JPH08339767A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH08339767A JPH08339767A JP7145767A JP14576795A JPH08339767A JP H08339767 A JPH08339767 A JP H08339767A JP 7145767 A JP7145767 A JP 7145767A JP 14576795 A JP14576795 A JP 14576795A JP H08339767 A JPH08339767 A JP H08339767A
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- diamond
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- display panel
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Abstract
(57)【要約】
【目的】放電開始電圧の低圧化を図り、駆動を容易にす
ることを目的とする。 【構成】放電空間３０を挟んで対向する一対の基板１
１，２２の間に、放電を生じさせるための表示電極Ｘ，
Ｙが配列され、表示電極Ｘ，Ｙが放電空間３０に対して
ダイヤモンド１８を含んだ絶縁体層１６で被覆されてな
る。
ることを目的とする。 【構成】放電空間３０を挟んで対向する一対の基板１
１，２２の間に、放電を生じさせるための表示電極Ｘ，
Ｙが配列され、表示電極Ｘ，Ｙが放電空間３０に対して
ダイヤモンド１８を含んだ絶縁体層１６で被覆されてな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＣ型のＰＤＰ（Plas
ma Display Panel：プラズマディスプレイパネルに関す
る。
ma Display Panel：プラズマディスプレイパネルに関す
る。
【０００２】ＰＤＰは、カラー表示が実用化されたこと
から、ハイビジョン映像に好適な薄型ディスプレイとし
て注目されている。表示の大画面化及び高精細化を図る
には、放電セル構造を改善して放電特性を向上させる必
要がある。
から、ハイビジョン映像に好適な薄型ディスプレイとし
て注目されている。表示の大画面化及び高精細化を図る
には、放電セル構造を改善して放電特性を向上させる必
要がある。
【０００３】
【従来の技術】ＡＣ型ＰＤＰでは、表示電極が低融点ガ
ラスなどの誘電体層で被覆され、さらにその表面に放電
時のイオン衝撃による誘電体の劣化を防止するために数
千Å程度の厚さの耐熱性の保護膜が設けられている。保
護膜は放電空間に接することから放電特性に大きな影響
を与える。すなわち保護膜の材質及び膜質は、表示の安
定化、駆動の容易化、及び長寿命化などの上で重要な要
素である。
ラスなどの誘電体層で被覆され、さらにその表面に放電
時のイオン衝撃による誘電体の劣化を防止するために数
千Å程度の厚さの耐熱性の保護膜が設けられている。保
護膜は放電空間に接することから放電特性に大きな影響
を与える。すなわち保護膜の材質及び膜質は、表示の安
定化、駆動の容易化、及び長寿命化などの上で重要な要
素である。
【０００４】一般に、保護膜の材料として、酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）に代表されるアルカリ土類金属の酸化
物が用いられている。ＭｇＯは、二次電子放出係数の大
きい、いわゆる高γ物質である。したがって、ＭｇＯを
用いた場合には、放電開始電圧が下がって駆動電圧の許
容範囲が拡がり、駆動が容易になる。
シウム（ＭｇＯ）に代表されるアルカリ土類金属の酸化
物が用いられている。ＭｇＯは、二次電子放出係数の大
きい、いわゆる高γ物質である。したがって、ＭｇＯを
用いた場合には、放電開始電圧が下がって駆動電圧の許
容範囲が拡がり、駆動が容易になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、表示画面が大
型になるにつれて、放電セル構造における製造上のばら
つきが顕著になる。そのため、全ての放電セルを正確に
点灯制御することのできる駆動電圧の許容範囲が狭ま
り、安定した駆動が困難になる。また、大型化と高精細
化とが進むにつれて消費電力が増大する。
型になるにつれて、放電セル構造における製造上のばら
つきが顕著になる。そのため、全ての放電セルを正確に
点灯制御することのできる駆動電圧の許容範囲が狭ま
り、安定した駆動が困難になる。また、大型化と高精細
化とが進むにつれて消費電力が増大する。
【０００６】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、放電開始電圧の低圧化を図り、駆動を容易に
することを目的としている。
たもので、放電開始電圧の低圧化を図り、駆動を容易に
することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明のＰＤＰ
は、放電空間を挟んで対向する一対の基板の間に、放電
を生じさせるための表示電極が配列され、前記表示電極
が前記放電空間に対してダイヤモンドを含んだ絶縁体層
で被覆されてなる。
は、放電空間を挟んで対向する一対の基板の間に、放電
を生じさせるための表示電極が配列され、前記表示電極
が前記放電空間に対してダイヤモンドを含んだ絶縁体層
で被覆されてなる。
【０００８】請求項２の発明のＰＤＰは、前記絶縁体層
が、ダイヤモンドを主成分とするダイヤモンド層と実質
的にダイヤモンドを含まない層とから構成されてなる。
請求項３の発明のＰＤＰは、前記絶縁体層の最上層とし
て前記ダイヤモンド層が設けられてなる。
が、ダイヤモンドを主成分とするダイヤモンド層と実質
的にダイヤモンドを含まない層とから構成されてなる。
請求項３の発明のＰＤＰは、前記絶縁体層の最上層とし
て前記ダイヤモンド層が設けられてなる。
【０００９】請求項４の発明のＰＤＰは、前記絶縁体層
の表層部が、ダイヤモンドを主成分とするダイヤモンド
層とその表面を平坦化する酸化マグネシウム層とから構
成され、当該ダイヤモンド層の表面が部分的に前記放電
空間に露出してなる。
の表層部が、ダイヤモンドを主成分とするダイヤモンド
層とその表面を平坦化する酸化マグネシウム層とから構
成され、当該ダイヤモンド層の表面が部分的に前記放電
空間に露出してなる。
【００１０】請求項５の発明のＰＤＰは、前記ダイヤモ
ンド層として、ダイヤモンド粉末とガラス粉末との混合
物の焼成体が設けられてなる。請求項６の発明のＰＤＰ
は、前記ダイヤモンド層として、ダイヤモンド合成法に
よって形成され、実質的にダイヤモンドのみからなる層
が設けられてなる。
ンド層として、ダイヤモンド粉末とガラス粉末との混合
物の焼成体が設けられてなる。請求項６の発明のＰＤＰ
は、前記ダイヤモンド層として、ダイヤモンド合成法に
よって形成され、実質的にダイヤモンドのみからなる層
が設けられてなる。
【００１１】
【作用】ダイヤモンドは、バンドギャップが５．４ｅＶ
であり、金属に比べて２次電子収率（２次電子放出係
数）が大きい。したがって、表示電極と放電空間との間
にダイヤモンドが介在すると、放電開始電圧が下がる。
であり、金属に比べて２次電子収率（２次電子放出係
数）が大きい。したがって、表示電極と放電空間との間
にダイヤモンドが介在すると、放電開始電圧が下がる。
【００１２】２次電子放出は、１次電子が入射する層の
表面状態に影響される。そのため、ダイヤモンド層の表
面が粗い場合などでは、補助的に他の高γ材料（ＭｇＯ
など）を用いて表面を平坦化することにより、全体とし
て２次電子収率が高まる。
表面状態に影響される。そのため、ダイヤモンド層の表
面が粗い場合などでは、補助的に他の高γ材料（ＭｇＯ
など）を用いて表面を平坦化することにより、全体とし
て２次電子収率が高まる。
【００１３】なお、ダイヤモンドは、ビッカース硬度が
１００００であって耐磨耗性に優れるとともに、化学的
にも安定であるので、イオン衝撃に対する保護材料とし
て好適である。また、広い波長範囲にわたって透光性に
優れるので、放電空間の前面側に配置しても輝度を損な
うことがない。
１００００であって耐磨耗性に優れるとともに、化学的
にも安定であるので、イオン衝撃に対する保護材料とし
て好適である。また、広い波長範囲にわたって透光性に
優れるので、放電空間の前面側に配置しても輝度を損な
うことがない。
【００１４】
【実施例】図１は本発明に係る第１のＰＤＰ１の構造を
示す図である。図１（Ａ）は要部の端面図であり、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）のｂ−ｂ矢視断面図である。
示す図である。図１（Ａ）は要部の端面図であり、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）のｂ−ｂ矢視断面図である。
【００１５】ＰＤＰ１は、マトリクス表示方式の３電極
構造の面放電型ＰＤＰであり、蛍光体の配置形態による
分類の上で反射型と呼称されている。一対のガラス基板
１１，２１によっていわゆるパネル外器が構成され、内
部の放電空間３０には放電ガスとしてネオンにキセノン
を例えば０．１％モル程度の割合で混合したペニングガ
スが封入されている。
構造の面放電型ＰＤＰであり、蛍光体の配置形態による
分類の上で反射型と呼称されている。一対のガラス基板
１１，２１によっていわゆるパネル外器が構成され、内
部の放電空間３０には放電ガスとしてネオンにキセノン
を例えば０．１％モル程度の割合で混合したペニングガ
スが封入されている。
【００１６】前面側のガラス基板１１の内面には、面放
電を生じさせるための表示電極Ｘ，Ｙが表示のライン毎
に一対ずつ配列されている。ラインピッチは６５０μｍ
程度である。表示電極Ｘ，Ｙは、放電空間３０の前面側
に配置されることから、面放電を広範囲とし且つ表示光
の遮光を最小限とするため、ＩＴＯ膜などの幅の広い透
明導電膜４１とその導電性を補うための幅の狭い金属膜
（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）４２とから構成されてい
る。
電を生じさせるための表示電極Ｘ，Ｙが表示のライン毎
に一対ずつ配列されている。ラインピッチは６５０μｍ
程度である。表示電極Ｘ，Ｙは、放電空間３０の前面側
に配置されることから、面放電を広範囲とし且つ表示光
の遮光を最小限とするため、ＩＴＯ膜などの幅の広い透
明導電膜４１とその導電性を補うための幅の狭い金属膜
（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）４２とから構成されてい
る。
【００１７】このような表示電極Ｘ，Ｙを放電空間３０
に対して被覆するように、ＡＣ駆動のための絶縁体層１
６が設けられている。絶縁体層１６は、低融点ガラス層
１７とその上層のダイヤモンド層１８とから構成されて
いる。
に対して被覆するように、ＡＣ駆動のための絶縁体層１
６が設けられている。絶縁体層１６は、低融点ガラス層
１７とその上層のダイヤモンド層１８とから構成されて
いる。
【００１８】低融点ガラス層１７は、低融点ガラスペー
ストを塗布して焼成する厚膜プロセスによって形成され
ている。ダイヤモンド層１８は、ＣＶＤ法（化学的気相
成長法）を用いたダイヤモンド合成によって形成されて
おり、実質的にダイヤモンドのみから構成されている。
ストを塗布して焼成する厚膜プロセスによって形成され
ている。ダイヤモンド層１８は、ＣＶＤ法（化学的気相
成長法）を用いたダイヤモンド合成によって形成されて
おり、実質的にダイヤモンドのみから構成されている。
【００１９】一方、背面側のガラス基板２１の内面に
は、アドレス電極Ａが表示電極Ｘ，Ｙと直交するように
一定のピッチ（２２０μｍ）で配列されている。アドレ
ス電極Ａと表示電極Ｙとの間の対向放電によって、絶縁
体層１６における壁電荷の蓄積状態が制御される。アド
レス電極Ａも低融点ガラス層２４で被覆されている。
は、アドレス電極Ａが表示電極Ｘ，Ｙと直交するように
一定のピッチ（２２０μｍ）で配列されている。アドレ
ス電極Ａと表示電極Ｙとの間の対向放電によって、絶縁
体層１６における壁電荷の蓄積状態が制御される。アド
レス電極Ａも低融点ガラス層２４で被覆されている。
【００２０】各アドレス電極Ａの間には、１５０μｍ程
度の高さを有したストライプ状の隔壁２９が設けられ、
これによって放電空間３０がライン方向（表示電極Ｘ，
Ｙの延長方向）に単位発光領域毎に区画され、且つ放電
空間３０の間隙寸法が規定されている。
度の高さを有したストライプ状の隔壁２９が設けられ、
これによって放電空間３０がライン方向（表示電極Ｘ，
Ｙの延長方向）に単位発光領域毎に区画され、且つ放電
空間３０の間隙寸法が規定されている。
【００２１】そして、アドレス電極Ａの上部を含めて、
低融点ガラス層２４の表面及び隔壁２９の側面を被覆す
るように、フルカラー表示のためのＲ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青）の３原色の蛍光体２８が設けられてい
る。なお、図では蛍光体２８の発光色を区別していな
い。
低融点ガラス層２４の表面及び隔壁２９の側面を被覆す
るように、フルカラー表示のためのＲ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青）の３原色の蛍光体２８が設けられてい
る。なお、図では蛍光体２８の発光色を区別していな
い。
【００２２】ＰＤＰ１による表示において、１画面の表
示期間は、表示内容を設定するアドレス期間と、設定さ
れた表示内容を維持するサステイン期間とに分かれる。
アドレス期間では、点灯（発光）すべき放電セル内の絶
縁体層１６に１ラインずつ順に選択的に壁電荷を蓄積さ
せる。そして、サステイン期間では、全てのラインにつ
いて一括に、表示電極Ｘ，Ｙに対して交互にサステイン
パルスを印加する。
示期間は、表示内容を設定するアドレス期間と、設定さ
れた表示内容を維持するサステイン期間とに分かれる。
アドレス期間では、点灯（発光）すべき放電セル内の絶
縁体層１６に１ラインずつ順に選択的に壁電荷を蓄積さ
せる。そして、サステイン期間では、全てのラインにつ
いて一括に、表示電極Ｘ，Ｙに対して交互にサステイン
パルスを印加する。
【００２３】サステインパルスの印加毎に、アドレス期
間中に壁電荷が蓄積された放電セルにおいて絶縁体層１
６の表面方向の放電（面放電）が起こり、面放電で生じ
た紫外線によって蛍光体２８が励起されて発光する。こ
のとき、放電毎に絶縁体層１６に駆動電圧と反対の極性
の壁電荷が蓄積する。これにより、壁電荷の分だけサス
テインパルスの波高値（放電維持電圧Ｖｓ）を放電開始
電圧Ｖｆより低い電圧以上の構成のＰＤＰ１は、以下の
手順で製造される。
間中に壁電荷が蓄積された放電セルにおいて絶縁体層１
６の表面方向の放電（面放電）が起こり、面放電で生じ
た紫外線によって蛍光体２８が励起されて発光する。こ
のとき、放電毎に絶縁体層１６に駆動電圧と反対の極性
の壁電荷が蓄積する。これにより、壁電荷の分だけサス
テインパルスの波高値（放電維持電圧Ｖｓ）を放電開始
電圧Ｖｆより低い電圧以上の構成のＰＤＰ１は、以下の
手順で製造される。
【００２４】画面サイズに応じた外形寸法のガラス基板
（ソーダライムガラス板）１１，２１を用意し、各ガラ
ス基板１１，２１について別個に電極及び他の構成部材
を設ける。そして、一方のガラス基板の周縁部の内面
に、封止材として低融点ガラスペーストを枠状に塗布す
る。両方のガラス基板１１，２１を重ね合わせ、互いに
押し当てた状態で加熱する。これにより、ガラス基板１
１，２１が融着して一体となり、放電空間３０が形成さ
れる。
（ソーダライムガラス板）１１，２１を用意し、各ガラ
ス基板１１，２１について別個に電極及び他の構成部材
を設ける。そして、一方のガラス基板の周縁部の内面
に、封止材として低融点ガラスペーストを枠状に塗布す
る。両方のガラス基板１１，２１を重ね合わせ、互いに
押し当てた状態で加熱する。これにより、ガラス基板１
１，２１が融着して一体となり、放電空間３０が形成さ
れる。
【００２５】一体化に続いて、放電空間３０の排気を行
って放電ガスを充填する。このため、あらかじめ背面側
のガラス基板２１には直径数ｍｍ程度の貫通孔が設けら
れている。排気に先立ってガラス基板２１の外面に数ｃ
ｍ程度の長さのガラス管（チップ管）を貫通孔と通じる
ように融着する。チップ管は配管の一部となる。
って放電ガスを充填する。このため、あらかじめ背面側
のガラス基板２１には直径数ｍｍ程度の貫通孔が設けら
れている。排気に先立ってガラス基板２１の外面に数ｃ
ｍ程度の長さのガラス管（チップ管）を貫通孔と通じる
ように融着する。チップ管は配管の一部となる。
【００２６】放電ガスを例えば５００Ｔｏｒｒ程度の圧
力となるように充填した後、通気路を塞ぐようにチップ
管を溶断する。これにより、放電空間３０が完全に密閉
されてＰＤＰ１の組立てが完了する。
力となるように充填した後、通気路を塞ぐようにチップ
管を溶断する。これにより、放電空間３０が完全に密閉
されてＰＤＰ１の組立てが完了する。
【００２７】〔実施例１〜５および比較例１〕図１の構
造のＰＤＰ１において、絶縁体層１６を構成する低融点
ガラス層１７の厚さ、及びダイヤモンド層１８の厚さ
を、表１のように設定した（実施例１〜５）。また、比
較例１として、ダイヤモンド層１８に代えて厚さ１μｍ
のＭｇＯ膜を設け、それ以外は実施例１〜５と同一の構
成のＰＤＰを作製した。
造のＰＤＰ１において、絶縁体層１６を構成する低融点
ガラス層１７の厚さ、及びダイヤモンド層１８の厚さ
を、表１のように設定した（実施例１〜５）。また、比
較例１として、ダイヤモンド層１８に代えて厚さ１μｍ
のＭｇＯ膜を設け、それ以外は実施例１〜５と同一の構
成のＰＤＰを作製した。
【００２８】そして、放電開始電圧Ｖｆ、及び発光効率
を測定した。ここで、発光効率は、点灯ミスの生じない
範囲内の最も低い放電維持電圧Ｖｓｍを印加したときの
輝度と消費電力との比［ｌｍ／Ｗ］である。
を測定した。ここで、発光効率は、点灯ミスの生じない
範囲内の最も低い放電維持電圧Ｖｓｍを印加したときの
輝度と消費電力との比［ｌｍ／Ｗ］である。
【００２９】測定の結果を表１に併せて示す。なお、表
１において、Ｖｆについては比較例１との差電圧（実施
例の値−比較例の値）で示し、発光効率については比較
例１の値を１００とした相対値で示してある。後述の他
の表についても同様である。
１において、Ｖｆについては比較例１との差電圧（実施
例の値−比較例の値）で示し、発光効率については比較
例１の値を１００とした相対値で示してある。後述の他
の表についても同様である。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１のように、絶縁体層１６の最表層とし
て５００Å以上の厚さのダイヤモンド層１８を設けるこ
とにより、ＭｇＯ膜を設けた場合と比べて放電開始電圧
Ｖｆが下がり、発光効率が高まる。
て５００Å以上の厚さのダイヤモンド層１８を設けるこ
とにより、ＭｇＯ膜を設けた場合と比べて放電開始電圧
Ｖｆが下がり、発光効率が高まる。
【００３２】なお、ダイヤモンド層１８の厚さが３００
Å以下の場合には、放電開始電圧Ｖｆが比較例１よりも
高かった。これは、１次電子がダイヤモンド層１８を通
り抜けてしまい、２次電子放出が起こりにくいためと考
えられる。
Å以下の場合には、放電開始電圧Ｖｆが比較例１よりも
高かった。これは、１次電子がダイヤモンド層１８を通
り抜けてしまい、２次電子放出が起こりにくいためと考
えられる。
【００３３】〔実施例６〜９〕図２は本発明に係る第２
のＰＤＰ２の構造を示す要部断面図である。図２におい
て図１に対応する構成要素には同一の符号を付してあ
る。
のＰＤＰ２の構造を示す要部断面図である。図２におい
て図１に対応する構成要素には同一の符号を付してあ
る。
【００３４】ＰＤＰ２において、表示電極Ｘ，Ｙを被覆
する絶縁体層１６ｂは、低融点ガラス層１７とその上層
のダイヤモンド層１８ｂとから構成されている。ダイヤ
モンド層１８ｂは、主成分のダイヤモンド粉末１８１と
副成分の低融点ガラス粉末とを混合したペーストの焼成
体からなる。ダイヤモンド層１８ｂの焼成温度は、低融
点ガラスの軟化点の近辺である。したがって、ダイヤモ
ンド層１８ｂにおいて、ダイヤモンドは粉末状態のまま
低融点ガラス中に混じっている。ダイヤモンド層１８ｂ
の形成に厚膜法を用いることにより、ＣＶＤ法のような
薄膜法による場合と比べて、厚さの大きい層を容易に得
ることができる。
する絶縁体層１６ｂは、低融点ガラス層１７とその上層
のダイヤモンド層１８ｂとから構成されている。ダイヤ
モンド層１８ｂは、主成分のダイヤモンド粉末１８１と
副成分の低融点ガラス粉末とを混合したペーストの焼成
体からなる。ダイヤモンド層１８ｂの焼成温度は、低融
点ガラスの軟化点の近辺である。したがって、ダイヤモ
ンド層１８ｂにおいて、ダイヤモンドは粉末状態のまま
低融点ガラス中に混じっている。ダイヤモンド層１８ｂ
の形成に厚膜法を用いることにより、ＣＶＤ法のような
薄膜法による場合と比べて、厚さの大きい層を容易に得
ることができる。
【００３５】図２の構造のＰＤＰ２において、表２に示
すように、低融点ガラス層１７の厚さ、ダイヤモンド層
１８ｂの厚さ、及びダイヤモンド層１８ｂを構成するダ
イヤモンド粉末１８１の粒径を設定した。ダイヤモンド
粉末１８１と低融点ガラス粉末との混合比（重量比）は
１対１とした。つまり、ダイヤモンド層１８ｂにおける
ダイヤモンドの含有量を５０ｗｔ％とした。
すように、低融点ガラス層１７の厚さ、ダイヤモンド層
１８ｂの厚さ、及びダイヤモンド層１８ｂを構成するダ
イヤモンド粉末１８１の粒径を設定した。ダイヤモンド
粉末１８１と低融点ガラス粉末との混合比（重量比）は
１対１とした。つまり、ダイヤモンド層１８ｂにおける
ダイヤモンドの含有量を５０ｗｔ％とした。
【００３６】そして、放電開始電圧Ｖｆ、及び発光効率
を測定した。測定の結果を表２に併せて示す。
を測定した。測定の結果を表２に併せて示す。
【００３７】
【表２】
【００３８】〔実施例１０〜１２〕図２の構造のＰＤＰ
２において、表３に示すように、低融点ガラス層１７の
厚さ、ダイヤモンド層１８ｂの厚さ、及びダイヤモンド
粉末１８１と低融点ガラス粉末との混合比（重量比）を
設定した。ダイヤモンド粉末１８１としては、粒径の分
布範囲が０．５〜１０μｍの粉末を用いた。
２において、表３に示すように、低融点ガラス層１７の
厚さ、ダイヤモンド層１８ｂの厚さ、及びダイヤモンド
粉末１８１と低融点ガラス粉末との混合比（重量比）を
設定した。ダイヤモンド粉末１８１としては、粒径の分
布範囲が０．５〜１０μｍの粉末を用いた。
【００３９】そして、放電開始電圧Ｖｆ、及び発光効率
を測定した。測定の結果を表３に併せて示す。
を測定した。測定の結果を表３に併せて示す。
【００４０】
【表３】
【００４１】表３のように、ダイヤモンド層１８ｂにお
けるダイヤモンドの含有量が１０ｗｔ％以上の場合に
は、比較例１と比べて放電開始電圧Ｖｆが低く、発光効
率が高い。なお、ダイヤモンドの含有量が６ｗｔ％以下
の場合には、放電開始電圧Ｖｆが比較例１よりも高かっ
た。
けるダイヤモンドの含有量が１０ｗｔ％以上の場合に
は、比較例１と比べて放電開始電圧Ｖｆが低く、発光効
率が高い。なお、ダイヤモンドの含有量が６ｗｔ％以下
の場合には、放電開始電圧Ｖｆが比較例１よりも高かっ
た。
【００４２】〔実施例１３〜１５〕図３は本発明に係る
第３のＰＤＰ３の構造を示す要部断面図である。図３
（Ｂ）は図３（Ａ）中の破線で囲んだ部分の拡大図であ
る。図３において図１及び図２に対応する構成要素には
同一の符号を付してある。
第３のＰＤＰ３の構造を示す要部断面図である。図３
（Ｂ）は図３（Ａ）中の破線で囲んだ部分の拡大図であ
る。図３において図１及び図２に対応する構成要素には
同一の符号を付してある。
【００４３】ＰＤＰ３において、表示電極Ｘ，Ｙを被覆
する絶縁体層１６ｃは、低融点ガラス層１７、低融点ガ
ラス層１７の上層であるダイヤモンド層１８、及びダイ
ヤモンド層１８とともに表層部を構成するＭｇＯ層１９
から構成されている。
する絶縁体層１６ｃは、低融点ガラス層１７、低融点ガ
ラス層１７の上層であるダイヤモンド層１８、及びダイ
ヤモンド層１８とともに表層部を構成するＭｇＯ層１９
から構成されている。
【００４４】低融点ガラス層１７はペーストの焼成によ
って形成されており、ダイヤモンド層１８は例えばＣＶ
Ｄ法によって形成されている。また、ＭｇＯ層１９は、
電子ビーム加熱形式の真空蒸着によって形成されてい
る。
って形成されており、ダイヤモンド層１８は例えばＣＶ
Ｄ法によって形成されている。また、ＭｇＯ層１９は、
電子ビーム加熱形式の真空蒸着によって形成されてい
る。
【００４５】ＭｇＯ層１９の厚さは、ダイヤモンド層１
８の表面の高低差よりも小さい。このため、図３（Ｂ）
のようにＭｇＯ層１９によってダイヤモンド層１８の表
面が平坦化されるものの、部分的にダイヤモンド層１８
が放電空間３０に露出している。つまり、絶縁体層１６
ｃの表層部は、ダイヤモンド層１８とＭｇＯ層１９とか
らなる。
８の表面の高低差よりも小さい。このため、図３（Ｂ）
のようにＭｇＯ層１９によってダイヤモンド層１８の表
面が平坦化されるものの、部分的にダイヤモンド層１８
が放電空間３０に露出している。つまり、絶縁体層１６
ｃの表層部は、ダイヤモンド層１８とＭｇＯ層１９とか
らなる。
【００４６】図３の構造のＰＤＰ３において、表４に示
すように、ダイヤモンド層１８の厚さ、及びＭｇＯ層１
９の厚さを設定した。低融点ガラス層１７の厚さは５０
μｍとした。放電開始電圧Ｖｆ及び発光効率の測定の結
果を表４に併せて示す。
すように、ダイヤモンド層１８の厚さ、及びＭｇＯ層１
９の厚さを設定した。低融点ガラス層１７の厚さは５０
μｍとした。放電開始電圧Ｖｆ及び発光効率の測定の結
果を表４に併せて示す。
【００４７】
【表４】
【００４８】表４において実施例５と実施例１３，１４
との比較から明らかなように、適切な厚さのＭｇＯ層１
９をダイヤモンド層１８の上に設けることにより、ダイ
ヤモンド層１８の表面粗さの影響が緩和されて、放電開
始電圧Ｖｆが低下する。ただし、ＭｇＯ層１９の厚さを
５０００Å以上とした場合には、放電開始電圧Ｖｆは比
較例１と同程度であった。これは、ダイヤモンド層１８
がＭｇＯ層１９で完全に被覆されてしまい、ダイヤモン
ド層１８がほとんど２次電子放出に寄与しないためと考
えられる。したがって、ＭｇＯ層１９の厚さとしては５
０００Å以下が好ましく、３０００Å以下がより好まし
い。
との比較から明らかなように、適切な厚さのＭｇＯ層１
９をダイヤモンド層１８の上に設けることにより、ダイ
ヤモンド層１８の表面粗さの影響が緩和されて、放電開
始電圧Ｖｆが低下する。ただし、ＭｇＯ層１９の厚さを
５０００Å以上とした場合には、放電開始電圧Ｖｆは比
較例１と同程度であった。これは、ダイヤモンド層１８
がＭｇＯ層１９で完全に被覆されてしまい、ダイヤモン
ド層１８がほとんど２次電子放出に寄与しないためと考
えられる。したがって、ＭｇＯ層１９の厚さとしては５
０００Å以下が好ましく、３０００Å以下がより好まし
い。
【００４９】〔実施例１６〜１８〕図３の構造のＰＤＰ
３において、ダイヤモンド層１８の形成にＣＶＤ法に代
えて厚膜プロセスを用いた。ダイヤモンド粉末として粒
径の分布範囲が０．５〜１μｍの粉末を用い、低融点ガ
ラス粉末との混合比を１対１とした。そして、表５に示
すように、ダイヤモンド層１８の厚さ及びＭｇＯ層１９
の厚さを設定した。低融点ガラス層１７の厚さは５０μ
ｍとした。放電開始電圧Ｖｆ及び発光効率の測定の結果
を表５に併せて示す。
３において、ダイヤモンド層１８の形成にＣＶＤ法に代
えて厚膜プロセスを用いた。ダイヤモンド粉末として粒
径の分布範囲が０．５〜１μｍの粉末を用い、低融点ガ
ラス粉末との混合比を１対１とした。そして、表５に示
すように、ダイヤモンド層１８の厚さ及びＭｇＯ層１９
の厚さを設定した。低融点ガラス層１７の厚さは５０μ
ｍとした。放電開始電圧Ｖｆ及び発光効率の測定の結果
を表５に併せて示す。
【００５０】
【表５】
【００５１】
【発明の効果】請求項１乃至請求項６の発明によれば、
放電開始電圧を低圧化することができ、駆動を容易にす
ることができる。
放電開始電圧を低圧化することができ、駆動を容易にす
ることができる。
【００５２】請求項２及び請求項３の発明によれば、誘
電体率の選定が容易になる。請求項４の発明によれば、
表面粗さの影響を軽減して放電開始電圧をさらに低圧化
することができる。
電体率の選定が容易になる。請求項４の発明によれば、
表面粗さの影響を軽減して放電開始電圧をさらに低圧化
することができる。
【図１】本発明に係る第１のＰＤＰの構造を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明に係る第２のＰＤＰの構造を示す要部断
面図である。
面図である。
【図３】本発明に係る第３のＰＤＰの構造を示す要部断
面図である。
面図である。
１１，２１ ガラス基板（基板） １６，１６ｂ，１６ｃ 絶縁体層 １７ 低融点ガラス層（ダイヤモンドを含まない層） １８，１８ｂ ダイヤモンド層 １９ ＭｇＯ層（酸化マグネシウム層） ３０ 放電空間 １８１ ダイヤモンド粉末 Ｘ，Ｙ 表示電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 只木 進二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 別井 圭一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 笠原 滋雄 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】放電空間を挟んで対向する一対の基板の間
に、放電を生じさせるための表示電極が配列され、 前記表示電極が、前記放電空間に対してダイヤモンドを
含んだ絶縁体層で被覆されてなることを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】前記絶縁体層が、ダイヤモンドを主成分と
するダイヤモンド層と実質的にダイヤモンドを含まない
層とから構成されてなる請求項１記載のプラズマディス
プレイパネル。 - 【請求項３】前記ダイヤモンド層が、前記絶縁体層の最
上層である請求項２記載のプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項４】前記絶縁体層の表層部が、ダイヤモンドを
主成分とするダイヤモンド層とその表面を平坦化する酸
化マグネシウム層とから構成され、当該ダイヤモンド層
の表面が部分的に前記放電空間に露出してなる請求項１
又は請求項２記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】前記ダイヤモンド層が、ダイヤモンド粉末
とガラス粉末との混合物の焼成体からなる請求項２乃至
請求項４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項６】前記ダイヤモンド層が、ダイヤモンド合成
法によって形成され、実質的にダイヤモンドのみからな
る請求項２乃至請求項４のいずれかに記載のプラズマデ
ィスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7145767A JPH08339767A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7145767A JPH08339767A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08339767A true JPH08339767A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15392696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7145767A Withdrawn JPH08339767A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | プラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08339767A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001031673A1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-03 | Orion Electric Co., Ltd. | Plasma display panel |
| WO2004086449A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Kim, Yong Seog | Front panel for plasma display panel of high efficiency containing nanotips, and process for preparation of the same |
| WO2005045872A1 (ja) * | 2003-11-10 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| KR100522684B1 (ko) * | 2000-11-11 | 2005-10-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 카본 나노 튜브층을 포함하는 전자 증폭 물질층을구비하는 평면 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2007317487A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Ulvac Japan Ltd | プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置 |
-
1995
- 1995-06-13 JP JP7145767A patent/JPH08339767A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001031673A1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-03 | Orion Electric Co., Ltd. | Plasma display panel |
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| WO2004086449A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Kim, Yong Seog | Front panel for plasma display panel of high efficiency containing nanotips, and process for preparation of the same |
| WO2005045872A1 (ja) * | 2003-11-10 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| JPWO2005045872A1 (ja) * | 2003-11-10 | 2007-05-24 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| US7573200B2 (en) | 2003-11-10 | 2009-08-11 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| JP4611207B2 (ja) * | 2003-11-10 | 2011-01-12 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP2007317487A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Ulvac Japan Ltd | プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |