KR100522684B1 - 카본 나노 튜브층을 포함하는 전자 증폭 물질층을구비하는 평면 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

카본 나노 튜브층을 포함하는 전자 증폭 물질층을구비하는 평면 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 카본 나노 튜브를 이용한 전자 증폭 적층물을 구비한 평면 표시 장치 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 본 발명은 방전 영역에 2차 전자 증폭을 위한 수단으로써 카본 나노 튜브층을 포함하는 물질층을 구비하여 방전 유지 전압을 크게 낮출 수 있는 평면 표시 장치로써, 플라즈마 표시 패널 및 카본 나노 튜브를 백 라이트에 채용한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 여기서, 카본 나노 튜브 상에 MgO막 또는 MgF2막, CaF2막, LiF막 등과 같은 불화물(floride)막 또는 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2, La2O3 등과 같은 산화물(oxide)막을 구비하여 전계에 의한 전자방출효과와 전자나 이온에 의한 2차 전자 방출 계수를 크게 할 수 있다.

Description

카본 나노 튜브층을 포함하는 전자 증폭 물질층을 구비하는 평면 표시 장치 및 그 제조 방법{Flat display device comprising material layers for electron amplification having carbon nanotube layer and method for manufacturing the same}
본 발명은 평면 표시 장치(Flat Display)에 관한 것으로써, 자세하게는 카본 나노 튜브를 이용한 전자 증폭 적층물을 구비한 평면 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
카본 나노 튜브는 직경이 보통 수 nm 내지 수백 nm 정도로 극히 작고, 종횡비(aspect ratio)가 10∼1000 정도인 극히 미세한 원통형의 재료로써, 안락 의자(arm-chair) 구조일 때는 도전성을 나타내고, 지그 재그(zig-zag) 구조일 때는 반도체 성질을 나타낸다.
표시 장치는 크게 브라운관으로 알려진 CRT(Cathod Ray Tube)와 FDP로 나눌 수 있다. FDP는 브라운관에 비해 두께가 얇고 휴대가 간편하며 소모전력이 작아서 브라운관을 대체할 수 있는 대표적인 표시 장치로 부각되고 있다.
FDP는 크게 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, 이하 LCD라 함)와 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel, 이하 PDP라 함), 장 방출 표시 장치(Field Emission Display) 등으로 나눌 수 있는데, LCD는 대화면을 형성하기 어려운 반면, PDP는 대화면을 형성하는데 유리하여 LCD의 단점을 보완하면서 휘도 향상을 꾀할 수 있는 광증배기 튜브(PhotoMultiplier Tube, 이하 PMT라 함)와 마이크로채널 판 (MicroChannel Plate, 이하 MCP라 함)과 같은 광 증폭 소자를 구비한다.
PDP는 직류(DC)형과 교류(AC)형 PDP로 구분지을 수 있고, 교류형 PDP는 다시 전극 대향형과 면방전형으로 구분할 수 있다. 현재는 방전중의 전극 손상과 형광막의 손상 등으로 인해 면방전형 PDP가 주류를 이루고 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 종래 기술에 의한 3극 면방전형 PDP는 일정한 간격을 두고 서로 대향하는 전면 유리 기판(20) 및 배면 유리 기판(10)과 두 기판(10, 20) 사이의 공간을 분할하는 격벽(13)을 구비한다. 그리고 두 기판(10, 20) 및 격벽(13)에 의해 한정되는, 각 화소에 대응하는 방전 공간(21)에 방전을 일으키기 위한 어드레스(address) 전극(11), 주사 전극(14) 및 공통 전극(15)을 구비한다. 어드레스 전극(11)은 주사 및 공통 전극들(14, 15)과 수직으로 교차되도록 배면 유리 기판(10) 상에 형성되어 있고, 배면 유전막(12)으로 덮여있다. 주사 및 공통 전극(14, 15)은 전면 유리 기판(20)의 배면 유리 기판(10)과 마주하는 동일면 상에 형성되어 있고, 전면 유전막(18)으로 덮여있다. 전면 유전막(18) 상에 보호막으로써 마그네슘 산화막(MgO)이 형성되어 있다. 그리고 격벽(13) 및 격벽(13) 사이의 유전막(12) 상에는 형광막(17)이 덮여 있다. 또, 주사 전극(14) 및 공통 전극(15)의 대향하는 바깥쪽 가장자리에 버스 전극(16)이 형성되어 있다.
이와 같이, PDP는 기판 위에 격벽을 형성하여 플라즈마 방전 공간을 만들어 방전함으로써 영상을 표시하게 된다. 격벽(13)은 보통 인쇄법으로 형성하며 일정하게 패턴이 형성 되도록해야 한다. 격벽(13)으로 인해 인접 셀 간의 방전을 구분하여 표시할 수 있도록 해준다. 이러한 가운데 MgO막(19)은 방전 공간(21) 내에서 2차 전자를 방출하여 효율을 높여줌으로써 전극들 간에 인가되는 방전 전압을 낮추어 줄 수 있도록 하며 패널 내부에 있는 전극을 보호하는 역할을 하게 된다.
그런데, 현재의 PDP에 사용되는 MgO막은 2차 전자 방출 계수가 낮기 때문에 2차 전자 증폭율이 낮고 전압 증가와 휘도 약화의 원인이 된다. PDP는 방전을 이용한 소자이기 때문에 방전이 잘 일어날 수 있도록 하는 방전 공간을 갖도록 방전 셀들이 형성되어야 한다. 이러한 방전 공간 내에 보호막으로 MgO막이 형성되어 있다. MgO막은 주로 스퍼터링(sputtering)법이나 전자빔 증착(e-beam evaporation)법으로 형성되는데, MgO막의 증착만으로는 방전 유지 전압을 충분히 낮출 수 있을 정도로 2차 전자를 방출하기 어려운 점이 있다.
따라서, 본 발명은 이루고자 하는 기술적 과제는 종래 기술에 의한 문제점을 해소하기 위한 것으로써, 휘도를 향상시키고 방전 유지 전압을 충분히 낮게 유지할 수 있을 정도로 2차 전자 방출을 증가시킬 수 있는 평면 표시 장치를 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기한 평면 표시 장치의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 광 방출을 위한 플라즈마 방전 영역을 구비하고 있고, 방전 중에 상기 방전 영역으로 2차 전자가 방출되는 2차 전자 방출 수단을 구비하는 평면 표시 장치에 있어서, 상기 2차 전자 방출 수단은 카본 나노 튜브층인 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치를 제공한다.
상기 카본 나노 튜브 층 상에 보호막으로써 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중 선택된 적어도 어느 한 물질막이 더 형성되어 있다.
상기 평면 표시 장치는 PDP 또는 백 라이트에 상기 방전 영역을 적용한 LCD이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판과 상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 어드레스 전극과 상기 어드레스 전극을 덮는 제1 유전막과 상기 어드레스 전극들 사이의 상기 제1 유전막 상에 상기 어드레스 전극들과 나란한 방향으로 형성되어 상기 전면 기판과의 상기 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 동시에 방전셀을 형성하는 격벽들과 상기 격벽들의 측면 및 상기 어드레스 전극 상에 도포된 형광막과 상기 전면 기판의 상기 배면 기판과 대향하는 면 상에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 스트라이프 상으로 서로 소정 간격으로 나란하게 형성된 주사전극들 및 공통전극들과 상기 전면 기판 상에 상기 주사전극 및 공통전극들을 덮도록 적층된 제2 유전막 및 상기 제2 유전막 상에 2차 전자 방출 증폭 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치로써 PDP를 제공한다.
여기서, 상기 격벽의 측면 상부에 상기 2차 전자 방출 증폭 수단이 더 형성되어 있다. 또, 상기 형광막과 상기 제1 유전막 사이에 상기 2차 전자 방출 증폭 수단이 더 구비되어 있다. 상기 2차 전자 방출 증폭 수단은 카본 나노 튜브층이다.
상기 카본 나노 튜브층 상에 보호막이 더 형성되어 있다.
또, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판과 상기 배면 기판의 상기 전면 기판과 대향하는 내측면 상에 스트라이프 상으로 형성된 어드레스 전극과 상기 배면 기판의 내측면 상에 상기 어드레스 전극을 덮도록 형성된 제1 유전막과 상기 전면 기판의 상기 배면 기판과 대향하는 내측면 상에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 스트라이프 상으로 서로 소정 간격으로 나란하게 형성된 주사전극들 및 공통전극들과 상기 전면 기판 상에 상기 주사전극 및 공통전극들을 덮도록 형성된 제2 유전막과 상기 어드레스 전극들 사이의 상기 제1 유전막 상에 상기 어드레스 전극들과 나란한 방향으로 형성되어 상기 제2 유전막과 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 동시에 상기 제1 및 제2 유전막 사이에 방전 공간을 한정하는 격벽들과 상기 격벽들의 측면 및 상기 격벽들 사이의 상기 제1 유전막 상에 형성된 형광막과 상기 격벽들 사이에서 상기 격벽들에 수직하고 상기 형광막에 접촉되도록 형성되어 있으며, 상기 방전 공간에 장 방출형태로 2차 전자를 방출하도록 음의 전압이 인가된 2차 전자 방출 물질판 및 상기 격벽들 사이에서 상기 2차 전자 방출 물질판과 나란히 대향하고 대향하는 면에 양의 전압이 인가된 절연판을 구비하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치로써, PDP를 제공한다.
여기서, 상기 2차 전자 방출 물질판이 대향하는 상기 절연판의 면에 양의 전압이 인가된 전극판이 구비되어 있고, 상기 2차 전자 방출 물질판의 상기 전극판과 대향하지 않는 면에 음의 전압이 인가된 전극판이 구비되어 있다.
상기 2차 전자 방출 물질판은 카본 나노 튜브판으로 구성된 단일판 또는 카본 나노 튜브판과 보호막으로 구성된 이중판이다.
상기 제2 유전막 상에 카본 나노 튜브층 또는 카본 나노 튜브층과 보호막으로 구성된 이중층이 더 형성되어 있다.
또, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판과 상기 배면 기판의 상기 전면 기판과 대향하는 내측면 상에 스트라이프 상으로 형성된 어드레스 전극과 상기 배면 기판의 내측면 상에 상기 어드레스 전극을 덮도록 형성된 제1 유전막과 상기 전면 기판의 상기 배면 기판과 대향하는 내측면 상에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 스트라이프 상으로 서로 소정 간격으로 나란하게 형성된 주사전극들 및 공통전극들과 상기 전면 기판 상에 상기 주사전극 및 공통전극들을 덮도록 형성된 제2 유전막과 상기 제2 유전막 상에 형성되어 있으면서 상기 두 기판 사이의 방전 영역으로 2차 전자를 방출하고 방전 동안에 상기 제2 유전막을 보호하는 역할을 하는 보호막과 상기 어드레스 전극들 사이의 상기 제1 유전막 상에 상기 어드레스 전극들과 나란한 방향으로 형성되어 있되, 상기 제1 및 제2 유전막 사이에 방전 공간을 한정할 수 있도록 소정의 높이로 형성된 격벽들과 상기 격벽들의 측면 및 상기 격벽들 사이의 상기 제1 유전막 상에 형성된 형광막 및 상기 보호막 및 상기 격벽들 사이에 형성된 절연층으로써 상기 형광막이 노출되도록 형성된 홀 및 상기 홀의 내면에 2차 전자 방출 물질층을 구비하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치로써 PDP를 제공한다.
여기서, 상기 보호막은 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중 선택된 어느 한 물질막이다.
또한, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 입사광을 개개의 화소의 인가 전압에 따라 화소에 투과되는 광을 제어하여 영상을 표시하는 역할을 하는 LCD 패널과 상기 LCD 패널에 균일한 밟기의 평면광을 공급하는 백 라이트 유닛과 상기 LCD 패널의 개개의 화소에 인가되는 전압을 제어하는 구동 회로부를 구비하는 액정표시장치에 있어서, 상기 백 라이트 유닛은 상기 LCD 패널 저면 전면에 균일한 세기의 광을 조사할 수 있는 광원인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치를 제공한다.
여기서, 상기 백 라이트 유닛은 상기 LCD 패널과 상기 광원 사이에 확산층을 더 구비한다.
상기 광원은 방전을 이용한 것으로써, 일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판과, 상기 전면 기판과 상기 배면 기판을 일정한 간격으로 유지하면서 상기 두 기판과 함께 방전 공간을 한정하는 격벽과, 상기 격벽 사이의 전면 기판의 내측면 상에 형성된 초기 방전용 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성된 형광막과, 상기 격벽 사이의 배면 기판의 내측면 상에 형성되어 있되, 일정한 간격을 두고 서로 나란하게 스트라이프 상으로 형성된 유지 방전용 제2 및 제3 전극과, 상기 배면 기판 상에 상기 제2 및 제3 전극을 덮도록 형성된 유전막 및 상기 방전 공간에 2차 전자를 방출시키기 위한 물질층으로써 상기 유전막 상에 형성된 2차 전자 방출 물질층을 구비한다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 광원은 일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판과, 상기 전면 기판의 내측면 상에 형성된 형광막과, 상기 배면 기판의 상기 전면 기판과 대향하는 내측면 상에 형성되어 있되, 일정한 간격을 두고 서로 나란하게 스트라이프 상으로 형성된 방전용 전극들과, 상기 배면 기판의 내측면 상에 상기 전극들을 덮도록 형성된 유전막과, 상기 형광막과 상기 유전막을 소정 간격으로 유지하면서 상기 형광막과 상기 유전막 사이에 방전 공간을 한정하는 격벽 및 상기 방전 공간에 2차 전자를 방출시키기 위한 물질층으로써 상기 격벽의 측면에 형성된 2차 전자 방출 물질층을 구비한다.
또, 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 광원은 일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판과, 상기 두 기판에 수직하게 접촉하여 상기 두 기판 사이에 방전 공간을 한정하는 한 요소이면서 상기 방전 공간에 장 방출형 2차 전자를 방출하도록 음의 전압이 인가된 2차 전자 방출 물질층과, 상기 두 기판에 수직하게 접촉하여 상기 2차 전자 방출 물질층과 함께 상기 두 기판 사이에 방전 공간을 한정하는 다른 한 요소이면서 상기 2차 전자 방출 물질층과 대향하는 면에 양의 전압이 인가된 절연성 지지체와, 상기 2차 전자 방출 물질층과 상기 전극 지지체 사이의 상기 전면 기판의 내측면 상에 형성된 형광막과, 상기 형광막 및 상기 배면 기판과 수직하게 접촉하여 상기 방전 공간을 분할하면서 상기 2차 전자 방출 물질층과 대향하는 면에 양의 전압이 인가된 제2의 절연성 지지체와, 상기 절연성 지지체 및 상기 제2의 절연성 지지체 사이의 형광막 및 상기 배면 기판과 수직하게 접촉하면서 상기 방전 공간에 장 방출형 2차 전자를 방출하도록 음의 전압이 인가된 제2의 2차 전자 방출 물질층과, 상기 2차 전자 방출 물질층 및 상기 제2의 절연성 지지체 사이와 상기 제2의 2차 전자 방출 물질층 및 상기 절연성 지지체 사이의 배면 기판 상에 형성된 초기 방전용 전극들 및 상기 배면 기판 상에 상기 전극들을 덮도록 형성된 유전막으로 구성되어 있다.
여기서, 상기 2차 전자 방출 물질층은 카본 나노 튜브층 또는 카본 나노 튜브층과 보호막으로 구성된 이중층이다.
상기 제1 전극과 상기 형광막 사이에 상기 카본 나노 튜브층 또는 카본 나노 튜브층과 보호마으로 구성된 이중층이 더 형성되어 있다.
상기 절연성 지지체 및 제2의 절연성 지지체는 각각 상기 2차 전자 방출 물질층 및 상기 제2의 2차 전자 방출 물질층과 대향하는 면에 양의 전극이 인가되는 전극판을 구비한다.
상기 2차 전자 방출 물질층 및 상기 제2의 2차 전자 방출 물질층은 각각 상기 전극판과 대향하지 않는 면에 음의 전압이 인가된 전극판을 구비한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 전면 유리 기판 상에 소정의 간격으로 이격된 전극을 형성하는 단계와, 상기 전면 유리 기판 상에 상기 전극을 덮는 제1 유전막을 형성하는 단계와, 상기 제1 유전막 상에 2차 전자 방출 물질층으로써 탄소 나노 튜브층을 형성하는 단계와, 배면 유리 기판 상에 상기 전극과 수직하면서 소정의 간격으로 이격된 어드레스 전극을 형성하는 단계와 상기 배면 유리 기판 상에 상기 어드레스 전극을 덮는 제2 유전막을 형성하는 단계와, 상기 어드레스 전극 사이의 상기 제2 유전막 상에 격벽을 형성하는 단계와, 상기 격벽 사이의 상기 제2 유전막 및 상기 격벽의 측벽 상에 형광막을 도포하는 단계와, 상기 전면 유리 기판이 상기 배면 유리 기판과 대향되게 상기 탄소 나노 튜브층을 상기 격벽의 상부면과 접촉시키는 단계와, 상기 접촉단계에서 상기 격벽 및 상기 탄소 나노튜브층으로 한정되는 방전 공간에 유입된 가스를 배기하는 단계 및 상기 방전 공간에 플라즈마 방전용 가스를 주입하고 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
이 과정에서, 상기 탄소 나노 튜브층 상에 2차 전자 방출능을 갖는 보호막을 더 형성한다.
또, 상기 형광막을 형성하기에 앞서 상기 격벽 사이의 상기 제2 유전막 상에 2차 전자 방출 물질층을 더 형성거나, 상기 격벽의 측벽 상단에 2차 전자 방출 물질층을 더 형성한다. 이때, 상기 2차 전자 방출 물질층은 탄소 나노 튜브층 또는 상기 탄소 나노 튜브층 및 2차 전자 방출능을 갖는 보호막으로 구성되는 이중층으로 형성한다.
한편, 본 발명은 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 다른 방법으로, 전면 유리 기판 상에 소정의 간격으로 이격된 전극을 형성하는 단계와, 상기 전면 유리 기판 상에 상기 전극을 덮는 제1 유전막을 형성하는 단계와, 상기 제1 유전막 상에 2차 전자 방출능을 갖는 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상에 상기 보호막이 노출되는 소정 간격으로 이격된 홀을 포함하는 절연막을 형성하는 단계와, 상기 홀의 측면을 따라 탄소 나노 튜브층을 형성하는 단계와, 배면 유리 기판 상에 상기 전극과 수직하면서 소정의 간격으로 이격된 어드레스 전극을 형성하는 단계와, 상기 배면 유리 기판 상에 상기 어드레스 전극을 덮는 제2 유전막을 형성하는 단계와, 상기 어드레스 전극 사이의 상기 제2 유전막 상에 격벽을 형성하는 단계와, 상기 격벽 사이의 상기 제2 유전막 및 상기 격벽의 측벽 상에 형광막을 도포하는 단계와, 상기 홀을 통해서 상기 형광막이 노출되도록 상기 절연막을 상기 격벽의 상부면과 접촉시키는 단계와, 상기 접촉 단계에서 상기 격벽에 유입된 가스를 배기하는 단계 및 상기 격벽 사이에 플라즈마 방전용 가스를 주입하고 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
이 과정에서, 상기 탄소 나노 튜브층 상에 2차 전자 방출능을 갖는 보호막을 더 형성하거나, 상기 제1 유전막과 상기 보호막 사이에 탄소 나노 튜브 층을 더 형성하거나, 상기 형광막을 형성하기 전에 상기 격벽 사이의 상기 제2 유전막 상에 2차 전자 방출 물질층을 더 형성한다. 이때의 상기 2차 전자 방출 물질층은 탄소 나노 튜브층으로 형성하는 것이 바람직하나 상기 탄소 나노 튜브층 및 2차 전자 방출능을 갖는 보호막으로 구성되는 이중층으로 형성할 수도 있다.
또한, 본 발명은 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 전면 유리 기판과 형광막이 형성된 배면 유리 기판 사이에 형성한 격벽의 측벽에 외부 전압이 인가되도록 2차 전자 방출 물질판을 형성하고, 이에 대향하는 격벽의 측벽에 상기 2차 전자 방출 물질판에 인가되는 전압과 반대되는 전압이 인가되는 절연판을 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법도 제공한다.
이 과정에서, 상기 2차 전자 방출 물질판은 탄소 나노 튜브판으로 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 방전 공간에 2차 전자 증폭 수단을 구비한 본 발명에 의한 평면 표시 장치를 이용하는 경우, PDP 내부에서의 이온에 의한 2차 전자방출 계수가 커지므로 높은 휘도를 얻을 수 있다. 이는 반대로 PDP를 구동시키는 구동 전압을 낮출 수 있음을 의미하며, 아울러 PDP 회로의 안정에도 기여하게 되고 가격을 낮출 수 있는 장점을 부여한다. 또한 LCD에 있어서, 백 라이트에서 LCD 패널로 광을 균일하게 공급함과 아울러 공급되는 광의 밝기를 높여줄 수 있다. 이것은 백 라이트의 구동 전압을 낮출 수 있음을 의미한다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 평면 표시 장치 및 그 제조 방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다.
첨부된 도면에서 도면의 가로 또는 세로 폭이나 높이 등은 설명의 편의를 위해 확대 도시한 것이며, 두께 등은 과장되게 도시된 것이다. 또한, 설명에 나타나는 동일한 참조번호(또는 부호)는 그 참조번호가 가리키는 요소가 동일한 부재임을 의미한다.
먼저, 본 발명의 실시예에 의한 평면 표시 장치에 대해 설명한다.
<제 1 실시예>
제1 실시예는 평면 표시 장치중에서 PDP에 대한 것으로써, 도 4를 참조하면, 소정의 간격으로 전면 유리 기판(200)과 배면 유리 기판(100)이 대향하고 있다. 전면 및 배면 유리 기판(200, 100) 사이에 격벽(130)이 형성되어 있다. 격벽(130)은 전면 및 배면 유리 기판(200, 100) 사이에 형성된 방전 공간을 각 화소에 대응하는 방전 셀(210)로 분할하는 역할을 한다. 실질적으로는 도면에서 볼 수 있듯이, 방전 셀(210)을 직접 한정하는 것은 전면 및 배면 유리 기판(200, 100)이 아니라, 격벽(130)과 배면 유리 기판(100) 사이에 형성된 유전막(120) 및 격벽(130)과 전면 유리 기판(200) 사이에 형성된 물질층(175)이다. 방전 셀(210)에 방전을 일으키기 위한 어드레스 전극(110)이 각 방전 셀(210)과 일대일로 대응하도록 배면 유리 기판(100) 상에 일정 간격으로 이격되어 형성되어 있되, 유전막(120)에 덮인 형태로 형성되어 있다. 물질층(175)은 격벽(130)과 직접 접촉되고 방전 셀(210)에 2차 전자를 방출하는 2차 전자 방출 물질층(190), 유전막(180) 및 방전 셀(210) 내에 방전을 일으키는데 필요한 주사 및 공통 전극(140, 150)을 포함한다. 2차 전자 방출 물질층(190)은 2차 전자 방출을 증폭시키기 위한 수단으로써 카본 나노 튜브층이 바람직하다.
한편, 도 5에 도시한 바와 같이, 2차 전자 방출 물질층(190)은 제1 및 제2 물질층(190a, 190b)으로 구성된 이중층일 수도 있다. 이때, 제1 물질층(190a)은 카본 나노 튜브층이고, 제2 물질층(190b)은 MgO층, 불화물(floride)층 및 산화물 (oxide)층으로 이루어진 군중 선택된 어느 하나이다. 상기 불화물은 MgF2, CaF2 및 LiF이고, 상기 산화물은 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3이다.
계속해서, 격벽(130)의 측면 및 격벽(130) 사이의 유전막(120) 상에 형광막(170)이 형성되어 있다. 형광막(170)은 방전 셀(210) 내의 방전에서 발생되는 자외선을 흡수하여 전면 유리 기판(200)을 향해 가시광을 방출하는 역할을 한다.
어드레스 전극(110)과 교차하는 방향으로 나란하게 형성된 주사 및 공통 전극(140, 150) 사이에 방전 개시 전압 이상의 전압이 인가되는 경우, 방전 공간에 면 방전이 일어나면서 2차 전자가 대량으로 방출된다. 이는 주사 및 공통전극 (140, 150) 간에 전압이 인가되면서 방전 공간에 대량의 플라즈마 방전 상태가 형성됨을 의미한다. 이것은 또 방전 공간에 주입된 불활성 가스가 동일한 인가 전압에서 종래 보다 많이 이온화됨을 의미하기도 한다. 따라서, 방전 공간내에서 보다 많은 양의 자외선이 방출되고, 방출된 자외선은 형광막(170)을 여기시키므로, 형광막(170)으로부터 방출되는 광은 종래보다 훨씬 많아지게 된다. 이렇게 해서, 화상의 휘도는 획기적으로 높아지게 된다.
<제2 실시예>
도 6을 참조하면, 전면 유리 기판(200)과 측벽(130) 사이에 형성된 2차 전자 방출 물질층(190)외에 형광막(170)과 유전막(120) 사이에 제2의 2차 전자 방출 물질층(230)이 형성되어 있고, 측벽(130)의 측면 상단에 제3의 2차 전자 방출 물질층(240)이 형성되어 있다. 제2 및 제3의 2차 전자 방출 물질층(230, 240)은 탄소 나노 튜브층이다. 이렇게 해서, 2차 전자 방출 효과를 극대화 할 수 있다. 이 경우에도 2차 전자 방출 물질층(190)은 도 7에 도시한 바와 같이 제1 및 제2 물질층(190a, 190b)으로 구성된 이중층일 수 있다. 제1 물질층(190a)은 카본 나노 튜브층이고, 제2 물질층(190b)은 MgO층, 불화물(floride)층 및 산화물 (oxide)층으로 이루어진 군으로부터 선택한 어느 하나이다. 상기 불화물은 MgF2, CaF2 및 LiF이고, 상기 산화물은 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3이다.
또, 도 8에 도시한 바와 같이 2차 전자 방출 물질층(190)은 카본 나노 튜브층으로 형성된 단일층인 반면, 제2 및 제3의 2차 전자 방출 물질층(230, 240)은 각각 제1 물질층(230a, 240a)과 제2 물질층(230b, 240b)으로 구성된 이중층일 수도 있다.
<제3 실시예>
도 9를 참조하면, 전면 유리 기판(200)의 내측면 상에 주사 및 공통 전극(140, 150), 유전막(180) 및 보호막(300)이 순차적으로 형성되어 있다. 보호막(300)은 MgO층이 바람직하지만 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중에서 선택한 어느 한 물질층이라도 무방하다. 보호막(300) 아래에는 전면 및 배면 유리 기판(200, 100) 사이의 방전 공간(320)을 셀 단위로 한정하는 격벽들(130)이 배면 유리 기판(100) 상에 어드레스 전극(110)을 덮는 형태로 형성된 유전막(120) 상에 형성되어 있다. 그리고 격벽들(130)의 측면 및 격벽들(130) 사이의 유전막(120) 상에 형광막(170)이 형성되어 있다. 격벽들(130)과 보호막(300) 사이에 절연층(340)이 구비되어 있다. 절연층(340)에 형광막(170)이 노출되는 홀(350)이 형성되어 있다. 그리고 홀(350) 내면을 따라 제4의 2차 전자 방출 물질층(360)이 형성되어 있다. 제4의 2차 전자 방출 물질층(360)은 방전이 시작되면서 방전 공간(320)에 다량의 2차 전자를 방출시키는, 곧 2차 전자를 증폭시키는 역할을 하는 것으로써, 카본 나노 튜브층이 바람직하나, 원(C)안에 도시한 바와 같이 카본 나노 튜브층(360a)과 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중에서 선택한 어느 한 물질층(360b)으로 구성된 이중층일 수도 있다.
도 10은 절연층(340)의 사시도로써, 절연층(340)에 형성된 복수개의 홀(350)의 형태 및 그 내면을 따라 형성된 제4의 2차 전자 방출 물질층(360)을 입체적으로 보다 명확히 볼 수 있다.
<제4 실시예>
도 11을 참조하면, 격벽들(130)의 측면 및 격벽들(130) 사이의 유전막 (120) 상에 형광막(170)이 형성되어 있다. 그리고 격벽들(130) 사이에 격벽들(130)과 수직하게 형광막(170)과 접촉되어 있고 격벽(130)을 따라 소정의 거리 만큼 이격되어 있는 2차 전자 방출 물질판(400) 및 절연판(410)이 서로 대향하고 있다. 2차 전자 방출 물질판(400)은 카본 나노 튜브판이다. 이때, 2차 전자 방출 물질판(400)의 절연판(410)에 대향하는 면에는 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중에서 선택한 어느 한 물질로 형성된 제2의 2차 전자 방출 물질판이 더 구비될 수 있다. 곧, 2차 전자 방출 물질판(400)은 단일 또는 이중으로 된 2차 전자 방출 물질판일 수 있다. 격벽(130)사이의 방전 공간에 장 방출 형태로 2차 전자가 방출되도록 2차 전자 방출 물질판(400)에 음의 전압이 인가되어 있다. 이를 위해, 2차 전자 방출 물질판(400)의 절연판(410)과 대향하지 않는 면에 제1 전극판(412)이 구비되어 있다. 제1 전극판(412)에는 형광막(170) 아래의 유전막(120)에 매립된 형태로 구비된 제1 전압 인입선(414)를 통해서 음의 전압이 인가된다.
한편, 2차 전자 방출 물질판(400)과 절연판(410) 사이의 방전 공간에 전기장을 형성하기 위해 절연판(410)에는 양의 전압이 인가되어 있다. 이를 위해, 절연판(410)의 2차 전자 방출 물질판(400)과 대향하는 면에 양의 전압이 인가되는 제2 전극판(416)이 구비되어 있다. 제2 전극판(416)에는 제1 전압 인입선(414)과 나란하게 형광막(170) 아래의 유전막(120)에 매립된 형태로 구비된 제2 전압 인입선(418)을 통해서 양의 전압이 인가된다.
이와 같이 제1 및 제2 전극판(412, 416)에 전압이 인가되면, 양 전극판(412, 416)사이에는 양의 전압이 인가된 제2 전극판(416)에서 2차 전자 방출 물질판(400)을 거쳐 음의 전압이 인가된 제1 전극판(412)으로 향하는 전기장이 존재하게 된다. 결국, 2차 전자 방출 물질판(400)을 통과하는 전기장이 존재하게 된다. 이에 따라, 2차 전자 방출 물질판(400)을 구성하는 물질 원소의 양자 및 전자는 전기력을 받게 되고, 상대적으로 구속력이 약한 전자는 양 전극판(412, 416) 사이의 전위차가 일정 값 이상이 되면 방출되게 된다. 이렇게 해서, 2차 전자 방출 물질판(400)으로부터 방전 공간으로 장 방출에 의한 2차 전자가 방출되게 된다.
계속해서 격벽(130), 양 전극판(412, 416), 2차 전자 방출 물질판(400) 및 절연판(410)으로 구성된 상기 구조물은 제1 내지 제3 실시예에서 처럼 전면 기판과 그 저면에 부착된 부재들과 접촉되나 도 11에는 편의 상 도시를 생략한다. 그러나, 도 12에서 볼 수 있듯이, 전면 기판(200)의 저면에 구비된 부재들중 내측면 상에 형성된 주사 및 공통 전극(140, 150)을 덮도록 형성된 유전막(180) 상에 별도의 2차 전자 방출 물질층(190)이 더 구비될 수 있다. 예컨대, 유전막(180) 상에 격벽(130)과 접촉되는 2차 전자 방출 물질층으로써 카본 나노 튜브 단일층 또는 카본 나노 튜브층과 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중에서 선택한 어느 한 물질층으로 구성되는 이중층이 구비될 수 있다. 이렇게 함으로써 방전 공간에 방출되는 2차 전자 수는 더욱 증가된다.
도 12는 도 11을 격벽 사이를 통과하는 격벽(130)에 평행하고 2차 전자 방출 물질판(400) 및 이에 대향하는 절연판(410)에 수직한 방향으로 절개한 단면도로써, 격벽(130)과 접촉되는 상부 구조물 뿐 아니라 2차 전자 방출 물질판(400) 및 절연판(410) 간의 대향 관계 및 전극판의 위치에 대해 더욱 명확히 알 수 있다.
이하, 제5 내지 제8 실시예는 평면 표시 장치 중 액정 표시 장치에 관한 것으로써, 자세하게는 액정 표시 장치 중에서도 백 라이트에 관한 것이다. 이때, 각 실시예에서 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다.
<제5 실시예>
도 13을 참조하면, 제1 기판(50) 위에 이것과 대향하고 이것으로부터 소정 간격 이격되어 있는 제2 기판(60)이 구비되어 있다. 제1 및 제2 기판(50, 60)은 전면 및 배면 유리 기판이다. 제1 및 제2 기판(50, 60) 사이의 방전 공간(59)은 두 기판(50, 60) 사이에 구비된 격벽(56)에 의해 한정된다. 방전 공간(59)은 제1 및 제2 기판(50, 60)과 접촉되는 격벽(56)에 의해 밀봉되어 있다. 방전 공간(59)내 격벽(56) 사이의 제2 기판(60) 저면에 제1 전극(57)이 구비되어 있다. 제1 전극(57)은 방전 공간(59)에 초기 방전을 일으키기 위한(벽전하 형성을 위한) 것이다. 제1 전극(57)의 저면에 방전 공간(59)에서 발생되는 자외선을 흡수하여 가시광을 방출하는 형광막(58)이 도포되어 있다. 상기 가시광은 제2 기판(60)을 통해 그 위에 배열된 LCD 패널(62)의 저면 전면에 걸쳐 균일하게 조사된다. 이와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 LCD의 백 라이트 유닛은 기존의 도광판 등이 불필요한 LCD 광원으로 사용된다.
계속해서, 제1 전극(57)을 이용한 초기 방전으로 방전 공간(59) 내에 벽전하가 형성되면, 상기 벽전하를 이용하여 방전 공간(59) 내에 방전을 계속 유지시키기 위한 면방전을 일으킬 필요가 있는데, 상기 면방전을 일으키기 위한 제2 및 제3 전극(51, 52)이 격벽(56) 사이의 제1 기판(50) 상에 일정한 간격으로 나란하게 형성되어 있다. 또, 격벽(56) 사이의 제1 기판(50) 상에 제2 및 제3 전극(51, 52)을 덮는 제1 유전막(53)이 형성되어 있다. 그리고 제1 유전막(53) 상에 2차 전자 방출 물질층(54)이 형성되어 방전 공간(59)에 노출되어 있다. 2차 전자 방출 물질층(54)은 2차 전자 방출 수단으로써 카본 나노 튜브층으로 형성된 단일층 또는 도 14에 도시한 바와 같이 순차적으로 형성된 제1 및 제2 물질층(54a, 54b)으로 구성된 이중층일 수 있다. 이때, 제1 물질층(54a)은 카본 나노 튜브층이고, 제2 물질층(54b)은 MgO층인데, 제2 물질층(54b)은 MgO층외에 MgF2, CaF2 및 LiF 등과 같은 불화물(floride)층 및 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3등과 같은 산화물(oxide)층 중 선택된 어느 한 층일 수도 있다.
한편, 도면에서 참조번호 64는 LCD 패널(62)에 구성된 화소에 구동 전압을 인가하고 제어하는 구동회로부를 나타낸다.
도면에 도시되어 있지는 않지만, LCD 패널(62)과 제2 기판(60) 사이에 확산판(diffuser)이 더 구비될 수 있다.
<제6 실시예>
본 실시예는 제1 기판(50) 뿐 아니라 제2 기판(60)의 저면에도 2차 전자 방출 물질층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
구체적으로, 도 15를 참조하면, 격벽(56) 사이의 제2 기판(60)의 저면에 제5 실시예와 마찬가지로 제1 전극(57)과 형광막(58)이 순차적으로 형성되어 있다. 하지만, 제1 전극(57)과 형광막(58) 사이에 제2의 2차 전자 방출 물질층(61)이 더 구비되어 있다. 제2의 2차 전자 방출 물질층(61)은 카본 나노 튜브층이며, 형광막 (58)에 덮여 있는 형태로 형성되어 있다. 이때, 2차 전자 방출 물질층(54) 또는 제2의 2차 전자 방출 물질층(61)은 카본 나노 튜브층만으로 된 단일층이거나 도 16에 도시한 바와 같이, 각각이 제1 물질층(54a, 61a)과 제2 물질층(54b, 61b)으로 구성된 이중층일 수 있다. 이때, 제1 물질층(54a, 61a)과 제2 물질층(54b, 61b)은 제5 실시예의 제1 및 제2 물질층과 동일하다.
이렇게 함으로써, 2차 전자 방출이 증가되어 방전 공간(59)에 채워진 불활성 가스의 방전량도 증가되므로, 결국 형광막(58)에 흡수되는 자외선이 많아지게 되어 형광막(58)으로부터 방출되는 가시광도 많아지게 된다. 이렇게 해서, 백 라이트로부터 LCD패널(62)의 저면 전면에 조사되는 광은 균일하면서 밝아서 기존에 비해 휘도는 더욱 개선된다.
<제7 실시예>
도 17을 참조하면, 제1 기판(700) 상에 서로 반대되는 극성의 전압이 인가되는 전극(702)이 소정의 간격으로 이격된 상태로 나란하게 형성되어 있다. 제1 기판(700)은 배면 유리 기판이다. 제1 기판(700) 상에 전극(702)을 덮는 형태로 표면이 평평한 유전막(704)이 형성되어 있다. 유전막(704) 상에 소정의 간격으로 이격되어 있는 격벽(706)이 형성되어 있다. 격벽(706) 사이의 공간(708)은 방전공간으로 사용된다. 격벽(706)의 측벽을 따라 2차 전자 방출 물질층(710)이 형성되어 있다. 2차 전자 방출 물질층(710)은 카본 나노 튜브층이다. 2차 전자 방출 물질층(710)은 참조부호 A로 나타낸 확대도에서 볼 수 있듯이 격벽(706)의 측벽을 직접 감싸는 제1 물질층(710a)과 제1 물질층(710a) 상에 형성된 제2 물질층(710b)으로 구성할 수도 있다. 이때, 제1 물질층(710a)으로 카본 나노 튜브층이 바람직하고, 제2 물질층(710b)으로 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중에서 선택한 어느 한 물질층이 바람직하다. 격벽(706) 상부에 방전 공간(708)을 덮고 2차 전자 방출 물질층(710)의 상부와 접촉되는 형광막(712)이 도포되어 있다. 형광막(712)은 방전 공간(708)에 유입된 방전 가스들로부터 방출되는 가시광 여기용 인자, 예컨대 자외선에 조사되면서 전면에서 밝기가 균일한 가시광을 방출한다. 이 가시광은 형광막(712) 상에 형성된 제2 기판(714)의 저면 전면을 통해서 제2 기판(714) 위에 위치한 LCD패널(716)을 향해 방출된다. 이렇게 해서, LCD 패널(716)의 저면 전면에 균일한 세기를 갖는 가시광이 입사되게 된다. 제2 기판(714)은 제1 기판(700)과 대향하는 전면 유리 기판으로써, 제1 기판(700)과 평행하게 배치하는 것이 바람직하다.
도면에서 참조번호 718은 LCD 패널(716)에 구비된 각 화소에 구동 전압을 인가하고 제어하는 구동회로부를 나타낸다.
<제8 실시예>
도 18을 참조하면, 제1 기판(800)에 소정의 거리로 이격된 제1 내지 제4 전압 인입선(802, 804, 806, 808))이 매립되어 있다. 제1 기판(800)은 배면 유리 기판이다. 제2 및 제3 전압 인입선(804, 806)은 제1 및 제4 전압 인입선(802, 808) 사이에 구비되어 있다. 제1 및 제3 전압 인입선(802, 806)에는 음의 전압이, 제2 및 제4 전압 인입선(804, 808)에는 양의 전압이 인가된다. 제1 기판(800) 상에 제1 기판(800)과 수직한 2차 전자 방출 물질판(810)이 구비되어 있고, 이에 대향하고 이로부터 소정의 거리 만큼 이격된 곳에 제1 기판(800)과 수직한 절연판(812)이 구비되어 있다. 2차 전자 방출 물질판(810)은 방전 공간내에 2차 전자를 증폭시키기 위한 수단으로써 카본 나노 튜브층이 바람직하나, 절연판(812)과 대향하는 면에 MgO층을 더 구비하여 2차 전자 증폭 효율을 더욱 높일 수 있다. 이때, MgO층은 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중에서 선택한 어느 한 물질층으로 대체해도 무방하다. 2차 전자 방출 물질판(810)의 절연판(812)과 대향하지 않는 면에 제1 전압 인입선(802)과 연결된, 따라서 음의 전압이 인가된 제1 전극판(P1)이 구비되어 있고, 절연판(812)의 2차 전자 방출 물질판(810)과 대향하는 면에 제4 전압 인입선(808)과 연결된, 따라서 양의 전압이 인가된 제2 전극판(P2)이 구비되어 있다.
한편, 제1 기판(800) 위에는 제1 기판(800)과 대향하고 2차 전자 방출 물질판(810) 및 절연판(812)에 의해 지지되는 제2 기판(814)이 구비되어 있다. 제2 기판(814)은 전면 유리 기판이다. 이렇게 해서, 제1 및 제2 기판(800, 814) 사이에 2차 전자 방출 물질판(810) 및 절연판(812)에 의해 한정되는 방전 공간(820)이 만들어진다. 방전 공간(820)내 제2 기판(814)의 저면 전면에 자외선에 대해 가시광을 방출하는 형광막(816)이 도포되어 있다. 2차 전자 방출 물질판(810)과 절연판(812) 사이에 방전 공간(820)을 분할하는 제2의 절연판(822) 및 제2의 2차 전자 방출 물질판(824)이 제1 기판(800) 및 형광막(816)에 수직한 형태로 접촉되게 구비되어 있다. 제2의 2차 전자 방출 물질판(824)은 2차 전자 방출 물질판(810)과 동일한 물질판인 것이 바람직하나, 2차 전자 증폭율이 높은 다른 물질판일 수도 있다. 제2의 절연판(822)은 2차 전자 방출 물질판(810)과 대향하며, 대향하는 면에 제2 전압 인입선(804)을 통해 양의 전압이 인가된 제3 전극판(P3)이 구비되어 있다. 제2의 2차 전자 방출 물질판(824)은 제2의 절연판(822)과 동일한 조건으로 제2 절연판(812)과 제2의 절연판(822) 사이에서 제2의 절연판(812)에 가깝게 구비되어 있되, 제2 절연판(812)에 구비된 제2 전극판(P2)과 대향하도록 구비되어 있고, 제2의 절연판(822)과 대향하는 면에 제3 전압 인입선(806)을 통해 음의 전압이 인가된 제4 전극판(P4)이 구비되어 있다.
이렇게 해서, 2차 전자 방출 물질판(810)과 제2의 절연판(822) 및 제2의 2차 전자 방출 물질판(824)과 절연판(812) 사이에 인가되는 전위차에 의해 방전 공간(820)에 장 방출형 2차 전자가 방출되게 된다.
2차 전자 방출 물질판(810)과 제2의 절연판(822) 및 제2의 2차 전자 방출 물질판(824)과 절연판(812) 사이의 제1 기판(800) 상에 소정의 간격만큼 이격된 상태로 나란하게 초기 방전용 전극(826)이 형성되어 있고, 이들을 덮는 유전막(828)이 형성되어 있다.
본 발명자는 상기한 실시예를 뒷바침하기 위하여, 2차 전자 방출 물질층의 전자 방출 효율을 전자 및 이온에 대해 측정하는 실험을 실시하였다.
<제1 실험예>
시료에 전자를 조사하였을 때, 상기 시료로부터 방출되는 2차 전자가 어느 정도인지를 측정한 실험예이다. 이를 위해 시료를 형성하였는데, 시료는 제1 내지 제3 시료로 구분하여 형성하였다. 이때, 카본 나노 튜브층은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)법으로 형성하였다.
<제1 시료>
도 19를 참조하면, 제1 시료는 유리 기판(900) 상에 크롬(Cr)층(910), 니켈(Ni)층(920), 카본 나노 튜브층(930) 및 MgO층(940)을 순차적으로 형성하여 형성하였다. 이때, 유리 기판(900)은 2.1mm정도의 두께로 형성하였고, 유리 기판(900)과 니켈층(920)의 부착을 위해 사용한 크롬층(910)은 200Å 정도의 두께로 형성하였고, 전극으로 사용되는 니켈층(920)은 200Å 정도의 두께로 형성하였으며, 2차 전자 방출 물질층으로 형성한 카본 나노 튜브층(930) 및 MgO층(940)은 각각 1㎛ 및 1500Å정도의 두께로 형성하였다. MgO층(940)은 MgF2, CaF2 및 LiF와 같은 불화물(floride)층 및 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화물(oxide)층으로 이루어진 군 중에서 선택한 어느 한 물질층으로 대체할 수 있다. 이때, 그 두께는 1000Å∼2000Å정도의 범위내에서 임의로 선택할 수 있다. 또, 니켈층(920)을 전자 방출 계수 값이 큰 금속, 예컨대 ITO, Ag, Co, Cs, W, Mo, Ta, Fe 및 Cu로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나의 층으로 대체할 수도 있다.
<제2 시료>
제1 시료와 동일하게 형성하되, 2차 전자 방출 물질층으로 카본 나노 튜브층만을 사용하였다.
<제3 시료>
제1 시료와 동일하게 형성하되, 2차 전자 방출 물질층으로써 MgO층만을 형성하였다.
-실험-
상기 시료들에 대한 2차 전자 방출 실험은 도 20에 도시한 바와 같은 2차 전자 방출 계수 측정 장치를 이용하여 상기 시료들에 대한 2차 전자 방출 계수(δ)를 측정, 비교하였다. 도면에서 참조번호 500은 진공 챔버(500)를, 510은 2차 전자 방출 계수를 측정하기 위한 시료를, 520은 시료(510)에 대해 전자빔을 조사하는 전자총을, 540은 시료(510)에 연결된 가변 전원을, 530은 시료(510)에 흐르는 전류를 측정하기 위한 전류계이다.
실험에 앞서, 전자총(520)에서 시료(510)를 향해 조사되는 전자빔(e1)을 인가 전류(Ip)라 하고, 전자빔(e1) 조사에 의해 시료(510)로부터 방출되는 2차 전자(e2)를 2차 전자 전류(Is)라 하며 시료(510)에 흐르는 전류를 It라 하면, 이들 사이에 다음 수학식 1이 성립한다.
Ip = It + Is
또, 시료(510)의 2차 전자 방출 계수(δ)는 다음 수학식 2와 같이 시료(510)로부터 방출되는 2차 전자 전류(Is)와 인가 전류(Ip)의 비로 표시할 수있다.
δ=Is/Ip
수학식 1을 수학식 2에 대입하면, 2차 전자 방출 계수(δ)는 다시 다음 수학식 3으로 나타낼 수 있다.
δ= 1-(It/Ip)
따라서, 시료(510)의 2차 전자 방출 계수(δ)는 시료(510)에 인가되는 전류(Ip)와 시료(510)에 흐르는 전류(It)를 측정함으로써 알 수 있게 된다. 인가 전류(Ip)는 전자총에 인가하는 전압을 통해서 알 수 있는 것이므로, 결국 본 실험에서는 시료(510)에 흐르는 전류(It) 만을 측정함으로써 소기의 목적을 달성할 수 있게 된다.
이에 따라, 본 발명자는 진공챔버(500) 내에 시료(510)를 로딩한 다음, 시료(510)에 가변 전원(540)을 연결하여 소정의 전압을 인가하였다. 이어서, 전자총(520)을 이용하여 시료(510) 표면에 전자빔(e1)을 조사하여 시료(510)로부터 2차 전자(e2)가 방출되게 하였으며, 전류계(530)를 통해서 시료(510)에 흐르는 전류를 측정하는 방법으로 시료(510)에 대한 2차 전자 방출 계수(δ)를 측정 하였다.
이러한 측정은 상기 제1 시료에 대해 먼저 실시한 다음, 상기 제2 및 제3 시료에 대해 순차적으로 실시하였다.
제1 시료(CNT+MgO)의 2차 전자 방출 계수는 MgO층의 형성 조건, 곧 기판 온도, 증착율, 산소분압, 두께 등이 변함에 따라 달라지는데, 이러한 사실은 다음 표 1에서 알 수 있다.
순번 기판 온도(℃) 성막율(Å/s) 두 께(Å) 산소공급률(sccm) 2차전자방출 계수
1 100 5 1000 2 3.11
2 200 15 1000 10 6.6
3 100 5 1000 10 2.9
4 200 15 1000 2 1000
5 100 5 2000 10 370
6 200 15 2000 2 2.28
7 100 5 2000 2 100
8 200 15 2000 10 1.83
9 150 10 1500 6 2.45
10 150 10 1500 6 4.36
11 100 5 1000 10 2600
12 200 5 1000 2 4
13 100 15 1000 2 140
14 200 15 1000 10 19000
15 100 5 2000 2 10.4
16 200 5 2000 10 9.6
17 100 15 2000 10 18.2
18 200 15 2000 2 240
상기 제1 시료의 MgO층은 2차 전자 방출 계수가 가장 큰 조건(14번째 성막 조건)하에서 형성한 것이다.
도 21은 전자총(520)으로부터 방출되는 전자빔(e1)의 에너지 변화에 따른 2차 전자 방출 계수(δ)를 나타낸 그래프로써, 가로 축은 전자빔(e1)의 에너지 변화를, 세로 축은 2차 전자 방출 계수(δ)의 변화를 각각 나타낸다. 또, 참조부호 "●"는 제1 시료(CNT+MgO)(혹은 MgO/CNT)에 전자빔(e1)을 조사하여 측정한 2차 전자 방출 계수의 변화를 나타내는 제1 그래프(G1)를 나타내고, 참조부호 "■" 및 "▲"는 각각 제2(CNT) 및 제3 시료(MgO)에 대한 2차 전자 방출 계수의 변화를 나타내는 제2 및 제3 그래프(G2, G3)를 나타낸다.
제1 내지 제3 그래프(G1, G2, G3)를 참조하면, 제1 시료의 경우, 2차 전자 방출 계수(δ)최대 값은 2300인 반면, 제2 및 제3 시료의 경우 최대 값은 각각 2.46 및 5.55 정도로 제1 시료에 비해 2차 전자 방출 계수(δ)가 훨씬 작았다. 결과적으로, 2차 전자 방출 계수(δ)가 가장 큰 시료는 카본 나노 튜브층과 마그네슘 산화막(CNT/MgO)으로 구성된 제1 시료라는 것이 확인되었다.
제1 시료의 2차 전자 방출 계수(δ) 값이 카본 나노 튜브층 또는 마그네슘 산화막만으로 구성된 제2 시료 또는 제3 시료의 그것에 비해 훨씬크므로, 2차 전자 방출 물질층으로써, CNT/MgO(또는 MgO/CNT)을 평면 표시 장치(PDP, LCD) 및 전자 증폭기, 광 증폭기 등에 사용할 경우 2차 전자 증폭 효과를 증가시킬 수 있음이 입증되었다.
도 22는 상기 제1 시료에 대한 2차 전자 방출 계수(δ)를 측정한 그래프들로써, 카본 나노 튜브층과 MgO층으로 구성된 제1 시료에서 상기 MgO층의 형성 조건, 예컨대 기판의 온도와 MgO층의 두께를 다르게 하였을 때 나타나는 2차 전자 방출 계수(δ)의 변화를 나타낸 것이다.
도 22에서 참조도형 " ■"로 나타낸 그래프는 표 1의 14번째 조건으로, "▲"로 나타낸 그래프는 11번째 조건으로, "＋"로 나타낸 그래프는 13번째 조건으로 각각 MgO층을 형성하였을 때의 2차 전자 방출 계수의 변화를 나타낸 것이고, "*"로 나타낸 그래프는 표 1의 18번째 조건으로, 참조도형 "◆"로 나타낸 그래프는 15번째 조건으로, "●"로 나타낸 그래프는 16번째 조건으로, "▼"로 나타낸 그래프는 17번째 조건으로 각각 MgO층을 형성하였을 때의 2차 전자 방출 계수의 변화를 나타낸 것이다.
도 21 및 도 22에 도시한 바와 같이, 본 발명에 의한 시료를 사용하는 경우, 한 두번의 증폭으로 원하는 전자 증폭율을 얻을 수 있게 된다. 다시 말하면, 2차 전자 방출 물질에서 얻어지는 신호 이득(signal gain)(증폭율)은 다음 수학식 2로 표시할 수 있는데, 본 발명에 의한 2차 전자 방출 물질층의 경우, 단지 몇 번의 증폭만으로 원하는 증폭율을 쉽게 얻을 수 있기 때문에, 복잡한 MCP,PMT의 구조를 단순화하면서도 대 면적화 할 수 있다. 실제, 대면적 제작에 있어서, 증폭율을 높이는 것은 고비용으로 제작이 어려운 반면, 본 발명에 의한 2차 전자 방출 물질을 사용함으로써 대면적 제작에 대한 비용을 낮출 수 있다.
Gain = δ1δ(n-1)
여기서, δ1은 초기 충돌에서 증폭율(gain)이고, δ(n-1)는 초기 충돌에서 증폭율을 갖는 시료에 여러번 순차적으로 충돌시의 평균 증폭율이며, n은 전자가 채널(chanel) 길이를 따라 부딪힌 회수를 나타낸다.
<제2 실험예>
시료에 이온을 조사하였을 때, 상기 시료로부터 방출되는 2차 전자가 어느 정도인지를 측정한 실험예이다. 실험은 제1 실험예와 유사하게 실시하였으나, 네 개의 시료, 곧 제1 내지 제4 시료를 사용하였다. 상기 네 개의 시료중에서, 제1 내지 제3 시료는 각각 제1 실험예의 제1 내지 제3 시료와 동일한 것이다. 제4 시료는 제3 시료와 같이 2차 전자 방출 물질층이 카본 나노 튜브층과 마그네슘 산화막층으로 구성되어 있지만, 제4 시료의 마그네슘 산화막층은 제3 시료의 증착 조건과 다른 조건하에서 형성된 것이다. 또, 제2 실험에에서 카본 나노 튜브층은 인쇄법(printing)으로 형성하였다.
도 23은 이온 조사에 대한 상기 제1 내지 제4 시료들 사이의 2차 전자 방출 계수()를 비교하기 위한 그래프도이다. 도 23에서 가로축은 이온 가속 전압을, 세로축은 이온 조사에 의한 2차 전자 방출 계수()를 나타낸다. 그리고 참조도형 "▲"는 제1 시료에 대한 2차 전자 방출 계수()변화를, "●"는 제2 시료에 대한 것을, "■"는 제3 시료에 대한 것을 나타내고, "▼"는 제4 시료에 대한 2차 전자 방출 계수()변화를 나타낸다.
실제 PDP의 방전 셀내에서의 가속 전압은 통상 50V 정도 또는 그 이하이므로, 상기 제1 내지 제4 시료에 대한 2차 전자 방출 계수() 값도 가속 전압이 50V 또는 그 이하인 조건에서 서로 비교하는 것이 바람직하다.
도 23의 그래프들을 참조하면, 이러한 조건하에서 카본 나노 튜브층과 MgO층이 함께 적층된 제1 및 제4 시료 뿐만 아니라 카본 나노 튜브층만을 포함하는 제2 시료의 2차 전자 방출 계수()가 MgO층만을 포함하는 제3 시료의 2차 전자 방출 계수()보다 훨씬 큰 것을 알 수 있다. 이것은 방전 공간에 존재하는 가스들에 대한 이온화 가능성을 높일 수 있다는 것을 의미하는 것으로 방전을 이용하는 PDP 또는 백 라이트에 PDP 구조를 적용한 LCD와 같은 평면 표시 장치의 구동 전압 강하를 의미한다.
결과적으로, 상기 실험을 통해서, 종래의 2차 전자 방출 물질층인 MgO층을 카본 나노 튜브층으로 대체하거나 카본 나노 튜브층과 MgO층으로 구성된 이중층으로 대체하는 경우, 전자 및 이온 모두에 의한 2차 전자 방출 계수 값이 훨씬 커지는 것을 확인할 수 있었다.
먼저, 전자에 의한 2차 전자 방출 계수(δ) 값은 종래의 MgO층이 2~5 정도 인 반면, 본 발명의 2차 전자 방출 물질층(CNT/MgO)의 경우, MgO층의 형성 조건에 따라 최대 19000까지 커지는 것을 알 수 있었다. 이러한 결과는 전자에 의한 2차 전자 방출이 이제까지 알려진 2차 전자 방출 물질의 계수 값(80 정도) 보다 수 백배 이상 크다는 것을 확인한 것이었다.
한편, 이온에 의한 2차 전자 방출 계수()값을 측정하는 실험에서도 실제 PDP 내부의 이온 가속 전압(50V 이하)에서 이온에 의한 2차 전자 방출 계수() 값이 커지는 것을 확인하였다. 이러한 결과로써 PDP 등과 같은 방전을 이용하는 평면 표시 장치의 구동 전압이 낮아질 것을 예측할 수 있는데, 이러한 결과는 다음 수학식 5에 의해 더욱 명백해진다.
여기서, Vf는 PDP의 초기 방전 전압, 는 이온에 의한 2차 전자 방출 계수, A 및
B는 PDP 방전 공간에 채워진 가스에 의해 결정되는 상수, d는 전극 간의 거리(distance)이다. 수학식 5에서 이온에 의한 2차 전자 방출 계수()의 값이 커질수록 초기 방전 전압(Vf)이 작아지는 것을 알 수 있다.
그런데, 본 발명의 실시예에 의한 평면 표시 장치는 상기 실험예를 통해서 증명된 바와 같이 2차 전자 방출 물질층으로써, 종래의 MgO층에 비해 전자 및 이온 모두에 의해 2차 전자 방출 계수가 훨씬 높은 CNT층 또는 CNT/MgO구조의 이중층을 구비한다. 이와 같이, 본 발명에 의한 평면 표시 장치, 예컨대 PDP의 2차 전자 방출 물질층의 2차 전자 방출 계수는 종래의 그것에 비해 훨씬 크므로 PDP의 구동 전압을 낮출 수 있고, 더 나아가서 본 발명에 의한 PDP 방전 시스템을 LCD 백라이트(backlight)에 적용함으로써 LCD 램프의 구동 전압이 강하되어 LCD의 구동 전압을 낮출 수 있다.
한편, 상기한 바와 같이, 본 발명에 의한 2차 전자 방출 물질층의 구성에서 MgO층은 MgF2, CaF2 및 LiF와 같은 불화물(floride)층 중 선택된 어느 하나나 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화물(oxide)층 중 선택된 어느 한 물질층으로 대체하더라도 동일한 효과를 얻을 수 있는데, 그 일예로 MgO층을 SiO2층으로 대체한 경우, 곧 2차 전자 방출 물질층이 CNT/SiO2로 구성된 이중층인 경우에 대해 설명한다.
<제3 실험예>
CNT/SiO2로 구성된 2차 전자 방출 물질층에 전자를 조사하였을 때의 2차 전자 방출 계수(δ)에 대한 결과는 도 24에 도시하였다.
도 24를 참조하면, 가로축은 조사되는 전자의 에너지를, 세로축은 2차 전자 방출 계수(δ)를 나타낸다. 그리고 참조도형 "●"으로 나타낸 그래프는 조사 전자에 대한 2차 전자 방출 계수(δ)의 변화를 나타낸 그래프이다. 이 그래프를 참조하면, CNT/SiO2구조의 2차 전자 방출 물질층의 2차 전자 방출 계수(δ) 값은 최대 6000 정도로서, 종래의 MgO층만으로 형성된 2차 전자 방출 물질층(2∼5)에 비해 훨씬 크다는 것을 알 수 있다.
다음에는 본 발명의 실시예에 의한 평면 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 구체적으로는 평면 표시 장치중에서도 PDP 제조 방법에 관한 것으로써, 상술한 본 발명의 실시예들에 의한 평면 표시 장치 중에서 제1 및 제3 실시예에 의한 평면 표시 장치를 제조하는 방법에 대해서 설명한다.
<제1 실시예>
도 25를 참조하면, 전면 유리 기판(200) 상에 주사 및 공통 전극(140, 150)을 형성하되, 서로 소정의 간격 만큼 이격되게 형성한다. 전면 유리 기판(200) 상에 주사 및 공통 전극(140, 150)을 덮는 유전막(180)을 형성한다. 유전막(180) 상에 2차 전자 방출 물질층(190)을 형성한다. 2차 전자 방출 물질층(190)은 2차 전자 방출을 증폭시키기 위한 수단으로써 카본 나노 튜브층으로 형성하는 것이 바람직하다.
2차 전자 방출 물질층(190)의 일부를 확대 도시한 원(C1)에서 볼 수 있듯이, 2차 전자 방출 물질층(190)은 이중층으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 유전막(180) 상에 제1 및 제2 물질층(190a, 190b)을 순차적으로 형성하여 2차 전자 방출 물질층(190)을 형성할 수 있다. 이때, 제1 물질층(190a)은 카본 나노 튜브층으로 형성하는 것이 바람직하고, 제2 물질층(190b)은 MgO층, 불화물층 및 산화물층으로 이루어진 군중 선택된 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 불화물은 MgF2, CaF2 및 LiF로 이루어진 군중 선택된 어느 하나이고, 상기 산화물은 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군중 선택된 어느 하나이다.
도 26을 참조하면, 배면 유리 기판(100) 상에 어드레스 전극(110)을 형성한다. 배면 유리 기판(100) 상에 어드레스 전극(110)을 덮는 유전막(120)을 형성한 다음, 그 표면을 평탄화한다. 표면이 평탄화된 유전막(120) 상에 격벽(130)을 형성한다. 격벽(130)의 측벽 및 격벽(130) 사이의 유전막(120) 상에 형광막(170)을 도포한다.
한편, 형광막(170)을 형성하기에 앞서, 격벽(130) 사이의 유전막(120) 상에 제2의 2차 전자 방출 물질층(도 6 또는 도 7의 '230' 참조)을 더 형성할 수 있고, 형광막(170)을 격벽(130)의 측벽 일부에만 도포하고, 나머지 부분, 예컨대 격벽(130)의 측벽 상단에 제3의 2차 전자 방출 물질층(도 6 또는 도 7의 '240' 참조) 을 더 형성할 수도 있다. 이때, 상기 제2 및 제3의 2차 전자 방출 물질층을 단일층으로 형성하는 경우에는 카본 나노 튜브층으로 형성하는 것이 바람직하고, 이중층으로 형성하는 경우에는 2차 전자 방출 물질층(190)의 경우처럼 제1 및 제2 물질층(190a, 190b)으로 형성할 수 있고, 각 물질층은 상기한 선택된 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하다.
계속해서, 도 27에 도시한 바와 같이, 도 25 및 도 26에 도시한 결과물을 결합하되, 유전막(190)이 격벽(130)의 상부면과 완전히 밀착되도록 결합한다. 이렇게 함으로써, 전면 유리 기판(200)과 배면 유리 기판(100) 사이에 격벽(130)에 의해 분할된 방전 셀(210)이 만들어진다. 이후, 전면 및 배면 유리 기판(200, 100)을 결합하는 과정에서 방전 셀(210)에 유입된 가스를 배기한 다음, 방전 셀(210)에 플라즈마 방전에 필요한 가스를 주입하고 밀봉한다.
<제3 실시예>
도 28을 참조하면, 전면 유리 기판(200) 상에 주사 및 공통 전극으로 사용되는 전극들(140, 150), 전극들(140, 150)을 덮는 제1 유전막(180) 및 2차 전자 방출능을 갖는 보호막(300)을 순차적으로 형성한다. 전극들(140, 150)은 ITO, Ag, Ni, Co, Cs, W, Mo, Ta, Fe 및 Cu로 이루어진 군중 선택된 적어도 어느 하나를 사용하여 형성한다. 보호막(300)은 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중에서 선택한 어느 하나를 사용하여 형성한다. 도시되어 있지 않지만, 보호막(300)을 형성하기에 앞서 유전막(180) 상에 보호막(300)에 비해 2차 전자 방출능이 훨씬 큰 물질층, 예컨대 탄소 나노 튜브층을 더 형성할 수 있다.
도 29를 참조하면, 보호막(300) 상에 절연막(300)을 형성한다. 절연막(300)에 보호막(300)이 노출되는 홀(350)을 형성하되, 소정 간격으로 이격되게 형성한다. 절연막(300)에 홀(350)을 형성함에 있어서, 홀(350)을 통해서 격벽 사이에 형성되는 형광막이 노출되고 홀(350) 사이의 절연막과 격벽의 상부면과 접촉된다는 점을 고려하는 것이 바람직하다. 곧, 홀(350)을 통해서 격벽 사이의 형광막이 노출되면서 홀(350) 사이의 절연막(300)과 격벽의 상부면이 정확하게 대응되게 형성하는 것이 바람직하다. 계속해서, 홀(350)의 측면을 따라 보호막(300)에 비해 2차 전자 방출능이 훨씬 큰 2차 전자 방출 물질층(360)을 형성한다. 2차 전자 방출 물질층(360)은 단일층 또는 이중층으로 형성할 수 있는데, 단일층으로 형성하는 경우에는 탄소 나노 튜브층으로 형성하는 것이 바람직하고, 이중층으로 형성하는 경우에는 탄소 나토 튜브층을 홀(350)의 측면을 따라 형성한 다음, 탄소 나노 튜브층 상에 제2의 보호막을 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 제2의 보호막은 보호막(300)과 동일한 물질막으로 형성하는 것이 바람직하나, MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중에서 선택한 다른 물질막으로 형성해도 무방하다.
도 30을 참조하면, PDP에서 전면 유리 기판(200)과 상 하로 대향하는 배면 유리 기판(100) 상에 제1 실시예와 동일하게 어드레스 전극(110)을 형성하고, 어드레스 전극(110)을 덮는 제2 유전막(120)을 순차적으로 형성한다. 이어서, 제1 실시예와 동일하게 제2 유전막(120) 상에 격벽(130)을 형성한다. 격벽(130)은 홀(350) 사이의 절연막(340)과 대응되는 위치에 형성하는 것이 바람직하다. 격벽(130)의 측벽 및 격벽(130) 사이의 제2 유전막(120) 상에 형광막(170)을 형성한다. 형광막(170)을 형성하기에 앞서, 격벽(130) 사이의 제2 유전막(120) 상에 보호막(300)에 비해 2차 전자 방출능이 훨씬 큰 제3의 2차 전자 방출 물질층(미도시)을 더 형성할 수 있다. 이때, 상기 제3의 2차 전자 방출 물질층은 상기 제2의 2차 전자 방출 물질층과 동일하게 형성할 수 있다.
도 31을 참조하면, 전면 유리 기판(200)을 뒤집어서, 홀(350)의 중심이 격벽(130) 사이의 제2 유전막(120) 상에 형성된 형광막(170)의 중심에 대응되도록 절연막(340)을 격벽(130)의 상부면과 접촉시킨다. 이후의 공정은 제1 실시예와 동일하게 진행한다.
한편, 평면 표시 장치의 다른 제조 방법으로써, 도 11 또는 도 12를 참조하면 알 수 있듯이, 보호막(190)에 비해 2차 전자 방출능이 훨씬 큰 2차 전자 방출 물질판(400)을 격벽의 한 측벽에 형성한 다음, 여기에 외부 전압을 인가하고, 이에 대향하는 다른 격벽의 측벽에 2차 전자 방출 물질판(400)에 인가하는 전압과 반대되는 전압을 인가한 절연판(410)을 형성하여, 전계 효과로써 2차 전자 방출의 증폭을 도모한 제조 방법을 제공한다.
또한, 상술한 제조 방법은 평면 표시 장치의 하나인 LCD의 제조 방법, 특히 LCD 백 라이트 제조 방법에 그대로 적용할 수 있는데, 이 경우에는 형광막(또는 2차 전자 방출 물질층을 덮는 형태의 형광막)이 전면 유리 기판의 저면에 부착되어 있고, 2차 전자 방출 물질층이 배면 유리 기판 상에 형성된 형태로 또는 PDP의 방전 셀 하나를 확장한 것과 크게 다르지 않으므로, 구체적인 설명은 생략한다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상술한 본 발명에 의한 2차 전자 방출 물질층을 PDP와 LCD가 아닌 방전을 이용하는 다른 평면 표시 장치에도 적용할 수 있을 것이다. 또, 카본 나노 튜브외의 유사한 다른 물질로써, CNT/MgO층을 대신할 수 있는 이중층의 2차 전자 방출 물질층을 구비할 수 있을 것이다. 또는 CNT/MgO층의 이중층에 별도의 2차 전자 방출 물질층을 더하여 3중층 또는 그 이상의 2차 전자 방출 물질층을 구비할 수도 있을 것이다. 이와 같은 본 발명의 기술적 사상의 다양성으로 인해, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 평면 표시 장치는 전자 또는 이온에 의한 2차 전자 방출 계수가 종래에 비해 훨씬 크고 장 방출 특성을 갖는 2차 전자 증폭 수단을 구비한다. 따라서, PDP의 경우 내부에서의 이온에 의한 2차 전자 방출 계수를 크게 할 수 있으므로 종래의 그것에 비해 높은 휘도를 얻을 수 있다. 이렇게 하면서도 PDP의 구동 전압(방전 유지 전압)을 낮출 수 있다. 이에 따라, PDP 회로의 안정에도 기여할 수 있고 제품의 가격을 낮출 수도 있다. LCD의 경우, 상기 2차 전자 증폭 수단을 구비한 PDP 방전 시스템을 백 라이트 적용함으로써, LCD 패널로 광을 균일하게 공급함과 광량을 증가시킬 수 있어 밝기를 높일 수 있고, 백 라이트의 구동 전압을 낮출 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 평면 표시 패널에 관한 것으로써, 3전극 면방전형 플라즈마 표시 패널의 사시도이다.
도 2는 도 1을 2-2'방향으로 절개한 단면도이다.
도 3은 도 1을 3-3'방향으로 절개한 단면도이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 의한 평면 표시 장치의 설명을 위한 단면도들로써, 격벽에 수직한 방향으로 절개한 PDP의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 의한 평면 표시 장치의 설명을 위한 단면도로써, 격벽에 수직한 방향으로 절개한 PDP의 단면도이다.
도 10은 도 9에 도시한 PDP 구성요소들 중에서 카본 나노 튜브층이 측면을 따라 형성된 홀을 포함하는 절연층만을 확대한 사시도이다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 의한 평면 표시 장치의 설명을 위한 단면도로써, 격벽에 수직한 방향으로 절개한 PDP의 단면도이다.
도 12는 도 11을 12-12'방향으로 절개한 단면도로써, 격벽 사이를 격벽에 평행한 방향으로 절개한 단면도이다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 제5 실시예에 의한 평면 표시 장치의 설명을 위한 단면도들로써, 격벽에 수직한 방향으로 절개한 LCD의 단면도이다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 제6 실시예에 의한 평면 표시 장치의 설명을 위한 단면도들로써, 격벽에 수직한 방향으로 절개한 LCD의 단면도이다.
도 17 및 도 18은 각각 본 발명의 제7 및 제8 실시예에 의한 평면 표시 장치의 설명을 위한 단면도들로써, 격벽에 수직한 방향으로 절개한 LCD의 단면도이다.
도 19는 본 발명의 제1 실험예에 사용한 제1 시료의 단면도이다.
도 20은 본 발명의 제1 내지 제3 실험예에 사용한 2차 전자 방출 계수 측정에 사용한 장치의 개략적인 구성도이다.
도 21 및 도 22는 본 발명의 제1 실험예를 통해서 측정한 결과를 나타낸 그래프들이다.
도 23 및 도 24는 각각 본 발명의 제2 및 제3 실험예를 통해서 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 25 내지 도 27은 본 발명의 제1 실시예에 의한 평면 표시 장치의 제조 방법을 단계별로 나타낸 어드레스 전극에 수직한 단면도들이다.
도 28 내지 도 31은 본 발명의 제3 실시예에 의한 평면 표시 장치의 제조 방법을 단계별로 나타낸 어드레스 전극에 수직한 단면도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
50, 700, 800:제1 기판 60, 714, 814:제2 기판
51, 52:제2 및 제3 전극 59, 708, 820:방전 공간
56, 130, 706:격벽 57:제1 전극
58, 170, 712, 816:형광막 61, 230:제2의 2차 전자 방출 물질층
62, 716:LCD 패널 53:제1 유전막
54, 190, 710:2차 전자 방출 물질층 54a, 710a:제1 물질층
54b, 710b:제2 물질층 64, 718:구동회로부
100: 배면 유리 기판 110:어드레스 전극
120, 180, 704, 828:유전막 140:주사 전극
150:공통전극 175:물질층
200:전면 유리 기판 210:방전 셀
240, 360:제3 및 제4의 2차 전자 방출 물질층
300:보호막 340:절연층
350:홀 400, 810:2차 전자 방출 물질판
410, 812:절연판 412, 416:제1 및 제2 전극판
414, 418:제1 및 제2 전압 인입선 500:진공 챔버
510:2차 전자 방출 계수 측정용 시료 520:전자총
530:전류계 540:가변 전원
702:전극
802, 804, 806, 808:제1 내지 제4 전압 인입선
P1, P2, P3, P4:제1 내지 제4 전극판
822:제2의 절연판 824:제2의 2차 전자 방출 물질판
826:초기 방전용 전극 900:유리 기판
910:크롬(Cr)층 920:니켈(Ni)층
930:카본 나노 튜브층 940:산화 마그네슘(MgO)층

Claims (44)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판;
    상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 어드레스 전극;
    상기 어드레스 전극을 덮는 제1 유전막;
    상기 어드레스 전극들 사이의 상기 제1 유전막 상에 상기 어드레스 전극들과 나란한 방향으로 형성되어 상기 전면 기판과의 상기 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 동시에 방전셀을 형성하는 격벽들;
    상기 격벽들의 측면 및 상기 어드레스 전극 상에 도포된 형광막;
    상기 전면 기판의 상기 배면 기판과 대향하는 면 상에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 스트라이프 상으로 서로 소정 간격으로 나란하게 형성된 주사전극들 및 공통전극들;
    상기 전면 기판 상에 상기 주사전극 및 공통전극들을 덮도록 적층된 제2 유전막; 및
    상기 제2 유전막 상에 및 상기 격벽의 측면 상부에 각각 카본나노튜브층이 구비된 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 형광막과 상기 제1 유전막 사이에 상기 2차 전자 방출 증폭 수단이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 2차 전자 방출 증폭 수단은 카본 나노 튜브층인 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 카본 나노 튜브층 상에 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중 선택된 어느 한 물질층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  9. 제 4 항에 있어서, 상기 전극은 ITO, Ag, Ni, Co, Cs, W, Mo, Ta, Fe 및 Cu로 이루어진 군중 선택된 적어도 어느 한 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  10. 일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판;
    상기 배면 기판의 상기 전면 기판과 대향하는 내측면 상에 스트라이프 상으로 형성된 어드레스 전극;
    상기 배면 기판의 내측면 상에 상기 어드레스 전극을 덮도록 형성된 제1 유전막;
    상기 전면 기판의 상기 배면 기판과 대향하는 내측면 상에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 스트라이프 상으로 서로 소정 간격으로 나란하게 형성된 주사전극들 및 공통전극들;
    상기 전면 기판 상에 상기 주사전극 및 공통전극들을 덮도록 형성된 제2 유전막;
    상기 어드레스 전극들 사이의 상기 제1 유전막 상에 상기 어드레스 전극들과 나란한 방향으로 형성되어 상기 제2 유전막과 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 동시에 상기 제1 및 제2 유전막 사이에 방전 공간을 한정하는 격벽들;
    상기 격벽들의 측면 및 상기 격벽들 사이의 상기 제1 유전막 상에 형성된 형광막;
    상기 격벽들 사이에서 상기 격벽들에 수직하고 상기 형광막에 접촉되도록 형성되어 있으며, 상기 방전 공간에 장 방출형태로 2차 전자를 방출하도록 음의 전압이 인가된 탄소 나노튜브판; 및
    상기 격벽들 사이에서 상기 탄소 나노튜브판과 나란히 대향하고, 대향하는 면에 양의 전압이 인가된 절연판을 구비하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브판이 대향하는 상기 절연판의 면에 양의 전압이 인가된 전극판이 구비되어 있고, 상기 탄소 나노튜브판의 상기 전극판과 대향하지 않는 면에 음의 전압이 인가된 전극판이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 카본 나노 튜브판에 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나로 된 판이 더 구비된 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 제2 유전막 상에 카본 나노 튜브층 또는 카본 나노 튜브층과 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나의 층으로 구성된 2차 전자 방출 물질층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  14. 일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판;
    상기 배면 기판의 상기 전면 기판과 대향하는 내측면 상에 스트라이프 상으로 형성된 어드레스 전극;
    상기 배면 기판의 내측면 상에 상기 어드레스 전극을 덮도록 형성된 제1 유전막;
    상기 전면 기판의 상기 배면 기판과 대향하는 내측면 상에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 스트라이프 상으로 서로 소정 간격으로 나란하게 형성된 주사전극들 및 공통전극들;
    상기 전면 기판 상에 상기 주사전극 및 공통전극들을 덮도록 형성된 제2 유전막;
    상기 제2 유전막 상에 형성되어 있으면서 상기 두 기판 사이의 방전 영역으로 2차 전자를 방출하고 방전 동안에 상기 제2 유전막을 보호하는 역할을 하는 보호막;
    상기 어드레스 전극들 사이의 상기 제1 유전막 상에 상기 어드레스 전극들과 나란한 방향으로 형성되어 있되, 상기 제1 및 제2 유전막 사이에 방전 공간을 한정할 수 있도록 소정의 높이로 형성된 격벽들;
    상기 격벽들의 측면 및 상기 격벽들 사이의 상기 제1 유전막 상에 형성된 형광막; 및
    상기 보호막 및 상기 격벽들 사이에 형성된 절연층으로써 상기 형광막이 노출되도록 형성된 홀 및 상기 홀의 내면에 탄소 나노 튜브층을 구비하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 보호막은 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중 선택된 어느 한 물질막인 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 카본 나노 튜브층에 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나로 된 물질층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 입사광을 개개의 화소의 인가 전압에 따라 화소에 투과되는 광을 제어하여 영상을 표시하는 역할을 하는 LCD 패널과 상기 LCD 패널에 균일한 밟기의 평면광을 공급하는 백 라이트 유닛과 상기 LCD 패널의 개개의 화소에 인가되는 전압을 제어하는 구동 회로부를 구비하는 액정표시장치에 있어서,
    상기 백 라이트 유닛은 상기 LCD 패널 저면 전면에 균일한 세기의 광을 조사할 수 있는 플라즈마 방전을 이용한 광원이고, 상기 LCD 패널과 상기 광원 사이에 확산층을 구비하며,
    상기 플라즈마 방전을 이용한 광원은,
    일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판;
    상기 전면 기판과 상기 배면 기판을 일정한 간격으로 유지하면서 상기 두 기판과 함께 방전 공간을 한정하는 격벽;
    상기 격벽 사이의 전면 기판의 내측면 상에 형성된 초기 방전용 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성된 형광막;
    상기 격벽 사이의 배면 기판의 내측면 상에 형성되어 있되, 일정한 간격을 두고 서로 나란하게 스트라이프 상으로 형성된 유지 방전용 제2 및 제3 전극;
    상기 배면 기판 상에 상기 제2 및 제3 전극을 덮도록 형성된 유전막; 및
    상기 방전 공간에 2차 전자를 방출시키기 위한 물질층으로써 상기 유전막 상에 형성된 탄소 나노튜브층을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브층에 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나로 된 층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 형광막 사이에 상기 카본 나노 튜브층 또는 카본 나노 튜브층과 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군중 선택된 어느 하나의 층으로 구성된 2차 전자 방출 물질층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  22. 제 19 항에 있어서, 상기 제2 및 제3 전극은 ITO, Ag, Ni, Co, Cs, W, Mo, Ta, Fe 및 Cu로 이루어진 군중 선택된 적어도 어느 한 금속으로 형성된 전극인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  23. 입사광을 개개의 화소의 인가 전압에 따라 화소에 투과되는 광을 제어하여 영상을 표시하는 역할을 하는 LCD 패널과 상기 LCD 패널에 균일한 밟기의 평면광을 공급하는 백 라이트 유닛과 상기 LCD 패널의 개개의 화소에 인가되는 전압을 제어하는 구동 회로부를 구비하는 액정표시장치에 있어서,
    상기 백 라이트 유닛은 상기 LCD 패널 저면 전면에 균일한 세기의 광을 조사할 수 있는 플라즈마 방전을 이용한 광원이고, 상기 LCD 패널과 상기 광원 사이에 확산층을 구비하며,
    상기 플라즈마 방전을 이용한 광원은,
    일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판;
    상기 전면 기판의 내측면 상에 형성된 형광막;
    상기 배면 기판의 상기 전면 기판과 대향하는 내측면 상에 형성되어 있되, 일정한 간격을 두고 서로 나란하게 스트라이프 상으로 형성된 방전용 전극들;
    상기 배면 기판의 내측면 상에 상기 전극들을 덮도록 형성된 유전막;
    상기 형광막과 상기 유전막을 소정 간격으로 유지하면서 상기 형광막과 상기 유전막 사이에 방전 공간을 한정하는 격벽; 및
    상기 방전 공간에 2차 전자를 방출시키기 위한 물질층으로써 상기 격벽의 측면에 형성된 탄소 나노튜브층을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 카본 나노 튜브층에 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나로 된 물질층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  25. 제 23 항에 있어서, 상기 전극들은 ITO, Ag, Ni, Co, Cs, W, Mo, Ta, Fe 및 Cu로 이루어진 군중 선택된 적어도 어느 한 금속으로 형성된 전극인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  26. 입사광을 개개의 화소의 인가 전압에 따라 화소에 투과되는 광을 제어하여 영상을 표시하는 역할을 하는 LCD 패널과 상기 LCD 패널에 균일한 밟기의 평면광을 공급하는 백 라이트 유닛과 상기 LCD 패널의 개개의 화소에 인가되는 전압을 제어하는 구동 회로부를 구비하는 액정표시장치에 있어서,
    상기 백 라이트 유닛은 상기 LCD 패널 저면 전면에 균일한 세기의 광을 조사할 수 있는 플라즈마 방전을 이용한 광원이고, 상기 LCD 패널과 상기 광원 사이에 확산층을 구비하며,
    상기 플라즈마 방전을 이용한 광원은,
    일정한 간격으로 대향하는 전면 및 배면 기판;
    상기 두 기판에 수직하게 접촉하여 상기 두 기판 사이에 방전 공간을 한정하는 한 요소이면서 상기 방전 공간에 장 방출형 2차 전자를 방출하도록 음의 전압이 인가된 탄소 나노 튜브층;
    상기 두 기판에 수직하게 접촉하여 상기 2차 전자 방출 물질층과 함께 상기 두 기판 사이에 방전 공간을 한정하는 다른 한 요소이면서 상기 탄소 나노 튜브층과 대향하는 면에 양의 전압이 인가된 절연성 지지체;
    상기 탄소 나노 튜브층과 상기 전극 지지체 사이의 상기 전면 기판의 내측면 상에 형성된 형광막;
    상기 형광막 및 상기 배면 기판과 수직하게 접촉하여 상기 방전 공간을 분할하면서 상기 탄소 나노 튜브층과 대향하는 면에 양의 전압이 인가된 제2의 절연성 지지체;
    상기 절연성 지지체 및 상기 제2의 절연성 지지체 사이의 형광막 및 상기 배면 기판과 수직하게 접촉하면서 상기 방전 공간에 장 방출형 2차 전자를 방출하도록 음의 전압이 인가된 제2의 탄소 나노 튜브층;
    상기 탄소 나노 튜브층 및 상기 제2의 절연성 지지체 사이와 상기 제2의 탄소 나노 튜브층 및 상기 절연성 지지체 사이의 배면 기판 상에 형성된 초기 방전용 전극들; 및
    상기 배면 기판 상에 상기 전극들을 덮도록 형성된 유전막으로 구성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  27. 삭제
  28. 제 26 항에 있어서, 상기 카본 나노 튜브층의 측면에 제3의 2차 전자 방출 물질층으로써, MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군중 선택된 어느 하나의 층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  29. 제 26 항에 있어서, 상기 절연성 지지체 및 제2의 절연성 지지체는 각각 상기 탄소 나노 튜브층 및 상기 제2의 탄소 나노 튜브층과 대향하는 면에 양의 전극이 인가되는 전극판을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  30. 제 26 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브층 및 상기 제2의 탄소 나노 튜브층은 각각 상기 전극판과 대향하지 않는 면에 음의 전압이 인가된 전극판을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  31. 제 26 항에 있어서, 상기 전극은 ITO, Ag, Ni, Co, Cs, W, Mo, Ta, Fe 및 Cu로 이루어진 군중 선택된 적어도 어느 한 금속으로 형성된 전극인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  32. 전면 유리 기판 상에 소정의 간격으로 이격된 전극을 형성하는 단계;
    상기 전면 유리 기판 상에 상기 전극을 덮는 제1 유전막을 형성하는 단계;
    상기 제1 유전막 상에 탄소 나노 튜브층을 형성하는 단계;
    배면 유리 기판 상에 상기 전극과 수직하면서 소정의 간격으로 이격된 어드레스 전극을 형성하는 단계;
    상기 배면 유리 기판 상에 상기 어드레스 전극을 덮는 제2 유전막을 형성하는 단계;
    상기 어드레스 전극 사이의 상기 제2 유전막 상에 격벽을 형성하는 단계;
    상기 격벽 사이의 상기 제2 유전막 및 상기 격벽의 측벽 상에 형광막을 도포하는 단계;
    상기 전면 유리 기판이 상기 배면 유리 기판과 대향되게 상기 탄소 나노 튜브층을 상기 격벽의 상부면과 접촉시키는 단계;
    상기 접촉단계에서 상기 격벽 및 상기 탄소 나노튜브층으로 한정되는 방전 공간에 유입된 가스를 배기하는 단계; 및
    상기 방전 공간에 플라즈마 방전용 가스를 주입하고 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브층 상에 2차 전자 방출능을 갖는 보호막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법.
  34. 제 33 항에 있어서, 상기 보호막은 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중에서 선택한 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법.
  35. 제 32 항 있어서, 상기 형광막을 형성하기에 앞서 상기 격벽 사이의 상기 제2 유전막 상에 2차 전자 방출 물질층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 소자의 제조 방법.
  36. 제 32 항에 있어서, 상기 격벽의 측벽 상단에 2차 전자 방출 물질층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법.
  37. 제 35 항 또는 36 항에 있어서 상기 2차 전자 방출 물질층은 탄소 나노 튜브층 또는 상기 탄소 나노 튜브층 및 2차 전자 방출능을 갖는 보호막으로 구성되는 이중층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법.
  38. 제 37 항에 있어서, 상기 보호막은 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중에서 선택한 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법.
  39. 전면 유리 기판 상에 소정의 간격으로 이격된 전극을 형성하는 단계;
    상기 전면 유리 기판 상에 상기 전극을 덮는 제1 유전막을 형성하는 단계;
    상기 제1 유전막 상에 2차 전자 방출능을 갖는 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막 상에 상기 보호막이 노출되는 소정 간격으로 이격된 홀을 포함하는 절연막을 형성하는 단계;
    상기 홀의 측면을 따라 탄소 나노 튜브층을 형성하는 단계;
    배면 유리 기판 상에 상기 전극과 수직하면서 소정의 간격으로 이격된 어드레스 전극을 형성하는 단계;
    상기 배면 유리 기판 상에 상기 어드레스 전극을 덮는 제2 유전막을 형성하는 단계;
    상기 어드레스 전극 사이의 상기 제2 유전막 상에 격벽을 형성하는 단계;
    상기 격벽 사이의 상기 제2 유전막 및 상기 격벽의 측벽 상에 형광막을 도포하는 단계;
    상기 홀을 통해서 상기 형광막이 노출되도록 상기 절연막을 상기 격벽의 상부면과 접촉시키는 단계;
    상기 접촉 단계에서 상기 격벽에 유입된 가스를 배기하는 단계; 및
    상기 격벽 사이에 플라즈마 방전용 가스를 주입하고 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법.
  40. 제 39 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브층 상에 2차 전자 방출능을 갖는 보호막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법.
  41. 제 39 항 있어서, 상기 제1 유전막과 상기 보호막 사이에 탄소 나노 튜브 층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법.
  42. 제 39 항에 있어서, 상기 형광막을 형성하기 전에 상기 격벽 사이의 상기 제2 유전막 상에 2차 전자 방출 물질층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 소자의 제조 방법.
  43. 제 42 항에 있어서, 상기 2차 전자 방출 물질층은 탄소 나노 튜브층 또는 상기 탄소 나노 튜브층 및 2차 전자 방출능을 갖는 보호막으로 구성되는 이중층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법.
  44. 제 39 항, 제 40 항, 제 41 항 및 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호막은 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군 중에서 선택한 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면 표시 장치의 제조 방법.
KR10-2000-0066969A 2000-11-11 2000-11-11 카본 나노 튜브층을 포함하는 전자 증폭 물질층을구비하는 평면 표시 장치 및 그 제조 방법 KR100522684B1 (ko)

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