KR100647305B1 - 광전소자 및 이를 이용한 램프 및 디스플레이패널 - Google Patents

광전소자 및 이를 이용한 램프 및 디스플레이패널 Download PDF

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Abstract

광증폭층을 가지는 광전계소자에 관해 기술된다. 광전계소자는, 상기 기판에 형성되는 것으로, 표면에 다수의 국부적 전계집중단부를 가지는 도전성 전계강화층; 상기 전계강화층 위에 형성되는 2차전자방출물질에 의한 전자증폭층; 그리고 상기 전자증폭층 위에 형성되는 광전물질층;을 구비한다. 이러한 광전계소자는 응용분야가 넓고 발광소자의 경우 낮은 전압에서 높은 휘도를 구현한다.
광방출, 전계방출, 복합, 광전계, 센서, 램프, 디스플레이

Description

광전소자 및 이를 이용한 램프 및 디스플레이패널{Photovoltallic device, lamp and display panel adopting the device}
도 1은 본 발명에 따른 광전자소자의 개략적 구성을 보이는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광센서 또는 램프로 응용될 수 있는 광전소자의 개략적 단면도를 보인다.
도 3은 본 발명에 따른 광전소자에서 CNT로 된 전계강화층을 확대해 보이는 SEM 이미지이다.
도 4는 도 3에 도시된 광전소자의 바이어스 전압별 광전류(photocurrent)의 변화를 보이는 그래프이다.
도 5는 실리콘 웨이퍼에 SWNT를 이용한 본 발명의 광전소자가 형성된 실제 제작 샘플의 SEM 이미지이다.
도 6은 도 5에 도시된 광전소자에서 광전물질층인 CsI의 두께 차이에 따른 광전류 변화를 보이는 그래프이다.
도 7은 본 발명에 따른 평판램프의 한 실시예의 구조를 개략적으로 보인다.
도 8a와 도8b는 본 발명에 따라 캐소드 장치가 CNT-MgO-CsI 의 적층 구조를 가지는 샘플(본 발명)과 MgO 가 없이 CNT-CsI 구조를 가지는 비교 샘플의 동일조건 하에서의 실제 발광상태를 보이는 사진이다.
도 9는 일반적인 X-Y 매트릭스 구조의 디스플레이 장치의 전극 배치 예를 보이는 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 한 화소를 발췌해 보인 평면도이다.
도 11은 도 10의 A-A' 선 단면도이다.
본 발명은 관전소자 및 이를 응용한 램프 및 디스플레이 패널에 관한 것으로 특히 광전효과에 의한 1차 전자 및 1차 전자를 이용한 2차 전자방출을 이용하는 광전자 방출키 및 이를 응용한 램프에 관한 것이다.
종래 광 캐소드는 단순히 UV에 의해 전자를 방출하는 성질이 있는 알칼리할라이드(alkali halide)물질을(그 중 CsI가 대표적이다) 단순히 이용함으로써, 미약한 전류를 발생한다. 이러한 미약한 전류를 증폭하기 위한 마이크로 채널 플레이트(MCP, PMT등)나 전기회로를 이용한 증폭기 등이 필요로 함으로써, 부가적인 기기의 사용이 필요하였다.(USP4,616,248)
이러한 광 캐소드의 과제는 광이용효율을 보다 높이고 그리고 전류 밀도를 보다 향상시키는 것이며, 나아가서는 보다 넓은 응용분야의 확대이다.
본 발명은 광이용효율이 높고 높은 전류밀도를 가지는 광전자소자 및 이를 응용한 램프 및 디스플레이 패널를 제공한다.
본 발명의 제1유형에 따르면,
기판;
기판에 형성되는 것으로 표면에 다수의 국부적 전계집중단부를 가지는 도전성 전계강화층;
상기 전계강화층 위에 형성되는 2차전자방출물질에 의한 전자증폭층; 그리고
상기 전자증폭층 위에 형성되는 광전물질층;을 구비하는 광전자 소자가 제공된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광전자소자는 상기 전계강화층으로서 CNT 층을 이용하며, 이 CNT 층은 기판에 수직으로 성장되거나 페이스트 상태로 도포된 후 소결된 CNT 번들을 포함한다.
상기 전계강화층에 특히 CNT 층에 바이어스를 인가하기 위하여 이 하부에 바이어스 전극층이 개재된다.
본 발명의 제2유형에 따르면,
소정 거리를 둔 제1전극과 제2전극;
상기 제2전극을 향하는 제1전극의 표면에 형성되는 것으로 다수의 국부적 전계집중단부를 가지는 도전성 전계강화층;
상기 전계강화층 위에 형성되는 2차전자방출물질에 의한 전자증폭층; 그리고
상기 전자증폭층 위에 형성되는 광전물질층;을 구비하는 광전자 소자가 제공 된다.
본 발명의 제3유형에 따르면,
소정 거리를 둔 제1전극과 제2전극;
상기 제2전극을 향하는 제1전극의 표면에 형성되는 것으로 다수의 국부적 전계집중단부를 가지는 도전성 전계강화층;
상기 전계강화층 위에 형성되는 2차전자방출물질에 의한 전자증폭층;
상기 전자증폭층 위에 형성되는 광전물질층; 그리고,
상기 제2전극 위에 형성되는 형광체층:을 구비하는 광전자 램프가 제공된다.
본 발명의 제4유형에 따르면,
소정간격을 둔 제1기판과 제2기판;
상기 제1기판의 내면에 형성된 제1전극 전극과;
상기 제1전극 위에 형성되는 것으로 상기 제1전극의 일부를 노출시키는 우물을 가지는 절연층과;
상기 우물의 바닥에 노출된 캐소드 전극 일부분 위에 형성되는 것으로서 다수의 국부적 전계집중단부를 가지는 도전성 전계강화층, 상기 전계강화층 위에 형성되는 2차전자방출물질에 의한 전자증폭층을 포함하는 전자방출층;
상기 절연층 위에 형성되는 것으로 상기 우물에 대응하는 게이트 홀을 가지는 게이트 전극;
상기 제1전극에 대응하게 제2기판의 내면에 형성되는 제2전극; 그리고
상기 제2기판의 제2전극 위에 형성되는 형광체층;을 구비하는 디스플레이 소자가 제공된다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 광전자 소자, 이를 응용하는 램프, 디스플레이 패널 등에 대해 설명한다. 이하의 실시예의 설명에서 전계강화층은 재료에 무관하게 도전체로서 전계의 집중이 가능하고 소정의 조건에서 전계방출이 가능한 물질로 된 적층을 의미한다.
1. 광 에미터
도 1은 광방출(photoemission) 및 전계방출(electric field emission)에 의한 복합 광전계에미터(photoelectric field emittor)의 구조를 설명하는 도면이다.
본 발명의 에미터는 먼저 국부적 전계집중단부, 즉 물리적으로 뾰족한 단부를 가짐으로서 소정 레벨에서 전계방출이 가능한 다수의 나노 팁, 나노 파티클 또는 CNT 등을 효율적인 전자 방출을 위한 전계강화층으로 이용하며, 이를 1차 전자공급원으로 이용한다. 전계방출원의 일례인 CNT의 위에 2차전자방출에 의해 1차전자를 증폭하는 전자증폭층이 마련되고 그 위에 광선에 의해 여기되어 전자를 방출하는 광전물질층이 형성되어 있다. 광선은 광전물질층의 위로 부터 입사하며, 전자는 광전물질층의 표면으로 부터 방출된다.
이러한 에미터는 각종 전자장치의 전자 소스로서 소위 캐소드로 응용될 수 있으며 한편 빛의 유무를 검출하는 광센서 등 다양한 분야에 응용될 수 있다.
위의 광에미터에서 상기 에미터를 지지하는 재료 즉 기판은 실리콘 기판이 바람직하며, 전계강화층은 도전성 SWNT(single wall nano tube) 또는 MWNT(multi wall nano tube)를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고 2차전자방출을 위한 전자증폭층은 전자증폭계수가 높은 물질 MgF2, CaF2, LiF, MgO, SiO2, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, La2O3 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질, 보다 바람직하게는 MgO 로 형성하는 것이 바람직하다. 한편 상기 광전물질층은 광에너지의 흡수에 의해 전자를 방출하는 기존의 물질 예를 들어 바람직하게 CsI 로 형성한다. 상기 광전물질로 사용되는 ScI 외에 UV 또는 가시광선에서 전자를 발생하는 어떠한 물질도 사용될 수 있다. 예들 들어, 상기 광전물질층은 Ba,Cs, K, Rb, Na, Mg, Ca 등의 알칼리 금속으로 이루어지는 그룹과 Pt, W, Cu, Au, Ag, Si, Ge 등의 금속 이루어지는 그룹들에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 산화물 또는 화합물로 형성된다. 구체적으로 상기 광전물질층은 BaO, Ag-O-Cs, Bi-Ag-O-Cs, K-Cs-Sb, Na-K-Sb, Cs-Na-K-Sb, Li3Sb, Cs2Te, Cs3Sb, LiF, Na2KSb:Cs, GaN, InP, HgTe, CdS, CdSe, PbS, PbTe, InAs, KBr, CsBr, CsI으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것이 바람직하다.
2. 광전자 소자
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광센서 또는 램프로 응용될 수 있는 광전소 자의 개략적 단면도를 보인다.
제1기판(배면판, 10)과 제2기판(전면판, 20)이 소정간격을 두고 형성되고 이들의 각 내면에 제1전극(캐소드 전극, 11) 및 제2전극(애노드 전극, 21)이 형성되어 있다.
제1전극(11) 위에는 먼저 국부적 전계집중단부, 즉 물리적으로 뾰족한 단부를 다수 가지는 전계강화층(12)이 형성되어 있다. 이러한 전계강화층(12)의 재료로는 전계방출소자에 흔히 사용되는 나노 팁이나 나노 파티클, CNT 등을 사용할 수 있다.
도 2에서는 상기 본 발명의 한 실시예로서 상기 전계강화층(12)이 CNT로 형성된 것으로 표현되었다. CNT에 의한 전계강화층(12)은 촉매를 이용한 성장 또는 유기바인더에 CNT 분말이 분포된 페이스트의 프린팅에 의해 얻을 수 있다.
본 발명에서는 상기 CNT를 일반적인 FED에서와 같은 주된 전자 소스(main electron source)로 사용하지 않고, 2차 전자 발생을 위한 1차 전자 발생원으로 이용한다. 즉, 상기 전계강화층(12) 위에는 MgO 와 같은 2차 전자방출이 가능한 전자증폭층(13)을 형성하여 제1전자로 부터 초기 전자를 얻고 이를 2차전자방출층(13)에 공급함으로서 다량의 전자를 얻는 전자증폭이 이루어지게 한다. 이러한 전자증폭에 더하여 전자증폭층(13) 위에 UV, DUV 등의 여기광에 의해 전자를 방출하는 광전물질층(14)이 형성된다.
도 3은 CNT로 된 전계강화층(12) 위에 MgO(사진의 중간의 상부에서 상대적으로 밝은 부분) 및 CsI( 사진의 상부 쪽의 어두운 부분)이 형성된 샘플의 SEM 이미지이다.
한편, 제2기판(20)의 내면에 상기 제1전극(11)과 짝을 이루는 제2전극(21)이 형성되어 이들 양자에 소정 전위의 전압이 인가된다. 상기 광전물질층(14)을 자극하기 위한 UV는 기판에 나란한 방향 또는 제2기판(20)을 통해 진행한다.
이러한 구조의 소자는 광센서로서 이용할 수 있다. 즉, 제1전극(11)과 제2전극(21)에 소정의 전압을 인가한 상태에서 상기 제1, 제2기판 사이로 UV 등의 여기광을 입사시키면 제1, 제2전극(11,12)의 사이에는 전류의 유동 또는 변화가 일어난다. 상기 바이어스 전압은 여기광이 없을 때 전류의 흐름이 일어나지 않는 정도의 전위를 유지시킴으로써 입사광이 없을 때 전류가 검출되지 않고, 이러한 상태에서 여기광이 입사하면 전류가 검출되고 입사광의 강도에 따라 전류량이 변화된다.
도 4는 도 3과 함께 설명된 광전소자의 바이어스 전압별 광전류(photo current)의 변화를 보이는 그래프이다. 제1, 제2전극 간의 간격은 약 6mm 로 설정하고 이때에 여기광은 147nm 의 DUV이다. 도 4의 결과는 본 발명의 실시예에 따라 기판으로서 실리콘을 이용하고 전계강화층(12)으로 MWNT를 이용하고 그리고 전자증폭물질은 MgO를, 그리고 광전물질은 CsI를 이용한 샘플과 단순히 실리콘 기판에 CsI 물질만 있는 샘플에 대한 것이다.
도 4를 통해서 알 수 있는 광전물질 만이 있는 샘플의 경우 바이어스 전압의 변화 전류의 유동이 매우 미약하고 그리고 그 변화가 매우 약함을 알 수 있다. 그러나 본 발명의 샘플은 바이어스 전압의 변동에 매우 큰 전류변화를 보인다.
도 5는 실리콘 웨이퍼에 SWNT를 이용한 본 발명의 광전소자가 형성된 실제 제작 샘플의 SEM 이미지이다. 도 6은 이러한 샘플에 있어서, 광전물질층인 CsI의 두께 차이에 따른 광전류 변화를 보이는 그래프이다.
여기에서 MgO의 두께는 200nm, 이며 CsI의 두께는 실시예별로 10,30,40,60,80 nm로 설정하였다. 도 4를 통해 알 수 있듯이 가장 두꺼운 80nm와 가장 얇은 10nm 의 CsI 층을 가지는 경우 결과가 비슷하며 바이어스 전압변화에 크게 변동이 없음을 알 수 있다. 이것은 CsI는 적정한 범위 내의 값을 가질 때 효과적인 광전류의 변화를 얻을 수 있음을 나타낸다. 30nm 두께의 CsI를 가지는 샘플의 경우는 100볼트 전후에서 너무 극단적인 변화를 보이는데 이와 같은 샘플의 경우는 광량 변화에 선형적인 전류 변화를 보이는 센서보다는 단순히 광 유무에 온-오프 동작하는 광 스위치용 센서로 적당하다. 그리고 40nm 및 50nm 의 CsI층을 가지는 샘플은 비교적 완만하고 직선적인 변화를 보이며, 따라서 이러한 샘플은 광량 측정용 센서로 적당하다.
3. 평판 램프
도 7은 본 발명에 따른 평판 램프의 한 실시예를 도시한다.
도시된 바와 같이 제1기판(10)과 제2기판(20)이 소정 간격을 유지하고 이 사이는 진공화된다. 제1기판(10)과 제2기판(20) 사이의 공간은 일반적인 진공관에서와 같이 저압(흔히 진공)을 유지하며 이를 위해 별도의 실링부재(미도시)에 의해 밀폐된다. 진공공간의 일측에는 광원(light source)이 마련되며, 이것을 예를 들어 172nm 또는 147nm 의 DUV를 방출하는 엑시머 램프이다.
제1기판(10)의 내면에 캐소드 전극으로서의 제1전극(11)이 형성되고 제2기판의 내면에 애노드 전극으로서의 제2전극(21)이 형성되어 있다.
제2전극(21)의 내면에는 가속된 전자에 의해 여기됨으로써 가시광선(Visible Light)을 방출하는 형광체층(phosphor layer)이 형성되어 있다. 전자의 가속은 제1전극(11)과 제2전극(21)에 인가되는 전위차에 의해 이루어진다. 이를 위해 제1전극(11)과 제2전극(21)은 전력공급원(30)에 연결된다.
다량의 전자를 생성하는 캐소드 장치는 상기 제1전극(11) 위에 형성되는 1차 전자소스 또는 전계강화층(12)으로서 CNT, CNT(12) 부터의 전자를 증폭하는 전자증폭층(13)으로서의 MgO, 자외선에 의해 전자를 방출하는 광전물질로서의 CsI 층을 갖춘다. 상기 캐소드 장치를 구성하는 요소의 재료는 전술한 바와 같이 당 분야에서 알려진 범위 내에서 선택될 수 있다.
도 8a와 도8b는 본 발명에 따라 캐소드 장치가 CNT-MgO-CsI 의 적층 구조를 가지는 샘플(본 발명)과 MgO가 없이 CNT-CsI 구조를 가지는 비교 샘플의 동일조건 하에서의 실제 발광상태를 보이는 사진이다.
도 8a와 도 8b를 단순히 비교함으로서도 알수 있듯이 도 8a의 램프가 도 8b의 램프에 비해 매우 밝은 빛을 냄을 알수 있다. 이들 두 샘플의 차이는 전술한 바와 같이 전자증폭층이 유무로서 전자증폭층으로서 MgO 가 있는 본 발명에 따른 샘플(도 8a)이 그렇지 않은 비교 샘플에 비해 매우 강한 가시광선을 발생한다.
램프의 경우는 전술한 바와 같이 광 센서와 달리 보다 강한 전류가 요구되므로 제1전극과 제2전극 사이의 전압은 여기광이 없는 상태에서도 전계방출이 가능하 도록 높게 설정될 수 있다.
이러한 램프는 다양한 분야에 응용될 수 있을 것이다. 예를 들어 고휘도의 가시광이 요구되는 백라이트, 또는 좀 더 구조 개조를 통한 일반적인 디스플레이 장치 등이 그 응용례가 될 것이다.
4. 디스플레이 장치
전술한 바와 같은 가시광선 발생구조를 응용하면 평판형 디스플레이 장치를 구상할 수 있다.
기본적으로 평판형 디스플레이는 도 9에 개략적으로 도시한 바와 같이 다수의 횡전극(row electrode)과 종전극(column)이 x-y 매트릭스 상으로 배치되고 전극의 각 교차부에 단위 화소가 형성된다. 잘 알려진 바와 같이 각 화소는 모노 디스플레이 경우 하나의 단위 화소를 포함하고 천연색을 모사하는 컬러 디스플레이 경우는 RGB 색상을 개별적 구현하는 단위 색상 화소가 3개씩 모여 하나의 칼러 화소를 이룬다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는 전술한 바와 같은 개념의 본 발명에 따른 램프의 구조를 기존의 전계방출디스플레이에 유기적으로 접목 시킴으로써 얻을 수 있다.
전계방출디스플레이의 경우 상기 횡전극은 일반적으로 게이트 전극에 해당하며, 종전극은 캐소드 전극에 해당한다.
도 10은 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 한 화소를 발췌해 보인 평면도이 다. 하부에 캐소드 전극(41)이 배치되고 그 위에 게이트 전극(43)이 교차하는 방향으로 배치된다. 게이트 전극(43)에는 다수의 게이트 홀(43a)이 형성되어 있고, 각 게이트 홀(43a)의 안쪽에 광전계방출원(photoelectrice field emitting soruce, E)가 배치되어 있다. 평면상으로 볼때는 기존의 전계방출디스플레이와 유사하다.
도 11은 도 10의 A-A 선 단면도이다. 도 11을 참조하면, 기판(40) 위에 캐소드 전극(41)이 형성되고 있고 그 위에 우물(42a)이 형성된 게이트 절연층(42)이 형성되고 이 위에 게이트 홀(43a)을 갖는 게이트 전극(43)이 형성된다. 상기 게이트 홀(43a)의 하부 즉 게이트 절연층(42)의 우물(42a)의 바닥으로 상기 캐소드 전극(41)이 노출되고 이 위에 CNT, MgO 및 CsI 적층에 의한 광전계방출원(E)이 형성된다.
여기에서 CsI 등과 같은 광전물질층을 자극하기 위한 DUV등의 광은 기판(40)에 나란한 방향, 기판의 배면 등에서 공급될 수 있다.
한편, 상기 기판의 전방에는 별개의 기판이 마련된다. 이것은 흔히 전면판이라 칭하며 여기에 상기 캐소드 전극에 대응하는 애노드 전극 및 형광체층이 형성된다. 형광체층은 상기 UV 또는 DUV에 발광되지 않고 전자빔에 의해 여기되는 것이 필요하면 이는 알려진 물질중에서 선택된다.
상기한 바와 같이 본 발명은 기본적으로 국부적 전계집중단부, 즉 물리적으로 뾰족한 단부를 가지는 전계강화층, 전계강화층으로 부터 발생된 1차를 증폭하는 전자증폭층, 그리고 광선에 의해 여기되어 전자를 방출하는 광전물질층을 가지는 광전계방출원 및 이를 응용함으로써 광센서, 램프, 디스플레이 등 다양한 형태의 응용 범위를 가진다.
램프 및 디스플레이의 경우는 전자증폭층에 의한 전자증폭에 의해 하는 것으로서, 낮은 전압, 저전류 하에서도 고휘도의 가시광을 얻을 수 있다.
이러한 본 발명은 다양한 파장의 빛의 적용하는 것이 가능하며 광센서, 평면광원, 태양전지, 디스플레이 등에 적용될 수 있다.
이러한 본원 발명의 이해를 돕기 위하여 몇몇의 모범적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었으나, 이러한 실시예들은 단지 넓은 발명을 예시하고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 구조와 배열에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 이는 다양한 다른 수정이 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.

Claims (27)

  1. 기판;
    상기 기판에 형성되는 것으로, 표면에 다수의 국부적 전계집중단부를 가지는 도전성 전계강화층;
    상기 전계강화층 위에 형성되는 2차전자방출물질에 의한 전자증폭층; 그리고
    상기 전자증폭층 위에 형성되는 광전물질층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전계강화층은 나노 팁, 나노 파티클, CNT 중 어느 하나로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전자증폭층은 MgF2, CaF2, LiF, MgO, SiO2, Al2O 3, ZnO, CaO, SrO, La2O3 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 광전물질층은 Ba,Cs, K, Rb, Na, Mg, Ca 등의 알칼리 금속으로 이루어지는 그룹과 Pt, W, Cu, Au, Ag, Si, Ge 등의 금속 이루어지는 그룹 들에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 산화물 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 광전물질층은 BaO, Ag-O-Cs, Bi-Ag-O-Cs, K-Cs-Sb, Na-K-Sb, Cs-Na-K-Sb, Li3Sb, Cs2Te, Cs3Sb, LiF, Na2KSb:Cs, GaN, InP, HgTe, CdS, CdSe, PbS, PbTe, InAs, KBr, CsBr, CsI 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 광전물질층은 BaO, Ag-O-Cs, Bi-Ag-O-Cs, K-Cs-Sb, Na-K-Sb, Cs-Na-K-Sb, Li3Sb, Cs2Te, Cs3Sb, LiF, Na2KSb:Cs, GaN, InP, HgTe, CdS, CdSe, PbS, PbTe, InAs, KBr, CsBr, CsI 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전계강화층은 CNT, 전자증폭은 MgO 그리고 광전물질층은 CsI로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전계강화층의 하부에 전극이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  9. 소정 거리를 둔 제1전극과 제2전극;
    상기 제2전극을 향하는 제1전극의 표면에 형성되는 것으로 다수의 국부적 전계집중단부를 가지는 도전성 전계강화층;
    상기 전계강화층 위에 형성되는 2차전자방출물질에 의한 전자증폭층; 그리고
    상기 전자증폭층 위에 형성되는 광전물질층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 전계강화층은 나노 팁, 나노 파티클, CNT 중 어느 하나로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 전자증폭층은 MgF2, CaF2, LiF, MgO, SiO2, Al2O 3, ZnO, CaO, SrO, La2O3 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징 으로 하는 광전계소자.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 광전물질층은 Ba,Cs, K, Rb, Na, Mg, Ca 등의 알칼리 금속으로 이루어지는 그룹과 Pt, W, Cu, Au, Ag, Si, Ge 등의 금속 이루어지는 그룹 들에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 산화물 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 광전물질층은 BaO, Ag-O-Cs, Bi-Ag-O-Cs, K-Cs-Sb, Na-K-Sb, Cs-Na-K-Sb, Li3Sb, Cs2Te, Cs3Sb, LiF, Na2KSb:Cs, GaN, InP, HgTe, CdS, CdSe, PbS, PbTe, InAs, KBr, CsBr, CsI 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 광전물질층은 BaO, Ag-O-Cs, Bi-Ag-O-Cs, K-Cs-Sb, Na-K-Sb, Cs-Na-K-Sb, Li3Sb, Cs2Te, Cs3Sb, LiF, Na2KSb:Cs, GaN, InP, HgTe, CdS, CdSe, PbS, PbTe, InAs, KBr, CsBr, CsI 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 전계강화층은 CNT, 전자증폭은 MgO 그리고 광전물질층은 CsI로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  16. 소정 거리를 둔 제1전극과 제2전극;
    상기 제2전극을 향하는 제1전극의 표면에 형성되는 것으로 다수의 국부적 전계집중단부를 가지는 도전성 전계강화층;
    상기 전계강화층 위에 형성되는 2차전자방출물질에 의한 전자증폭층;
    상기 전자증폭층 위에 형성되는 광전물질층; 그리고,
    상기 제2전극 위에 형성되는 형광체층:을 구비하는 광전계 램프.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 전계강화층은 나노 팁, 나노 파티클, CNT 중 어느 하나로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  18. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
    상기 전자증폭층은 MgF2, CaF2, LiF, MgO, SiO2, Al2O 3, ZnO, CaO, SrO, La2O3 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징 으로 하는 광전계소자.
  19. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
    상기 광전물질층은 Ba,Cs, K, Rb, Na, Mg, Ca 등의 알칼리 금속으로 이루어지는 그룹과 Pt, W, Cu, Au, Ag, Si, Ge 등의 금속 이루어지는 그룹 들에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 산화물 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 광전물질층은 Ba,Cs, K, Rb, Na, Mg, Ca 등의 알칼리 금속으로 이루어지는 그룹과 Pt, W, Cu, Au, Ag, Si, Ge 등의 금속 이루어지는 그룹 들에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 산화물 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 전계강화층은 CNT, 전자증폭은 MgO 그리고 광전물질층은 CsI로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
  22. 기판과;
    상기 기판 위에 캐소드 전극과;
    상기 캐소드 전극 위에 형성되는 것으로 상기 전극의 일부를 노출시키는 우물을 가지는 게이트 절연층과;
    상기 우물의 바닥에 노출된 캐소드 전극 일부분 위에 형성되는 것으로서 다수의 국부적 전계집중단부를 가지는 도전성 전계강화층, 상기 전계강화층 위에 형성되는 2차전자방출물질에 의한 전자증폭층을 포함하는 광전계방출층; 그리고
    상기 절연층 위에 형성되는 것으로 상기 우물에 대응하는 게이트 홀을 가지는 게이트 전극;를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 전계강화층은 나노 팁, 나노 파티클, CNT 중 어느 하나로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 디스플레이소자.
  24. 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
    상기 전자증폭층은 MgF2, CaF2, LiF, MgO, SiO2, Al2O 3, ZnO, CaO, SrO, La2O3 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이소자.
  25. 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,
    상기 광전물질층은 상기 광전물질층은 Ba,Cs, K, Rb, Na, Mg, Ca 등의 알칼 리 금속으로 이루어지는 그룹과 Pt, W, Cu, Au, Ag, Si, Ge 등의 금속 이루어지는 그룹 들에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 산화물 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이소자.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 광전물질층은 상기 광전물질층은 Ba,Cs, K, Rb, Na, Mg, Ca 등의 알칼리 금속으로 이루어지는 그룹과 Pt, W, Cu, Au, Ag, Si, Ge 등의 금속 이루어지는 그룹 들에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 산화물 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이소자.
  27. 제 20 항에 있어서,
    상기 전계강화층은 CNT, 전자증폭은 MgO 그리고 광전물질층은 CsI로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전계소자.
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