JPH1154045A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH1154045A JPH1154045A JP9205598A JP20559897A JPH1154045A JP H1154045 A JPH1154045 A JP H1154045A JP 9205598 A JP9205598 A JP 9205598A JP 20559897 A JP20559897 A JP 20559897A JP H1154045 A JPH1154045 A JP H1154045A
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- Japan
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- refractive index
- film
- magnesium oxide
- optical refractive
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】放電ガスと接する内壁面の耐スパッタリング性
を高め、表示機能の長寿命化を図ることを目的とする。 【解決手段】放電ガスと主放電のための電極とを絶縁す
る被覆層を有し、少なくとも被覆層のうちの表層が酸化
マグネシウム膜であるＰＤＰにおいて、酸化マグネシウ
ム膜の光学屈折率を波長５００ｎｍの光に対して１．７
以上に選定する。
を高め、表示機能の長寿命化を図ることを目的とする。 【解決手段】放電ガスと主放電のための電極とを絶縁す
る被覆層を有し、少なくとも被覆層のうちの表層が酸化
マグネシウム膜であるＰＤＰにおいて、酸化マグネシウ
ム膜の光学屈折率を波長５００ｎｍの光に対して１．７
以上に選定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＣ型のプラズマ
ディスプレイパネル（ＰＤＰ）に関する。近年、ＰＤＰ
は、カラー画面の実用化を機にテレビジョン映像やコン
ピュータのモニターなどの用途で広く用いられるように
なってきた。ハイビジョン用の大画面フラット型デバイ
スとしても注目されている。いっそうの普及には、画質
の向上に加えて長寿命化と低価格化とを図る必要があ
る。
ディスプレイパネル（ＰＤＰ）に関する。近年、ＰＤＰ
は、カラー画面の実用化を機にテレビジョン映像やコン
ピュータのモニターなどの用途で広く用いられるように
なってきた。ハイビジョン用の大画面フラット型デバイ
スとしても注目されている。いっそうの普及には、画質
の向上に加えて長寿命化と低価格化とを図る必要があ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＡＣ型ＰＤＰでは、主放電のための一対
の電極が低融点ガラスからなる厚さ数十μｍの誘電体層
で被覆され、さらに誘電体層の表面に放電時のイオン衝
撃によるスパッタリングを軽減するための耐熱性の保護
膜（厚さは１μｍ程度）が設けられている。保護膜は放
電ガスと接することから、その材質及び膜質が放電特性
に大きな影響を与える。一般に、保護膜材料として酸化
マグネシウム（ＭｇＯ：マグネシア）が用いられてい
る。ＭｇＯは耐スパッタリング性に優れ且つ二次電子放
出係数の大きい絶縁物である。つまり、ＭｇＯを用いる
ことにより放電開始電圧が下がって駆動が容易になる。
の電極が低融点ガラスからなる厚さ数十μｍの誘電体層
で被覆され、さらに誘電体層の表面に放電時のイオン衝
撃によるスパッタリングを軽減するための耐熱性の保護
膜（厚さは１μｍ程度）が設けられている。保護膜は放
電ガスと接することから、その材質及び膜質が放電特性
に大きな影響を与える。一般に、保護膜材料として酸化
マグネシウム（ＭｇＯ：マグネシア）が用いられてい
る。ＭｇＯは耐スパッタリング性に優れ且つ二次電子放
出係数の大きい絶縁物である。つまり、ＭｇＯを用いる
ことにより放電開始電圧が下がって駆動が容易になる。
【０００３】一般に、ＰＤＰの製造において、ＭｇＯ膜
の形成には真空蒸着法が用いられている。真空蒸着は工
業的に実績があり公知の他の成膜手法（有機酸金属塩の
吹き付け、微粉末の塗布など）と比べて総合的に優れて
いる。すなわち、吹き付けでは１回の作業で２０００〜
３０００Åの膜厚しか得られず、生産性に劣る。塗布で
は空隙が発生し易く信頼性に劣る。
の形成には真空蒸着法が用いられている。真空蒸着は工
業的に実績があり公知の他の成膜手法（有機酸金属塩の
吹き付け、微粉末の塗布など）と比べて総合的に優れて
いる。すなわち、吹き付けでは１回の作業で２０００〜
３０００Åの膜厚しか得られず、生産性に劣る。塗布で
は空隙が発生し易く信頼性に劣る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したとおり厚さ１
μｍ程度のＭｇＯ膜で誘電体層を被覆することにより、
１００００時間の寿命が実現されている。しかし、寿命
はより長い方が望ましい。また、高精細化を図ろうとす
ると、放電ギャップの縮小にともなってイオン衝撃が増
大するので、ＭｇＯ膜のスパッタリングの進行が速まっ
て寿命が短くなる。寿命を延ばすにはＭｇＯ膜を厚くす
ればよい。しかし、真空蒸着では、膜厚が１μｍを越え
るとクラックの発生率が大幅に増大し、歩留りが低下し
てしまう。
μｍ程度のＭｇＯ膜で誘電体層を被覆することにより、
１００００時間の寿命が実現されている。しかし、寿命
はより長い方が望ましい。また、高精細化を図ろうとす
ると、放電ギャップの縮小にともなってイオン衝撃が増
大するので、ＭｇＯ膜のスパッタリングの進行が速まっ
て寿命が短くなる。寿命を延ばすにはＭｇＯ膜を厚くす
ればよい。しかし、真空蒸着では、膜厚が１μｍを越え
るとクラックの発生率が大幅に増大し、歩留りが低下し
てしまう。
【０００５】ところで、真空蒸着によるＭｇＯ膜の成膜
においては、下地が低融点ガラスであることから、下地
付近はアモルファス相となり、膜厚が増大するにつれて
徐々に結晶性が高まる。結晶構造は柱状であり、結晶ど
うしの間に膜厚方向に延びる空隙が存在し易い構造であ
る。結晶の密度が小さいほど、イオンが空隙を通って膜
に奥深く入り込み易く、スパッタリングの進行が速い。
スパッタリングがアモルファス相にまで達すると、放電
開始電圧が急激に上昇して駆動不能になる。つまり、Ｐ
ＤＰの寿命はＭｇＯ膜の結晶密度に依存する。
においては、下地が低融点ガラスであることから、下地
付近はアモルファス相となり、膜厚が増大するにつれて
徐々に結晶性が高まる。結晶構造は柱状であり、結晶ど
うしの間に膜厚方向に延びる空隙が存在し易い構造であ
る。結晶の密度が小さいほど、イオンが空隙を通って膜
に奥深く入り込み易く、スパッタリングの進行が速い。
スパッタリングがアモルファス相にまで達すると、放電
開始電圧が急激に上昇して駆動不能になる。つまり、Ｐ
ＤＰの寿命はＭｇＯ膜の結晶密度に依存する。
【０００６】本発明は、放電ガスと接する内壁面の耐ス
パッタリング性を高め、表示機能の長寿命化を図ること
を目的としている。
パッタリング性を高め、表示機能の長寿命化を図ること
を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明においては、以下
の根拠に基づき、放電ガスと接する膜として単結晶塊
（バルク）に近い密度の酸化マグネシウム膜を設ける。
の根拠に基づき、放電ガスと接する膜として単結晶塊
（バルク）に近い密度の酸化マグネシウム膜を設ける。
【０００８】互いに異なる条件で酸化マグネシウム膜を
成膜し、それぞれの耐スパッタリング性を調べた。その
結果、膜密度と相関する物性値である光学屈折率が一定
値以上の膜は他の膜よりも大幅に耐スパッタリング性に
優れていることが分かった。光学屈折率と膜密度との関
係は（１）式で表される。
成膜し、それぞれの耐スパッタリング性を調べた。その
結果、膜密度と相関する物性値である光学屈折率が一定
値以上の膜は他の膜よりも大幅に耐スパッタリング性に
優れていることが分かった。光学屈折率と膜密度との関
係は（１）式で表される。
【０００９】Ｎ＝（１−Ｐ）Ｎｖ＋ＰＮｓ …（１） Ｎ ：膜の屈折率 Ｎｓ：バルクの屈折率 Ｎｖ：空隙の屈折率 Ｐ ：充填率 具体的には、波長５００ｎｍの光に対する“実効表面位
置”の光学屈折率が１．７以上の膜、及び波長５００ｎ
ｍの光に対する“平均の光学屈折率”が１．７以上の膜
は、耐スパッタリング性に優れている。なお、バルクに
おける波長５００ｎｍの光に対する光学屈折率は１．７
４５である。
置”の光学屈折率が１．７以上の膜、及び波長５００ｎ
ｍの光に対する“平均の光学屈折率”が１．７以上の膜
は、耐スパッタリング性に優れている。なお、バルクに
おける波長５００ｎｍの光に対する光学屈折率は１．７
４５である。
【００１０】ここで、“実効表面位置”とは、図３に示
される厚さ方向の屈折率分布の表面側変曲点ａ，ｂ，ｃ
に対応した厚さ方向の位置である。厚さが５０００〜１
００００Å程度であるＰＤＰの酸化マグネシウム膜にお
いて、表面側変曲点から最上端までの部分（その厚さは
１００〜５００Å程度）は表面起伏部分である。酸化マ
グネシウム膜の厚さは小さいものの、特に表面側の膜質
は耐久性に大きく影響すると考えられる。また、“平均
の光学屈折率”とは、成膜中の偶発的又は意図的な成膜
条件の微小変化による厚さ方向及び膜面方向の屈折率の
不均一性を加味して膜密度を評価する指標であり、膜全
体からサンプリングした複数の位置の光学屈折率を平均
化した値である。
される厚さ方向の屈折率分布の表面側変曲点ａ，ｂ，ｃ
に対応した厚さ方向の位置である。厚さが５０００〜１
００００Å程度であるＰＤＰの酸化マグネシウム膜にお
いて、表面側変曲点から最上端までの部分（その厚さは
１００〜５００Å程度）は表面起伏部分である。酸化マ
グネシウム膜の厚さは小さいものの、特に表面側の膜質
は耐久性に大きく影響すると考えられる。また、“平均
の光学屈折率”とは、成膜中の偶発的又は意図的な成膜
条件の微小変化による厚さ方向及び膜面方向の屈折率の
不均一性を加味して膜密度を評価する指標であり、膜全
体からサンプリングした複数の位置の光学屈折率を平均
化した値である。
【００１１】請求項１の発明のＰＤＰは、放電ガスと主
放電のための電極とを絶縁する被覆層を有し、少なくと
も前記被覆層のうちの表層が酸化マグネシウム膜である
ＰＤＰであって、前記酸化マグネシウム膜の全体におけ
る平均の光学屈折率が、波長５００ｎｍの光に対して
１．７以上に選定されたものである。
放電のための電極とを絶縁する被覆層を有し、少なくと
も前記被覆層のうちの表層が酸化マグネシウム膜である
ＰＤＰであって、前記酸化マグネシウム膜の全体におけ
る平均の光学屈折率が、波長５００ｎｍの光に対して
１．７以上に選定されたものである。
【００１２】請求項２の発明のＰＤＰは、前記酸化マグ
ネシウム膜における厚さ方向の屈折率分布の表面側変曲
点の光学屈折率が、波長５００ｎｍの光に対して１．７
以上に選定されたものである。
ネシウム膜における厚さ方向の屈折率分布の表面側変曲
点の光学屈折率が、波長５００ｎｍの光に対して１．７
以上に選定されたものである。
【００１３】請求項２の発明のＰＤＰにおいては、前記
酸化マグネシウム膜が真空蒸着法によって形成された膜
である。
酸化マグネシウム膜が真空蒸着法によって形成された膜
である。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るＰＤＰ１の内
部構造を示す分解斜視図である。例示のＰＤＰ１は面放
電形式のＡＣ型ＰＤＰである。前面側のガラス基板１１
の内面に、マトリクス表示のライン毎に一対のサステイ
ン電極Ｘ，Ｙが配列されている。サステイン電極Ｘ，Ｙ
は、それぞれが透明導電膜４１と金属膜４２とからな
り、ＡＣ駆動のための厚さが５０μｍ程度の誘電体層１
７によって放電空間３０に対して被覆されている。誘電
体層１７の材料はＰｂＯ系低融点ガラス（誘電率は約１
０）である。誘電体層１７の表面には保護膜として本発
明に特有のＭｇＯ膜１８が形成されている。誘電体層１
７とＭｇＯ膜１８とを合わせた積層体が本発明における
絶縁層である。なお、十分に厚いＭｇＯ膜１８を設け、
誘電体層１７を省略してもよい。
部構造を示す分解斜視図である。例示のＰＤＰ１は面放
電形式のＡＣ型ＰＤＰである。前面側のガラス基板１１
の内面に、マトリクス表示のライン毎に一対のサステイ
ン電極Ｘ，Ｙが配列されている。サステイン電極Ｘ，Ｙ
は、それぞれが透明導電膜４１と金属膜４２とからな
り、ＡＣ駆動のための厚さが５０μｍ程度の誘電体層１
７によって放電空間３０に対して被覆されている。誘電
体層１７の材料はＰｂＯ系低融点ガラス（誘電率は約１
０）である。誘電体層１７の表面には保護膜として本発
明に特有のＭｇＯ膜１８が形成されている。誘電体層１
７とＭｇＯ膜１８とを合わせた積層体が本発明における
絶縁層である。なお、十分に厚いＭｇＯ膜１８を設け、
誘電体層１７を省略してもよい。
【００１５】背面側のガラス基板２１の内面には、アド
レス電極Ａ、隔壁２９、及びカラー表示のための３色
（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設
けられている。隔壁２９によって放電空間３０がライン
方向にサブピクセルＥＵ毎に区画され、且つ放電空間３
０の間隙寸法が一定値に規定されている。放電空間３０
には、ネオンに微量のキセノンを混合した放電ガスが充
填されている。
レス電極Ａ、隔壁２９、及びカラー表示のための３色
（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設
けられている。隔壁２９によって放電空間３０がライン
方向にサブピクセルＥＵ毎に区画され、且つ放電空間３
０の間隙寸法が一定値に規定されている。放電空間３０
には、ネオンに微量のキセノンを混合した放電ガスが充
填されている。
【００１６】表示の１ピクセル（画素）ＥＧは、ライン
方向に並ぶ３つのサブピクセルＥＵからなる。隔壁２９
の配置パターンがストライプパターンであることから、
放電空間３０のうちの各列に対応した部分は、全てのラ
インに跨がって列方向に連続している。各列内のサブピ
クセルＥＵの発光色は同一である。ＰＤＰ１では、サブ
ピクセルＥＵの点灯（発光）／非点灯の選択（アドレッ
シング）に、アドレス電極Ａとサステイン電極Ｙとが用
いられる。すなわち、ライン順次に画面走査が行われ、
サステイン電極Ｙと表示内容に応じて選択されたアドレ
ス電極Ａとの間での放電によって所定の帯電状態が形成
される。アドレッシングの後、サステイン電極Ｙとサス
テイン電極Ｘとに交互に所定波高値のサステインパルス
を印加すると、アドレッシング終了時点で所定量の壁電
荷が存在したセルで、基板面に沿った面放電（表示の輝
度を確保する主放電）が生じる。面放電で発生した紫外
線により蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが局部的に励
起されて発光する。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂで
発光しガラス基板１１を透過する可視光が表示光とな
る。
方向に並ぶ３つのサブピクセルＥＵからなる。隔壁２９
の配置パターンがストライプパターンであることから、
放電空間３０のうちの各列に対応した部分は、全てのラ
インに跨がって列方向に連続している。各列内のサブピ
クセルＥＵの発光色は同一である。ＰＤＰ１では、サブ
ピクセルＥＵの点灯（発光）／非点灯の選択（アドレッ
シング）に、アドレス電極Ａとサステイン電極Ｙとが用
いられる。すなわち、ライン順次に画面走査が行われ、
サステイン電極Ｙと表示内容に応じて選択されたアドレ
ス電極Ａとの間での放電によって所定の帯電状態が形成
される。アドレッシングの後、サステイン電極Ｙとサス
テイン電極Ｘとに交互に所定波高値のサステインパルス
を印加すると、アドレッシング終了時点で所定量の壁電
荷が存在したセルで、基板面に沿った面放電（表示の輝
度を確保する主放電）が生じる。面放電で発生した紫外
線により蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが局部的に励
起されて発光する。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂで
発光しガラス基板１１を透過する可視光が表示光とな
る。
【００１７】以上の構造のＰＤＰ１は、各ガラス基板１
１，２１について別個に所定の構成要素を設ける工程、
ガラス基板１１，２１を対向配置して周囲を封止する工
程、及び放電ガスを封入する工程を経て製造される。そ
の際、ガラス基板１１側の製造において、ＭｇＯ膜１８
は例えば真空蒸着法によって成膜される。
１，２１について別個に所定の構成要素を設ける工程、
ガラス基板１１，２１を対向配置して周囲を封止する工
程、及び放電ガスを封入する工程を経て製造される。そ
の際、ガラス基板１１側の製造において、ＭｇＯ膜１８
は例えば真空蒸着法によって成膜される。
【００１８】以下、ＭｇＯ膜１８の形成方法の具体例を
説明する。 〔実施例〕複数のソーダライムガラス基板１１を用意
し、それぞれにサステイン電極Ｘ，Ｙ及び誘電体層１７
を順に形成した後、真空蒸着装置を用いて互いに異なる
条件でＭｇＯ膜を成膜した。条件の範囲は次のとおりで
ある。
説明する。 〔実施例〕複数のソーダライムガラス基板１１を用意
し、それぞれにサステイン電極Ｘ，Ｙ及び誘電体層１７
を順に形成した後、真空蒸着装置を用いて互いに異なる
条件でＭｇＯ膜を成膜した。条件の範囲は次のとおりで
ある。
【００１９】 蒸着圧力：５×１０-6〜５×１０-5Ｔｏｒｒ 基板温度：２５０〜３５０℃ 膜の厚さ：５０００〜７５００Å 〔比較例〕複数のソーダライムガラス基板１１を用意
し、それぞれにサステイン電極Ｘ，Ｙ及び誘電体層１７
を順に形成した後、真空蒸着装置を用いて互いに異なる
条件でＭｇＯ膜を成膜した。条件の範囲は次のとおりで
ある。
し、それぞれにサステイン電極Ｘ，Ｙ及び誘電体層１７
を順に形成した後、真空蒸着装置を用いて互いに異なる
条件でＭｇＯ膜を成膜した。条件の範囲は次のとおりで
ある。
【００２０】 蒸着圧力：５×１０-5〜５×１０-4Ｔｏｒｒ 基板温度：１００〜１５０℃ 膜の厚さ：５０００〜７５００Å 実施例及び比較例の各試料について、ＭｇＯ膜の光学屈
折率を測定した。測定にはＪ．Ａ．Ｗｏｏｌｌｍａｎ社
製の分光エリプソメトリ装置を用いた。また、ＧＲＡＤ
ＥＤ ＩＮＤＥＸ ＭＯＤＥＬを用いて解析し、測定の
適否を確認した。Ｐｓｉ、Ｄｅｌｔａの両項目において
測定値と理論値とがほぼ一致する結果を得た。波長５０
０ｎｍの光に対する表面（有効表面位置）の光学屈折率
及び平均の光学屈折率の測定結果を表１，２に示す。表
２は代表的な試料の成膜条件と測定結果とを示してい
る。
折率を測定した。測定にはＪ．Ａ．Ｗｏｏｌｌｍａｎ社
製の分光エリプソメトリ装置を用いた。また、ＧＲＡＤ
ＥＤ ＩＮＤＥＸ ＭＯＤＥＬを用いて解析し、測定の
適否を確認した。Ｐｓｉ、Ｄｅｌｔａの両項目において
測定値と理論値とがほぼ一致する結果を得た。波長５０
０ｎｍの光に対する表面（有効表面位置）の光学屈折率
及び平均の光学屈折率の測定結果を表１，２に示す。表
２は代表的な試料の成膜条件と測定結果とを示してい
る。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】なお、ＭｇＯは光学的に等方性であり、Ｍ
ｇＯ膜の厚さは薄膜特有の異方性を無視することができ
る極めて小さい値である。つまり、光学屈折率の差異は
光学的異方性によるものではない。
ｇＯ膜の厚さは薄膜特有の異方性を無視することができ
る極めて小さい値である。つまり、光学屈折率の差異は
光学的異方性によるものではない。
【００２４】また、各試料の耐スパッタリング性を評価
するため、真空チャンバ内に配置した試料のＭｇＯ膜を
イオンガンを用いて一定時間にわたって一定出力でエッ
チングし、エッチングの深さ（スパッタ深さ）を測定し
た。
するため、真空チャンバ内に配置した試料のＭｇＯ膜を
イオンガンを用いて一定時間にわたって一定出力でエッ
チングし、エッチングの深さ（スパッタ深さ）を測定し
た。
【００２５】図１は表面の光学屈折率とスパッタ深さと
の関係を示すグラフ、図２は平均の光学屈折率とスパッ
タ深さとの関係を示すグラフである。表面の光学屈折率
が１．７以上のものでは、スパッタ深さは１．７未満の
ものの概ね半分である。平均の光学屈折率についても同
様である。このように耐スパッタリング性に差異が生じ
るのは、光学屈折率（すなわち膜密度）が一定値以上と
なるような条件で成膜を行うと、柱状結晶の割合が減っ
て単結晶に近い構造になるためであると考えられる。Ｓ
ＥＭ（走査型電子顕微鏡）による膜断面及び表面の観察
を行ったところ、光学屈折率が小さいものでは特に表面
側で明瞭な柱状構造が見られ、表面の凹凸が顕著であっ
た。これに対して、光学屈折率が大きいものでは表面側
に柱状に見える部分が存在するものの、その厚さ範囲は
光学屈折率が小さいものよりも小さく、表面は比較的に
平坦であった。
の関係を示すグラフ、図２は平均の光学屈折率とスパッ
タ深さとの関係を示すグラフである。表面の光学屈折率
が１．７以上のものでは、スパッタ深さは１．７未満の
ものの概ね半分である。平均の光学屈折率についても同
様である。このように耐スパッタリング性に差異が生じ
るのは、光学屈折率（すなわち膜密度）が一定値以上と
なるような条件で成膜を行うと、柱状結晶の割合が減っ
て単結晶に近い構造になるためであると考えられる。Ｓ
ＥＭ（走査型電子顕微鏡）による膜断面及び表面の観察
を行ったところ、光学屈折率が小さいものでは特に表面
側で明瞭な柱状構造が見られ、表面の凹凸が顕著であっ
た。これに対して、光学屈折率が大きいものでは表面側
に柱状に見える部分が存在するものの、その厚さ範囲は
光学屈折率が小さいものよりも小さく、表面は比較的に
平坦であった。
【００２６】なお、光学屈折率が１．７以上の試料と同
一の条件でＭｇＯ膜を設けたガラス基板１１を用いてＰ
ＤＰ１を組み立てて動作確認を行った。放電特性は従来
例と同等であった。
一の条件でＭｇＯ膜を設けたガラス基板１１を用いてＰ
ＤＰ１を組み立てて動作確認を行った。放電特性は従来
例と同等であった。
【００２７】
【発明の効果】請求項１乃至請求項３の発明によれば、
放電ガスと接する内壁面の耐スパッタリング性を高め、
表示機能の長寿命化を図ることができる。
放電ガスと接する内壁面の耐スパッタリング性を高め、
表示機能の長寿命化を図ることができる。
【図１】本発明に係るＰＤＰの内部構造を示す分解斜視
図である。
図である。
【図２】表面の光学屈折率とスパッタ深さとの関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】平均の光学屈折率とスパッタ深さとの関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図４】表面側変曲点を説明するための厚さ方向の屈折
率分布の代表例を示す図である。
率分布の代表例を示す図である。
１ ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル） １８ ＭｇＯ膜（酸化マグネシウム膜） ３０ 放電空間（放電ガスの封入された空間） Ｘ，Ｙ サステイン電極（電極）
Claims (3)
- 【請求項１】放電ガスと主放電のための電極とを絶縁す
る被覆層を有し、少なくとも前記被覆層のうちの表層が
酸化マグネシウム膜であるプラズマディスプレイパネル
であって、 前記酸化マグネシウム膜の全体における平均の光学屈折
率が、波長５００ｎｍの光に対して１．７以上であるこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】放電ガスと主放電のための電極とを絶縁す
る被覆層を有し、少なくとも前記被覆層のうちの表層が
酸化マグネシウム膜であるプラズマディスプレイパネル
であって、 前記酸化マグネシウム膜における厚さ方向の屈折率分布
の表面側変曲点の光学屈折率が、波長５００ｎｍの光に
対して１．７以上であることを特徴とするプラズマディ
スプレイパネル。 - 【請求項３】前記酸化マグネシウム膜は、真空蒸着法に
よって形成された膜である請求項１又は請求項２記載の
プラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9205598A JPH1154045A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9205598A JPH1154045A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | プラズマディスプレイパネル |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006268252A Division JP2006351555A (ja) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154045A true JPH1154045A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16509534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9205598A Pending JPH1154045A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | プラズマディスプレイパネル |
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| JP (1) | JPH1154045A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1997
- 1997-07-31 JP JP9205598A patent/JPH1154045A/ja active Pending
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