JP2006049055A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】FED内部空間の残留ガスを良好に排気して高い真空度を保つことが可能な画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る画像表示装置は、電子を放出する複数の電子放出素子(101〜109)が設けられたカソード基板(180)と、該カソード基板に対向して配置された、透光性を有するアノード基板(170)とを備える。アノード基板は、電子放出素子からの電子により発光される複数の蛍光体(131〜139)と、該蛍光体のカソード基板側に位置し、電子放出素子からの電子を加速する高圧が印加される導電膜(150)とを有する。そして、この導電膜(150)に、カソード基板とアノード基板との間に形成された空間内の気体を吸着するゲッタ作用を持たせる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、Field Emission Display (FED)等の画像表示装置に係り、特に、FED内の真空度を良好にするため構成を備えた画像表示装置に関する。

FEDは、複数の電子放出素子が設けられたカソード基板と、このカソード基板に対向して配置された、蛍光体を含むアノード基板を備えている。電子放出素子からの電子を蛍光体に衝突させることにより、該蛍光体が励起発光し、画像が形成される。

上記構成のFEDにおいては、電子放出素子の電子放出動作を良好にするために、また電子放出素子の長寿命化のために、カソード基板とアノード基板との間の空間内におけるガス（酸素、二酸化炭素等）を排気して該空間を高い真空状態に保つ必要がある。そのための従来技術としては、例えば特許文献１に記載のように、コントラスト向上のためのブラックマトリクス層にTiO2等のゲッタ物質を添加してブラックマトリクス層にゲッタ作用を持たせたものが知られている。

特開2001-351510号公報

上記特許文献１は、複数の蛍光体間に設けられたブラックマトリクス層にゲッタ作用を持たせている。このため、ゲッタ作用を持つブラックマトリクス層はFED内部空間と接する面積が少なく、大きなゲッタ効果（すなわちFED内部空間内の残留ガスの排気効果）が得られない。また特許文献１のブラックマトリクス層は、蛍光体を励起発光させるための陽極電極の機能を持っている。しかしながら、電子放出素子からの電子は、その大部分が蛍光体に入射するため、ブラックマトリクス層に入射される電子の量は少ない。従って、特許文献１の構成では、ブラックマトリクス層のゲッタ作用を良好に活性化することができず、この点からも大きなゲッタ効果を得ることが困難となる。

本発明は、上記従来技術の課題に鑑みて為されたものであって、その目的は、FED内部空間の残留ガスを良好に排気して高い真空度を保つことが可能な画像表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するための、本発明に係る画像表示装置は、アノード基板(第２基板)に設けられた複数の蛍光体のカソード基板側（第１基板）に位置し、かつ該蛍光体を覆うように形成された導電膜を、カソード基板とアノード基板との間に形成された空間内の気体を吸着する構成としたことを特徴とするものである。すなわち、本発明は、電子放出素子からの電子を加速するための高圧が印加される、いわゆるメタルバックと呼ばれる導電膜にゲッタ作用を持たせたことを特徴とするものである。

上記導電膜にゲッタ作用を持たせるために、該導電膜を、Ti, V, Zr, Ta, Nbの純金属、該純金属の任意の組み合わせにより構成された合金、前記純金属または合金の酸化金属、または前記純金属とBa, Al, Niとの合金を用いて形成してもよい。また、上記導電膜の、該蛍光体の発光部位以外の部位に対向する位置の膜厚を、前記蛍光体の発光部位に対向する位置の膜厚よりも厚くして当該部分におけるゲッタ作用を大きくするようにしてもよい。

上記のような構成によれば、複数の蛍光体を全体的に覆う導電膜にゲッタ作用を持たせているため、ゲッタ作用を持つ物質とFED内部空間（すなわちカソード基板とアノード基板との間に形成された空間）との接触面積を大きくすることができる。このため、大きなゲッタ効果を得ることが可能となる。また、上記導電膜は、電子放出素子からの電子を加速するための高圧が印加されるため、電子放出素子からの電子の全てもしくは殆どは、導電膜に入射される。このため、導電膜は入射電子により熱せられ、該導電膜のゲッタ作用を良好に活性化できる。

本発明によれば、FED内部空間の残留ガスを良好に排気して高い真空度を保つことが可能となる。

以下に、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。まず、本発明が適用される画像表示装置の回路ブロックの一構成例について図５を用いて説明する。尚、本実施形態では、電子放出素子として、ＭＩＭ（Metal Insulator - metal）型の電子源を有するパッシブマトリクス駆動方式のＦＥＤを例にして説明する。しかしながら、本発明は、ＭＩＭ以外の電子源、例えばＳＣＥ型やカーボンナノチューブ型でも同様に適用できる。

映像信号は映像信号入力端子3に入力され、信号処理回路10に供給される。信号処理回路10においては、γ補正や色補正、コントラスト補正などの各種所定の信号処理を映像信号に施す。

上記入力映像信号に対応する水平同期信号は、水平同期信号入力端子１に入力され、タイミングコントローラ2に供給される。タイミングコントローラ2では、水平同期信号に同期したタイミングパルスを生成して走査線制御回路501及び502に供給する。

一方、表示パネル6は、画面水平方向（紙面の左右方向）に延びて形成された複数の走査線51〜53が、画面垂直方向（紙面の上下方向）に並んで配置されている。更に、画面垂直方向（紙面の上下方向）に延びて形成された複数の信号線41〜44が、画面水平方向（画面左右方向）に並んで配置されている。これら走査線51〜53と信号線41〜44は互いに直交しており、これらの各交点部には、各走査線及び各信号線と接続される電子放出素子100が配置されている。これによって、複数の電子放出素子100は、マトリクス状に配置された形態となる。上記走査線51〜53、信号線41〜44及び電子放出素子100は、後述する第１基板であるカソード基板上に形成される。

走査線51〜53の左右両端には、走査線制御回路501及び502が接続されている。この走査線制御回路501及び502は、それぞれ、タイミングコントローラ2からのタイミングパルスに同期して、走査線51〜53を１本もしくは２本ずつ選択するための走査電圧(V_scan)を、走査線51〜53に対し供給する。つまり、走査線制御回路501及び502は、水平同期の走査電圧を走査線51〜53に対し順次印加することにより、水平周期で１または２行の電子源を上から順に選択して垂直走査を行うものである。

走査線制御回路501及び502は、それぞれ、選択電位（例えば５Ｖまたは−５Ｖ）を与える電圧供給源Ａ81と、非選択電位（例えば０Ｖ）を与える電圧供給源Ｂ82と、スイッチ回路91〜93とを含む。スイッチ回路91〜93のそれぞれは、各走査線51〜53に対応して接続されている。そしてスイッチ回路91〜93は、対応する走査線を選択する場合は、電圧供給源Ａ81からの選択電位を対応する走査線に供給し、それ以外の場合は電圧供給源Ｂ82からの非選択電位を走査線に供給するように、タイミングコントローラ2からのタイミングパルスに応答して切替動作を行う。つまり、走査電圧V_scanは、スイッチ回路91〜93で選択電位と非選択電位を切り替えることによって形成される。尚、図１では、簡単のために、走査線制御回路501の内部構成のみを図示しているが、走査線制御回路502も同様の構成を備えている。また、走査線制御回路501及び502は、１走査線毎に交互に切り替えて駆動させてもよく、また１フレーム毎に交互に切り替えて駆動させてもよい。更に、１走査線を選択する際に、２つの走査線制御回路501及び502を同時に駆動させて、１走査線に対し、同時に走査電圧を印加するようにしてもよい。更にまた、走査線制御回路501及び502のいずれか一方のみを用いてもよい。

信号線41〜44の上端には、駆動電圧供給回路である信号線制御回路4が接続されている。信号線制御回路は、信号処理回路から供給された映像信号に基づいて、各信号線（電子放出素子）に対応する駆動信号(V_data)を生成して各信号線に供給する。

走査電圧によって選択された走査線に接続される各電子放出素子に対し、信号線制御回路4からの駆動電圧が印加されると、各電子放出素子には走査電圧と駆動電圧との電位差が与えられる。この電位差が所定の閾値を超えると、電子源は電子を放出する。この電子源からの電子の放出量は、電位差が閾値以上の場合は、この電位差に略比例する。尚、駆動電圧が正の場合は、走査電圧は負となり、駆動電圧が負の場合は、走査電圧は正となる。また上記カソード基板と対向して、後述する第２基板であるアノード基板が配置されている。このカソード基板とアノード基板の間には空間が形成されており、この空間は真空雰囲気とされる。アノード基板のカソード基板と対向する面には、各電子放出素子の対向する位置に後述する蛍光体が配置され、かつこの蛍光体上には、高圧が印加されるメタルバックである導電膜が形成されている。電子放出素子から放出された電子は、導電膜に印加された高圧によって加速され、真空内を進行して蛍光体に衝突する。これにより蛍光体が励起発光し、その光は、後述するアノード基板を構成する透明ガラスを通して外部に放出される。これによって、ＦＥＤの表示面に画像が形成される。

次に、本発明の第１実施形態について図１を用いて説明する。図１は、図５に示された表示パネル6の断面を横から見たものである。第１基板であるカソード基板180はリアガラス110を含み、このリアガラス110上には、複数の電子放出素子101〜109が形成されている。尚、図１では、図５に示された走査線51〜53及び信号線41〜44は図示から省略している。一方、第２基板であるアノード基板170は、透光性を有するフロントガラス140を含み、このフロントガラス140のカソード基板180と対向する面には、蛍光体131〜139が設けられている。この蛍光体131〜139は、カソード基板180上の電子放出素子101〜109とそれぞれ対応する位置に配置されている。そして蛍光体131〜139のカソード基板180側には、主として金属で構成されたメタルバックである導電膜150が配置されている。導電膜150は、蛍光体131〜139を全体的に覆うように形成されており、上述したように、電子放出素子101〜109から放出された電子を加速するための高圧（例えば1kV〜5kV）が印加される。高圧により加速された電子は、導電膜150に入射し、これを透過して蛍光体131〜139に衝突し、蛍光体131〜139を励起発光させる。蛍光体131〜139の相互間は非発光部位であり、そこにはブラックマトリクス191〜192が配置される。ブラックマトリクス191〜192は、アノード基板170の表示面（図１において、アノード基板170の上側の面）から入射される外光を吸収してコントラストを向上（すなわちアノード基板170の表示面における映り込みを減少）する機能を持つ。尚、図１では、電子放出素子及び蛍光体を夫々９個としているが、実際はこれよりも多いことは言うまでもない。

上述したように、カソード基板180とアノード基板170との間に空間を形成するために、カソード基板180及びアノード基板170を夫々支持するためのスペーサ120が設けられている。この空間は、電子放出素子101〜109の電子放出動作を良好にするために、また電子放出素子の長寿命化のために、高い真空度を保つ用にする必要がある。このために、本発明は、この空間内のガスと接触する導電膜150が当該空間内のガス（例えば酸素、二酸化炭素等）を吸着するように、該導電膜150にゲッタ作用を持たせたことを特徴とするものである。

該導電膜150にゲッタ作用を持たせるために、本実施形態では、例えばTi, V, Zr, Ta, Nbなどの純金属またはそれらの合金、該純金属またはその合金の酸化金属、或いはその純金属または合金にBa, Al, Niを含ませたものを用いて導電膜150を構成する。上記Ti, V, Zr, Ta, Nb等の金属は、それ自身からのガス放出量が少なく、かつそれ自身がゲッタ作用を持っている。導電膜150をこのような物質で構成すれば、新たにゲッタ作用を持つ要素を上記空間に配置することなく、空間内のガス吸着を行うことができ、高真空を維持することができる。

また、導電膜150は、高圧が印加されて電子放出素子101〜109からの電子が入射、透過されるので、当該電子により導電膜150が持つゲッタ作用を活性化することができる。すなわち、電子放出素子101〜109からの電子が導電膜150を透過する際、この電子が持つエネルギーの損失が発生し、この損失は熱エネルギーに変換されて導電膜150が熱せられる。導電膜150が熱せられると、導電膜150が持つゲッタ作用が活性化され、導電膜150のガス吸着作用が促進される。つまり、本実施形態の構成によれば、酸素または二酸化炭素等のガスが発生しやすいFEDの動作中（すなわち画像の表示中）において、ゲッタ作用が高まり、より多くのガス吸着を行うことができる。

また、導電膜150の材料として一般的に用いられているAlのガス放出量は、前記例えばTi, V, Zr, Ta, Nbなどの純金属またはそれらの合金、該純金属またはその合金の酸化金属、或いはその純金属または合金にBa, Al, Niを含む合金のガス放出量と比べて概ね多い。例えば、参考文献１「産業技術研究助成事業報告書 プロジェクトID:00B68011d」には、表面処理を施したTiはガス放出量を大きく低減することが報告されている。電子エネルギーを吸収することで発熱する導電膜150に、上述のようなガス放出量の少ない材料を用いることで、清浄な真空雰囲気を保つ効果も期待できる。

次に本発明の第２実施形態について図２を用いて説明する。図２において、図１と同符号のものは同様の機能を有するものとする。本実施形態は、導電膜151の、蛍光体131〜139相互間の非発光部位、すなわちブラックマトリクス191〜198と対応する位置の形状を、カソード基板側に凸としたことを特徴とするものである。すなわち、本実施形態における導電膜151は、蛍光体131〜139に対応する第１位置の膜厚が薄く、ブラックマトリクス191〜198と対応する第２位置の膜厚が第１位置の膜厚よりも厚く形成される。尚、導電膜151を構成する材質は、第１実施形態で説明したものと同じであり、導電膜151も導電膜150と同様にゲッタ作用を有する。

電子放出素子101〜109から放出された電子は、導電膜151を透過中にそのエネルギーを失うので、蛍光体131〜139を十分発光させるためには、第１位置に対応する導電膜151の膜厚は薄い方が好ましい。一方で、金属膜151の体積が大きいほどゲッタ効果が高くなる。本実施形態は、蛍光体131〜139を充分に発光させつつ高いゲッタ効果を得るために、上述したように、蛍光体131〜139に対応する第１位置の膜厚を薄く、ブラックマトリクス191〜198と対応する第２位置の膜厚を第１位置の膜厚よりも厚くしたものである。このような構成によれば、導電膜151の第１位置に対応する膜厚は薄くされているので、当該部分の導電膜151は、電子が充分に透過される。また導電膜151の第２位置に対応する膜厚は厚くされているので、当該部分の導電膜151はその体積が大きくなり、ゲッタ効果を高めることができる。以下に、上記第１位置及び第２位置における、それぞれの好ましい導電膜151の膜厚について説明する。

電子が導電膜中で失うエネルギーは、例えば参考文献２「Whiddington, “the transmission of cathode rays thorough matter ”Proc. Roy. Soc. London B58, 912, P566」を参照して、下記数１により求められる。下記数１において、xは電子の金属膜への進入深さで、Eは導電膜中に入射した電子の深さxでのエネルギーで、E₀は導電膜に入射される電子の初期エネルギーで、Rは入射した電子のエネルギーが0になる金属膜進入深さである。またRは上記参考文献2を参照して下記数２で与えられる。数２において、ρは導電膜を構成する物質の固体密度、Aは導電膜を構成する物質の分子量、Zは導電膜を構成する物質の原子番号である。

数２を用いて、初期エネルギーE₀が5keVのときのRを計算すると、例えばTiで約300 nm, Zrで約206 nm, Taで約67 nmとなる。初期エネルギーE₀の大きさよって異なるが、第１位置に対応する導電膜の膜厚は、上記数２から求められるR以下にすることが必要になる。また上記数１により、導電膜の膜厚がRの1/2のときに電子が該導電膜で損失するエネルギーを求めると、初期エネルギーの約３割が損失となる。また、同様に金属膜厚がRの7/10のときは、初期エネルギーの約５割が損失となる。以上のことから、第１位置に対応する導電膜の膜厚は、初期エネルギーを半分以上発光に利用できる、Rの7/10以下が好ましい。尚、導電膜に複数の物質が混合して使用されている場合、上記分子量A及び原子番号Sは、物質の混合比率に応じて各物質の分子量A及び原子番号Sに重み付けをして平均化することにより求められる。例えば、物質Cと物質Dとが１：２の比率で混合される合金により導電膜が構成される場合、物質Cの分子量AC及び原子番号SCに1/3重み付けをし、物質Dの分子量AD及び原子番号SDに2/3重み付けをして、それぞれ両者を加算することによって求められる。

第１位置に対応する導電膜151の膜厚と第２位置に対応する導電膜151の膜厚との関係は、第１位置に対応する導電膜151の膜厚をL1、第２位置に対応する導電膜151の膜厚をL2としたとき、10・L1＜L2とすることが好ましい。例えば、L1が訳100ｎｍのとき、L2は1μｍ以上となる。

図３は、蛍光体の配置を説明する図である。蛍光体の塗布部位321〜324の上にブラックマトリクス311〜314を設けることにより、矩形上の発光部位301〜304が形成される。発光部位301〜304以外の範囲は、電子を透過する必要がないので、前記発光部位301〜304以外の範囲に対応する導電膜の膜厚を上記数２により求められるR以上に厚くすることができる。このため、当該部位における導電膜のゲッタの容量を大きくすることができる。膜厚を厚くし過ぎると、電子軌道が曲げられる、もしくは膜厚の厚い部位でアノード基板とカソード基板の間でアーキングが起こる等の不具合が起きる。このため、導電膜の膜厚は、上限が設定される。この膜厚の上限は、導電膜に加える電圧の大きさによって異なるが、蛍光体の発光部位の横方向寸法、もしくは縦方向の寸法縦長とほぼ等しくすることが好ましい。

図４は、図２に示されるように導電膜151の膜厚を部位によって異ならせたときの、電子の軌道の様子を示したものである。図４において、図2と同符号のものは同様の機能を有するものとする。また、図４において、電子軌道561は、フロントガラス140の光放出側面（蛍光体131〜133が形成される面と反対の面）において正しい画像形成が形成されるときの軌道を示し、電子軌道562は、電子線のビーム広がりによって隣接する画素に電子が向かうときの軌道を示す。

導電膜151の第２部分（すなわちカソード基板180(リアガラス110)に向けて凸の部分）の膜厚が、蛍光体の発光部位の横方向寸法、もしくは縦方向寸法と略等しくすれば、導電膜151の作る電場勾配によって、電子軌道561のように蛍光面に垂直に入射する軌道が確保される。また、上記第２部分において導電膜の膜厚を大きくすることで、図４の電子軌道562に示すように、電子線のビーム広がりによって隣接する画素に向かう電子は、導電膜151の厚い部位の角部近傍に接近する。このため、電子軌道562に示されるように、隣接画素に向かう電子は、導電膜151の第２部分における電場によって当該導電膜に引き寄せられ、隣接する画素に到達されない。従って、第２実施形態の構成によれば、ゲッタ効果を大きくすることができるとともに、電子線のビーム広がりによる誤発光を防ぐ効果も期待できる。

以上のように本発明では、電子を加速するための高圧が印加される導電膜（メタルバック）に、ゲッタ作用を持ちかつガス放出が少ない材質を用いている。これによって、FED内部の残留ガスを低減できる。その結果、残留ガスによる電子放出素子の劣化等の不具合を減らし輝度ばらつきの少ない画像形成装置を提供できる。

本発明に係る画像表示装置の第１実施形態を示す図。 本発明に係る画像表示装置の第２実施形態を示す図。 FEDの蛍光体の配置を説明する図。 第２実施形態の効果を説明する図。 本発明が適用される画像表示装置の回路ブロックの一構成例を示す図。

符号の説明

101〜109…電子放出素子、110…リアガラス、120…スペーサー、131〜139…蛍光体、150，151…導電膜、140…フロントガラス、170…アノード基板、180…カソード基板、191〜199…ブラックマトリクスを含む蛍光面の非発光部位、301〜304…蛍光体の発光部位、311…ブラックマトリクス、321〜324…蛍光体の塗布部位。

Claims (13)

1. 画像表示装置において、
   電子を放出する複数の電子放出素子が設けられた第１基板と、
   前記第１基板に対向して配置された、透光性を有する第２基板とを備え、
   前記第２基板は、その前記第１基板と対向する面に設けられ、前記電子放出素子からの電子により発光される複数の蛍光体と、該蛍光体の前記第１基板側に位置し、前記電子放出素子から放出された電子を加速するための高圧が印加される導電膜とを有し、
   前記導電膜は、前記第１基板と第２基板との間に形成された空間内の気体と接する位置に設けられるとともに、該空間内の気体を吸着するように構成されることを特徴とする画像表示装置。
2. 前記導電膜は、前記第１基板と第２基板との間に形成された空間内において、前記複数の蛍光体を覆うように形成されること特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
3. 前記導電膜は、前記電子放出素子からの電子を透過して前記蛍光体へ射出することを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
4. 前記導電膜は、Ti, V, Zr, Ta, Nbの純金属、該純金属の任意の組み合わせにより構成された合金、前記純金属または合金の酸化金属、または前記純金属とBa, Al, Niとの合金を用いて形成されることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
5. 前記導電膜の、該蛍光体の発光部位以外の部位に対向する位置の膜厚が、前記蛍光体の発光部位に対向する位置の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
6. 画像表示装置において、
   電子を放出する複数の電子放出素子が設けられた第１基板と、
   前記第１基板に対向して配置された、透光性を有する第２基板とを備え、
   前記第２基板は、その前記第１基板と対向する面に前記各電子放出素子に対応して設けられた複数の蛍光体と、該蛍光体の前記第１基板側に位置し、該複数の蛍光体を覆うように形成されるとともに、前記電子放出素子から放出された電子を加速するための高圧が印加される導電膜とを有し、
   前記導電膜は、前記第１基板と第２基板との間に形成された空間内の気体と接する位置に設けられるとともに、ゲッタ作用を有することを特徴とする画像表示装置。
7. 前記導電膜は、前記電子放出素子からの電子により前記ゲッタ作用が活性化されることを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
8. 前記導電膜の、該蛍光体の発光部位以外の部位に対向する第１位置の膜厚が、前記蛍光体の発光部位に対向する第２位置の膜厚よりも厚くすることにより、前記第１位置の導電膜におけるゲッタ効果を、前記第１位置の導電膜よりも大きくしたことを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
9. 画像表示装置において、
   電子を放出する複数の電子放出素子が設けられた第１基板と、
   前記第１基板に対向して配置された、透光性を有する第２基板とを備え、
   前記第２基板は、その前記第１基板と対向する面に前記各電子放出素子に対応して設けられた複数の蛍光体と、該蛍光体の前記第１基板側に位置し、該複数の蛍光体を覆うように形成されるとともに、前記電子放出素子から放出された電子を加速するための高圧が印加される導電膜とを有し、
   前記導電膜は、前記第１基板と第２基板との間に形成された空間内の気体と接する位置に設けら、かつTi, V, Zr, Ta, Nbの純金属、該純金属の任意の組み合わせにより構成された合金、前記純金属または合金の酸化金属、または前記純金属とBa, Al, Niとの合金を用いて形成されることを特徴とする画像表示装置。
10. 前記導電膜の、該蛍光体の発光部位以外の部位に対向する第１位置の膜厚が、前記蛍光体の発光部位に対向する第２位置の膜厚よりも厚くしたことを特徴とする請求項９に記載の画像表示装置。
11. 前記第１位置における前記導電膜の膜厚を下記数2で求められるＲ以下とし、かつ前記第２位置における前記導電膜の膜厚を前記Ｒ以上にすることを特徴とする請求項１０に記載の画像表示装置。
    但し、数２において、ρは前記導電膜を構成する物質の固定密度、Ａは、前記導電膜を構成する物質の分子量、Ｚは、前記導電膜を構成する物質の原子番号、Ｅ_０は、前記導電膜へ入射される電子の初期エネルギーである。
    

    
12. 画像表示装置において、
    電子を放出する複数の電子放出素子が設けられた第１基板と、
    前記第１基板に対向して配置された、透光性を有する第２基板とを備え、
    前記第２基板は、その前記第１基板と対向する面に設けられ、前記電子放出素子からの電子により発光される複数の蛍光体と、該蛍光体の前記第１基板側に位置し、前記電子放出素子から放出された電子を加速するための高圧が印加される導電膜とを有し、
    前記導電膜の、該蛍光体の発光部位以外の部位に対向する第１位置の膜厚が、前記蛍光体の発光部位に対向する第２位置の膜厚よりも厚くしたことを特徴とする画像表示装置。
13. 前記第１位置における導電膜が、前記第１基板に向けて凸の形状を為すことを特徴とする請求項１０に記載の画像表示装置。
    
    

Images