KR20060027126A - 평판 램프 - Google Patents

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KR20060027126A
KR20060027126A KR1020040075969A KR20040075969A KR20060027126A KR 20060027126 A KR20060027126 A KR 20060027126A KR 1020040075969 A KR1020040075969 A KR 1020040075969A KR 20040075969 A KR20040075969 A KR 20040075969A KR 20060027126 A KR20060027126 A KR 20060027126A
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auxiliary
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김기영
이성의
박형빈
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삼성코닝 주식회사
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Abstract

평판 램프가 개시된다. 개시된 평판 램프는, 서로 대향되게 배치되어 그 사이에 방전공간을 형성하는 하부기판과 상부기판; 하부기판과 상부기판 중 적어도 하나의 기판 상에 형성되는 복수의 방전전극; 하부기판과 상부기판 사이에 방전전극들과 나란한 방향으로 마련되어 방전공간을 구획하여 복수의 방전셀을 형성하는 복수의 스페이서; 스페이서들의 표면에 형성되어 방전전극들에 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 복수의 보조전극; 및 방전셀들의 내벽에 형성되는 형광체층;을 구비한다.

Description

평판 램프{Flat lamp}
도 1은 종래 평판 램프의 분리 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 평판 램프의 일부 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 평판 램프의 분리 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 평판 램프의 일부 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 램프의 분리 사시도이다.
도 6은 도 5에 도시된 평판 램프의 평면도이다.
도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ' 선을 따라 본 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 램프의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 평판 램프의 평면도이다.
도 10은 도 9의 Ⅹ-Ⅹ'선을 따라 본 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 평판 램프의 변형예를 도시한 평면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110,210,310... 하부기판 112a,212a,312a... 제1 하부전극
112b,212b,312b... 제2 하부전극 114,214,314... 스페이서
115,215,315... 방전셀 116,216... 프레임
120,220,320... 상부기판 122a,222a,322a... 제1 상부전극
122b,222b,322b... 제2 상부전극 123,223... 제1 상부 공통라인
124,224... 제2 상부 공통라인 130,230,330... 형광체층
140a,140b,240a,240b,240'a,240'b,340a,340b,340'a,340'b... 보조전극
본 발명은 평판 램프에 관한 것으로, 상세하게는 방전전압을 감소시킬 수 있고, 발광효율(luminous efficiency)을 향상시킬 수 있는 평판 램프에 관한 것이다.
주로 LCD(liquid Crystal Display)의 백라이트(back-light)로 개발되고 있는 평판 램프는, 과거의 냉음극 형광램프(cold cathode fluorescent lamp)를 이용한 에지-라이트(edge-light) 또는 다이렉트-라이트(direct-light) 방식으로부터, 발광 효율, 휘도의 균일도(uniformity) 등을 고려하여 발광면 하부 전체가 방전공간이 되는 면 방전형(surface discharge) 또는 대향 방전형(facing discharge) 평판 램프의 형태로 발전되었다. 면 방전형 평판 램프는 대향 방전형 평판램프에 비해 방전 특성이 안정된다는 잇점이 있지만 전체적인 휘도(brightness)는 대향 방전형 평판 램프에 비해 떨어지는 것이 일반적이다.
도 1은 종래 면 방전형 평판 램프의 분리 사시도이다. 그리고, 도 2는 도 1에 도시된 평판 램프의 요부를 도시한 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 하부 기판(10)과 상부기판(20)이 프레임(16)에 의해 일정간격을 유지하면서 서로 마주보도록 배치된다. 여기서, 상기 하부기판(10)과 상부기판(20) 사이에는 상기 프레임(16)에 의해 밀폐된 방전공간이 형성된다. 그리고, 이러한 방전공간 내부에는 일반적으로 네온(Ne)가스와 크세논(Xe)가스가 혼합된 방전가스가 채워진다. 그리고, 상기 하부기판(10)과 상부기판(20) 사이에는 상기 방전공간을 구획하여 복수의 방전셀(15)을 형성하는 복수의 스페이서(14)가 마련된다. 상기 스페이서들(14)은 하부기판(10)과 상부기판(20)을 지지하는 동시에 인접하는 방전셀들(15) 간의 크로스토크(crosstalk)를 방지하는 역할을 하게 된다.
상기 하부기판(10)과 상부기판(20)의 내면 및 스페이서들(14)의 양 측면에는 방전에 의하여 발생된 자외선에 의하여 여기되어 가시광을 발생시키는 형광체층(30)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 하부기판(10)과 상부기판(20) 상에는 플라즈마 방전을 일으키기 위한 다수의 방전전극이 형성된다. 구체적으로, 하부기판(10)과 상부기판(20)의 외면에는 각각 제1, 제2 하부전극(12a,12b)과 제1, 제2 상부전극(22a,22b)이 쌍을 이루어 형성된다. 여기서, 상기 제1 상부전극들(22a)은 제1 상부 공통라인(23)에 연결되며, 상기 제2 상부전극들(22b)은 제2 상부 공통라인(24)에 연결된다. 또한, 상기 제1 하부전극들(12a)은 제1 하부 공통라인(미도시)에 연결되며, 상기 제2 하부전극들(12b)은 제2 하부 공통라인(미도시)에 연결된다.
상기와 같은 구성에서, 제1 하부전극(12a)과 제1 상부전극(22a)에는 같은 전위가 인가되어 이들 상호간에는 방전이 일어나지 않는다. 그리고, 제2 하부전극(12b)과 제2 상부전극(22b)에도 역시 같은 전위가 인가되어 이들 상호간에 방전이 일어나지 않는다. 한편, 제1 하부전극(12a)과 제2 하부전극(12b) 사이 및 제1 상부전극(22a)과 제2 상부전극(22b) 사이에는 각각 소정의 전위차가 존재하여 하부기판(10) 및 상부기판(20)에 나란한 방향으로 면 방전이 일어난다.
그러나, 상기와 같은 구조의 평판 램프에서는, 발광효율을 증가시키기 위하여 방전 전극들 사이의 간격을 넓게 하거나 또는 크세논(Xe)가스의 분압이나 방전 가스의 압력을 높이게 되면 방전 전압이 상승한다는 문제점이 발생하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 방전전압을 감소시킬 수 있고, 발광효율을 향상시킬 수 있는 개선된 구조의 평판 램프를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 일 실시예에 따른 평판 램프는,
서로 대향되게 배치되어 그 사이에 방전공간을 형성하는 하부기판과 상부기판;
상기 하부기판과 상부기판 중 적어도 하나의 기판 상에 형성되는 복수의 방전전극;
상기 하부기판과 상부기판 사이에 상기 방전전극들과 나란한 방향으로 마련되어 상기 방전공간을 구획하여 복수의 방전셀을 형성하는 복수의 스페이서;
상기 스페이서들의 표면에 형성되어 상기 방전전극들에 전압이 인가됨에 따 라 전압이 유기되는 복수의 보조전극; 및
상기 방전셀들의 내벽에 형성되는 형광체층;을 구비한다.
여기서, 상기 방전전극은 복수의 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 방전셀마다 상기 제1 전극 및 제2 전극이 전극쌍을 이루어 위치하며, 상기 스페이서들은 서로 인접하게 배치되는 상기 제1 전극들 사이 및 제2 전극들 사이에 대응되는 위치에 마련되는 것이 바람직하다.
상기 보조전극들은 상기 스페이서들의 길이 방향을 따라 상기 스페이서들의 양 측면에 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 보조전극은 Ag, Al, Cr, Cu 등과 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 보조전극은 투명한 도전성 물질인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수도 있다.
상기 보조전극의 표면에는 카본나노튜브(CNT; carbon nanotubes) 또는 질화붕소(BN; boron nitride)를 포함하는 전자방출물질이 도포될 수 있다.
상기 스페이서는 투명한 글라스와 같은 유전 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 형광체층은 상기 하부기판과 상부기판의 내면 및 상기 보조전극들의 표면에 형성되며, 상기 하부기판과 상부기판 사이에는 상기 방전공간을 밀폐시키는 프레임이 마련되는 것이 바람직하다.
상기 방전공간 내부에는 네온(Ne)가스와 크세논(Xe)가스가 혼합된 방전가스가 채워질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 램프는,
서로 대향되게 배치되어 그 사이에 방전공간을 형성하는 하부기판과 상부기판;
상기 하부기판과 상부기판 사이에 마련되어 상기 방전공간을 밀폐시키는 프레임;
상기 하부기판과 상부기판 중 적어도 하나의 기판 상에 형성되는 복수의 방전전극;
상기 하부기판과 상부기판 사이에 상기 방전전극들과 나란한 방향으로 마련되어 상기 방전공간을 구획하여 복수의 방전셀을 형성하는 것으로, 적어도 일단이 상기 프레임에 이격되게 마련되는 복수의 스페이서;
적어도 상기 스페이서들의 단부 표면에 형성되어 상기 방전전극들에 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 복수의 보조전극; 및
상기 방전셀들의 내벽에 형성되는 형광체층;을 구비한다.
여기서, 상기 보조전극들은 상기 스페이서들의 측면을 둘러싸도록 형성되거나 상기 스페이서들의 길이 방향을 따라 상기 스페이서들의 양 측면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 보조전극들은 상기 스페이서들의 길이 방향을 따라 상기 스페이서들의 일 측면에 형성될 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 평판 램프의 분리 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 평판 램프의 요부를 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 하부기판(110)과 상부기판(120)이 서로 대향되게 배치되어 그 사이에 방전공간을 형성한다. 여기서, 상기 하부기판(110) 및 상부기판(120)으로는 일반적으로 투명한 글라스기판이 사용된다. 그리고, 상기 하부기판(110)과 상부기판(120) 사이에는 하부기판(110)과 상부기판(120) 사이의 간격을 일정하게 유지하고, 상기 방전공간을 밀폐하는 프레임(116)이 마련된다. 상기 방전공간 내부에는 일반적으로 네온(Ne)가스와 크세논(Xe)가스가 혼합된 방전가스가 채워진다.
상기 하부기판(110)과 상부기판(120) 사이에는 서로 나란하게 배치되는 복수의 스페이서(114)가 마련된다. 상기 스페이서들(114)은 하부기판(110)과 상부기판(120)을 지지하며, 상기 방전공간을 구획하여 복수의 방전셀(115)을 형성한다. 또한, 상기 스페이서들(114)은 인접하는 방전셀들 (115)간의 크로스토크(crosstalk)를 방지하는 역할을 하게 된다. 상기 스페이서(114)는 유전 물질로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 투명한 글라스(glass)로 이루어질 수 있다.
상기 상부기판(120)과 하부기판(110)의 외면에는 전원(power source)으로부터 인가되는 전압에 의하여 방전셀들(115) 내부에 플라즈마 방전을 일으키기 위한 방전전극들이 형성된다. 구체적으로, 상기 상부기판(120)의 상면에는 복수의 제1 상부전극(122a) 및 제2 상부전극(122b)이 형성되며, 이때 상기 제1 및 제2 상부전극(122a,122b)은 방전셀(115)마다 전극쌍을 이루며 위치하게 된다. 이에 따라, 상기 스페이서들(114)은 서로 인접하는 제1 상부전극들(122a) 사이 및 제2 상부전극들(122b) 사이에 대응되는 위치에 마련된다. 상기 제1 및 제2 상부전극(122a,122b) 은 방전셀(115)에서 발생되는 가시광이 투과할 수 있도록 투명한 도전성 물질인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 것이 바람직하다. 한편, 상기 제1 및 제2 상부전극(122a,122b)은 금속으로 이루어질 수도 있다. 여기서, 상기 제1 상부전극들(122a)은 제1 상부 공통라인(123)에 연결되며, 상기 제2 상부전극들(122b)은 제2 상부 공통라인(124)에 연결된다.
한편, 상기 하부기판(110)의 하면에도 복수의 제1 하부전극(112a) 및 제2 하부전극(112b)이 형성되며, 이때 상기 제1 및 제2 하부전극(112a,112b)은 방전셀(115)마다 전극쌍을 이루며 위치하게 된다. 이에 따라, 상기 스페이서들(114)은 서로 인접하는 제1 하부전극들(112a) 사이 및 제2 하부전극들(112b) 사이에 대응되는 위치에 마련된다. 상기 제1 및 제2 하부전극(112a,112b)은 ITO 또는 금속으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 제1 하부전극들(112a)은 제1 하부 공통라인(미도시)에 연결되며, 상기 제2 하부전극들(112b)은 제2 하부 공통라인(미도시)에 연결된다.
상기와 같은 구조에서, 제1 하부전극(112a)과 제1 상부전극(122a)에는 같은 전위가 인가되어 이들 상호간에는 방전이 일어나지 않는다. 그리고, 제2 하부전극(112b)과 제2 상부전극(122b)에도 역시 같은 전위가 인가되어 이들 상호간에 방전이 일어나지 않는다. 한편, 제1 하부전극(112a)과 제2 하부전극(112b) 사이 및 제1 상부전극(122a)과 제2 상부전극(122b) 사이에는 각각 소정의 전위차가 존재하여 하부기판(110) 및 상부기판(120)에 나란한 방향으로 면 방전이 일어난다.
이상에서는 상부기판(120)의 상면과 하부기판(110)의 하면에 각각 제1 및 제2 상부전극(122a,122b)과 제1 및 제2 하부전극(112a,112b)이 형성된 경우가 설명되 었지만, 본 실시예에서는 하부기판(110)의 하면에만 제1 및 제2 하부전극(112a,112b)이 형성될 수도 있고, 상부기판(120)의 상면에만 제1 및 제2 상부전극(122a,122b)이 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 상부전극(122a,122b)과 상기 제1 및 제2 하부전극(112a,112b)은 각각 상기 상부기판(120)의 하면과 하부기판(110)의 상면에 형성될 수도 있다.
상기 스페이서들(114)의 표면에는 전원으로부터 상기 방전전극들(112a,112b,122a,122b)에 소정의 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 제1 및 제2 보조전극들(140a,140b)이 교대로 형성된다. 상기 제1 및 제2 보조전극(140a,140b)은 스페이서들(114)의 양측면에 스페이서들(114)의 길이 방향을 따라 형성된다. 여기서, 상기 제1 보조전극(140a)은 상기 제1 상부전극(122a)과 제1 하부전극(112a)에 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 전극이며, 상기 제2 보조전극(140b)은 상기 제2 상부전극(122b)과 제2 하부전극(112b)에 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 전극이다. 상기 제1 및 제2 보조전극(140a,140b)은 Ag, Al, Cr, Cu로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 제1 및 제2 보조전극(140a,140b)은 투명한 도전성 물질인 ITO로 이루어질 수도 있다. 한편, 상기 제1 및 제2 보조전극(140a,140b)의 표면에는 전계방출(field emission)을 향상시키기 위하여 카본나노튜브(CNT; carbon nanotubes) 또는 질화붕소(BN; boron nitride)를 포함하는 전자방출물질이 도포될 수 있다.
상기 방전셀들(115)의 내벽에는 방전에 의하여 발생된 자외선에 의하여 여기되어 가시광을 발생시키는 형광체층(130)이 형성된다. 구체적으로, 상기 형광체층 (130)은 하부기판(110)의 상면, 상부기판(120)의 하면 및 상기 제1 및 제2 보조전극들(140a,140b)의 표면에 형성될 수 있다.
상기와 같은 구조의 평판 램프에서, 상기 제1 및 제2 상부전극(122a,122b) 사이 및 제1 및 제2 하부전극(112a,112b) 사이에 소정의 교류 전압이 인가되면, 제1 보조전극(140a)에는 상기 제1 상부전극(122a)과 제1 하부전극(112a)에 인가되는 전압에 대응되는 전압이 유기되고, 제2 보조전극(140b)에는 제2 상부전극(122b)과 제2 하부전극(112b)에 인가되는 전압에 대응되는 전압이 유기된다. 이에 따라, 방전 중에는 방전셀(115) 내부에는 전계(electric field)가 입체적이고, 균일하게 형성됨으로써 발광효율이 향상될 수 있다. 또한, 방전 후에는 스페이서(114)의 양측에도 전하가 쌓이게 되므로, 이후에는 더 낮은 방전전압에서도 방전이 일어날 수 있게 된다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 램프의 분리 사시도이다. 그리고, 도 6은 도 5에 도시된 평판 램프의 평면도이고, 도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ' 선을 따라본 단면도이다. 이하에서는, 전술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 하부기판(210)과 상부기판(220)이 서로 대향되게 배치되어 그 사이에 방전공간을 형성하며, 상기 하부기판(210)과 상부기판(220) 사이에는 하부기판(210)과 상부기판(220) 사이의 간격을 일정하게 유지하고, 상기 방전공간을 밀폐하는 프레임(216)이 마련된다. 그리고, 상기 방전공간 내부에는 일반적으로 네온(Ne)가스와 크세논(Xe)가스가 혼합된 방전가스가 채워진다.
상기 하부기판(210)과 상부기판(220) 사이에는 서로 나란하게 배치되어 복수의 방전셀(215)을 형성하는 복수의 스페이서(214)가 마련된다. 여기서, 상기 스페이서들(214)은 방전가스가 방전셀(215) 내부에 원활하게 유입되도록 그 일단이 상기 프레임(216)의 내벽에 일정 간격 이격되도록 배치된다. 한편, 상기 스페이서들(214)은 그 양단이 상기 프레임(216)에 이격되도록 배치될 수도 있다.
상기 상부기판(220)의 상면에는 복수의 제1 상부전극(222a) 및 제2 상부전극(222b)이 형성되며, 상기 제1 및 제2 상부전극(222a,222b)은 방전셀(215) 마다 전극쌍을 이루어 위치하게 된다. 여기서, 상기 제1 상부전극들(222a)은 제1 상부 공통라인(223)에 연결되며, 상기 제2 상부전극들(222b)은 제2 상부 공통라인(224)에 연결된다. 그리고, 상기 스페이서들(214)은 서로 인접하는 제1 상부전극들(222a) 사이 및 제2 전극들(222b) 사이에 대응되는 위치에 마련된다. 한편, 상기 하부기판(210)의 하면에도 복수의 제1 하부전극(212a) 및 제2 하부전극(212b)이 형성되며, 이때 상기 제1 및 제2 하부전극(212a,212b)은 방전셀(215)마다 전극쌍을 이루며 위치하게 된다. 여기서, 상기 제1 하부전극들(212a)은 제1 하부 공통라인(미도시)에 연결되며, 상기 제2 하부전극들(212b)은 제2 하부 공통라인(미도시)에 연결된다.
상기 스페이서들(214)의 표면에는 제1 및 제2 보조전극들(240a,240b)이 교대로 형성된다. 구체적으로, 상기 제1 및 제2 보조전극(240a,240b)은 상기 스페이서들(214)의 단부 표면을 포함하여 스페이서들(214)의 측면을 둘러싸도록 형성된다. 여기서, 상기 제1 보조전극(240a)은 상기 제1 상부전극(222a)과 제1 하부전극(212a)에 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 전극이며, 상기 제2 보조전극 (240b)은 상기 제2 상부전극(222b)과 제2 하부전극(212b)에 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 전극이다. 상기 제1 및 제2 보조전극(240a,240b)은 Ag, Al, Cr, Cu로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속이나 투명한 도전성 물질인 ITO로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 제1 및 제2 보조전극(240a,240b)의 표면에는 전계방출을 향상시키기 위하여 카본나노튜브(CNT; carbon nanotubes) 또는 질화붕소(BN; boron nitride)를 포함하는 전자방출물질이 도포될 수 있다.
상기 방전셀들(215)의 내벽에는 방전에 의하여 발생된 자외선에 의하여 여기되어 가시광을 발생시키는 형광체층(230)이 형성된다. 구체적으로, 상기 형광체층(230)은 하부기판(210)의 상면, 상부기판(220)의 하면 및 상기 제1 및 제2 보조전극들(240a,240b)의 표면에 형성될 수 있다.
상기와 같이, 그 일단이 프레임(216)으로부터 이격되게 배치된 스페이서들(214)의 측면을 둘러싸도록 제1 및 제2 보조전극(240a,240b)이 형성되면, 스페이서들(214)의 단부에 전계가 집중되므로 낮은 전압에서도 방전이 개시될 수 있다. 또한, 전술한 실시예의 경우와 마찬가지로 방전 중에는 방전셀(215) 내부에는 전계가 입체적이고, 균일하게 형성됨으로써 발광효율이 향상될 수 있으며, 방전 후에는 스페이서(214)의 양측에도 전하가 쌓이게 되므로, 이후에는 더 낮은 방전전압에서도 방전이 일어날 수 있게 된다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 평판 램프의 변형예를 도시한 것이다. 도 8을 참조하면, 스페이서들(214)의 길이 방향을 따라 상기 스페이서들(214)의 양측면 에 제1 및 제2 보조전극(240'a,240'b)들이 형성될 수도 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 평판 램프의 평면도이다. 그리고, 도 10은 도 9의 Ⅹ-Ⅹ'을 따라 본 단면도이다. 이하에서는, 전술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 하부기판(310)과 상부기판(320) 사이에 방전셀들(315)을 형성하는 복수의 스페이서(314)가 서로 나란하게 배치되며, 이때 상기 스페이서들(314)은 그 일단이 프레임(316)의 내벽에 일정간격 이격되도록 배치된다. 한편, 상기 스페이서들(314)은 그 양단이 상기 프레임(316)에 이격되도록 배치될 수도 있다.
상기 상부기판(320)의 상면에는 방전셀(315) 마다 제1 및 제2 상부전극(322a,322b)이 전극쌍을 이루며 위치하며, 상기 하부기판(310)의 하면에는 방전셀(315) 마다 제1 및 제2 하부전극(312a,312b)이 전극쌍을 이루며 위치한다.
상기 스페이서들(314)의 일측면에는 제1 및 제2 보조전극들(340a,340b)이 교대로 형성된다. 여기서, 상기 제1 보조전극(340a)은 상기 제1 상부전극(322a)과 제1 하부전극(312a)에 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 전극이며, 상기 제2 보조전극(340b)은 상기 제2 상부전극(322b)과 제2 하부전극(312b)에 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 전극이다.
형광체층은 하부기판(310)의 상면, 상부기판(320)의 하면, 상기 제1 및 제2 보조전극들(340a,340b)의 표면 및 상기 스페이서들(314)의 타측면에 형성된다.
상기와 같이, 그 일단이 프레임(316)으로부터 이격되게 배치된 스페이서들 (314)의 일측면에 제1 및 제2 보조전극(340a,340b)이 형성되면, 스페이서들(314)의 단부에 전계가 집중되므로 낮은 전압에서도 방전이 개시될 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 평판 램프의 변형예를 도시한 것이다. 도 11을 참조하면, 스페이서들(214)의 단부 표면에만 제1 및 제2 보조전극(340'a,340'b)들이 형성될 수도 있다.
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 평판 램프에 의하면 스페이서들의 표면에 방전전극들에 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 보조전극들을 형성함으로써 발광효율을 향상시킬 수 있고, 방전전압을 낮출 수 있게 된다.

Claims (27)

  1. 서로 대향되게 배치되어 그 사이에 방전공간을 형성하는 하부기판과 상부기판;
    상기 하부기판과 상부기판 중 적어도 하나의 기판 상에 형성되는 복수의 방전전극;
    상기 하부기판과 상부기판 사이에 상기 방전전극들과 나란한 방향으로 마련 되어 상기 방전공간을 구획하여 복수의 방전셀을 형성하는 복수의 스페이서;
    상기 스페이서들의 표면에 형성되어 상기 방전전극들에 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 복수의 보조전극; 및
    상기 방전셀들의 내벽에 형성되는 형광체층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방전전극은 복수의 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 방전셀마다 상기 제1 전극 및 제2 전극이 전극쌍을 이루어 위치하며, 상기 스페이서들은 서로 인접하게 배치되는 상기 제1 전극들 사이 및 제2 전극들 사이에 대응되는 위치에 마련되는 것을 특징으로 평판 램프.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극들은 상기 스페이서들의 길이 방향을 따라 상기 스페이서들의 양 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 보조전극은 Ag, Al, Cr, 및 Cu로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극은 투명한 도전성 물질인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극의 표면에는 전자방출물질이 도포되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 전자방출물질은 카본나노튜브(CNT; carbon nanotubes) 또는 질화붕소(BN; boron nitride)를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 스페이서는 유전 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 스페이서는 투명한 글라스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 램 프.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 하부기판과 상부기판의 내면 및 상기 보조전극들의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부기판과 상부기판 사이에는 상기 방전공간을 밀폐시키는 프레임이 마련되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 방전공간 내부에는 네온(Ne)가스와 크세논(Xe)가스가 혼합된 방전가스가 채워지는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  14. 서로 대향되게 배치되어 그 사이에 방전공간을 형성하는 하부기판과 상부기판;
    상기 하부기판과 상부기판 사이에 마련되어 상기 방전공간을 밀폐시키는 프레임;
    상기 하부기판과 상부기판 중 적어도 하나의 기판 상에 형성되는 복수의 방전전극;
    상기 하부기판과 상부기판 사이에 상기 방전전극들과 나란한 방향으로 마련되어 상기 방전공간을 구획하여 복수의 방전셀을 형성하는 것으로, 적어도 일단이 상기 프레임에 이격되게 마련되는 복수의 스페이서;
    적어도 상기 스페이서들의 단부 표면에 형성되어 상기 방전전극들에 전압이 인가됨에 따라 전압이 유기되는 복수의 보조전극; 및
    상기 방전셀들의 내벽에 형성되는 형광체층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 방전전극은 복수의 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 방전셀마다 상기 제1 전극 및 제2 전극이 전극쌍을 이루어 위치하며, 상기 스페이서들은 서로 인접하게 배치되는 상기 제1 전극들 사이 및 제2 전극들 사이에 대응되는 위치에 마련되는 것을 특징으로 평판 램프.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 보조전극들은 상기 스페이서들의 측면을 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 보조전극들은 상기 스페이서들의 길이 방향을 따라 상기 스페이서들의 양 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 보조전극들은 상기 스페이서들의 길이 방향을 따라 상기 스페이서들의 일 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 보조전극은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 보조전극은 Ag, Al, Cr, 및 Cu로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  21. 제 14 항에 있어서,
    상기 보조전극은 투명한 도전성 물질인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  22. 제 14 항에 있어서,
    상기 보조전극의 표면에는 전자방출물질이 도포되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 전자방출물질은 카본나노튜브(CNT) 또는 질화붕소(BN)를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  24. 제 14 항에 있어서,
    상기 스페이서는 유전 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 스페이서는 투명한 글라스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  26. 제 14 항에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 하부기판과 상부기판의 내면, 상기 스페이서들의 표면 및 상기 보조전극들의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  27. 제 14 항에 있어서,
    상기 방전공간 내부에는 네온(Ne)가스와 크세논(Xe)가스가 혼합된 방전가스가 채워지는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
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