JP2007042555A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】保護層の膜厚方向の平均の屈折率を波長633nmにおいて1.50以上とし、かつ屈折率の最大値と最小値の差を0.05以下とすることにより、保護層の屈折率を高めるとともに膜厚方向において屈折率を均一化し、プラズマディスプレイパネルの放電時の放電遅れを抑制し、長期にわたって表示品質の経時変化が少なく、長寿命で均一かつ高品質の映像を表示するPDPを実現する。
【選択図】図2
Description
本発明の実施の形態について図1〜図3を用いて説明する。
本実施例では誘電体層14、すなわち基板の加熱温度を高め、酸素ガスの供給圧力を低くすることにより屈折率を高くしている。誘電体層14の加熱温度は200℃以上、酸素ガスの供給圧力は10−2Pa〜10−1Paをそれぞれ目安とする。これにより、保護層15の屈折率を高め、2次電子の放出特性を向上させることができる。また、保護層15は誘電体層14との境界面から膜厚方向に向かって成長した柱状構造の結晶が多数形成された構造を有しており、実施例1では成膜初期の段階で屈折率が高くなるようすることができる。具体的には膜厚が200nmになるまで成膜速度0.5nm/sで蒸着し、その後、成膜速度を1nm/sとして膜厚が約1000nmになるように成膜した。なお、酸素ガスの真空チャンバへの供給圧力は2.0×10−2Pa、誘電体層14の加熱温度は250℃とした。
ここでは蒸着中にイオン・プラズマのアシストを併用する成膜法を用い保護層15の屈折率を高めている。アシストの方法としては、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト蒸着法などがあるが、実施例2では高周波コイルを使用している。高周波コイルに500Wの高周波電力を印加するとともに、前面板10に−300Vのバイアス電圧を印加して保護層15を形成した。この成膜法では、高周波コイル内の空間で、成膜の材料をイオン化し、加速しながら保護層15を形成している。なお、酸素ガスの供給圧力は4.0×10−2Pa、誘電体層14の加熱温度は250℃、成膜速度を1nm/sとした。
実施例1、2に対する比較例として、成膜速度を一定とする従来の方法により成膜を行った。実施例1と同様に、電子ビーム蒸着法を使用して、酸素ガスの供給圧力を2.0×10−2Pa、誘電体層14の加熱温度は250℃、成膜速度を1nm/sとした。
10 前面板
11 前面ガラス基板
12 表示電極
12a 走査電極
12b 維持電極
13 ブラックストライプ
14 誘電体層
15 保護層
20 背面板
21 背面ガラス基板
22 アドレス電極
23 下地誘電体層
24 隔壁
25 蛍光体層
30 放電空間
Claims (3)
- 少なくとも基板上に形成された表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を保護する保護層とを有するプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層は膜厚方向の屈折率の平均値が波長633nmにおいて1.50以上であり、かつ最大値と最小値の差が0.05以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
- 保護層の膜厚が500nm〜2000nmであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 保護層が酸化マグネシウムを主成分とする金属酸化物からなる請求項1または2に記載のプラズマディスプレイパネル。
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JP2010501996A (ja) * | 2006-10-30 | 2010-01-21 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 保護膜及びその形成方法 |
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2005
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