JPH10321145A

JPH10321145A - 表示装置

Info

Publication number: JPH10321145A
Application number: JP10032974A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Mori; 啓森; Suehiro Nakamura; 末広中村
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-03-19
Filing date: 1998-02-16
Publication date: 1998-12-04
Also published as: US6169363B1

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマ放電を利用した表示装置において、
画素の高精細化を図る。【解決手段】プラズマ放電を利用した交流駆動型の表
示装置において、一方の基板３２に複数の放電維持電極
〔Ｉ₁，Ｉ₂，‥‥Ｉ_m〕からなる放電維持電極群と、
複数のアドレス電極〔Ｊ₁，Ｊ₂，‥‥Ｊ_n〕からなる
アドレス電極群とが形成され、少なくとも放電維持電極
群とアドレス電極群の一部を構成する複数の放電開始ア
ドレス電極〔Ｊ₁₁，Ｊ₂₁，‥‥Ｊ_nm〕からなる放電開始
アドレス電極群との上に誘電体層３７，４０が形成され
て成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＡＣ型（交
流型）プラズマ表示パネル（ｐｌａｓｍａｄｉｓｐｌ
ａｙｐａｎｅｌ：ＰＤＰ、以下、「ＡＣ型ＰＤＰ」と
いう。）等のいわゆるプラズマ放電を利用した交流駆動
型の表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、放電維持電極群とアドレス電極群
との間に設けられた電荷蓄積層に電荷を蓄積させて高周
波放電現象により放電特性を利用して表示を行うＡＣ型
ＰＤＰがある。このＡＣ型ＰＤＰには、放電ガスの発光
色を見るものと、放電によって発生する紫外線で蛍光体
を可視発光させるものとがある。

【０００３】ＡＣ型ＰＤＰの構成には、各種方法が知ら
れているが、薄型にするため、対向する前面ガラスパネ
ルと背面ガラスパネルの周囲を封止して、気密容器内に
放電ガスを形成するものが多く採用されている。

【０００４】放電表示セルは、通常、ライン状第１電極
群とライン状第２電極群との交差する位置に形成され
る。隣接するセル間の誤放電や色にじみを防ぐため、あ
るいは、パネル内外の圧力差を支えたり、また、電極間
距離を規定するために、放電表示セルの周囲には隔壁が
形成される。

【０００５】以下、カラーＡＣ型ＰＤＰについて説明す
る。表示放電電極は、蛍光体形成部分から遠ざけるた
め、いわゆる面放電型の構成としている。従来のカラー
ＡＣ型ＰＤＰでは、２相の電極で駆動するものと、３相
で駆動するものとが知られている。

【０００６】図３８に２相電極カラーＡＣ型ＰＤＰの構
成を示す。図３９は図３８のＡ−Ａ’線上の断面図であ
る。図３８は１画素に対応する１部分を示す構成図であ
る。このＰＤＰ１は、マトリクス表示の単位発光領域に
表示電極２とアドレス電極６とが対向する２電極構造を
有し、アドレス電極６側に蛍光体８を形成して構成され
る。

【０００７】面放電のための表示電極２は、表示面側の
前面ガラス基板３上に設けられ、ＡＣ駆動用の誘電体層
４によって放電空間に対して被覆されている。誘電体層
４の表面には、後述する隔壁９に対応する位置に単位発
光領域を規定するブラックマトリクス５が設けられてい
る。

【０００８】一方、単位発光領域を選択的に発光させる
ためのアドレス電極６は、背面側のガラス基板７上に、
所定ピッチで表示電極２と直交するように配列されてい
る。

【０００９】各アドレス電極６の間には、白色誘電体層
８を介して、放電空間の間隙寸法を規定する所定の幅を
有したストライプ状の隔壁９が設けられ、これによって
放電空間はライン方向（表示電極２の延長方向）に単位
発光領域毎に区画されている。また、背面ガラス基板７
には、アドレス電極２の上面及び隔壁９の側面を含めて
背面側の内面を被覆するように赤、緑、青の３原色の蛍
光体１０が設けられている。なお、放電空間には、蛍光
体１０に対する紫外線励起のための放電ガスとして、例
えばネオンやアルゴンにキセノンを混合したペニングガ
スが封入されている。

【００１０】図４０に３相電極カラーＡＣ型ＰＤＰの構
成を示す。図４１はアドレス電極の延長方向と平行なＢ
−Ｂ’線上の断面図であり、図４２は表示電極の延長方
向と平行なＣ−Ｃ’線上の断面図である。図４０は１画
素に対応する部分を含む斜視図である。このＰＤＰ１１
は、マトリクス表示の単位発光領域に一対の表示電極１
３，１３とアドレス電極１８とが対向する３電極構造を
有し、アドレス電極１８側に蛍光体２１を形成して構成
される。これは面放電型ＰＤＰと称せられている。

【００１１】面放電のための表示電極１３，１３は、表
示面側の前面ガラス基板１２上に設けられ、ＡＣ駆動用
の誘電体層１５によって放電空間に対して被覆されてい
る。誘電体層１５の表面には、その保護層１６として数
千オングストローム程度の厚さのＭｇＯ膜が設けられて
いる。１４は、表示電極１３，１３上に形成された低抵
抗のバス電極である。

【００１２】一方、単位発光領域を選択的に発光させる
ためのアドレス電極１８は、背面側のガラス基板１７上
に、例えば２００ミクロン程度のピッチで表示電極１
３，１３と直交するように配列されている。１９はアド
レス電極１８を含む面上に形成された誘電体層である。

【００１３】各アドレス電極１８の間には、放電空間の
間隙寸法を規定する１００ミクロン程度の幅を有したス
トライプ状の隔壁２０が設けられ、これによって放電空
間はライン方向（表示電極１３，１３の延長方向）に単
位発光領域毎に区画されている。また、背面ガラス基板
１７には、アドレス電極１８の上面及び隔壁２０の側面
を含めて背面側の内面を被覆するように赤、緑、青の３
原色の蛍光体２１Ｒ，２１Ｂ，２１Ｇが設けられてい
る。なお、放電空間には、蛍光体２１に対する紫外線励
起のための放電ガスとして、例えばネオンにキセノンを
混合したペニングガスが封入されている。

【００１４】表示画面を構成する各１ピクセル（画素）
には、ライン方向に並ぶ同一面積の赤（Ｒ），緑
（Ｇ），青（Ｂ）の３つの単位発光領域が対応づけられ
ている。各単位発光領域において、一対の表示電極１
３，１３によって面放電セル（表示のための主放電セ
ル）が画定され、一方の表示電極１３とアドレス電極１
８とによって表示または非表示を選択するためのアドレ
ス放電セルが画定される。これにより、図４０の横方向
に連続する蛍光体２１のうち、各単位発光領域に対応し
た部分を選択的に発光させることができ、赤（Ｒ），緑
（Ｇ），青（Ｂ）の組み合わせによるフルカラー表示が
可能になる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなカ
ラーＡＣ型ＰＤＰ１１において、表示画素を高精細にす
るためには、表示電極１３，１３間距離を小さくする必
要がある。また、これに関連して、アドレス電極１８と
表示電極１３，１３間距離との距離も表示電極１３，１
３間距離と等しくする必要がある。このとき、電極１
３，１３間距離が例えば、２０ミクロン以下の場合、２
０〜４０ミクロンの厚さの蛍光体層２１を形成したと
き、プラズマ放電空間２２がなくなってしまい、電極間
で絶縁破壊が起こる恐れがあるという不都合があった。
また、プラズマ放電空間２２を確保した構成を考えて
も、蛍光体２１を構成すべき部所は限られており、蛍光
体２１が少なくなれば低輝度にもなるし、さらに、イオ
ン衝撃によって蛍光体２１の劣化が生じてしまうという
不都合があった。

【００１６】本発明は、このような点を考慮し、電極間
距離を小さくしても、プラズマ放電空間が確保され、蛍
光体の劣化がない表示装置を提供することを目的とする
ものである。本発明は、高精細の表示装置を提供するこ
とを目的とするものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る表示装置
は、プラズマ放電を利用した交流駆動型の表示装置にお
いて、放電維持電極群とアドレス電極群が同一の基板上
形成された構成とする。

【００１８】本発明の表示装置においては、放電維持電
極群とアドレス電極群が同一の基板に形成されるので、
アドレス電極と放電維持電極との電極間距離がいくら小
さくなっても、隔壁によって、プラズマ放電空間が十分
確保される。従って、表示画素の高精細化が可能にな
る。また、プラズマにより発生した紫外線によって対向
する基板側の蛍光体層を励起発光させる構成としたとき
は、プラズマによる紫外線が十分確保され、蛍光体層の
高輝度発光が可能になる。さらに、蛍光体層はプラズマ
の外に設けることができ、プラズマに蛍光体層が晒され
ることがないため、プラズマのイオン衝撃による蛍光体
の劣化も防ぐことができる。

【００１９】また、アドレス電極群と放電維持電極群と
を同一の基板上に形成することにより、電極形成のプロ
セスにおいて、各電極間の正確な位置出しができ、電極
側の基板と之に対向する基板との封止プロセスにおい
て、位置あわせ、スペース間隔の許容範囲が大きくなり
余裕ができる。従って、歩留まりが向上し、コストダウ
ンが図れる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明に係る表示装置は、プラズ
マ放電を利用した交流駆動型の表示装置において、一方
の基板に、複数の放電維持電極からなる放電維持電極群
と、複数のアドレス電極からなるアドレス電極群とを形
成し、少なくとも放電維持電極群と、アドレス電極群の
一部を構成する複数の放電開始アドレス電極からなる放
電開始アドレス電極群との上に、誘電体層を形成して構
成する。

【００２１】この一方の基板に対向する他方の基板に
は、プラズマ放電による紫外線で発光する蛍光体層を形
成することができる。

【００２２】放電維持電極群とアドレス電極群とは、互
に交差して形成し、放電維持電極群とアドレス電極群の
間に絶縁体層を形成する。この絶縁体層は、上記誘電体
層を延長して形成することができ、または、誘電体層と
は別に形成することができる。

【００２３】放電維持電極と放電開始アドレス電極は、
同一面上に形成し、アドレス電極と放電開始アドレス電
極とを、アドレス電極下の絶縁体層に設けた孔を介して
互に接続することができる。

【００２４】放電維持電極と放電開始アドレス電極は、
同一面上に形成し、放電維持電極群と交差するアドレス
電極群を絶縁体層を介して形成し、各アドレス電極の延
長部をこの絶縁体層の側面に沿って放電開始アドレス電
極に直接接続して構成することができる。この場合、こ
の放電維持電極群、放電開始アドレス電極群及びアドレ
ス電極群の全面上にわたって誘電体層を形成することが
できる。

【００２５】本発明では、放電維持電極と、該放電維持
電極の端子部とを直接絶縁膜で被覆した構成とすること
ができる。この場合、放電維持電極と放電開始アドレス
電極の上に別途誘電体層を形成することができる。

【００２６】また、放電維持電極と、該放電維持電極の
端子部と、アドレス電極の一部を構成する放電開始アド
レス電極とを、絶縁膜で被覆した構成とすることができ
る。この構成では、この絶縁膜を誘電体層として利用す
ることができる。また絶縁膜を誘電体層として利用する
ときはこの絶縁膜上に保護膜を兼ねるＭｇＯ膜を形成す
ることができる。勿論、絶縁膜上を含む全面に別個の誘
電体層を形成することもできる。

【００２７】この絶縁膜としては、膜厚を１０μｍ〜１
００μｍとすることができる。

【００２８】本発明では、放電維持電極群に対して絶縁
体層を介して交差するアドレス電極群と、放電開始アド
レス電極群とを、互に連続して同時に形成した構成とす
ることができる。この表示装置において、放電維持電極
群を覆って、或は放電維持電極を含む基板の全面を覆っ
て絶縁膜を形成し、放電維持電極群に対して交差するア
ドレス電極群と、放電開始アドレス電極群とを互に連続
して同時形成した構成とすることもできる。この場合、
アドレス電極群は、絶縁膜上にさらに絶縁体層を介して
形成することができる。

【００２９】他方の基板側に反射膜を形成し、一方の基
板側から見る表示の発光輝度を向上するように構成する
ことができる。例えば、他方の基板と蛍光体層との間に
反射膜を形成することができる。

【００３０】一方の基板側に反射膜を形成し、他方の基
板側から見る表示の発光輝度を向上するように構成する
ことができる。例えば、一方の基板上に反射膜及び絶縁
膜を介して放電維持電極群、放電開始アドレス電極群及
びアドレス電極群を形成することができる。

【００３１】反射膜としては、アルミニウム（Ａｌ）、
ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、その他の金属膜等の高
反射率材料を用いることができる。

【００３２】本発明では、一方の基板側の放電開始アド
レス電極を単位放電領域毎に形成し、他方の基板に隔壁
を形成して各隣り合う隔壁間内に蛍光体層を形成し、各
隔壁と各アドレス電極とが互に対応するように一方の基
板と他方の基板とを封止して構成することができる。

【００３３】放電維持電極群においては、その対をなす
第１及び第２の放電維持電極間の距離を５０μｍ以下、
３０μｍ以下、例えば５μｍ〜２０μｍ、さらには５μ
ｍ以下、１μｍ以下に設定することができる。

【００３４】放電維持電極群の対をなす第１及び第２の
放電維持電極間の距離と、放電開始アドレス電極と放電
維持電極（即ち対をなす一方の放電維持電極）との間の
距離とは、互にほぼ等距離、即ち、互に等距離、あるい
は、互に近似した距離に設定することができる。

【００３５】放電維持電極、即ち対をなす一方の放電維
持電極と放電開始アドレス電極との間の距離は、放電維
持電極群の対をなす第１及び第２の放電維持電極間の距
離の±３０％以内の範囲に設定することができる。

【００３６】また、放電開始電圧を例えばパッシェン最
小値に選定するときは、放電維持電極群の対をなす第１
及び第２の放電維持電極間の距離と、一方の放電維持電
極及び放電開始アドレス電極間の距離は、共にこのとき
決まる電極間距離に対して±数十％程度の変動を許容で
きる。また、この両電極間距離は、放電開始電圧をパッ
シェン最小値以外の値に設定する場合においても、この
とき決まる電極間距離に対して±３０％程度の許容度を
有する。

【００３７】一方の基板と他方の基板を封止して形成さ
れる気密容器内、即ち、その放電空間には、封入ガス圧
が０．８〜３．０気圧となるようにＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，
Ｘｅ，Ｋｒのうちの１種以上のガスを封入することがで
きる。

【００３８】放電開始アドレス電極としては、Ｌ字型に
形成することができる。

【００３９】アドレス電極上を除く放電開始アドレス電
極及び放電維持電極上の誘電体層の表面には、保護膜と
仕事関数を下げることを兼ねる酸化マグネシウム層を形
成することができる。

【００４０】放電維持電極及び放電開始アドレス電極上
の誘電体層の厚さは、電極間距離、即ち対をなす第１及
び第２の放電維持電極間距離、及び、対をなす放電維持
電極の一方と放電開始アドレス電極との間の距離、より
も薄く形成するのが好ましい。

【００４１】放電維持電極群は、例えば透明導電膜、或
はＡｌ，Ｃｒ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ／Ｃｒ２層膜構造、Ｃ
ｒ／Ａｌ／Ｃｒ３層膜構造等の金属膜で形成することが
できる。放電開始アドレス電極群も、放電維持電極群と
同時に形成するときは、放電維持電極群と同一材で形成
することができる。アドレス電極群は、例えばＡｌ，Ａ
ｇ等の金属材料で形成することができる。

【００４２】本発明の表示装置は、カラー表示装置、モ
ノクロ表示装置のいずれにも適用できる。カラー表示装
置の場合には、例えば赤，緑，青の各単位放電領域（い
わゆるドット）の組で１ピクセル（画素）が構成され、
モノクロ表示装置の場合は、１つの単位放電領域（いわ
ゆるドット）で１ピクセル（画素）が構成される。

【００４３】図１〜図３は、本発明の表示装置の一実施
の形態を示す。本実施の形態は、カラーＡＣ型ＰＤＰに
適用した場合である。この表示装置３１は、一方の基板
となる第１の基板、例えば下面ガラス基板３２に、スト
ライプ状をなす複数の放電維持電極Ｉ〔Ｉ₁，Ｉ₂‥‥
Ｉ_m〕からなる放電維持電極群と、ストライプ状をなす
複数のアドレス電極Ｊ〔Ｊ₁，Ｊ₂‥‥Ｊ_n〕からなる
アドレス電極群と、各アドレス電極の一部を構成する複
数の放電開始アドレス電極Ｊ_A〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_n1，
Ｊ₁₂，‥‥Ｊ_n2，‥‥Ｊ_1m，‥‥Ｊ_nm〕からなる放電開
始アドレス電極群が形成されてなる、いわゆる電極基板
３３を形成し、この電極基板３３に対向して他方の基板
となる第２の基板、例えば上面ガラス基板３４に蛍光体
層３５が形成されてなる、いわゆる蛍光体基板３６を形
成し、之等、電極基板３３と蛍光体基板３６を気密封止
して構成される。

【００４４】放電維持電極群は、図３に示すように、放
電が開始された後に放電を維持するための夫々一対をな
す放電維持電極Ｉ₁及びＩ₂，Ｉ₃およびＩ₄，‥‥，
Ｉ_m-1およびＩ_mを形成するように、配列される。

【００４５】アドレス電極群の各アドレス電極Ｊ_1,‥‥
Ｊ_nは、表示アドレスを指定するための電極であり、放
電維持電極群と交差し、例えば放電維持電極Ｉ〔Ｉ₁，
Ｉ₂，‥‥Ｉ_m〕の長手方向に沿って所定間隔を置いて
配列される。

【００４６】放電開始アドレス電極群の各放電開始アド
レス電極Ｊ_A〔Ｊ_11,‥‥Ｊ_nm〕は、対をなす放電維持
電極（Ｉ₁，Ｉ₂）、（Ｉ₃，Ｉ₄）、‥‥（Ｉ_m-1，
Ｉ_m〕の一方の電極、例えば放電維持電極Ｉ₂，Ｉ₄，
‥‥Ｉ_mとの間で放電を開始させるための電極であり、
各単位発光領域に対応して配列される。各放電開始アド
レス電極Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nmは、放電維持電極に平行する一
片部とアドレス電極に沿う他片部からなるＬ字型に形成
される。

【００４７】放電維持電極Ｉ₁，‥‥Ｉ_mと、放電開始
アドレス電極Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nmとは下面ガラス基板３２の
同一面上に形成され、この放電維持電極Ｉ₁，‥‥Ｉ_m
及び放電開始アドレス電極Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm上（端子部を
除く領域）に誘電体層３７が形成される。アドレス電極
Ｊ₁，‥‥Ｊ_nは、この誘電体層３７上に放電開始アド
レス電極Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nmの一部上を通り放電維持電極Ｉ
₁，‥‥Ｉ_mと交差、例えば直交するように形成され
る。ここで、ストライプ状のアドレス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ
_n直下の誘電体層３７は、いわゆる絶縁体層として作用
し、この誘電体層３７からなる絶縁体層によりアドレス
電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nと放電維持電極Ｉ₁，‥‥Ｉ_mとの
間が絶縁され、お互に短絡しないようになされる。

【００４８】そして、各アドレス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nの
夫々は、図３，図４に示すように、アドレス電極Ｉ₁，
‥‥Ｉ_nと放電開始アドレス電極Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nmとが交
差する部分の誘電体層４７からなる絶縁体層に設けたコ
ンタクト用の孔３９を介して各列の放電開始アドレス電
極Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nmと接続される。即ち、放電開始アドレ
ス電極Ｊ₁₁，Ｊ₁₂，‥‥Ｊ_1mが共通のアドレス電極Ｊ₁
に接続され、放電開始アドレス電極Ｊ₂₁，Ｊ₂₂，‥‥Ｊ
_2mが共通のアドレス電極Ｊ₂に接続され、放電開始アド
レス電極Ｊ_n1，Ｊ_n2，‥‥Ｊ_nmが共通のアドレス電極Ｊ
_nに接続される。

【００４９】ここで、放電維持電極Ｉ₁，Ｉ₂，Ｉ₃，
Ｉ₄，‥‥Ｉ_m-1，Ｉ_mと、放電開始アドレス電極
Ｊ₁₁，Ｊ₂₁，‥‥Ｊ_n1，‥‥Ｊ_nmは、所要の導電膜、例
えば後述する透明導電膜、例えばＩＴＯ膜で形成するこ
とができる。このとき、ＩＴＯ膜は抵抗値が高いため、
抵抗値を下げるためのバス電極Ｋ₁，Ｋ₂，Ｋ₃，
Ｋ₄，‥‥，Ｋ_mが各対応する放電維持電極Ｉ₁，
Ｉ₂，Ｉ₃，Ｉ₄，‥‥，Ｉ_m上に、またバス電極
Ｋ₁₁，Ｋ₂₁，‥‥，Ｋ_n1，‥‥Ｋ_nmが各対応する放電開
始アドレス電極Ｊ₁₁，Ｊ₂₁，‥‥，Ｊ_n1,‥‥Ｊ_nm上に
夫々形成される。

【００５０】アドレス電極Ｊ₁，Ｊ₂，Ｊ₃，‥‥Ｊ_n
は、アルミニウム、銀等の金属材料で形成され抵抗値が
低いため、アドレス電極Ｊ₁，Ｊ₂，Ｊ₃，‥‥Ｊ_n上
にはバス電極は設けられていない。

【００５１】さらに、アドレス電極Ｊ₁，Ｊ₂，‥‥Ｊ
_nを含む全面上に誘電体層４０が形成され、この誘電体
層４０の表面に保護膜として、また放電開始電圧を下げ
る役割をする酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層４１が形成
される。この場合、アドレス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nへの放
電を起こさせないために、酸化マグネシウム層４１は、
ストライプ状のアドレス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nの上を除い
て形成することが望ましい。

【００５２】尚、図示せざるも、誘電体層の厚みを薄く
することを考えると、誘電体層４０を省略し、ストライ
プ状のアドレス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_n上に絶縁層を形成
し、誘電体層３７の表面に酸化マグネシウム層４１を形
成するようになすこともできる。

【００５３】そして、図５に示すように、各対をなす放
電維持電極間の距離ｄ₁と、その一方の放電維持電極と
これに対向する放電開始アドレス電極との間の距離ｄ₂
とを互にほぼ等しい距離（即ち互に等距離、あるいは、
互に近似した距離）に設定する。

【００５４】図５では、対の放電維持電極Ｉ₁及びＩ₂
間の距離ｄ₁と、その一方の放電維持電極Ｉ₂とこれに
対向する放電開始アドレス電極Ｊ₁₁との間の距離ｄ₂に
ついて示したが、その他の各単位放電領域における対の
放電維持電極間の距離ｄ₁と、その一方の放電維持電極
と放電開始アドレス電極との間の距離ｄ₂についても、
同様の条件で設定する。

【００５５】ここで、放電維持電極の一方と放電開始ア
ドレス電極との間の距離ｄ₂は、対をなす放電維持電極
間の距離ｄ₁の±３０％以内の範囲に設定することがで
きる。

【００５６】この場合、数１に示すように、パッシェン
の法則により、封入ガスの圧力Ｐと放電電極間距離ｄと
の積が一定となるように後述の封入ガスの圧力を設定す
る必要がある。

【００５７】

【数１】Ｐｄ＝一定

【００５８】距離ｄ₂は、封入ガス圧を一定にしたと
き、パッシェン曲線の最小値で決まる距離の±３０％以
内に設定することができる。

【００５９】放電開始電圧を例えばパッシェン最小値に
選定するときは、電極間距離ｄ₁及びｄ₂は、このとき
決まる距離ｄに対して±数十％程度の変動を許容でき
る。また、電極間距離ｄ₁及びｄ₂は、放電開始電圧を
パッシェン最小値以外の値に設定する場合においても、
このとき決まる電極間距離に対して±３０％程度の許容
度を有する。

【００６０】対をなす放電維持電極Ｉ₁及びＩ₂、Ｉ₃
及びＩ₄，‥‥Ｉ_m-1及びＩ_m間の距離ｄ₁は、５０μ
ｍ以下、例えば５μｍ〜２０μｍ、さらには５μｍ以
下、１μｍ以下に設定することができる。距離ｄ₂は、
この距離ｄ₁の値によって決められる。

【００６１】誘電体層として機能する膜、即ち誘電体層
３７，４０及びＭｇＯ膜４１の合計の膜厚ｔ₁は、同一
面上の放電開始アドレス電極と一方の放電維持電極との
間の距離ｄ₂、及び、対の放電維持電極間の距離ｄ₁よ
りも薄くするを可とする。

【００６２】即ち、図６Ａに示すように、基板５１上に
１対の放電電極５２及び５３を形成し、この放電電極５
２及び５３上に誘電体層５４を形成したとき、放電電極
５２及び５３間の距離をｄ、夫々の放電電極５２，５３
上の誘電体層５４の厚さをｔとするとき、２ｔ＜ｄであ
れば、両電極５２及び５３間の放電は誘電体層５４上で
起こる。

【００６３】之に対して、図６Ｂに示すように、誘電体
層５４の厚さが大きく、２ｔ＞ｄであれば、両電極５２
及び５３間の放電は、誘電体層５４内で起こり、両電極
５２及び５３間での絶縁破壊が生ずる。従って、本実施
の形態では、誘電体層３７，４０及びＭｇＯ膜４１の合
計の膜厚ｔ₁は距離ｄ₂及び距離ｄ₁よりも薄く、即
ち、２ｔ₁＜ｄ₂、２ｔ₁＜ｄ₁となるよう設定する。

【００６４】一方、第２の基板である例えば上面ガラス
基板３４においては、図２及び図７に示すように、各隣
り合う単位放電領域の列を区画するように、複数のスト
ライプ状の隔壁５６を一体に形成し、各隣り合う隔壁５
６間内に蛍光体層３５が被着形成される。即ち、赤
（Ｒ）の蛍光体層３５Ｒ、緑（Ｇ）の蛍光体層３５Ｇ、
及び青（Ｂ）の蛍光体層３５Ｂが順次繰り返して形成さ
れる。隔壁５６の幅は、図２及び図１４で示すように、
アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕の幅より大きく形成さ
れる。

【００６５】そして、この上面ガラス基板３４に蛍光体
層３５を形成した、いわゆる蛍光体基板３６と、下面ガ
ラス基板３２に放電維持電極群、アドレス電極群及び放
電開始アドレス電極群を形成した、いわゆる電極基板３
３とが、その各隔壁５６を各アドレス電極Ｊ₁，Ｊ₂，
‥‥Ｊ_n上に位置するようにして封止され、両基板３６
及び３３で構成される気密容器内、即ち内部の放電空間
に所要のガスが封入される。

【００６６】封入ガスとしては、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｘ
ｅ，Ｋｒのうちの１種以上のガスを用いることができ、
例えばネオン（Ｎｅ）／キセノン（Ｘｅ），アルゴン
（Ａｒ）／キセノン（Ｘｅ）、等の混合ガスからなるペ
ニングガスが主として用いられる。プラズマ放電により
発生する紫外線によってＲＧＢ蛍光体層３５Ｒ，３５
Ｇ，３５Ｂが励起して、それぞれの色を発光させる。

【００６７】隔壁５６は、表示の際のコントラストを向
上するために、表面を黒色にすることができる。

【００６８】図１４は、赤（Ｒ），緑（Ｇ）及び青
（Ｂ）の３色の単位放電領域からなる１ピクセル（画
素）のカラー放電領域を示す。

【００６９】次に、かかる表示装置３１の動作を説明す
る。例えば一対の放電維持電極Ｉ₁及びＩ₂間に放電を
維持させるための放電維持電圧が印加され、アドレス電
極Ｊ₁を通じて放電開始アドレス電極Ｊ₁₁と一方の放電
維持電極Ｉ₂間に放電を開始するための放電維持電圧よ
り高い放電開始電圧が印加されると、一旦一方の放電維
持電極Ｉ₂と放電開始アドレス電極Ｊ₁₁間で放電が開始
した後、１対の放電維持電極Ｉ₁及びＩ₂間で放電が維
持される。そして、この放電維持電極Ｉ₁及びＩ₂間で
の放電によってプラズマが発生し、このプラズマで発生
した紫外線によって対応する部分の蛍光体層３５〔３５
Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂ〕が励起発光する。従って、各アド
レス電極Ｊ₁，Ｊ₂，‥‥Ｊ_nを選択して順次に放電開
始電圧を印加し、また各行の対をなす放電維持電極Ｉ₁
及びＩ₂，Ｉ₃及びＩ₄，‥‥Ｉ_m-1及びＩ_mに順次放
電維持電圧を印加することにより、所要のカラー表示が
得られる。

【００７０】即ち、１ピクセルの放電領域（図１４，図
２参照）において、隔壁５６間に設けられた赤（Ｒ），
緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色の蛍光体層３５Ｒ，３５Ｇ
及び３５Ｂに、プラズマ放電に基づいて発生した紫外線
が照射されて各色に発光し、カラー表示がなされる。

【００７１】ここで、アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕
には、所定アドレス位置の画素に放電を発光させるた
め、例えばパルスを印加することにより、この位置の画
素の放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕と一方の
放電維持電極〔Ｉ₂，Ｉ₄，‥‥Ｉ_m〕との間で放電を
開始するようになす。

【００７２】表示装置３１において、表示を見る方向は
電極基板３３側、あるいは蛍光体基板３６側のいずれか
らでも可能である。従って、少なくとも表示を見る側の
基板は透明基板とする。そして、電極基板３３側から表
示を見るときは、放電維持電極Ｉ₁，Ｉ₂，‥‥Ｉ_n及
び放電開始アドレス電極Ｊ₁₁，Ｊ_12,‥‥Ｊ_nmを透明導
電膜で形成するのが望ましい。また蛍光体基板３６側の
基板３４は、透明基板とする必要はない。輝度を得るた
めには、できるだけ開口部分が大きい方が好ましい。

【００７３】蛍光体基板３６側から表示を見るときは、
基板３４を透明基板とする。なお、電極基板３３側の基
板３２は透明基板とする必要はなく、また放電維持電極
Ｉ₁，Ｉ₂，‥‥Ｉ_n及び放電開始アドレス電極Ｊ_11,
‥‥Ｊ_nmも電極抵抗を下げるためと、輝度を得るため
に、例えばアルミニウムのような低抵抗で光を反射する
ような金属等で構成すれば良い。

【００７４】次に、上述の表示装置の製法の一例を説明
する。

【００７５】図８〜図１３は電極基板３３の製造工程を
示す。先ず、図８Ａ及びＢに示すように、第１の基板例
えばガラス基板３２の一面上に、例えばＩＴＯ膜（Ｉｎ
₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂）、酸化錫膜（ＳｎＯ₂）等の透明導
電膜５８、この例ではＩＴＯ膜を被着形成する。

【００７６】次に、図９Ａ及びＢに示すように、透明導
電膜５８をパターニングして、各対をなす放電維持電極
Ｉ₁及びＩ₂，Ｉ₃及びＩ₄，‥‥，Ｉ_m-1及びＩ
_mと、放電開始アドレス電極Ｊ₁₁，Ｊ₂₁，‥‥，Ｊ_n1，
‥‥Ｊ_nmを形成する。

【００７７】この透明導電膜５８による電極〔Ｉ₁，‥
‥Ｉ_m〕及び〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕の形成法には、以下の
エッチング法とリフトオフ法とがある。エッチング法による電極形成は、(i) ガラス基板３２
上の全面に透明導電膜５８であるＩＴＯ膜（酸化錫Ｓｎ
Ｏ₂膜はエッチングに強いので一般には使わない）を形
成し、(ii)このＩＴＯ膜上にレジストで電極のネガパタ
ーンを形成し、(iii) 次いで、塩酸等でレジストの被覆
されていない部分のＩＴＯ膜をエッチング除去して行わ
れる。リフトオフ法による電極形成は、(i) ガラス基板３２
上にレジストで電極のネガパターンを形成し、(ii)この
レジストのネガパターン上を含むガラス基板３２の全面
上にＩＴＯ膜をスパッタ、蒸着等で形成し、(iii) 次い
で、レジスト剥離剤により、レジストとレジスト上のＩ
ＴＯ膜を共に除去して行われる。

【００７８】次に、図１０Ａ及びＢに示すように、放電
維持電極Ｉ₁，Ｉ₂，‥‥Ｉ_mは放電開始アドレス電極
Ｊ_11,‥‥Ｊ_nm上に、之等の電極の抵抗を下げるための
低抵抗のバス電極Ｋ〔Ｋ₁，‥‥Ｋ_m，Ｋ_11,‥‥
Ｋ_nm〕を形成する。バス電極Ｋ〔Ｋ₁，‥‥Ｋ_m，
Ｋ₁₁，‥‥Ｋ_nm〕は、低抵抗の金属を放電維持電極〔Ｉ
₁，‥‥Ｉ_m〕、及び放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥
‥Ｊ_nm〕より細く線状に形成するか、又は導電ペースト
のスクリーン印刷で同様に形成することができる。印刷
で形成する場合の導電ペーストとしては、例えば銀（Ａ
ｇ）、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）などの導電ペーストが用いられる。図１５に、バス
電極Ｋの形成パターンを示す。バス電極Ｋは、放電維持
電極Ｉ及び放電開始アドレス電極Ｊ_Aに対して電極幅方
向の一側端部又は中央部で長手方向に沿って重ねて形成
する。バス電極Ｋの材料は、例えば銀Ａｇ、または銅Ｃ
ｕ／クロムＣｒ／銅Ｃｕの３層構造の材料を用いること
ができる。

【００７９】次に、図１１Ａ及びＢに示すように、放電
維持電極Ｉ₁，Ｉ₂，‥‥Ｉ_m-1，Ｉ_m及び放電開始ア
ドレス電極Ｊ_11,‥‥Ｊ_nm上を含む基板３２上、特に端
子部を除く領域に、誘電体層３７を形成する。

【００８０】次いで、誘電体層３７を含む全面上に、放
電開始アドレス電極Ｊ₁₁，Ｊ₂₁，‥‥Ｊ_n1，‥‥Ｊ_nmの
一部に対応する位置に開口部を有するレジスト膜を被着
形成し、このレジスト膜上からサンドブラスト法によ
り、例えば平均粒径２０〜３０ミクロンの炭酸カルシウ
ムＣａＣＯ₃を高圧噴射し、誘電体層３７の放電開始ア
ドレス電極Ｊ₁₁，Ｊ₂₁，‥‥Ｊ_n1，‥‥Ｊ_nmの一部に対
応する位置にコンタクト用の孔５９を形成する。

【００８１】誘電体層３７は、例えばガラスペーストで
形成することができる。誘電体層３７は、できるだけ透
明で、しかも誘電率の高いものを用いる必要があり、更
に、高い電圧に絶え得るようにピンホールなど発生しに
くい材料である必要もある。

【００８２】次に、図１２Ａ及びＢに示すように、誘電
体層３７上にコンタクト用の孔５９を通るようにアドレ
ス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nを形成する。アドレス電極Ｊ₁，
‥‥Ｊ_nの形成時に、同時にコンタクト用の孔３９を介
してアドレス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nと各対応する放電開始
アドレス電極Ｊ_11,‥‥Ｊ_nmとが接続される。アドレス
電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nは、Ａｌ蒸着、或は前述のバス電極
Ｋの形成に用いられる各種導電ペーストによる印刷で形
成できる。或は例えば感光性銀ペーストによって形成す
ることもできる。この場合のアドレス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ
_nは、電極自体の抵抗値が低いのでバス電極を設ける必
要がない。

【００８３】次に、図１３Ａ及びＢに示すように、アド
レス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nを含む全面に誘電体層４０を形
成する。この誘電体層４０も前述の誘電体層３７と同様
の例えばガラスペーストで形成することができる。次い
で、この誘電体層４０の表面に、酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）膜４１を被着形成する。なお、図示せざるも、こ
のＭｇＯ膜４１はアドレス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nに対応す
る部分を除いて形成することもできる。このようにして
電極基板３３が作製される。

【００８４】一方、蛍光体基板３６は、次のようにして
作製する。第２の基板、例えばガラス基板３４上に例え
ばガラスペーストを用いてスクリーン印刷法又はサンド
ブラスト法でストライプ状の隔壁５６を形成する。隔壁
５６は放電維持電極Ｉの長手方向に関する単位放電領域
毎に隔離し、単位放電領域同士のクロストークを防ぎ、
単位放電領域間の絶縁性を保持するために用いられる。
また、この隔壁５６は、第１の基板３２側と第２の基板
３４側との間隔を保持してプラズマ放電空間を確保する
ためのものである。この隔壁５６には高精度の加工が要
求される。

【００８５】次いで、各隣り合う隔壁５６間内に夫々対
応する赤（Ｒ），緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の各蛍光体層３
５Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂを塗布形成する。蛍光体材料は、
プラズマ放電により生じる紫外線によって励起されて発
光するものであり、ＰＤＰ用蛍光体として市販のものを
用いることができる。このようにして蛍光体基板３６が
作製される。

【００８６】そして、このようにして作製された電極基
板３３と蛍光体基板３６とを、その各隔壁５６が各アド
レス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nの位置に一致するように位置合
せして端子部を残して周囲を気密封止する。そして、こ
の気密容器内部の放電空間を真空にした後、前述したペ
ニングガス等の放電用ガスを封入してチップオフし、目
的の表示装置３１を得る。

【００８７】上述の表示装置３１によれば、同一基板、
即ち第１の基板３２上に放電維持電極群〔Ｉ₁，Ｉ₂，
‥‥Ｉ_m〕、放電開始アドレス電極群〔Ｊ₁₁，‥‥
Ｊ_nm〕及びアドレス電極群〔Ｊ₁，Ｊ₂，‥‥Ｊ_n〕を
形成し、この第１の基板３２に対向する第２の基板３４
に蛍光体層３５を形成した構成とすることにより、各一
対の放電維持電極Ｉ₁及びＩ₂，Ｉ₃及びＩ₄，‥‥Ｉ
_m-1及びＩ_mの電極間距離ｄ₁，及び放電開始アドレス
電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕と一方の放電維持電極〔Ｉ₂，
Ｉ₄，‥‥Ｉ_m〕との間の電極間距離ｄ₂がいくら小さ
くなっても、第２の基板３４側の隔壁５６でプラズマ放
電空間を確保することができる。即ち、蛍光体層３５を
プラズマから離れた位置に形成できるので、放電によっ
て発生したプラズマが蛍光体層３５に接することはな
く、従って、プラズマ中の電荷粒子によって蛍光体層３
５が叩かれることはなく、蛍光体層３５の劣化も生じな
い。従って、超薄型で且つ高精細のプラズマ表示装置が
得られる。

【００８８】第１の基板３２の同一面上に、同一の導電
膜によりエッチング法、又はリフトオフ法等により各対
をなす放電維持電極Ｉ及び放電開始アドレス電極Ｊ_Aを
同時に形成することにより、対の放電維持電極Ｉ間の距
離ｄ₁と、放電開始アドレス電極Ｊ_Aと一方の放電維持
電極Ｉとの間の距離ｄ₂を正確に設定することができ
る。

【００８９】第１の基板３２側に放電維持電極Ｉ、アド
レス電極Ｊ、アドレス電極の一部を構成する放電開始ア
ドレス電極Ｊ_Aを形成し、第２の基板３４側に隔壁５６
及び蛍光体層３５を形成して、両基板３２及び３４を封
止して表示装置３１を構成することにより、電極間の正
確な位置出しができ、また、両基板３２及び３４の封止
の際の位置合わせ、スペース間隔の許容範囲が大きくと
れ、電極形成のプロセス、封止プロセス等に余裕ができ
る。従って、表示装置３１の歩留りが向上し、コストダ
ウンが図れる。

【００９０】特に、同一の導電膜によるパターニングで
各対の放電維持電極Ｉ及び放電開始アドレス電極Ｊ_Aが
形成され、電極相互間の距離ｄ₁，ｄ₂が精度よく設定
されるので、電極基板３３と蛍光体基板３６の組み立て
誤差による放電発光のバラツキが生じない。即ち、仮
に、電極基板３３に対して蛍光体基板３６が傾いて組み
立てられ、単位放電領域において、電極と蛍光体層間の
間隔にバラツキが生じたとしても、各単位放電領域で
は、電極間距離ｄ₁，ｄ₂が同じで、放電条件が同一に
維持され、しかも封入ガス中での紫外光の透過率が良い
ため、発光の明るさにむらが生じることはなく、表示領
域の全体を均一の明るさで発光させることができる。従
って、この表示装置３１は、作り易いという実用上の利
点がある。

【００９１】酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜４１は、仕
事関数を下げる働きがあり、誘電体層４０の表面に形成
することにより、放電をし易くすることができる。また
放電電圧を下げることができる。表示装置３１におい
て、ストライプ状のアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕の
上を除く、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕及び放電開
始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕上の誘電体層４０の
表面のみに酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜４１を形成す
るときは、放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕と
一方の放電維持電極〔Ｉ₂，Ｉ₄，‥‥Ｉ_m〕間の放
電、及び対をなす放電維持電極〔Ｉ₁及びＩ₂〕，‥‥
〔Ｉ_m-1及びＩ_m〕間の放電をし易くすると同時に、ス
トライプ状のアドレス電極Ｊと放電維持電極Ｉ間の放電
を起こしにくくできるので、クロストークを防止するこ
とができる。

【００９２】電極間距離ｄ₁，ｄ₂を５０μｍ以下、３
０μｍ以下、例えば５μｍ〜２０μｍ、さらには５μｍ
以下、１μｍ以下と小さくできるので、より高精細の表
示装置が得られる。

【００９３】電極間距離ｄ₁，ｄ₂を５０μｍ以下、例
えば５μｍ〜２０μｍ、さらに５μｍ以下、１μｍ以下
と小さくし、封入ガス圧を０．８〜３．０気圧と大きく
することによって、結果的に紫外線が多量に発生し、蛍
光体層３５を明るく発光させることができる。

【００９４】放電維持電極と放電開始アドレス電極間の
距離ｄ₂が、一対の放電維持電極間の距離ｄ₁に対して
±３０％以内であれば、距離ｄ₂に応じて放電開始電圧
をなだらかに可変させることができ、駆動条件の設定の
自由度が上がる。

【００９５】また、電極間距離ｄ₁及び電極間距離ｄ₂
が、共に上述したように±数十％、或は±３０％以内で
あれば、放電電圧のバラツキを小さく抑えることができ
るので、製造時、余裕をもって、放電維持電極〔Ｉ₁，
‥‥Ｉ_m〕及び放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥
Ｊ_nm〕を形成することができる。

【００９６】放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕
をＬ字型に形成するときは、一方の放電維持電極
〔Ｉ₂，Ｉ₄，‥‥Ｉ_m〕に対向する電極長を十分に確
保することができ、一方の放電維持電極〔Ｉ₂，Ｉ₄，
‥‥Ｉ_m〕との間で容易に放電を開始させることができ
る。同時に、放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕
とアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕との接続を容易にと
ることができる。即ち、Ｌ字型であるために、アドレス
電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕の長手方向に対するコンタクト
用の孔５９の位置ずれの許容範囲が大きくとれ、放電開
始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕とアドレス電極〔Ｊ
₁，‥‥Ｊ_n〕との接続を容易にし、電極形成を容易に
することができる。

【００９７】アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕は、放電
維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕上に誘電体層３７による絶
縁体層を介して形成されるので、放電維持電極〔Ｉ₁，
‥‥Ｉ_m〕と、之に交差するアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥
Ｊ_n〕とは、確実に絶縁され、短絡することがない。し
かも、アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕直下の絶縁体層
にコンタクト用の孔５９を設け、この孔５９を介してア
ドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕と放電開始アドレス電極
〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕とが接続されるので、単位放電領域
の開口面積を犠牲にすることなく簡素な構造でアドレス
電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕と放電開始アドレス電極
〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕を一体化することができる。

【００９８】放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕及び放電
開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕上の誘電体層、即
ち、誘電体層３７，４０及びＭｇＯ膜４１の合計の厚さ
ｔ₁を電極間距離ｄ₁及びｄ₂よりも薄く形成したの
で、誘電体層上で放電を起こすことができる。即ち、誘
電体層〔３９，４０，４１〕内の電極間での放電は起こ
らず、従って、一対の放電維持電極間、または一方の放
電維持電極と放電開始アドレス電極間で絶縁破壊を起こ
すことなく誘電体層上で放電を起こすことができる。

【００９９】第２の基板３４側の隔壁５６が第１の基板
３２側のアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕に対応する位
置に設けられ、しかも、隔壁５６の幅がアドレス電極
〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕の幅より広く形成されているので、
単位放電領域の開口を大きくとれ、且つ直接アドレス電
極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕への放電が起こりにくくなり、ク
ロストークを防ぐことができる。また、隔壁５６によっ
て、放電空間を十分確保することができる。

【０１００】対の放電維持電極間の距離ｄ₁と、一方の
放電維持電極と放電開始アドレス電極との間の距離ｄ₂
とをほぼ等距離に設定することにより、放電開始アドレ
ス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕と一方の放電維持電極
〔Ｉ₂，Ｉ₄，‥‥Ｉ_m〕との間で高い電圧によって放
電を開始し、一旦電圧が開始した後は、比較的低い電圧
によって対の放電維持電極間で放電を維持することがで
き、良好な放電発光表示を行なうことができる。

【０１０１】電極基板３３と、之に対向する形で隔壁５
６と蛍光体層３５を形成した蛍光体基板３６とにより、
プラズマ放電空間を確保することができるので、十分な
紫外線が照射され、且つ隣り合う隔壁５６間内の全体に
蛍光体層３５が形成されるので蛍光体層３５の面積が広
くとれることと相俟って高輝度の表示が得られる。

【０１０２】上述した表示装置３１においては、ストラ
イプ状の各アドレス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nと、各対応する
放電開始アドレス電極Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nmとの接続は、図１
２に示すように、誘電体層３７に形成した孔５９を通し
て行なわれる。この孔５９の形成は、前述したように誘
電体層３７の塗布工程、レジスト膜のパターニング工
程、パターニングされたレジスト膜をマスクとして例え
ばサンドブラスト法による開口工程を経て行なわれる
が、孔の形成工程が３工程にわたり長くなると、サンド
ブラスト法で開けた孔５９の大きさにバラツキを生じ、
このため、アドレス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nと放電開始アド
レス電極Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nmとの接続が不安定になる場合が
生じる懼れがある。

【０１０３】図１６は、この点を解決した本発明の他の
実施の形態に係る表示装置を示す。この表示装置６１
は、第１の基板、例えばガラス基板３２の一面上に、前
述と同様に複数の対をなす放電維持電極（Ｉ₁，
Ｉ₂）、（Ｉ₃，Ｉ₄）、‥‥（Ｉ_m-1，Ｉ_m）からな
る放電維持電極群と、各対をなす放電維持電極間、即
ち、放電維持電極（Ｉ₁，Ｉ₂）と（Ｉ₃，Ｉ₄）との
間、放電維持電極（Ｉ₃，Ｉ₄）と、‥‥（Ｉ_m-1，Ｉ
_m）との間、に放電維持電極の長手方向（Ｘ方向）に沿
って等間隔をもって例えばＬ字型の複数の放電開始アド
レス電極〔Ｊ₁₁〜Ｊ_n1〕，〔Ｊ₁₂，〜Ｊ_n2〕、‥‥〔Ｊ
_1m〜Ｊ_nm〕が形成される。そして、Ｘ方向に配列された
各放電開始アドレス電極間に対応する位置に、各放電維
持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕と交差、例えば直交する方向
（Ｙ方向）に、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕上を含
んでストライプ状の絶縁体層６２が形成され、このスト
ライプ状の絶縁体層６２上に各対応するアドレス電極
〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕が形成されると共に、このアドレス
電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕の一部が絶縁体層６２の側面に
沿って各放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕上に
延長され、この延長部が直接放電開始アドレス電極〔Ｊ
₁₁，‥‥Ｊ_nm〕に接続される。さらに放電維持電極〔Ｉ
₁，‥‥Ｉ_m〕、放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ
_nm〕及びアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕を含む全面上
に誘電体層４０及びその上の保護膜となるＭｇＯ膜４１
が形成されて電極基板３３が形成される。

【０１０４】他方、第２の基板、例えばガラス基板３４
には、前述と同様のＹ方向に伸びるストライプ状をなす
複数の隔壁５６がＸ方向に等間隔をもって一体に形成さ
れ、各隣り合う隔壁５６間内に蛍光体層３５、この例で
は赤（Ｒ），緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の各蛍光体層３５
Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂが順次に形成されて蛍光体基板３６
が形成される。

【０１０５】そして、両基板３３及び３６が互に各隔壁
５６と各アドレス電極Ｊ₁，‥‥Ｊ_nの位置とが対応す
るように周辺において気密封止され、この気密容器内に
前述の所要の放電用のガスが封入される。

【０１０６】図１６では、ＭｇＯ膜４１を誘電体層４０
の全面に形成したが、その他前述したようにアドレス電
極Ｊ上を除く、他部全面に形成することもできる。

【０１０７】なお、その他の構成（電極材料、電極間距
離ｄ₁，ｄ₂、封入ガスの種類、ガス圧、誘電体層の厚
さ、その他等）については、前述の表示装置３１で説明
したと同様の構成を採ることができ、また動作も同様で
あるので、重複説明を省略する。

【０１０８】図１７〜図１９は、この表示装置６２の電
極基板３３の製造工程を示す。先ず、図１７Ａ，Ｂ及び
Ｃに示すように、第１の基板、例えばガラス基板３２の
一面上に前述の形成方法と同様の方法で例えば放電維持
電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕及びＬ字型の放電開始アドレス
電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕を形成する。そして、各放電開
始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕のＬ字の一片部（放
電維持電極Ｉに対して直交する方向の一片部）の位置に
対応して各放電維持電極に〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕に交差す
るように複数のストライプ状の絶縁体層６２を形成す
る。

【０１０９】次に、図１８Ａ，Ｂ及びＣに示すように、
各ストライプ状の絶縁体層６２の上面にアドレス電極
〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕を形成すると共に、アドレス電極
〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕の一部を絶縁体層６２の側面に沿っ
て放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕上に延長
し、この延長部と放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ
_nm〕とが直接、接続されるようにして形成する。このア
ドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕とその延長部は、例えば
Ａｌ蒸着膜を用いたリフトオフ法、又はエッチング法に
よって同時に形成することができる。

【０１１０】次に、図１９Ａ，Ｂ及びＣに示すように、
全面に誘電体層４０を形成し、さらにその上に、保護膜
を兼ねるＭｇＯ膜４１を形成して電極基板３３を形成す
る。

【０１１１】上述の表示装置６１の製法の一例を図２０
に示す。

【０１１２】蛍光体基板３６は、工程ａ₁〜工程ａ₈に
よって作られる。先ず、第２の基板となるガラス基板３
４の一面にガラスペーストを所定の厚さに塗布し、又は
所定の厚さのガラスシート（例えばグリーンシート：商
品名）を張り付け（工程ａ₁）、例えば２００℃、４１
０℃のプリベーキングを施して絶縁層を形成する（工程
ａ₂）。次に、全面にレジスト膜を塗布し（工程
ａ₃）、露光、現像して隔壁５６を形成すべき位置にレ
ジストマスクを形成する（工程ａ₄）。

【０１１３】次に、パウダービーム加工（いわゆるサン
ドブラスト加工）により上記絶縁層を選択的に削り（工
程ａ₅）、例えば６００℃で焼結して隔壁５６を形成す
る（工程ａ₆）。次に、スラリー法により隔壁５６間内
に赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色蛍光体を塗布し
（工程ａ₇）、例えば４３０℃で焼成して各色蛍光体層
３５Ｒ，３５Ｇ及び３５Ｂを形成し、蛍光体基板３６を
作製する（工程ａ₈）。

【０１１４】電極基板３３は、工程ｂ₁〜工程ｂ₁₀によ
って作られる。先ず、第１の基板となるガラス基板３４
の一面に所定パターンのレジスト膜を形成し（工程
ｂ₁）、その上から例えば透明導電膜（例えばＩＴＯ
膜）、又は例えばＡｌ膜をスパッタ、蒸着等で形成し
（工程ｂ₂）、次いでレジスト剥離剤によりレジスト膜
と共に、その上の透明導電膜、又はＡｌ膜をリフトオフ
して放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕及び放電開始アド
レス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕を形成する（工程ｂ₃）。

【０１１５】次に、全面に感光性ガラスペーストを塗布
し〔８０℃、２０分）（工程ｂ₄）、露光、現像し（工
程ｂ₅）、６００℃で焼成して放電維持電極〔Ｉ₁，‥
‥Ｉ_m〕と交差するストライプ状の絶縁体層６２を形成
する（工程ｂ₆）。次に所定パターンのレジスト膜を形
成し（工程ｂ₇）、例えばＡｌ蒸着膜を形成（工程
ｂ₈）した後、リフトオフして、即ちレジスト膜及びそ
の上のＡｌ蒸着膜を除去し、絶縁体層６２上に沿って一
部放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕に接続した
アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕を形成する（工程
ｂ₉）。そして、誘電体層４０、例えばＳｉＯ₂膜、及
びＭｇＯ膜４１を蒸着により形成し、電極基板３３を作
製する（工程ｂ₁₀）。

【０１１６】次に、両基板３３及び３６を重ね合わせ、
例えば４３０℃で周辺をガラスフリットでシールする
（工程Ｃ₁）。その後、両基板３３及び３６で構成され
た気密容器内を例えば３８０℃、２時間で排気し（工程
Ｃ₂）、例えばＮｅ／Ｘｅ混合ガスを１気圧となるよう
に封入する。（工程Ｃ₃）。次いでチップオフして目的
の表示装置６１を完成する（工程Ｃ₄）。

【０１１７】この表示装置６１によれば、アドレス電極
〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕と放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕
を分離する絶縁体層６２がストライプ状に形成され、か
つ、アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕と放電開始アドレ
ス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕との接続が、アドレス電極
〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕から絶縁体層６２の側面に沿って延
長する延長部によって行われることにより、両電極〔Ｊ
₁，‥‥Ｊ_n〕及び〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕間の接続を安定
性よく確実に行なうことができる。

【０１１８】また、製造に際しても、コンタクト用の孔
５９を形成する工程が省略されるので、工程を簡略化す
ることができ、バラツキなく安定した接続が行える。

【０１１９】上述の表示装置においては、充填されるガ
スのプラズマ放電によって発生する紫外線を蛍光体層に
照射して、発光させ表示するようにしている。この場
合、表示を見る方向は、電極基板３３側から、又は蛍光
体基板３６からのいずれでも可能であるが、いずれの場
合も高輝度で発光した光の一部が反対側の基板３６又は
３３を通して裏面に放射されるため、発光した光の損失
で輝度低下が生じる懼れがある。

【０１２０】次に、この点を改善した本発明の他の実施
の形態に係る表示装置について説明する。

【０１２１】図２１及び図２２は、放電維持電極
〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕、放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥
‥Ｊ_nm〕及びアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕が形成さ
れた電極基板３３側より表示を見る場合の表示装置６４
を示す。この表示装置６４は、隔壁５６を有する第２の
基板となる例えばガラス基板３４と蛍光体層３５〔３５
Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂ〕との間に反射膜６５を被着形成し
てなる蛍光体基板３６を形成し、この蛍光体基板３６
と、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕、放電開始アドレ
ス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕及びアドレス電極〔Ｊ₁，‥
‥Ｊ_n〕が形成されてなる電極基板３６とを気密封止し
て構成される。

【０１２２】反射膜６５としては、図２１に示すよう
に、ガラス基板３４に隔壁５６を形成した後、基板３４
の内面及び隔壁５６の内面を含む全面に例えば蒸着法或
はスパッタリング法により例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、等の高反射率材
料、本例ではアルミニウムを１０００Å〜５０００Å程
度、好ましくは１５００Å〜３０００Å程度成膜して形
成することができる。そして、反射膜６５を形成した
後、この各隔壁５６間内に蛍光体層３５〔３５Ｒ，３５
Ｇ，３５Ｂ〕が形成される。

【０１２３】一方、第１の基板である例えばガラス基板
３２側の電極形成としては、この例では、前述の図１６
と同様の構成を採用している。この場合、放電維持電極
〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕及び放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，
‥‥Ｊ_nm〕は透明導電膜、例えばＩＴＯ膜で形成され
る。

【０１２４】反射膜６５の形成は、例えば図２０の製造
工程において、工程ａ₆と工程ａ₇の間の工程で行なわ
れる。

【０１２５】なお、その他の構成は、前述の表示装置３
１で説明したと同様の構成を採ることができ、また動作
も同様であるので、重複説明を省略する。

【０１２６】この表示装置６４によれば、対をなす放電
維持電極Ｉ₁及びＩ₂，‥‥，Ｉ_m-1及びＩ_m間での放
電に基づいて蛍光体層３５〔３５Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂ〕
が励起発生し、発光した光のうち、蛍光体基板３６側に
向かった光は、反射膜６５によって反射され、電極基板
３３側に向かうことになる。従って、蛍光体基板３６側
に逃げる光の損失を防ぎ、電極基板３３側より輝度が向
上した表示画像を見ることができる。

【０１２７】図２３は、蛍光体層３５が形成された第２
の基板３４側より表示を見る場合の表示装置６７を示
す。この表示装置６７は、第１の基板となる例えばガラ
ス基板３２の全面に前述と同様の反射膜６５を形成し、
この反射膜６５上に絶縁層６８を形成し、この絶縁層６
８上に例えば前述と同様の構成をとる放電維持電極〔Ｉ
₁，‥‥Ｉ_n〕、放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ
_nm〕、絶縁体層６２を介してのアドレス電極〔Ｊ₁，‥
‥Ｊ_n〕を形成し、さらに誘電体層４０及び保護膜とな
るＭｇＯ膜４１を形成してなる、電極基板３３と、隔壁
５６を有し、各隔壁５６間内に蛍光体層３５〔３５Ｒ，
３５Ｇ，３５Ｂ〕を塗布形成してなる蛍光体基板３６と
を気密封止して構成される。

【０１２８】この場合、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥
Ｉ_m〕は、放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕は
例えばアルミニウム膜で形成することができる。但し、
透明導電膜で形成しても可能である。

【０１２９】このときの反射膜６５の形成は、例えば図
２０の製造工程において、工程ｂ₁の前に行なわれる。

【０１３０】この表示装置６７によれば、対をなす放電
維持電極Ｉ₁及びＩ₂間，‥‥，Ｉ_m-1及びＩ_m間での
放電に基づいて蛍光体層３５〔３５Ｒ，３５Ｇ，３５
Ｂ〕が励起発光し、発光した光のうち、電極基板３３側
に向かった光は反射膜６５によって反射され、蛍光体基
板３６側に向かうことになる。従って、電極基板３３側
に逃げる光の損失を防ぎ、蛍光体基板３６側より輝度が
向上した表示画像を見ることができる。

【０１３１】上述した図１６の表示装置６１において
は、同一基板３２上に放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕
と放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕を形成した
後に、ガラスペーストの焼成によるストライプ状の絶縁
体層６２を形成し、その後、絶縁体層６２上にアドレス
電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕を形成している。しかし、絶縁
体層６２がポーラスで絶縁性が充分に得られない場合も
考えて、放電維持電極Ｉ〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕とアドレス
電極Ｊ〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕間の絶縁をより確実にする必
要がある。

【０１３２】また、絶縁体層６２の形成では６００℃程
度の焼成が行なわれる。このときの焼成温度で電極端子
部が酸化する懼れがある。

【０１３３】例えば、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥
Ｉ_m〕、放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥，Ｊ_nm〕等
を例えばアルミニウム膜で形成した場合には、その放電
維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕の端子部のアルミニウムが
酸化され、或は昇華されてしまう場合も考えられる。放
電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕、放電開始アドレス電
極〔Ｊ₁₁，‥‥，Ｊ_nm〕等を透明導電膜、例えばＩＴＯ
膜等で形成した場合にも、その放電維持電極〔Ｉ₁，‥
‥Ｉ_m〕の端子部のＩＴＯ膜がより酸化されて導電性が
劣化する場合も考えられる。

【０１３４】さらに、電極基板３３と蛍光体基板３６と
をガラスフリットで封止するが、このガラスフリットの
焼成時に電極端子部が酸化する場合も考えられる。

【０１３５】次に、この点を解決した本発明の他の実施
の形態に係る表示装置を説明する。

【０１３６】図２４〜図２８は、かかる表示装置７１
を、その製造工程順に示す。先ず、図２４Ａ，Ｂ及びＣ
に示すように、第１の基板となる例えばガラス基板３２
の一面上に前述と同様にして放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥
Ｉ_m〕とＬ字型の放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥，
Ｊ_nm〕を形成する。放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕
及び放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥，Ｊ_nm〕として
は、透明導電膜、例えばＩＴＯ膜等、或はアルミニウム
（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、
更には、下層をＡｌ、上層をＣｒとした２層膜構造〔Ａ
ｌ／Ｃｒ〕、Ａｌを挟んで上下にＣｒを形成した３層膜
構造〔Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ〕等の金属膜で形成できるが、
本例ではアルミニウム（Ａｌ）膜で形成する。

【０１３７】そして、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，
Ｉ_m〕、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕の端部のいわ
ゆる端子部及び放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥，Ｊ
_nm〕を含む全面に絶縁膜７２を被着形成する。この絶縁
膜７２は、絶縁性に優れた膜であり、一例としてＣＶＤ
法による絶縁膜を用いうる。具体例としてＣＶＤ・Ｓｉ
Ｏ₂膜を成膜する。絶縁膜７２の膜厚は１０μｍ〜１０
０μｍとすることができる。絶縁膜７２の形成をスクリ
ーン印刷で行なう場合、１０μｍより薄いと細孔が生じ
短絡の可能性が大きく絶縁性が充分でない。１００μｍ
より厚いと多層塗りになり、工程が増えること、絶縁膜
７２の透明性が悪くなり輝度低下の原因になる欠点があ
る。

【０１３８】次に、図２５Ａ，Ｂ及びＣに示すように、
絶縁膜７２に放電開始アドレス電極〔Ｊ_11,‥‥，
Ｊ_nm〕とその後に形成されるアドレス電極〔Ｊ₁，‥
‥，Ｊ_n〕とを接続するためのコンタクト用の孔７３を
形成する。次いで、アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕を
形成する位置にストライプ状の絶縁体層６２を形成す
る。この絶縁体層６２は、前述と同様に例えばガラスペ
ーストをストライプ状に塗布形成し、焼成して形成する
ことができる。

【０１３９】次に、図２６Ａ，Ｂ及びＣに示すように、
各絶縁体層６２上に例えばアルミニウム蒸着膜によるア
ドレス電極〔Ｊ₁，‥‥，Ｊ_n〕を形成すると同時にコ
ンタクト用の孔７３を介してアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥
Ｊ_n〕と放電開始アドレス電極〔Ｊ_11,‥‥，Ｊ_nm〕と
を接続する。

【０１４０】次に、図２７Ａ，Ｂ及びＣに示すように、
放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕の端部のいわゆる端
子部を除く表示領域上に誘電体層４０を形成し、さらに
その上に保護膜となる例えばＭｇＯ膜４１を形成し、電
極基板３３を形成する。

【０１４１】一方、図示せざるも、前述の第２の基板と
なる例えばガラス基板３４に隔壁５６を形成し、各隔壁
５６間内に蛍光体層３５〔３５Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂ〕を
形成してなる蛍光体基板３６を形成する。

【０１４２】そして、この電極基板３３と、蛍光体基板
３６を、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕の端子部及
びアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕の端子部が外部に臨
むように、ガラスフリットで封止する。このようにし
て、図２８Ａ及びＢに示すように、放電維持電極
〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕、放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥
‥，Ｊ_nm〕の表面と共に、外部に臨む放電維持電極〔Ｉ
₁，‥‥Ｉ_m〕の端子部７４の表面に、一様に薄い絶縁
膜７２が形成されて成る目的の表示装置７１を得る。

【０１４３】その他の構成は、前述の表示装置３１で説
明したと同様の構成を採ることができ、また動作も同様
であるので、重複説明を省略する。

【０１４４】この表示装置７１を電気的に駆動する場合
は、当然ながら、ＡＣ電圧を印加して行なわれるため、
端子部７４上に薄い絶縁膜７２が形成されていても、放
電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕には駆動電圧が印加さ
れる。

【０１４５】かかる表示装置７１によれば、放電維持電
極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕及び放電開始アドレス電極〔Ｊ
_11,‥‥Ｊ_nm〕の表面に絶縁性の良い絶縁膜７２を形成
することにより、アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕直下
の絶縁体層６２の絶縁性が劣っていた場合にも、放電維
持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕とアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥
Ｊ_n〕との絶縁性を向上することができる。また、放電
維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕の端子部７４の表面にも
絶縁性７２が形成されるので、絶縁体層６２の形成字の
焼成工程でも、更にはガラスフリットによる封止工程で
も、端子部７４の酸化、昇華等を防止することができ
る。

【０１４６】図２９〜図３３は、本発明のさらに他の実
施の形態に係る表示装置７６をその製造工程順に示す。
先ず、図２９Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤに示すように、第１の基
板となるガラス基板３２の一面上に前述と同様にして放
電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕と放電開始アドレス電極
〔Ｊ_11,‥‥，Ｊ_nm〕を形成する。放電維持電極
〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕及び放電開始アドレス電極〔Ｊ
_11,‥‥Ｊ_nm〕としては、本例ではアルミニウム（Ａ
ｌ）膜で形成する。次いで、放電開始アドレス電極〔Ｊ
_11,‥‥，Ｊ_nm〕上を除き、各対の放電維持電極
〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕及びその端子部７４上のみを覆うよ
うに、ストライプ状に前述と同様の絶縁膜７２を被着形
成する。

【０１４７】次に、図３０Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤに示すよう
に、アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥，Ｊ_n〕を形成する位置
にストライプ状の絶縁体層６２を形成する。この絶縁層
６２は前述と同様に例えばガラスペーストをストライプ
状に塗布形成し、焼成して形成することができる。

【０１４８】なお、この絶縁体層６２の形成の際には、
露出している放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，‥‥Ｊ_nm〕
が酸化、昇華しないような処理条件、例えば１×１０^-5
Ｔｏｒｒ以上の高真空中での加熱処理で形成することも
できる。

【０１４９】次に、図３１Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤに示すよう
に、各絶縁体層６２上に例えばアルミニウム蒸着膜によ
るアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥，Ｊ_n〕を形成し、同時
に、アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥，Ｊ_n〕からの延長部を
絶縁体層６２の側面に沿って放電開始アドレス電極〔Ｊ
_11,‥‥Ｊ_nm〕上に直接被着形成し、放電開始アドレス
電極〔Ｊ_11,‥‥Ｊ_nm〕とアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ
_n〕を電気的に接続する。

【０１５０】次に、図３２Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤに示すよう
に、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕の端部のいわゆ
る端子部を除く表示領域上に誘電体層４０を形成し、さ
らにその上に保護膜となる例えばＭｇＯ膜４１を形成
し、電極基板３３を形成する。

【０１５１】一方、前述の第２の基板となる例えばガラ
ス基板３４に隔壁５６を形成し、各隔壁５６間内に蛍光
体層３５〔３５Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂ〕を形成してなる蛍
光体基板３６を形成する（図３７参照）。

【０１５２】そして、この電極基板３３と蛍光体基板３
６を、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕の端子部７４
及びアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥，Ｊ_n〕の端子部が外部
に臨むようにガラスフリットで封止する。

【０１５３】このようにして、図３３Ａ及びＢに示すよ
うに、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕及びその端子
部７４の表面に、一様に薄い絶縁膜７２が形成されて成
る目的の表示装置７６を得る。その他の構成は、前述の
表示装置３１で説明したと同様の構成を採ることがで
き、また動作も同様であるので、重複説明を省略する。

【０１５４】かかる表示装置７６によれば、上述と同様
に放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕の表面に絶縁性の
よい絶縁膜７２を形成することにより、放電維持電極
〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕とアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥，Ｊ
_n〕との絶縁性を向上することができる。また、放電維
持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕の端子部７４の表面にも絶
縁膜７２が形成されるので、絶縁体層６２の形成時の焼
成工程でも、更にはガラス・フリットによる封止工程で
も、端子部７４の酸化、昇華等を防止することができ
る。

【０１５５】そして、この表示装置７６では、絶縁膜７
２を対の放電維持電極〔Ｉ₁及びＩ₂，‥‥，Ｉ_m-1及
びＩ_m〕上のみに形成し、放電開始アドレス電極〔Ｊ
_11,‥‥Ｊ_nm〕上には形成しないので、前述の図２５の
コンタクト用の孔７３を形成する工程が省略され、製造
工程を簡単化できると共に、アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥
Ｊ_n〕と放電開始アドレス電極〔Ｊ_11,‥‥_,Ｊ_nm〕と
の接続を安定にする。

【０１５６】尚、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕とア
ドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕との絶縁性向上のみに着
目するときは、絶縁膜７２を端子部７４を除く表示領域
のみに形成することも可能である。このときは、絶縁体
層６２の形成、或はガラス・フリットによる封止の際の
雰囲気を調整するか、端子部７４のみを酸化防止する手
段を構じるようにしてもよい。

【０１５７】端子部７４の絶縁膜７２は完成後も残して
もよく、又は完成後に除去してもよい。

【０１５８】図２７では誘電体層４０及びＭｇＯ膜４１
を形成したが、誘電体層４０を省略し、絶縁膜７２を誘
電体層として用い、この絶縁膜７２上に直接ＭｇＯ膜４
１を形成することも可能である。

【０１５９】次に、更に構成及び製造工程の簡単化を図
った本発明の他の実施の形態を示す。図３４〜図３７
は、かかる表示装置７８を、その製造工程順に示す。先
ず、図３４Ａ及びＢに示すように、第１の基板となるガ
ラス基板３２の一面上に放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥
Ｉ_m〕を形成する。この放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ
_m〕の形成法は、前述と同様の方法を採用できる。ま
た、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕は、前述と同様
に、透明導電膜、例えばＩＴＯ膜等、或はアルミニウム
（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、
更にＡｌ／Ｃｒ２層膜構造、Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ３層膜構
造等の金属膜で形成できる。本例ではアルミニウム（Ａ
ｌ）膜で形成する。そして、放電維持電極〔Ｉ₁，‥
‥，Ｉ_m〕を含む基板全面に前述と同様の薄い絶縁膜７
２を被着形成する。

【０１６０】次に、図３５Ａ及びＢに示すように、絶縁
膜７２上に放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥，Ｉ_m〕と直交す
るように、アドレス電極を形成する位置にストライプ状
の絶縁体層６２を形成する。

【０１６１】次いで、この絶縁体層６２上及び一部絶縁
膜７２上にわたって、同一工程で例えばＡｌ膜によりア
ドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕とこれと連続する放電開
始アドレス電極〔Ｊ_11,‥‥_,Ｊ_nm〕を同時に形成す
る。このアドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕及び放電開始
アドレス電極〔Ｊ_11,‥‥，Ｊ_nm〕は、リフトオフ法、
エッチング法等により形成することができる。

【０１６２】次に、図３６Ａ及びＢに示すように、放電
維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕の端子部（図示せず）を除
く表示領域上の全面に誘電体層４０を形成し、さらに、
その上に保護膜となるＭｇＯ膜４１を形成し、電極基板
３３を形成する。

【０１６３】一方、図示せざるも、前述の第２の基板と
なる例えばガラス基板３４に隔壁５６を形成し、各隔壁
５６間内に蛍光体層３５〔３５Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂ〕を
形成してなる蛍光体基板３６を形成する。

【０１６４】そして、この電極基板３３と、蛍光体基板
３６を放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕の端子部及びア
ドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕の端子部が外部に臨むよ
うにガラスフリットで封止する。

【０１６５】このようにして、図３７に示すように、放
電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕及びその端子部の表面
に、一様の薄い絶縁膜７２が形成されると共に、アドレ
ス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕及び放電開始アドレス電極
〔Ｊ_11,‥‥_,Ｊ_nm〕が同一導電材により一体的に形成
されて成る目的の表示装置７８を得る。

【０１６６】その他の構成は、前述の表示装置３１で説
明したと同様の構成を採ることができ、また動作も同様
であるので、重複説明を省略する。

【０１６７】この表示装置７８によれば、アドレス電極
〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕と放電開始アドレス電極〔Ｊ_11,‥
‥Ｊ_nm〕が個別でなく、一体に形成されているので、電
極構成が簡単化される。また、放電維持電極〔Ｉ₁，‥
‥Ｉ_m〕の表面に絶縁性のよい絶縁膜７２を有するの
で、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕とアドレス電極
〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕との絶縁性を向上することができ
る。さらに、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕の端子部
の表面にも絶縁膜７２が形成されるので、絶縁体層６２
の形成時の焼成工程でも、あるいはガラスフリットによ
る封止工程でも端子部が酸化、昇華することを防止でき
る。

【０１６８】製造に際しては、絶縁膜７２にコンタクト
用の孔を形成し、放電開始アドレス電極とアドレス電極
の接続を行なうという工程の繁雑さが解消され、製造工
程を簡単化することができる。

【０１６９】尚、図３４〜図３７では、放電維持電極
〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕を含む全面上に絶縁膜７２を形成し
た場合であるが、その他、図示せざるも、絶縁膜７２を
形成せずに、放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕を形成し
た後、直接放電維持電極〔Ｉ₁，‥‥Ｉ_m〕に交差する
絶縁体層６２を形成し、次いで、絶縁体層６２上及び一
部ガラス基板３２表面にわたって、アドレス電極
〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕及び放電開始アドレス電極〔Ｊ₁₁，
‥‥Ｊ_nm〕を同時に形成する構成も可能である。この場
合にも、アドレス電極〔Ｊ₁，‥‥Ｊ_n〕及び放電開始
アドレス電極〔Ｊ_11,‥‥Ｊ_nm〕の形成が同時になされ
るので、構成及び製造工程が簡単化される。

【０１７０】上述の実施の形態では、カラーＡＣ型ＰＤ
Ｐに適用した場合であるが、モノクロＡＣ型ＰＤＰにも
適用できる。また、上述の実施の形態では、蛍光体層を
励起発光して表示する表示装置に適用したが、その他、
蛍光体層を形成せずに、プラズマ放電による発光で表示
する表示装置にも適用できる。

【０１７１】

【発明の効果】本発明の表示装置によれば、プラズマ放
電を利用した交流駆動型の表示装置において、放電維持
電極群とアドレス電極群を一方の同一基板上に形成する
ことにより、アドレス電極と放電維持電極との電極間距
離がいくら小さくなっても、プラズマ放電空間を確保す
ることができる。従って、表示装置の超薄型化、画素の
高精細化が可能になる。

【０１７２】放電維持電極群及びアドレス電極群を一方
の基板上に形成し、之に対向する他方の基板に蛍光体層
を形成することにより、電極間距離がいくら小さくなっ
てもプラズマ放電空間が確保され、蛍光体層をプラズマ
からの紫外線で励起発光することができる。そして、放
電によって発生したプラズマに蛍光体層が接することが
ないので、蛍光体層を劣化させることがない。従って、
蛍光体発光による表示装置の超薄型化、画素の高精細化
を可能にする。

【０１７３】一方の同一基板上に放電維持電極群及びア
ドレス電極群を形成することにより、各対の放電維持電
極間距離、及び一方の放電維持電極とアドレス電極の一
部を構成する放電開始アドレス電極との間の距離を精度
よく設定することができる。

【０１７４】従って、電極形成のプロセス、一方の基板
と之に対向する他方の基板との封止プロセス等に余裕が
できる。従って、プラズマ放電を利用した表示装置の歩
留りが向上し、コストダウンを図ることができる。

【０１７５】放電維持電極群と、アドレス電極群とが互
に交差し、放電維持電極群とアドレス電極群の間に絶縁
体層が形成されるので、放電維持電極群とアドレス電極
群が互に短絡することがない。

【０１７６】放電開始アドレス電極を単位放電領域毎に
形成し、他方の基板に隔壁を形成して各隣り合う隔壁間
内に蛍光体層を形成し、各隔壁と各アドレス電極とが互
に対応するように一方の基板と他方の基板を封止して構
成するときは、単位放電領域の開口が大きくとれ、且つ
直接アドレス電極への放電が起こりにくくなってクロス
トークを防ぐことができる。また、隔壁によって放電空
間を十分に確保することができると共に、隔壁間内の全
体に蛍光体層を形成できるので、蛍光体層の面積が広く
とれ、之等相俟って高輝度の表示が得られる。

【０１７７】放電維持電極群の対をなす第１及び第２の
放電維持電極間の距離を５０μｍ以下に設定するとき
は、高精細の表示装置が得られる。

【０１７８】放電維持電極群の対をなす第１及び第２の
放電維持電極間の距離と、放電開始アドレス電極及び放
電維持電極間の距離とをほぼ等距離にすることにより、
放電開始アドレス電極と放電維持電極との間で高い電圧
によって放電を開始し、一旦放電が開始した後は、比較
的低い電圧によって対の放電維持電極間の放電を維持す
ることができ、良好な放電発光表示を行なうことができ
る。

【０１７９】放電維持電極と放電開始アドレス電極間の
距離が、放電維持電極群の対をなす第１及び第２の放電
維持電極間の距離の±３０％以内の範囲に設定するとき
は、放電維持電極と放電開始アドレス電極間の距離に応
じて放電開始電圧をなだらかに可変させることができ、
駆動条件の設定の自由度を上げることができる。

【０１８０】封入ガス圧が０．８〜３．０気圧となるよ
うにＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒのうちの１種以上の
ガスを封入することにより、より明るく発光させること
ができる。特に蛍光体層を励起発光させる表示装置で
は、結果的に紫外線が多量に発生し、蛍光体層をより明
るく発光させることができる。

【０１８１】放電開始アドレス電極をＬ字型に形成する
ときは、放電維持電極に対向する電極長さを十分確保で
きるので、放電開始を容易にする。同時に、放電開始ア
ドレス電極とアドレス電極との接続に際しての位置ずれ
の許容範囲が大きくとれ、放電開始アドレス電極とアド
レス電極との接続を容易にする。

【０１８２】絶縁体層に設けた孔を介してアドレス電極
と放電開始アドレス電極を接続するときは、アドレス電
極と放電維持電極との間の絶縁を保って、放電開始アド
レス電極とアドレス電極との接続を確実にすることがで
きる。

【０１８３】アドレス電極上を除く放電開始アドレス電
極及び放電維持電極上の誘電体層の表面に酸化マグネシ
ウム層を形成するときは、放電開始アドレスと放電維持
電極間の放電、及び対をなす第１及び第２の放電維持電
極間の放電をし易く、また放電電圧を下げることができ
ると同時に、アドレス電極と放電維持電極間の放電を起
こしにくくしてクロストークを防止することができる。

【０１８４】放電維持電極及び放電開始アドレス電極上
の誘電体層の厚さを、電極間距離よりも薄くすることに
より、放電を誘電体層上で起こすことができる。即ち誘
電体層内での放電を阻止し、誘電体層内の電極間での絶
縁破壊を防止することができる。

【０１８５】放電維持電極群と交差するアドレス電極群
を絶縁体層を介して形成し、各アドレス電極の延長部を
絶縁体層の側面に沿って放電開始アドレス電極に直接接
続して構成するときは、アドレス電極と放電開始アドレ
スとの接続を安定性よく、確実に行なうことができる。
また、製造に際してもコンタクト用の孔を形成する必要
がないので、製造工程を簡略化できる。

【０１８６】他方の基板側に反射膜を設けるときは、発
光した光のうち第２の基板側に向かった光は反射膜で反
射されるので、電極が形成されている一方の基板側から
表示を見るときは、光の損失を防ぎ輝度を向上すること
ができる。

【０１８７】一方の基板側に反射膜を設けるときは、発
光した光のうち一方の基板側に向かった光は反射膜で反
射されるので、第２の基板側から表示を見るときに、光
の損失を防ぎ、輝度を向上することができる。

【０１８８】放電維持電極と、放電維持電極の端子部を
直接絶縁膜で被覆することにより、アドレス電極直下の
絶縁体層の絶縁性が劣っている場合でも、アドレス電極
と放電維持電極間の絶縁を良好に保つことがきる。ま
た、製造工程での熱処理時に、放電維持電極及びその端
子部の酸化、昇華等を防ぐことができる。従って、信頼
性の高い表示装置が得られる。

【０１８９】放電維持電極と、放電維持電極の端子部
と、放電開始アドレス電極とを直接絶縁膜で被覆するこ
とにより、アドレス電極直下の絶縁体層の絶縁性が劣っ
ている場合でも、アドレス電極と放電維持電極間の絶縁
を良好に保つことができる。また、製造工程での熱処理
時には、放電維持電極、その端子部及び放電開始アドレ
ス電極の酸化、昇華等を防ぐことができる。従って、信
頼性の高い表示装置が得られる。

【０１９０】上記絶縁膜の膜厚を１０μｍ〜１００μｍ
とすることにより、絶縁膜としての絶縁性を確保し、ま
た絶縁膜形成の際の工程減、絶縁膜の透明性を確保でき
るという効果を有する。

【０１９１】上記絶縁膜を誘電体層として用いるとき
は、新たな誘電体層の形成を省略でき、且つ誘電体層の
厚さを薄くできる。

【０１９２】放電維持電極群に対して絶縁体層を介して
交差するアドレス電極群と、放電開始アドレス電極群と
を互に連続して同時形成することにより、電極構成を簡
単化することができる。

【０１９３】放電維持電極群を覆って絶縁膜が形成さ
れ、放電維持電極群に対して交差するアドレス電極群と
放電開始アドレス電極群とを互に連続して同時に形成す
ることにより、電極構成を簡単化することができる。ま
た、絶縁膜によって、アドレス電極直下の絶縁体層の絶
縁性が劣っている場合でもアドレス電極と放電維持電極
間の絶縁を良好に保つことができる。また絶縁体層を形
成する際の熱処理時に放電維持電極、その端子部の酸
化、昇華等を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成図
である。

【図２】本発明の一実施の形態に係る表示装置の断面図
である。

【図３】本発明の一実施の形態に係る表示装置の電極構
造を示す平面図である。

【図４】図３のＤ−Ｄ線上に対応する断面図である。

【図５】放電維持電極及び放電開始アドレス電極におけ
る電極間距離の説明に供する平面図である。

【図６】Ａ，Ｂ放電電極の電極間距離と誘電体層の厚さ
との関係を示す説明図である。

【図７】本発明の一実施の形態に係る蛍光面の構造を示
す斜視図である。

【図８】本発明の一実施の形態の表示装置の電極基板の
製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図８ＡのＥ−Ｅ線上の断面図である。

【図９】本発明の一実施の形態の表示装置の電極基板の
製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図９ＡのＥ−Ｅ線上の断面図である。

【図１０】本発明の一実施の形態の表示装置の電極基板
の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図１０ＡのＥ−Ｅ線上の断面図である。

【図１１】本発明の一実施の形態の表示装置の電極基板
の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図１１ＡのＥ−Ｅ線上の断面図である。

【図１２】本発明の一実施の形態の表示装置の電極基板
の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図１２ＡのＥ−Ｅ線上の断面図である。

【図１３】本発明の一実施の形態の表示装置の電極基板
の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図１３ＡのＥ−Ｅ線上の断面図である。

【図１４】本発明の一実施の形態の１ピクセルの放電領
域を示す平面図である。

【図１５】本発明の一実施の形態のバス電極の構成を示
す斜視図である。

【図１６】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の構
成図である。

【図１７】図１６の表示装置の電極基板の構造工程図で
ある。Ａ平面図である。Ｂ図１７ＡのＦ−Ｆ線上の断面図である。Ｃ図１７ＡのＧ−Ｇ線上の断面図である。

【図１８】図１６の表示装置の電極基板の構造工程図で
ある。Ａ平面図である。Ｂ図１８ＡのＦ−Ｆ線上の断面図である。Ｃ図１８ＡのＧ−Ｇ線上の断面図である。

【図１９】図１６の表示装置の電極基板の構造工程図で
ある。Ａ平面図である。Ｂ図１９ＡのＦ−Ｆ線上の断面図である。Ｃ図１９ＡのＧ−Ｇ線上の断面図である。

【図２０】図１６の表示装置の製造工程を示す図であ
る。

【図２１】本発明の他の実施の形態に係る蛍光体基板の
要部の斜視図である。

【図２２】本発明の他の実施の形態に係る要部の構成図
である。

【図２３】本発明の他の実施の形態に係る要部の構成図
である。

【図２４】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の電
極基板の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図２４ＡのＨ−Ｈ線上の断面図である。Ｃ図２４ＡのＩ−Ｉ線上の断面図である。

【図２５】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の電
極基板の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図２５ＡのＨ−Ｈ線上の断面図である。Ｃ図２５ＡのＩ−Ｉ線上の断面図である。

【図２６】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の電
極基板の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図２６ＡのＨ−Ｈ線上の断面図である。Ｃ図２６ＡのＩ−Ｉ線上の断面図である。

【図２７】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の電
極基板の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図２７ＡのＨ−Ｈ線上の断面図である。Ｃ図２７ＡのＩ−Ｉ線上の断面図である。

【図２８】Ａ本発明の他の実施の形態に係る平面図で
ある。Ｂ本発明の他の実施の形態に係る一部断面とする側面
図である。

【図２９】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の電
極基板の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図２９ＡのＪ−Ｊ線上の断面図である。Ｃ図２９ＡのＫ−Ｋ線上の断面図である。Ｄ図２９ＡのＬ−Ｌ線上の断面図である。

【図３０】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の電
極基板の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図３０ＡのＪ−Ｊ線上の断面図である。Ｃ図３０ＡのＫ−Ｋ線上の断面図である。Ｄ図３０ＡのＬ−Ｌ線上の断面図である。

【図３１】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の電
極基板の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図３１ＡのＪ−Ｊ線上の断面図である。Ｃ図３１ＡのＫ−Ｋ線上の断面図である。Ｄ図３１ＡのＬ−Ｌ線上の断面図である。

【図３２】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の電
極基板の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図３２ＡのＪ−Ｊ線上の断面図である。Ｃ図３２ＡのＫ−Ｋ線上の断面図である。Ｄ図３２ＡのＬ−Ｌ線上の断面図である。

【図３３】Ａ本発明の他の実施例の形態に係る平面図
である。Ｂ本発明の他の実施例の形態に係る一部断面とする側
面図である。

【図３４】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の電
極基板の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図３４ＡのＭ−Ｍ線上の断面図である。

【図３５】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の電
極基板の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図３５ＡのＮ−Ｎ線上の断面図である。

【図３６】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の電
極基板の製造工程図である。Ａ平面図である。Ｂ図３６ＡのＮ−Ｎ線上の断面図である。

【図３７】本発明の他の実施の形態に係る要部の構成図
である。

【図３８】従来のＡＣ型２相電極ＰＤＰを示す要部の構
成図である。

【図３９】図３８のＡ−Ａ線上の断面図である。

【図４０】従来のＡＣ型３相電極ＰＤＰを示す構成図で
ある。

【図４１】図４０のＢ−Ｂ線上の断面図である。

【図４２】図４０のＣ−Ｃ線上の断面図である。

【符号の説明】

Ｉ₁，Ｉ₂，Ｉ₃，Ｉ₄，‥‥，Ｉ_m ……放電維持
電極、Ｊ₁，Ｊ₂，‥‥，Ｊ_n ……アドレス
電極、Ｊ_n，Ｊ₂₁，‥‥，Ｊ_n1,‥‥Ｊ_nm ……放電開始
アドレス電極、Ｋ₁，Ｋ₂，Ｋ₃，Ｋ₄，‥‥，Ｋ_m，Ｋ₁₁，Ｋ_21,‥
‥Ｋ_n1，‥‥，Ｋ_nm……バス電極、３１，６１，６４，６７、７１，７６，７８ ……表示
装置、３２，３４……基板、３３……電極基板、３５〔３５
Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂ〕……蛍光体層、３６……蛍光体基
板、３７，４０……誘電体層、３９……コンタクト用の
孔、４１……ＭｇＯ膜、５６……隔壁、６２……絶縁体
層、６５……反射膜、７２……絶縁膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ放電を利用した交流駆動型の表
示装置において、一方の基板に、複数の放電維持電極からなる放電維持電
極群と、複数のアドレス電極からなるアドレス電極群と
が形成され、少なくとも前記放電維持電極群と、前記アドレス電極群
の一部を構成する複数の放電開始アドレス電極からなる
放電開始アドレス電極群との上に誘電体層を有して成る
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】前記一方の基板に対向する他方の基板に
蛍光体層が形成されて成ることを特徴とする請求項１に
記載の表示装置。
【請求項３】前記放電維持電極群と前記アドレス電極
群とが互に交差して形成され、前記放電維持電極群と前記アドレス電極群の間に絶縁体
層が形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の
表示装置。
【請求項４】前記放電維持電極群と前記アドレス電極
群とが互に交差して形成され、前記放電維持電極群と前記アドレス電極群の間に絶縁体
層が形成されて成ることを特徴とする請求項２に記載の
表示装置。
【請求項５】前記放電開始アドレス電極が単位放電領
域毎に形成され、前記第２の基板に隔壁が形成されて、各隣り合う隔壁間
内に前記蛍光体層が形成され、前記の各隔壁と前記各アドレス電極とが互に対応するよ
うに前記一方の基板と前記他方の基板が封止されて成る
ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】前記放電維持電極群の対をなす第１及び
第２の放電維持電極間の距離が５０μｍ以下に設定され
て成ることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】前記放電維持電極群の対をなす第１及び
第２の放電維持電極間の距離が５０μｍ以下に設定され
て成ることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項８】前記放電維持電極群の対をなす第１及び
第２の放電維持電極間の距離と、前記放電開始アドレス電極と前記放電維持電極との間の
距離とが、ほぼ等距離に設定されて成ることを特徴とする請求項１
に記載の表示装置。
【請求項９】前記放電維持電極群の対をなす第１及び
第２の放電維持電極間の距離と、前記放電開始アドレス電極と前記放電維持電極との間の
距離とが、ほぼ等距離に設定されて成ることを特徴とする請求項２
に記載の表示装置。
【請求項１０】前記放電維持電極と前記放電開始アド
レス電極との間の距離が、前記放電維持電極群の対をな
す第１及び第２の放電維持電極間の距離の±３０％以内
の範囲に設定されて成ることを特徴とする請求項１に記
載の表示装置。
【請求項１１】前記放電維持電極と前記放電開始アド
レス電極との間の距離が、前記放電維持電極群の対をな
す第１及び第２の放電維持電極間の距離の±３０％以内
の範囲に設定されて成ることを特徴とする請求項２に記
載の表示装置。
【請求項１２】封入ガス圧が０．８〜３．０気圧とな
るようにＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒのうちの１種以
上のガスが封入されて成ることを特徴とする請求項１に
記載の表示装置。
【請求項１３】封入ガス圧が０．８〜３．０気圧とな
るようにＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒのうちの１種以
上のガスが封入されて成ることを特徴とする請求項２に
記載の表示装置。
【請求項１４】前記放電開始アドレス電極が、Ｌ字型
に形成されて成ることを特徴とする請求項３に記載の表
示装置。
【請求項１５】前記放電開始アドレス電極が、Ｌ字型
に形成されて成ることを特徴とする請求項４に記載の表
示装置。
【請求項１６】前記絶縁体層に設けた孔を介して前記
アドレス電極と前記放電開始アドレス電極が接続されて
成ることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項１７】前記絶縁体層に設けた孔を介して前記
アドレス電極と前記放電開始アドレス電極が接続されて
成ることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項１８】前記アドレス電極上を除く前記放電開
始アドレス電極及び前記放電維持電極上の前記誘電体層
の表面に酸化マグネシウム層が形成されて成ることを特
徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１９】前記アドレス電極上を除く前記放電開
始アドレス電極及び前記放電維持電極上の前記誘電体層
の表面に酸化マグネシウム層が形成されて成ることを特
徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項２０】前記放電維持電極及び前記放電開始ア
ドレス電極上の誘電体層の厚さが、電極間距離よりも薄
いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項２１】前記放電維持電極及び前記放電開始ア
ドレス電極上の誘電体層の厚さが、電極間距離よりも薄
いことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項２２】前記放電維持電極群と交差する前記ア
ドレス電極群が絶縁体層を介して形成され、前記各アドレス電極の延長部が前記絶縁体層の側面に沿
って前記放電開始アドレス電極に直接接続されて成るこ
とを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項２３】前記放電維持電極群と交差する前記ア
ドレス電極群が絶縁体層を介して形成され、前記各アドレス電極の延長部が前記絶縁体層の側面に沿
って前記放電開始アドレス電極に直接接続されて成るこ
とを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項２４】前記他方の基板側に反射膜を有して成
ることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項２５】前記他方の基板側に反射膜を有して成
ることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項２６】前記一方の基板側に反射膜を有して成
ることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項２７】前記一方の基板側に反射膜を有して成
ることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項２８】前記放電維持電極と該放電維持電極の
端子部が直接絶縁膜で被覆されて成ることを特徴とする
請求項１に記載の表示装置。
【請求項２９】前記放電維持電極と該放電維持電極の
端子部が直接絶縁膜で被覆されて成ることを特徴とする
請求項２に記載の表示装置。
【請求項３０】前記放電維持電極と、該放電維持電極
の端子部と、前記放電開始アドレス電極とが直接絶縁膜で被覆されて
成ることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項３１】前記放電維持電極と、該放電維持電極
の端子部と、前記放電開始アドレス電極とが直接絶縁膜で被覆されて
成ることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項３２】前記絶縁膜の膜厚が１０μｍ〜１００
μｍであることを特徴とする請求項２８に記載の表示装
置。
【請求項３３】前記絶縁膜の膜厚が１０μｍ〜１００
μｍであることを特徴とする請求項３０に記載の表示装
置。
【請求項３４】前記絶縁膜の膜厚が１０μｍ〜１００
μｍであることを特徴とする請求項２９に記載の表示装
置。
【請求項３５】前記絶縁膜の膜厚が１０μｍ〜１００
μｍであることを特徴とする請求項３１に記載の表示装
置。
【請求項３６】前記絶縁膜が前記誘電体層を兼ねるこ
とを特徴とする請求項３０に記載の表示装置。
【請求項３７】前記絶縁膜が前記誘電体層を兼ねるこ
とを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３８】前記放電維持電極群に対して絶縁体層
を介して交差する前記アドレス電極群と、前記放電開始
アドレス電極群とが互に連続して同時形成されて成るこ
とを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３９】前記放電維持電極群を覆って絶縁膜が
形成され、前記放電維持電極群に対して交差する前記アドレス電極
群と、前記放電開始アドレス電極群とが互に連続して同
時形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の表
示装置。
【請求項４０】前記放電維持電極群に対して絶縁体層
を介して交差する前記アドレス電極群と、前記放電開始
アドレス電極群とが互に連続して同時形成されて成るこ
とを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４１】前記放電維持電極群を覆って絶縁膜が
形成され、前記放電維持電極群に対して交差する前記アドレス電極
群と、前記放電開始アドレス電極群とが互に連続して同
時形成されて成ることを特徴とする請求項２に記載の表
示装置。