KR20070039204A - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 - Google Patents

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KR20070039204A
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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전면 기판용 기판위에 어드레스 전극을 형성하는 단계, 상기 기판 위 어드레스 전극을 덮도록 그린 시트를 형성하는 단계, 상기 그린 시트를 노광, 현상 및 소성하여 유전층 패턴을 형성하는 단계, 상기 유전층 패턴내에 표시 전극 형성용 조성물을 충전하고 소성하여 표시 전극 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 표시 전극 패턴을 덮도록 유전층을 형성하여 전면 기판을 제조하는 단계를 포함하며, 상기 그린 시트는 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제1 그린시트, 및 상기 제1 그린시트 위에 형성되며 감광성 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제2 그린시트를 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의해 어드레스 전극 형성 후의 유전층 형성 공정 및 표시전극을 둘러싸는 유전층 형성 공정을 단일 공정화함으로써, 제조 공정, 공정 시간 및 불량율을 감소시킬 수 있다.
플라즈마 디스플레이 패널, 그린시트, 유전층, 표시전극, 제조방법.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법{METHOD FOR PREPARING PLSMA DISPLAY PANEL}
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 간략하게 나타낸 플로우 차트이고,
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
[산업상 이용분야]
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 2층 구조의 그린시트를 이용하여 어드레스 전극 형성 후의 유전층 형성 공정 및 표시전극을 둘러싸는 유전층 형성 공정을 단일 공정화 함으로써, 제조 공정, 공정 시간 및 불량률을 감소시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것이다.
[종래기술]
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel: PDP)은 기체방 전을 통하여 얻어진 플라즈마로부터 방사되는 진공자외선(vacuum ultraviolet: VUV)이 형광체를 여기시킴으로써 발생하는 가시광을 이용하여 영상을 구현하는 디스플레이 소자이다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 60인치 이상의 초대형 화면을 불과 10㎝ 이내의 두께로 구현할 수 있고, CRT와 같은 자발광 디스플레이 소자이므로 색 재현력이 우수하고 시야각에 따른 왜곡현상이 없는 특성을 나타낸다. 또한 플라즈마 디스플레에 패널은 LCD 등에 비해 제조공법이 단순하여 생산성 및 원가 측면에서도 강점을 가지므로 차세대 산업용 평판 디스플레이 및 가정용 TV 디스플레이로 각광받고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널의 구조는 1970년대부터 오랜 기간에 걸쳐 발전되어 왔는데, 현재 일반적으로 알려져 있는 구조는 3전극 면방전형 구조이다. 3전극 면방전형 구조는 동일 면상에 위치한 두 개의 전극을 포함한 1개의 기판과 이로부터 일정 거리를 두고 이격되어 수직방향으로 이어지는 어드레스전극을 포함한 또 다른 기판으로 이루어지며, 그 사이에 방전가스가 봉입된 구조이다. 일반적으로 방전의 유무는 각 라인에 연결되어 독립적으로 제어되는 주사전극과, 이 주사전극에 대향하고 있는 어드레스전극의 방전에 의해 결정되고, 휘도를 표시하는 유지방전은 동일 면상에 위치한 두 전극군에 의해 이루어진다.
일반적인 3전극 면방전형 구조를 갖는 AC 플라즈마 디스플레이 패널에서는 배면기판상에 일 방향을 따라 어드레스 전극들이 형성되고 이 어드레스 전극들을 덮으면서 배면기판의 전면에 유전층이 형성된다. 이 유전층 위로 격벽들이 형성되어 방전 공간들이 구획된다. 이들 격벽에 의하여 형성되는 방전 공간 내에는 각각 적(R), 녹(G), 청(B)색의 형광체층이 형성된다. 그리고 배면기판에 대향하는 전면기판의 일면에는 어드레스 전극들과 교차하는 방향을 따라 한 쌍의 투명전극과 버스전극으로 구성되는 표시전극들이 형성되고, 이 표시전극들을 덮으면서 전면기판 전체에 유전층과 MgO 보호막이 차례로 형성된다. 상기 배면기판 상의 어드레스전극들과 전면기판상의 한 쌍의 표시전극들이 교차하는 지점이 방전 공간과 대응된다.
상기와 같은 구조를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널내의 금속 전극들은 일반적으로 패턴 인쇄법에 의해 형성된다. 패턴 인쇄법은 공정이 비교적 간단하고 저간격으로 금속전극을 형성할 수 있지만, 전극폭이 어느 한계이상으로 미세하게 될 수 없기 때문에 PDP의 고해상도에 필수적인 대면적/고정세에 대응하기가 곤란하여 페이스트상의 재료를 사용하게 된다. 그러나 이와 같은 페이스트상의 제조시 휘발성 용매 등 인체에 해로운 물질을 사용하여야 하는 단점이 있었다.
본 발명의 목적은, 제조 공정, 공정 시간 및 불량률을 감소시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전면 기판용 기판위에 어드레스 전극을 형성하는 단계, 상기 기판 위 어드레스 전극을 덮도록 그린 시트를 형성하는 단계, 상기 그린 시트를 노광, 현상 및 소성하여 유전층 패턴을 형성하는 단계, 상기 유전층 패턴내에 표시 전극 형성용 조성물을 충전하고 소성하여 표시 전극 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 표시 전극 패턴을 덮도록 유전 층을 형성하여 전면 기판을 제조하는 단계를 포함하며, 상기 그린 시트는 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제1 그린시트, 및 상기 제1 그린시트 위에 형성되며 감광성 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제2 그린시트를 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제조한다.
상기 유전층 형성용 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 50 내지 70중량%의 유리 분말을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 유리 분말은 ZnO, B2O3, Al2O3, SiO2, SnO, P2O5, Sb2O3 및 Bi2O3로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것이 바람직하며, 또한 상기 유리 분말은 1족 내지 5족 금속원소의 산화물, 란탄계 원소의 산화물, 및 1족 금속원소의 불화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 더 포함할 수도 있다.
상기 감광성 유전층 형성용 조성물은 유리 분말, 감광성 바인더, 적어도 2이상의 에틸렌계 이중결합을 갖는 가교성 모노머, 광중합 개시제 및 잔부 양의 용매를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 전면 기판용 기판 위에 어드레스 전극을 형성하는 단계, 상기 기판 위 어드레스 전극을 덮도록 그린 시트를 형성하는 단계, 상기 그린 시트를 노광, 현상 및 소성하여 유전층 패턴을 형성하는 단계, 상기 유전층 패턴내에 표시 전극 형성용 조성물을 충전하고 소성하여 표시 전극 패턴을 형성하는 단계, 상기 표시 전극 패턴을 덮도록 유전층을 형성하여 전면 기판을 제조하는 단계, 배면 기판용 기판 위에 패턴화된 격벽을 형성하는 단계, 상기 격벽내 에 형광층을 형성하여 배면 기판을 형성하는 단계, 및 상기 전면 기판과 배면 기판을 상호 봉착, 배기 및 밀봉하는 단계를 포함하며, 상기 그린 시트는 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제1 그린시트, 및 상기 제1 그린시트 위에 형성되며 감광성 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제2 그린시트를 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공한다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
플라즈마 디스플레이 패널의 제조시 일반적으로 인쇄법을 이용하여 일정 높이의 전극을 형성한다. 그러나 인쇄법으로 일정 높이 이상을 형성하기 위해서는 인쇄 및 건조 공정을 여러 차례 반복하여야 한다. 이에 따라 공정 수가 증가하게 되고, 각각의 인쇄 공정에 있어서의 정렬(allignment)이 용이하지 않아 원하는 형상 확보에 어려움이 있었다.
이에 대해 본 발명에서는, 유전층 형성용 조성물로부터 제조된 제1 그린시트 및 상기 제1 그린시트상에 형성되며 감광성 유전층 형성용 조성물로부터 제조된 제2 그린시트를 포함하는 2층 구조의 그린시트를 사용함으로써, 어드레스 전극 형성 후의 유전층 형성 공정 및 표시전극을 둘러싸는 유전층 형성 공정을 단일 공정화하고, 또한 동일한 높이 및 형상을 갖는 표시전극을 용이하게 제조할 수 있었다.
상세하게는 본 발명의 일 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은,
전면 기판용 기판 위에 어드레스 전극을 형성하는 단계(S1);
상기 기판 위 어드레스 전극을 덮도록 그린 시트를 형성하는 단계(S2);
상기 그린 시트를 노광, 현상 및 소성하여 유전층 패턴을 형성하는 단계(S3);
상기 유전층 패턴내에 표시 전극 형성용 조성물을 충전하고 소성하여 표시 전극 패턴을 형성하는 단계(S4); 및
상기 표시 전극 패턴을 덮도록 유전층을 형성하여 전면 기판을 제조하는 단계(S5)를 포함하며,
상기 그린 시트는 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제1 그린시트, 및 상기 제1 그린시트 위에 형성되며 감광성 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제2 그린시트를 포함하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 나타낸 플로우 챠트이다.
도 1을 참조하여 보다 상세히 설명하면, 먼저 전면 기판용 기판(20)위에 어드레스 전극(32)을 형성한다(S1).
상기 기판(20)의 재료로서는, 절연 기판, 예를 들면 유리, 실리콘, 알루미나 등으로 이루어지는 판형 부재를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 유리 기판을 사용할 수 있다. 또한 필요에 따라서 상기 절연 기판에 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리, 플라즈마 처리, 이온 플레이팅법, 스퍼터링법, 기상 반응법 또는 진공 증착법 등에 의한 박막 형성 처리와 같은 적절한 전처리를 할 수 있다.
상기 어드레스 전극(32)은 돌출 전극(32a)과 버스 전극(32b)을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 돌출 전극(32a)은 패널의 개구율 확보를 위해 투명전극, 일례 로 ITO (Indium Tin Oxide) 전극으로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 버스 전극(32b)은 투명 전극의 높은 저항을 보상하여 통전성을 좋게 하기 위하여 Ag 등과 같은 금속 전극으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 돌출 전극 및 버스 전극은 통상의 제조 방법에 의해 형성될 수 있다.
일례로 상기 돌출 전극(32a)은 포토 에칭법에 의해 형성되는 것이 바람직한데, 상세하게는 스퍼터링법에 의해 기판상에 ITO를 기판 상에 형성한 후 드라이 필름 레지스트(Dry film register: 이하 'DFR'이라 함)를 라미네이팅하고, 노광 및 현상하여 DFR을 돌출 전극의 형태로 패터닝한다. 이후 에칭하고, DFR 패턴부분을 박리한 후 소성하여 돌출 전극(32a)을 형성할 수 있다.
또한 상기 버스 전극(32b)의 경우 감광성 페이스트법에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 보다 상세하게는 Ag를 포함하는 감광성 버스 전극 형성용 페이스트를 도포한 후 레벨링(leveling)하고 건조한다. 이후 포토 마스크를 이용한 간접 노광 또는 직접 노광에 의해 노광한다. 상기 건조와 노광 공정을 3회 이상 반복 실시한 후, 현상 및 소성하여 소정 패턴을 갖는 버스 전극(32b)을 형성할 수 있다.
다음으로 어드레스 전극(32)이 형성된 기판(20)위에 상기 어드레스 전극을 덮도록 그린시트(280)를 형성한다(S2).
상기 그린시트(280)는 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제1 그린시트(280a), 및 상기 제1 그린시트 위에 형성되며 감광성 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제2 그린시트(280b)를 포함하는 2층 구조를 갖는 것이 바람직하다.
상기 유전층 형성용 조성물은 통상 유전층 형성용 조성물로 사용되는 것이라 면 특별히 한정되지 않으며, 환경 및 인체에 대한 오염의 우려가 없는 무연계의 유리 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 상기 유리 분말은 ZnO, B2O3, Al2O3, SiO2, SnO, P2O5, Sb2O3 및 Bi2O3로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 산화아연-산화붕소-산화규소계(ZnO-B2O3-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2), 및 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함할 수 있다.
또한 상기 유리 분말은 1족 내지 5족 금속원소의 산화물, 란탄계 원소의 산화물, 및 1족 금속원소의 불화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 더 포함할 수 있으며, 보다 바람직하게는 Na2O, Li2O, K2O, Cs2O, MgO, CaO, SrO, BaO, Sc2O3, Y2O3, TiO2, ZrO2, V2O5, Nb2O5, La2O3, CeO2, Pr2O3, Nd2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb2O3, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, LiF, NaF 및 KF로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 더 포함할 수 있다. 상기 1족 내지 5족은 새로운 IUPAC에 따른 것으로 각각 주기율표에서 Li, Be, Sc, Ti 및 V를 각각 포함하는 원소족을 의미한다.
상기 유리 분말은 유리 분말의 구성 성분들을 모두 혼합한 후 용융, 건식 냉각, 건식 분쇄 및 해쇄하는 방법으로 제조되는 것이 바람직하며, 상기 방법에 따라 제조되는 유리 분말은 치밀도 및 색상이 우수하다.
이와 같은 유리 분말은 그 형상에 있어서 특별히 한정되지 않으나, 구형인 것이 바람직하며, 또한 평균 입자 직경이 0.1 내지 5㎛, 보다 바람직하게는 0.5 내지 2㎛인 것이 바람직하다. 만약 상기 유리 분말의 평균 입자 직경이 상기 범위를 벗어날 경우 소성 후 형성된 유전층 패턴의 표면이 불균일하고 직진성이 저하될 우려가 있어 바람직하지 않다.
상기 유전층 형성용 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 유리 분말을 50 내지 70중량% 포함하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 55 내지 65중량% 포함할 수 있다. 유전층 형성용 조성물중의 유리 분말의 함량이 50중량% 미만이면 보다 많은 양의 결합제 및 가소제를 필요로 하기 때문에 소결 특성이 나빠질 우려가 있어 바람직하지 않고, 70중량%를 초과하면 상대적으로 결합제 및 가소제의 양이 적어져 취급성 및 가공성이 나빠질 우려가 있어 바람직하지 않다.
상기 유전층 형성용 조성물은 상기 유리 분말 외에 잔부의 양으로 통상적으로 유전층 형성에 사용되는 용매, 결합제 또는 가소제 등을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 감광성 유전층 형성용 조성물은 i) 유리 분말, ii) 감광성 바인더, iii) 적어도 2이상의 에틸렌계 이중결합을 갖는 가교성 모노머, iv) 광중합 개시제 및 v) 잔부 양의 용매를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 i) 유리 분말은 앞서 유전층 형성용 조성물에서 설명한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다.
상기 유리 분말은 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 50 내지 65중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 55 내지 60중량%로 포함된다. 유리 분말의 함량이 50중량% 미만이면 소결 특성이 나빠지게 되어 바람직하지 않고, 65중량%를 초과하면 취급성 및 가공성이 나빠지게 되어 바람직하지 않다.
상기 ii) 감광성 바인더로는 광 개시제에 의해 가교가 가능하며, 유전층 패턴 형성시 현상공정에 의해 쉽게 제거될 수 있는 고분자를 사용하는 것이 바람직하다.
이러한 감광성 바인더로는 포토레지스트 조성 분야에서 통상적으로 사용되는 아크릴계 수지, 스티렌 수지, 노볼락 수지 및 폴리에스테르 수지 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 하기의 카르복실기를 가지는 모노머(i), OH기를 가지는 모노머(ii) 및 그 밖의 공중합 가능한 모노머(iii) 중에서 선택된 1종 이상의 공중합체가 가능하다:
모노머 (i): 카르복실기 함유 모노머류
상기 카르복실기 함유 모노머로는 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 클로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 계피산, 숙신산모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), 또는 ω-카르복시-폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
모노머 ( ii ): OH 기 함유 모노머류
상기 OH기 함유 모노머로는 (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산3-히드록시프로필 등의 OH기 함유 단량체류; o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 OH기 함유 모노머류를 들 수 있다.
모노머 (iii): 그 밖의 공중합 가능한 모노머류
상기 그 밖의 공중합 가능한 모노머로는 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산n-라우릴, (메트)아크릴산벤질, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 포스페이트아크릴레이트 등의 모노머 (i) 이외의 (메트)아크릴산에스테르류; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐계 모노머류; 부타디엔, 이소프렌 등의 공역 디엔류; 폴리스티렌, 폴리(메트)아크릴산메틸, 폴리(메트)아크릴산에틸, 폴리(메트)아크릴산벤질 등의 중합체쇄의 한쪽의 말단에 (메트)아크릴로일기 등의 중합성 불포화기를 갖는 마크로모노머류를 들 수 있다.
상기 감광성 바인더는 기판상에 감광성 유전층 형성용 조성물을 도포하는 경우 적절한 점도를 나타내고 현상공정에서의 분해될 수 있도록 수평균 분자량(Mn)이 5,000 내지 50,000인 것을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 상기 감광성 바인더의 분자량이 5,000 미만일 경우 현상시 감광성 유전층의 밀착성에 악영향을 미칠 수 있고, 50,000를 초과할 경우 현상 불량이 생기기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 또한 상기 감광성 바인더는 20 내지 100mgKOH/g의 산가를 갖는 것이 바람직하다. 또한 산가가 20mgKOH/g 미만일 경우 알칼리 수용액에 대한 용해성이 불충분하여 현상 불량이 생기기 쉽고, 100mgKOH/g를 초과할 경우 현상시 감광성 유전층의 밀착성 저하나 노광부의 용해가 생기기 때문에 바람직하지 않다.
상기 감광성 바인더는 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 10중량%, 바람직하게는 5 내지 7중량%로 포함될 수 있다. 만약 그 함량이 5중량% 미만이면 인쇄성이 저하되고, 이와 반대로 10중량%를 초과하게 되면 현상성이 불량하거나 소성 후 제조된 유전층 주변에 잔사(residue)가 발생되는 문제가 있으므로, 상기 범위 내에서 사용하는 것이 바람직하다.
상기 iii) 적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 모노머는, 광 개시제에 의해 라디칼 중합 반응할 수 있는 화합물이라면 특별히 한정되지 않고 사용할 수 있는데, 구체적으로는 아크릴레이트류; 상기 아크릴레이트에 대응하는 메타크릴레이트류; 또는 프탈산, 아디프산, 말레산, 이타콘산, 트리멜리트산, 테레프탈산 등의 다염기산과 히드록시알킬(메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻은 모노-, 디-, 트리- 또는 그 이상의 에스테르류 등을 들 수 있으며, 이들을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 보다 바람직하게는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 유도체, 트리메틸프로판트리아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 부가형 트리메틸프로판트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레 이트, 펜타에리스리톨테트라메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨디메타크릴레이트, 솔비톨트리메타크릴레이트, 비스페놀 A 디메타크릴레이트 유도체, 트리메틸프로판트리메타크릴레이트, 에틸렌옥사이드 부가형 트리메틸프로판트리메타크릴레이트, 또는 디펜타에리스리톨폴리메타크릴레이트 등이 있으며, 이들 중에서 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
상기 가교성 모노머는 감광성 바인더의 함량에 대해 일정비로 첨가되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 감광성 바인더 100 중량부에 대하여 20 내지 150 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 이를 감광성 유전층 형성용 조성물에 대한 함량으로 환산하면, 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 15 중량%이며, 보다 바람직하게는 3 내지 10중량%의 양으로 포함될 수 있다. 이때 상기 가교성 모노머의 함량이 1중량% 미만이면 유전층 형성시 노광 공정에서 노광 감도가 저하되고 현상 공정시 유전층 패턴에 흠이 생기는 경향이 있고, 이와 반대로 15중량%를 초과하면 현상 후 경화도가 높아서 현상시 패턴의 뜯김 현상이 심해지고, 패턴의 직진성이 저하될 수 있다.
또한 상기 iv) 광중합 개시제는 노광 공정에 있어서 라디칼을 발생시키고, 상기 가교성 모노머의 가교 반응을 개시할 수 있는 화합물이라면 특별히 한정되지 않는다. 대표적으로는 벤조인류; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에틸 등의 벤조인 알킬 에테르류; 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논 등의 아세토페논 류; α-아미노 아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르몰리노프로파논-1,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1 등의 아미노아세토페논류; 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 2,4-디메틸티오크산톤 등의 티오크산톤류; 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류; 벤조페논 등의 벤조페논류; 크산톤류; 트리아진류; 이미다졸류; (2,6-디메톨시벤조일)-2,4,4-펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 에틸-2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스피네이트 등의 포스핀옥사이드류; 또는 각종 퍼옥사이드류 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 α-아미노 아세토페논(α-Amino Acetophenone: Irgacure907® 시바스페셜티케미칼사제)이다.
상기 광중합 개시제는 상기 가교성 모노머의 함량에 대해 일정비로 포함되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하기로 가교성 모노머 100 중량부에 대하여 10 내지 50중량부의 양으로 포함될 수 있다. 이를 감광성 유전층 형성용 조성물에 대한 함량으로 환산하면, 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 8중량%이고, 보다 바람직하게는 0.3 내지 5중량%로 포함될 수 있다. 이때 상기 광중합 개시제의 함량이 0.1중량% 미만이면 낮은 감도로 인해 정상적인 패턴구현이 힘들어지고 패턴의 직진성에도 좋지 않으며, 8중량%를 초과하게 되면 보존 안정성에 문제가 발생할 수 있으며, 높은 경화도로 인해 현상시 패턴의 뜯김이 심해질 수 있다.
상기 감광성 유전층 형성용 조성물은 상기 i) 유리 분말, ii) 감광성 바인 더, iii) 적어도 2 이상의 에틸렌계 이중결합을 갖는 가교성 모노머, 및 iv) 광중합 개시제 외에도 코팅성 향상을 위한 v) 용매를 포함한다.
상기 v) 용매로는 상기 감광성 유전층 형성용 조성물의 용해성 및 코팅성에 따라 적절히 선택하여 사용할 수 있으며, 구체적인 예로는 구체적으로는 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; n-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 시클로헥산올, 디아세톤알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; 아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산알킬 에스테르류; 락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산 에스테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올모노(2-메틸프로파노에이트)(2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol mono(2-methylpropanoate)등의 에테르계 에스테르류 등을 예시할 수가 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수가 있다.
상기 용매는 상기 감광성 유전층 형성용 조성물에 잔부의 양으로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 적절한 점도로 감광성 유전층을 형성할 수 있도록 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 4 내지 30중량%, 가장 바람직하게는 10 내지 25중량%의 양으로 포함될 수 있다.
상기 감광성 유전층 형성용 조성물은 또한 상기 조성외에 각각의 목적에 따라 첨가제를 더욱 포함할 수 있다.
이러한 첨가제로는 감도를 향상시키는 증감제; 인산, 인산에스테르, 카르복실산 함유 화합물 등의 코팅 조성물의 보존성을 향상시키는 중합 금지제; 산화방지제; 해상도를 향상시키는 자외선 흡광제; 실리콘계 또는 아크릴계 화합물 등의 페이스트 내의 기포를 줄여 주는 소포제; 분상성을 향상시켜 주는 분산제; 폴리에스테로 변성 디메틸폴리실록산, 폴리히드록시카르복실산 아미드, 실리콘계 폴리아크릴레이트 공중합체 또는 불소계 파라핀 화합물 등의 인쇄시 막의 평탄성을 향상시키기 위한 레벨링제; 또는 요변 특성을 주는 가소제 등이 있다.
이들 첨가제는 반드시 사용되는 것이 아니라 필요에 따라 선택적으로 사용되며, 첨가 시에는 일반적으로 알려진 양을 적절하게 조절하여 사용한다.
상기 감광성 유전층 형성용 조성물은 유리 분말, 감광성 바인더, 적어도 2 이상의 에틸렌계 이중결합을 갖는 가교성 모노머, 및 광중합 개시제를 용매에 분산시켜 제조할 수 있다. 이때 감광성 바인더와 광중합 개시제를 먼저 혼합한 후 여기에 유리 분말, 가교성 모노머 및 용매를 첨가하고 분산시켜 감광성 유전층 형성용 조성물을 제조할 수도 있다.
상기 제조된 유전층 형성용 조성물 및 감광성 유전층 형성용 조성물을 각각 나이프 코팅법 또는 다이 코팅법 등의 통상의 코팅 방법에 의해 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름 등의 지지체상에 도포하고 건조시켜 용매를 제거함으로써 필름 형상의 제1 그린 시트(280a) 또는 제2 그린 시트(280b)를 제조할 수 있다. 이후 제조된 제1 그린시트(280a) 및 제2 그린시트(280b)를 적층하여 그린시트(280)를 제조한다.
상기 제1 그린시트(280a)는 제2 그린시트(280b)보다 두께가 두꺼운 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 상기 제1 그린시트(280a)와 제2 그린시트(280b)는 3:1 내지 4:1의 두께비를 갖는 것이 바람직하다. 제1 그린시트(280a)보다 제2 그린시트(280b)가 두꺼울 경우 비용면에서도 바람직하지 않을 뿐더러 고정세의 패턴 형성이 용이하지 않다.
이에 따라 상기 제2 그린시트(280b)는 플라즈마 디스플레이 패널을 구성하는 표시 전극에서 요구되는 두께를 고려하여, 5 내지 30㎛, 보다 바람직하게는 8 내지 25 ㎛, 가장 바람직하게는 10 내지 20 ㎛의 두께를 갖는 것이 좋다.
제조된 그린시트(280)를 어드레스 전극(32)이 형성된 기판(20)상에 라미네이팅하고, 기판위에 형성된 그린시트(280)를 노광, 현상 및 소성하여 유전층(28) 패턴을 형성한다(S3).
노광 공정은 감광성을 갖는 제2 그린시트(280b)에 대해서만 실시되는 것이 바람직하다. 노광 공정은 제2 그린시트(280b) 위에 일반적으로 사용되는 원하는 패턴의 포토마스크를 통하여 UV광을 선택적으로 투과시켜 노광하거나, 직접(DI: direct imaging) 노광 방식에 의해 이루어질 수 있다.
노광 광원으로는 할로겐 램프, 고압 수은등, 레이저광, 메탈할로겐 램프, 블랙 램프, 무전극 램프 등이 사용될 수 있다. 노광량으로는 50 내지 1000mJ/cm2 정도가 바람직하다.
노광 후 현상액을 분무하거나 또는 상기 현상액에 침지하여 현상한다. 상기 현상액으로는 염기를 포함하는 수용액을 사용할 수 있으며, 또한 상기 염기로는 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아 등의 무기 알칼리성 화합물; 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸히드록시에틸암모늄히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민 등의 유기 알칼리성 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 것을 사용할 수 있다.
현상액의 농도는 0.1 내지 1%인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.2 내지 0.6% 이다. 농도가 0.2% 미만이면 패턴을 형성하는 시간이 길어지며, 1%를 초과하면 패턴의 균일성이 저하되어 바람직하지 않다.
또한 현상액의 온도는 25℃ 내지 55℃인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 30℃ 내지 45℃이다. 온도가 25℃ 미만이면 현상 시간이 길어지고, 40℃를 초과하면 패턴 형성을 위한 공정마진이 짧아져 바람직하지 않다.
노광 공정에 의해 광중합 개시제가 자외선에 노출되면 분해되어 자유 라디칼을 형성하고, 이 활성 라디칼이 가교성 모노머의 이중결합을 공격하여 중합반응을 일르킨다. 이때 가교성 모노머는 한 분자내에 이중결합이 둘 이상이므로 중합반응이 진행되면 3차원 망상구조의 중합체를 형성하게 되어 현상액에 현상되지 않는다.
한편, 노광되지 않은 부분은 알칼리 수용액을 용매로 한 현상공정에서 감광 성 바인더가 녹아 나올 때 유리 분말 및 반응하지 않는 가교성 모노머 등과 함께 제거됨으로 노광된 부분과 구분되어 제2 유전층(28b)의 패턴을 형성하게 된다.
상기 현상 공정 후 불필요한 현상액의 제거를 위해 수세나 산 중화를 행할 수도 있다.
이후 소성하여 소정의 제2 유전층(28b)의 패턴을 형성한다. 이에 따라 제2유전층(28b)에는 표시 전극 형성 공간(21' 및 23') 및 방전 공간(18')이 동시에 형성되게 된다.
이때 상기 소성 공정은 480℃ 내지 620℃, 보다 바람직하게는 500℃ 내지 580℃의 소성 온도 범위내에서 실시하는 것이 바람직하다. 또한 소성시간은 3 내지 6시간, 보다 바람직하게는 4 내지 5시간동안 실시하는 것이 바람직하다. 소성 온도 및 시간이 상기 범위를 벗어날 경우 완전한 수분 제거가 어려워지고, 탈바인더가 되지 않아 기호가 생길 우려가 있기 때문에 바람직하지 않다.
다음으로, 상기 유전층 패턴내에 표시 전극 형성용 조성물을 충전하고 소성하여 표시 전극 패턴을 형성한다(S4).
상세하게는 상기 제2유전층(28b) 패턴사이의 표시 전극 형성 공간(21' 및 23')에 표시 전극 형성용 조성물을 충전하고 소성하여 유지 전극(21) 및 주사 전극(23)을 포함하는 표시 전극(25)를 형성한다.
상기 표시 전극 형성용 조성물은 통상의 표시 전극 형성용 조성물에 사용되는 것이라면 특별히 제한됨 없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 은-팔라듐 합금(Ag-Pd)으로 이루 어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 사용할 수 있다.
표시 전극 패턴 형성시의 소성 공정은 500℃ 내지 600℃에서 실시되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 550℃ 내지 580℃이다. 또한 3 내지 6시간, 보다 바람직하게는 4 내지 5시간 동안 실시하는 것이 바람직하다. 상기 소성 공정시의 온도 및 시간이 상기 범위를 벗어날 경우 기공이 생길 우려가 있어 바람직하지 않다.
상기 표시 전극 패턴의 형성 후 표시 전극을 덮도록 유전층을 형성하는 공정을 실시한다(S5).
상세하게는 표시 전극(25)을 덮도록 제3 유전층 형성용 조성물을 도포하고 소성하여 제3유전층(28c)을 형성한다. 바람직하게는 제3 유전층(28c)은 상기 표시 전극(25)과 함께 제2 유전층(28b)까지 덮을 수 있도록 연장되어 형성될 수 있다.
추가의 제3 유전층 형성시 제3 유전층 형성용 조성물 및 형성 방법은 통상의 유전층 형성용 조성물 및 방법을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 앞서 설명한 제1 유전층 형성용 조성물과 동일한 것을 사용할 수 있다.
이후 선택적으로, 상기 전극 패턴 형성 후 기판상에 표시 전극을 덮도록 보호막을 더 형성할 수도 있다.
상기 보호막은 불화물막, 및 산화물막으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 구조를 가질수 있으며, 구체적으로는 상기 보호막은 MgF2, CaF2 또는 LiF와 같은 불화물막; 및 MgO, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 또는 La2O3와 같은 산화물막으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 구조를 가질 수도 있다.
상기 보호막의 형성방법 역시 특별히 한정되는 것은 아니나, 페이스트를 이용한 후막 인쇄법과 플라즈마를 이용한 증착법으로 형성될 수 있으며, 이 중에서 증착법은 이온의 충격에 의한 스퍼터링에 상대적으로 강하고, 2차 전자 방출에 의한 방전 유지 전압과 방전 개시 전압을 감소시킬 수 있어 바람직하다.
상기 플라즈마 증착법으로 보호막을 형성하는 방법은 마그네트론 스퍼터링법, 전자빔 증착법, IBAD(ion beam assisted deposition, 이온빔지원퇴적법), CVD(chemical vapor deposition, 화학기상증착법), 졸-겔(sol-gel)법, 또는 이온 플레이팅법(ion plating) 등을 사용할 수 있으며, 이중에서도 전자빔 증착법이 보다 바람직하다.
다음으로 통상의 방법에 따라 별도의 배면 기판용 기판에 패턴화된 격벽 및 형광층을 순차적으로 형성한다.
다음으로 상기 배면 기판과 앞서 제조된 전면 기판을 상호 봉착, 배기 및 밀봉하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조한다.
상기한 바와 같은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 의해 2층 구조의 그린시트를 이용하여 어드레스 전극 형성 후의 유전층 형성 공정 및 표시전극을 둘러싸는 유전층 형성 공정을 단일 공정화 함으로써, 제조 공정, 공정 시간 및 불량율을 감소시킬 수 있다.
본 발명은 또한 상기 제조방법에 의해 제조된 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 개략적으로 도시한 분해 사시도이다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 기본적으로 배면기판(10)과 전면기판(20)이 소정의 간격을 두고 서로 대향 배치되고, 양 기판(10, 20)의 사이 공간에는 다수의 방전 공간(18, 18')들이 격벽(16)에 의해 구획된다. 방전 공간(18, 18') 내에는 자외선을 흡수하여 가시광을 방출하는 형광체층(19)이 격벽면과 바닥면을 따라 형성되며, 플라즈마 방전을 일으킬 수 있도록 방전가스(일례로 제논(Xe), 네온(Ne) 등을 포함하는 혼합가스)가 채워진다.
전면기판(20)의 배면기판(10) 대향면에는 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 어드레스전극(32)들이 나란히 형성되고, 이들 어드레스전극(32)을 덮으면서 전면기판(20)의 내측면 전체에 전면 유전층(28)이 형성된다. 어드레스전극(32)들은 이웃한 것끼리 소정의 간격을 유지하면서 서로 나란하게 형성된다.
상기 어드레스전극(32)은 방전 공간(18, 18')의 일측 가장자리에 길게 이어지는 버스전극(32b)과 이 버스전극(32b)으로부터 대향측 가장자리를 향해 연장되는 돌출전극(32a)을 포함한다. 앞서 플라즈마 제조방법에서 설명한 바와 같이, 돌출전극(32a)은 패널의 개구율 확보를 위해 투명전극, 일례로 ITO(Indium Tin Oxide) 전극으로 형성될 수 있으며, 버스전극(32b)은 상기 투명전극의 높은 저항을 보상하여 통전성을 좋게 하기 위하여 금속전극으로 이루어지는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 돌출전극(32a)은 직사각형상의 평면형상을 갖는다.
어드레스전극(32)들 위로는 이들과 이격되어 표시전극(25)들이 형성되는데, 이들 표시전극(25)은 어드레스전극(32)들과 전면 유전층(28)을 사이에 두고 이격됨으로써 전기적으로 구분되도록 형성된다.
상기 표시전극(25)은 각 방전 공간(18, 18')에 대응되는 유지 전극(21)과 주사 전극(23)을 포함하며, 이들 유지 전극(21) 및 주사 전극(23)은 어드레스전극(32)과 교차하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 각각 길게 이어져 형성된다. 이러한 표시전극(25) 중 유지전극(21)은 주로 유지 기간의 방전에 필요한 전압을 인가하기 위한 전극의 역할을 하며, 주사전극(23)은 리셋기간, 어드레스기간 및 유지기간에 각각 필요한 전압을 인가하기 위한 전극의 역할을 한다. 따라서 주사전극(23)은 리셋기간, 어드레스기간 및 유지기간의 방전에 모두 관여하게 되며, 유지전극(21)은 주로 유지기간의 방전에 관여하게 된다. 그러나 각 전극에 인가되는 방전전압에 따라 그 역할을 달리할 수 있으므로 이에 한정될 필요는 없다.
도 2에서는 각 방전 공간마다 유지전극과 주사전극이 각각 별개로 대응되고 있는 것을 도시하였으나, 이웃한 방전 공간의 경계를 지나는 유지 전극 또는 주사전극이 양쪽 방전 공간에 공유되도록 배치될 수도 있다.
본 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 유지전극(21)과 주사전극(23)은 전면기판(20)으로부터 멀어지는 방향(도면의 음의 z축 방향)으로 상기 배면기판(10)을 향해 돌출되어, 그 사이에 공간을 두고 서로 대향하도록 형성된다. 이렇게 형성되는 공간은 서로 대향하는 유지전극(21)과 주사전극(23) 사이에서 대향방전을 유도할 수 있다.
또한 유지전극(21) 및 주사전극(23)은 어드레스전극(32)이 형성되는 층과 서로 다른 층에 형성되며, 동시에 전기적으로 분리되어 있다. 이를 위하여 전면 유전층(28)은 제1 유전층(28a)과 제2 유전층(28b) 및 제3 유전층(28c)으로 구분된다. 즉 제1 유전층(28a)은 전면기판(20)에서 어드레스전극(32) 위로 이들을 덮도록 형성되고, 제2 유전층(28b)은 제1 유전층(28a) 위에 유지전극(21)과 주사전극(23)을 포함하는 표시전극(25)을 둘러싸도록 형성된다. 또한 제3유전층(28c)은 방전 공간을 향하는 표시 전극 면을 덮도록 형성된다.
상기 제1 유전층(28a)은 유전층 형성용 조성물에 의해 제조된 제1 그린시트에 의해 형성되고, 제2 유전층(28b)은 감광성 유전층 형성용 조성물에 의해 제조된 제2 그린시트로부터 형성된다. 제1 그린시트 상에 제2 그린시트를 형성한 후 그린시트를 노광, 현상, 소성하면 제2 그린시트내 감광성 성분만이 반응하여 유전층 패턴을 형성하게 된다. 이후 형성된 유전층 패턴내에 표시전극 형성용 조성물을 충전하여 표시전극 패턴을 형성하게 된다.
이후 방전 공간을 향하는 표시 전극 면을 덮도록 제3유전층(28c)을 더욱 형성할 수 있다. 상기 제3유전층(28c)은 제1유전층(28a)에서와 동일한 유전층 형성용 조성물을 이용하여 통상의 제조방법으로 제조될 수 있다.
제1 유전층(28a)과 제2 유전층(28b) 및 제3유전층(28c) 위로는 MgO보호막(29)이 형성되어 플라즈마 방전 시 전리된 원자의 이온의 충돌로부터 유전층이 보호하는 역할을 한다. 이러한 MgO보호막(29)은 이온이 부딪혔을 때 이차전자의 방출계수도 높기 때문에 방전효율을 높일 수 있다.
배면기판(10) 상에는 패턴화된 격벽(16)이 형성되는데, 본 실시예에서 격벽(16)은 어드레스전극(32)과 나란한 방향으로 길게 이어지는 제1 격벽부재(16a)와, 이 제1 격벽부재(16a)와 교차하도록 형성되면서 각각의 방전 공간(18, 18')을 독립적인 방전공간으로 구획하는 제2 격벽부재(16b)로 이루어진다. 이러한 격벽구조는 상기 설명한 구조에 한정되는 것은 아니며, 어드레스전극과 나란한 격벽부재로만 이루어지는 스트라이프형 격벽구조도 본 발명에 적용될 수 있고, 방전 공간을 구획하는 다양한 형상의 격벽구조도 가능하며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
또한 도 2에 나타난 바와 같이 본 발명의 또 다른 예로 배면기판(10) 상에 배면 유전층(14)이 형성될 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 의하면, 어드레스전극(32)을 전면기판(20)에 배치함으로써 방전 공간(18, 18') 내에서의 방전에 관여하는 전극이 모두 전면기판(20)에 위치하게 되고, 따라서 배면기판(10)에 형성되는 격벽(16)에 의하여 설정되는 방전공간이 더욱 크게 확보될 수 있다. 이는 곧 형광체가 도포되는 부분의 면적이 넓어짐에 따라 발광효율이 증가될 수 있음을 의미한다. 뿐만 아니라 형광체 위에 전하가 쌓이면서 이온 스퍼터링 등에 의해 형광체 수명이 감소되는 것을 방지할 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
제조예 1: 그린시트의 제조
1㎛의 평균 입자 직경을 갖는 SiO2-ZnO-B2O3의 유리분말(69.8중량%의 SiO2, 28.4중량%의 ZnO 및 1.8중량%의 B2O3)을 포함하는 유전층 형성용 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트제 지지체에 코팅한 후 건조하여 45㎛의 두께를 갖는 제1 그린시트를 제조하였다.
별도로 아크릴레이트 공중합 수지 8중량%(전체 모노머에 대하여 벤질메타크릴레이트 22중량%, 메타크릴산 25중량%, 포스페이트아크릴레이트 7중량%, 2-히드록시에틸메타크릴레이트 20중량%, 메틸메타크릴레이트 26중량%), TMP(EO)3TA 10중량% 및 Irgacure 907 2중량%를 PGMEA 20중량%에 용해시킨 후 SiO2-ZnO-B2O3의 유리분말 60중량%을 분산시킨 감광성 유전층 형성용 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트제 지지체상에 코팅한 후 건조하여 15㎛의 두께를 갖는 제2 그린시트를 제조하였다.
상기 제조된 제1 그린시트와 제2 그린시트를 접합하여 그린시트를 제조하였다.
TMP(EO)3TA: 에틸렌 옥사이드 부가형 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane triacrylate, modified with ethylene oxide, ㈜일본화약사제)
Irgacure907: 시바스페셜티케미칼 제조
PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethylether acetate)
제조예 2: 그린시트의 제조
상기 제조예 1에서의 SiO2-ZnO-B2O3의 유리 분말 대신에 0.1㎛의 평균 입자 직경을 갖는 B2O3-BaO-ZnO의 유리 분말(70중량%의 B2O3, 15중량%의 BaO, 10중량%의 ZnO)을 사용하여 그린시트를 제조하는 것을 제외하고는 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 실시하여 그린 시트를 제조하였다.
제조예 3: 그린시트의 제조
상기 제조예 1에서의 SiO2-ZnO-B2O3의 유리 분말 대신에 5㎛의 평균 입자 직경을 갖는 Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3-Na2O-MgO의 유리 분말(25중량%의 Bi2O3, 25중량%의 B2O3, 30중량%의 SiO2, 15중량%의 Al2O3, 2중량%의 Na2O, 및 3중량%의 MgO)을 사용하여 그린시트를 제조하는 것을 제외하고는 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 실시하여 그린 시트를 제조하였다.
실시예 1: 플라즈마 디스플레이 패널의 제조
소다석회 유리로 제조된 전면 기판 위에 인듐 틴 옥사이드를 스퍼터링한 후 드라이 필름 레지스트(DFR)를 라미네이팅하였다. 상기 DFR 위에 패턴 형성된 포토 마스크를 더욱 라미네이팅 한 후 고압 수은등을 이용하여 노광하고, Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 이용하여 현상하고 건조하여 투명 전극 형상으로 패터닝하였다. 이후 염산과 질산을 이용하여 에칭한 후 NaOH 5.0% 수용액을 이용하여 DFR 패턴 부분 을 박리한 후 소성하여 돌출 전극을 형성하였다. 돌출 전극 상에 Ag를 포함하는 감광성 버스 전극 형성용 페이스트를 도포하였다. 도포된 Ag 함유 감광성 페이스트를 레벨링하고 건조한 후 DI(direct imaging) 노광기를 이용하여 노광하였다. 상기 건조와 노광 공정을 5회 이상 반복 실시한 후, Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 이용하여 현상하고 소성하여 스트라이프 상으로 버스 전극을 형성함으로써 상기 돌출 전극 및 버스 전극을 포함하는 어드레스 전극을 제조하였다.
이어서, 상기 제조예 1에서 제조된 그린시트를 상기 어드레스 전극이 형성된 기판상에 라미네이팅하고, DI(direct imaging) 노광기를 이용하여 100mJ 노광 후 Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 분무하여 현상하고 500℃에서 4시간동안 소성하여 유전층 패턴을 형성하였다.
상기 유전층 패턴내에 Cr-Cu-Cr을 포함하는 표시전극 형성용 조성물을 충전하고 550℃에서 4시간동안 소성하여 표시 전극 패턴을 형성하였다.
상기 표시 전극 패턴위에 SiO2-ZnO-B2O3의 유리분말(69.8중량%의 SiO2, 28.4중량%의 ZnO 및 1.8중량%의 B2O3)을 포함하는 유전층 형성용 조성물을 더욱 도포하고, 건조 및 소성하여 유전층을 형성하였다.
별도로, 배면 기판에 패턴화된 격벽 및 형광체층을 형성하고, 이를 상기 어드레스 전극, 표시 전극, 및 유전층이 형성된 상기 전면 기판과 봉착하고 방전 공간 내의 공기를 배기한 후 400Torr의 조건으로 방전가스를 주입하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
실시예 2: 플라즈마 디스플레이 패널의 제조
상기 제조예 2 에서 제조된 그린시트를 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
실시예 3: 플라즈마 디스플레이 패널의 제조
소다석회 유리로 제조된 전면 기판 위에 인듐 틴 옥사이드를 스퍼터링한 후 드라이 필름 레지스트(DFR)를 라미네이팅하였다. 상기 DFR 위에 패턴 형성된 포토 마스크를 더욱 라미네이팅 한 후 고압 수은등을 이용하여 노광하고, Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 이용하여 현상하고 건조하여 돌출 전극 형상으로 패터닝하였다. 이후 염산과 질산을 이용하여 에칭한 후 NaOH 5.0% 수용액을 이용하여 DFR 패턴 부분을 박리한 후 소성하여 돌출 전극을 형성하였다. 상기 돌출 전극이 형성된 전면 기판상에 Ag를 포함하는 감광성 버스 전극 형성용 페이스트를 도포하였다. 도포된 Ag 함유 감광성 페이스트를 레벨링하고 건조한 후 DI(direct imaging) 노광기를 이용하여 노광하였다. 상기 건조와 노광 공정을 5회 반복 실시한 후, Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 이용하여 현상하고 소성하여 스트라이프 상으로 버스 전극을 형성함으로써 상기 돌출 전극 및 버스 전극을 포함하는 어드레스 전극을 제조하였다.
이어서, 상기 제조예 3에서 제조된 그린시트를 상기 어드레스 전극이 형성된 기판상에 라미네이팅하고, DI(direct imaging) 노광기를 이용하여 100mJ 노광 후 Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 이용하여 현상하고 500℃에서 4시간동안 소성하여 유전층 패턴을 형성하였다.
상기 유전층 패턴내에 Cr-Cu-Cr을 포함하는 표시 전극 형성용 조성물을 충전하고 550℃에서 4시간동안 소성하여 표시 전극 패턴을 형성하였다.
상기 표시 전극 패턴위에 Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3-Na2O-MgO의 유리 분말을 포함하는 유전층 형성용 조성물을 더욱 도포하고, 건조 및 소성하여 유전층을 형성하였다.
다음으로 상기 유전층이 형성된 기판을 보호막 증착실에 넣고 이온 플레이팅법을 이용하여 MgO를 포함하는 보호막을 증착 형성하여 전면 기판을 제조하였다. 증착실 내부의 경우, 기본압력을 1×10-4Pa로, 증착 형성시의 압력을 5.3×10-2Pa로 하였으며, 산소를 100sccm(유량부피단위)로 공급하면서 기판을 200±5℃로 유지하였다.
별도로, 배면 기판에 패턴화된 격벽 및 형광체층을 형성하고, 이를 상기 어드레스 전극, 표시 전극, 및 유전층이 형성된 상기 전면 기판과 봉착하고 방전 공간 내의 공기를 배기한 후 400Torr의 조건으로 방전가스를 주입하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
비교예 1: 플라즈마 디스플레이 패널의 제조
소다석회 유리로 제조된 전면 기판 위에 인듐 틴 옥사이드를 스퍼터링한 후 드라이 필름 레지스트(DFR)를 라미네이팅하였다. 상기 DFR 위에 패턴 형성된 포토 마스크를 더욱 라미네이팅 한 후 고압 수은등을 이용하여 노광하고, Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 이용하여 현상하고 건조하여 돌출 전극 형상으로 패터닝하였다. 이 후 염산과 질산을 이용하여 에칭한 후 NaOH 5.0% 수용액을 이용하여 DFR 패턴 부분을 박리한 후 소성하여 돌출 전극을 형성하였다. 돌출 전극 상에 Ag를 포함하는 감광성 버스 전극 형성용 페이스트를 도포하였다. 도포된 Ag 함유 감광성 페이스트를 레벨링하고 건조한 후 DI(direct imaging) 노광기를 이용하여 노광하였다. 상기 건조와 노광 공정을 5회 이상 반복 실시한 후, Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 이용하여 현상하고 소성하여 스트라이프 상으로 버스 전극을 형성함으로써 상기 돌출 전극 및 버스 전극을 포함하는 어드레스 전극을 제조하였다.
이어서, 상기 PbO-B2O3-SiO2의 유리 분말을 포함하는 제1유전층 형성용 조성물을 상기 어드레스 전극이 형성된 기판상에 코팅한 후 건조하고, 소성하여 제1유전층을 형성하였다.
상기 유전층 위에 Cr-Cu-Cr을 포함하는 표시 전극 형성용 조성물을 스크린 인쇄법으로 코팅하고, 건조하였다. 이후 상기 코팅 및 건조 공정을 10회 반복 실시한 후 소성하여 표시 전극을 형성하였다.
상기 표시 전극을 덮도록 아크릴레이트 공중합 수지 8중량%(전체 모노머에 대하여 벤질메타크릴레이트 22중량%, 메타크릴산 25중량%, 포스페이트아크릴레이트 7중량%, 2-히드록시에틸메타크릴레이트 20중량%, 메틸메타크릴레이트 26중량%), TMP(EO)3TA 10중량% 및 Irgacure907 2중량%를 PGMEA 20중량부에 용해시킨 후 PbO-B2O3-SiO2의 유리 분말 60중량%를 분산시킨 감광성 유전층 형성용 조성물을 코팅하고, 건조, 노광, 현상 및 소성하여 유전층 패턴을 형성하였다.
별도로, 배면 기판에 배면 유전층, 격벽 및 형광체층을 형성하고, 이를 상기 어드레스 전극, 표시 전극, 및 유전층이 형성된 상기 전면 기판과 봉착하고 방전 공간 내의 공기를 배기한 후 400Torr의 조건으로 방전가스를 주입하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
상기 비교예 1의 제조 공정에 비하여 상기 실시예 1 내지 3의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의해 플라즈마 디스플레이 제조시 그 공정 시간을 현저히 단축할 수 있었다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의해 어드레스 전극 형성 후의 유전층 형성 공정 및 표시 전극을 둘러싸는 유전층 형성 공정을 단일 공정화함으로써, 제조 공정, 공정 시간 및 불량율을 감소시킬 수 있다.

Claims (48)

  1. 전면 기판용 기판 위에 어드레스 전극을 형성하는 단계;
    상기 기판 위 어드레스 전극을 덮도록 그린 시트를 형성하는 단계;
    상기 그린 시트를 노광, 현상 및 소성하여 유전층 패턴을 형성하는 단계;
    상기 유전층 패턴내에 표시 전극 형성용 조성물을 충전하고 소성하여 표시 전극 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 표시 전극 패턴을 덮도록 유전층을 형성하여 전면 기판을 제조하는 단계를 포함하며,
    상기 그린 시트는 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제1 그린시트, 및 상기 제1 그린시트 위에 형성되며 감광성 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제2 그린시트를 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전층 형성용 조성물은 ZnO, B2O3, Al2O3, SiO2, SnO, P2O5, Sb2O3 및 Bi2O3로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 유리 분말을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유리 분말은 산화아연-산화붕소-산화규소계(ZnO-B2O3-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2), 및 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 유리 분말은 1족 내지 5족 금속원소의 산화물, 란탄계 원소의 산화물 및 1족 금속원소의 불화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 유리 분말은 Na2O, Li2O, K2O, Cs2O, MgO, CaO, SrO, BaO, Sc2O3, Y2O3, TiO2, ZrO2, V2O5, Nb2O5, La2O3, CeO2, Pr2O3, Nd2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb2O3, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, LiF, NaF 및 KF로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 유리 분말은 0.1 내지 5㎛의 평균 입자 직경을 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 유리 분말은 0.5 내지 2㎛의 평균 입자 직경을 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 유리 분말은 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 50 내지 70중량%로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 유리 분말은 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 55 내지 65중량% 로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 유전층 형성용 조성물은
    유리 분말;
    감광성 바인더;
    적어도 2이상의 에틸렌계 이중결합을 갖는 가교성 모노머;
    광중합 개시제; 및
    잔부 양의 용매
    를 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 유리 분말은 ZnO, B2O3, Al2O3, SiO2, SnO, P2O5, Sb2O3 및 Bi2O3로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 것을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 유리 분말은 산화아연-산화붕소-산화규소계(ZnO-B2O3-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2), 및 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2- Al2O3)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 유리 분말은 1족 내지 5족 금속원소의 산화물, 란탄계 원소의 산화물, 및 1족 금속원소의 불화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 유리 분말은 Na2O, Li2O, K2O, Cs2O, MgO, CaO, SrO, BaO, Sc2O3, Y2O3, TiO2, ZrO2, V2O5, Nb2O5, La2O3, CeO2, Pr2O3, Nd2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb2O3, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, LiF, NaF 및 KF로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 유리 분말은 0.1 내지 5㎛의 평균 입자 직경을 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 유리 분말은 0.5 내지 2㎛의 평균 입자 직경을 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 유리 분말은 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 50 내지 65중량%로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 유리 분말은 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 55 내지 60중량%로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  19. 제10항에 있어서,
    상기 감광성 바인더는 아크릴계 수지, 스티렌 수지, 노볼락 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 것을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  20. 제10항에 있어서,
    상기 감광성 바인더는 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 클로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 계피산, 숙신산모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산2-히드록 시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산3-히드록시프로필, o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌, (메트)아크릴산에스테르류, 방향족 비닐계 모노머류, 공역 디엔류, 중합체쇄의 한쪽의 말단에 (메트)아크릴로일기의 중합성 불포화기를 갖는 마크로모노머류로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  21. 제10항에 있어서,
    상기 감광성 바인더는 5,000 내지 50,000의 수평균분자량을 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  22. 제10항에 있어서,
    상기 감광성 바인더는 20 내지 100mgKOH/g의 산가를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  23. 제10항에 있어서,
    상기 감광성 바인더는 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 10중량%로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  24. 제10항에 있어서,
    상기 감광성 바인더는 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 5 내 지 7중량%로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  25. 제10항에 있어서,
    상기 적어도 2이상의 에틸렌계 이중결합을 갖는 가교성 모노머는 아크릴레이트류; 상기 아크릴레이트에 대응하는 메타크릴레이트류; 및 다염기산과 히드록시알킬(메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻은 에스테르류로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  26. 제10항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 에틸렌계 이중결합을 갖는 가교성 모노머는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 유도체, 트리메틸프로판트리아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 부가형 트리메틸프로판트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨디메타크릴레이트, 솔비톨트리메타크릴레이트, 비스페놀 A 디메타크릴레이트 유도체, 트리메틸프로판트리메타크릴레이트, 에틸렌옥사이드 부가형 트리메틸프로판트리메타크릴레이트, 및 디펜타에리스리톨폴리메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  27. 제10항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 에틸렌계 이중결합을 갖는 가교성 모노머는 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 15 중량%로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  28. 제10항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 에틸렌계 이중결합을 갖는 가교성 모노머는 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 10 중량%로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  29. 제10항에 있어서,
    상기 광중합 개시제는 벤조인류, 벤조인알킬에테르류, 아세토페논류, 아미노아세토페논류, 안트라퀴논류, 티오크산톤류, 케탈류, 벤조페논류, 크산톤류, 트리아진류, 이미다졸류, 포스핀옥사이드류 및 퍼옥사이드류로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  30. 제10항에 있어서,
    상기 광중합 개시제는 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에틸, 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논, α-아미노 아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르몰리노프로파논-1,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2,4-디메틸티오크산톤, 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈, 벤조페논, 크산톤, 트리아진, 이미다졸, (2,6-디메톨시벤조일)-2,4,4-펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 및 에틸-2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스피네이트로 이루어진 군에선 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  31. 제10항에 있어서,
    상기 광중합 개시제는 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 8중량%로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  32. 제10항에 있어서,
    상기 광중합 개시제는 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 0.3 내지 5중량%로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  33. 제10항에 있어서,
    상기 용매는 케톤류, 알코올류, 에테르계 알코올류, 포화 지방족 모노카르복실산알킬 에스테르류, 락트산 에스테르류 및 에테르계 에스테르류로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  34. 제10항에 있어서,
    상기 용매는 감광성 유전층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 4 내지 30중량%로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  35. 제10항에 있어서,
    상기 감광성 유전층 형성용 조성물은 증감제, 중합 금지제, 산화방지제, 자외선 흡광제, 소포제, 분산제, 레벨링제 및 가소제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  36. 제1항에 있어서,
    상기 제1 그린시트와 제2 그린시트는 3:1 내지 4:1의 두께비를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  37. 제1항에 있어서,
    상기 제2 그린시트는 5 내지 30㎛의 두께를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  38. 제1항에 있어서,
    상기 그린시트에 대한 노광 단계는 포토마스크를 이용한 노광 방식 또는 직접 노광 방식을 이용하여 실시되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  39. 제1항에 있어서,
    상기 그린시트에 대한 현상 단계는 염기를 포함하는 수용액을 분무하거나 또는 상기 염기를 포함하는 수용액에 침지하여 실시되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  40. 제39항에 있어서,
    상기 염기를 포함하는 수용액은 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아, 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸히드록시에틸암모늄히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민 및 에탄올아민로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 것을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  41. 제39항에 있어서,
    상기 염기를 포함하는 수용액은 0.1 내지 1%의 농도를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  42. 제39항에 있어서,
    상기 염기를 포함하는 수용액은 25℃ 내지 55℃의 온도를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  43. 제1항에 있어서,
    상기 그린시트에 대한 현상 단계 후 불필요한 현상액의 제거를 위해 수세나 산 중화를 행하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  44. 제1항에 있어서,
    상기 그린시트에 대한 소성 단계는 480 내지 620℃의 온도에서 실시되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  45. 제1항에 있어서,
    상기 표시전극 패턴 형성 후에 기판상에 표시 전극을 덮도록 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  46. 제45항에 있어서,
    상기 보호막은 불화물막 및 산화물막으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 구조를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  47. 제45항에 있어서,
    상기 보호막은 MgF2, CaF2, LiF, MgO, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3 로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 구조를 갖는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  48. 전면 기판용 기판 위에 어드레스 전극을 형성하는 단계;
    상기 기판 위 어드레스 전극을 덮도록 그린 시트를 형성하는 단계;
    상기 그린 시트를 노광, 현상 및 소성하여 유전층 패턴을 형성하는 단계;
    상기 유전층 패턴내에 표시 전극 형성용 조성물을 충전하고 소성하여 표시 전극 패턴을 형성하는 단계;
    상기 표시 전극 패턴을 덮도록 유전층을 형성하여 전면 기판을 제조하는 단계;
    배면 기판용 기판 위에 패턴화된 격벽을 형성하는 단계;
    상기 격벽내에 형광층을 형성하여 배면 기판을 형성하는 단계; 및
    상기 전면 기판과 배면 기판을 상호 봉착, 배기 및 밀봉하는 단계를 포함하며,
    상기 그린 시트는 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제1 그린시트, 및 상기 제1 그린시트 위에 형성되며 감광성 유전층 형성용 조성물로부터 제조되는 제2 그린시트를 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
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