保護膜の膜厚が１２００ｎｍ以上であるプラズマディスプレイパネルである。

本発明は、さらに、前面側の基板と背面側の基板との間に放電空間を形成し、前面側の基板の内面に電極と、その電極を覆う誘電体層と、その誘電体層を覆う保護膜を有してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルであって、前記保護膜を、薄膜形成プロセスによって形成し、その薄膜形成プロセスの際、誘電体層との屈折率差が０．０５以下となるように、保護膜を成膜するときの圧力を制御することからなるプラズマディスプレイパネルの製造方法である。

本発明は、さらにまた、前面側の基板と背面側の基板との間に放電空間を形成し、前面側の基板の内面に電極と、その電極を覆う誘電体層と、その誘電体層を覆う保護膜を有してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルであって、前記保護膜を、薄膜形成プロセスによって形成し、その薄膜形成プロセスの際、誘電体層との屈折率差が０．０５以下となるように、保護膜を成膜するときの温度を制御することからなるプラズマディスプレイパネルの製造方法である。

以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳述する。なお、本発明はこれによって限定されるものではなく、各種の変形が可能である。

図１（ａ）および図１（ｂ）は本発明のＰＤＰの構成を示す部分分解斜視図である。このＰＤＰはカラー表示用のＡＣ型３電極面放電形式のＰＤＰである。

本ＰＤＰは、前面側の基板１１を含む前面側のパネルアセンブリ（図１（ａ）参照）と、背面側の基板２１を含む背面側のパネルアセンブリ（図１（ｂ）参照）から構成されている。前面側の基板１１と背面側の基板２１としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板等を使用することができる。

前面側の基板１１の内側面には、水平方向に表示電極Ｘと表示電極Ｙが等間隔に形成されている。表示電極Ｘと表示電極Ｙとの間が表示ラインＬとなる。各表示電極Ｘ，Ｙは、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂などの幅の広い透明電極１２と、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極１３から構成されている。表示電極Ｘ，Ｙは、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。

表示電極Ｘ，Ｙの上には、表示電極Ｘ，Ｙを覆うように交流（ＡＣ）駆動用の誘電体層１７が形成されている。誘電体層１７は、低融点ガラスペーストを、前面側の基板１１上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成している。

誘電体層１７の上には、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護するための保護膜１８が形成されている。この保護膜はＭｇＯで形成されている。

背面側の基板２１の内側面には、平面的にみて表示電極Ｘ，Ｙと交差する方向に複数のアドレス電極Ａが形成され、そのアドレス電極Ａを覆って誘電体層２４が形成されている。アドレス電極Ａは、Ｙ電極との交差部で発光セルを選択するためのアドレス放電を発生させるものであり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造で形成されている。このアドレス電極Ａは、その他に、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等で形成することもできる。アドレス電極Ａも、表示電極Ｘ，Ｙと同様に、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。誘電体層２４は、誘電体層１７と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる。

隣接するアドレス電極Ａとアドレス電極Ａとの間の誘電体層２４上には、複数の隔壁２９が形成されている。隔壁２９は、サンドブラスト法、印刷法、フォトエッチング法等により形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒等からなるガラスペーストを誘電体層２４上に塗布して乾燥させた後、そのガラスペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹きつけて、マスクの開口に露出したガラスペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光及び現像の後、焼成することにより形成する。

隔壁２９の側面及び隔壁間の誘電体層２４上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが形成されている。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁２９間の凹溝状の放電空間内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色毎に繰り返した後、焼成することにより形成している。この蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所望の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色毎に繰り返すことで、対応する隔壁間に各色の蛍光体層を形成することができる。

ＰＤＰは、上記した前面側のパネルアセンブリと背面側のパネルアセンブリとを、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが交差するように対向配置し、周囲を封止し、隔壁２９で囲まれた放電空間３０に放電ガスを充填することにより作製されている。このＰＤＰでは、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとの交差部の放電空間３０が表示の最小単位である１つのセル領域（単位発光領域）となる。１画素はＲ、Ｇ、Ｂの３つのセルで構成される。

図１（ａ）に示したように、ＰＤＰにおいては、前面側の基板１１の表示電極Ｘ，Ｙは誘電体層１７で被覆され、その上に保護膜１８が形成されている。この誘電体層１７は厚み１０μｍ以上の厚膜プロセスで形成している。保護膜１８は厚さ１μｍ前後の薄膜プロセスで形成している。

図２は前面側の基板の光の透過状態を示す説明図である。
前面側の基板１１においては、大気の屈折率：ｎ₀、誘電体層の屈折率：ｎ、保護膜の屈折率：ｎ₁、誘電体層と保護膜の屈折率差：Δｎ＝｜ｎ−ｎ₁｜、前面側基板の光の透過率：Ｔとすると、次式が成立する。
Ｔ＝〔（８ｎ₀ｎ₁ ²ｎ）／｛（ｎ₀ ²＋ｎ₁ ²）（ｎ₁ ²＋ｎ²）＋４ｎ₀ｎ₁ ²ｎ＋（ｎ₀ ²−ｎ₁ ²）（ｎ₁ ²−ｎ²）ｃｏｓδ｝〕×α＋β
ここで、α、βは補正係数である。

上記のδは以下で表される。
δ＝（４πｎ₁・ｄ・ｃｏｓφ₁）／λ
ここで、ｄ：保護膜の膜厚、λ：透過光の波長である。

前面側の基板１１の光学特性に着目すると、図２に示すように、保護膜１７が薄膜であるために光の干渉が発生する。この干渉特性は保護膜の膜厚に応じて異なるため、パネル面内で保護膜１８の膜厚ムラが存在すると、干渉特性が不均一となり、前面側の基板１１に透過率ムラが生じる。

ＰＤＰは放電によって蛍光体が発光し、その発光Ｈが前面側の基板１１を透過し、画像として表示される。したがって、干渉特性の不均一性により前面側の基板１１に透過率ムラが生じると、パネルの表示ムラとなって見える。上述したようにこの表示ムラは「干渉ムラ」と呼ばれる。

図３は前面側の基板を透過する光の波長と透過率の関係を示すグラフである。
この図に示すように、保護膜の膜厚差が７０ｎｍあると干渉特性が半周期ずれるため、膜厚差７０ｎｍで干渉ムラが発生する。この干渉ムラをなくすためには、保護膜１８の膜厚を均一にすればよい。しかし、ＰＤＰの生産数アップに伴い基板の大面積化やタクト短縮が予測されるなか、保護膜の膜厚差が７０ｎｍ以下となるようにＰＤＰの生産を維持することは非常に困難である。

本発明は、このような観点に基づき、保護膜の膜厚ムラに起因した表示ムラを緩和することにより、白均一性（パネルのユニフォーミティ）の高いプラズマディスプレイパネルを提供する。

図４は保護膜と誘電体層との屈折率差Δｎと干渉ムラとの関係を示すグラフである。このグラフは、保護膜と誘電体層との屈折率差Δｎと、干渉ムラとの相関をシミュレーションしたものである。

干渉ムラについては、ＪＮＤ尺度を用いて計算したムラレベルにより表現した。Δｎが小さくなると、干渉ムラが小さくなることが分る。これは、屈折率差が小さくなることで、干渉の振幅が小さくなり、実効的なムラとして見えにくくなったためと考えられる。

本実施形態のＰＤＰでは、保護膜１８にＭｇＯを用いている。ＭｇＯは２次電子放出係数や耐スパッタ性の面で優れた材料であるため、代替する材料の検討は行われているものの、現状はＭｇＯ以外の実用化は成されていない。また、誘電体層１７には低融点ガラスを使用している。したがって、保護膜としてＭｇＯを用い、誘電体層として低融点ガラス材を用いることを前提とした上で、干渉ムラを防止するために、ＭｇＯ膜と誘電体層との屈折率差Δｎをできるだけ小さくする。具体的には０．２以下にする。そのためには、以下の４つの対策を実施する。
（１）誘電体層の屈折率をコントロールして、ＭｇＯ膜の屈折率に近づける。
（２）ＭｇＯ膜の屈折率をコントロールして、誘電体層の屈折率に近づける。
（３）ＭｇＯ膜と誘電体層との間に干渉防止層を設け、ＭｇＯ膜と干渉防止層との間の屈折率差を０．０５以下にし、干渉防止層と誘電体層との間の屈折率差を０．０５以下にする。
（４）ＭｇＯ膜の膜厚を干渉ムラが生じないほど厚くする。

まず、誘電体層の屈折率をコントロールして、ＭｇＯ膜の屈折率に近づける具体的方法について説明する。
図５は各種のガラス材料の屈折率を示す説明図である。
誘電体層１７は、上述したように、低融点ガラスペーストを、前面側の基板１１上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成している。この誘電体層１７の屈折率は低融点ガラスの混合組成によって決定される。したがって、ＭｇＯ膜との屈折率差が小さくなるように誘電体層の組成を選択することで干渉ムラを抑制できる。

ＭｇＯを成膜した場合、電子ビーム蒸着法やプラズマＣＶＤ法などの現状の成膜技術で成膜すると、その屈折率は、波長５００ｎｍの光に対し約１．６程度となる。したがって、具体的には、誘電体層の屈折率が１．６±０．２程度となるように誘電体層の組成を選択する。この場合、ＭｇＯは、バルク（bulk）の形態である場合、その屈折率は、波長５００ｎｍの光に対し約１．７４であるので、誘電体層の屈折率はそれよりも大きくする必要はない。したがって、誘電体層の組成の選択に際しては、誘電体層の屈折率が、波長５００ｎｍの光に対し、１．４５以上で、かつ１．７４以下となるようにすればよい。

このような観点から、誘電体層に用いる低融点ガラス材料は、ＳｉＯ₂、ホウケイ酸ガラス、Ａｌ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）、Ｙ₂Ｏ₃、ＰｂＯ（リサージ）などを用いる。これにより、誘電体層とＭｇＯとの屈折率の差を０．２以下にすることができ、干渉ムラを抑制することができる。

なお、ＳｉＯ₂を使用し、プラズマＣＶＤ法で誘電体層を形成する場合、ＣＶＤプロセス条件（温度、圧力など）によって誘電体層の屈折率をコントロールし、誘電体層の屈折率をＭｇＯ膜の屈折率に近づけて、両者の屈折率差を小さくすることも可能である。

次に、ＭｇＯ膜の屈折率をコントロールして、誘電体層の屈折率に近づける具体的方法について説明する。
図６はＭｇＯ膜を成膜するときの圧力と屈折率の相関を示すグラフである。
成膜は電子ビーム蒸着法により行った。このグラフから、成膜圧力が大きくなるほど屈折率が低下することがわかる。したがって、誘電体層の屈折率が１．７４〜１．４５の値を有するとき、ＭｇＯの成膜圧力を、誘電体層との屈折率差が小さくなるように、具体的には０．０５以下となるように制御することで、干渉ムラを抑制することができる。

図７はＭｇＯ膜を成膜するときの基板前加熱温度と屈折率の相関を示すグラフである。
成膜は電子ビーム蒸着法により行った。このグラフから、基板前加熱温度が高くなるほど屈折率が上昇することがわかる。したがって、誘電体層の屈折率が１．７４〜１．４５の値を有するとき、ＭｇＯ成膜時の基板前加熱温度を、誘電体層との屈折率差が小さくなるように、具体的には０．０５以下となるように制御することで、干渉ムラを抑制することができる。

次に、ＭｇＯ膜と誘電体層との間に干渉防止層を設ける具体例について説明する。
図８は誘電体層と保護膜の間に干渉防止層を設けた構造を示す説明図である。
前面側の基板１１の誘電体層１７と保護膜１８との間に、誘電体層１７との間の屈折率の差と、保護膜１８との間の屈折率の差が、それぞれ０．０５以下となるような干渉防止層１９を設ける。このように、干渉防止層１９の屈折率は、誘電体層１７とＭｇＯ膜１８の中間の値を有するものを選択する。干渉防止層１９の膜厚は２００ｎｍ以下とする。干渉防止層１９の材料としては、図５で示した各種のガラス材を適用することができる。

干渉防止層１９があることで、界面の屈折率差が小さくなり、その結果干渉ムラを抑制することができる。従来の誘電体層と保護膜の材料やプロセス条件を維持できるため、製造手番は増加するが、開発や製造に対する負荷が小さいことがメリットとしてあげられる。

また、干渉防止層として保護膜材料であるＭｇＯを用いることも出来る。すなわち、誘電体層とＭｇＯ膜の屈折率差が０．０５以下となるようにＭｇＯを成膜した後、連続して異なる条件のＭｇＯ膜を成膜する。これにより製造手番を増やすことがなくなり、また上層に形成したＭｇＯ膜に関してはパネルの放電特性や寿命特性を考慮した成膜が可能となる。具体的な製造方法としては、ＭｇＯ成膜において、初期の膜厚２００ｎｍ程度を成膜する過程のみプロセス条件（前述した成膜圧力、温度）を変化させることで実現できる。

次に、ＭｇＯ膜の膜厚を干渉ムラが生じないほど厚くする具体例について説明する。
図９はＭｇＯ膜の膜厚中心値と表示ムラとの相関をシミュレーションした結果を示すグラフである。
このグラフから、ＭｇＯ膜の膜厚が厚くなるほど表示ムラが小さくなることがわかる。この理由としては、ＭｇＯ膜の膜厚が厚くなることで透過率の干渉周期が短くなったためと考えられる。

ＰＤＰは、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の発光により表示を行っているが、各色の発光スペクトルはある波長域を持つ。したがって、干渉により透過率が変化しても、干渉周期が各色の発光スペクトルの波長域内であれば、大幅な色の変化は起こらない。図９のグラフからわかるように、ＭｇＯ膜厚を１２００ｎｍ以上にすれば、干渉ムラを大幅に抑制することができる。

このように、誘電体層の屈折率と保護膜の屈折率との差を０．２以下とすることにより、保護膜の膜厚ムラに起因した表示ムラを緩和し、白均一性の高いプラズマディスプレイパネルを提供できる。

ＰＤＰの構成を示す部分分解斜視図である。 前面側の基板の光の透過状態を示す説明図である。 基板を透過する光の波長と透過率の関係を示すグラフである。 屈折率差Δｎと干渉ムラとの関係を示すグラフである。 各種のガラス材料の屈折率を示す説明図である。 ＭｇＯ膜の成膜圧力と屈折率の相関を示すグラフである。 はＭｇＯ膜の成膜温度と屈折率の相関を示すグラフである。 干渉防止層を設けた構造を示す説明図である。 ＭｇＯ膜の膜厚中心値と表示ムラとの関係を示すグラフである。

符号の説明

１１ 前面側の基板
１２ 透明電極
１３ バス電極
１７，２４ 誘電体層
１８ 保護膜
１９ 干渉防止層
２１ 背面側の基板
２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ 蛍光体層
２９ 隔壁
３０ 放電空間
Ａ アドレス電極
Ｘ，Ｙ 表示電極

Claims (10)

1. 前面側の基板と背面側の基板との間に放電空間を形成し、前面側の基板の内面に電極と、その電極を覆う誘電体層と、その誘電体層を覆う保護膜を有してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルであって、
   前記誘電体層の屈折率と保護膜の屈折率との差が０．２０以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 前記保護膜が、ＭｇＯを用い、かつ平均膜厚１μｍ前後の薄膜形成プロセスで形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記誘電体層が、その誘電体層の屈折率とその上に形成される保護膜の屈折率との差が０．２０以下となるような材料を用いて形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 前記誘電体層は、その屈折率が、波長５００ｎｍの光に対し１．４５〜１．７４の値を有してなる請求項２記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記誘電体層が、酸化シリコン，ホウケイ酸ガラス，酸化アルミニウム，酸化イットリウム，酸化鉛からなる群から選択された１つまたは２つ以上の混合物を主成分とするガラス材で形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記保護膜が、薄膜形成プロセスによって形成され、その薄膜形成プロセスの際の成膜条件として温度または圧力が制御されることで屈折率が調整されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 前記誘電体層と保護膜との間に、誘電体層との間の屈折率の差と、保護膜との間の屈折率の差が、それぞれ０．０５以下となるような干渉防止層が設けられてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
8. 前面側の基板と背面側の基板との間に放電空間を形成し、前面側の基板の内面に電極と、その電極を覆う誘電体層と、その誘電体層を覆う保護膜を有してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルであって、
   前記保護膜の膜厚が１２００ｎｍ以上であるプラズマディスプレイパネル。
9. 前面側の基板と背面側の基板との間に放電空間を形成し、前面側の基板の内面に電極と、その電極を覆う誘電体層と、その誘電体層を覆う保護膜を有してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルであって、
   前記保護膜を、薄膜形成プロセスによって形成し、その薄膜形成プロセスの際、誘電体層との屈折率差が０．０５以下となるように、保護膜を成膜するときの圧力を制御することからなるプラズマディスプレイパネルの製造方法。
10. 前面側の基板と背面側の基板との間に放電空間を形成し、前面側の基板の内面に電極と、その電極を覆う誘電体層と、その誘電体層を覆う保護膜を有してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルであって、
    前記保護膜を、薄膜形成プロセスによって形成し、その薄膜形成プロセスの際、誘電体層との屈折率差が０．０５以下となるように、保護膜を成膜するときの温度を制御することからなるプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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