KR20060024196A - 질화 붕소 뱀부 슈트를 이용한 플라즈마 표시 패널 및평판 램프 - Google Patents

질화 붕소 뱀부 슈트를 이용한 플라즈마 표시 패널 및평판 램프 Download PDF

Info

Publication number
KR20060024196A
KR20060024196A KR1020040073085A KR20040073085A KR20060024196A KR 20060024196 A KR20060024196 A KR 20060024196A KR 1020040073085 A KR1020040073085 A KR 1020040073085A KR 20040073085 A KR20040073085 A KR 20040073085A KR 20060024196 A KR20060024196 A KR 20060024196A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
electron emission
secondary electron
bnbs
layer
Prior art date
Application number
KR1020040073085A
Other languages
English (en)
Inventor
하타나카히데카주
김영모
이호년
손승현
장상훈
이성의
김기영
박형빈
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040073085A priority Critical patent/KR20060024196A/ko
Priority to CNB2005100794011A priority patent/CN100561640C/zh
Priority to US11/220,823 priority patent/US20060055323A1/en
Priority to JP2005262146A priority patent/JP2006080085A/ja
Publication of KR20060024196A publication Critical patent/KR20060024196A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
    • H01J11/24—Sustain electrodes or scan electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
    • H01J11/28—Auxiliary electrodes, e.g. priming electrodes or trigger electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/30—Vessels; Containers
    • H01J61/305—Flat vessels or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/54—Igniting arrangements, e.g. promoting ionisation for starting
    • H01J61/545—Igniting arrangements, e.g. promoting ionisation for starting using an auxiliary electrode inside the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/54—Igniting arrangements, e.g. promoting ionisation for starting
    • H01J61/547—Igniting arrangements, e.g. promoting ionisation for starting using an auxiliary electrode outside the vessel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Discharge Lamp (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)

Abstract

질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 이용하여 2차 전자 방출 효율 및 내구성을 향상시킨 플라즈마 표시 패널 및 평판 램프를 개시한다. 본 발명에 따른 플라즈마 표시 패널은, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 전면기판 및 배면기판; 상기 전면기판과 배면기판 사이의 공간을 다수의 방전셀로 분할하기 위하여, 상기 전면기판과 배면기판 사이에 마련된 다수의 격벽; 상기 격벽들 사이의 배면기판 상에 나란히 형성된 다수의 어드레스 전극; 상기 방전셀들의 내벽에 도포된 형광체; 상기 각각의 방전셀 내에서 방전을 일으키기 위하여, 상기 어드레스 전극과 교차하는 방향으로 상기 전면기판 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극; 상기 유지전극을 덮도록 상기 전면기판 상에 도포되는 유전체층; 및 상기 유지전극과 대향하도록 상기 유전체층 상에 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극;을 구비하며, 상기 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
플라즈마 표시 패널, 평판 램프, 유지전극, 어드레스 전극, 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)

Description

질화 붕소 뱀부 슈트를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 평판 램프{Plasma display panel and flat lamp using boron nitride bamboo shoot}
도 1a는 일반적인 3극 면방전형 플라즈마 표시 패널의 개략적 구조를 도시하는 사시도이다.
도 1b 및 도 1c는 도 1a의 플라즈마 표시 패널을 가로 방향 및 세로 방향으로 절개하여 도시하는 단면도이다.
도 2는 탄소나노튜브를 이용하여 2차 전자를 증폭하는 종래의 플라즈마 표시 패널의 전면기판 부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전면기판 부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)의 전계-전류밀도 특성을 비교하여 보여주는 그래프이다.
도 5는 BNBS의 결정 구조를 개략적으로 도시한다.
도 6은 BNBS의 제조 방법을 간단하게 보여준다.
도 7은 BNBS의 형상을 확대한 현미경 사진이다.
도 8a 및 도 8b는 각각 도 3의 제 1 실시예에 대한 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전면기판 부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 10a 및 도 10b는 각각 도 9의 제 2 실시예에 대한 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 11a 내지 도 11d는 바닥전극으로서 니켈을 사용할 경우의 본 발명에 따른 플라즈마 표시 패널의 전면기판 부분을 제조하는 방법을 개략적으로 도시한다.
도 12a 내지 도 12d는 바닥전극으로서 실리콘을 사용할 경우의 본 발명에 따른 플라즈마 표시 패널의 전면기판 부분을 제조하는 방법을 개략적으로 도시한다.
도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 배면기판 부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 14 및 도 15는 본 발명에 따른 평판 램프의 개략적인 구조를 도시하는 단면도이다.
도 16a는 본 발명에 따른 평판 램프의 다른 실시예를 도시하는 사시도이다.
도 16b 및 도 16c는 도 16a의 평판 램프을 가로 방향 및 세로 방향으로 절개하여 도시하는 단면도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※
30,60........배면 유리 기판 31...........어드레스 전극
32,45,53.....BNBS 층 33,43,54.....유전체층
34...........격벽 35,61........형광체
36,53........방전셀 40,50........전면 유리 기판
41,51........유지전극 42...........버스전극
44,52........바닥전극 46,55........MgO 보호층
본 발명은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 평판 램프에 관한 것으로, 보다 상세하게는, BNBS를 이용하여 2차 전자 방출 효율 및 내구성을 향상시킨 플라즈마 표시 패널 및 평판 램프에 관한 것이다.
도 1a는 일반적인 3극 면방전형 플라즈마 표시 패널의 개략적 구조를 도시하는 사시도이고, 도 1b 및 도 1c는 도 1a의 플라즈마 표시 패널을 가로 방향 및 세로 방향으로 절개하여 도시하는 단면도이다. 도 1a 내지 도 1c에 도시된 바와 같이, 일반적인 3극 면방전형 플라즈마 표시 패널은, 일정한 간격을 두고 서로 대향하는 전면 유리 기판(20)과 배면 유리 기판(10), 상기 전면 유리 기판(20)과 배면 유리 기판(10) 사이의 공간을 격벽(barrier rib)(13)으로 분할하여 각 화소에 대응하는 방전 공간을 갖는 방전셀(21)들, 및 각 방전셀(21)에서 방전을 일으키기 위한 어드레스 전극(11)과 유지전극(sustain electrode)(14,15)을 구비하고 있다. ITO와 같은 투명전극으로 이루어지는 유지전극(14,15)은 방전을 지속적으로 유지할 수 있도록 두 개가 한 쌍을 이룬다. 상기 유지전극(14,15) 상에는 방전시 저항에 의한 전압강하를 줄이기 위한 버스전극(16)이 형성된다. 그리고, 그 위에는 일종의 콘덴 서의 역할을 하는 유전체층(18)과 유전체층(18)을 보호하기 위한 MgO 보호층(19)이 연속하여 형성되어 있다. 동일평면에 배치된 한 쌍의 유지전극(14,15)은 어드레스 전극(11)과 교차하는 방향으로 나란하게 배치되어 있어서 면방전을 일으켜 화상을 표시하게 된다. 여기서, 언급되지 않은 부재번호 12는 유전체층이고, 부재번호 17은 형광체이다.
상기와 같은 구조를 갖는 플라즈마 표시 패널의 방전셀 내에서, MgO 보호층(19)의 역할은 방전셀(21) 내에 2차 전자를 방출하여 방전 효율을 높여줌으로써 전극들 간에 인가되는 방전 전압을 낮추어 주는 것이다. 동시에, 플라즈마 표시 패널 내부에 있는 전극들을 보호하는 역할을 한다. 그런데, 이러한 MgO 단일물질의 증착만으로는 플라즈마 방전 공간 내에서 충분한 2차 전자 방출 효과를 내는데 한계가 있다.
본 출원의 출원인에 의해 2000년 2월 7일에 출원된 특허출원 제2000-5648호 "카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널"는 이러한 문제를 개선하기 위하여 제안된 것이다. 도 2는 상기 특허출원에 개시된 플라즈마 표시 패널의 전면 유리 기판 부분(20)을 격벽과 나란한 방향으로 절개하여 보여주는 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 표시 패널은, MgO 보호층(19)을 형성하기 전에, 유전체층(18) 위에 탄소나노튜브(carborn nanotube; CNT)(22)를 형성하고, 그 위에 MgO 보호층(19)을 적층한 구조이다. 이러한 구조에 따르면, 탄소나노튜브(22)의 말단을 통해 전자가 방출됨으로써, 방전 공간 내로의 2차 전자 방출 효율이 크게 증가한다.
그러나, 탄소나노튜브는 방전 중에 입자충돌을 견디지 못하고 파괴되는 경우가 많다. 그 결과, 탄소나노튜브를 사용하는 플라즈마 표시 패널은 내구성이 매우 떨어진다는 단점이 있다. 또한, 탄소나노튜브는 대체로 광투과성이 좋지 않은데, 이는 플라즈마 표시 패널의 전체적인 휘도를 떨어뜨리는 문제를 발생시킨다. 즉, 형광체에서 발생한 빛은 전면 유리 기판(20)을 통과하여야 하는데, 전면 유리 기판(20) 측에 부분적으로 형성된 탄소나노튜브로 인하여 형광체에서 발생한 빛의 일부가 차단되는 문제가 발생한다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것이다. 따라서, 본 발명의 목적은, 2차 전자 방출 효율을 보다 향상시켜 내구성과 휘도가 우수하며 비교적 낮은 전압으로도 구동될 수 있는 플라즈마 표시 패널 및 평판 램프를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 유형에 따른 플라즈마 표시 패널은, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 전면기판 및 배면기판; 상기 전면기판과 배면기판 사이의 공간을 다수의 방전셀로 분할하기 위하여, 상기 전면기판과 배면기판 사이에 마련된 다수의 격벽; 상기 격벽들 사이의 배면기판 상에 나란히 형성된 다수의 어드레스 전극; 상기 방전셀들의 내벽에 도포된 형광체; 상기 각각의 방전셀 내에서 방전을 일으키기 위하여, 상기 어드레스 전극과 교차하는 방향으로 상기 전면기판 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극; 상기 유지전극을 덮도록 상기 전면기판 상에 도포되는 유전체층; 및 상기 유지전극과 대향하도록 상기 유전체층 상에 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극;을 구비하며, 상기 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 2차 전자 방출 전극은, BNBS가 형성될 기판의 역할을 하기 위하여 유전체층 상에 형성된 바닥전극층과 상기 바닥전극층 위에 형성되는 BNBS층을 포함한다. 또, 상기 2차 전자 방출 전극은, MgO층이 BNBS층상에 적층된 구조가 2차 전자 방출을 위하여 더 바람적이다.
또한, 본 발명의 다른 유형에 따른 플라즈마 표시 패널은, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 전면기판 및 배면기판; 상기 전면기판과 배면기판 사이의 공간을 다수의 방전셀로 분할하기 위하여, 상기 전면기판과 배면기판 사이에 마련된 다수의 격벽; 상기 격벽들 사이의 배면기판 상에 나란히 형성된 다수의 어드레스 전극; 상기 방전셀들의 내벽에 도포된 형광체; 상기 각각의 방전셀 내에서 방전을 일으키기 위하여, 상기 어드레스 전극과 교차하는 방향으로 상기 전면기판 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극; 및 상기 각 유지전극 상면의 적어도 일부에 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극;을 구비하며, 상기 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명의 한 유형에 따른 평판 램프는, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치되어 방전공간을 형성하는 전면기판 및 배면기판; 상기 방전공간 내의 배면기판 상에 도포된 형광체; 상기 방전공간 내에서 방전을 일으키기 위하여, 상기 방전공간 내의 전면기판 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극; 상기 유지전극을 덮도록 상기 전면기판 상에 도포되는 유전체층; 및 상기 유지전극과 대향하도록 상기 유전체층 상에 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극;을 구비하며, 상기 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 유형에 따른 평판 램프는, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치되어 방전공간을 형성하는 전면기판 및 배면기판; 상기 방전공간 내의 배면기판 상에 도포된 형광체; 상기 방전공간 내에서 방전을 일으키기 위하여, 상기 방전공간 내의 전면기판 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극; 및 상기 유지전극 상에 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극;을 구비하며, 상기 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 또 다른 유형에 따른 평판 램프는, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치되어 방전공간을 형성하는 전면기판 및 배면기판; 상기 방전공간 내의 배면기판 상에 도포된 형광체; 상기 방전공간 내에서 방전을 일으키기 위하여, 상기 방전공간 바깥쪽의 전면기판 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극; 및 상기 방전공간 내의 전면기판 상에 상기 유지전극과 대향하도록 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극;을 구비하며, 상기 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 하여, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 플라즈 마 표시 패널 및 평판 램프의 구성 및 동작에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전면기판 부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널은, 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)로 이루어진 다수의 2차 전자 방출 전극(44,45)이 유전체층(43) 상에 나란하게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 2차 전자 방출 전극(44,45)은 전면기판(40) 상의 유지전극(41)과 대향하도록 형성된다. 보다 구체적으로, 상기 2차 전자 방출 전극(44,45)은, 방전시의 유전층 두께에 의한 전압강하를 줄이기 위하여 유지전극(41)의 상면에 형성된 버스전극(42)과 대향한다. 또한, 상기 2차 전자 방출 전극(44,45)의 폭은 상기 버스전극(42)의 폭과 실질적으로 동일하도록 형성된다. 이러한 2차 전자 방출 전극은, 도 3에 도시된 바와 같이, 유전체층(43) 상에 형성된 바닥전극층(44)과 상기 바닥전극층(44) 위에 형성되는 BNBS층(45)으로 구성되어 있다. 바닥전극층(44)은 BNBS가 형성될 기판의 역할을 하는 것으로, 후술할 설명을 통해 알 수 있듯이, 예컨대, 실리콘(Si)이나 니켈(Ni)로 이루어진다.
여기서, BNBS는 sp3 결합성 5H-BN의 명칭으로서, 일본의 물질재료연구기구(National Institute for Material Science; NIMS)에서 개발하여 2004년 3월에 공개한 새로운 물질이다. 이러한 BNBS는 다이아몬드 다음으로 단단할 정도로 매우 안정적인 구조를 하고 있는 것으로 알려졌다. 또한, BNBS는 가시광 영역인 약 380~780nm 정도 파장 영역에서 투명한 성질을 가질 뿐만 아니라, 음(-)의 전자친화도를 갖기 때문에 전자 방출 특성도 매우 우수한 것으로 알려졌다.
도 4는 BNBS의 전계-전류밀도 특성을 비교하여 보여주는 그래프이다. 도 4의 그래프에서, A와 B로 표시된 물질은 BNBS이다. 도 4의 그래프를 통해 알 수 있듯이, BNBS는 약 8.9V/㎛ 의 전계에서 전류 밀도가 무려 0.9A/㎠ 이다. 반면, 탄소나노튜브의 경우 약 3V/㎛ 의 전계에서 전류 밀도가 1mA/㎠ 이다. 즉, BNBS는 동일한 전계에서 탄소나노튜브에 비해 많게는 수백배의 전류밀도를 나타낸다. 따라서, 탄소나노튜브에 비해 전자 방출 특성이 대단히 우수하다. 한편, 도 5는 BNBS의 결정 구조를 도시하고 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, BNBS와 같은 질화 붕소 계열의 물질은 큐빅(cubic) 형태의 결정 구조를 갖는다. 이러한 큐빅 형태의 결정 구조로 인하여, BNBS와 같은 질화 붕소 계열의 물질은 다이아몬드 다음으로 안정적이고 견고한 성질을 갖는다(Handbook of refractory carbides and nitrides, Hugh O.Pierson, Noyes publications, Table 13.6 p.236, 1996).
BNBS는 제조 방법도 매우 간단하다. 도 6은 BNBS의 제조 방법을 간략하게 도시한다. 도 6을 통해 알 수 있듯이, BNBS를 제조하기 위해서는, NH3, H2, B2 H4, Ar 등의 혼합기체로 채워진 챔버 내에 실리콘(Si) 또는 니켈(Ni)로 이루어진 기판를 넣고, 상기 실리콘 또는 니켈 기판에 193nm의 파장을 갖는 자외선 레이저(UV laser)를 조사하면서, 챔버 내에 고주파(약 13.56Hz)를 인가한다. 그러면, 도 6의 우측과 같이, 상기 실리콘 또는 니켈 기판 위에 BNBS가 자기조직적으로 형성된다. 도 7은 이렇게 형성된 BNBS를 보여주는 현미경 사진이다. 도 7에 도시된 바와 같이, BNBS는 끝 부분이 죽순 모양으로 형성되어 있다. 질화 붕소 뱀브 슈트(bamboo shoot - 죽순)라는 명칭은 이러한 모양에 따라 지어진 것이다.
이러한 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)로 이루어진 2차 전자 방출 전극(44,45)은 2차 전자 방출 효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 방전에 의한 파손이 거의 없다. 따라서, 탄소나노튜브(CNT)을 사용하여 2차 전자를 방출시키는 종래의 플라즈마 표시 패널에 비해 내구성과 휘도가 우수하다.
한편, 도 8a 및 도 8b는 도 3에 도시된 제 1 실시예의 변형예를 각각 도시하는 도면이다. 도 3에서는 유전체층(43) 위에 별도의 층을 형성하지 않았다. 그러나, 도 8a에 도시된 변형예에서는, 상기 유전체층(43)과 2차 전자 방출 전극(44,45)을 도포하는 MgO 보호층(46)이 추가적으로 형성되어 있다. 앞서 설명한 바와 같이, MgO 보호층의 주요한 역할 중의 하나는 방전셀 내에 2차 전자를 방출하여 방전 효율을 높이는 것이다. 본 발명의 경우, BNBS로 이루어진 2차 전자 방출 전극(44,45)에 의해 방전 효율을 충분히 높일 수 있으므로, 제 1 실시예에서와 같이, 2차 전자 방출을 위한 MgO 층을 생략하는 것도 가능하다. 그러나, 도 8a에 도시된 바와 같이, 유전체층(43)의 보호를 위해서 MgO 보호층(46)을 도포할 수도 있다. 이때, 도 8b의 다른 변형예에서와 같이, 2차 전자 방출 전극(44,45) 위에는 MgO 보호층(46)을 도포하지 않고, 유전체층(43) 위에만 MgO 보호층(46)을 형성하는 것 또한 가능하다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전면기판 부분 을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 제 2 실시예의 경우, 제 1 실시예의 버스전극(42)을 생략하고 상기 버스전극(42)의 위치에 2차 전자 방출 전극(44,45)을 형성한다. 즉, 제 2 실시예에서는, 유지전극(41)의 상면에 적어도 부분적으로 2차 전자 방출 전극(44,45)을 상기 유지전극(41)과 나란하게 형성한다. 따라서, 제 2 실시예의 2차 전자 방출 전극(44,45)은 버스전극의 역할과 2차 전자 방출 전극의 역할을 동시에 수행한다. 상기 2차 전자 방출 전극(44,45)은, 제 1 실시예에서와 마찬가지로, 예컨대, 실리콘 또는 니켈로 이루어진 바닥전극층(44)과 상기 바닥전극층(44) 위에 형성된 BNBS층(45)을 포함한다. 그리고, 도 9에 도시된 바와 같이, 제 2 실시예의 유전체층(43)은 유지전극(41)과 2차 전자 방출 전극(44,45)의 측벽을 덮도록 전면기판(40) 상에 소정의 높이로 도포되어 있다. 예컨대, 유전체층(43)의 높이를 유지전극(41)과 2차 전자 방출 전극(44,45)을 합한 높이와 같도록 함으로써, 2차 전자 방출 전극(44,45)의 상면이 방전셀(도시되지 않음)에 노출될 수 있도록 하는 것이 좋다.
도 10a 및 도 10b는 도 9에 도시된 제 2 실시예의 변형예를 각각 도시하고 있다. 먼저, 도 10a에 도시된 변형예에서는, 유전체층(43)을 보호하기 위해서, 상기 유전체층(43)의 상면과 2차 전자 방출 전극(44,45)의 상면 전체를 MgO 보호층(46)으로 도포한다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 MgO 보호층(46)은 유전체층(43)이 물리 화학적으로 손상되는 것을 방지하는 동시에, 2차 전자의 방출을 도와주는 역할을 한다. 한편, 본 발명에 따라 BNBS를 사용하는 2차 전자 방출 전극(44,45)은 내구성이 강하고, 2차 전자의 방출 효율이 충분히 높기 때문에, 도 10b에 도시된 변형예에서와 같이, 단지 유전체층(43)에만 MgO 보호층(46)을 형성할 수도 있다. 이 경우, 유전체층(43)은 유지전극(41)과 2차 전자 방출 전극(44,45)을 합한 높이 보다 약간 낮은 높이로 형성된다. 그리고, 2차 전자 방출 전극(44,45)을 제외하고 유전체층(43)의 상면 위에만 MgO 보호층(46)을 얇게 형성함으로써, 상기 2차 전자 방출 전극(44,45)이 방전셀에 노출될 수 있도록 한다. 이때, MgO 보호층(46)의 두께는 대략 5000Å 정도면 충분하다.
도 11a 내지 도 11d는, 2차 전자 방출 전극(44,45)의 바닥전극(44)으로서 니켈을 사용할 경우, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전면기판 부분을 제조하는 방법을 개략적으로 도시한다. 먼저, 도 11a에 도시된 바와 같이, Soda-line glass와 같은 일반 유리 기판(40) 위에 유지전극(41)을 형성하기 위해 ITO와 같은 투명금속 물질을 증착한다. 그런후, 유리 기판(40) 위에 증착된 투명금속을 패터닝하여 유지전극(41)을 형성한 다음, 도 11b에 도시된 바와 같이, 일반적인 증착 방법에 따라 유지전극(41) 위에 적어도 부분적으로 니켈(44)을 증착한다. 앞서 설명한 바와 같이, 유지전극(41) 위에 증착된 니켈(44)은 이후 BNBS를 형성하기 위한 바닥전극층(44)으로서 역할을 한다. 다음으로, 도 11c에 도시된 바와 같이, NH3, H2, B2H4, Ar 등의 혼합기체로 채워진 챔버 내에 유지전극(41) 및 바닥전극(44)이 형성된 유리 기판(40)을 넣고 레이저-플라즈마화학증착 기법(Laser-Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; LA-PECVD)을 사용하면, 바닥전극층(44) 위에 BNBS층(45)이 자연스럽게 형성된다. 마지막으로, 도 11d에 도시된 바와 같이, 바닥 전극층(44)과 BNBS층(45)의 측벽을 둘러싸도록 유리 기판(40) 위에 유전체층(43)을 형성한다. 그리고, 실시예에 따라 MgO 보호층(46)을 추가적으로 형성한다.
도 12a 내지 도 12d는, 2차 전자 방출 전극(44,45)의 바닥전극(44)으로서 실리콘을 사용할 경우, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전면기판 부분을 제조하는 방법을 개략적으로 도시한다. 먼저, 도 12a에 도시된 바와 같이, Soda-line glass와 같은 일반 유리 기판(40) 위에 유지전극(41)을 형성하기 위해 ITO와 같은 투명금속 물질을 증착한다. 그런후, 유리 기판(40) 위에 증착된 투명금속을 패터닝하여 유지전극(41)을 형성한 다음, 도 12b에 도시된 바와 같이, 400℃ 이하의 온도에서 플라즈마화학증착(PECVD) 기술을 사용하여 유리 기판(40)과 유지전극(41) 상면 위에 전체적으로 다결정 실리콘(poly-Si)(44)을 약 1.5㎛의 두께로 형성한다. 다음으로, 도 12c에 도시된 바와 같이, 상기 다결정 실리콘(44)을 패터닝하여 바닥전극(44)을 형성하고, LA-PECVD 방법에 따라 상기 바닥전극(44) 위에 BNBS층(45)을 형성한다. 마지막으로, 도 12d에 도시된 바와 같이, 바닥전극층(44)과 BNBS층(45)의 측벽을 둘러싸도록 유리 기판(40) 위에 유전체층(43)을 형성한다. 그리고, 실시예에 따라 MgO 보호층(46)을 추가적으로 형성한다.
지금까지는 전면기판의 유지전극 위에 2차 전자 방출 전극을 형성하는 것에 대하여 설명하였으나, 배면기판의 어드레스 전극 위에도 2차 전자 방출 전극을 추가적으로 형성할 수도 있다. 도 13은 어드레스 전극 위에 2차 전자 방출 전극을 형성한 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 배면기판 부분을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 배면기판 부분은, 유리와 같은 투명 소재로 형성된 배면기판(30), 상기 배면기판(30) 상에 나란하게 형성된 다수의 어드레스 전극(31), 상기 어드레스 전극(31) 상에 형성된 2차 전자 방출 전극(32), 상기 어드레스 전극(31)과 2차 전자 방출 전극(32)을 둘러싸도록 배면기판(30) 상에 형성된 유전체층(33), 배면기판(30)과 전면기판(40) 사이의 공간을 다수의 방전셀(36)로 분할하기 위하여 상기 유전체층(33) 위에 마련된 다수의 격벽(34), 및 상기 방전셀(36)의 내벽에 도포되는 형광체(35)를 포함한다. 이와 같이, 어드레스 전극(31) 위에 2차 전자 방출 전극(32)을 형성함으로써, 방전셀(36) 내에서 어드레스 방전 전압을 줄이며, 또한, 방전 효율을 보다 향상시킬 수 있다. 이때, 2차 전자 방출 전극(32)은 BNBS를 사용한다. 어드레스 전극(31) 위에 2차 전자 방출 전극(32)을 위한 BNBS층을 형성할 수 있도록, 예컨대, 다결정 실리콘 또는 니켈을 이용하여 어드레스 전극(31)을 형성할 수 있다. 또는, Al과 같은 금속을 사용하여 어드레스 전극(31)을 형성하고, 제 1 및 제 2 실시예에서와 같이, 실리콘 또는 니켈로 이루어진 바닥전극층과 2차 전자 방출을 위한 BNBS층을 갖는 2층 구조의 2차 전자 방출 전극(32)을 상기 어드레스 전극(31) 위에 형성할 수도 있다.
한편, 본 발명에 따른 2차 전자 방출 전극은, LCD용 백라이트(back light)로 주로 이용되는 평판 램프에도 적용될 수 있다. 평판 램프의 기본적인 구조와 동작원리는 플라즈마 표시 패널과 동일하기 때문이다. 즉, 평판 램프 역시 두 장의 유리기판 사이에 방전가스를 주입하고, 방전에 의해 발생한 자외선이 형광체를 여기하여 가시광을 방출하는 구조이다.
도 14는 본 발명에 따른 평판 램프의 구조를 도시하는 단면도이다. 도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 평판 램프는, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치되어 방전공간(63)을 형성하는 전면기판(50) 및 배면기판(60), 상기 배면기판(60) 상에 도포된 형광체(61), 상기 방전공간(63) 내에서 방전을 일으키기 위하여 상기 전면기판(50) 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극(51), 상기 유지전극(51)을 덮도록 상기 전면기판(50) 상에 도포되는 유전체층(54), 및 상기 각 유지전극(51)과 대향하도록 상기 유전체층(54) 상에 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극(52,53)을 포함한다. 그리고, 격벽(62)을 통해 상기 방전공간(63)을 밀봉한다. 여기서, 플라즈마 표시 패널에서와 마찬가지로, 상기 2차 전자 방출 전극(52,53)은 2차 전자를 방출하기 위한 BNBS층(53)과 BNBS가 형성될 기판의 역할을 하기 위하여 상기 유전체층(54) 상에 형성된 바닥전극층(52)으로 구성된다. 바닥전극층(52)으로는 실리콘 또는 니켈을 사용할 수 있다. 따라서, 도 14에 도시된 평판 램프의 전면기판 부분은, 도 3에 도시된 플라즈마 표시 패널의 전면기판 부분과 거의 동일한 구조를 갖는다.
또한, 도 8a 및 도 8b에 도시된 플라즈마 표시 패널의 변형예와 마찬가지로, 도 14에 도시된 평판 램프의 경우에도, 유전체층(54)을 보호하기 위해 유전체층(54)의 상면과 2차 전자 방출 전극(52,53)의 상면 전체를 MgO 보호층(55)으로 도포할 수 있다. 상기 MgO 보호층(55)은 유전체층(54)이 물리 화학적으로 손상되는 것을 방지하는 동시에, 2차 전자의 방출을 도와주는 역할을 한다. 또는, 단지 유전체층(54)에만 MgO 보호층(55)을 형성할 수도 있다. 즉, 2차 전자 방출 전극(52,53)을 제외하고 유전체층(54)의 상면 위에만 MgO 보호층(55)을 형성함으로써, 상기 2차 전자 방출 전극(52,53)이 방전공간(63)에 노출될 수 있도록 한다.
도 15는 본 발명에 따른 평판 램프의 다른 예를 도시하는 단면도이다. 도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 평판 램프는, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치되어 방전공간(63)을 형성하는 전면기판(50) 및 배면기판(60), 상기 배면기판(60) 상에 도포된 형광체(61), 상기 방전공간(63) 내에서 방전을 일으키기 위하여 상기 전면기판(50) 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극(51), 상기 각 유지전극(51)의 상면에 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극(52,53) 및 상기 유지전극(51)과 2차 전자 방출 전극(52,53)의 측벽을 덮도록 상기 전면기판(50) 상에 소정의 높이로 도포되는 유전체층(54)을 포함한다. 그리고, 격벽(62)을 통해 상기 방전공간(63)을 밀봉한다. 앞서 설명한 바와 같이, 2차 전자 방출 전극(52,53)은 2차 전자를 방출하기 위한 BNBS층(53)과 BNBS가 형성될 기판의 역할을 하기 위하여 상기 유지전극(51) 상에 형성된 바닥전극층(52)으로 구성된다. 바닥전극층(52)으로는 실리콘 또는 니켈을 사용할 수 있다. 따라서, 도 15에 도시된 평판 램프의 전면기판 부분은, 도 9에 도시된 플라즈마 표시 패널의 전면기판 부분과 거의 동일한 구조를 갖는다.
또한, 도 10a에 도시된 플라즈마 표시 패널의 변형예와 마찬가지로, 도 15에 도시된 평판 램프의 경우에도, 유전체층(54)을 보호하기 위해 유전체층(54)의 상면과 2차 전자 방출 전극(52,53)의 상면 전체를 MgO 보호층(55)으로 도포할 수 있다. 또는, 도 10b에 도시된 변형예에와 마찬가지로, 단지 유전체층(54)에만 MgO 보호층 (55)을 형성할 수도 있다.
한편, 도 16a는 본 발명에 따른 평판 램프의 또 다른 예를 도시하는 사시도이고, 도 16b 및 도 16c는 도 16a의 평판 램프을 가로 방향 및 세로 방향으로 절개하여 도시하는 단면도이다. 도 16a 내지 도 16c에 도시된 평판 램프는, 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치되어 방전공간(63)을 형성하는 전면기판(50) 및 배면기판(60), 상기 방전공간(63) 내의 배면기판(60) 상에 도포된 형광체(61), 상기 방전공간(63) 바깥쪽의 전면기판(50) 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극(51), 및 상기 방전공간(63) 내의 전면기판(50) 상에 상기 각 유지전극(51)과 대향하도록 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극(52,53)을 포함한다. 즉, 도 16a 내지 도 16c에 도시된 바와 같이, 유리로 된 전면기판(50)의 양쪽면에 유지전극(51)과 2차 전자 방출 전극(52,53)이 서로 대향하도록 형성되어 있다.
도 14 및 도 15에 도시된 평판 램프의 경우에는, 유지전극(51)이 방전공간(63) 내에 형성되어 있었지만, 도 16a 내지 도 16c에 도시된 평판 램프의 경우, 방전공간 바깥쪽으로 유지전극(51)이 형성된다. 이 경우, 유전체층의 역할을 전면기판(50)이 대신하게 되어, 평판 램프의 구조가 보다 간단해진다. 또한, 유전체층이 생략되므로, 유전체층을 보호하기 위한 MgO 보호층 역시 생략이 가능하다. 한편, 이미 설명한 바와 같이, 2차 전자 방출 전극(52,53)은 2차 전자를 방출하기 위한 BNBS층(53)과 BNBS가 형성될 기판의 역할을 하기 위하여 상기 유지전극(51) 상에 형성된 바닥전극층(52)으로 구성된다. 바닥전극층(52)으로는 실리콘 또는 니켈을 사용할 수 있다. 이렇게, BNBS를 사용하여 2차 전자 방출 전극을 형성하기 때문에, 보다 수명이 길고 휘도가 높은 평판 램프를 제조하는 것이 가능하다.
상술한 평판 램프의 구조에서는, 전면기판 상에 유지전극이 형성되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이는 예시적인 설명으로서, 유지전극은 반드시 전면기판 상에 형성되어야 하는 것은 아니고, 배면기판 상에 형성되더라도 무방하다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 표시 패널 및 평판 램프는, 매우 견고한 물질인 BNBS을 이용하여 2차 방전을 하므로, 탄소나노튜브를 이용하는 종래의 플라즈마 표시 패널 및 평판 램프에 비하여 내구성이 좋고 수명이 길다.
또한, BNBS는 가시광 영역에서 광투과 성질을 갖기 때문에 형광체에서 발생한 빛이 손실 없이 전면 유리 기판을 통과할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 플라즈마 표시 패널 및 평판 램프는 종래에 비해 높은 휘도를 갖는다.
또한, BNBS는 방전을 위한 문턱 전압이 낮다. 따라서, 본 발명에 따른 플라즈마 표시 패널 및 평판 램프는 보다 낮은 전압으로도 구동이 가능하고, 소비전력이 적다.
더욱이, BNBS는 제조 방법이 간단하기 때문에 별도의 추가적인 제조공정이 필요 없다. 따라서, BNBS를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 평판 램프는 제조 시간이 짧고 제조 비용이 저렴하다는 장점이 있다.

Claims (33)

  1. 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 전면기판 및 배면기판;
    상기 전면기판과 배면기판 사이의 공간을 다수의 방전셀로 분할하기 위하여, 상기 전면기판과 배면기판 사이에 마련된 다수의 격벽;
    상기 격벽들 사이의 배면기판 상에 나란히 형성된 다수의 어드레스 전극;
    상기 방전셀들의 내벽에 도포된 형광체;
    상기 각각의 방전셀 내에서 방전을 일으키기 위하여, 상기 어드레스 전극과 교차하는 방향으로 상기 전면기판 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극;
    상기 유지전극을 덮도록 상기 전면기판 상에 도포되는 유전체층; 및
    상기 각 유지전극과 대향하도록 상기 유전체층 상에 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극;을 구비하며,
    상기 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극은, BNBS가 형성될 기판의 역할을 하기 위하여 유전체층 상에 형성된 바닥전극층과 상기 바닥전극층 위에 형성되는 BNBS층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 바닥전극층은 실리콘(Si) 또는 니켈(Ni)로 구성되는 것을 특징으로 하 는 플라즈마 표시 패널.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 실리콘은 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극과 유전체층 상면에 상기 유전체층을 보호하기 위한 MgO 보호층이 도포된 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극이 형성된 영역을 제외한 유전체층 상면에 상기 유전체층을 보호하기 위한 MgO 보호층이 도포된 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  7. 제 1 항에 있어서,
    방전시 저항에 의한 전압강하를 줄이기 위하여, 상기 각각의 유지전극 상면에 부분적으로 형성된 다수의 버스전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극은 상기 버스전극과 대향하는 위치에 형성되며, 상기 버스전극의 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 어드레스 전극으로부터 방전셀을 향하여 2차 전자 방출을 유도하기 위하여 상기 어드레스 전극 상에 형성된 어드레스 전극용 2차 전자 방출 전극을 더 포함하며, 상기 어드레스 전극용 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 어드레스 전극용 2차 전자 방출 전극은, BNBS가 형성될 기판의 역할을 하기 위하여 어드레스 전극 상에 형성된 바닥전극층과 상기 바닥전극층 위에 형성되는 BNBS층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  11. 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된 전면기판 및 배면기판;
    상기 전면기판과 배면기판 사이의 공간을 다수의 방전셀로 분할하기 위하여, 상기 전면기판과 배면기판 사이에 마련된 다수의 격벽;
    상기 격벽들 사이의 배면기판 상에 나란히 형성된 다수의 어드레스 전극;
    상기 방전셀들의 내벽에 도포된 형광체;
    상기 각각의 방전셀 내에서 방전을 일으키기 위하여, 상기 어드레스 전극과 교차하는 방향으로 상기 전면기판 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극;
    상기 각 유지전극 상면의 적어도 일부에 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극; 및
    상기 유지전극과 2차 전자 방출 전극의 측벽을 덮도록 상기 전면기판 상에 소정의 높이로 도포되는 유전체층;을 구비하며,
    상기 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극은, BNBS가 형성될 기판의 역할을 하기 위하여 상기 유지전극 상에 형성된 바닥전극층과 상기 바닥전극층 위에 형성되는 BNBS층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 바닥전극층은 실리콘(Si) 또는 니켈(Ni)로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 실리콘은 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  15. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극과 유전체층 상면에 상기 유전체층을 보호하기 위한 MgO 보호층이 도포된 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  16. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극을 제외하고 유전체층 상면에 상기 유전체층을 보호하기 위한 MgO 보호층이 도포된 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 어드레스 전극으로부터 방전셀을 향하여 2차 전자 방출을 유도하기 위하여 상기 어드레스 전극 상에 형성된 어드레스 전극용 2차 전자 방출 전극을 더 포함하며, 상기 어드레스 전극용 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 어드레스 전극용 2차 전자 방출 전극은, BNBS가 형성될 기판의 역할을 하기 위하여 어드레스 전극 상에 형성된 바닥전극층과 상기 바닥전극층 위에 형성되는 BNBS층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 패널.
  19. 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치되어 방전공간을 형성하는 전면기판 및 배면기판;
    상기 방전공간 내의 배면기판 상에 도포된 형광체;
    상기 방전공간 내에서 방전을 일으키기 위하여, 상기 방전공간 내의 전면기판 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극;
    상기 유지전극을 덮도록 상기 전면기판 상에 도포되는 유전체층; 및
    상기 각 유지전극과 대향하도록 상기 유전체층 상에 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극;을 구비하며,
    상기 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극은, BNBS가 형성될 기판의 역할을 하기 위하여 유전체층 상에 형성된 바닥전극층과 상기 바닥전극층 위에 형성되는 BNBS층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 바닥전극층은 실리콘(Si) 또는 니켈(Ni)로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 실리콘은 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  23. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극과 유전체층 상면에 상기 유전체층을 보호하기 위한 MgO 보호층이 도포된 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  24. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극이 형성된 영역을 제외한 유전체층 상면에 상기 유전체층을 보호하기 위한 MgO 보호층이 도포된 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  25. 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치되어 방전공간을 형성하는 전면기판 및 배면기판;
    상기 방전공간 내의 배면기판 상에 도포된 형광체;
    상기 방전공간 내에서 방전을 일으키기 위하여, 상기 방전공간 내의 전면기판 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극;
    상기 각 유지전극의 상면에 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극; 및
    상기 유지전극과 2차 전자 방출 전극의 측벽을 덮도록 상기 전면기판 상에 소정의 높이로 도포되는 유전체층;을 구비하며,
    상기 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극은, BNBS가 형성될 기판의 역할을 하기 위하여 상기 유지전극 상에 형성된 바닥전극층과 상기 바닥전극층 위에 형성되는 BNBS층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 바닥전극층은 실리콘(Si) 또는 니켈(Ni)로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 실리콘은 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  29. 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극과 유전체층 상면에 상기 유전체층을 보호하기 위한 MgO 보호층이 도포된 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  30. 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극을 제외하고 유전체층 상면에 상기 유전체층을 보호 하기 위한 MgO 보호층이 도포된 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  31. 일정한 간격을 두고 서로 대향하도록 배치되어 방전공간을 형성하는 전면기판 및 배면기판;
    상기 방전공간 내의 배면기판 상에 도포된 형광체;
    상기 방전공간 내에서 방전을 일으키기 위하여, 상기 방전공간 바깥쪽의 전면기판 상에 나란히 형성된 다수의 유지전극; 및
    상기 방전공간 내의 전면기판 상에 상기 각 유지전극과 대향하도록 나란히 형성된 다수의 2차 전자 방출 전극;을 구비하며,
    상기 2차 전자 방출 전극은 질화 붕소 뱀부 슈트(Boron Nitride Bamboo Shoot; BNBS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 2차 전자 방출 전극은, BNBS가 형성될 기판의 역할을 하기 위하여 상기 유지전극 상에 형성된 바닥전극층과 상기 바닥전극층 위에 형성되는 BNBS층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 바닥전극층은 실리콘(Si) 또는 니켈(Ni)로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 램프.
KR1020040073085A 2004-09-13 2004-09-13 질화 붕소 뱀부 슈트를 이용한 플라즈마 표시 패널 및평판 램프 KR20060024196A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040073085A KR20060024196A (ko) 2004-09-13 2004-09-13 질화 붕소 뱀부 슈트를 이용한 플라즈마 표시 패널 및평판 램프
CNB2005100794011A CN100561640C (zh) 2004-09-13 2005-06-21 利用氮化硼笋的等离子体显示面板和平面灯
US11/220,823 US20060055323A1 (en) 2004-09-13 2005-09-08 Plasma display panel and flat lamp using boron nitride bamboo shoot
JP2005262146A JP2006080085A (ja) 2004-09-13 2005-09-09 窒化ホウ素バンブーシュートを用いたプラズマディスプレイパネルおよびフラットランプ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040073085A KR20060024196A (ko) 2004-09-13 2004-09-13 질화 붕소 뱀부 슈트를 이용한 플라즈마 표시 패널 및평판 램프

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060024196A true KR20060024196A (ko) 2006-03-16

Family

ID=36159332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040073085A KR20060024196A (ko) 2004-09-13 2004-09-13 질화 붕소 뱀부 슈트를 이용한 플라즈마 표시 패널 및평판 램프

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20060055323A1 (ko)
JP (1) JP2006080085A (ko)
KR (1) KR20060024196A (ko)
CN (1) CN100561640C (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100670351B1 (ko) * 2005-08-24 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR100696541B1 (ko) * 2005-10-12 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 전자방출수단을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널
US7728503B2 (en) * 2006-03-29 2010-06-01 Ricoh Company, Ltd. Electron emission element, charging device, process cartridge, and image forming apparatus
JP4850648B2 (ja) * 2006-09-27 2012-01-11 株式会社ピュアロンジャパン フィールドエミッションランプ
WO2014035409A1 (en) * 2012-08-30 2014-03-06 Lumiette Inc. Method of manufacturing multiple flat panel lamps
CN104795407B (zh) * 2015-04-23 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100490527B1 (ko) * 2000-02-07 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트
KR100450819B1 (ko) * 2002-04-12 2004-10-01 삼성에스디아이 주식회사 탄소나노튜브를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그전면 패널의 제조방법
TW574721B (en) * 2002-12-24 2004-02-01 Delta Optoelectronics Inc Flat lamp structure

Also Published As

Publication number Publication date
CN100561640C (zh) 2009-11-18
CN1750220A (zh) 2006-03-22
JP2006080085A (ja) 2006-03-23
US20060055323A1 (en) 2006-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100589406B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
US20060012304A1 (en) Plasma display panel and flat lamp using oxidized porous silicon
US7999474B2 (en) Flat lamp using plasma discharge
US20060055323A1 (en) Plasma display panel and flat lamp using boron nitride bamboo shoot
US7294957B2 (en) Flat lamp
KR100741096B1 (ko) 표시 장치
US7446476B2 (en) Plasma display panel
JP3637301B2 (ja) バリア型冷陰極放電灯
KR100719571B1 (ko) 표시 장치
KR100730182B1 (ko) 표시 장치
KR100751348B1 (ko) 표시 장치
US8692450B2 (en) Surface light source apparatus with dual-side emitting light
US6967433B2 (en) Cold cathode fluorescent flat lamp
US20060091809A1 (en) Flat lamp
US20070247070A1 (en) Flat fluorescent lamp
US20060220517A1 (en) Display device
US20070080896A1 (en) Display device
KR100741095B1 (ko) 표시 장치
KR100768045B1 (ko) 고주파를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널
KR100907324B1 (ko) 중공 전극을 가지는 방전셀에서 플라즈마를 발생하는 소자
JP3906223B2 (ja) バリア型冷陰極放電灯
US20070080371A1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid