JP2006080085A - 窒化ホウ素バンブーシュートを用いたプラズマディスプレイパネルおよびフラットランプ - Google Patents
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Abstract
【課題】二次電子放出の効率を向上させて,耐久性および輝度に優れるPDPおよびフラットランプを提供する。
【解決手段】所定の離隔距離を有して互いに対向して配される前面基板40および背面基板と,両基板の間に配され,両基板の間の空間を複数の放電セルに区画する複数の隔壁と,複数の隔壁の間に対応して背面基板上に互いに並行に形成される複数のアドレス電極と,複数の放電セルの内面に塗布される蛍光体と,複数の放電セル内で放電を起こすために,アドレス電極と交差する方向で前面基板40上に互いに並行に形成される複数の維持電極41と,複数の維持電極41を覆うように前面基板40上に塗布される誘電体層43と,誘電体層43上に複数の維持電極41に対向して互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極44,45とを備え,二次電子放出電極44,45が窒化ホウ素バンブーシュートを備える。
【選択図】図3
【解決手段】所定の離隔距離を有して互いに対向して配される前面基板40および背面基板と,両基板の間に配され,両基板の間の空間を複数の放電セルに区画する複数の隔壁と,複数の隔壁の間に対応して背面基板上に互いに並行に形成される複数のアドレス電極と,複数の放電セルの内面に塗布される蛍光体と,複数の放電セル内で放電を起こすために,アドレス電極と交差する方向で前面基板40上に互いに並行に形成される複数の維持電極41と,複数の維持電極41を覆うように前面基板40上に塗布される誘電体層43と,誘電体層43上に複数の維持電極41に対向して互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極44,45とを備え,二次電子放出電極44,45が窒化ホウ素バンブーシュートを備える。
【選択図】図3
Description
本発明は,窒化ホウ素バンブーシュート(BNBS:Boron Nitride Bamboo Shoot)を用いたプラズマディスプレイパネル(PDP:Plasma Display Panel)およびフラットランプに係り,より詳細には,BNBSを用いて二次電子放出の効率および耐久性を向上させたPDPおよびフラットランプに関する。
図1aは,一般的な三電極面放電型PDPの概略構造を示す斜視図であり,図1bおよび図1cは,それぞれ同PDPの横断面および縦断面を示す断面図である。図1a〜図1cに示すとおり,一般的な三電極面放電型PDPは,所定の離隔距離を有し互いに対向して配される前面ガラス基板20および背面ガラス基板10と,前面ガラス基板20と背面ガラス基板10との間の空間を隔壁13を用いて区画することにより各画素に相当する放電空間を形成する放電セル21と,各放電セル21で放電を起こすためのアドレス電極11および維持電極14,15とを備える。維持電極14,15は,酸化イリジウム錫(indium tin oxide)等の透明電極からなり,放電を維持するために二つで一対の電極をなす。維持電極14,15上には,放電時の抵抗による電圧降下を抑制するためにバス電極16が形成される。さらに,バス電極16上には,コンデンサとして機能する誘電体層18と,誘電体層18を保護するMgO保護層19とが重ねて形成される。同一平面上に配される一対の維持電極14,15は,アドレス電極11に交差する方向に互いに並行に配され,面放電を起こして画像を表示する。ここで,構成要素12は誘電体層であり,構成要素17は蛍光体である。
上記の構造を有するPDPの放電セル21内において,MgO保護層19は,放電セル21内に二次電子を放出して放電効率を向上させることにより,電極間に印加される放電電圧を低下させ,さらにPDP内の電極を保護する。しかし,MgO材の蒸着のみでは,プラズマ放電空間内における二次電子放出の効果を十分に向上させることはできない。
本発明の出願人による特許文献1(2000年2月7日)は,上記問題を解決するために“カーボンナノチューブを用いた二次電子増幅構造体およびそれを用いたPDP”を開示する。図2は,特許文献1に開示されるPDPの前面ガラス基板20における隔壁に並行な断面を示す断面図である。図2に示すとおり,従来のPDPにおいては,MgO保護層19を形成する前に,誘電体層18上にカーボンナノチューブ(CNT:Carbon NanoTube)22が形成され,その上にMgO保護層19が積層される。同構造によれば,電子がCNT22の先端部を通じて放出されることにより,放電空間内への二次電子放出の効率が大幅に向上されうる。
しかし,CNT22は,放電中の粒子衝突により容易に破壊される場合がある。よって,CNTを用いたPDPは,一般に耐久性が非常に低い。さらに,CNTは,一般に光透過性が低いため,PDPの全体的な輝度の低下という問題を生じさせる。すなわち,蛍光体により発生される光は前面ガラス基板20を透過すべきであるが,蛍光体から発生される光の一部が前面ガラス基板20上に部分的に形成されるCNTにより遮蔽される。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので,その目的は,二次電子放出の効率を向上させて,耐久性および輝度に優れるPDPおよびフラットランプを提供することである。
上記課題を解決するため,本発明のある観点によれば,所定の離隔距離を有して互いに対向して配される前面基板および背面基板と,前面基板と背面基板との間に配され,前面基板と背面基板との間の空間を複数の放電セルに区画する複数の隔壁と,複数の隔壁の間に対応して背面基板上に互いに並行に形成される複数のアドレス電極と,複数の放電セルの内面に塗布される蛍光体と,複数の放電セル内で放電を起こすために,アドレス電極と交差する方向で前面基板上に互いに並行に形成される複数の維持電極と,複数の維持電極を覆うように前面基板上に塗布される誘電体層と,誘電体層上に複数の維持電極に対向して互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極と,を備え,二次電子放出電極がBNBSを備えるBNBSを用いたPDPが提供される。
かかる構成によれば,二次電子放出電極に含まれるBNBSは,負電子親和性を有するためPDPの電子放出効率を向上させる。また,高硬度物質であるBNBSを含む二次電子放出電極は,放電中の粒子衝突により破壊され難いためPDPの耐久性を向上させる。また,優れた光透過性を有する二次電子放出電極は,蛍光体から発生される光を遮蔽しないためPDPの全体的な輝度を向上させる。
上記二次電子放出電極は,BNBSが形成される基板として機能するために誘電体層上に形成される底電極層と,底電極層上に形成されるBNBS層とを含むようにしてもよい。
上記底電極層は,シリコンまたはニッケルからなるようにしてもよい。
上記二次電子放出電極と誘電体層の上面とを覆うように,誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されるようにしてもよい。
また,上記二次電子放出電極が形成される領域を除く誘電体層の上面に,誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されるようにしてもよい。
上記放電時の抵抗による電圧降下を抑制するために,各々の維持電極上の一部に形成されるバス電極をさらに備えるようにしてもよい。
上記二次電子放出電極は,バス電極に対向して形成され,バス電極と実質的に等しい幅を有するようにしてもよい。
上記アドレス電極から放電セルに二次電子を放出させるために,アドレス電極上に形成されるアドレス電極用の二次電子放出電極をさらに備え,アドレス電極用の二次電子放出電極がBNBSを備えるようにしてもよい。
上記アドレス電極用の二次電子放出電極は,BNBSが形成される基板として機能するためにアドレス電極上に形成される底電極層と,底電極層上に形成されるBNBS層とを含むようにしてもよい。
また,上記課題を解決するため,本発明の他の観点によれば,所定の離隔距離を有して互いに対向して配される前面基板および背面基板と,前面基板と背面基板との間に配され,前面基板と背面基板との間の空間を複数の放電セルに区画する複数の隔壁と,複数の隔壁の間に対応して背面基板上に互いに並行に形成される複数のアドレス電極と,複数の放電セルの内面に塗布される蛍光体と,複数の放電セル内で放電を起こすために,アドレス電極と交差する方向で前面基板上に互いに並行に形成される複数の維持電極と,各々の維持電極上の少なくとも一部に形成され,かつ複数の維持電極に対応して互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極と,複数の維持電極と複数の二次電子放出電極の側面とを覆うような所定の高さで前面基板上に塗布される誘電体層と,を備え,二次電子放出電極がBNBSを備えるBNBSを用いたPDPが提供される。
かかる構成によれば,二次電子放出電極に含まれるBNBSは,負電子親和性を有するためPDPの電子放出効率を向上させる。また,高硬度物質であるBNBSを含む二次電子放出電極は,放電中の粒子衝突により破壊され難いためPDPの耐久性を向上させる。また,優れた光透過性を有する二次電子放出電極は,蛍光体から発生される光を遮蔽しないためPDPの全体的な輝度を向上させる。
上記二次電子放出電極は,BNBSが形成される基板として機能するために維持電極上に形成される底電極層と,底電極層上に形成されるBNBS層とを含むようにしてもよい。
上記底電極層は,シリコンまたはニッケルからなるようにしてもよい。
上記二次電子放出電極と誘電体層の上面とを覆うように,誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されるようにしてもよい。
また,上記二次電子放出電極が形成される領域を除く誘電体層の上面に,誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されるようにしてもよい。
上記アドレス電極から放電セルに二次電子を放出させるために,アドレス電極上に形成されるアドレス電極用の二次電子放出電極をさらに備え,アドレス電極用の二次電子放出電極がBNBSを備えるようにしてもよい。
上記アドレス電極用の二次電子放出電極は,BNBSが形成される基板として機能するためにアドレス電極上に形成される底電極層と,底電極層上に形成されるBNBS層とを含むようにしてもよい。
また,上記課題を解決するため,本発明の他の観点によれば,所定の離隔距離を有して互いに対向して配され,放電空間を形成する前面基板および背面基板と,放電空間内の背面基板上に塗布される蛍光体と,放電空間内で放電を起こすために,放電空間内の前面基板上に互いに並行に形成される複数の維持電極と,複数の維持電極を覆うように前面基板上に塗布される誘電体層と,誘電体層上に複数の維持電極に対向して互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極と,を備え,二次電子放出電極がBNBSを備えるBNBSを用いたフラットランプが提供される。
かかる構成によれば,二次電子放出電極に含まれるBNBSは,負電子親和性を有するためフラットランプの電子放出効率を向上させる。また,高硬度物質であるBNBSを含む二次電子放出電極は,放電中の粒子衝突により破壊され難いためフラットランプの耐久性および製品寿命を向上させる。また,優れた光透過性を有する二次電子放出電極は,蛍光体から発生される光を遮蔽しないためフラットランプの全体的な輝度を向上させる。
上記二次電子放出電極は,BNBSが形成される基板として機能するために誘電体層上に形成される底電極層と,底電極層上に形成されるBNBS層とを含むようにしてもよい。
上記底電極層は,シリコンまたはニッケルからなるようにしてもよい。
上記二次電子放出電極と誘電体層の上面とを覆うように,誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されるようにしてもよい。
上記二次電子放出電極が形成される領域を除く誘電体層の上面に,誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されるようにしてもよい。
また,上記課題を解決するため,本発明の他の観点によれば,所定の離隔距離を有して互いに対向して配され,放電空間を形成する前面基板および背面基板と,放電空間内の背面基板上に塗布される蛍光体と,放電空間内で放電を起こすために,放電空間内の前面基板上に互いに並行に形成される複数の維持電極と,複数の維持電極上に互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極と,複数の維持電極および複数の二次電子放出電極の側面を覆うような所定の高さで前面基板上に塗布される誘電体層と,を備え,二次電子放出電極がBNBSを備えるBNBSを用いたフラットランプが提供される。
かかる構成によれば,二次電子放出電極に含まれるBNBSは,負電子親和性を有するためフラットランプの電子放出効率を向上させる。また,高硬度物質であるBNBSを含む二次電子放出電極は,放電中の粒子衝突により破壊され難いためフラットランプの耐久性および製品寿命を向上させる。また,優れた光透過性を有する二次電子放出電極は,蛍光体から発生される光を遮蔽しないためフラットランプの全体的な輝度を向上させる。
上記二次電子放出電極は,BNBSが形成される基板として機能するために維持電極上に形成される底電極層と,底電極層上に形成されるBNBS層とを含むようにしてもよい。
上記底電極層は,シリコンまたはニッケルからなるようにしてもよい。
上記二次電子放出電極と誘電体層の上面とを覆うように,誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されるようにしてもよい。
また,上記二次電子放出電極が形成される領域を除く誘電体層の上面に,誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されるようにしてもよい。
また,上記課題を解決するため,本発明の他の観点によれば,所定の離隔距離を有して互いに対向して配され,放電空間を形成する前面基板および背面基板と,放電空間内の背面基板上に塗布される蛍光体と,放電空間内で放電を起こすために,放電空間外の前面基板上に互いに並行に形成される複数の維持電極と,放電空間内の前面基板上に複数の維持電極に対向して互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極と,を備え,二次電子放出電極がBNBSを備えるBNBSを用いたフラットランプが提供される。
かかる構成によれば,二次電子放出電極に含まれるBNBSは,負電子親和性を有するためフラットランプの電子放出効率を向上させる。また,高硬度物質であるBNBSを含む二次電子放出電極は,放電中の粒子衝突により破壊され難いためフラットランプの耐久性および製品寿命を向上させる。また,優れた光透過性を有する二次電子放出電極は,蛍光体から発生される光を遮蔽しないためフラットランプの全体的な輝度を向上させる。また,前面基板が誘電体層の機能を代わりに担えるため,フラットランプの構造が簡略化されうる。
上記二次電子放出電極は,BNBSが形成される基板として機能するために前面基板上に形成される底電極層と,底電極層上に形成されるBNBS層とを含むようにしてもよい。
上記底電極層は,シリコンまたはニッケルからなるようにしてもよい。
本発明によれば,二次電子放出の効率を向上させて,耐久性および輝度に優れるPDPおよびフラットランプを提供することができる。
以下に,添付した図面を参照しながら,本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお,本明細書および図面において,実質的に同一の機能構成を有する発明特定事項については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図3は,本発明の第1の実施形態に係るPDPの前面基板を示す断面図である。図3に示すとおり,第1の実施形態に係るPDPにおいては,BNBSを含む複数の二次電子放出電極44,45が誘電体層43上に互いに並行に形成される。ここで,二次電子放出電極44,45は,前面基板40上の維持電極41に対向して形成される。より詳細には,二次電子放出電極44,45は,維持電極41の上面に形成されるバス電極42に対向し,誘電体層の厚さによる放電時の電圧降下を抑制する。さらに,二次電子放出電極44,45の幅は,バス電極42の幅と実質的に等しく形成される。図3に示すとおり,二次電子放出電極44,45は,誘電体層43上に形成される底電極層44と,底電極層44上に形成されるBNBS層45とを含む。底電極層44は,BNBS層45が形成される基板として機能し,シリコン(Si)またはニッケル(Ni)からなる。
ここで,BNBSは,sp3結合性5H−BNの名称であり,日本の物質材料研究機構(NIMS:National Institute for Material Science)により開発されて2004年3月に一般公開されている。BNBSは,ダイアモンドに次ぐ高硬度物質であり,安定した構造を有する。さらに,BNBSは,可視光領域である380〜780nmの波長領域で透明であり,負電子親和性を有するため,より優れた電子放出特性を有する。
図4は,BNBSの電界−電流密度特性を示す図である。図4において,AおよびBで示される物質がBNBSである。図4に示すとおり,BNBSは,約8.9V/μmの電界下で0.9A/cm2の電流密度を有する。一方,CNTは,3V/μmの電界下でわずかに1mA/cm2の電流密度を有する。すなわち,BNBSは,同じ電界下でCNTと比べて数百倍の大きな電流密度を有するため,より優れた電子放出特性を有する。さらに,図5は,BNBSの結晶構造を示す。図5に示すとおり,BNBS等の窒化ホウ素系列の物質は,立方体状の結晶構造を有するため,ダイアモンドに次ぐ安定性と高硬度な特性を有する(Handbook of refractory carbides and nitrides,Hugh O.Pierson,Noyes publications,Table 13.6 p.236,1996)。
BNBSは,簡単な方法で製造されうる。図6は,BNBSの製造方法を示す。図6に示すとおり,BNBSの製造においては,シリコンまたはニッケルからなる基板がNH3,H2,B2H4,Arの混合気体で満たされたチャンバ内に投入され,シリコンまたはニッケル基板上に波長193nmの紫外線レーザーが照射され,チャンバ内に高周波(約13.56MHz)が印加される。そして,図6の右側に示すとおり,シリコンまたはニッケル基板上にBNBSが形成される。図7は,上記方法で形成されたBNBSを示す顕微鏡写真である。図7に示すとおり,BNBSの先端部が竹の子状に形成されており,この形状から窒化ホウ素‘バンブーシュート’(BNBS)と称されている。
BNBSを含む二次電子放出電極は,二次電子放出の効率を向上させうるとともに,放電による損傷を殆どうけない。よって,CNTを用いて二次電子を放出させる従来のPDPと比べて,優れた耐久性および輝度を有する。
図8aおよび図8bは,図3に示す第1の実施形態に係るPDPの変形例を示す図である。図3においては,誘電体層43上に追加の層が形成されていない。しかし,図8aに示す変形例においては,誘電体層43と二次電子放出電極44,45とを覆うMgO保護層46が追加的に形成されている。上記のとおり,MgO保護層46の最も重要な機能の一つは,放電セル内に二次電子を放出することにより放電効率を向上させることにある。本発明によれば,BNBSを含む二次電子放出電極44,45により放電効率が十分に向上されうるため,第1の実施形態に示すとおりMgO層は省略されうる。しかし,図8aに示すとおり,誘電体層43を保護するためにMgO保護層46が塗布されるようにしてもよい。さらに,図8bに示すとおり,MgO保護層46が二次電子放出電極44,45上には塗布されずに誘電体層43上にのみ塗布されるようにしてもよい。
図9は,本発明の第2の実施形態に係るPDPの前面基板を示す概略断面図である。図9に示すとおり,第2の実施形態によれば,第1の実施形態に示すバス電極42が省略され,バス電極42の位置に二次電子放出電極44,45が形成される。すなわち,第2の実施形態においては,二次電子放出電極44,45は,維持電極41上の少なくとも一部に維持電極41に並行に形成される。よって,第2の実施形態の二次電子放出電極44,45は,バス電極および二次電子放出電極の機能を同時に果たす。二次電子放出電極44,45は,第1の実施形態と同様に,シリコンまたはニッケルからなる底電極層44と,底電極層44上に形成されるBNBS層45とを含む。さらに,図9に示すとおり,誘電体層43は,前面基板40上に維持電極41と二次電子放出電極44,45の側面とを覆うように所定の高さで塗布される。例えば,誘電体層43の高さを維持電極41と二次電子放出電極44,45との合計の高さに等しく形成することにより,二次電子放出電極44,45の上面が放電セル(図示せず)上に露出されることが望ましい。
図10aおよび図10bは,図9に示す第2の実施形態に係るPDPの変形例を示す図である。図10aにおいては,誘電体層43を保護するために,MgO保護層46が誘電体層43の上面と二次電子放出電極44,45の上面とに塗布される。上記のとおり,MgO保護層46は,誘電体層43を物理的および化学的な損傷から保護し,二次電子の放出を助ける。さらに,BNBSを含む二次電子放出電極44,45が優れた耐久性および二次電子放出の効率を有するため,MgO保護層46は,誘電体層43上にのみ形成されうる。この場合,誘電体層43は,維持電極41と二次電子放出電極44,45との合計の高さよりやや低く形成される。さらに,図10bに示すとおり,MgO保護層46が二次電子放出電極44,45の形成される領域を除く誘電体層43上に薄く形成されることにより,二次電子放出電極44,45は,放電セル上に露出されうる。ここで,MgO保護層46の厚さは,約5000Åである。
図11a〜図11dは,二次電子放出電極44,45の底電極層44としてニッケルが用いられる場合において,本発明に係るPDPの前面基板を製造する方法を示す図である。図11aに示すとおり,維持電極41を形成するために,酸化イリジウム錫等の透明金属物質がソーダラインガラス(soda−line glass)等の一般ガラス基板40上に蒸着される。その後,図11bに示すとおり,ガラス基板40上に蒸着された透明金属が維持電極41を形成するためにパターンニングされ,維持電極41上の一部に一般的な蒸着法によりニッケルが蒸着される。上記のとおり,維持電極41上に蒸着されるニッケルは,BNBSを形成するための底電極層44として機能する。さらに,図11cに示すとおり,維持電極41および底電極層44が形成されるガラス基板40は,NH3,H2,B2H4,Arを含む混合気体で満たされたチャンバ内に投入され,底電極層44上にレーザープラズマ化学気相成長法(laser−plasma enhanced chemical vapor deposition)を用いてBNBS層45が形成される。そして,図11dに示すとおり,底電極層44およびBNBS層45の側面を取り囲むように,誘電体層43がガラス基板40上に形成される。さらに,MgO保護層46が誘電体層43上に追加的に形成されてもよい。
図12a〜図12dは,二次電子放出電極44,45の底電極層44としてシリコンが用いられる場合において,本発明に係るPDPの前面基板を製造する方法を示す図である。図12aに示すとおり,維持電極41を形成するために,酸化イリジウム錫等の透明金属物質がソーダラインガラス等の一般ガラス基板40上に蒸着される。その後,図12bに示すとおり,ガラス基板40上に蒸着された透明金属が維持電極41を形成するためにパターンニングされ,ガラス基板40上と維持電極41上とに400度以下の温度下でプラズマ化学気相成長法(plasma enhanced chemical vapor deposition)を用いて厚さ約1.5μmの多結晶シリコン(poly−Si)が蒸着される。さらに,図12cに示すとおり,多結晶シリコンが底電極層44を形成するためにパターンニングされ,底電極層44上にレーザープラズマ化学気相成長法を用いてBNBS層45が形成される。さらに,図12dに示すとおり,底電極層44およびBNBS層45の側面を取り囲むように,誘電体層43がガラス基板40上に形成される。さらに,MgO保護層46が誘電体層43上に追加的に形成されてもよい。
二次電子放出電極は,上記の実施形態において前面基板の維持電極上に形成されるが,背面基板のアドレス電極上にも追加的に形成されうる。図13は,二次電子放出電極がアドレス電極上に形成される本発明の第3の実施形態に係るPDPの背面基板を示す断面図である。図13に示すとおり,本発明の第3の実施形態に係るPDPの背面基板ユニットは,ガラス等の透明材料からなる背面基板30と,背面基板30上に互いに並行に形成される複数のアドレス電極31と,アドレス電極31上に形成される二次電子放出電極32と,アドレス電極31と二次電子放出電極32とを取り囲むように背面基板30上に形成される誘電体層33と,背面基板30と前面基板との間の空間を複数の放電セル36に区画するために誘電体層33上に配される複数の隔壁34と,放電セル36の内面に塗布される蛍光体35とを備える。上記のとおり,二次電子放出電極32がアドレス電極31上に形成されると,放電セル36内のアドレス放電電圧が抑制され,放電動作の効率が向上されうる。ここで,二次電子放出電極32としてはBNBSが用いられる。アドレス電極31は,多結晶シリコンまたはニッケルからなりえるため,アドレス電極31上にBNBS層が形成されうる。あるいは,アルミニウム(Al)等の金属を用いて形成されるアドレス電極31上に,二層構造,すなわちシリコンまたはニッケルからなる底電極層と二次電子を放出するためのBNBS層,を有する二次電子放出電極32が形成されうる。
本発明に係る二次電子放出電極は,主に液晶ディスプレイ(LCD:Liquid Crystal Display)用のバックライトとして用いられるフラットランプに適用されうる。これは,フラットランプの基本構造および動作原理がPDPと同様であるためである。すなわち,フラットランプもまた,放電ガスが二枚のガラス基板の間に注入され,放電により発生される紫外線が蛍光体を励起して可視光を放出するという構造を有する。
図14は,本発明に係るフラットランプの構造を示す断面図である。図14に示すとおり,フラットランプは,放電空間63を形成するために所定の離隔距離を有して互いに対向して配される前面基板50および背面基板60と,背面基板60上に塗布される蛍光体61と,放電空間63内で放電を起こすために前面基板50上に互いに並行に形成される複数の維持電極51と,維持電極51を覆うように前面基板50上に塗布される誘電体層54と,維持電極51に対向して誘電体層54上に互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極52,53とを備える。さらに,放電空間63は,隔壁62により密閉される。ここで,二次電子放出電極52,53は,二次電子を放出するためのBNBS層53と,BNBS層53が形成される基板として機能するために誘電体層54上に形成される底電極層52とを含む。底電極層52としては,シリコンまたはニッケルが用いられうる。よって,図14に示すフラットランプの前面基板は,図3に示すPDPの前面基板とほぼ等しい構造を有する。
さらに,図8aおよび図8bにおけるPDPの変形例に示すとおり,図14のフラットランプの誘電体層54を保護するために,二次電子放出電極52,53上と誘電体層54の上面とに,MgO保護層55が塗布されうる。MgO保護層55は,誘電体層54を物理的および化学的な損傷から保護し,二次電子の放出を助ける。あるいは,MgO保護層55が誘電体層54上にのみ形成されるようにしてもよい。すなわち,MgO保護層55が二次電子放出電極52,53を除く誘電体層54の上面にのみ形成されると,二次電子放出電極52,53は,放電空間63上に露出されうる。
図15は,本発明に係るフラットランプの他の例を示す断面図である。図15に示すとおり,本発明に係るフラットランプは,放電空間63を形成するために所定の離隔距離を有して互いに対向して配される前面基板50および背面基板60と,背面基板60上に塗布される蛍光体61と,放電空間63内で放電を起こすために前面基板50上に互いに並行に形成される複数の維持電極51と,維持電極51の上面に互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極52,53と,維持電極51および二次電子放出電極52,53の側面を覆うように前面基板50上に塗布される誘電体層54とを備える。さらに,放電空間63は,隔壁62により密閉される。上記のとおり,二次電子放出電極52,53は,二次電子を放出するためのBNBS層53と,BNBS層53が形成される基板として機能するために維持電極51上に形成される底電極層52とを備える。底電極層52としては,シリコンまたはニッケルが用いられうる。よって,図15に示すフラットランプの前面基板は,図9に示すPDPの前面基板とほぼ等しい構造を有する。
さらに,図15に示すフラットランプにおいては,図10aに示すPDPと同様に,誘電体層54を保護するために,誘電体層54の上面と二次電子放出電極52,53の上面とに,MgO保護層55が塗布されうる。あるいは,MgO保護層55は,図10bに示す変形例と同様に誘電体層54の上面にのみ形成されうる。
図16aは,本発明に係るフラットランプの他の変形例を示す斜視図であり,図16bおよび図16cは,それぞれ同フラットランプの横断面および縦断面を示す断面図である。図16a〜図16cに示すフラットランプは,放電空間63を形成するために所定の離隔距離を有して互いに対向して配される前面基板50および背面基板60と,背面基板60上に塗布される蛍光体61と,放電空間63内で放電を起こすために前面基板50上に互いに並行に形成される複数の維持電極51と,維持電極51の上面に互いに並行に形成される複数の二次電子放電電極52,53とを備える。すなわち,図16a〜図16cに示すとおり,維持電極51と二次電子放出電極52,53とは,ガラスからなる前面基板50の両面に互いに対向して形成される。
維持電極51は,図14および図15に示すフラットランプにおいては放電空間63内に形成されるが,図16a〜図16cに示すフラットランプにおいては放電空間63の外側に形成される。この場合,前面基板50が誘電体層の機能を代わりに担えるため,フラットランプの構造が簡略化されうる。さらに,誘電体層が省略されうるため,誘電体層を保護するためのMgO保護層も省略されうる。さらに,上記のとおり,二次電子放出電極52,53は,二次電子を放出するためのBNBS層53と,BNBS層53が形成される基板として機能するために前面基板50上に形成される底電極層52とを備える。底電極層52は,シリコンまたはニッケルを用いて形成されうる。二次電子放出電極52,53がBNBSを含むため,長い製品寿命と高い輝度を有するフラットランプが製造されうる。
維持電極は,上記のフラットランプにおいては前面基板上に形成されているが,あくまでも例示するものであり,背面基板上に形成されてもよい。
本発明に係るPDPおよびフラットランプによれば,二次放電が高硬度物質であるBNBSを用いて実施されるため,CNTを用いた従来のPDPおよびフラットランプと比べて,優れた耐久性および製品寿命を有する。
さらに,BNBSが可視光領域で光透過性を有するため,蛍光体から発生される光は,損失なしに前面ガラス基板を透過しうる。よって,本発明に係るPDPおよびフラットランプは,従来のPDPおよびフラットランプと比べて,より高い輝度を有する。
また,BNBSは,放電のための電圧閾値が低い。よって,本発明に係るPDPおよびフラットランプは,より低い電圧で駆動され,消費電力をより抑えることができる。
さらに,BNBSは,簡単な方法で製造されるため,追加の製造工程を必要としない。よって,BNBSを用いたPDPおよびフラットランプは,短い工程時間かつより低廉な製造コストで製造されうる。
以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明は係る例に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において,各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範疇に属するものと了解される。
40 前面基板
41 維持電極
42 バス電極
43 誘電体層
44,45 二次電子放出電極
46 MgO保護層
41 維持電極
42 バス電極
43 誘電体層
44,45 二次電子放出電極
46 MgO保護層
Claims (29)
- 所定の離隔距離を有して互いに対向して配される前面基板および背面基板と;
前記前面基板と前記背面基板との間に配され,前記前面基板と前記背面基板との間の空間を複数の放電セルに区画する複数の隔壁と;
前記複数の隔壁の間に対応して前記背面基板上に互いに並行に形成される複数のアドレス電極と;
前記複数の放電セルの内面に塗布される蛍光体と;
前記複数の放電セル内で放電を起こすために,前記アドレス電極と交差する方向で前記前面基板上に互いに並行に形成される複数の維持電極と;
前記複数の維持電極を覆うように前記前面基板上に塗布される誘電体層と;
前記誘電体層上に前記複数の維持電極に対向して互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極と;
を備え,
前記二次電子放出電極が窒化ホウ素バンブーシュート(BNBS)を備えることを特徴とする,BNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。 - 前記二次電子放出電極は,前記BNBSが形成される基板として機能するために前記誘電体層上に形成される底電極層と,前記底電極層上に形成されるBNBS層とを含むことを特徴とする,請求項1に記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 前記底電極層は,シリコンまたはニッケルからなることを特徴とする,請求項2に記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 前記二次電子放出電極と前記誘電体層の上面とを覆うように,前記誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 前記二次電子放出電極が形成される領域を除く前記誘電体層の上面に,前記誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 放電時の抵抗による電圧降下を抑制するために,各々の前記維持電極上の一部に形成されるバス電極をさらに備えることを特徴とする,請求項1〜5のいずれかに記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 前記二次電子放出電極は,前記バス電極に対向して形成され,前記バス電極と実質的に等しい幅を有することを特徴とする,請求項6に記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 前記アドレス電極から前記放電セルに二次電子を放出させるために,前記アドレス電極上に形成される前記アドレス電極用の二次電子放出電極をさらに備え,前記アドレス電極用の二次電子放出電極が前記BNBSを備えることを特徴とする,請求項1〜7のいずれかに記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 前記アドレス電極用の二次電子放出電極は,前記BNBSが形成される基板として機能するために前記アドレス電極上に形成される底電極層と,前記底電極層上に形成されるBNBS層とを含むことを特徴とする,請求項8に記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 所定の離隔距離を有して互いに対向して配される前面基板および背面基板と;
前記前面基板と前記背面基板との間に配され,前記前面基板と前記背面基板との間の空間を複数の放電セルに区画する複数の隔壁と;
前記複数の隔壁の間に対応して前記背面基板上に互いに並行に形成される複数のアドレス電極と;
前記複数の放電セルの内面に塗布される蛍光体と;
前記複数の放電セル内で放電を起こすために,前記アドレス電極と交差する方向で前記前面基板上に互いに並行に形成される複数の維持電極と;
各々の前記維持電極上の少なくとも一部に形成され,かつ前記複数の維持電極に対応して互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極と;
前記複数の維持電極と前記複数の二次電子放出電極の側面とを覆うような所定の高さで前記前面基板上に塗布される誘電体層と;
を備え,
前記二次電子放出電極が窒化ホウ素バンブーシュート(BNBS)を備えることを特徴とする,BNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。 - 前記二次電子放出電極は,前記BNBSが形成される基板として機能するために前記維持電極上に形成される底電極層と,前記底電極層上に形成されるBNBS層とを含むことを特徴とする,請求項10に記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 前記底電極層は,シリコンまたはニッケルからなることを特徴とする,請求項11に記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 前記二次電子放出電極と前記誘電体層の上面とを覆うように,前記誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されることを特徴とする,請求項10〜12のいずれかに記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 前記二次電子放出電極が形成される領域を除く前記誘電体層の上面に,前記誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されることを特徴とする,請求項10〜12のいずれかに記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 前記アドレス電極から前記放電セルに二次電子を放出させるために,前記アドレス電極上に形成される前記アドレス電極用の二次電子放出電極をさらに備え,前記アドレス電極用の二次電子放出電極が前記BNBSを備えることを特徴とする,請求項10〜14のいずれかに記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 前記アドレス電極用の二次電子放出電極は,前記BNBSが形成される基板として機能するために前記アドレス電極上に形成される底電極層と,前記底電極層上に形成されるBNBS層とを含むことを特徴とする,請求項15に記載のBNBSを用いたプラズマディスプレイパネル。
- 所定の離隔距離を有して互いに対向して配され,放電空間を形成する前面基板および背面基板と;
前記放電空間内の前記背面基板上に塗布される蛍光体と;
前記放電空間内で放電を起こすために,前記放電空間内の前記前面基板上に互いに並行に形成される複数の維持電極と;
前記複数の維持電極を覆うように前記前面基板上に塗布される誘電体層と;
前記誘電体層上に前記複数の維持電極に対向して互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極と;
を備え,
前記二次電子放出電極が窒化ホウ素バンブーシュート(BNBS)を備えることを特徴とする,BNBSを用いたフラットランプ。 - 前記二次電子放出電極は,前記BNBSが形成される基板として機能するために前記誘電体層上に形成される底電極層と,前記底電極層上に形成されるBNBS層とを含むことを特徴とする,請求項17に記載のBNBSを用いたフラットランプ。
- 前記底電極層は,シリコンまたはニッケルからなることを特徴とする,請求項18に記載のBNBSを用いたフラットランプ。
- 前記二次電子放出電極と前記誘電体層の上面とを覆うように,前記誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されることを特徴とする,請求項17〜19のいずれかに記載のBNBSを用いたフラットランプ。
- 前記二次電子放出電極が形成される領域を除く前記誘電体層の上面に,前記誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されることを特徴とする,請求項17〜19のいずれかに記載のBNBSを用いたフラットランプ。
- 所定の離隔距離を有して互いに対向して配され,放電空間を形成する前面基板および背面基板と;
前記放電空間内の前記背面基板上に塗布される蛍光体と;
前記放電空間内で放電を起こすために,前記放電空間内の前記前面基板上に互いに並行に形成される複数の維持電極と;
前記複数の維持電極上に互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極と;
前記複数の維持電極および前記複数の二次電子放出電極の側面を覆うような所定の高さで前記前面基板上に塗布される誘電体層と;
を備え,
前記二次電子放出電極が窒化ホウ素バンブーシュート(BNBS)を備えることを特徴とする,BNBSを用いたフラットランプ。 - 前記二次電子放出電極は,前記BNBSが形成される基板として機能するために前記維持電極上に形成される底電極層と,前記底電極層上に形成されるBNBS層とを含むことを特徴とする,請求項22に記載のBNBSを用いたフラットランプ。
- 前記底電極層は,シリコンまたはニッケルからなることを特徴とする,請求項23に記載のBNBSを用いたフラットランプ。
- 前記二次電子放出電極と前記誘電体層の上面とを覆うように,前記誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されることを特徴とする,請求項22〜24のいずれかに記載のBNBSを用いたフラットランプ。
- 前記二次電子放出電極が形成される領域を除く前記誘電体層の上面に,前記誘電体層を保護するためのMgO保護層が塗布されることを特徴とする,請求項22〜24のいずれかに記載のBNBSを用いたフラットランプ。
- 所定の離隔距離を有して互いに対向して配され,放電空間を形成する前面基板および背面基板と;
前記放電空間内の前記背面基板上に塗布される蛍光体と;
前記放電空間内で放電を起こすために,前記放電空間外の前記前面基板上に互いに並行に形成される複数の維持電極と;
前記放電空間内の前記前面基板上に前記複数の維持電極に対向して互いに並行に形成される複数の二次電子放出電極と;
を備え,
前記二次電子放出電極が窒化ホウ素バンブーシュート(BNBS)を備えることを特徴とする,BNBSを用いたフラットランプ。 - 前記二次電子放出電極は,前記BNBSが形成される基板として機能するために前記前面基板上に形成される底電極層と,前記底電極層上に形成されるBNBS層とを含む
ことを特徴とする,請求項27に記載のBNBSを用いたフラットランプ。 - 前記底電極層は,シリコンまたはニッケルからなることを特徴とする,請求項28に記載のBNBSを用いたフラットランプ。
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