CN1949434A - 使用电子发射的发光器件和使用该器件的平板显示装置 - Google Patents

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Abstract

所提供的是具有低驱动电压和高发光效率的一种使用电子发射的发光器件，以及使用该发光器件的平板显示装置。此外，提供了一种使用电子发射的发光器件，在该器件中可以重复和可靠地形成纳米大小的间隙。该发光器件包括：多个PN结，每一个PN结包括具有预定厚度的耗尽层；面对耗尽层和与该耗尽层隔开预定距离的阳极；以及形成在阳极表面上的磷光体层。平板显示装置包括该发光设备。

Description

使用电子发射的发光器件和使用该器件的平板显示装置
有关专利申请的交叉参者
本申请要求在2005年10月11日于韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2005-0095487的权益，并在此引述供参考。
技术领域
本发明各实施例涉及使用电子发射的发光器件器件以及使用该发光器件器件的平板显示装置，尤其涉及使用具有低驱动电压和高发光效率的电子发射的发光器件器件，以及使用该发光器件器件的平板显示装置。
背景技术
作为平板显示装置的等离子体显示屏(PDP)使用放电来形成图像。由于DPD诸如高亮度和大视角等出众的显示特性而被广泛地使用。可以根据电极的配置，把PDP分类成饰面放电型(facing discharge type)或表面放电型。在饰面放电型PDP所具有的结构中，分别在上衬底和下衬底上形成一对维持电极，并且放电是垂直于衬底而发生的。在表面放电型PDP所具有的结构中，在同一衬底上形成一对维持电极，并且放电是平行于衬底而发生的。在PDP中，在电极之间施加AC(交流)或DC(直流)电压而引起气体放电，并且从由气体放电产生的紫外(UV)线所激励的磷光体材料来发射可见光。
在如上构造的传统PDP中，当使包含Xe(氙)的放电气体电离然后使其结束(drop)受激状态从而发射UV线时，发生等离子体放电。然而，传统的PDP和通过等离子体放电操作的平板灯需要足够高的能量来使放电气体电离，因此，具有高的驱动电压和低的发光效率。
通常，应用电子发射的发光器件使用热阴极或冷阴极作为电子发射源。使用冷阴极作为电子发射源的发光器件包括场发射器阵列(FEA)型器件、表面导电发射器(SCE)型器件、金属绝缘体金属(MIM)型器件、金属绝缘体半导体(MIS)型器件、冲击(ballistic)电子表面发射(BSC)型器件，等等。
使用电子发射的SCE型发光器件是自身发光显示器，诸如场发射器件(FED)、阴极射线管(CRT)以及PDP。SCE型发光器件的等级率(gradation rate)要比PDP的等级率高。因此，SCE型发光器件可以提供自然色彩显示。此外，SCE型发光器件具有快的响应时间(这是液晶显示器(LCD)的缺点之一)，并且不会产生余象，甚至当存在快速运动时，例如，在体育节目中。同样，甚至当实施作为大于40英寸的大屏幕时，SCE型发光器件还是比CRT薄。此外，由于SCE型发光器件一般功耗低，所以作为下一代显示器，它们正受到许多关注。
图1是如由Banno、Yoshikazu等人在美国专利公开2002-0028285中所揭示的、使用电子发射的传统SCE型发光器件的示意性横截面图。图2是图1中部分II的放大的示图。
参考图1，使用电子发射的传统SCE型发光器件包括第一板10和第二板20。第一板包括透明的第一衬底11、形成在第一衬底11表面上的磷光体层12、覆盖磷光体层12表面的保护层以及集成在磷光体层12内的阳极(未示出)。第二板20包括第二衬底21、相互对立的阴极23和栅极22以及插在阴极23和栅极22之间的电子发射源24。
参考图1和图2，当把负电压施加于阴极23而把正电压施加于栅极22时，在电子发射源24各部分之间的区域中发射电子，发射的方向是从阴极23到栅极22。所发射的电子由于电场的缘故而朝向阳极行进，而电场是由施加于阳极以及与同阳极集成在一起的磷光体层12相碰撞从而产生UV线的高、正电压而产生的。
具有如上所述结构的传统发光器件在阴极23和栅极22之间具有纳米大小的间隙，由于电子的隧道效应，通过该间隙发射电子。纳米大小的间隙是薄膜中的一个裂纹，它是在向薄膜提供电流以后产生的。然而，形成纳米大小的间隙的传统方法在可重复性和/或可靠性方面有些问题。因此，需要一种新的发光器件其结构可以容易地形成纳米大小的间隙。此外，需要一种使用电子发射的发光器件，这种发光器件能够在低驱动电压时使其亮度最大并且因此实现比传统发光器件更高的发光效率。
发明内容
根据本发明各实施例的一个方面，提供了一种使用电子发射的发光器件，该器件包括：多个PN结，每一个PN结都包含具有预定厚度的耗尽层；面对耗尽层并与耗尽层隔开预定距离的阳极；以及形成在阳极表面上的磷光体层。
该器件还包括：支撑阳极和磷光体层的衬底；以及保持PN结和衬底之间的间隙的隔片。
另一方面，该器件还包括：在其上形成有PN结的第一衬底；支撑阳极和磷光体层的第二衬底；以及保持第一衬底和第二衬底之间的间隙的隔片。
根据本发明各实施例的另一个方面，提供了一种使用电子发射的发光器件，该器件包括完全掺杂p-型杂质的单晶衬底；通过把n-型杂质扩散到单晶衬底的表面内而在单晶衬底中形成的多个PN结；与单晶衬底相对立的阳极；以及形成在阳极表面上的磷光体层。
可以使阳极和PN结之间的空间保持在真空中，并且可以通过加速电子来激励磷光体层并产生可见光。这样，可以用阴极发光(CL)-型磷光体来形成磷光体层，所述阴极发光(CL)-型磷光体包括从包含‘SrTiO3:Pr’、‘Y2O3:Eu’或‘Y2O3S:Eu’的一组材料中选择出来的红色磷光体、从包含‘Zn(Ga，Al)2O4:Mn’、‘Y3(Al，Ga)5O12:Tb’、‘Y2SiO5:Tb’或‘ZnS:Cu，AI’的一组材料中选择出来的绿色磷光体和从包含‘Y2SiO5:Ce’、‘ZnGa2O4’或‘ZnS:Ag，CI.’的一组材料中选择出来的蓝色磷光体。
也可以用激发气体来填充阳极和PN结之间的空间，可以通过被加速的电子来激励激发气体，而磷光体层可以通过从激发气体发射的紫外(UV)线来激励并且可以产生可见光。这样，可以用从包含Xe、N2、D2、CO2、H2、CO、Kr和空气的一组气体中选择出来的至少一种或多种气体来形成激发气体。可以用光致发光(PL)型磷光体来形成磷光体层，该光致发光(PL)型磷光体包括Y(V，P)O4:Eu+3、从包含Zn2SiO4:Mn和YBO3:Tb和BaMgAl10O17:Eu的一组材料中选择出来的绿色磷光体。
耗尽层的厚度可以从1nm到约100nm。
根据本发明各实施例的另一个方面，提供了一种平板显示装置，它包括：使用电子发射的发光器件，该器件包括：多个PN结，每一个PN结都包括具有预定厚度的耗尽层；面对耗尽层并与耗尽层隔开预定距离的阳极；以及形成在阳极表面上的磷光体层；以及显示屏，该显示屏包括安装在阳极前面和通过控制从发光器件提供的光的发射而实现图像的非发射器件。
根据本发明各实施例的另一个方面，提供了一种平板显示装置，它包括：使用电子发射的发光器件，该器件包括完全掺杂p-型杂质的单晶衬底；通过把n-型杂质扩散到单晶衬底的表面内而在单晶衬底中形成的多个PN结；与单晶衬底相对立的阳极；以及形成在阳极表面上的磷光体层；以及显示屏，该显示屏包括安装在阳极前面并通过控制从发光器件提供的光的发射而实现图像的非发射器件。非发射器件可以是液晶器件。
附图说明
通过参考附图对本发明的示例实施例进行的详细描述，本发明各实施例的上述和其它特征以及优点将变得显而易见，其中：
图1是使用电子发射的传统表面导电发射器(SCE)型发光器件的横截面图；
图2是图1中II部分的放大的示图；
图3是根据第一种实施例的使用电子发射的发光器件的示意横截面图；
图4是曲线图，说明在图3所示发光器件中使用的PN结的电流特性；
图5是根据第二种实施例的使用电子发射的发光器件的示意性横截面图；
图6是根据第三种实施例的使用电子发射的发光器件的示意性横截面图；
图7是根据一种实施例的平板显示装置的透视图，该装置包括有使用电子发射的发光器件；以及
图8是沿图7所示VIII-VIII线截取的横截面图。
具体实施方式
本发明各实施例提供了一种具有低驱动电压和高发光效率的、使用电子发射的发光器件，以及使用该发光器件的平板显示装置。
本发明各实施例还提供了一种具有可以重复形成并具有可靠性的纳米大小间隙的、使用电子发射的发光器件。
图3是根据第一种实施例的使用电子发射的发光器件30的示意性横截面图。图4是曲线图，说明在图3所示的发光器件30中使用的PN结31的电流特性。
参考图3，发光器件30包括PN结31、阳极12以及磷光体层13。
在p-型半导体和n-型半导体结合的区域中，PN结31包括具有预定厚度的耗尽层34。阳极12面对耗尽层34，并且与耗尽层34隔开预定距离。磷光体层13附在阳极12的表面上。耗尽层34的厚度为约1nm到约100nm。
发光器件30还包括衬底11，在该衬底上顺序地形成有阳极12和磷光体层13。PN结31和衬底11相互面对，在它们之间有空间35。在PN结31和衬底11之间可以形成多个隔片(spacer]36以保持它们之间的空间35。
如图3所示，当施加反向偏置电压时，由于PN结31的电流特性，在反方向上流过极小的电流，如在图4所示的曲线图所示。具体说来，如果电压范围局限于图4中虚线所表示的区域，则反向偏置电压不会达到击穿电压。因此，虽然电场是形成在耗尽层34中的，但电流也不会流动。在该状态下，如果把较高的正电压施加于阳极12，则电子由于电子隧道效应而从n-型半导体发射到p-型半导体。然后，电子向阳极12加速。
发光器件30可以产生可见光如下。
发光器件30可以按与传统场发射器件(FED)相似方式进行操作。换言之，如在图3中所示，把负电压施加于p-型半导体，并且把正电压施加于n-型半导体。然后，由于电子隧道效应，从p-型半导体和n-型半导体之间的纳米大小的耗尽层34发射电子。此时，把比施加于n-型半导体的正电压更高的正电压施加于阳极12，以使所发射的电子向阳极12行进。向阳极12行进的电子由施加于阳极12的高的正电压而加速，并激励覆盖阳极12的磷光体层13，从而产生可见光。
为了以这种方式产生可见光，由阴极发光(CL)型磷光体来形成磷光体层13，这种阴极发光(CL)型磷光体可以是诸如‘SrTiO3:Pr，’、‘Y2O3:Eu’或‘Y2O3S:Eu，’的红色磷光体、诸如‘Zn(Ga，Al)2O4:Mn，’、‘Y3(Al，Ga)5O12:Tb，’、‘Y2SiO5:Tb’或‘ZnS:Cu，AI’的绿色磷光体，或诸如‘Y2SiO5:Ce，’、‘ZnGa2O4’或‘ZnS:Ag，CI.’的蓝色色磷光体。适当的色彩配置使得可以形成像素以及实现图像。
同样，使在PN结31和衬底11之间形成的空间35保持高真空，具有约10-7乇或更小的压力。
发光器件30可以使用另一个方法来产生可见光。即，根据另一种实施例，用激发气体来填充PN结31和衬底11之间的空间35。从耗尽层34发射并通过阳极12加速的电子激励激发气体，结果产生紫外(UV)线。然后，UV线激励磷光体层13以产生可见光。
为了以这种方式产生可见光，用光致发光(PL)型磷光体来形成磷光体层，该光致发光(PL)型磷光体可以包括诸如Y(V，P)O4:Eu+3的红色磷光体、诸如Zn2SiO4:Mn和YBO3:Tb的绿色磷光体以及诸如BaMgAl10O17:Eu的蓝色磷光体。
为了通过电子激励并因此产生UV线，可以用从Xe、N2，、D2、CO2、H2、CO、Kr和空气中选择出来的至少一种或多种气体来形成激发气体。
图5是根据第二种实施例的使用电子发射的发光器件130的示意性横截面图。
参考图5，发光器件130包括多个PN结131、阳极12和磷光体层13。发光器件130还可以包括在其上形成有PN结131的第一衬底37、在其上顺序地形成有阳极12和磷光体层13的第二衬底11以及在第一衬底37和第二衬底11之间保持间距35的多个隔片(未示出)。可以用玻璃料来密封第一衬底37和第二衬底11。发光器件130也可以使用上述两种方法来产生可见光。
图6是根据第三种实施例的使用电子发射的发光器件230的示意横截面图。
参考图6，发光器件230包括单晶衬底231、阳极12和磷光体层13。整个单晶衬底231都掺杂有p-型杂质，并在单晶衬底231的表面上形成多个PN结。每个PN结包括具有预定厚度的耗尽层234，并且通过把n-型杂质232扩散到单晶衬底的表面内来形成耗尽层234。阳极12与单晶衬底231相对立，并且磷光体层13附在阳极12的表面上。发光器件230还可以包括在其上顺序地形成有阳极12和磷光体层13的前衬底11，耗尽层234的厚度可以从约1nm到约100nm。由于把n-型杂质232扩散到单晶衬体231的表面中，耗尽层234是向前衬底11暴露的。电子从耗尽层234发射并朝向阳极12行进。如上所述，这些电子使可见光得以产生。
根据第三种实施例，由前衬底11和单晶衬体231限定发光空间35。在本实施例中，可以使用多个隔片(未示出)，并且可以用玻璃料(未示出)来密封前衬底11和单晶衬体231。
上述发光器件30、130和230可以用作预定大小的表面光源。具体说来，发光器件30、130和230可以用作背光单元(BLU)，即，液晶显示器(LCD)的表面光源。
图7是根据一种实施例的平板显示装置的透视图，该平板显示装置包括作为BLU的、使用电子发射的发光器件。图8是沿图7中VIII-VIII线截取的横截面图。使用相同的名称来表示图7和8中示出的平板显示装置的元件，这些元件对应于上述元件，如第一衬底、第二衬底以及隔片。然而，使用了不同的标号。参考标号，可以清楚地区分将作为例子描述的、包括在LCD屏700中的元件。
参考图7，平板显示装置包括作为光接收/产生显示屏的LCD屏700以及把光提供给LCD屏700的BLU。发送图像信号的柔性印刷电路板(FPCB)720连接在LCD 700上，而在LCD屏700的背面放置保持LCD屏700和BLU之间的间隙的隔片730。
BLU是上述发光器件130，并且通过连接电缆104向其提供电源。BLU通过放置在发光器件130的前表面上的第二衬底11发射可见光V，从而可以把所发射的可见光V提供给LCD屏700。
现在参考图8详细描述LCD屏700的配置和操作。
图8中示出的发光器件130与图5中示出的发光器件130可以相同，也可以不同。换言之，图8中的发光器件130可以包括相互隔开预定高度并在其之间形成预定空间35的第一衬底37和第二衬底11。由于第一、第二衬底37和11和安装在其上的元件的配置可以与根据第二种实施例的发光器件130的元件配置相同，所以不再重复其详细说明。在根据第二种实施例的发光器件130中，由于在n-型半导体、p-型半导体和阳极12之间形成的电场，而从耗尽层34发射电子。当所发射的电子与磷光体层13碰撞时，就产生可见光V。所产生的可见光V向放置在发光器件130前面的LCD屏700行进。
LCD屏700包括第一衬底505。在第一衬底505上形成缓冲层510，并且在缓冲层510上按预定图案形成半导体层580。在半导体层580上形成第一绝缘层520，在第一绝缘层520上按预定图案形成栅极590，以及在栅极590上形成第二绝缘层530。在形成第二绝缘层530之后，通过诸如干蚀刻处理之类的蚀刻处理对第一、第二绝缘层520和530进行蚀刻，从而使一部分半导体层580暴露。在上面形成源极570和漏极610，并且将其向下延伸到半导体层580的暴露部分。在形成源极570和漏极610之后，形成第三绝缘层540，并且在第三绝缘层540上形成平面化层550。对第三绝缘层540和一部分平面化层550进行蚀刻，并且按预定图案在平面化层550上形成第一电极620，从而漏极610和第一电极620相互接触。制造与第一衬底505隔开的透明的第二衬底680，并在第二衬底680的底面680a上形成滤色层670。在滤色层670的底面670a上形成第二电极660，并且在相互面对的第一、第二电极620和660的表面上分别形成用于调整液晶层640中的液晶分子的第一调整层630和第二调整层650。在第一衬底505的底面上形成第一偏振层500，并且在在第二衬底680的顶面680b上形成第二偏振层690。在第二偏振层690的顶面690a上形成保护膜695。限定液晶层640的隔片560介于滤色层670和平面化层550之间。
通过受栅极590、源极570和漏极610控制的外部信号，在第一电极620和第二电极660之间产生电位差。该电位差决定液晶层640的调整以及根据液晶层640的调整而阻挡或发射提供给BLU 130的可见光V。当已经通过液晶层640发射的可见光V通过滤色层670时，它变成彩色的，从而形成图像。
在图8中示出LCD屏700作为例子。然而，用在平板显示装置中的显示屏不局限于此。可以在平板显示装置中使用不同的非发射显示屏。
由于BLU的亮度和寿命的增加，包括使用电子发射的发光器件作为BLU的平板显示装置可以产生具有增强亮度和较长寿命的图像。
如上所述，本发明各实施例提供了一种可以使用电子发射来显示图像的发光器件。该发光器件可以使用磷光体按不同方式来显示图像，所述的磷光体是根据是否将内部可见保持在真空状态下或是否使该可见充满激发气体而用不同的材料而形成的。
此外，发光器件所具有的结构使得可以用PN结的耗尽层来容易地形成纳米大小的间隙。
根据本发明各实施例的发光器件可以如下运作。用激发气体充满发光器件的内部空间，通过电子来激励激发气体，并通过经激励的激发气体来产生UV线。UV线使磷光体层产生可见光。发光器件具有比传统PDP(传统PDP产生等离子体放电来产生UV线，使用UV线来激励磷光体层以及因此而产生可见光)优良得多的能效。
尽管上文种参考本发明的示例实施例特别地示出和描述了本发明各实施例，但是本领域种的普通技术人员应该理解，在不偏离由权利要求书所限定的各实施例的精神和范围的情况下，还可以对形式和细节作各种修改。

Claims (27)

1.一种使用电子发射的发光器件，其特征在于，所述器件包含：
多个PN结，每一所述PN结包括具有预定厚度的耗尽层；
面对所述耗尽层并与所述耗尽层隔开预定距离的阳极；以及
形成在所述阳极表面上的磷光体层。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，它还包含：
支撑所述阳极和所述磷光体层的衬底；以及
保持所述PN结和所述衬底之间的间隙的隔片。
3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，它还包含：
在其上形成有所述PN结的第一衬底；
支撑所述阳极和所述磷光体层的第二衬底；以及
保持所述第一衬底和所述第二衬底之间的间隙的隔片。
4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，使所述阳极和所述PN结之间的空间保持在真空中，并且所述磷光体层受加速电子的激励并产生可见光。
5.如权利要求2所述的器件，其特征在于，使所述阳极和所述PN结之间的空间保持在真空中，并且所述磷光体层受加速电子的激励并产生可见光。
6.如权利要求3所述的器件，其特征在于，使所述阳极和所述PN结之间的空间保持在真空中，并且所述磷光体层受加速电子的激励并产生可见光。
7.如权利要求4所述的器件，其特征在于，用阴极发光(CL)型磷光体来形成所述磷光体层，所述阴极发光(CL)型磷光体包含从包含‘SrTiO3:Pr’、‘Y2O3:Eu’或‘Y2O3S:Eu’的一组材料中选择出来的红色磷光体、从包含‘Zn(Ga，Al)2O4:Mn’、‘Y3(Al，Ga)5O12:Tb’、‘Y2SiO5:Tb’或‘ZnS:Cu，AI’的一组材料中选择出来的绿色磷光体和从包含‘Y2SiO5:Ce’、‘ZnGa2O4’或‘ZnS:Ag，CI.’的一组材料中选择出来的蓝色磷光体。
8.如权利要求1所述的器件，其特征在于，用激发气体来填充所述阳极和所述PN结之间的空间，激发气体受加速电子的激励，而所述磷光体层受从激发气体发射出的紫外(UV)线的激励并产生可见光。
9.如权利要求2所述的器件，其特征在于，用激发气体来填充所述阳极和所述PN结之间的空间，激发气体受加速电子的激励，而所述磷光体层受从激发气体发射出的紫外(UV)线的激励并产生可见光。
10.如权利要求3所述的器件，其特征在于，用激发气体来填充所述阳极和所述PN结之间的空间，激发气体受加速电子的激励，而所述磷光体层受从激发气体发射出的紫外(UV)线的激励并产生可见光。
11.如权利要求8所述的器件，其特征在于，用从包含Xe、N2，、D2、CO2、H2、CO、Kr和空气的一组气体中选择出来的至少一种或多种气体来形成所述激发气体。
12.如权利要求8所述的器件，其特征在于，用光致发光(PL)型磷光体来形成所述磷光体层，所述光致发光(PL)型磷光体包括Y(V，P)O4:Eu+3、从包含Zn2SiO4:Mn和YBO3:Tb和BaMgAl10O17:Eu的一组材料中选择出来的绿色磷光体。
13.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述耗尽层的厚度从约1nm到约100nm。
14.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述耗尽层的厚度从约1nm到约100nm。
15.如权利要求3所述的器件，其特征在于，所述耗尽层的厚度从约1nm到约100nm。
16.一种使用电子发射的发光器件，其特征在于，所述器件包含：
大体上掺杂p-型杂质的单晶衬底；
形成在所述单晶衬底中的多个PN结；
与所述单晶衬底相对立的阳极；以及
形成在所述阳极表面上的磷光体层。
17.如权利要求16所述的器件，其特征在于，它还包含配置成支撑所述阳极和所述磷光体层的前衬底，其中，把所述前衬底和所述单晶衬底之间的空间保持在真空中，并且所述磷光体层受加速电子的激励并产生可见光。
18.如权利要求17所述的器件，其特征在于，用阴极发光(CL)型磷光体来形成所述磷光体层，所述阴极发光(CL)型磷光体包含从包含‘SrTiO3:Pr’、‘Y2O3:Eu’和‘Y2O3S:Eu’的一组材料中选择出来的红色磷光体、从包含‘Zn(Ga，Al)2O4:Mn’、‘Y3(Al，Ga)5O12:Tb’、‘Y2SiO5:Tb’和’ZnS:Cu，AI’的一组材料中选择出来的绿色磷光体和从包含‘Y2SiO5:Ce’、‘ZnGa2O4’和‘ZnS:Ag，CI.’的一组材料中选择出来的蓝色磷光体。
19.如权利要求16所述的器件，其特征在于，它还包含支撑所述阳极和所述磷光体层的前衬底，其中，所述前衬底和所述单晶衬底之间的空间被激发气体所填充。
20.如权利要求19所述的器件，其特征在于，所述激发气体是用从包含Xe、N2，、D2、CO2、H2、CO、Kr和空气的一组气体中选择出来的至少一种或多种气体来形成的。
21.如权利要求19所述的器件，其特征在于，所述磷光体层是用光致发光(PL)型磷光体来形成的，所述光致发光(PL)型磷光体包含Y(V，P)O4:Eu+3、从包含Zn2SiO4:Mn和YBO3:Tb和BaMgAl10O17:Eu的一组材料中选择出来的绿色磷光体。
22.如权利要求16所述的设备，其特征在于，所述耗尽层的厚度从约1nm到约100nm。
23.一种平板显示装置，其特征在于，它包含：
使用电子发射的发光器件，所述器件包含：
多个PN结，每一所述PN结包含具有预定厚度的耗尽层；
面对所述耗尽层并与所述耗尽层隔开预定距离的阳极；以及
形成在所述阳极表面上的磷光体层；以及
显示屏，它包含配置成安装在所述阳极前面的非发射器件。
24.一种平板显示装置，其特征在于，它包含：
使用电子发射的发光器件，所述设备包含：
大体上掺杂p-型杂质的单晶衬底；
形成在所述单晶衬底中的多个PN结；
与所述单晶衬底相对立的阳极；以及
形成在所述阳极表面上的磷光体层；以及
显示屏，它包含配置成安装在所述阳极前面的非发射器件。
25.如权利要求23所述的平板显示装置，其特征在于，所述耗尽层的厚度从约1nm到约100nm。
26.如权利要求23所述的平板显示装置，其特征在于，所述非发射器件是液晶器件。
27.如权利要求24所述的平板显示装置，其特征在于，所述非发射器件是液晶器件。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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