KR20050051204A - 플라즈마 평판 램프 - Google Patents

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KR20050051204A
KR20050051204A KR1020030084958A KR20030084958A KR20050051204A KR 20050051204 A KR20050051204 A KR 20050051204A KR 1020030084958 A KR1020030084958 A KR 1020030084958A KR 20030084958 A KR20030084958 A KR 20030084958A KR 20050051204 A KR20050051204 A KR 20050051204A
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김기영
정경민
김영모
장상훈
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삼성전자주식회사
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Abstract

플라즈마 평판 램프에 관해 개시된다. 램프는: 방전용기 내의 방전 공간 내에 수용되는 방전가스; 방전공간 내에 가스 방전을 일으키는 적어도 2 개의 전극; 전극 간의 방전 경로 상에 위치하여 방전시 발생된 가스 이온이 충돌하는 저일함수 물질층;그리고, 상기 방전용기의 내에서 상기 방전시 발생하는 자외선에 의해 가시광선을 발생하는 형광체층;을 포함한다. 플라즈마 평판 램프는 이온이 충돌하는 저일함수물질층에 의해 구동전압이 낮추어 지고, 그리고 저일함수물질층에 의한 자외선의 흡수를 구조적으로 억제함으로써 광효율이 높다.

Description

플라즈마 평판 램프{Plasma flat lamp}
본 발명은 플라즈마 평판 램프에 관한 것으로서 상세히는 휘도와 발광 효율이 보다 높고 휘도 분포가 보다 균일화된 플라즈마 평판 램프에 관한 것이다.
주로 LCD(Liquid Crystal Display)의 백라이트(back-light)로 개발되고 있는 평판 램프는, 과거의 냉음극 형광램프(cold cathode fluorescent lamp)를 이용한 에지-라이트(edge-light) 또는 다이렉트-라이트(direct-light) 방식으로부터 발광 효율, 발광 휘도의 균일도(uniformity) 등을 고려하여, 발광면 하부 전체가 방전 공간이 되는 면방전형 또는 대향 방전형 플라즈마 램프의 형태로 발전되었다.
미국특허 공개번호 US-2003-0098643-A1(한국특허출원번호 2001-0073017호)는 여러가지 형태의 방전구조의 문제점 및 이를 개선하기 위한 방법을 개시한다. 플라즈마 램프의 발광효율의 향상과 저전력구동기술개발은 성능향상과 제품단가 절감을 위한 중요한 과제이다. 일반적으로 면방전형 플라즈마 램프는 대향방전형에 비해 방전 특성이 안정된 잇점을 가지나 전체적인 휘도는 대향방전형에 비해 떨어진다. 방전효율을 높이기 위한 일반적인 방법은 방전간격을 확대하는 것이다. 이러한 방전간격의 확대는 방전공간의 크기에 의해 제한된다. 방전효율 향상을 위한 다른 방안은 방전가스, 예를 들어 Ne-Xe의 전체압력(total gas pressure)을 높이거나 Xe의 분압을 높이는 것이다. 그러나, 전체압력과 Xe의 분압이 높아지면 높은 방전전압을 요구된다. 이러한 방전전압의 상승은 램프의 수명을 단축시킬 뿐 아니라 램프를 구동하는 드라이버의 제작비용을 상승시킨다.
본 발명은 발광효율이 높으면서도 동작전압이 낮추어진 플라즈마 평판램프를 제공한다.
따라서, 본 발명은 수명이 연장되고 제작단가가 감소된 플라즈마 평판램프를 제공한다.
본 발명에 따르면,
소정간격을 유지하여 방전가스가 수용되는 방전공간을 형성하는 제1판과 제2판을 구비하는 방전용기와;
상기 방전용기 내의 방전 공간 내에 수용되는 방전가스;
상기 방전용기에 형성되어 상기 방전공간 내에 가스 방전을 일으키는 적어도 2 개의 전극;
상기 방전용기의 내에서 상기 가스 방전시 발생하는 자외선에 의해 가시광선을 발생하는 형광체층; 그리고
상기 전극 간의 방전 경로 상에 위치하여 방전시 발생된 가스 이온이 충돌하는 저일함수 물질층;을 포함하는 플라즈마 평판램프가 제공된다.
본 발명의 다른 유형에 따르면,
소정간격을 유지하여 방전가스가 수용되는 방전공간을 형성하는 제1판과 제2판;
상기 방전 공간 내에 수용되는 방전가스;
상기 제1판의 내면에 형성되는 적어도 2 개의 전극;
상기 제1판의 내면에 형성되며 상기 전극을 덮는 유전체층;
상기 유전체층 위에서 적어도 상기 전극에 대응하는 부위에 형성되는 저일함수 물질층;그리고,
적어도 상기 유전체층 위에 형성되며 상기 저일함수물질층가 형성되지 않은 부분에 형성되어 상기 저일함수 물질층을 방전공간으로 노출을 허용하는 형광체층;을 포함하는 플라즈마 평판램프가 제공된다.
상기 두번째 유형의 램프에 있어서, 상기 형광체층은 상기 유전체층과 상기 저일함수물질층의 사이의 영역으로 확장되거나, 상기 저일함수물질층은 상기 유전체층 위에 전면적으로 형성된다.
본 발명의 또 다른 유형에 따르면,
소정간격을 유지하여 방전가스가 수용되는 방전공간을 형성하는 제1판과 제2판;
상기 방전 공간 내에 수용되는 방전가스;
상기 제1판의 내면에 형성되는 적어도 2 개의 전극;
상기 제1판의 내면에 형성되며 상기 전극을 덮는 유전체층;
상기 유전체층의 상부에 형성되는 형광체층; 그리고
상기 유전체층 위에 80 ~ 200 Å의 두께로 형성되는 저일함수 물질층; 을 포함하는 플라즈마 평판램프가 제공된다.
본 발명의 구체적인 실시예들에 따르면, 상기 전극들은 상기 용기의 내면 또는 외면에 형성되며, 보다 구체적으로는 상기 용기의 부품인 제1판과 제2판 중의 적어도 어느 하나의 내면 또는 외면에 형성된다.
본 발명의 구체적인 다른 실시예에 따르면, 상기 저일함수 물질층은 상기 형광체층의 저부 또는 상부에 마련되며, 바람직하게는 상기 형광체층은 상기 방전경로에 대응하는 부분을 벗어난 부분에 형성된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 플라즈마 평판 램프의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1를 참조하면, 평판램프의 용기의 한 부품인 제1판(10a) 상에 구동전원(16)에 연결되는 전극(11, 12)이 형성되고, 상기 전극(11, 12) 위에는 유전체층(13)이 형성되어 있다. 그리고 유전체층(13) 위에 형광체층(14) 및 저일함수물질층(15)이 형성되어 있다. 여기에서, MgO 와 같은 저일함수 물질층(15)은 두 방전전극(11, 12) 사이의 방전경로 상에서 방전시 이온의 충돌에 의해 2차 전자발생 하도록 배치된다. 그리고 이때에 저일함수물질층(15)에 의한 자외선의 흡수를 억제하여 형광체층(14)에 대한 자외선 입사량 감소를 줄이도록 형광체층(14)이 배치된다. 따라서, 상기 저일함수물질층(15)은 방전전극(11, 12) 위의 부분에만 형성되고, 형광체층은 그 나머지 부분에 형성된다. 한편 상기 제1판(10a)에 소정간격을 유지하는 제2판(10b)의 내면에 형광체층(14)이 형성되어 있다.
상기와 같은 구조에 따르면 두 전극(11, 12) 사이에서 가스 방전이 야기될때에 전리종, 즉 이온이 전극(11, 12) 위의 저일함수물질층(15)에 충돌하게 되고 따라서 이로부터 2차전자가 발생함으로써 방전전압의 감소가 가능하게 된다. 한편, 이러한 구조는 질량이 큰 이온의 충격이 형광체층(14)에 대해서는 일어나지 않으며 따라서 이온충격으로부터 형광체층(14)이 보호된다.
도 2를 참조하면, 제1판(10a) 상에 구동전원(16)에 연결되는 전극(11, 12)이 형성되고, 상기 전극(11, 12) 위에는 유전체층(13)이 형성되어 있다. 그리고 유전체층(13) 위에 형광체층(14)이 전면적으로 형성되어 있고, 형광체층(14) 위에 저일함수물질층(15)이 부분적으로 형성되어 있다. 여기에서, MgO 와 같은 저일함수 물질층(15)은 두 방전전극(11, 12) 사이의 방전경로 상에서 방전시 이온의 충돌에 의해 2차 전자발생 하도록 방전전극(11, 12) 위에만 형성된다. 그리고 이때에 저일함수물질층(15)에 의한 자외선의 흡수를 억제하여 형광체층(14)에 대한 자외선 입사량 감소를 방지하도록 전극(11, 12)을 벗어난 부분에는 형성되지 않는다. 상기 제1판(10a)에 소정간격을 유지하는 제2판(10b)의 내면에 형광체층(14)이 형성되어 있다.
상기와 같은 구조에 따르면 두 전극(11, 12) 사이에서 가스 방전이 야기될때에 전리종, 즉 이온이 전극(11, 12) 위의 저일함수물질층(15)에 충돌하게 되고 따라서 이로부터 2차전자가 발생함으로써 방전전압의 감소가 가능하게 된다. 한편, 이러한 구조는 역시 질량이 큰 이온의 충격이 형광체층(14)에 대해서는 일어나지 않으며 따라서 이온충격으로부터 형광체층(14)이 보호된다.
도 3을 참조하면, 평판램프의 용기의 한 부품인 제1판(10a) 상에 구동전원(16)에 연결되는 전극(11, 12)이 형성되고, 상기 전극(11, 12) 위에는 유전체층(13)과 저일함수물질층(15)이 순차적으로 적층되어 있다. 그리고 저일함수물질층(15)의 위에는 형광체층(14)이 형성되며, 이때에 방전전극(11, 12)의 위의 부분에는 형성되지 않는다. 이는 두 방전전극(11, 12) 사이의 방전경로 상에서 방전시 이온이 상기 저일함수물질층(15)에 충돌하여 2차 전자발생이 이루어지도록 하기 위한 것이다. 한편 상기 제1판(10a)에 소정간격을 유지하는 제2판(10b)의 내면에 형광체층(14)이 형성되어 있다.
상기와 같은 구조에 따르면 두 전극(11, 12) 사이에서 가스 방전이 야기될때에 이온이 전극(11, 12) 위의 저일함수물질층(15)에 충돌하게 되고 따라서 이로부터 2차전자가 발생함으로써 방전전압의 감소가 가능하게 된다. 한편, 이러한 구조는 질량이 큰 이온의 충격이 형광체층(14)에 대해서는 일어나지 않으며 따라서 이온충격으로부터 형광체층(14)이 보호된다.
도 4를 참조하면, 제1판(10a) 상에 구동전원에 연결되는 전극(11, 12)이 형성되고, 상기 전극(11, 12) 위에는 유전체층(13)이 형성되어 있다. 그리고 유전체층(13) 위에는 형광체층(14)이 형성되어 있고, 형광체층(14) 위에 저일함수물질층(15)이 형성되어 있다. 여기에서, 형광체층(14) 위에서, 상기 저일함수 물질층(15)은 두 방전전극(11, 12) 사이의 방전 시 이온의 충돌이 일어나는 전극(11, 12) 위에 뿐 아니라 다른 부분의 위에도 형성되어 있다. 이와 같이 형광체층(14) 위의 모든 부분에 형성되게 되면 2차 전자발생에 의해 구동전압의 강하는 유도하지만 형광체층(14) 위에서 상기 저일함수물질층(15)은 자외선을 흡수하여 형광체층(14)에 대한 자외선의 입사량을 감소시킬 수 있다. 이러한 저일함수물질층(15)에 의해 자외선 흡수를 최소화하기 위하여 본 발명에서는 형광체층 위에서 상기 저일함수물질층(15)은 80 내지 200Å 의 두께로 형성된다.
한편, 전술한 유전체층(13)의 기능을 상기 제1판(10a)이 수행할 수 도 있다. 이것은 제1판(10a)의 일측 면에 방전전극(11, 12)이 형성되고 타측면에 형광체층(14) 및 저일함수물질층(15)을 형성되는 구조에 의해 달성된다.
도 5 내지 도 7은 제1판(10a)이 램프의 용기의 한 부품으로서 뿐 아니라 AC 구동을 위한 유전체로서 적용되는 다른 변형실시예를 도시한다.
도 5를 참조하면, 제1판(10a)의 저면에 방전전극(11, 12)이 형성되고, 그 반대편이 상면에 형광체층(14)과 저일함수물질층(15)이 형성된다. 저일함수물질층(15)은 전극(11, 12)의 위에 대응하게 형성되며, 형광체층(14)은 그 나머지 부분에 대응하게 형성된다.
도 6을 참조하면, 제1판(10a)의 저면에 방전전극(11, 12)이 형성되고, 그 반대편이 상면에 저일함수물질층(15)이 전면적으로 형성된다. 그리고 저일함수물질층(15)위에는 형광체층(15)이 형성되는데, 상기 전극(11, 12)의 위에 대응하는 부분에는 형성되지 않고 따라서 저일함수 물질층(15)이 상기 전극(11, 12)에 대응하는 위치에서 노출되어 있다.
도 7을 참조하면, 제1판(10a)의 저면에 방전전극(11, 12)이 형성되고, 그 반대편이 상면에 형광체층(14)이 전면적으로 형성된다. 그리고 형광체층(14)위에서 상기 전극(11, 12)에 대응하는 부분에 저일함수물질층(15)이 형성된다. 따라서 형광체층(15)은 상기 전극(11, 12)에 대응하는 않는 부분에서 노출된다.
도 8a 및 도 8b는 도 7에 도시된 형태의 방전구조를 응용한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판램프를 보인다. 도 8a와 도 8b를 참조하면, 제1판(10a)과 제2판(10b)이 벽체(10c)에 의해 소정 거리 유지하면서 방전 가스가 충전되는 방전공간(10d)을 형성한다.
제1판(10a)의 내면에 저일함수물질층(15)이 형성되어 있고, 그리고, 상기 제1판(10a)의 외측면에 방전전극(11a,11b)가 형성되어 있다. 한편, 상기 제1판(10a)의 내면과 제2판(10b)의 내면에 형광체층(15)이 형성되어 있다. 이때에 제1판(10a)에서 상기 방전전극(11a, 11b)에 대응하는 부위에는 형광체층(14)이 형성되어 있지 않다. 따라서, 상기 방전전극(11a, 11b) 간에 방전이 일어나면 이온들이 방전전극(11a, 11b)에 대응하는 부위에서 방전공간으로 노출되어 있는 저일함수물질층(15)에 충돌할 수 있게 된다.
도 9a 및 도9b는 도 7에 도시된 형태의 방전구조를 응용한 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 평판램프를 보인다. 도 9a와 도 9b를 참조하면, 제1판(10a)과 제2판(10b)이 벽체(10c)에 의해 소정 거리 유지하면서 방전 가스가 충전되는 방전공간(10d)을 형성한다.
제1판(10a)의 내면에 저일함수물질층(15)이 형성되어 있고, 그리고, 상기 제1판(10a)과 제2판(10b)의 외측면에 방전전극쌍(11a,11b)이 각각 형성되어 있다. 한편, 상기 제1판(10a)의 내면과 제2판(10b)의 내면에 형광체층(15)이 형성되어 있다. 이때에 제1판(10a)에서 상기 방전전극(11a, 11b)에 대응하는 부위에는 형광체층(14)이 형성되어 있지 않다.
상기 제1판(10a) 및 제2판(10b)에 형성된 각 전극 쌍의 방전전극(11a, 11b), (11a, 11b)41, 42)들은 방전공간(10d)을 사이에 두고 상호 마주보게 위치하며, 서로 마주보는 제1판(10a)측의 전극(11a)과 제2판(10b)전극(11a)은 상호 동전위를 유지하도록 전기적으로 연결되어 이들 간에는 방전이 유도되지 않는다. 역시 서로 마주보는 제1판(10a)측의 전극(11b)과 제2판(10b)전극(11b)도 동전위를 유지하여 상호간에 방전이 유도되지 않는다.
도 10은 도 9a, 9b에 도시된 바와 같이 제1판(10a)과 제2판(10b)에 대칭적 구조의 전극쌍(11a, 11b)가 마련되는 구조는 가지는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 램프의 개략적 단면도이다. 본 실시예의 램프는 제1판(10a)과 제2판(10b)의 내면에 형광체층(14)이 형성되고, 형광체층(14) 위에 상기 전극쌍(11a, 11b) 들에 대응하는 저일함수물질층(15)이 국부적으로 형성된 구조를 가진다.
상기와 같은 본 발명에 따른 램프의 성능을 검토하기 위한 실험이 실시되었다. Ne-Xe 를 방전가스로 이용하고 가스압력은 152mbar 로 조절하고, 구동 주파수는 20KHz로서 듀티는 20%로 설정되고 전극 형광체층위에 5000Å의 MgO를 형광체층 위에 형성된 샘플과 MgO 가 형성되지 않은 샘플을 실험한 결과, 형광체층에 MgO 가 형성되지 않은 램프의 방전개시전압이 2.76KV 이었으나, 본 발명에 따른 램프는 2.12KV 로서 MgO를 형광체층위에 형성했을 때 그렇지 않은 경우에 비해 약 640KW의 방전개시전압의 감소가 나타났고, 그리고 방전유지전압은 1.72KV에서 1.10KV로 약 620V의 방전유지전압의 감소가 나타났다.
여기에서, 상기한 바와 같이 방전경로를 벗어난 영역에 저일함수물질층(15)이 형성된 경우 이에 의한 자외선의 흡수가 우려된다. 따라서, 도 1 내지 3에 도시된 바와 같이 방전 경로 상에만 저일함수물질층(15)이 형성 또는 노출되도록 하고 그 나머지 부분에서 형광체층(14) 노출되게 하는 것이 바람직하다. 한편으로는 도 4에 도시된 실시예에서와 같이 저일함수물질층(15)에 의한 자외선 흡수를 최소화하기 위하여 상기 한 바와 같이 저일함수물질층(15)의 두께를 80 내지 200Å 범위로 조절하는 것이 바람직하다. 이러한 저일함수물질층(15)의 두께는 흡광계수(extinction coefficient)가 0.3 인 MgO 막에 대한 자외선, 특히 147nm 파장의 VUV(진공자외선)의 투과율을 80%로 설정했을 경우의 값이다.
상기 저일함수물질층(15)은 전술한 바와 같이 MgO로 형성된다. 이러한 저일함수물질층(15)은 MgO 외에 MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 평판 램프는 종래 평판 램프에 비해 낮은 구동전압을 가진다. 이러한 방전전압의 강하에 기여하는 저일함수물질층에 의한 자외선, 특히 진공자외선의 흡수를 방지 또는 억제하기 위하여 방전경로를 벗어난 부분에는 저일함수물질이 형광체층을 가리지 않도록 하여 형광체층으로 자외선이 직접 입사되도록 한다. 그리고 형광체층 위에 저일함수물질층이 존재하는 경우 이의 두께를 최적치로 조절하여 이에 따른 자외선의 손실을 최대한 억제한다.
결과적으로 본 발명에 따르면 구동전압이 낮으면서도 발광효율이 높은 플라즈마 평판램프를 얻을 수 있게 된다. 이러한 평판램프를 광원장치, 예를 들어 LCD용 백라이트 장치로서 적절하다.
이러한 본원 발명의 이해를 돕기 위하여 몇몇의 모범적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었으나, 이러한 실시예들은 단지 넓은 발명을 예시하고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 구조와 배열에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 이는 다양한 다른 수정이 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 평판 램프의 개략적 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 평판 램프의 개략적 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마 평판 램프의 개략적 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4실시예에 따른 플라즈마 평판 램프의 개략적 단면도이다.
도 5는 기판을 유전체층으로 이용하는 본 발명의 제5실시예에 따른 플라즈마 평판 램프의 개략적 단면도이다.
도 6은 기판을 유전체층으로 이용하는 본 발명의 제6실시예에 따른 플라즈마 평판 램프의 개략적 단면도이다.
도 7은 기판을 유전체층으로 이용하는 본 발명의 제7실시예에 따른 플라즈마 평판 램프의 개략적 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 도 7에 도시된 실시예의 구체적인 구조를 보이는 사시도 및 이의 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 도 8a 및 도 8b에 도시된 램프의 응용례로서 양 기판에 대칭적 구조의 전극이 형성된 플라즈마 평판 램프의 개략적 사시도 및 단면도이다.
도 10은 양 기판에 대칭적 구조의 전극이 형성된 플라즈마 평판 램프의 또 다른 응용례의 개략적 단면도이다.

Claims (8)

  1. 소정간격을 유지하여 방전가스가 수용되는 방전공간을 형성하는 제1판과 제2판을 구비하는 방전용기;
    상기 방전용기 내의 방전 공간 내에 수용되는 방전가스;
    상기 방전용기에 형성되어 상기 방전공간 내에 가스 방전을 일으키는 적어도 2 개의 전극;
    상기 전극 간의 방전 경로 상에 위치하여 방전시 발생된 가스 이온이 충돌하는 저일함수 물질층;그리고,
    상기 방전용기의 내에서 상기 방전시 발생하는 자외선에 의해 가시광선을 발생하는 형광체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 평판램프.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 저일함수 물질층은 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 평판램프.
  3. 소정간격을 유지하여 방전가스가 수용되는 방전공간을 형성하는 제1판과 제2판;
    상기 방전 공간 내에 수용되는 방전가스;
    상기 제1판의 내면에 형성되는 적어도 2 개의 전극;
    상기 제1판의 내면에 형성되며 상기 전극을 덮는 유전체층;
    상기 유전체층 위에서 적어도 상기 전극에 대응하는 부위에 형성되는 저일함수 물질층;그리고,
    적어도 상기 유전체층 위에 형성되며 상기 저일함수물질층가 형성되지 않은 부분에 형성되어 상기 저일함수 물질층을 방전공간으로 노출을 허용하는 형광체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 평판램프.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 저일함수 물질층은 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 평판램프.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 유전체층과 상기 저일함수물질층의 사이의 영역으로 확장되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 평판 램프.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 저일함수물질층은 상기 유전체층 위에 전면적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 평판 램프.
  7. 소정간격을 유지하여 방전가스가 수용되는 방전공간을 형성하는 제1판과 제2판;
    상기 방전 공간 내에 수용되는 방전가스;
    상기 제1판의 내면에 형성되는 적어도 2 개의 전극;
    상기 제1판의 내면에 형성되며 상기 전극을 덮는 유전체층;
    상기 유전체층의 상부에 형성되는 형광체층; 그리고
    상기 유전체층 위에 80 ~ 200 Å의 두께로 형성되는 저일함수 물질층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 평판램프.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 저일함수 물질층은 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 평판램프.
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