JP6419572B2 - 光電面、光電変換管、イメージインテンシファイア、及び光電子増倍管 - Google Patents

光電面、光電変換管、イメージインテンシファイア、及び光電子増倍管 Download PDF

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Description

本発明は、光電面、当該光電面を有する光電変換管、イメージインテンシファイア、及び光電子増倍管に関する。
特許文献１〜３には、積層構造を有する光電面が記載されている。特許文献１の光電面は、基板と、下地膜と、中間膜と、光電変換膜とがこの順に積層された積層構造を有する。特許文献２，３の光電面は、窓材と、下地膜と、光電放出膜とがこの順に積層された積層構造を有する。
特公平７−１６０１６号公報 特開平６−６８８４０号公報 特許第４１１６２９４号
上記特許文献１〜３に記載された光電面は、火炎の検出に利用されることがある。火炎は、３００ｎｍ以下の波長領域に特有のスペクトルを有する。一方、地上に到達した太陽光は、オゾン層の吸収によって、３００ｎｍ以下の紫外線帯域のスペクトルが極端に小さい。この太陽光のスペクトルが極端に小さくなる帯域は、ソーラーブラインド帯域とも呼ばれる。このソーラーブラインド帯域において、光電面が良好な感度を発揮すれば、太陽光の影響が抑制された良好な光検出特性が期待できる。
そこで、当該技術分野では、光電面の紫外線帯域における感度の向上が望まれている。
本発明の一形態は、積層構造を有する光電面であって、紫外線を透過する窓材と、窓材に形成され、導電性を有する導電膜と、導電膜に形成され、マグネシウム及びフッ素の化合物を含む中間膜と、中間膜に形成され、テルル及びアルカリ金属を含む光電変換膜と、を備える。
この光電面の光電変換膜は、テルル及びアルカリ金属を含んでいるので、光電面が検出する波長の帯域をソーラーブラインド帯域を含む紫外線帯域とすることができる。また、光電変換膜と導電膜との間に、マグネシウム及びフッ素の化合物を含む中間膜が形成されている。マグネシウム及びフッ素の化合物を含む中間膜はバンドギャップが比較的大きいので、光電変換膜における窓材側の面にバンドギャップの大きい膜が配置されることになる。そうすると、バンドの湾曲が発生し、光電子の取出し効率が向上する。従って、この光電面によれば、紫外線帯域における感度を向上させることができる。
化合物はフッ化マグネシウムであってもよいし、アルカリ金属はセシウムであってもよい。これら構成によれば、光電変換膜と中間膜との間に生じうる格子不整合が抑制される傾向にあるので、光電変換膜の結晶性の低下を抑制することが可能になる。従って、光電面の感度を更に向上させることができる。
また、導電膜は、チタンを含んでいてもよい。この構成によれば、光電変換膜において発生した光電子を効率よく取り出すことができる。
窓材は石英を含んでいてもよい。この構成によれば、窓材を透過したときに生じる光の減衰が抑制されるので、光電面の感度を更に向上させることができる。
また、本発明の別の形態は、上記の光電面が設けられた真空容器を備える光電変換管である。この光電変換管は、上記の光電面を備えているので、紫外線帯域における感度を向上させることができる。
また、本発明の更に別の形態は、上記の光電面が設けられた真空容器と、真空容器に収容され光電変換膜から放出された電子を増倍する電子増倍手段と、電子増倍手段で増倍された電子が入射され、電子増倍手段で増倍された電子を光に変換する蛍光面と、を備えるイメージインテンシファイアである。このイメージインテンシファイアは、上記の光電面を備えているので、紫外線帯域における感度を向上させることができる。
また、本発明の更に別の形態は、上記の光電面が設けられた真空容器と、真空容器に収容され光電変換膜から放出された電子を増倍する電子増倍手段と、真空容器の内部に収容され、電子増倍手段で増倍された電子が入射されるアノードと、を備える光電子増倍管である。この光電子増倍管は、上記の光電面を備えているので、紫外線帯域における感度を向上させることができる。
本発明の一形態に係る光電面、別の形態に係る光電変換管、イメージインテンシファイア及び光電子増倍管によれば、紫外線帯域における感度を向上することができる。
本発明の一形態に係る光電面の断面を示す図である。 太陽光のスペクトルと光電面の検出帯域との関係を示すグラフである。 光電面を有するイメージインテンシファイアの構造を示す図である。 実施例１に係る光電面の検出波長と量子効率との関係を示すグラフである。 実施例２に係る導電膜の透過率と量子効率との関係を示すグラフである。 実施例３に係る導電膜の透過率と量子効率との関係を示すグラフである。 比較例１に係る光電面の検出波長と量子効率との関係を示すグラフである。 比較例２に係る光電面の検出波長と量子効率との関係を示すグラフである。 バンドギャップと量子効率との関係を示すグラフである。
以下、添付図面を参照しながら本発明を実施するための形態を詳細に説明する。図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図１に示される光電面１は、紫外線帯域の光Ｌを検出する。光電面１が検出する波長の帯域（以下「検出帯域」ともいう）は、紫外線帯域に含まれる波長帯域に設定される。具体的には、検出帯域は、近紫外線帯域に含まれる２００ｎｍ〜３５０ｎｍに設定してもよく、更に、２６０ｎｍ〜３００ｎｍに設定してもよい。また、検出帯域は、２８０ｎｍを中心とした帯域に設定してもよい。特に、波長が２８０ｎｍ以下の帯域は、太陽光のスペクトルが極端に小さくなる、いわゆるソーラーブラインド帯域である。図２に示されるように、太陽光のスペクトル（グラフＧ２ａ参照）は約２８０ｎｍ以下の領域において極端に小さくなっている（帯域Ａ１参照）。従って、検出帯域（グラフＧ２ｂ参照）を２８０ｎｍ以下に設定した場合には、光電面１を太陽光環境下におけるエンジンのフレア解析等に利用することができる。
図１に示されるように、光電面１は、積層構造を有する。光電面１は、窓材２、導電膜３、中間膜４、及び光電変換膜６を備え、これらはこの順に積層される。従って、窓材２に入射した光Ｌは、窓材２、導電膜３及び中間膜４を通過した後に、光電変換膜６に到達する。
窓材２は、光電面１の基板をなす。窓材２は、光Ｌが入射される入射面２ａと、入射面２ａの反対側における裏面２ｂとを有する。窓材２は、光電面１の検出帯域における光に対して良好な透過性を有する。従って、窓材２は、紫外線を透過可能な材料からなる。紫外線を透過可能な材料としては、石英（ＳｉＯ２）が挙げられる。
導電膜３は、窓材２の裏面２ｂに形成される。導電膜３は、窓材２と接する表面３ａと、表面３ａの反対側における裏面３ｂとを有する。導電膜３は、窓材２に対する光電変換膜６の下地膜である。また、導電膜３は、窓材２に入射された光Ｌを透過すると共に、光電変換膜６において放出される光電子を供給する。導電膜３をなす材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）といった導電性を有する金属材料が挙げられる。導電膜３をＴｉとした場合には、膜厚を２ｎｍ（２０Å）から１０ｎｍ（１００Å）、又は０．１ｎｍ（１Å）から２ｎｍ（２０Å）としてもよい。
中間膜４は、導電膜３の裏面３ｂに形成される。中間膜４は、導電膜３と接する表面４ａと、表面４ａの反対側における界面４ｂとを有する。中間膜４は、導電膜３に対する光電変換膜６の下地膜である。また、中間膜４は、窓材２に入射された光Ｌを透過すると共に、光電変換膜６の表面６ａ側にバンドギャップの高い領域を形成する。中間膜４は、マグネシウム（Ｍｇ）とフッ素（Ｆ）との化合物であるフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）により構成される。ＭｇＦ２のバンドギャップは、１１．４ｅＶである。また、中間膜４の膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）〜５ｎｍ（５０Å）である。例えば、光電面１の検出帯域を、２８０ｎｍを中心とする帯域に設定した場合には、中間膜４の膜厚を０．５ｎｍ（５Å）〜５ｎｍ（５０Å）に設定するとよい。中間膜４は、蒸着又はスパッタにより形成される。
光電変換膜６は、中間膜４の界面４ｂに形成される。光電変換膜６は、中間膜４と接する表面６ａを有する。光電変換膜６は、入射された光Ｌによって光電子を生成する。光電変換膜６は、例えばセシウム−テルル（ＣｓＴｅ）といった、テルル（Ｔｅ）とアルカリ金属の化合物により構成される。
光電面１の光電変換膜６はＣｓＴｅからなるので、検出波長をソーラーブラインド帯域を含む紫外線帯域とすることができる。また、光電変換膜６と導電膜３との間に、ＭｇＦ２からなる中間膜４が形成される。この中間膜４はバンドギャップが比較的大きいので、光電変換膜６における窓材２側の面にバンドギャップの大きい膜が配置されることになる。そうすると、バンドの湾曲が発生し、光電子の取出し効率が向上する。従って、この光電面１によれば、紫外線帯域における感度を向上することができる。
光電面１は、中間膜４がＭｇＦ２であり、光電変換膜６がＣｓＴｅである。これら構成によれば、光電変換膜６と中間膜４との間に生じうる格子不整合を抑制し、光電変換膜６の結晶性の低下を抑制できる。従って、光電面１の感度を更に向上させることができる。
また、導電膜３は、チタンである。この構成によれば、光電変換膜６において発生した光電子を効率よく取り出すことができる。
窓材２は石英である。この構成によれば、窓材２を透過したときに生じる光Ｌの減衰が抑制されるので、光電面１の感度を更に向上させることができる。
上述した光電面１は、図３に示されるイメージインテンシファイア１１に用いられる。図３は、光電面１を備えるイメージインテンシファイア１１の構造を示す。図３に示されるように、近接型のイメージインテンシファイア１１は、光電面１と、真空容器１２と、マイクロチャンネルプレート１３と、蛍光面１４と、出射窓材１６とを備えている。光電面１は、真空容器１２の一端側に設けられている。また、真空容器１２における光電面１の後方には、電子増倍手段であるマイクロチャンネルプレート１３が設けられている。マイクロチャンネルプレート１３の更に後方には、蛍光面１４が設けられている。マイクロチャンネルプレート１３で増倍された電子は、蛍光面１４に入射される。蛍光面１４では、入射した電子を光に変換する。変換された光は、出射窓材１６を介して外部に出射される。
このイメージインテンシファイア１１は、上述した光電面１を備えているので、紫外線帯域における感度を向上することができる。
＜実施例１＞
実施例１では、光電面１の感度を確認した。光電面１の感度として、量子効率を採用した。量子効率は、光電面１に入射した光子数に対する光電子の数の比であり、例えば、量子効率は、分光感度測定器により測定する。分光感度測定器は、光源と、測定対象光を単色化する分光器と、値付けされた標準の光検出器（例えばシリコンフォトダイオード）とを有する。実施例１に係る光電面１は、下記の構成を有する。実施例１では、上記構成を有する光電面１を複数作製し、それぞれの光電面１の量子効率を測定した。
窓材 ：石英 （膜厚５．９４ｍｍ）
導電膜 ：Ｔｉ （膜厚０．５ｎｍ）
中間膜 ：ＭｇＦ２（膜厚５ｎｍ）
光電変換膜：ＣｓＴｅ（膜厚１０ｎｍ）
図４は、上記光電面１の検出波長と量子効率との関係を示す。横軸は、波長を示し、縦軸は量子効率を示す。複数のグラフＧ４は、各光電面１の量子効率を示す。図４に示されるように、光電面１は、２８０ｎｍから３１５ｎｍまでの帯域Ａ２において２％から２６％程度の量子効率を有することが確認できた。また、光電面１は、２００ｎｍから２８０ｎｍの帯域Ａ３において、２０％から３２％程度の量子効率を有することが確認できた。また、光電面は、２８０ｎｍの波長において、２０％から２６％程度の量子効率を有することが確認できた。
＜実施例２＞
実施例２では、量子効率に対する中間膜４の膜厚の影響を確認した。具体的には、中間膜４の膜厚のみが異なる複数の光電面１を作製し、それぞれの光電面１が有する量子効率を測定した。実施例２に係る光電面１は、下記の構成を有する。
窓材 ：石英 （膜厚５．９４ｍｍ）
導電膜 ：Ｔｉ （膜厚０．５ｎｍ）
中間膜 ：ＭｇＦ２（膜厚５０ｎｍ（５００Å）、１０ｎｍ（１００Å）、５ｎｍ（５０Å））
光電変換膜：ＣｓＴｅ（膜厚１０ｎｍ）
図５のグラフＧ５ａは、中間膜４の膜厚が５０ｎｍである光電面１の量子効率である。グラフＧ５ｂは、中間膜４の膜厚が１０ｎｍである光電面１の量子効率である。グラフＧ５ｃは、中間膜４の膜厚が５ｎｍである光電面１の量子効率である。グラフＧ５ａ，Ｇ５ｂ，Ｇ５ｃによれば、２００ｎｍから２８０ｎｍまでの波長帯域では、中間膜４の膜厚によって量子効率の大小関係が変わることがわかった。この結果から、光電面１の検出帯域を２８０ｎｍ付近に設定する場合には、中間膜４の膜厚を薄め（例えば５ｎｍ（５０Å））にすることが好ましいことがわかった（プロットＰ５ａ参照）。一方、光電面１の検出帯域を２００ｎｍ付近に設定する場合には、中間膜４の膜厚を厚め（例えば５０ｎｍ（５００Å））にすることが好ましいことがわかった（プロットＰ５ｂ参照）。
＜実施例３＞
実施例３では、量子効率に対する導電膜３の構成の影響を確認した。具体的には、導電膜３の材料又は構造が互いに異なる複数の光電面１を作製し、それぞれの光電面１が有する量子効率を測定した。実施例３に係る光電面１は、下記の構成を有する。
窓材 ：石英（膜厚５．９４ｍｍ）
導電膜 ：Ｔｉ（膜厚０．５ｎｍ）、Ｔｉ（膜厚２．５ｎｍ）、カーボンナノチューブ（膜厚１ｎｍ）、グラフェン（膜厚０．３３５ｎｍ）、ストライプ電極（膜厚２．５ｎｍ）
中間膜 ：ＭｇＦ２（膜厚５ｎｍ）
光電変換膜：ＣｓＴｅ（膜厚１０ｎｍ）
図６は、２８０ｎｍの波長に対する光電面１の量子効率を示す。縦軸は光電面１の量子効率を示す。横軸は導電膜３の透過率を示す。図６の横軸に示された透過率は、石英面板である窓材２に各種導電膜を形成した試験片の実測透過率である。この透過率は、分光光度計による測定、又は、光源と分光器と光検出器を備えた分光光度計による透過率測定によって測定される。図６において、プロットＰ６ａは、導電膜３がグラフェンである場合の量子変換効率である。プロットＰ６ｂは、導電膜３がストライプ電極構造である場合の量子変換効率である。プロットＰ６ｃは、導電膜３がＴｉ（膜厚０．５ｎｍ）である場合の量子変換効率である。プロットＰ６ｄは、導電膜３がＴｉ（膜厚２．５ｎｍ）である場合の量子変換効率である。プロットＰ６ｅは、導電膜３がカーボンナノチューブである場合の量子変換効率である。プロットＰ６ａ〜Ｐ６ｅに示されるように、導電膜３の透過率が大きいほど、量子効率が大きくなることがわかった。特に、導電膜３をグラフェン、ストライプ電極、膜厚が０．５ｎｍであるＴｉとした場合には、２８０ｎｍの波長における量子効率を２０％以上にし得ることがわかった。
＜比較例１＞
比較例１では、量子効率に対する中間膜４の構成材料の影響について確認した。具体的には、酸化物を含む中間膜を有する光電面を作製し、それぞれの光電面が有する量子効率を測定した。比較例１に係る光電面は、下記の構成を有する。
窓材 ：石英（膜厚５．９４ｍｍ）
導電膜 ：Ｔｉ（膜厚２．５ｎｍ）、Ｐｔ（膜厚２．５ｎｍ）
中間膜 ：二層構造（Ａｌ２Ｏ３＋ＺｎＯ）、導電膜がＴｉであるＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、導電膜がＰｔであるＡｌ２Ｏ３
光電変換膜：ＣｓＴｅ（膜厚１０ｎｍ）
図７は、比較例１における光電面の量子効率を、光電面１の量子効率と比較したグラフである。グラフＧ７ａは、中間膜が二層構造（Ａｌ２Ｏ３＋ＺｎＯ）である光電面の量子効率を示す。グラフＧ７ｂは、導電膜がＴｉであり、中間膜がＡｌ２Ｏ３である光電面の量子効率を示す。グラフＧ７ｃは、導電膜がＰｔであり、中間膜がＴｉＯ２である光電面の量子効率を示す。グラフＧ７ｄは、導電膜がＰｔであり、中間膜がＡｌ２Ｏ３である光電面の量子効率を示す。グラフＧ７ｅは、中間膜４がＭｇＦ２である光電面１の量子効率を示す。図７に示されるように、２００ｎｍ〜３５０ｎｍに亘る帯域においてグラフＧ７ｅが最も高い量子効率を示すことがわかった。従って、中間膜４を構成する材料は、酸化物よりもフッ化物が好ましいことがわかった。
＜比較例２＞
比較例２では、量子効率に対する中間膜４の構成材料の影響について確認した。具体的には、ＭｇＦ２とは異なるフッ化物により形成された中間膜を有する光電面を作製し、それぞれの光電面が有する量子効率を測定した。ＭｇＦ２とは異なるフッ化物として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）を用いた。比較例２に係る各光電面は、下記の構成を有する。
窓材 ：石英（膜厚５．９４ｍｍ）
導電膜 ：Ｔｉ（膜厚２．５ｎｍ）
中間膜 ：ＬｉＦ（膜厚５ｎｍ）、ＣａＦ２（膜厚５ｎｍ）
光電変換膜：ＣｓＴｅ（膜厚１０ｎｍ）
図８は、比較例２における光電面の量子効率を、光電面１の量子効率と比較したグラフである。グラフＧ８ａは、中間膜４がＬｉＦである光電面１の量子効率を示す。グラフＧ８ｂは、中間膜４がＣａＦ２である光電面１の量子効率を示す。グラフＧ８ｃは、中間膜４がＭｇＦ２である光電面１の量子効率を示す。図８に示されるように、グラフＧ８ｃが２００ｎｍ〜３５０ｎｍに亘る帯域において最も高い量子効率を示すことがわかった。従って、中間膜４は、フッ化物のうちＭｇＦ２により構成することが最も好ましいことがわかった。
ところで、中間膜４は、光電変換膜６の近傍にバンドギャップの高い領域を形成するものである。そうすると、中間膜４のバンドギャップが高いほど、光電面１の量子効率が高くなるようにも思われる。比較例１，２において中間膜４の材料として利用した各材料のバンドギャップ、及び中間膜４の材料として利用したＭｇＦ２のバンドギャップは、下記のとおりである。また、図９にバンドギャップと量子効率との関係を示す。図９における量子効率は、検出波長が２８０ｎｍである場合の値である。下記のプロットＰ９ａ〜Ｐ９ｅは、図９におけるプロットＰ９ａ〜Ｐ９ｅに対応する。
ＭｇＦ２（プロットＰ９ａ）：１１．４ｅＶ
ＬｉＦ（プロットＰ９ｂ）：１３．８ｅＶ
ＣａＦ２（プロットＰ９ｃ）：１１．０ｅＶ
Ａｌ２Ｏ３（プロットＰ９ｄ）：７．５ｅＶ
ＴｉＯ２（プロットＰ９ｅ）：３．２ｅＶ
図９を参照すると、バンドギャップと量子効率との間には正の相関があることがわかった。一方、ＭｇＦ２（プロットＰ９ａ）とＬｉＦ（プロットＰ９ｂ）とに注目すると、ＬｉＦよりもバンドギャップの小さいＭｇＦ２の方が高い量子効率を示すことがわかった。この理由は、量子効率は、中間膜のバンドギャップとは別の要因が関係するためであると予想される。例えば、光電変換膜の結晶性に対する中間膜の影響などが挙げられる。これら、中間膜と光電変換膜との間では、バンドギャップや結晶性等の関係などが総合的に作用し、量子効率が決定されているものと予想される。
本発明は、前述した実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
例えば、窓材２を構成する材料として、フッ化カルシウム（ＣａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を用いてもよい。また、導電膜３を構成する材料として、グラフェン及びカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）といった炭素系材料を用いてもよい。また、導電膜３は、光の透過性に注目し、ストライプ構造又はメッシュ構造としてもよい。また、光電変換膜６に含まれるアルカリ金属としては、ナトリウム（Ｎｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）を用いてもよい。
また、上記実施形態では、光電面をイメージインテンシファイアに設けたが、光電面は、イメージインテンシファイア以外の光装置に利用してもよい。例えば、光電変換管や光電子増倍管に利用してもよい。この場合には、真空容器の内部に上記実施形態で示した光電面１を設け、光電面１の後方に電子を増倍する増倍部となるダイノード或いはマイクロチャンネルプレートを設ける。その後方には、陽極（アノード）を真空容器の内部に収容した状態で設ける。陽極には、リードピンを介して上記の光電面、電子増倍部及び陽極に所定のバイアス電圧が印加される。そして、陽極からの出力信号は、リードピンを介して外部に出力される。
１…光電面、２…窓材、３…導電膜、４…中間膜、６…光電変換膜、１１…イメージインテンシファイア、１２…真空容器、１３…マイクロチャンネルプレート（電子増倍手段）、１４…蛍光面、１６…出射窓材。

Claims (8)

  1. 積層構造を有する光電面であって、
    紫外線を透過する窓材と、
    前記窓材に形成され、導電性を有する導電膜と、
    前記導電膜に形成され、マグネシウム及びフッ素の化合物を含む中間膜と、
    前記中間膜に形成され、テルル及びアルカリ金属を含む光電変換膜と、を備える光電面。
  2. 前記化合物は、フッ化マグネシウムである、請求項１に記載の光電面。
  3. 前記アルカリ金属は、セシウムである、請求項１又は２に記載の光電面。
  4. 前記導電膜は、チタンを含む、請求項１〜３の何れか一項に記載の光電面。
  5. 前記窓材は、石英を含む、請求項１〜４の何れか一項に記載の光電面。
  6. 請求項１〜５の何れか一項に記載の光電面が設けられた真空容器を備える光電変換管。
  7. 請求項１〜５の何れか一項に記載の光電面が設けられた真空容器と、
    前記真空容器に収容され前記光電変換膜から放出された電子を増倍する電子増倍手段と、
    前記電子増倍手段で増倍された電子が入射され、前記電子増倍手段で増倍された前記電子を光に変換する蛍光面と、を備えるイメージインテンシファイア。
  8. 請求項１〜５の何れか一項に記載の光電面が設けられた真空容器と、
    前記真空容器に収容され前記光電変換膜から放出された電子を増倍する電子増倍手段と、
    前記真空容器の内部に収容され、前記電子増倍手段で増倍された前記電子が入射されるアノードと、を備える光電子増倍管。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6401834B1 (ja) * 2017-08-04 2018-10-10 浜松ホトニクス株式会社 透過型光電陰極及び電子管
US10535493B2 (en) * 2017-10-10 2020-01-14 Kla-Tencor Corporation Photocathode designs and methods of generating an electron beam using a photocathode
CN111816533B (zh) * 2019-11-13 2022-03-25 北方夜视技术股份有限公司 双碱光电阴极及其制备方法
CN111613497B (zh) * 2020-06-05 2023-05-12 陕西理工大学 一种分光谱响应增强的透射式光电阴极及其制备方法
JP2022006920A (ja) * 2020-06-25 2022-01-13 浜松ホトニクス株式会社 光電面
CN113594003B (zh) * 2021-07-20 2023-07-21 北方夜视技术股份有限公司 复合石英窗的Cs2Te日盲紫外光电阴极及其制备方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0716016B2 (ja) * 1986-05-19 1995-02-22 富士通株式会社 赤外線検知素子
JPH0716019B2 (ja) * 1991-03-04 1995-02-22 浜松ホトニクス株式会社 光電面
JP2923395B2 (ja) * 1992-08-24 1999-07-26 浜松ホトニクス株式会社 光電面および光電子増倍管
JP2886039B2 (ja) 1993-06-30 1999-04-26 株式会社クボタ コンバインの刈取茎稈搬送構造
JPH07160016A (ja) 1993-12-07 1995-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層型電子写真感光体と電荷発生層用塗料
SE0101864L (sv) * 2001-06-01 2002-12-02 Xcounter Ab Flam- och gnistdetektor, automatiskt brandlarm och förfarnadn relaterade därefter
JP4116294B2 (ja) * 2002-01-07 2008-07-09 浜松ホトニクス株式会社 光電面および光電変換管
JP3869378B2 (ja) * 2003-03-12 2007-01-17 株式会社東芝 光記録媒体
KR100647305B1 (ko) * 2004-12-23 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 광전소자 및 이를 이용한 램프 및 디스플레이패널
JP4926504B2 (ja) * 2006-03-08 2012-05-09 浜松ホトニクス株式会社 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法
JP2009272102A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Hamamatsu Photonics Kk 光電陰極及びそれを備える電子管
JP5308078B2 (ja) * 2008-06-13 2013-10-09 浜松ホトニクス株式会社 光電陰極
EP2380047B1 (en) * 2009-01-22 2018-07-11 BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Corner cube enhanced photocathode
JP2010286316A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Univ Of Tokyo 光検出器
US9123622B2 (en) * 2010-06-23 2015-09-01 California Institute Of Technology Atomic layer deposition of high performance anti reflection coatings on delta-doped CCDs
CN104871257B (zh) * 2012-12-17 2017-03-01 住友化学株式会社 氧化锌系透明导电膜
US20160163492A1 (en) * 2013-07-31 2016-06-09 Cern - European Organization For Nuclear Research Detector and method for detecting ultraviolet radiation

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