KR100490527B1 - 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트 - Google Patents

카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트 Download PDF

Info

Publication number
KR100490527B1
KR100490527B1 KR10-2000-0005648A KR20000005648A KR100490527B1 KR 100490527 B1 KR100490527 B1 KR 100490527B1 KR 20000005648 A KR20000005648 A KR 20000005648A KR 100490527 B1 KR100490527 B1 KR 100490527B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
secondary electron
carbon nanotubes
display panel
electrodes
Prior art date
Application number
KR10-2000-0005648A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010077686A (ko
Inventor
이원태
최원봉
한인택
이정희
유세기
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR10-2000-0005648A priority Critical patent/KR100490527B1/ko
Priority to EP00303448A priority patent/EP1122759B1/en
Priority to DE60036451T priority patent/DE60036451T2/de
Priority to US09/562,891 priority patent/US6346775B1/en
Priority to JP2000334120A priority patent/JP4532718B2/ja
Publication of KR20010077686A publication Critical patent/KR20010077686A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100490527B1 publication Critical patent/KR100490527B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/32—Secondary-electron-emitting electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04—Electron multipliers
    • H01J43/06—Electrode arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/939—Electron emitter, e.g. spindt emitter tip coated with nanoparticles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/952—Display

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널과 백 라이트(Secondary electron amplification structure applying carbon nanotube and Plasma display panel and Back light using the same)을 기재한다. 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체는 카본나노튜브 위에 MgO 박막이나 MgF2, CaF2, LiF 와 같은 불화물(floride) 혹은 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화(oxide)물 박막을 적층한 구조로 제작되어 전자나 이온에 의한 2차 전자 방출 계수를 증대시키는 작용을 한다.

Description

카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트{Secondary electron amplification structure applying carbon nanotube and plasma display panel and back light using the same}
본 발명은 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트(Secondary electron amplification structure applying carbon nanotube and Plasma display panel and Back light using the same)에 관한 것이다.
20세기 정보 혁명 수단 중의 하나인 디스플레이(DISPLAY)는 크게 브라운관과 평면 디스플레이 소자(FLAT PANEL DISPLAY)로 나눌 수 있는데, 기존의 브라운관에 비해 평면 디스플레이 소자는 두께가 얇고 휴대성이 좋으며, 저소모전력화로 기존의 브라운관의 단점을 보완하면서 새로운 영역의 시장을 형성하고 있다.
이러한 평면디스플레이 소자로는 LCD(LIQUID CRYSTAL DISPLAY), PDP(PLASMA DISPLAY PANEL), FED(FIELD EMISSION DISPLAY) 등이 주류를 이루고 있고 그 중에서 PDP는 대화면에 유리하여 LCD의 단점을 최대한 보완할 수 있으며 이러한 디스플레이(Display)의 약점을 보완하여 휘도 향상을 꾀할 수 있는 광증배기 튜브(photomultiplier tube; PMT)와 마이크로채널 판(microchannel plate; MCP)과 같은 광 증폭 소자가 있다.
도 1은 현재 대표적으로 사용되고 있는 3극 면방전형 플라즈마 표시 패널의 개략적 구조를 보여주는 사시도이고, 도 2a 및 도 2b는 각각 도 1의 3극 면방전형 플라즈마 표시 패널을 가로 및 세로 방향으로 절개한 단면을 나타내는 수직 단면도이다. 도시된 바와 같이, 3극 면방전형 플라즈마 표시 패널은 기본적으로 일정한 간격을 두고 서로 대향하는 전면 유리 기판(20) 및 배면 유리 기판(10) 사이에 공간을 형성하고, 이들 공간을 격벽(13)으로 분할하여 각 화소에 대응하는 방전 공간(21)을 갖는 셀들을 구성한 다음, 각 방전셀(21)에서 방전을 일으키기 위한 어드레스 전극(11) 및 주사전극(14)과 공통전극(15)을 구비하고 있다. 동일평면에 배치된 주사전극(14)과 공통전극(15)은 어드레스 전극(11)과 교차하는 방향으로 나란하게 배치되어 있어서 면방전을 일으켜 화상을 표시하게 된다. 여기서, 언급되지 않은 부재번호 12는 유전체층이고, 부재번호 17은 형광체이며, 부재번호 16은 버스전극이며, 부재번호 18은 유전체층이며, 그리고 부재번호 19는 MgO 보호층이다.
이와 같이, PDP는 기판 위에 격벽을 형성하여 플라즈마 방전 공간을 만들어 방전함으로써 영상을 표시(DISPLAY)하게 된다. 격벽(13)은 보통 인쇄법으로 형성하며 일정하게 패턴이 형성 되도록해야 한다. 격벽(13)으로 인해 인접 셀 간의 방전을 구분하여 표시할 수 있도록 해준다.
이러한 가운데 PDP의 방전셀 내에서 MgO 보호층(19)의 역할은 방전셀(21) 내에서 2차 전자를 방출하여 효율을 높여줌으로써 전극들 간에 인가되는 방전 전압을 낮추어 줄 수 있도록 하며 패널 내부에 있는 전극을 보호하는 역할을 하게 된다.
현재, PDP, FED, 광 증폭 소자로 사용되는 물질은 2차 전자 방출 계수가 낮기 때문에 전자 증폭율이 낮고 전압 증가와 휘도 약화의 원인이 된다. PDP 에서는 MgO가 2차전자를 방출하는 보호층으로 사용되고 있다. 플라즈마 디스플레이 패널은 방전을 이용한 소자이기 때문에 방전이 잘 일어날 수 있도록 하는 방전공간을 갖는 방전셀들이 형성되어야 한다. 이러한 방전셀들의 공간 내에 보호층으로 MgO층이 형성되어 있다. 이러한 MgO층의 형성은 주로 스퍼터링(sputtering), 전자빔 증착(e-beam evaporation)법으로 박막(thin film)을 형성하게 되는데, 이러한 MgO 단일물질의 증착만으로는 플라즈마 방전 공간 내에서 충분한 2차 전자 방출 효과를 내는데에는 한계가 있다.
또한, PMT나 MCP와 같은 광 증폭 소자 및 FED에서도 마찬자기로 2차 전자 방출을 극대화할 필요가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안한 것으로, 2차전자를 방출하는 MgO층의 장점을 최대한 살리면서 카본나노튜브(Carbon Nanotube)를 적층하여 2차 전자 방출을 극대화할 수 있는 2차 전자 증폭 구조체를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안한 것으로, 상기와 같이 2차 전자 방출을 극대화하여 휘도를 향상시키거나 구동 전압을 낮출 수 있는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 플라즈마 표시 패널 및 액정표시패널용 백라이트를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체는, 카본 나노 튜브; 및 상기 카본나노튜브 상에 적층된 MgO층;을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 MgO층 대신에 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 층이 형성되고, 상기 카본나노튜브는 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성된 전극 상에 도포된 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 플라즈마 표시 패널은, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 전면 기판 및 배면 기판; 상기 두 기판의 대향면 상에 서로 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 전극들; 상기 배변 기판 상의 전극들 사이에 이 전극들과 나란한 방향으로 형성되어 상기 전면 기판과의 상기 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 동시에 방전셀을 형성하는 격벽들; 및 상기 격벽들의 측면 및 배면 기판의 전극들 상에 도포된 형광체들;을 구비한 플라즈마 표시 패널에 있어서, 상기 전면기판의 전극들 상에 형성된 카본 나노 튜브; 및 상기 카본나노튜브 상에 적층된 MgO층;을 구비한 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 MgO층 대신에 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 층이 형성된 것도 바람직하며, 상기 전극은 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성되고, 상기 형광체와 배면기판의 전극 사이에 카본나노튜브가 더 형성되며, 상기 형광체와 상기 MgO층 사이의 격벽 측면에 카본나노튜브가 더 형성된 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 3전극 면방전형 플라즈마 표시 패널은, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 전면 기판 및 배면 기판; 상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 어드레스 전극들; 상기 어드레스 전극들 사이의 상기 배변 기판 상에 상기 어드레스 전극들과 나란한 방향으로 형성되어 상기 전면 기판과의 상기 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 동시에 방전셀을 형성하는 격벽들; 상기 격벽들의 측면 및 상기 어드레스 전극 상면 도포된 형광체들; 상기 전면 기판 상에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 서로 일정한 간격으로 나란하게 형성된 주사전극들 및 공통전극들; 및 상기 전면 기판 상에 상기 주사전극 및 공통전극들을 덮도록 적층된 유전체층;을 구비한 플라즈마 표시 패널에 있어서, 상기 유전체층 상에 형성된 카본 나노 튜브; 및 상기 카본나노튜브 상에 적층된 MgO층;을 구비한 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 MgO층 대신에 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 층이 형성된 것도 바람직하며, 상기 전극은 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성되고, 상기 형광체와 배면기판의 전극 사이에 카본나노튜브가 더 형성되며, 상기 형광체와 상기 MgO층 사이의 격벽 측면에 카본나노튜브가 더 형성된 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 액정표시소자용 백라이트는, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치되어 방전 공간을 형성하는 전면 기판 및 배면 기판; 상기 전면 기판 내측면 상에 형성된 초기 방전용의 제1전극; 상기 제1전극 상에 형성된 형광체층; 상기 배면기판 상의 내측면에 일정한 간격을 두고 서로 나란한 방향의 스트라이프 상으로 형성된 유지 방전용의 제2전극 및 제3전극; 상기 배면기판 상에 상기 제2전극 및 제3전극을 덮도록 도포된 유전체층; 및 상기 전면기판과 배면기판을 상기 일정한 간격으로 유지하면서 방전공간을 밀봉하는 격벽들;을 구비한 백라이트에 있어서, 상기 유전체층 상에 형성된 카본 나노 튜브; 및 상기 카본나노튜브 상에 적층된 MgO층;을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 MgO층 대신에 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 중 어느 한 물질로 된 층이 형성되기도 하고, 상기 제2전극 및 제3전극은 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성되며, 상기 형광체와 상기 제1전극 사이에 카본나노튜브가 더 형성된 것이 바람직하다.
이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 채용한 플라즈마 표시 패널과 액정표시패널용 백라이트를 상세하게 설명한다.
본 발명에서는 상기와 같이 제기된 문제점들을 해결하기 위하여, 먼저, MgO층의 장점을 그대로 이용하는 동시에 방전셀 내에서 효율을 극대화하고자 MgO 형성 전에 카본나노튜브(carborn nanotube; 이하 CNT라 칭함)를 형성하여 그 위에 MgO 박막을 적층한 2차 전자 증폭 구조체를 제공함으로써, 방전 공간 내에서의 전자 방출이 극대화 되도록 한다. 또한, 본 발명에서는 이러한 2차 전자 증폭 구조체를 제작하여 보호층, 형광체, 격벽 등에 삽입함으로써 전자 방출을 극대화시킨 플라즈마 표시 패널과 액정 표시 패널용 백라이트를 제공한다.
도 3은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체의 구성을 보여주는 단면도이다. 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체는 카본나노튜브(300)와 MgO층(400)으로 구성되며, 도면에서는 2차 전자 방출 효율을 측정하기 위하여 유리 기판(1000) 상에 적층된 전극(2000) 상에 적층한 시료를 나타내었다. 여기서, 전극(2000)으로는 Ni층(2200)을 사용하였는데 유리 기판(1000) 상에 잘 증착되지 않으므로 버퍼층으로 Cr층(2100)을 증착한 다음 그 위에 증착하였다. 여기서, MgO층(400) 대신에 MgF2, CaF2 및 LiF 와 같은 불화물(floride)이나 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화(oxide)물을 카본나노튜브(300) 상에 형성한 2차 전자 증폭 구조체를 형성하여도 상당한 2차 전자 증폭 효과를 얻을 수 있다. 또한, 이러한 물질들을 전자 방출 계수 값이 큰 금속 즉 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 으로 형성된 전극(2000) 위에 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 CNT 위에 MgO층을 증착한 2차 전자 증폭 구조체의 2차 전자 방출에 대한 실험 결과는 다음과 같다. 즉, 본 실험에서는 MgO층, CNT 층 및 본 발명에 따른 CNT+MgO층의 3 가지 시료(sample)를 도 4에 도시된 바와 같은 2차 전자 방출 계수(δ)를 측정하여 비교 하였다.
2차 전자 방출 계수 측정 장치는 진공 챔버(500), 시료(510)에 전자빔을 쏘는 전자총(520), 시료에 전압을 인가하는 가변 전원(540) 및 시료(510)에서 흐르는 전류를 측정하기 위한 전류계(530)으로 구성된다. 측정 방법은 다음과 같다.
먼저, 진공챔버(500) 내에 3가지 시료(510)를 장착하고 가변 전원(540)으로 시료의 전극에 적당한 전압을 인가한 상태에서 전자총(520)으로 시료(510)에 전자빔을 쏘면 전자빔이 시료 표면에 충돌하여 2차 전자를 방출한다. 이 2차 전자들에 의해 형성되는 전류가 Is 이다. 전자빔이 이루는 전류가 Ip 이므로 전류계(530)에서 측정되는 전류가 It일 경우 다음 수학식 1과 같은 관계가 성립한다.
δ=1-(It/Ip)=Is/Ip, Ip=It+Is
2차 전자 증폭 구조체 시료의 경우 CNT 위에 MgO층의 증착 조건을 기판 온도, 증착율, 산소분압, 두께 등을 변화시켜서 측정하였고 각각의 인자(factor)에 대하여 2차 전자 방출 계수가 변화됨을 알 수 있었다. 이러한 인자(factor)를 잘 변화시켜 2차 전자 방출 계수가 큰 조건을 찾아 냈으며 가장 좋은 조건에서 위의 2 가지 시료(sample)와 비교하였다.
도 5는 1차 전자의 에너지 변화에 따른 2차 전자 방출 계를 나타낸 그래프이다. 도 5에 나타난 바와 같이, 2차 전자 방출이 최대인 CNT+MgO (혹은 MgO/CNT) 시료의 2차 전자 방출 계수는 2300이었고, MgO층 만 형성된 시료의 2차 전자 방출 계수가 5.55이었으며, CNT 만 형성된 시료는 2차 전자 방출 계수가 2.46 정도로 측정되었다. 결과적으로, MgO/CNT 인 경우가 2차 전자 방출 계수가 가장 큰 물질로 확인되었다. 이러한 2차 전자 증폭 구조체는 2차 전자 방출 계수가 상대적으로 엄청나게 크므로, 이 구조를 이용하여 표시(Display) 소자(PDP,FED) 및 전자 증폭기, 광 증폭기 등에 사용될 경우 엄청난 2차 전자 증폭 효과를 얻을 수 있음이 입증되었다.
도 6은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체의 시료에서 1차 전자 에너지에 따른 이차 전자 방출 계수 δ를 비교한 그래프이다. 구체적으로, CNT/MgO 구조에서 MgO 조건을 변화 하였을 때 이차 전자 방출 계수 δ의 변화를 측정한 그래프이다.
도 5와 도 6에 나타난 바와 같이, 기존의 여러 번 충돌로 증폭율을 높이는 방법을 한 두 번의 증폭으로 원하는 전자의 증폭율을 얻을 수 있게 된다. 즉, 2차 전자 증폭 구조체에서 얻어지는 신호 이득(signal gain)은(즉 증폭율은) 다음 수학식 2로 표시된다.
Gain = δ1δ(n-1)
여기서, δ1은 초기 충돌에서 증폭율(gain)이고, δ(n-1)는 초기 충돌에서 증폭율을 갖는 시료에 여러번 순차적으로 충돌시의 평균 증폭율이며, n은 전자가 채널(chanel) 길이를 따라 부딪힌 회수를 나타낸다.
즉, 수학식 2에 나타나 있듯이 여러 번 증폭하지 않아도 몇 번의 증폭만으로도 쉽게 원하는 증폭율을 얻기 때문에 복잡한 MCP,PMT의 구조를 간단히 만들수 있고 대 면적화도 가능하게 된다. 실제 대면적 제작시에 증폭율을 높이는 것은 cost가 비싸지고 제작이 어렵다는 단점이 있었다. 본발명에서 실험한 물질로 쉽게 제작이 가능하여 cost down 효과를 볼수 있다.
다음은 두 번째 실험으로 실험 1에서와 같은 방식으로 제작된 2차 전자 증폭 구조체와 CNT를 인쇄법(printing 방법)으로 형성한 박막과 기존 MgO 박막과 같이 비교하여 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ를 측정하였다. 이 데이타는 PDP 와 PDP 구조를 이용한 백라이트(backlight) 제작시에 보호층으로 제작되는 MgO 대신에 사용되어 높은 이차 전자 방출 계수 Υ로 인해 구동전압을 떨어뜨릴 수 있는 근거가 된다. 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ값이 측정한 결과 실제 PDP 내부에서 이온의 가속전압(50 V 이하)에서 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ가 증대되는 것을 확인하였다. 이는 수학식 3으로 표시된다.
여기서, Vf는 PDP의 초기 방전 전압이고, Υ는 2차 전자 방출 계수, A,B는 가스에서 결정되는 상수이며, d는 전극 간의 거리(distance)이다. 이러한 수학식 3에 근거하여 이온에 의한 2차 전자 방출 계수 Υ가 커지므로 구동 전압 감소를 기대할 수 있다.
도 7은 이러한 측정결과를 나타낸 그래프로서, 각각의 다른 층을 비교함으로써 조건에 따른 Υ를 비교할 수 있다. 즉, 도 7은 각 층의 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ를 비교한 그래프이다. 그래프에서 MgO는 MgO층, CNT는 카본나노튜브층(Carbon nano tube layer), CNT+MgO1(MgO2)는 CNT 위에 MgO층이 형성된 것( MgO1과 MgO2는 증착조건차이)을 각각 나타낸다. 이 그래프에서 실제 PDP의 cell 내에서 가속 전압은 대략 30 V 이하 값으로 측정되므로 Υ값도 30 V 이하에서 서로 비교 할 수 있게 된다. 이렇게 비교하면 기존 MgO 보다 CNT, CNT+MgO 등이 Υ값이 큰 것으로 관찰되며 이 것은 PDP 와 PDP 구조를 이용한 backlight lamp 구조에서 구동 전압 강하를 의미하게 된다.
이상과 같은 실험은 최초로 진행된 실험으로서 CNT 위에 MgO 박막이 형성되면서 2차 전자 방출계수가 증대되는 것을 확인시켜 주었다. 즉, 실험1에서 전자에 의한 이차 전자 방출 계수(δ로 표시)의 증가를 확인하였고, 실험2에서 이온에 의한 이차 전자 방출 계수(Υ로 표시)의 증가를 확인하였다.
먼저, 전자에 의한 이차전자 방출계수값 δ가 기존 MgO 박막이 2차 전자 방출 계수 δ가 2~5 정도 인데 반해 본 2차 전자 증폭 구조체로 하면 δ값이 19000 까지 증대되어 전자에 의한 이차전자방출이 이제까지 알려진 물질(약 80 정도로 알려져 있음) 보다 수 100배 이상 증대됨을 확인하여 주었다. 이러한 방출비δ가 높은 것은 MgO 표면의 표면적이 증대되어 커진 것도 있지만 정확한 이유는 알려져 있지 않다. 다만 MgO의 표면적이 커진 것은 사실이라고 말할 수 있지만 CNT 물질 내부에서 증폭되는 효과에 의한 것이라고 사료된다.
또한, 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ값이 측정한 결과 실제 PDP 내부에서 이온의 가속전압(50 V 이하)에서 이온에 의한 이차 전자 방출 계수 Υ가 증대되는 것을 확인하였다. 이는 수학식 3으로 표시되어 있는데, 이 수학식 3에서 나타나 보이는 것 처럼 이온에 의한 이차전자방출계수인 Υ가 커질수록 초기 방전전압인 Vf는 작아지는 결과를 보이게 된다. 본 발명에서는 이러한 Υ값이 기존 PDP 보호층인 MgO 보다 CNT 위에 형성된 MgO 막인 구조가 PDP 방전 공간에서(PDP 방전시에 이온의 가속 전압이 50 V 이하로 알려져 있음) Υ값이 커지는 것을 (즉 PDP 구동전압이 떨어지는것) 이차 전자 방출 계수를 측정함으로써 확인하였다. 이러한 Υ값이 커지는 것은 현재 PDP 구조로 LCD 백라이트(backlight)를 사용하는 평판 램프(lamp)에서도 사용되어 램프의 구동 전압이 강하되어 LCD 소자의 구동 전압을 낮출 수 있는 효과를 볼 수 있다.
또한, 상기와 같은 2차 전자 증폭 구조체를 형성하는데는 MgO층 외에도 MgF2, CaF2 및 LiF 와 같은 불화물(floride)이나 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화(oxide)물을 카본나노튜브 상에 적층하더라도 큰 2차 전자 증폭 효과를 얻을 수 있음은 앞에서 설명한 바 있다. 이들 중 SiO2 층을 카본나노튜브 상에 적층한 2차 전자 증폭 구조체에서의 2차 전자 증폭 효과를 측정한 결과 그래프가 도 8에 도시된다. 도시된 바와 같이, SiO2 층/카본나노튜브로 구성된 2차 전자 증폭 구조체의 시료에서는 이차 전자 방출 계수 δ가 6000 까지 증가하는 것을 알 수 있다.
이러한 결과들을 을 이용하여 전자와 이온의 2차 전자 방출비가 중요한 역할을 하는 표시장치 Display 인 FED, PDP 에 응용할수 있고 전자 증폭기 소자(MCP) 및 광증폭기 소자(PMT)에 응용 할수 있을 것이다. 따라서 기존 보다 개선된 구동전압을 갖는 Display 및 증폭기 소자를 제작 할 수 있게 된다. 이러한 2차 전자 증폭 구조체를 플라즈마 표시 패널에 적용한 본 발명에 따른 실시예가 도 9에 도시된다.
도 9는 상기와 같은 2차 전자 증폭 효과 나타내는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 플라즈마 표시 패널의 일 실시예의 수직 단면도이다. 도시된 바와 같이, 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 3극 면방전형 플라즈마 표시 패널은 기본적으로 일정한 간격을 두고 서로 대향하는 전면 유리 기판(200) 및 배면 유리 기판(100) 사이에 공간을 형성하고, 이들 공간을 격벽(130)으로 분할하여 각 화소에 대응하는 방전 공간(210)을 갖는 셀들을 구성한 다음, 각 방전셀(210)에서 방전을 일으키기 위한 어드레스 전극(110) 및 주사전극(140)과 공통전극(150)을 구비하는데, 이들 유전체층(180)과 MgO 보호층(190) 사이에 카본나노튜브(220)를 증착한 구조를 갖는 것이 가장 큰 특징이다. 즉, MgO 보호층(190)과 카본나노튜브(220)로 구성되는 2차 전자 증폭 구조체를 구비한 것이 가장 큰 특징이다. 여기서, 보호층(190)의 구성물질로서 MgF2, CaF2 및 LiF 와 같은 불화물(floride)이나 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화(oxide)물을 사용하여 카본나노튜브와 함께 2차 전자 증폭 구조체를 형성하여도 상당한 2차 전자 증폭 효과를 얻을 수 있다. 또한, 이러한 물질들을 전자 방출 계수 값이 큰 금속 즉 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 으로 형성된 전극 위에 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 2차 전자 증폭 구조체는 동일평면에 어드레스 전극(110)과 교차하는 방향으로 나란하게 배치된 주사전극(140)과 공통전극(150) 간에 인가된 전압에 의해 방전 공간에 면방전이 일어나면 2차 전자를 대량으로 방출한다. 이는 곧 주사전극(140)과 공통전극(150) 간에 인가된 전압에 의해 불활성 가스에 의한 대량의 플라즈마 방전 상태가 형성됨을 의미한다. 이 때, 기존 보다 많은 양의 불활성 가스가 이온화되면서 보다 많은 양의 자외선이 방출되어 형광체(170)를 여기시켜 화상의 휘도를 획기적으로 높일 수 있게 된다. 여기서, 언급되지 않은 부재번호 120는 유전체층이다.
또한, 도 10은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 플라즈마 표시 패널의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다. 이 실시예의 구조는, 도 9의 실시예에서와 같은 구조에서 형광체(170)와 MgO 보호층(190) 사이의 격벽 상에 카본 나노 튜브(240)을 증착하거나 형광체(170)와 전극(110)(혹은 유전체(120)) 사이에 형성하여 이차 전자 방출의 효과를 극대화한 것이다.
한편, 도 11은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 액정표시소자용 백라이트의 개략적 구성을 보여주는 수직 단면도이다. 도시된 바와 같이, 이 실시예는, 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 3극 면방전형 플라즈마 표시 패널과 유사한 구조를 갖는다. 즉, 이 실시예는 기본적으로 일정한 간격을 두고 서로 대향하는 전면 유리 기판(60) 및 배면 유리 기판(50) 사이에 방전 공간(59)을 형성하고, 이들 방전 공간을 격벽(56)으로 밀봉한다. 이와 같이 형성된 방전 공간(59)에서 초기 방전을 일으킬 수 있도록 하기 위한(벽전하 형성을 위한) 제1전극(57)을 전면 기판(60)의 내측면 상에 형성하고, 그 위에 형광체층(58)을 형성한다. 이러한 방전 공간(59) 내의 벽전하를 이용하여 방전을 계속 유지시키기 위한 면방전을 일으키는데, 이 면방전을 수행하기 위한 제2전극(51)과 제3전극(52)이 배면 기판(50) 상에 일정한 간격을 두고 나란하게 형성된다. 이들 제2전극(51) 및 제3전극(52)이 덮히도록 배면기판(50) 상에는 유전체층(53)이 도포된다. 이 유전체층(53) 상에 카본나노튜브(54)와 MgO 보호층(55)가 적층되어 형성된 2차 전자 방출 구조체가 형성된 것이 특징이다. 즉, 카본나노튜브(54)와 MgO 보호층(55)으로 구성되는 2차 전자 증폭 구조체를 구비하여 2차 전자의 증폭 효과를 높인 것이 가장 큰 특징이다. 여기서, MgO 보호층(55) 대신에 MgF2, CaF2 및 LiF 와 같은 불화물(floride)이나 Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화(oxide)물을 카본나노튜브(54) 위에 증착하여 2차 전자 증폭 구조체를 형성하여도 상당한 2차 전자 증폭 효과를 얻을 수 있다. 또한, 이러한 물질들을 전자 방출 계수 값이 큰 금속 즉 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 으로 형성된 전극 위에 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 도 12에 도시된 바와 같이, 도 11에 도시된 바와 같은 백라이트에서 제1전극(57)과 형광체층(58) 사이에 카본나노튜브(61)를 더 도포하는 것도 바람직하다. 이와 같이 하면, 백라이트의 휘도가 더욱 향상된다. 이러한 휘도 향상에 대한 정확한 요인은 알 수 없지만 형광체의 표면적이 넓어져서 휘도가 향상되는 것으로 생각된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체는 카본나노튜브 위에 MgO 박막이나 MgF2, CaF2, LiF 와 같은 불화물(floride) 혹은 Al2O 3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 등과 같은 산화(oxide)물 박막을 적층한 구조로 제작되어 전자나 이온에 의한 2차 전자 방출 계수를 증대시키는 작용을 한다. 따라서, 이러한 2차 전자 증폭 구조체를 사용하면 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, PDP에 적용하면, PDP 내부에서의 이온에 의한 2 차전자방출계수 Υ가 증대되므로 높은 휘도를 얻을 수 있다. 이는 반대로 PDP를 구동시키는 구동 전압을 낮출 수 있음을 의미하며, 아울러 PDP 회로의 안정에도 기여하게 되고 가격을 낮출 수 있는 장점을 부여한다. 또한 PDP 구조를 이용한 LCD 백라이드(backlight)에 적용할 경우에는 LCD 백라이트의 밝기를 높여준다. 따라서, 이는 상대적으로 백라이드의 구동전압을 강하시킬 수 있음을 의미한다.
둘째, FED와 FED 구조를 이용한 LCD 백라이트, 마이크로채널 플레이트(MCP), 광 증배 튜브(PMT) 등에 적용하면 PDP에서와 마찬가지로 2차 전자 방출 계수δ가 증대된다. 따라서, 이러한 소자들의 셀 내부에 CNT 혹은 CNT + MgO 가 삽입되면 휘도향상(구동전압 강하)을 꾀할 수가 있다. 증폭율이 높아지기에 기존 증폭기의 두께 및 직경, 구조 변환이 자유롭고 다른 display (FED)에 응용할수 있는 장점이 있다. MCP를 이용한 다른 device에도 파급효과가 크기에 다른 device의 성능 개선 효과를 볼 수 있다. 즉, 결과적으로 각 Device 의 성능 개선(구동전압 강하 및 휘도 증대) 과 Device의 Cost Down 및 수율이 향상되는 효과를 거둘 수 가 있다.
도 1은 기존 3전극 면방전형 플라즈마 표시 패널의 개략적 구조를 나타내는 사시도,
도 2a 및 도 2b는 도 1의 플라즈마 표시 패널을 가로 방향 및 세로 방향으로 절개하여 본 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체의 실시예를 나타내는 단면도,
도 4는 2차 전자 방출 계수를 측정하는 장치를 개략적으로 나타낸 도면,
도 5는 CNT+MgO로 형성된 도 3의 2차 전자 증폭 구조체 시료들에서 전자에 의한 2차 전자 방출 계수를 측정한 그래프,
도 6은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체에서 MgO의 증착 두께에 따른 2차 전자 방출 계수를 비교한 그래프,
도 7은 CNT+MgO로 형성된 도 3의 2차 전자 증폭 구조체 시료들에서 이온에 의한 2차 전자 방출 계수를 측정한 그래프,
도 8은 CNT+SiO2로 형성된 도 3의 2차 전자 증폭 구조체 시료들에서 전자에 의한 2차 전자 방출 계수를 측정한 그래프,
도 9는 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 플라즈마 표시 패널의 일 실시예의 개략적 구성을 보여주는 수직 단면도,
도 10은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 플라즈마 표시 패널의 다른 실시예의 개략적 구성을 보여주는 수직 단면도,
도 11은 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 액정표시패널용 백라이트의 일 실시예의 개략적 구성을 보여주는 수직 단면도,
그리고 도 12는 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 액정표시패널용 백라이트의 다른 실시예의 개략적 구성을 보여주는 수직 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10. 배면 유리 기판 11. 어드레스 전극
12. 유전체층 13. 격벽
14. 주사전극 15. 공통전극
16. 버스전극 17. 형광체
18. 유전체층 19. MgO 보호층
20. 전면 유리 기판 21. 방전 공간
50. 배면 유리 기판 51. 제2전극
52. 제3전극 53. 유전체층
54. 카본나노튜브 55. MgO 보호층
56. 격벽 57. 제1전극
58. 형광체층 59. 방전 공간
60. 전면 유리 기판 61. 카본나노튜브
100. 배면 유리 기판 110. 어드레스 전극
120. 유전체층 130. 격벽
140. 주사전극 150. 공통전극
160. 버스전극 170. 형광체
180. 유전체층 190. MgO 보호층
200. 전면 유리 기판 210. 방전 공간
220. 230. 240. 카본 나노 튜브 300. 카본나노튜브
400. MgO층 500. 진공 챔버
510. 시료 520. 전자총
530. 전류계 540. 가변 전원
1000. 유리 기판 2000. 전극
2100. Cr층 2200. Ni층

Claims (17)

  1. 카본 나노 튜브; 및
    상기 카본나노튜브 상에 적층된 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성된 보호층;을 구비한 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 카본나노튜브는 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성된 전극 상에 도포된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체.
  4. 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 전면 기판 및 배면 기판;
    상기 두 기판의 대향면 상에 서로 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 형성된 전극들;
    상기 배변 기판 상의 전극들 사이에 이 전극들과 나란한 방향으로 형성되어 상기 전면 기판과의 상기 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 동시에 방전셀을 형성하는 격벽들; 및
    상기 격벽들의 측면 및 배면 기판의 전극들 상에 도포된 형광체들;을 구비한 플라즈마 표시 패널에 있어서,
    상기 전면기판의 전극들 상에 형성된 카본 나노 튜브; 및
    상기 카본나노튜브 상에 적층된 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성된 보호층;을 구비한 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 플라즈마 표시 패널.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서,
    상기 전극은 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 플라즈마 표시 패널.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 형광체와 배면기판의 전극 사이에 카본나노튜브가 더 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 플라즈마 표시 패널.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 형광체와 상기 보호층 사이의 격벽 측면에 카본나노튜브가 더 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 플라즈마 표시 패널.
  9. 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 전면 기판 및 배면 기판;
    상기 배면 기판 상에 스트라이프 상으로 형성된 어드레스 전극들;
    상기 어드레스 전극들 사이의 상기 배변 기판 상에 상기 어드레스 전극들과 나란한 방향으로 형성되어 상기 전면 기판과의 상기 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 동시에 방전셀을 형성하는 격벽들;
    상기 격벽들의 측면 및 상기 어드레스 전극 상면 도포된 형광체들;
    상기 전면 기판 상에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향의 스트라이프 상으로 서로 일정한 간격으로 나란하게 형성된 주사전극들 및 공통전극들; 및
    상기 전면 기판 상에 상기 주사전극 및 공통전극들을 덮도록 적층된 유전체층;을 구비한 플라즈마 표시 패널에 있어서,
    상기 유전체층 상에 형성된 카본 나노 튜브; 및
    상기 카본나노튜브 상에 적층된 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성된 보호층;을 구비한 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 3전극 면방전형 플라즈마 표시 패널.
  10. 삭제
  11. 제9항에 있어서,
    상기 전극은 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 3전극 면방전형 플라즈마 표시 패널.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 형광체와 배면기판의 전극 사이에 카본나노튜브가 더 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 3전극 면방전형 플라즈마 표시 패널.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 형광체와 상기 보호층 사이의 격벽 측면에 카본나노튜브가 더 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 3전극 면방전형 플라즈마 표시 패널.
  14. 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치되어 방전 공간을 형성하는 전면 기판 및 배면 기판;
    상기 전면 기판 내측면 상에 형성된 초기 방전용의 제1전극;
    상기 제1전극 상에 형성된 형광체층;
    상기 배면기판 상의 내측면에 일정한 간격을 두고 서로 나란한 방향의 스트라이프 상으로 형성된 유지 방전용의 제2전극 및 제3전극;
    상기 배면기판 상에 상기 제2전극 및 제3전극을 덮도록 도포된 유전체층; 및
    상기 전면기판과 배면기판을 상기 일정한 간격으로 유지하면서 방전공간을 밀봉하는 격벽들;을
    구비한 백라이트에 있어서,
    상기 유전체층 상에 형성된 카본 나노 튜브; 및
    상기 카본나노튜브 상에 적층된 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성된 보호층;을 구비한 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 백라이트.
  15. 삭제
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제2전극 및 제3전극은 Cs, W, Mo, Ta, Fe, Cu 중 적어도 어느 한 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 백라이트.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 형광체와 상기 제1전극 사이에 카본나노튜브가 더 형성된 것을 특징으로 하는 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 백라이트.
KR10-2000-0005648A 2000-02-07 2000-02-07 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트 KR100490527B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0005648A KR100490527B1 (ko) 2000-02-07 2000-02-07 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트
EP00303448A EP1122759B1 (en) 2000-02-07 2000-04-25 Plasma panel and back light comprising a secondary electron amplification structure employing carbon nanotubes
DE60036451T DE60036451T2 (de) 2000-02-07 2000-04-25 Plasma-Anzeigetafel und Rücklichtvorrichtung mit Sekundärelektronen-Verstärkungsstruktur mit Kohlenstoff-Nanoröhren
US09/562,891 US6346775B1 (en) 2000-02-07 2000-05-01 Secondary electron amplification structure employing carbon nanotube, and plasma display panel and back light using the same
JP2000334120A JP4532718B2 (ja) 2000-02-07 2000-11-01 カーボンナノチューブを採用した２次電子増幅構造体及びこれを用いたプラズマ表示パネル及びバックライト

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0005648A KR100490527B1 (ko) 2000-02-07 2000-02-07 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010077686A KR20010077686A (ko) 2001-08-20
KR100490527B1 true KR100490527B1 (ko) 2005-05-17

Family

ID=19644489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2000-0005648A KR100490527B1 (ko) 2000-02-07 2000-02-07 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6346775B1 (ko)
EP (1) EP1122759B1 (ko)
JP (1) JP4532718B2 (ko)
KR (1) KR100490527B1 (ko)
DE (1) DE60036451T2 (ko)

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4108907B2 (ja) * 2000-06-01 2008-06-25 パイオニア株式会社 プラズマディスプレイパネル
US20050200261A1 (en) * 2000-12-08 2005-09-15 Nano-Proprietary, Inc. Low work function cathode
US6885022B2 (en) * 2000-12-08 2005-04-26 Si Diamond Technology, Inc. Low work function material
US6949877B2 (en) * 2001-03-27 2005-09-27 General Electric Company Electron emitter including carbon nanotubes and its application in gas discharge devices
US6739932B2 (en) * 2001-06-07 2004-05-25 Si Diamond Technology, Inc. Field emission display using carbon nanotubes and methods of making the same
KR100429201B1 (ko) * 2001-06-20 2004-04-28 엘지전자 주식회사 플라즈마 표시장치
US6897603B2 (en) 2001-08-24 2005-05-24 Si Diamond Technology, Inc. Catalyst for carbon nanotube growth
AU2002357037A1 (en) * 2001-11-30 2003-06-17 The Trustees Of Boston College Coated carbon nanotube array electrodes
KR100873634B1 (ko) 2002-02-20 2008-12-12 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 포함하는 전자증폭기 및 그 제조방법
KR100450819B1 (ko) 2002-04-12 2004-10-01 삼성에스디아이 주식회사 탄소나노튜브를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그전면 패널의 제조방법
US6979947B2 (en) 2002-07-09 2005-12-27 Si Diamond Technology, Inc. Nanotriode utilizing carbon nanotubes and fibers
DE60329013D1 (de) * 2002-11-22 2009-10-08 Panasonic Corp Plasmaanzeigetafel und verfahren zu ihrer herstellung
KR100528965B1 (ko) * 2002-11-23 2005-11-15 한국전자통신연구원 저전압 구동 플라즈마 표시 패널 장치 및 그 제조 방법
KR20040083973A (ko) * 2003-03-26 2004-10-06 김용석 보호막내 나노 팁을 포함하고 있는 고효율 플라즈마디스플레이 소자 및 그것의 제조방법
JP4285040B2 (ja) * 2003-03-27 2009-06-24 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
WO2004086447A1 (ja) * 2003-03-27 2004-10-07 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. プラズマディスプレイパネル
US20060249391A1 (en) * 2003-04-09 2006-11-09 Sungho Jin High resolution electrolytic lithography, apparatus therefor and resulting products
US20040256975A1 (en) * 2003-06-19 2004-12-23 Applied Nanotechnologies, Inc. Electrode and associated devices and methods
KR100615184B1 (ko) * 2003-10-31 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP4611207B2 (ja) * 2003-11-10 2011-01-12 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
KR20050045513A (ko) * 2003-11-11 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR20050051204A (ko) 2003-11-27 2005-06-01 삼성전자주식회사 플라즈마 평판 램프
KR100589406B1 (ko) * 2003-11-29 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR20050072987A (ko) * 2004-01-08 2005-07-13 삼성전자주식회사 면광원 장치 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
CN100395857C (zh) * 2004-01-16 2008-06-18 清华大学 一种在玻璃衬底上制备碳纳米管的方法
KR100637456B1 (ko) * 2004-02-05 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR100669713B1 (ko) * 2004-03-26 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR20050095381A (ko) * 2004-03-26 2005-09-29 김용석 나노 팁을 포함하고 있는 고효율 플라즈마 디스플레이소자용 전면판 및 그것의 제조방법
KR20050104035A (ko) * 2004-04-27 2005-11-02 삼성에스디아이 주식회사 전계방출소자
KR100669396B1 (ko) * 2004-05-28 2007-01-15 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
US7511415B2 (en) 2004-08-26 2009-03-31 Dialight Japan Co., Ltd. Backlight for liquid crystal display device
KR20060024196A (ko) * 2004-09-13 2006-03-16 삼성에스디아이 주식회사 질화 붕소 뱀부 슈트를 이용한 플라즈마 표시 패널 및평판 램프
CN101073136B (zh) * 2004-10-05 2010-06-16 松下电器产业株式会社 等离子体显示面板及其制造方法
KR100768187B1 (ko) * 2004-10-26 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US20080012461A1 (en) * 2004-11-09 2008-01-17 Nano-Proprietary, Inc. Carbon nanotube cold cathode
US20060255715A1 (en) * 2004-11-09 2006-11-16 Nano-Proprietary, Inc. Carbon nanotube containing phosphor
US20060103307A1 (en) * 2004-11-17 2006-05-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Field enhanced plasma display panel
KR100659083B1 (ko) * 2004-12-07 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR100647305B1 (ko) * 2004-12-23 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 광전소자 및 이를 이용한 램프 및 디스플레이패널
KR100682927B1 (ko) * 2005-02-01 2007-02-15 삼성전자주식회사 플라즈마 방전을 이용한 발광소자
US7701128B2 (en) * 2005-02-04 2010-04-20 Industrial Technology Research Institute Planar light unit using field emitters and method for fabricating the same
KR20060104107A (ko) * 2005-03-29 2006-10-09 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이 장치
KR20070011806A (ko) * 2005-07-21 2007-01-25 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출형 백라이트 유니트 및 이를 구비한 평판디스플레이 장치
KR100709188B1 (ko) * 2005-09-29 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치 및 그의 제조방법
KR100719580B1 (ko) * 2005-11-22 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR100730171B1 (ko) * 2005-11-23 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR100777727B1 (ko) * 2005-11-24 2007-11-19 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이 장치
KR100670362B1 (ko) * 2005-11-29 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 표시 장치
KR100730173B1 (ko) * 2005-11-29 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 표시 장치
KR100741095B1 (ko) * 2005-12-12 2007-07-20 삼성에스디아이 주식회사 표시 장치
KR100803210B1 (ko) 2006-04-07 2008-02-14 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 전극 및 그 제조방법
CN101170049B (zh) * 2006-10-23 2010-05-12 中华映管股份有限公司 平面灯源
TWI366214B (en) * 2006-12-18 2012-06-11 Ind Tech Res Inst Electron emission device and light emitting method
US7969091B2 (en) * 2007-03-02 2011-06-28 Industrial Technology Research Institute Field-emission apparatus of light source comprising a low pressure gas layer
US7936118B2 (en) * 2007-03-02 2011-05-03 Industrial Technology Research Institute Light source apparatus comprising a stack of low pressure gas filled light emitting panels and backlight module
TWI418891B (zh) * 2007-03-02 2013-12-11 Ind Tech Res Inst 光源裝置與背光模組
KR100987385B1 (ko) * 2007-09-03 2010-10-12 금오공과대학교 산학협력단 나노 구조물 복합체 및 그의 제조 방법
US20100039014A1 (en) * 2008-08-14 2010-02-18 Seoul National University Research & Development Business Foundation (Snu R&Db Foundation) Electron multipliers
JP5112228B2 (ja) * 2008-09-04 2013-01-09 株式会社東芝 表示装置及び表示装置の駆動方法
TWI408718B (zh) * 2008-12-11 2013-09-11 Ind Tech Res Inst 平面光源
US9102524B2 (en) 2011-08-22 2015-08-11 The Johns Hopkins University High gain photo and electron multipliers and methods of manufacture thereof
CN103215543B (zh) * 2013-04-22 2015-01-07 兰州空间技术物理研究所 一种具有二次电子发射功能的膜系制备方法
CN104124123B (zh) * 2014-04-02 2016-08-17 西安交通大学 一种MgO/ZnO复合介质保护膜及其制备方法
CN114646689A (zh) * 2020-12-17 2022-06-21 清华大学 二次电子探头及二次电子探测器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1154048A (ja) * 1997-08-01 1999-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
WO2001031673A1 (en) * 1999-10-28 2001-05-03 Orion Electric Co., Ltd. Plasma display panel
KR20010039030A (ko) * 1999-10-28 2001-05-15 김영남 플라즈마 표시패널
KR20010039031A (ko) * 1999-10-28 2001-05-15 김영남 플라즈마 표시패널

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0681312B1 (en) * 1993-11-24 2003-02-26 TDK Corporation Cold-cathode electron source element and method for producing the same
CN1202271A (zh) * 1995-11-15 1998-12-16 纳幕尔杜邦公司 利用颗粒状场致发射材料制造场致发射阴极的方法
KR100365444B1 (ko) * 1996-09-18 2004-01-24 가부시끼가이샤 도시바 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치
US6130503A (en) * 1997-03-04 2000-10-10 Pioneer Electronic Corporation Electron emission device and display using the same
JP3740295B2 (ja) * 1997-10-30 2006-02-01 キヤノン株式会社 カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
US6232706B1 (en) * 1998-11-12 2001-05-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Self-oriented bundles of carbon nanotubes and method of making same
US6250984B1 (en) * 1999-01-25 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1154048A (ja) * 1997-08-01 1999-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
WO2001031673A1 (en) * 1999-10-28 2001-05-03 Orion Electric Co., Ltd. Plasma display panel
KR20010039030A (ko) * 1999-10-28 2001-05-15 김영남 플라즈마 표시패널
KR20010039031A (ko) * 1999-10-28 2001-05-15 김영남 플라즈마 표시패널

Also Published As

Publication number Publication date
DE60036451D1 (de) 2007-10-31
JP2001222944A (ja) 2001-08-17
US6346775B1 (en) 2002-02-12
DE60036451T2 (de) 2008-06-19
EP1122759A2 (en) 2001-08-08
JP4532718B2 (ja) 2010-08-25
EP1122759B1 (en) 2007-09-19
EP1122759A3 (en) 2005-02-02
KR20010077686A (ko) 2001-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100490527B1 (ko) 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트
KR20010083103A (ko) 교류 구동형 플라즈마 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100877736B1 (ko) 플라즈마 표시장치 및 그 제조방법
KR100522684B1 (ko) 카본 나노 튜브층을 포함하는 전자 증폭 물질층을구비하는 평면 표시 장치 및 그 제조 방법
EP1770748A1 (en) Flat display panel and its method of manufacture
KR20000023609A (ko) 표시장치
KR100496281B1 (ko) 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 마이크로 채널 플레이트및 이를 이용한 전계 방출 소자
KR20010077687A (ko) 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 전계 방출 소자
KR100696506B1 (ko) 평판 디스플레이 장치
KR100322606B1 (ko) 마이크로홀이 형성된 전극을 가지는 표시소자
EP1445787A2 (en) Plasma display panel
JP4102073B2 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
EP1840930B1 (en) Plasma display panel
KR100719561B1 (ko) 전자방출수단을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널
KR100400667B1 (ko) 가스 방전 표시장치
KR20020096015A (ko) 플라즈마 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100326531B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 소자
US20070080896A1 (en) Display device
US20080258603A1 (en) Color display device
KR100323980B1 (ko) 플라즈마 표시소자
KR100525890B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100394199B1 (ko) 양면 가스 방전 표시장치
KR100697015B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
KR20090075137A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
US20070228977A1 (en) Plasma display panel and plasma display apparatus including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120427

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee