KR100696532B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 및 표시 장치 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널 및 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100696532B1
KR100696532B1 KR1020050085189A KR20050085189A KR100696532B1 KR 100696532 B1 KR100696532 B1 KR 100696532B1 KR 1020050085189 A KR1020050085189 A KR 1020050085189A KR 20050085189 A KR20050085189 A KR 20050085189A KR 100696532 B1 KR100696532 B1 KR 100696532B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
substrate
electron
layer
electrodes
Prior art date
Application number
KR1020050085189A
Other languages
English (en)
Inventor
손승현
박형빈
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050085189A priority Critical patent/KR100696532B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100696532B1 publication Critical patent/KR100696532B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/32—Secondary emission electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/22—Electrodes
    • H01J2211/225—Material of electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

발광효율 및 휘도를 증가시키기 위하여, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 배치되며, 서로 이격되어 배치되는 유지전극쌍들과, 상기 유지전극쌍들을 덮는 유전체층과, 상기 유전제층 상에 형성되며, 상기 유지전극쌍들에 전압이 인가됨에 따라 전자빔을 방출하는 전자가속층과, 상기 전자가속층 상에 형성되는 이차전자방출층을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 표시 장치{Plasma display panel and display apparatus}
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 자외선 발생원인 크세논(Xe)의 에너지 준위를 개략적으로 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제4실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명 >
100 : 플라즈마 디스플레이 패널
200, 300, 400 : 표시 장치
110, 210, 310, 410 : 제1기판
120, 220, 320, 420 : 제2기판
116, 251, 252, 351, 352, 451, 452 : 이차전자 방출층
241, 242, 341, 441 : 전자가속층
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 및 표시 장치에 관한 것으로, 상세하게는 휘도 및 발광효율(luminous efficiency)이 향상된 플라즈마 디스플레이 패널 및 표시 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 종래의 음극선관 디스플레이 장치를 대체하는 것으로 주목받고 있는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP)은 복수개의 전극이 형성된 두 기판 사이에 방전가스가 봉입된 후 방전전압이 가해지고, 이로 인하여 발생되는 자외선에 의해 소정의 패턴으로 형성된 형광체가 여기되어 가시광을 방출함으로써 원하는 화상을 얻는 장치이다.
상기의 플라즈마 디스플레이 패널에서 발광효율을 증가시키기 위해서는, 방전셀들 내에서의 플라즈마 방전이 활발하게 발생하여 자외선을 많이 발생하여야 한다. 따라서, 방전셀들 내에 전자와 같은 공간전하들의 수가 많아야 한다. 이를 위하여, 종래에는 MgO로 된 보호층을 형성하여, 이차전자 발생을 증가시키고 있다.
하지만, 보호층 자체만으로는 면적 자체가 크지 않고, 이차 전자의 생성률이 높지 않기 때문에, 방전셀들 내에서 공간전하를 증가시키는데는 한계를 가진다. 따라서, 휘도 및 발광 효율을 향상시키는데 어려움이 있다.
본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 발광효율이 증가하고, 휘도가 향상된 플라즈마 디스플레이 패널 및 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한 다.
위와 같은 목적 및 그 밖의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 배치되며, 서로 이격되어 배치되는 유지전극쌍들과, 상기 유지전극쌍들을 덮는 유전체층과, 상기 유전제층 상에 형성되며, 상기 유지전극쌍들에 전압이 인가됨에 따라 전자빔을 방출하는 전자가속층과, 상기 전자가속층 상에 형성되는 이차전자방출층을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명은 소정의 간격으로 이격되어 배치되며, 그 사이에 적어도 하나의 표시셀을 한정하는 제1기판 및 제2기판과, 상기 제1기판과 제2기판 사이에 이격되어 배치되는 제1전극 및 제2전극과, 상기 제2전극에 대향하는 상기 제1전극 상에 형성되며, 상기 제1전극 및 제2전극에 전압이 인가됨에 따라 전자빔을 방출하는 전자가속층과, 상기 전자가속층 상에 각각 형성되어 상기 전자빔에 의하여 이차전자를 방출하는 이차전자방출층과, 상기 셀의 내부에 채워지며, 상기 전자가속층으로부터 방출된 전자빔에 의하여 여기되어 자외선을 발생시키는 가스과, 상기 자외선에 의하여 여기되어 가시광을 발생시키는 발광체를 구비하는 표시 장치을 구비한다.
또한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명은 소정의 간격으로 이격되어 배치되며, 그 사이에 적어도 하나의 표시셀을 한정하는 제1기판 및 제2기판과, 상기 제1기판과 제2기판 사이에서 배치되는 제1전극 및 제2전극과, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 상에 각각 배치되며, 상기 제1전극 및 제2전극에 전압이 인가됨에 따 라 각각 제1전자빔 및 제2전자빔을 방출하는 제1전자가속층 및 제2전자가속층과, 상기 제1전자가속층 및 제2전자가속층 상에 각각 형성되는 제1이차전자방출층 및 제2이차전자방출층을 구비하는 표시 장치를 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.
(제1실시예)
도 1을 참조하면, 제1실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 단면도가 도시되어 있다. 이하에서 동일한 참조부호는 동일한 부재를 가리킨다.
도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 크게 상판(150)과 이와 평행하게 결합되는 하판(160)을 구비한다. 상판(150)은 전면기판(110), 전면유전체층(115), 유지전극쌍(112)들, 전자가속층(141), 및 이차전자방출층(116)을 구비하고, 하판(160)은 배면기판(120), 어드레스전극(122)들, 배면유전체층(125), 격벽(130) 및 형광체층(126)들을 구비한다.
전면기판(110)과 배면기판은 서로 소정의 간격으로 이격되어 배치되며, 그것들 사이에 방전이 발생되는 방전공간을 한정한다. 이러한 전면기판(110) 및 배면기판(120)은 가시광 투과율이 우수한 유리 등을 이용하여 형성되는 것이 바람직하다. 하지만, 명실 콘트라스트의 향상을 위하여, 전면기판(110) 및/또는 배면기판(120)이 착색될 수도 있다.
전면기판(110)과 배면기판(120) 사이에는 격벽(130)이 배치되어 있는데, 보 다 상세하게는 격벽(130)은 배면유전체층(125) 상에 배치되어 있다. 이러한 격벽(130)은 방전공간을 복수개의 방전셀(180)들로 구획하며, 방전셀(180)들 사이의 광학적/전기적 크로스토크를 방지하는 기능을 수행한다. 격벽(130)은 방전셀(180)들이 삼각형, 사각형, 오각형 등의 다각형, 또는 원형, 타원형 등의 횡단면을 가지도록 형성될 수도 있으며, 스트라이프 등과 같은 개방형으로 형성될 수도 있다. 또한, 격벽(130)은 방전셀(180)들을 와플이나 델타 배열로 구획할 수도 있다.
배면기판(120)을 대향하는 전면기판(110) 상에는 유지전극쌍(112)들이 배치되어 있다. 각 유지전극쌍(112)은 유지 방전을 일으키기 위하여 전면기판(110)의 배면에 형성된 한 쌍의 유지전극들(131, 132)을 의미하고, 전면기판(110) 상에는 이러한 유지전극쌍(112)들이 소정의 간격으로 평행하게 배열되어 있다. 유지전극쌍(112) 중 일 유지전극은 X전극(131)으로서, 공통전극의 작용을 하고, 다른 유지전극은 Y전극(132)으로서 주사전극의 작용을 한다. 본 실시예에서는, 유지전극쌍(112)들이 전면기판(110) 상에 배치되지만, 유지전극쌍(112)들의 배치 위치는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 유지전극쌍(112)들은 전면기판(110)으로부터 배면기판(120)을 향하는 방향으로 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
X전극(131) 및 Y전극(132)의 각각은 투명전극(131a, 132a) 및 버스전극(131b, 132b)을 구비하고 있다. 투명전극(131a, 132a)은 방전을 일으킬 수 있는 도전체이면서 형광체(126)로부터 방출되는 빛이 전면기판(110)으로 나아가는 것을 방해하지 않는 투명한 재료로 형성되는데, 이와 같은 재료로서는 ITO(indium tin oxide) 등이 있다. 그러나 상기 ITO와 같은 투명한 도전체는 일반적으로 그 저항 이 크고, 따라서 투명전극으로만 유지전극을 형성하면 그 길이방향으로의 전압강하가 커서 구동전력이 많이 소비되고 응답속도가 늦어지는바, 이를 개선하기 위하여 상기 투명전극 상에는 금속재질로 이루어지고 좁은 폭으로 형성되는 버스전극(131b, 132b)이 배치된다. 버스전극은 Ag, Al 또는 Cu와 같은 금속을 이용하여 단층 구조로 형성될 수 있지만, Cr/Al/Cr 등의 다층 구조를 가지도록 형성될 수도 있다. 이러한 투명전극 및 버스전극들은 포토에칭법, 포토리소그라피법 등을 이용하여 형성한다.
X전극(131) 및 Y전극(132)의 형상 및 배치를 상세하게 살펴보면, 버스전극들(131b, 132b)은 단위 방전셀(180)에서 소정의 간격으로 이격되어 평행하게 배치되며, 방전셀(180)들을 가로질러 연장된다. 전술한 바와 같이, 각 버스전극(131b, 132b)에는 투명전극(131a, 132a)이 전기적으로 접속되는데, 사각형의 투명전극(131a, 132a)은 단위 방전셀(180)마다 불연속적으로 배치된다. 이러한 투명전극(131a, 132a)의 일 측은 버스전극(131b, 132b)에 연결되고, 타 측은 방전셀(180)의 중심 방향으로 향하도록 배치된다.
전면기판(110) 상에는 유지전극쌍(112)들을 매립하도록 전면유전체층(115)이 형성되어 있다. 전면유전체층(115)은, 인접한 X전극(131)들과 Y전극(132)들이 서로 통전되는 것을 방지함과 동시에, 하전입자들 또는 전자가 X전극(131)들과 Y전극(132)들에 직접 충돌하여 X전극(131)들과 Y전극(132)들을 손상시키는 것을 방지하한다. 또한, 전면유전체층(115)은 전하를 유도하는 기능을 수행한다. 이러한 전 면유전체층(115)은 PbO, B2O3, SiO2 등을 이용하여 형성된다.
전면유전체층(115) 상에는 전자가속층(141)이 형성되어 있다. 상기 전자가속층(141)은 상기 전면유전체층(115)을 덮으며, 산화된 다공성 실리콘으로 형성되는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 산화된 다공성 실리콘은 산화된 다공성 폴리 실리콘 또는 산화된 다공성 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다. 상기의 전자가속층(141)은 플라즈마 방전 시 전자를 방전셀(180)들 내로 방출할 뿐만 아니라, 상기 이차전자방출층(116)의 이차전자의 방출을 향상시키는 기능을 수행하는데, 이에 대한 상세한 사항은 후술하도록 한다.
상기 전자가속층(141) 상에는 이차전자방출층(116)이 형성되어 있다. 일반적으로 다공성 실리콘을 산화하여 전자가속층(141)을 형성할 경우, 산화 공정 후에 산화된 전자가속층(141) 상에는 수십 나노미터 정도의 SiO2층이 형성된다. 따라서, 상기 이차전자방출층(116)은 상기 SiO2층 상에 배치될 수도 있고, SiO2층을 식각한 후에 전자가속층(141) 상에 직접 배치될 수도 있다.
이차전자방출층(116)은 플라즈마 방전 시 이차전자를 방출하여 플라즈마 방전을 보다 활발하게 발생하도록 한다. 이러한, 이차전자방출층은 다양한 소재로 형성될 수 있으나, 바람직하게는 산화마그네슘(MgO)을 포함하는 소재로 형성된다. 상기 산화마그네슘층은 플라즈마 방전시 하전입자와 전자가 전자가속층(141) 또는 전면유전체층(115)에 충돌하여 전자가속층(141) 또는 전면유전체층(115)이 손상되는 것을 방지하는 기능도 수행한다. 이러한 이차전자방출층(116)은 스퍼터링, 전자 빔 증착법으로 박막으로 형성된다.
전면기판(110)을 대향하는 배면기판(120) 상에는 어드레스전극(122)들이 배치되어 있다. 어드레스전극(122)들은 X전극(131)들 및 Y전극(132)들과 교차하도록 방전셀(180)들을 가로질러 연장된다.
어드레스전극(122)들은 X전극(131)과 Y전극(132) 간의 유지방전을 보다 용이하게 하기 위한 어드레스방전을 일으키기 위한 것으로서, 보다 구체적으로는 유지방전이 일어나기 위한 전압을 낮추는 역할을 한다. 어드레스방전은 Y전극(132)과 어드레스전극(132) 간에 일어나는 방전으로서, 어드레스방전이 종료되면 Y전극(132) 측과 X전극(131) 측에 벽전하가 축적되며, 이로써 X전극(131)과 Y전극(132) 간의 유지방전이 보다 용이하게 된다.
이렇게 배치된 한 쌍의 X전극(131) 및 Y전극(132)과, 이와 교차하는 어드레스전극(122)에 의하여 이루어지는 공간이 단위 방전셀(180)을 형성한다.
배면기판(120) 상에는 어드레스전극(122)을 매립하도록 배면유전체층(125)이 형성되어 있다. 배면유전체층(125)은 방전 시 하전입자 또는 전자가 어드레스전극(122)들에 충돌하여 어드레스전극(122)들을 손상시키는 것을 방지하면서도 전하를 유도할 수 있는 유전체로서 형성되는데, 이와 같은 유전체로서는 PbO, B2O3, SiO2 등이 있다.
배면유전체층(125) 상에 형성된 격벽(130)의 양 측면과 격벽(130)이 형성되지 않은 배면유전체층(125)의 전면에는 적색, 녹색, 청색발광 형광체층(126)들이 배치되어 있다. 형광체층(126)들은 자외선을 받아 가시광선을 발생하는 성분을 가지는데, 적색발광 방전셀에 형성된 형광체층은 Y(V,P)O4:Eu 등과 같은 형광체를 포함하고, 녹색발광 방전셀에 형성된 형광체층은 Zn2SiO4:Mn, YBO3:Tb 등과 같은 형광체를 포함하며, 청색발광 방전셀에 형성된 형광체층은 BAM:Eu 등과 같은 형광체를 포함한다.
또한, 상기 방전셀(180)들에는 네온(Ne), 크세논(Xe) 등이 혼합된 방전 가스가 채워지며, 상기와 같이 방전 가스가 채워진 상태에서, 전면기판 및 배면기판(110)(120)의 가장 가장자리에 형성된 프릿트 글라스(frit glass)와 같은 밀봉 부재에 의해 전면기판 및 배면기판(110)(120)이 서로 봉합되어 결합되어진다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 플라즈마 패널(100)의 작동을 설명하면 다음과 같다.
플라즈마 디스플레이 패널(100)에서 발생되는 플라즈마 방전은 크게 어드레스 방전과 유지 방전으로 나뉜다. 어드레스 방전은 어드레스전극(122)과 Y전극(132) 간에 어드레스방전 전압이 인가됨으로써 일어나고, 이 어드레스방전의 결과로 유지방전이 일어날 방전셀(180)이 선택된다.
그 후 상기 선택된 방전셀(180)의 X전극(131)과 Y전극(132) 사이에 교류의 유지전압이 인가되어 유지방전이 시작된다. X전극(131)과 Y전극(132) 사이에 교류의 유지전압이 인가될 경우, 전면유전체층(115) 내에서 변위전류(displacement current)가 발생된다. 상기 변위전류에 의하여 X전극(131) 및 Y전극(132)의 전자 들이 전자가속층(141)으로 유입된 후, 상기 전자들은 전자가속층(141)에 의하여 가속되어 방전셀(180) 내부로 방출된다. 그런데, 상기 전자가속층(141)으로부터 방출된 전자들이 이차전자방출층과 충돌하기 때문에, 이차전자방출층으로부터 다수의 이차전자들이 생성되어 방전셀(180) 내부로 유입된다. 또한, 방전셀들 내부의 방전 자체로 인하여 상기 이차전자방출층으로부터 이차전자가 생성된다. 따라서, 유지방전 시, 방전셀들 내로 유입되는 전자들의 수가 증가하기 때문에, 방전이 활발하게 발생한다. 상기와 같이 유지 방전 시에 여기된 방전가스의 에너지 준위가 낮아지면서 자외선이 방출된다. 그리고 이 자외선이 방전셀(180) 내에 도포된 형광체(126)를 여기시키는데, 이 여기된 형광체(126)의 에너지준위가 낮아지면서 가시광이 방출되며, 이 가시광이 전면유전층(115)과 전면기판(110)을 투과하여 출사되면서 사용자가 인식할 수 있는 화상을 형성하게 된다.
전술한 바와 같이, 본 실시예에서는 방전셀들 내로 유입되는 전자의 양이 증가하기 때문에, 방전이 활발하게 발생되고, 이로 인하여 자외선 발생량도 증가하기 때문에, 휘도 및 발광효율이 증가하는 장점을 가진다.
( 제2실시예 )
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2를 참조하면, 제1기판(210)과 제2기판(220)이 일정한 간격을 두고 서로 대향되게 배치되어 있다. 그리고, 상기 제1기판(210)과 제2 기판(220) 사이에는 제1기판(210)과 제2기판(220) 사이의 공간을 구획하여 다수의 표시셀(280)들을 형성하는 격벽(230)이 마련되어 있다. 상기 표시셀(280)들의 내벽에는 각각 적색, 녹 색, 청색의 발광체층(270)이 도포되어 있으며, 상기 표시셀(280)들 내부에는 크세논(Xe)을 포함하는 표시가스가 채워져 있다.
상기 제2기판(220)을 대향하는 상기 제1기판(210) 상에는 제1전극(231)들과 제2전극(332)들이 표시셀(380)마다 형성되어 있다. 상기 제1전극(231)들 및 제2전극(232)들은 일 방향으로 연장되는 스트라이프 형성을 갖는다.
상기 제1전극(231)들 및 제2전극(232)들 상에는 제1전자가속층(241)들 및 제2전자가속층(242)들이 형성되어 있다. 상기 제1전자가속층(241)들 및 제2전자가속층(242)들은 각각 상기 제1전극(231)들 및 제2전극(232)들에 교류전압이 인가될 때, 제1전자빔(E1-beam)들 및 제2전자빔(E2-beam)을 상기 표시셀(280)들 내로 방출한다. 상기 제1전자가속층(241)들 및 제2전자가속층(242)들은 일 방향으로 연장되는 스트라이프 형상을 갖는다. 제1전자가속층(241)들 및 제2전자가속층(242)들은 산화된 다공성 실리콘으로 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 제1전자가속층(241)들 및 제2전자가속층(242)들은 산화된 다공성 폴리실리콘 또는 산화된 다공성 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.
상기 제1전자가속층(241)들 및 제2전자가속층(242)들 상에는 각각 제1이차전자방출층(251)들 및 제2이차전자방출층(252)들이 형성되어 있다. 제1이차전자방출층(251)들 및 제2이차전자방출층(252)들은 다양한 소재로 형성될 수 있으나, 바람직하게는 이차전자 방출 계수가 높은 산화마그네슘(MgO)으로 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 발광체층(270)들은 자외선을 받아 가시광선을 발생하는 성분을 가진다. 하지만, 본 발명의 발광체층(270)들은 자외선을 받아 가시광선을 발생하는 빛발광체에 한정되지 않고, 음극선발광 형광체 또는 콴텀 도트를 사용하여 형성될 수도 있으며, 빛발광 형광체, 음극선발광 형광체, 콴텀 도트를 모두 사용하여 형성하거나, 그 중 둘 이상을 같이 사용하여 형성할 수도 있다. 이 때, 표시셀(280) 중 제1전자가속층(241)들 및 제2전자가속층(242)들로부터 직접적으로 제1전자빔(E1-beam)들 및 제2전자빔(E2-beam)을 조사받는 곳은 음극선발광 형광체나 콴텀 도트를 배치하고, 나머지 부분은 빛발광 형광체를 배치하여 형광체층을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제2기판(220) 상에는 제1전극(231)들과 제2전극(232)들과 교차하는 어드레스전극(290)들이 배치되어 있다.
다음으로, 본 실시예의 표시 장치(200)의 작용을 살펴본다.
외부로부터 상기 제1전극(231)들 및 제2전극(232)들에 교류 전압이 인가되면, 제1전자가속층(241)들의 양면에 전압차가 형성되며, 상기 제1전극(231)들의 전압이 제2전극(232)들의 전압보다 높은 경우, 제1전극(231)들로부터 제1전자가속층(241)으로 전자들이 유입된 후, 상기 유입된 전자들이 상기 제1전자가속층(241)에서 가속되어 표시셀(280) 내부로 제1전자빔(E1-beam)을 방출시킨다. 이와 반대로, 상기 제2전극(232)들의 전압이 제1전극(231)들의 전압보다 높은 경우, 제2전극(232)들로부터 제2전자가속층(242)으로 전자들이 유입된 후, 상기 유입된 전자들이 상기 제2전자가속층(242)에서 가속되어 표시셀(280) 내부로 제2전자빔(E2-beam)을 방출시킨다. 이 때, 제1전자빔(E1-beam) 및 제2전자빔(E2-beam)의 크기를 증가시키기 위하여, 제1전극(231)들 및 제2전극(232)들 상에 제1전자빔(E1-beam) 및 제2전자빔(E2-beam) 방출 시 제1전극(231)들 및 제2전극(232)들 보다 각각 높은 전압이 인가되는 별도의 전극들이 더 배치될 수도 있다.
제1전자빔(E1-beam) 및 제2전자빔(E2-beam)의 방출 시, 제1전자빔(E1-beam) 및 제2전자빔(E2-beam)은 각각 제1이차전자방출층(251)들 및 제2이차전자방출층(352)들에 충돌하여, 제1이차전자방출층(251)들 및 제2이차전자방출층(252)들로부터 다수의 이차전자들이 생성되어 표시셀(280)들 내부로 유입된다. 따라서, 표시셀(280)들 내부로 유입되는 전자의 수가 크게 증가하게 된다.
상기 방출된 전자들은 가스를 여기시키고, 이렇게 여기된 가스는 안정화되면서 발광체층(270)을 여기시키기 위한 자외선을 발생시키게 된다. 따라서, 상기 방출된 전자들은 가스를 여기(excitation)시키는데 필요한 에너지보다 크고, 여기가스를 이온화(ionization)시키는데 필요한 에너지보다는 작은 에너지를 갖도록 하는 것이 바람직하다. 이를 도 3을 참조하여 살펴보도록 한다.
도 3에는 자외선 발생원인 크세논(Xe)의 에너지 준위가 개략적으로 도시되어 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 크세논(Xe)을 이온화하려면, 12.13eV의 에너지가 필요하며, 크세논(Xe)을 단지 여기시키려면, 8.28eV 이상의 에너지가 필요함을 알 수 있다. 자세히 살펴보면, 크세논(Xe)을 1S5, 1S4, 1S2 상태로 각각 여기시키기 위해서는 각각 8.28eV, 8.45eV, 9.57eV의 에너지가 필요함을 알 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 표시셀(180) 내부로 방출된 전자는 약 8.28eV??12.13eV의 에너지를 가지는 것이 바람직하다. 상기와 같이 여기된 크세논(Xe*)은 안정화되면서 147㎚의 자외선을 발생시킨다. 또한, 여기된 크세논(Xe*)과 기저상태의 크세논(Xe)이 충돌하면, 엑시머 크세논(Xe2*)이 생성되는데, 이러한 엑시머 크세논(Xe2*)이 안정화되면 대략 173㎚의 자외선이 발생한다. 상기에서는 가스로서 크세논만이 서술되어 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않고,
표시셀(280) 내부로 방출된 전자들에 의해 발생한 자외선은 발광체층(270)을 여기시키게 되고, 그렇게 되면 가시광선이 발생되게 되며, 발생된 가시광선은 제1기판(210) 및/또는 제2기판(220)을 투과하여 출사되면서 화상을 형성하게 된다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 표시 장치(200)는 제1,2전자가속층들(241, 242) 및 제1,2이차전자방출층들(251, 252)에 의하여 다수의 전자들을 표시셀(280) 내부로 용이하게 방출할 수 있으므로, 휘도 및 발광효율을 향상시킬 수 있게 된다.
( 제3실시예 )
도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 참조하면, 제1기판(310)과 제2기판(320)이 일정한 간격을 두고 서로 대향되게 배치되어 있다. 그리고, 상기 제1기판(310)과 제2 기판(320) 사이에는 제1기판(310)과 제2기판(320) 사이의 공간을 구획하여 다수의 표시셀(380)들을 형성 하는 격벽(330)이 마련되어 있다. 상기 표시셀(380)들의 내벽에는 각각 적색, 녹색, 청색의 발광체층(370)이 도포되어 있으며, 상기 표시셀(380)들 내부에는 크세논(Xe)을 포함하는 표시가스가 채워져 있다.
상기 제2기판(320)을 대향하는 상기 제1기판(310) 상에는 제1전극(331)들이 표시셀(380)마다 형성되어 있으며, 제1기판(310)을 대향하는 제2기판(320) 상에는 제1전극(331)과 교차하는 제2전극(332)들이 표시셀(380)마다 형성되어 있다. 상기 제1전극(331)들 및 제2전극(332)들은 각각 스트라이프 형성을 갖는다.
상기 제1전극(331)들 및 제2전극(332)들 상에는 제1전자가속층(341)들 및 제2전자가속층(342)들이 형성되어 있다. 상기 제1전자가속층(341)들 및 제2전자가속층(342)들은 각각 상기 제1전극(331)들 및 제2전극(332)들에 교류전압이 인가될 때, 제1전자빔(E1-beam)들 및 제2전자빔(E2-beam)을 상기 표시셀(380)들 내로 방출한다. 상기 제1전자가속층(341)들 및 제2전자가속층(342)들은 일 방향으로 연장되는 스트라이프 형상을 갖는다. 제1전자가속층(341)들 및 제2전자가속층(342)들은 산화된 다공성 실리콘으로 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 제1전자가속층(341)들 및 제2전자가속층(342)들은 산화된 다공성 폴리실리콘 또는 산화된 다공성 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.
상기 제1전자가속층(341)들 및 제2전자가속층(342)들 상에는 각각 제1이차전자방출층(351)들 및 제2이차전자방출층(352)들이 형성되어 있다. 제1이차전자방출층(351)들 및 제2이차전자방출층(352)들은 다양한 소재로 형성될 수 있으나, 바람 직하게는 이차전자 방출 계수가 높은 산화마그네슘(MgO)으로 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 발광체층(370)들은 자외선을 받아 가시광선을 발생하는 성분을 가진다. 하지만, 본 발명의 발광체층(370)들은 자외선을 받아 가시광선을 발생하는 빛발광체에 한정되지 않고, 음극선발광 형광체 또는 콴텀 도트를 사용하여 형성될 수도 있으며, 빛발광 형광체, 음극선발광 형광체, 콴텀 도트를 모두 사용하여 형성하거나, 그 중 둘 이상을 같이 사용하여 형성할 수도 있다.
다음으로, 본 실시예의 표시 장치(300)의 작용을 살펴본다.
외부로부터 상기 제1전극(331)들 및 제2전극(332)들에 교류 전압이 인가되면, 제1전자가속층(341)들의 양면에 전압차가 형성되며, 상기 제1전극(331)들의 전압이 제2전극(332)들의 전압보다 높은 경우, 제1전극(331)들로부터 제1전자가속층(341)으로 전자들이 유입된 후, 상기 유입된 전자들이 상기 제1전자가속층(341)에서 가속되어 표시셀(380) 내부로 제1전자빔(E1-beam)을 방출시킨다. 이와 반대로, 상기 제2전극(332)들의 전압이 제1전극(331)들의 전압보다 높은 경우, 제2전극(332)들로부터 제2전자가속층(332)으로 전자들이 유입된 후, 상기 유입된 전자들이 상기 제2전자가속층(332)에서 가속되어 표시셀(380) 내부로 제2전자빔(E2-beam)을 방출시킨다. 이 때, 제1전자빔(E1-beam) 및 제2전자빔(E2-beam)의 크기를 증가시키기 위하여, 제1전자가속층(341)들 및 제2전자가속층(342)들 상에 제1전자빔(E1- beam) 및 제2전자빔(E2-beam) 방출 시 제1전극(331)들 및 제2전극(332)들 보다 각각 높은 전압이 인가되는 별도의 전극들이 더 배치될 수도 있다.
제1전자빔(E1-beam) 및 제2전자빔(E2-beam)의 방출 시, 제1전자빔(E1-beam) 및 제2전자빔(E2-beam)은 각각 제1이차전자방출층(351)들 및 제2이차전자방출층(352)들에 충돌하여, 제1이차전자방출층(351)들 및 제2이차전자방출층(352)들로부터 다수의 이차전자들이 생성되어 표시셀(380)들 내부로 유입된다. 따라서, 표시셀(380)들 내부로 유입되는 전자의 수가 크게 증가하게 된다.
상기 방출된 전자들은 가스를 여기시키고, 이렇게 여기된 가스는 안정화되면서 발광체층(370)을 여기시키기 위한 자외선을 발생시키게 된다. 따라서, 상기 방출된 전자들은 가스를 여기(excitation)시키는데 필요한 에너지보다 크고, 여기가스를 이온화(ionization)시키는데 필요한 에너지보다는 작은 에너지를 갖도록 하는 것이 바람직하다. 이는 전술한 제2실시예를 참조하면 된다.
표시셀(380) 내부로 방출된 전자들에 의해 발생한 자외선은 발광체층(370)을 여기시키게 되고, 그렇게 되면 가시광선이 발생되게 되며, 발생된 가시광선은 제1기판(310) 및/또는 제2기판(320)을 투과하여 출사되면서 화상을 형성하게 된다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 표시 장치(300)는 제1,2전자가속층들(341, 342) 및 제1,2이차전자방출층들(351, 352)에 의하여 다수의 전자들을 표시셀(380) 내부로 용이하게 방출할 수 있으므로, 휘도 및 발광효율을 향상시킬 수 있게 된다.
( 제4실시예 )
도 5는 본 발명의 제4실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5를 참조하면, 제1기판(410)과 제2기판(420)이 일정한 간격을 두고 서로 대향되게 배치되어 있다. 그리고, 상기 제1기판(410)과 제2 기판(420) 사이에는 제1기판(410)과 제2기판(420) 사이의 공간을 구획하여 다수의 표시셀(480)들을 형성하는 격벽(430)이 마련되어 있다. 상기 표시셀(480)들의 내벽에는 각각 적색, 녹색, 청색의 발광체층(470)이 도포되어 있으며, 상기 표시셀(480)들 내부에는 크세논(Xe)을 포함하는 표시가스가 채워져 있다.
상기 제2기판(420)을 대향하는 상기 제1기판(410) 상에는 제1전극(431)들이 표시셀(480)마다 형성되어 있으며, 제1기판(410)을 대향하는 제2기판(420) 상에는 제1전극(431)과 교차하는 제2전극(432)들이 표시셀(480)마다 형성되어 있다. 상기 제1전극(431)들 및 제2전극(432)들은 각각 스트라이프 형성을 갖는다.
상기 제1전극(431)들 상에는 전자가속층(441)들이 형성되어 있다. 상기 전자가속층(441)들은 각각 상기 제1전극(431)들 및 제2전극(432)들에 직류전압이 인가될 때, 전자빔(E-beam)들을 상기 표시셀(480)들 내로 방출한다. 상기 전자가속층(341)들은 일 방향으로 연장되는 스트라이프 형상을 갖는다. 전자가속층(441)들 은 산화된 다공성 실리콘으로 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 전자가속층(441)들은 산화된 다공성 폴리실리콘 또는 산화된 다공성 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.
상기 전자가속층(441)들 상에는 각각 이차전자방출층(451)들이 형성되어 있 다. 이차전자방출층(451)들은 다양한 소재로 형성될 수 있으나, 바람직하게는 이차전자 방출 계수가 높은 산화마그네슘(MgO)으로 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 발광체층(470)들은 자외선을 받아 가시광선을 발생하는 성분을 가진다. 하지만, 본 발명의 발광체층(470)들은 자외선을 받아 가시광선을 발생하는 빛발광체에 한정되지 않고, 음극선발광 형광체 또는 콴텀 도트를 사용하여 형성될 수도 있으며, 빛발광 형광체, 음극선발광 형광체, 콴텀 도트를 모두 사용하여 형성하거나, 그 중 둘 이상을 같이 사용하여 형성할 수도 있다.
다음으로, 본 실시예의 표시 장치(400)의 작용을 살펴본다.
외부로부터 상기 제1전극(431)들 및 제2전극(432)들에 직류 전압이 인가된다. 이 때 상기 제1전극(431)들에 인가되는 전압의 크기가 제2전극(432)들에 인가되는 전압 보다 크다. 상기와 같이, 직류전압이 인가되면, 전자가속층(441)들의 양면에 전압차가 형성되기 때문에, 상기 제1전극(431)들로부터 전자가속층(441)으로 전자들이 유입된 후, 상기 유입된 전자들이 상기 전자가속층(441)에서 가속되어 표시셀(480) 내부로 전자빔(E-beam)을 방출시킨다. 이 때, 전자빔(E-beam)의 크기를 증가시키기 위하여, 전자가속층(441)들 상에 제1전극(431)들 보다 높은 전압이 인가되는 별도의 전극들이 더 배치될 수도 있다.
전자빔(E-beam)의 방출 시, 전자빔(E-beam)은 각각 이차전자방출층(351)들 에 충돌하여, 이차전자방출층(351)들로부터 다수의 이차전자들이 생성되어 표시셀(480)들 내부로 유입된다. 따라서, 표시셀(480)들 내부로 유입되는 전자의 수가 크게 증가하게 된다.
상기 방출된 전자들은 가스를 여기시키고, 이렇게 여기된 가스는 안정화되면서 발광체층(470)을 여기시키기 위한 자외선을 발생시키게 된다. 따라서, 상기 방출된 전자들은 가스를 여기(excitation)시키는데 필요한 에너지보다 크고, 여기가스를 이온화(ionization)시키는데 필요한 에너지보다는 작은 에너지를 갖도록 하는 것이 바람직하다. 이는 전술한 제2실시예를 참조하면 된다.
표시셀(480) 내부로 방출된 전자들에 의해 발생한 자외선은 발광체층(470)을 여기시키게 되고, 그렇게 되면 가시광선이 발생되게 되며, 발생된 가시광선은 제1기판(410) 및/또는 제2기판(420)을 투과하여 출사되면서 화상을 형성하게 된다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 표시 장치(400)는 전자가속층들(441) 및 이차전자방출층들(451)에 의하여 다수의 전자들을 표시셀(480) 내부로 용이하게 방출할 수 있으므로, 휘도 및 발광효율을 향상시킬 수 있게 된다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 방전 시에 전자가속층 및 이차전자방출층에 의하여 많은 전자들이 방전셀들 내로 방출되기 때문에, 방전이 원활하게 발생된다. 따라서, 방전에 의한 자외선 생성량이 증가하여 휘도 및 발광 효율이 향상된다.
또한, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 전자가속층으로부터 방출되는 전자빔(E-beam)이 여기가스를 이온화시킬 정도의 에너지까지 필요 없고, 여기시킬 정도의 에너지만 있으면 화상을 형성할 수 있으므로, 구동전압을 낮출 수 있고, 휘도를 증가시킬 수 있으며, 발광효율을 향상할 수 있는 효과가 있다. 또한, 전자가속층 으로부터 방출된 전자빔이 이차전자방출층과 충돌하여 이차전자를 방출시키기 때문에, 표시셀들 내에 전자들의 유입량이 증가되어, 휘도 및 발광효율이 더욱 증가된다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 서로 이격되어 배치되는 유지전극쌍들;
    상기 유지전극쌍들을 덮는 유전체층;
    상기 유전제층 상에 형성되며, 상기 유지전극쌍들에 전압이 인가됨에 따라 전자빔을 방출하는 전자가속층; 및
    상기 전자가속층 상에 형성되는 이차전자방출층;을 포함하고,
    상기 전자가속층은 산화된 다공성 실리콘(oxidized porous silicon)을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 이차전자방출층은 산화마그네슘(MgO)를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 소정의 간격으로 이격되어 배치되며, 그 사이에 적어도 하나의 표시셀을 한정하는 제1기판 및 제2기판;
    상기 제1기판과 제2기판 사이에 이격되어 배치되는 제1전극 및 제2전극;
    상기 제2전극에 대향하는 상기 제1전극 상에 형성되며, 상기 제1전극 및 제2전극에 전압이 인가됨에 따라 전자빔을 방출하는 전자가속층;
    상기 전자가속층 상에 각각 형성되어 상기 전자빔에 의하여 이차전자를 방출하는 이차전자방출층;
    상기 셀의 내부에 채워지며, 상기 전자가속층으로부터 방출된 전자빔에 의하여 여기되어 자외선을 발생시키는 가스; 및
    상기 자외선에 의하여 여기되어 가시광을 발생시키는 발광체;를 구비하는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전자가속층은 산화된 다공성 실리콘(oxidized porous silicon)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 이차전자방출층은 산화마그네슘(MgO)를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 삭제
  8. 제4항에 있어서,
    상기 제1전극은 상기 제2기판을 대향하는 제1기판 상에 배치되며,
    상기 제2전극은 상기 제1기판을 대향하는 제2기판 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 제1전극과 상기 제2전극은 서로 교차하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 소정의 간격으로 이격되어 배치되며, 그 사이에 적어도 하나의 표시셀을 한정하는 제1기판 및 제2기판;
    상기 제1기판과 제2기판 사이에서 배치되는 제1전극 및 제2전극;
    상기 제1전극 및 상기 제2전극 상에 각각 배치되며, 상기 제1전극 및 제2전극에 전압이 인가됨에 따라 각각 제1전자빔 및 제2전자빔을 방출하는 제1전자가속층 및 제2전자가속층; 및
    상기 제1전자가속층 및 제2전자가속층 상에 각각 형성되는 제1이차전자방출층 및 제2이차전자방출층;을 구비하는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 전자가속층은 산화된 다공성 실리콘(oxidized porous silicon)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 이차전자방출층은 산화마그네슘(MgO)를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1전극 및 제2전극에는 교류 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제1전극과 제2전극은 서로 평행하게 연장되며,
    상기 표시 장치는 상기 제1전극 및 제2전극과 교차하는 어드레스전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1전극 및 제2전극은 상기 제2기판을 대향하는 상기 제1기판 상에 배치되고,
    상기 어드레스전극은 상기 제1기판을 대향하는 제2기판 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 제1전극과 상기 제2전극은 서로 교차하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1전극은 상기 제2기판을 대향하는 제1기판 상에 배치되며,
    상기 제2전극은 상기 제1기판을 대향하는 제2기판 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
KR1020050085189A 2005-09-13 2005-09-13 플라즈마 디스플레이 패널 및 표시 장치 KR100696532B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050085189A KR100696532B1 (ko) 2005-09-13 2005-09-13 플라즈마 디스플레이 패널 및 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050085189A KR100696532B1 (ko) 2005-09-13 2005-09-13 플라즈마 디스플레이 패널 및 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100696532B1 true KR100696532B1 (ko) 2007-03-19

Family

ID=45089845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050085189A KR100696532B1 (ko) 2005-09-13 2005-09-13 플라즈마 디스플레이 패널 및 표시 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100696532B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100980216B1 (ko) * 2008-11-07 2010-09-09 한국과학기술원 분자체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그것의 제조방법
KR101794048B1 (ko) * 2016-04-07 2017-11-08 한국기계연구원 플렉서블 활성종 발생기 및 이의 용도
WO2019066113A1 (ko) * 2017-09-29 2019-04-04 한국기계연구원 플렉서블 활성종 발생기 및 이의 용도

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020036888A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 김순택 카본 나노 튜브층을 포함하는 전자 증폭 물질층을구비하는 평면 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020036888A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 김순택 카본 나노 튜브층을 포함하는 전자 증폭 물질층을구비하는 평면 표시 장치 및 그 제조 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100980216B1 (ko) * 2008-11-07 2010-09-09 한국과학기술원 분자체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그것의 제조방법
KR101794048B1 (ko) * 2016-04-07 2017-11-08 한국기계연구원 플렉서블 활성종 발생기 및 이의 용도
WO2019066113A1 (ko) * 2017-09-29 2019-04-04 한국기계연구원 플렉서블 활성종 발생기 및 이의 용도
US11540380B2 (en) * 2017-09-29 2022-12-27 Korea Institute Of Materials Science Flexible active species generator and use thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100696532B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 및 표시 장치
JP2001273855A (ja) 交流駆動型プラズマ表示装置
KR100804530B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널, 및 상기 플라즈마 디스플레이패널의 격벽 형성방법
KR20060000758A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR20070054030A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
JP4323495B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
KR100751344B1 (ko) 표시 장치
KR100787443B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100400667B1 (ko) 가스 방전 표시장치
KR100768189B1 (ko) 표시 장치
KR100730128B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100741081B1 (ko) 디스플레이 패널
KR100730214B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100615334B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100730194B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100719573B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100670339B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100615337B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100647634B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100730202B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100777745B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100884799B1 (ko) 평판 디스플레이 장치와, 이를 제조하기 위한 방법
KR100768219B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법
KR100615322B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100647642B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee