TWI418891B

TWI418891B - 光源裝置與背光模組

Info

Publication number: TWI418891B
Application number: TW96147952A
Authority: TW
Inventors: Yi Ping Lin; Jung Yu Li; Shih Pu Chen; Wei Chih Lin; Lian Yi Cho
Original assignee: Ind Tech Res Inst
Priority date: 2007-03-02
Filing date: 2007-12-14
Publication date: 2013-12-11
Also published as: TW200837456A

Description

光源裝置與背光模組

本發明是有關於一種光源裝置，且特別是有關於一種可用於液晶背光模組的平面光源裝置。

在日常生活中光源裝置的使用非常廣泛。傳統的光源裝置例如燈泡是藉由燈絲於通電後由於高溫而產生可見光源。此種燈泡式之光源基本上是點狀的。後續管狀之光源也接著被發展出來。經過長時間的研發與改變，平面光源的裝置亦被提出，並廣泛使用於平面顯示器上。

有許多種機制可產生光源。圖1繪示傳統平面光源裝置機制的剖面示意圖。請參閱圖1，此發光機制是藉二電極結構100、102與電源106連接，在一操作電壓下產生電場，並利用氣體放電，又稱為電漿放電(Plasma Discharge)方式促使氣體104被游離以產生電子110。電子110被電場加速且撞擊到在電極結構102上對應紅、綠、藍的螢光層108a、108b、108c。由於螢光層的作用產生可見光112而射出。於此，電極結構100是出光面，其一般是採用由玻璃基板以及銦錫氧化物(ITO)的透明導電層所組成的透光材料。

另一種光源的產生機制是場發射(Field Emission)機制如圖2所示。圖2繪示另一傳統平面光源裝置機制的剖面示意圖。傳統平面光源裝置包括一玻璃基板120、一陰極結構層122、多個圓錐形導電體124、一閘層126、一陽極結構層128與一螢光層130。陰極結構層122設置在玻璃基板120上。在陰極結構層122上設置有多個圓錐形導電體124。在圓錐形導電體124上設置有一閘層126(Gate layer)。在閘層126上對應圓錐形導電體124有多個孔洞。陽極結構層128有透明陽極層設置在一玻璃基板上。另外，螢光層130設置在陽極結構層128上。藉由陰陽極之間的高電場使電子132從圓錐形導電體124的尖端逸出，經電場加速後撞擊在螢光層130上使其發出可見光。

上述兩種傳統發光機制各有優缺點。氣體放電的方式容易產生且結構簡單，但是缺點是其過程需要產生電漿因此很耗電。場發射的光源是冷光源的一種，其原理類似因極射線管(CRT)，藉由陰陽極之間的高電場使電子由陰極逸出，之後撞擊在塗佈於陽極上的螢光粉使其發亮。其優點是亮度高且較省電，又容易做成平面結構，而缺點是須在陰極上成長或塗佈均勻的發射(Emission)材料，例如需要形成有針狀(spindle)結構，或是要使用奈米碳管。此種平面型之螢光燈需要利用支架將陰陽極隔開，同時需要仔細調整陰陽極之間的垂直距離。由於可容許誤差很小，在大面積的應用上將增加許多結構設計與良率的成本考量，整體發光亮度的均勻性也很難控制。另外，真空的封裝也是問題之一。

本發明提供一種光源裝置，可在無須要求很高的真空度下容易地製造成一平面光源，並且具有較佳亮度與發光效率，且可以在較低工作電壓運作。

本發明提供一被光源模組，是利用上述光源裝置達成。

本發明提出一種光源裝置，包括：一陰極結構，具有透光特性，做為一出光面。一陽極結構，位於陰極結構對向，具有光反射特性。一螢光層位於陰極結構與陽極結構之間。一低壓氣體層，填充於陰極結構與陽極結構之間，而低壓氣體層具有誘導陰極均勻發射電子的作用。其中低壓氣體層有一大的電子平均自由路徑，允許電子在一操作電壓下可直接撞擊該螢光層，以產生所要的光。

本發明又提出一種光源裝置，包括陰極結構，具有透光特性；一陽極結構，位於陰極結構對向，具有透光特性。一放電層位於陰極結構與陽極結構的至少其中之一上。一螢光層位於陰極結構與陽極結構之間。一低壓氣體層，填充於陰極結構與陽極結構之間，且低壓氣體層具有誘導陰極均勻發射電子作用。低壓氣體層有一大的電子平均自由路徑，使電子在一操作電壓下可直接撞擊該螢光層。

本發明又提出一種一種背光源裝置，包括至少一電源控制器，提供至少一操作電壓；以及一發光單元，包括至少一發光面板，該發光面板受該操作電壓控制。其中該發光面板包括：一陰極結構；一陽極結構，位於該陰極結構對向；一螢光層，位於該陰極結構與該陽極結構之間；以及一低壓氣體層，填充於該陰極結構與該陽極結構之間。該低壓氣體層具有誘導陰極均勻發射電子的作用，其中該低壓氣體層有一大的電子平均自由路徑，使電子在一操作電壓下可直接撞擊該螢光層。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

以下舉一些實施例，用以舉例說明本發明的特徵，但是本發明不受限於所舉的這些實施例。

第一實施例

圖3所繪示是根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。請參閱圖3，光源裝置包括一陰極結構302a、一陽極結構304a、一螢光層306、一二次電子產生層308與一低壓氣體層310。

陰極結構302a的材質為玻璃基板上蒸鍍金屬層或透明導電材料。陽極結構304a位於陰極結構302a的對向。陽極結構304a為透光結構，其材質例如是銦錫氧化物(ITO)、氟摻雜氧化錫(FTO)或其他透明導電氧化層(TCO)材料。陰極結構302a與陽極結構304a基本上例如可以包括一基板以及基板上的電極層。陰極結構302a與陽極結構304a之實際結構可以依實際設計而變化，此為一般習此技藝者可以瞭解，在此不繼續描述。

螢光層306配置在陰極結構302a與陽極結構304a之間，一般例如配置在陽極結構304a上。

二次電子產生層308配置在陰極結構302a上。二次電子產生層308的材料可以是氧化鎂(MgO)、氧化鋱(Tb₂ O₃ )、氧化鑭(La₂ O₃ )或氧化鈰(CeO₂ )等。

低壓氣體層310配置在陰極結構302與陽極結構304之間，其中填入低壓氣體，例如是在8×10^－1 ~1×10^－3 torr的範圍內，其例如使電子平均自由路徑約大於5 mm。

在一實施例中，圖3所示之光源裝置更包括一邊壁結構312，其將陰極結構302a與陽極結構304a隔離一距離，同時也封閉出低壓氣體層310，以填入低壓氣體。

本發明實施例利用稀薄氣體使電子輕易導出以均勻產生足夠量的電子320，又利用場發射的機制，允許被游離的電子320撞擊螢光層306，以產生所要的光。由於在氣體中有游離的正離子322會撞擊二次電子產生層308，當正離子撞擊二次電子產生層308時可產生額外的二次電子324來撞擊螢光層306進而增加發光效率。

在本實施例中，陽極結構304a是透光結構，因此，當電子320撞擊螢光層306時，所產生的光330會穿過陽極結構304a，此種光源裝置又稱為穿透式光源裝置。此外，在穿透式光源裝置中，陰極結構302a可為具有高反射性的金屬，其可提高反射率並增加亮度與發光效率。

要注意的是，所填入的氣體是用來誘導陰極均勻發射電子之用，因此選用的氣體無特殊需求，故可以是各類氣體或混合氣體。使用的氣體例如大氣(atmospheric air)、氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氫(H₂ )、二氧化碳(CO₂ )等。由於填入的氣體是屬低~中度真空，因此其平均電子自由路徑足夠大，使電子在電場下可直接撞擊螢光層306的材料上，以發出所要的光。

圖3之實施例可以另一形式來實施，如圖4所示。圖4所繪示是根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。請參閱圖4，光源裝置包括一陰極結構302b、一陽極結構304b、一螢光層306、一二次電子產生層308、一低壓氣體層310、一邊壁結構312與一反射層314。

圖4所示之光源裝置是類似於與圖3所示之光源裝置。兩者不同之處在於，圖4所示的光源裝置更包括一反射層314，其配置在陽極結構304b與螢光層306之間。再者，陰極結構302b是透光結構，其材質例如是銦錫氧化物、氟摻雜氧化錫或其他透明導電氧化層材料。陽極結構304b為可透光或不透光的材料。

當利用氣體放電機制所產生的電子320以及正離子322撞擊二次電子產生層308所產生額外的二次電子324撞擊螢光層306時，所產生的光330會由反射層314反射穿過陰極結構302b，此種光源裝置又稱為反射式光源裝置。此外，在反射式光源裝置中，陽極結構304b為玻璃上蒸鍍透明導電材料，而反射層314可為高反射性的金屬或高反射金屬蒸鍍高反射光學膜，其可提高反射率並增加亮度與發光效率。

第二實施例

圖5所繪示是根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。請參閱圖5，光源裝置包括一陰極結構402a、一陽極結構404a、一螢光層406、一放電層408與一低壓氣體層410。

陰極結構402a的材質為玻璃基板上蒸鍍金屬層或透明導電材料。陽極結構404a位於陰極結構402a的對向。陽極結構404a為透光結構，其材質例如是銦錫氧化物、氟摻雜氧化錫或其他透明導電氧化層材料。陰極結構402a與陽極結構404a基本上例如可以包括一基板以及基板上的電極層。陰極結構402a與陽極結構404a之實際結構可以依實際設計而變化，此為一般習此技藝者可以瞭解，在此不繼續描述。

螢光層406配置在陰極結構402a與陽極結構404a之間，一般例如配置在陽極結構404a上。

放電層408配置在陰極結構402a上。放電層408的材料可以是金屬、奈米碳管、奈米碳壁、奈米碳材、柱狀氧化鋅(ZnO)、氧化鋅薄膜等易放電材料。

低壓氣體層410配置在陰極結構402a與陽極結構404a之間，其中填入低壓氣體，例如是在8×10^－1 ~1×10^－3 torr的範圍內，其例如使電子平均自由路徑約大於5 mm。

在一實施例中，光源裝置更包括一邊壁結構412，其將陰極結構402a與陽極結構404a隔離一距離，同時也封閉出低壓氣體層410，以填入低壓氣體。

本發明利用稀薄氣體使電子輕易導出，均勻產生足夠量的電子420，又利用高電壓，允許被游離的電子420撞擊螢光層406，以產生所要的光。在本實施例中，由於放電層408是易放電材料，所以可降低工作電壓。

在本實施例中，陽極結構404a是透光結構，其材質例如是銦錫氧化物、氟摻雜氧化錫或其他透明導電氧化層材料。因此，當電子420撞擊螢光層406時，所產生的光430會穿過陽極結構404a，此種光源裝置又稱為穿透式光源裝置。此外，在穿透式光源裝置中，陰極結構402a可為具有較佳高反射性的金屬，其可提高反射率並增加亮度與發光效率。

要注意的是，所填入的氣體是用來誘導陰極均勻發射電子之用，因此選用的氣體無特殊需求，可以是各類氣體或混合氣體。使用的氣體例如大氣、氦、氖、氬、氪、氙、氫、二氧化碳等。由於填入的氣體是中~低度真空，因此其平均電子自由路徑足夠大，使電子在電場加速下可直接撞擊螢光層406的材料上，以發出所要的光。

圖5之實施例可以另一形式來實施，如圖6所示。圖6所繪示是根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。圖6所示光源裝置之結構與功能是類似於圖5所示光源裝置之結構與功能，因此不再重複說明。請參閱圖6，圖6之光源裝置與圖5之光源裝置不同之處在於，放電層408配置在陽極結構404a與螢光層406之間。

圖5之實施例可以另一形式來實施，如圖7所示。圖7所繪示是根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。圖7所示光源裝置之結構與功能是類似於圖5所示光源裝置之結構與功能，因此不再重複說明。請參閱圖7，圖7之光源裝置與圖5之光源裝置不同之處在於，放電層408分別配置在陰極結構402a上以及陽極結構404a與螢光層406之間。

圖5之實施例可以另一形式來實施，如圖8所示。圖8所繪示是根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。請參閱圖8，光源裝置包括一陰極結構402b、一陽極結構404b、一螢光層406、一放電層408、一低壓氣體層410、一邊壁結構412與一反射層414。

圖8所示之光源裝置是類似於與圖5所示之光源裝置。兩者不同之處在於，圖8所示的光源裝置更包括一反射層414，其配置在陽極結構層上。再者，陰極結構402b是透光結構，其材質例如是銦錫氧化物、氟摻雜氧化錫或其他透明導電氧化層材料。陽極結構404b為可透光或不透光的材料。

當電子420撞擊螢光層406時，所產生的光430會由反射層414反射穿過陰極結構402b，此種光源裝置又稱為反射式光源裝置。在反射式光源裝置中，陽極結構404b較佳為具有高反射性的金屬，其可提高反射率並增加亮度與發光效率。

圖8之實施例可以另一形式來實施，如圖9所示。圖9所繪示是根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。圖9所示光源裝置之結構與功能是類似於圖8所示光源裝置之結構與功能，因此不再重複說明。請參閱圖9，圖9之光源裝置與圖8之光源裝置不同之處在於，放電層408配置在反射層414與螢光層406之間。

圖8之實施例可以另一形式來實施，如圖10所示。圖10所繪示是根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。在本實施例中，圖10所示光源裝置之結構與功能是類似於圖8所示光源裝置之結構與功能，因此不再重複說明。請參閱圖10，圖10之光源裝置與圖8之光源裝置不同之處在於，放電層408分別配置在陰極結構402b上以及反射層414與螢光層406之間。

前述的一些實施例，如果有配合光反射的機制，因此出光面是單面。然而，如果不採用光反射的機制，則當選擇陰極結構與陽極結構例如都藉由透明導電材料，達成二者都是光穿透的特性，則可以達到雙面出光的效果。雖然光強度較弱，但是出光面是雙面。而如果在任一出光面的外部加設一反射層，也可以改變成單一出光面。例如，透明基板的一面是透明電極結構，另一面設置有反射層，例如是蒸鍍金屬反射層。

第三實施例

進一步而言，利用上述的光源裝置可以製作成顯示器用的背光模組。圖11繪示依據本發明實施例，一背光模組結構示意圖。參閱圖11，本發明實施例的背光模組是架構在前述的發光裝置上所組成的發光面板1100，其操作電壓由電源控制器1102來提供。另外，例如也可以再增加一散熱機構1104，設置在發光面板1100的背後。由於本發明的發光裝置容易製成大面積的平面光源，因此，相對也簡化背光模組的結構與操作，且增加發光效率。

另外依據背光模組的需要，可以再增加一片增亮膜(BEF，Brightness Enhance Film)或是反射式增亮膜(DBEF，Dual BEF，以增加光的方向性與亮度。圖12繪示依據本發明實施例，另一背光模組結構示意圖。以圖11的結構為基礎，例如在發光面板1100的出光面設置增亮光學膜1106。增亮光學膜1106例如包括BEF或是DBEF。另外，如果需要的話可以再增加其他的光學膜片，其例如在置增亮光學膜1106與發光面板1100之間再增加一擴散模組，使發光強度均勻。

上述實施例的發光模組是以單一發光面板所形成的。然而，發光模組也可以是由多個發光面板單元組成陣列結構。圖13繪示依據本發明實施例，另一背光模組結構示意圖。參閱圖13，發光模組1101例如是由多個發光面板單元1100a、1100b、1100c...所組成，其更例如是以陣列方式組成。分別的發光面板單元1100a、1100b、1100c例如可由不同的電源控制器1102a、1102b、1102c...所控制。於此實施例，由於光源是多個發光面板單元所組成，原始的發光強度會不均勻，因此配合擴散模組1108的使用，使光源混合均勻。接著再利用增亮光學膜1106，使擴散的光盡量往出光面射出，提高光亮度。

另外，為增加發光強度，例如也可以利用多個發光面板單元堆疊而成。另外，當做為背光模組使用時，為了有單一出光面，例如在最外背面可以形成一反射面，更例如利用電極本身達成或是另增一反射層達到反射效果。

綜上所述，本發明第一實施例所提出的光源裝置具有二次電子產生層。由於在氣體中有游離的正離子會撞擊陰極，因此當正離子撞擊陰極結構上的二次電子產生層時可產生額外的二次電子進而增加發光效率。

本發明第二實施例所提出的光源裝置在其陰極結構與陽極結構上皆可配置放電層來降低工作電壓。

本發明第三實施例，利用上述的實施例組成背光模組，以提升背光模組的效能。

本發明之光源裝置可應用於液晶顯示(liquid crystal display,LCD)背光模組上。此光源裝置可增加發光強度與發光均勻性，並且進而省略使用冷陰極螢光燈(Cold Cathode Fluorescence Lamp,CCFL)所需之導光板與擴散片等成本。本發明之光源裝置結合電漿與場發射兩種光源的優點。本發明之光源裝置利用稀薄氣體誘導陰極均勻發射電子特性，將電子從陰極結構中輕易導出，此可避免場發射光源陰極製作困難的缺點。

本發明之光源裝置乃針對目前之個人電腦、家用電視、車用電視或其他相關用途之薄型LCD背光模組用途之器件，此種形式之場發射發光裝置具有節省能、響應時間短、高發光效率、容易製造、環保(不含汞)等優點。

相較於傳統之場發射光源裝置，本發明之光源裝置因陰極結構只需為平面金屬或導電薄膜結構，不需特別處理，也可不配置任何材料，所以結構較為簡單。再者，本發明不需進行高真空封裝，可簡化生產製程並有利於大面積生產。穿透式結構中之陰極金屬結構/高反射材料與反射式結構中之陽極金屬結構/高反射材料將可提高反射率並增加亮度與發光效率。

本發明所發出的光波長視螢光粉種類而定，可因應照明或顯示器等不同用途設計不同波長範圍的光源或背光模組。本發明可設計平面或曲面型的背光模組。在本發明中，反射式之反射層可避免光導現象，進而增加亮度與發光效率，若配合接地的電路設計，還可消除螢光粉中的電荷累積。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、102．．．電極結構

104．．．氣體

106．．．電源

108a、108b、108c．．．螢光層

110．．．電子

112．．．可見光

120．．．玻璃基板

122．．．陰極結構層

124．．．圓錐形導電體

126．．．閘層

128．．．陽極結構層

130．．．螢光層

132．．．電子

302a、302b．．．陰極結構

304a、304b．．．陽極結構

306．．．螢光層

308．．．二次電子產生層

310．．．低壓氣體層

312．．．邊壁結構

314．．．反射層

320．．．電子

322．．．正離子

324．．．二次電子

330．．．光

402a、402b．．．陰極結構

404a、404b．．．陽極結構

406．．．螢光層

408．．．放電層

410．．．低壓氣體層

412．．．邊壁結構

414．．．反射層

420．．．電子

430．．．光

1100、110a、110b、110c．．．發光面板

1101．．．發光模組

1102、1102a、1102b、1102c．．．電源控制器

1104．．．散熱機構

1106．．．增亮光學膜

1108．．．擴散模組

圖1繪示傳統平面光源裝置機制的剖面示意圖。

圖2繪示另一傳統平面光源裝置機制的剖面示意圖。

圖3繪示根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。

圖4繪示根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。

圖5繪示根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。

圖6繪示根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。

圖7繪示根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。

圖8繪示根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。

圖9繪示根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。

圖10繪示根據本發明一實施例之光源裝置的剖面示意圖。

圖11繪示依據本發明實施例，一背光模組結構示意圖。

圖12－13繪示依據本發明實施例，另一背光模組結構示意圖。

302a‧‧‧陰極結構

304a‧‧‧陽極結構

306‧‧‧螢光層

308‧‧‧二次電子產生層

310‧‧‧低壓氣體層

312‧‧‧邊壁結構

320‧‧‧電子

322‧‧‧正離子

324‧‧‧二次電子

330‧‧‧光

Claims

一種光源裝置，包括：多個發光面板構成一堆疊結構，其中該些發光面板的每一個包括：一陰極結構，具有透光特性，做為一出光面；一陽極結構，位於該陰極結構對向，具有透光特性；一螢光層，位於該陰極結構與該陽極結構之間；以及一低壓氣體層，填充於該陰極結構與該陽極結構之間，該低壓氣體層具有誘導陰極均勻發射電子的作用，其中該低壓氣體層的範圍氣壓是8x10^-1 ~10^-3 torr，在該氣壓範圍下，該低壓氣體層中游離的電子在一操作電壓下可直接撞擊該螢光層，以產生所要的光。
如申請專利範圍第1項所述之光源裝置，其中該陰極結構更包括二次電子產生層。
如申請專利範圍第2項所述之光源裝置，其中該二次電子產生層的材料包括氧化鎂(MgO)、氧化鋱(Tb₂ O₃ )、氧化鑭(La₂ O₃ )或氧化鈰(CeO₂ )。
如申請專利範圍第1項所述之光源裝置，更包括一邊壁結構，用以將該陰極結構與該陽極結構隔開，且構成一密閉空間以構成該低壓氣體層。
如申請專利範圍第1項所述之光源裝置，更包一二次電子產生層，位於在該陰極結構上。
如申請專利範圍第1項所述之光源裝置，其中該陽極結構包括一電極層與一光反射層。
如申請專利範圍第1項所述之光源裝置，其中該陽極結構是金屬材料，同時具有光反射特性。
一種光源裝置，包括：多個發光面板構成一堆疊結構，其中該些發光面板的每一個包括：一陰極結構，具有透光特性；一陽極結構，位於該陰極結構對向，具有透光特性；一放電層，位於該陰極結構與該陽極結構的至少其中之一上；一螢光層，位於該陰極結構與該陽極結構之間；以及一低壓氣體層，填充於該陰極結構與該陽極結構之間，該低壓氣體層具有誘導陰極均勻發射電子作用，其中該低壓氣體層的氣壓範圍是8x10^-1 ~10^-3 torr，在該氣壓範圍下，該低壓氣體層中游離的電子在一操作電壓下可直接撞擊該螢光層。
如申請專利範圍第8項所述之光源裝置，其中該放電層位於該陰極結構上。
如申請專利範圍第8項所述之光源裝置，其中該放電層位於該陽極結構上。
如申請專利範圍第8項所述之光源裝置，其中該放電層位於該陰極結構以及該陽極結構上。
如申請專利範圍第8項所述之光源裝置，其中放電層包括二次電子產生層。
如申請專利範圍第12項所述之光源裝置，其中該容易放電的材料包括金屬。
如申請專利範圍第12項所述之光源裝置，其中該容易放電的材料包括奈米碳管、奈米碳壁或奈米碳材。
如申請專利範圍第12項所述之光源裝置，其中該容易放電的材料包括柱狀氧化鋅(ZnO)或氧化鋅薄膜。
如申請專利範圍第8項所述之光源裝置，更包括一邊壁結構，用以將該陰極結構與該陽極結構隔開，且構成一密閉空間以構成該低壓氣體層。
如申請專利範圍第8項所述之光源裝置，更包括一反射層，位於該螢光層與該陽極結構之間。
一種背光源裝置，包括：至少一電源控制器，提供至少一操作電壓；以及一發光單元，包括至少一發光面板，該發光面板受該操作電壓控制，其中該發光面板包括：一陰極結構；一陽極結構，位於該陰極結構對向；一螢光層，位於該陰極結構與該陽極結構之間；以及一低壓氣體層，填充於該陰極結構與該陽極結構之間，該低壓氣體層具有誘導陰極均勻發射電子的作用，其中該低壓氣體層的氣壓範圍是8x10^-1 ~10^-3 torr，在該氣壓範圍下，該低壓氣體層中游離的電子在一操作電壓下可直接撞擊該螢光層，其中該至少一發光面板，是由多個發光面板構成一堆疊結構。
如申請專利範圍第18項所述之背光源裝置，更包括一散熱機構，配置在該發光面板的一背面。
如申請專利範圍第18項所述之背光源裝置，更包括一增亮光學膜，直接配置在該發光面板的一出光面的表面上。
如申請專利範圍第18項所述之背光源裝置，其中該發光面板更包括一二次電子產生層，位於在該陰極結構上。
如申請專利範圍第18項所述之背光源裝置，其中該發光面板更包括一放電層，位於該陰極結構與該陽極結構的至少其中之一上。
如申請專利範圍第18項所述之背光源裝置，其中該發光單元包括多個該發光面板。
如申請專利範圍第18項所述之背光源裝置，更包括一增亮光學膜，配置在該發光面板的出光面的一邊的上方。
如申請專利範圍第24項所述之背光源裝置，更包一擴散模組，在該些發光面板與該增亮光學膜之間。
如申請專利範圍第18項所述之背光源裝置，其中該陰極結構與該陽極結構之其一具有光穿透性，而另其一具有光反射性。
如申請專利範圍第18項所述之背光源裝置，其中該至少一發光面板是由多個發光面板組成一陣列，分別發光構成一發光面。