KR20060027520A - 평판 램프의 제조방법 - Google Patents

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KR20060027520A
KR20060027520A KR1020040076346A KR20040076346A KR20060027520A KR 20060027520 A KR20060027520 A KR 20060027520A KR 1020040076346 A KR1020040076346 A KR 1020040076346A KR 20040076346 A KR20040076346 A KR 20040076346A KR 20060027520 A KR20060027520 A KR 20060027520A
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김기영
박형빈
이성의
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삼성코닝 주식회사
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Abstract

평판 램프의 제조방법이 개시된다. 개시된 평판 램프의 제조방법은, 하부기판 상에 적어도 하나의 스페이서를 부착시키는 단계; 하부기판의 상면 테두리 부분에 제1 실링 패이스트(sealing paste)를 도포하고, 그 위에 방전공간을 밀봉시키기 위한 프레임을 부착시키는 단계; 하부기판의 상면, 스페이서들의 표면 및 프레임의 내벽에 형광체를 도포하는 단계; 제1 실링 패이스트 및 형광체를 소정 온도에서 소성시키는 단계;를 포함한다.

Description

평판 램프의 제조방법{Method of manufacturing flat lamp}
도 1는 일반적인 면 방전형 평판 램프의 분리 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 평판 램프의 일부 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 종래 평판 램프의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 실시예에 따른 평판 램프의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110... 하부기판 114... 스페이서
115... 방전셀 116... 프레임
120... 상부기판 122a... 제1 상부전극
122b... 제2 상부전극 123... 제1 상부 공통라인
124... 제2 상부 공통라인 130... 형광체층
170... 하부패널 180... 상부패널
본 발명은 평판 램프의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 단순한 공정으로 평판 램프를 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
주로 LCD(liquid Crystal Display)의 백라이트(back-light)로 개발되고 있는 평판 램프는, 과거의 냉음극 형광램프(cold cathode fluorescent lamp)를 이용한 에지-라이트(edge-light) 또는 다이렉트-라이트(direct-light) 방식으로부터, 발광 효율, 휘도의 균일도(uniformity) 등을 고려하여 발광면 하부 전체가 방전공간이 되는 면 방전형(surface discharge) 또는 대향 방전형(facing discharge) 평판 램프의 형태로 발전되었다. 면 방전형 평판 램프는 대향 방전형 평판램프에 비해 방전 특성이 안정된다는 잇점이 있지만 전체적인 휘도(brightness)는 대향 방전형 평판 램프에 비해 떨어지는 것이 일반적이다.
도 1은 일반적인 면 방전형 평판 램프의 분리 사시도이다. 그리고, 도 2는 도 1에 도시된 평판 램프의 요부를 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 평판 램프는 서로 결합하여 그 내부에 밀폐된 방전공간을 형성하는 상부패널(80) 및 하부패널(70)을 구비한다. 그리고, 상기 방전공간 내부에는 일반적으로 네온(Ne)가스와 크세논(Xe)가스가 혼합된 방전가스가 채워진다. 상기 상부패널(80)은 상부기판(20)과, 상기 상부기판(20)의 상면에 쌍을 이루어 형성되는 제1 및 제2 상부전극들(22a,22b)과, 상기 상부기판(20)의 하면에 형성되는 형광체층(phosphor layer,30)을 포함한다. 여기서, 상기 제1 상부전극들(22a)은 제1 상부 공통라인(23)에 연결되며, 상기 제2 상부전극들(22b)은 제2 상부 공통라인(24)에 연결된다.
그리고, 상기 하부패널(70)은 상기 상부기판(20)과 일정간격 이격되게 배치되는 하부기판(10)과, 상기 하부기판(20)의 하면에 쌍을 이루어 형성되는 제1 및 제2 하부전극들(12a,12b)과, 상기 하부기판(10) 상에 마련되어 상기 방전공간을 밀폐하는 프레임들(frame,16)과, 상기 하부기판(10) 상에 마련되어 상기 방전공간을 구획하여 복수의 방전셀(15)을 형성하는 스페이서들(14)과, 상기 방전셀들(15)의 내벽에 형성되는 형광체층(30)을 포함한다. 여기서, 상기 제1 하부전극들(12a)은 제1 하부 공통라인(미도시)에 연결되며, 상기 제2 하부전극들(12b)은 제2 하부 공통라인(미도시)에 연결된다. 상기 스페이서들(14)은 하부기판(10)과 상부기판(20)을 지지하는 동시에 인접하는 방전셀들(15) 간의 크로스토크(crosstalk)를 방지하는 역할을 하게 된다. 상기 형광체층(30)은 상기 하부기판(20)의 상면, 스페이서들(14)의 표면 및 프레임들(16)의 내벽에 형성된다.
상기와 같은 구성에서, 제1 하부전극(12a)과 제1 상부전극(22a)에는 같은 전위가 인가되어 이들 상호간에는 방전이 일어나지 않는다. 그리고, 제2 하부전극(12b)과 제2 상부전극(22b)에도 역시 같은 전위가 인가되어 이들 상호간에 방전이 일어나지 않는다. 한편, 제1 하부전극(12a)과 제2 하부전극(12b) 사이 및 제1 상부전극(22a)과 제2 상부전극(22b) 사이에는 각각 소정의 전위차가 존재하여 하부기판(10) 및 상부기판(20)에 나란한 방향으로 면 방전이 일어난다.
도 3a 내지 도 3e에는 도 1 및 도 2에 도시된 평판 램프를 제조하는 종래의 방법이 도시되어 있다. 도 3a를 참조하면, 먼저, 제1 및 제2 하부전극들(도 2의 12a, 12b)이 형성된 하부기판(10)의 상면에 복수의 스페이서(14)를 형성한다. 여기 서, 상기 스페이서들(14)은 하부기판(10) 상에 형성된 유전체층(미도시)의 상면에 형성될 수도 있다. 다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 테두리 부분을 제외한 하부기판(10)의 상면과 스페이서들(14)의 표면에 형광체층(phosphor layer,30)을 형성한다. 상기 형광체층(30)은 상기 하부기판(10)의 상면과 스페이서들(14)의 표면에 형광체를 도포한 다음, 이를 대략 450℃ ~ 490℃의 온도에서 소성(firing)시킴으로써 형성될 수 있다. 그리고, 도 3c를 참조하면, 프레임들(16)을 테이프(tape)로 지지대(50)에 붙인 다음, 상기 프레임들(16)의 상면에 형광체층(30)을 형성한다. 상기 형광체층(30)은 상기 프레임들(16)의 표면에 형광체를 도포한 다음, 이를 대략 450℃ ~ 490℃의 온도에서 소성(firing)시킴으로써 형성될 수 있다. 이러한 형광체 소성 공정을 거친 다음, 프레임(16)의 표면 중 방전공간과 접촉하지 않는 부분에 형성된 형광체층(30)은 제거된다. 다음으로, 도 3d에 도시된 바와 같이, 하부기판(10)의 상면 테두리 부분에 상기 프레임들(16)을 부착 고정시켜 방전공간을 밀폐시키기 위한 프리트 패이스트(frit paste,41)를 도포한다. 그리고, 형광체층(30)이 형성된 상기 프레임들(16)을 지지대(50)로부터 분리하여 상기 프리트 패이스트가 도포된 하부기판(10) 상에 압착시킨 다음, 대략 420℃ ~ 450℃의 온도에서 소성시키게 되면 도 3e에 도시된 바와 같은 하부패널(70)이 완성된다. 그리고, 이렇게 완성된 하부패널(70)은 상부패널(도 1의 80)과 결합함으로써 평판 램프가 제작된다.
이상과 같이, 종래 평판 램프의 제조방법에 의하면, 프레임(16) 상에 형광체층(31)을 형성하기 위한 별도의 공정이 필요하게 되며, 프레임(16) 상에 형성된 형 광체층(31)은 이후의 작업에서 쉽게 떨어져 나간다는 문제점이 있다. 또한, 프리트 패이스트 위에 형광체가 접촉하게 되면 패키징(packaging)이 불완전하여 방전가스가 누설(leak)될 가능성이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 단순한 공정으로 평판 램프를 제조할 수 있는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 실시예에 따른 평판 램프의 제조방법은,
하부기판 상에 적어도 하나의 스페이서를 부착시키는 단계;
상기 하부기판의 상면 테두리 부분에 제1 실링 패이스트(sealing paste)를 도포하고, 그 위에 방전공간을 밀봉시키기 위한 프레임을 부착시키는 단계;
상기 하부기판의 상면, 상기 스페이서들의 표면 및 상기 프레임의 내벽에 형광체를 도포하는 단계;
상기 제1 실링 패이스트 및 형광체를 소정 온도에서 소성시키는 단계;를 포함한다.
상기 제1 실링 패이스트 및 형광체는 450℃ ~ 490℃, 바람직하게는 480℃에서 소성될 수 있다. 그리고, 상기 제1 실링 패이스트는 프리트 패이스트(frit paste)이며, 상기 프리트 패이스트는 플라스틱(plastic)계 패이스트인 것이 바람직하다.
상기 스페이서들을 부착시키는 단계는 상기 하부기판의 상면에 유전체층을 형성하고, 상기 유전체층의 상면에 상기 스페이서들을 부착시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 하부기판 상에 적어도 하나의 하부전극을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다. 여기서, 상기 하부전극들은 상기 스페이서들이 상기 하부기판 상에 부착되기 전에 상기 하부기판의 하면에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 하부전극들은 상기 하부기판의 하면에 전극물질을 소정 형태로 형성하고, 이를 530℃ ~ 590℃의 온도에서 소성함으로써 형성될 수 있다.
상부기판의 하면에 형광체층을 형성하는 단계; 및 상기 형광체층이 형성된 상기 상부기판을 상기 프레임의 상면에 결합시키는 단계;가 더 포함될 수 있다.
상기 상부기판을 결합시키는 단계는, 상기 프레임의 상면에 제2 실링 패이스트를 도포하고, 그 위에 상기 형광체층이 형성된 상부기판을 부착시키는 단계; 및 상기 제2 실링 패이스트를 소정 온도에서 소성시키는 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제2 실링 패이스트는 420℃ ~ 450℃, 바람직하게는 440℃에서 소성될 수 있다. 그리고, 상기 제2 실링 패이스트는 프리트 패이스트이며, 상기 프리트 패이스트는 테르피네올(terpineol)계 패이스트인 것이 바람직하다.
상기 형광체층은 상기 상부기판의 하면에 형광체를 도포하고, 이를 소정온도에서 소성시킴으로써 형성될 수 있다. 여기서, 상기 형광체는 450℃ ~ 490℃, 바람직하게는 480℃에서 소성될 수 있다.
상기 상부기판 상에 적어도 하나의 상부전극을 형성하는 단계를 더 포함될 수 있다. 여기서, 상기 상부전극들은 상기 형광체층이 상기 상부기판의 하면에 형성되기 전에 상기 상부기판의 상면에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 상부전극들은 상기 상부기판의 상면에 전극물질을 소정 형태로 형성하고, 이를 530℃ ~ 590℃의 온도에서 소성함으로써 형성될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 실시예에 따른 평판 램프의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
먼저, 도 4a를 참조하면, 상부패널(180)을 제작한다. 상기 상부패널(180)은 상부기판(120)을 준비한 다음, 상기 상부기판(120)의 상면에 적어도 하나의 제1 및 제2 상부전극(122a,122b)을 형성하고, 상부기판(120)의 하면에는 형광체층(130)을 형성함으로써 제작된다. 상기 상부기판(120)으로는 투명한 글라스 기판이 사용될 수 있다.
상기 제1 및 제2 상부전극들(122a,122b)은 상부기판(120)의 상면에 스크린 프린팅(screen printing) 방법이나 리소그래피(lithography) 공정에 의하여 전극물질을 소정 형태로 형성하고, 이를 530℃ ~ 590℃의 온도에서 소성(firing)함으로써 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2 상부전극들(122a,122b)은 투명한 도전성 물질인 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 금속으로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 상부기판(120)의 상면에는 상기 제1 상부전극들(122a)이 연결되는 제1 상부 공통라인(123)과 상기 제2 상부전극들(122b)이 연결되는 제2 상부 공통라인(124)이 형성될 수 있다.
상기 형광체층(130)은 상부기판(120)의 하면에 형광체를 도포하고, 이를 소정 온도에서 소성시킴으로써 형성될 수 있다. 여기서, 상기 형광체층(130)은 대략 450℃ ~ 490℃, 바람직하게는 480℃의 온도에서 소성될 수 있다.
다음으로 하부패널을 제작하기 위하여, 도 4b를 참조하면, 하부기판(110)을 준비한 다음, 상기 하부기판(110)의 하면에 적어도 하나의 제1 및 제2 하부전극(미도시)을 형성하고, 상기 하부기판(110)의 상면에 적어도 하나의 스페이서(114)를 부착한다. 상기 하부기판(110)으로는 상부기판(120)과 마찬가지로 투명한 글라스 기판이 사용될 수 있다.
상기 제1 및 제2 하부전극들은 하부기판(110)의 하면에 스크린 프린팅 방법이나 리소그래피 공정에 의하여 전극물질을 소정 형태로 형성하고, 이를 530℃ ~ 590℃의 온도에서 소성함으로써 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2 하부전극들은 투명한 도전성 물질인 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 금속으로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 하부기판(110)의 하면에는 상기 제1 하부전극들이 연결되는 제1 하부 공통라인(미도시)과 상기 제2 하부전극들이 연결되는 제2 하부 공통라인(미도시)이 형성될 수 있다.
상기 스페이서들(114)은 상부기판(120)과 하부기판(110)을 지지하는 동시에 상부기판(120)과 하부기판(110) 사이에 형성되는 방전공간을 구획하여 복수의 방전셀을 형성한다. 그리고, 상기 스페이서들(114)은 인접하는 방전셀들 간의 크로스토크를 방지하는 역할을 하게 된다. 이러한 스페이서들(114)은 투명한 유리와 같은 유전 물질로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 스페이서들(114)과 하부기판(110) 사이에는 방전셀에서 발생된 가시광을 상부기판(120) 쪽으로 반사시키기 위한 유전체층(미도시)이 더 형성될 수도 있다.
도 4c를 참조하면, 하부기판(110)의 상면 테두리 부분에 제1 실링 패이스트(sealing paste,141)를 도포한다. 여기서, 상기 제1 실링 패이스트(141)로는 대략 450℃ ~ 490℃에서 소성될 수 있는 플라스틱(plastic)계 프리트 패이스트(frit paste)가 사용되는 것이 바람직하다.
도 4d를 참조하면, 상기 제1 실링 패이스트(141)가 도포된 하부기판(110)의 상면에 프레임들(116)을 부착시킨다. 여기서, 상기 프레임들(116)은 일체형으로 이루어질 수도 있다. 상기 프레임들(116)은 상부기판(120)과 하부기판(110) 사이의 간격을 일정하게 유지하고, 방전공간을 밀폐시키기 위한 것이다.
도 4e를 참조하면, 상기 프레임들(116)에 의하여 하부기판(110) 상에 형성되는 방전공간 내부에 형광체를 도포한다. 이에 따라, 하부기판(110)의 상면, 스페이서들(114)의 표면, 프레임들(116)의 내벽에 형광체가 도포된다. 그리고, 상기 형광체와 제1 실링 패이스트(141)를 소정 온도에서 동시에 소성시킨다. 여기서, 상기 형광체와 제1 실링 패이스트(141)는 대략 450℃ ~ 490℃, 바람직하게는 480℃에서 소성될 수 있다. 이러한 소성 공정에 의하여, 상기 프레임들(116)은 하부기판(110) 상에 고정되는 동시에 상기 하부기판(110)의 상면, 스페이서들(114)의 측면 및 프레임들(116)의 내벽에는 형광체층(130)이 형성된다. 이에 따라, 하부패널(170)이 제작된다.
마지막으로, 도 4f를 참조하면, 상부패널(180)과 하부패널(170)을 합착시킴으로서 평판 램프가 완성된다. 구체적으로는, 하부기판(110) 상에 고정된 프레임들(116)의 상면에 제2 실링 패이스트(142)를 도포한다. 여기서, 상기 제2 실링 패이스트(142)로는 대략 420℃ ~ 450℃에서 소성될 수 있는 테르피네올(terpineol)계 프리트 패이스트가 사용되는 것이 바람직하다. 다음으로, 제2 실링 패이스트(142)가 도포된 상기 프레임들(116)의 상면에 상부패널(180)을 합착시킨 다음, 상기 제2 실링 패이스트(142)를 소정 온도에서 소성시키게 되면 평판 램프가 완성된다. 여기서, 상기 제2 실링 패이스트(142)는 대략 420℃ ~ 450℃, 바람직하게는 440℃에서 소성될 수 있다. 한편, 이 과정에서 상기 제2 실링 패이스트(142)로서 전술한 플라스틱계 프리트 패이스트를 사용하게 되면, 형광체가 450℃ ~ 490℃로 다시 가열되는 과정을 거치게 되는데, 이는 형광체에 매우 나쁜 영향을 끼치게 된다. 그리고, 형광체와 프리트 패이스트에 존재하는 바인더(binder)들이 방전공간 내부에 잔존하게 되는 문제점이 있다.
본 실시예에서는 상부패널과 하부패널 모두에 방전전극들이 마련된 경우가 설명되었지만, 본 발명에서는 이에 한정되지 않고 상부패널과 하부패널 중 어느 하나의 패널에만 방전전극들이 마련될 수도 있다. 또한, 본 발명에 따른 평판 램프의 제조방법은 전술한 면 방전형 평판 램프 뿐만아니라 대향 방전형 평판 램프의 경우에도 적용될 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 평판 램프의 제조방법에 의하면 하부기판 상에 프레임들을 고정시키기 위한 실링 패이스트로서 고온용 프리트 패이스트를 사용함으로써 형광체와 실링 패이스트를 동시에 소성시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에서는 실링 패이스트를 별도로 소성시키는 공정이나 프레임의 표면에 형광체를 도포하여 소성시키는 공정 등은 불필요하게 되므로 단순한 공정으로 평판 램프를 제조할 수 있게 된다.

Claims (21)

  1. 하부기판 상에 적어도 하나의 스페이서를 부착시키는 단계;
    상기 하부기판의 상면 테두리 부분에 제1 실링 패이스트(sealing paste)를 도포하고, 그 위에 방전공간을 밀봉시키기 위한 프레임을 부착시키는 단계;
    상기 하부기판의 상면, 상기 스페이서들의 표면 및 상기 프레임의 내벽에 형광체를 도포하는 단계;
    상기 제1 실링 패이스트 및 형광체를 소정 온도에서 소성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 실링 패이스트 및 형광체는 450℃ ~ 490℃에서 소성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 실링 패이스트 및 형광체는 480℃에서 소성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 실링 패이스트는 프리트 패이스트(frit paste)인 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 프리트 패이스트는 플라스틱(plastic)계 패이스트인 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 스페이서들을 부착시키는 단계는 상기 하부기판의 상면에 유전체층을 형성하고, 상기 유전체층의 상면에 상기 스페이서들을 부착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부기판 상에 적어도 하나의 하부전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 하부전극들은 상기 스페이서들이 상기 하부기판 상에 부착되기 전에 상기 하부기판의 하면에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하부전극들은 상기 하부기판의 하면에 전극물질을 소정 형태로 형성하고, 이를 530℃ ~ 590℃의 온도에서 소성함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상부기판의 하면에 형광체층을 형성하는 단계; 및
    상기 형광체층이 형성된 상기 상부기판을 상기 프레임의 상면에 결합시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 상부기판을 결합시키는 단계는,
    상기 프레임의 상면에 제2 실링 패이스트를 도포하고, 그 위에 상기 형광체층이 형성된 상부기판을 부착시키는 단계; 및
    상기 제2 실링 패이스트를 소정 온도에서 소성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제2 실링 패이스트는 420℃ ~ 450℃에서 소성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 실링 패이스트는 440℃에서 소성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 실링 패이스트는 프리트 패이스트인 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 프리트 패이스트는 테르피네올(terpineol)계 패이스트인 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 상부기판의 하면에 형광체를 도포하고, 이를 소정온도에서 소성시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 형광체는 450℃ ~ 490℃에서 소성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 형광체는 480℃에서 소성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  19. 제 10 항에 있어서,
    상기 상부기판 상에 적어도 하나의 상부전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 상부전극들은 상기 형광체층이 상기 상부기판의 하면에 형성되기 전에 상기 상부기판의 상면에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 상부전극들은 상기 상부기판의 상면에 전극물질을 소정 형태로 형성하고, 이를 530℃ ~ 590℃의 온도에서 소성함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프의 제조방법.
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