JPH11312469A - 少なくとも一層のMgO層で被覆された基板およびその製造方法 - Google Patents

少なくとも一層のMgO層で被覆された基板およびその製造方法

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JPH11312469A
JPH11312469A JP10327873A JP32787398A JPH11312469A JP H11312469 A JPH11312469 A JP H11312469A JP 10327873 A JP10327873 A JP 10327873A JP 32787398 A JP32787398 A JP 32787398A JP H11312469 A JPH11312469 A JP H11312469A
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Johannes Dr Stollenwerk
ヨハネス・シュトレンベルク
Christoph Dr Daube
クリストフ・ダウベ
Achim Guerke
アヒム・ギュルケ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配向性を有する被覆層で被覆された基板およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 θ- 2θ- 方式で検査すると(111 )に
おいて突出したピークを示すMgO 層で被覆された、少な
くとも100mm ×100mm の大きさの基板が提案される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、請求項1のプリ
アンブルによる、少なくとも一つのMgO 層で被覆され
た、少なくとも100mm ×100mm の大きさの基板と、請求
項9による、好ましくは上記の被覆基板を製造するため
の製造方法と、さらに請求項14によるそのための被覆配
置とに関するものである。
【0002】
【従来の技術】特にプラズマ・ディスプレイ・パネル基
板のような比較的面積の大きな基板を、電子ビーム蒸着
によって高品質のMgO 層で被覆することが知られてい
る。高品質とは例えば、3,58g /cm3 であるMgO バルク
材料の密度ρに比して、極めて高いMgO 層材料密度、す
なわち前記バルク材料密度ρの85%から95%の密度が求
められることによる。
【0003】以下においては「θ- 2θ- 方式」の概念
が用いられる。 ―この方式は、F. Kohlrauschの「実験物理学」第二
巻、第23版、753 頁、B.G.Teubner 、Stuttgart 1985
に定義されている。これによると、検出器の2θの回転
と連動して、結晶がθだけ回転するブラッグ(Bragg) 法
が、ここでは「θ- 2θ- 方式」と呼ばれる。 ―「(xyz )におけるピーク」とは、通常結晶学におい
て用いられるように、(xyz )の配向に対応する、θ-
2θ- 方式で得られた結果の推移ないし線図におけるピ
ークを指す。 ―「突出したピーク」とは、θ- 2θ- 方式の線図にお
いて他のどれよりも高いピークを指す。 ―ただ一つのピークの存在に言及する場合、より高次の
ピークの存在も含まれる。したがって、(111 )におけ
るピークの存在のみについて述べる場合、例えば(222
)におけるピークの存在も含まれる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】電子ビーム蒸着によっ
て成膜された層材料には、θ- 2θ- 方式で検査した場
合突出したピークが現れない、という本質的な欠点があ
る。
【0005】そこで、本発明の目的は、θ- 2θ- 方式
で測定して少なくとも一つの突出したピークを示す被覆
層で覆われた基板、その基板の製造方法およびその製造
方法における配置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明は、請求項1の
特徴に従って、突出するピークを示す層を備える、始め
に述べられたような基板を提案する。特に被覆されたプ
ラズマ・ディスプレイ・パネル基板においては、(111
)において突出したピークが求められることが多く、
あるいは専ら(111 )におけるピークのみが必要とされ
る。そのような基板を電子ビーム蒸着によって製造する
ことは不可能である。
【0007】すなわち、(111 )における突出したピー
クの代わりに、またはそれに加えて、(200 )および/
または(220 )に、あるいはその他の箇所にピークが現
れ得る。
【0008】請求項3によると、この発明の基板におけ
る層は、さらに好ましくは、少なくとも400nm から800n
m の波長領域、さらに好ましくは350nm から820nmの波
長領域における光に対して屈折率nを有し、この屈折率
nは、 1,5 1,8 であり、好ましくは、 1,591,75 である。
【0009】請求項4によるとさらに、基板上の層の表
面の粗さは均一であり、走査型原子間力顕微鏡検査によ
る測定では、特に200nm から800nm の層厚の場合、0,5n
m RMSから18nm RMS であるのが望ましい。
【0010】この発明による基板は、θ- 2θ- 方式の
測定において突出したピークが実現されるため、従来の
方法で製造された基板が持ち得ない特性を備えるが、こ
の発明の請求項5によると、化学量論的MgO バルク材料
の密度の少なくとも85%、好ましくは90%の層材料密度
が実現される。MgO バルク材料における密度ρは、ρ=
3,58g /cm3 である。
【0011】さらに好ましいことには、請求項6に述べ
られたように、この発明による基板においては化学量論
的MgO 層が提供される。
【0012】特に上述のこの発明による基板を製造する
ための、この発明による製造方法は、請求項9の特徴に
おいて際立っている。これによって一方では、上記のこ
の発明による基板をそもそも実現することが可能であ
り、しかもこれが、この発明の反応性スパッタ被覆によ
って達成される高い被覆速度によって、ならびにターゲ
ット材料が十分に利用されることによって、極めて低コ
ストで実現される。したがって、高い生産効率で、前述
の面積の大きい基板を低コストに工業生産することが可
能である。
【0013】処理ガスとしては好ましくはアルゴンが用
いられ、反応ガスの少なくとも一部として酸素が用いら
れる。しかしながらここで、請求項10に記載されたよう
に、基本的に酸素と水素とからなる反応ガスを用いる
と、極めて望ましいさらなる利点が得られることがわか
った。この場合、場合によっては処理ガスとともに、特
に好ましくは反応ガス、すなわち酸素とともに、水素成
分がプロセス雰囲気内で用いられ得る。場合によっては
酸素と水素の両反応ガスがあらかじめ混合される。その
際、水素成分の割合は反応ガス量の0%(純粋な酸素が
反応ガスとして用いられる)から50%、好ましくは0%
から10%である。水素ガスの使用によって得られる利点
とは、MgO 層の表面粗さとその結晶配向とに与えられる
影響である。
【0014】すなわち、プロセス雰囲気内に水素ガスを
持ち込むことによって、前記層の表面粗さを調整するこ
とが可能となる。つまり、水素ガスをプロセス雰囲気内
に注入することによって、表面粗さを例えば50%減じる
ことが可能であり、例えば10nm RMS から5nm RMS に
することが可能である。
【0015】例えば純粋な酸素反応ガス雰囲気内におい
て、(111 )において突出するピークを示す結晶構造が
実現される場合、例えば反応ガス量の2,5 %の水素を注
入すると、(220 )において突出したピークを示すMgO
層の結晶配向が得られ、5 %の水素が注入されると(20
0 )においてピークを示す結晶配向が得られる。こうし
て、請求項11または12に記載されたようにプロセス雰囲
気に水素を追加することによって、MgO 層の表面粗さな
いし結晶配向、すなわち基板面上で一定方向に揃うMgO
の面の種類とその集積度とを調整することが可能とな
る。
【0016】この発明の工程を実施するために利用され
る、好ましい被覆装置の特徴は、さらに請求項17に記載
される。
【0017】
【発明の実施の形態】次に例として図面を参照にこの発
明の説明がなされる。
【0018】図1に概略的に示されるのは、この発明の
製造方法の実施、およびこの発明の基板の製造に適した
被覆装置である。少なくとも同程度にこれに適したさら
なる装置としては、広範囲に渡るが、EP-0 803 587な
いしUS出願番号08/895 451が挙げられる。そのような
装置は、「ガス流−スパッタ供給源」装置と呼ばれる。
【0019】使用されるガス流−スパッタ供給源におい
て重要なのは、ターゲット1aおよび1bからなる少なくと
も一対のターゲットであり、これらのターゲットは、請
求項1に記載されたように、Z 方向に広がる両側が開い
たスリット3、ないしEP-0 803 587に従って、Z 方向
に延びる閉ざされたスリットを規定する。Z 方向におけ
るスリットの長さは例えば1600mmである。ターゲットは
好ましくは(図示されないが)DCによって作動し、AC作
動ないし、ACが重ねられたDC作動、あるいは脈動DC作動
も可能である。スリット3の一方の端部領域には陽極配
置5と、スリット3に沿って延びるガス噴射配置7とが
設けられ、このガス噴射配置は、概略的に図示されたよ
うに、調整機構9aを介して、好ましくはアルゴンを含む
処理ガスタンク9と接続される。
【0020】ガス噴入配置7とは反対側のスリット領域
にはさらなるガス噴入配置11が設けられ、この配置は、
これも概略的に示されたように、酸素を含むガスタンク
配置13と調整機構13a を介して接続される。ガス噴入配
置11は、ガスが直接ターゲット間にではなく端部領域内
に流出して渦を巻いて流れるように設計され、ノズルの
方向が定められる。ガスタンク配置13は、少なくとも基
本的には酸素のみを含むか、または酸素と水素とを含む
かのいずれかである。後者の場合には、適切な調整機構
を介して、酸素および水素用のタンクがそれぞれ設けら
れるか、あるいはあらかじめ混合された酸素/水素反応
ガス混合物が一つのタンク配置において提供される。場
合によってはプロセス雰囲気内に混入される水素成分
は、好ましくは上述のように、反応ガス噴入配置11によ
って注入されるか、かつ/またはガス噴入配置7を介し
て処理ガスと共に注入され得る。
【0021】酸素噴入配置11が設けられたスリット端部
の上部には、概略的に15で示されたように、少なくとも
100mm ×100mm の大きさの平らな基板17のためのキャリ
ヤおよび送り配置が設けられる。したがって基板17は、
スリット3 を通る処理ガスの図1に示されたガス流方向
G に対して垂直に、反応ガス噴入配置11を備えるスリッ
ト端部からは距離をおいて、好ましくは直線上を一定速
度で運ばれる。
【0022】図1 に示された、両端が開いたスリット3
を有する配置においてはまた、上述のEP-0 803 587に
定義された作動パラメータおよび幾何学形状が実現され
るのが望ましい。すなわち: ―被覆空間における全圧: 0,1 から10mbar ―分圧反応ガスO2: 被覆空間B における
全圧の10% まで ―反応ガス: O2またはO2および
H2。後者の場合、H2は反応ガス量の0 %から50%、好ま
しくは0 %から10%である。 ―スリット開口部から被覆空間B への処理ガスG-Ar- の
排気流:処理ガス、好ましくはArガス流G はクヌーセン
(Knudsen )または粘性領域において実施される。ここ
で、 クヌーセン領域: 10-2mbar・cmp ・Ф0,6mbar ・cm; 粘性領域: 0,6mbar ・cm<p ・Ф であり、p はスリット3 における全圧を、Фはスリット
の幅を表わす。
【0023】好ましくはクヌーセン領域内のガス流が選
択される。さらに好ましくは、 10sccm/cm 2 F 200sccm /cm2 であり、 F はスリット開口部の単位面積あたりの処理ガス流を表
わし、好ましくは、 20sccm/cm 2 F 50sccm/cm2 である。
【0024】スリットの幅Ф、ないしターゲット1a、1b
間の距離は、 5mm Ф40mm であり、好ましくは、 Ф25mm であり、好ましくは、 8mm Ф20mm である。
【0025】図1の方向G におけるスリットの深さ(タ
ーゲットの幅)H S は、 1cm H S 20cm、であり、 スリットの高さL Z は、例えば1600mmである。
【0026】マグネトロンのように、両ターゲット1a、
1bにおいてトンネル形状の磁場H が実現される場合、両
ターゲット1aおよび1bの噴霧表面に並行に、スリット3
の中央において測定すると、 150 ガウスH 1200ガウス であるのが望ましく、好ましくはH 300 ガウスであ
り、 好ましくは、300 ガウスH 800 ガウス、である。
【0027】調整配置19a において制御または調節可能
な加熱および/または冷却配置によって、領域B の基板
温度T が調整される。
【0028】図1に概略的に示されたような被覆装置
は、前述のような寸法および作動規定にしたがって、以
下のように組み立てられ、操作される。すなわち、 ―ターゲット材料1a、1b: Mg3N5 、純度99,95% ―質量に接続された陽極5におけるターゲット放電電
圧: 310V ―放電電流: 27A ―平らな噴霧新表面におけるターゲット単位面積あたり
の出力密度:15W /cm2 ―処理ガス: Ar 流量: 8000sccm ―反応ガス: O2、流量は可変 ―領域B における全圧: 0,4mbar ―基板温度: 200 ℃、可変 ―基板表面: 300 ×400mm2 ―動的被覆速度: 30−50nm.m/min ―基板−スリット間の距離D : 50mm ―送り速度v : 0,7m/min 。
【0029】図2に示されるのは、この発明によって被
覆されたプラズマ・ディスプレイ・パネル・ガラス基板
−AF45−のMgO 層におけるθ- 2θ- 方式の測定結果で
ある。図1の配置において、13a に示されたように、酸
素流が変えられた。図から明らかなように、流量の調整
によって、現れるピークの位置および高さが調整可能で
ある。プラズマ・ディスプレイ・パネル基板ではこの場
合、専ら(111 )のピークが求められるが、これは、30
sccmないし40sccmの酸素流量において得られた。(222
)に2 次の信号が現れている。
【0030】この図面から、この発明の製造方法におい
て酸素ガス流を調整することによって、現出するピーク
の位置および強度が選択され得ることが明らかであり、
この際、例えば(222 )および/または(220 )等の他
の位置においてもまた調整が可能である。
【0031】図3には、図1による、ないし一般にガス
流スパッタ供給源によるこの発明の製造方法において
は、被覆過程における基板温度T によってもピークの調
整が可能である、ということが示される。好ましくは双
方のパラメータ、すなわち図2の酸素流および基板温度
T の両方が、ピークの位置および強度を調整するために
利用される。
【0032】図4には、温度T =180 ℃で成膜された、
500nm の厚さのMgO 層を有するこの発明の基板において
記録された、θ- 2θ- 方式の測定結果(b )が示され
る。(200 )、(220 )および(311 )におけるピーク
(a )は、参照用多結晶MgO 粉末におけるピークであ
る。
【0033】図5は、上述のように製造されたこの発明
の基板における、ないしその上に布設されたMgO 層にお
ける、入射した光の波長の関数としての吸収係数の変化
を示す。
【0034】前述のように基本的に非経済的な電子ビー
ム蒸着によって基板を高品質MgO 層で被覆した場合、所
望の値1,7 に近い屈折率がここでも得られる。この発明
の基板では、図6から明らかなように、1,5 から1,8
の、好ましくは1,59から1,75の屈折率が得られる。これ
が、好ましいことには、少なくとも400nmから800nm の
波長領域にわたって、図6によるとさらに350nm から82
0nm の波長領域にわたって得られる。
【0035】図7は、被覆されないAF45ガラス(a)
と、AF45ガラスからなり、1μmの厚さのMgO 層で被覆
されたこの発明の基板(b)とにおける透過率をパーセ
ンテージを示す。
【0036】図8は、図1の被覆配置に戻り、定常状態
に保たれた基板の、図1に記載された平面E における被
覆率分布を示す。前述のように、基板とスリットとの間
の距離D は50mmである。
【0037】図9は、300mm ×400mm の大きさの、この
発明のプラズマ・ディスプレイ・パネル基板における層
厚分布を示す。ここから明らかなように、基板の大きさ
にもかかわらず、層厚の分布は層厚の平均値±10% より
はるかに優れている。
【0038】最後に図10は、この発明の基板に200 ℃で
成膜された、500nm の厚さのMgO 層の、走査型原子間力
顕微鏡検査によって撮影された表面の粗さを示す。この
発明の基板、特にこの発明の製造方法にしたがって実現
された基板においては、特に被覆温度を選択することに
よって、表面の粗さを広範囲において選択すること、す
なわち走査型原子間力顕微鏡検査で測定した場合、特に
200nm から800nm の層厚については、0,5nm RMSから18
nm RMS の間で選択することが可能である。
【0039】この発明の基板、特にこの発明のプラズマ
・ディスプレイ・パネル基板においては、産業上低コス
トで製造可能な、特に所望の(111 )において突出した
ピークを現出する高密度のMgO 層が提供される。この発
明の製造方法においては、30nm.m/min をはるかに凌ぐ
極めて高い動力学的被覆速度を達成することが可能であ
り、これはターゲット材料が70% 以上まで利用可能であ
るという事実の他に、前述の生産性にも寄与する。
【0040】電子ビーム蒸着において利用可能な蒸着材
料は10% の範囲内である、という点が指摘されるべきで
ある。現時点ではまだ実証されていないが、EP-0803 5
87のガス流スパッタ供給源を利用することによって、特
にマグネトロン様の磁場を用いた場合、はるかに高い被
覆速度が達成可能である、と推測される。
【0041】さらに、電子探子マイクロ分析(EPMA:El
ectron Probe Micro Analysis)によって、成膜され
たMgO 層は処理ガス、特にAr介在物は一切含まないこと
が確認された。表面の粗さが調整可能であり、かつ突出
したピークが実現されることから、この発明のプラズマ
・ディスプレイ・パネル基板においては、被覆された基
板単位面積あたりの表面を最適化することが可能であ
り、これは、より高い二次電子放出係数を達成するのに
望ましいことである。この場合、(111 )において突出
するピークが最適であると思われる。その際、図3 (T
=200 ℃)と図10とを相互参照することによって明らか
なように、(111 )のピークにおいても0,5nmRMS領域の
高い表面粗さとなっている。上述のように、反応ガスと
しては純粋な酸素の代わりに、反応ガス量の好ましくは
50%まで、特に好ましくは10%までの水素ガスがプロセ
ス雰囲気内に注入され得る。このように水素ガスを追加
することによって、それ以外のプロセス条件は変えず
に、結果として得られるMgO 層の表面粗さ、ないしMgO
層の結晶配向の突出したピークを調整することが可能で
ある。上述のようにその他のプロセス条件は変更せず
に、水素ガスを反応ガスの成分として注入すると、表面
粗さを例えば50%だけ、したがって例えば10nm RMS か
ら5nm RMSに低減することができる。
【0042】さらにこの水素ガスの混合によって、前述
のMgO 層の結晶配向の突出したピークを調整することが
可能である。酸素を用いた所与のプロセスによって(11
1 )において突出したピークが実現される場合、例えば
反応ガス量の2,5 %の水素を混入すると(220 )にピー
クが、5 %の水素ガスの注入では(200 )にピークが現
れる。このように反応ガス雰囲気内に適切に水素を混合
することによって、MgO 層の表面粗さないし結晶配向、
すなわち基板面上で一定方向に揃うMgO の面の種類とそ
の集積度とを調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の製造方法を実施し、かつこの発明の
基板を実現するための、この発明の装置の透視概略図で
ある。
【図2】この発明の製造方法によって製造され、かつ好
ましくはこの発明の装置によって被覆されたこの発明の
基板におけるθ- 2θ- 方式の線図であり、様々な酸素
流量における突出したピーク(111 )ないし(200 )を
示す。
【図3】この発明の被覆における基板温度Tを変化させ
ることによってピークが調整された、図2と同様の図で
ある。
【図4】この発明による基板(b)と多結晶MgO 粉末
(a)におけるピークを比較する、図2と同様の図であ
る。
【図5】この発明の工程によって、かつ好ましくはこの
発明の装置によって製造されたこの発明の基板におけ
る、入射する光の波長の関数としての吸収係数の変化を
示す。
【図6】図5によるこの発明の基板における、入射する
光の波長の関数としての屈折率nの変化を示す。
【図7】AF 45 ガラス(a)と比較した、AF 45 ガ
ラス製のこの発明のパーセント透過率のスペクトル変化
を示す。
【図8】図1における平面Eに沿って観察される、定常
状態において成膜された層材料の基板上への分布を最大
値のパーセンテージで示す。
【図9】この発明によるプラズマ・ディスプレイ・パネ
ル基板における、MgO 層厚の分布を示す。
【図10】T=200 ℃で被覆されたこの発明の基板におい
て、走査型原子間力顕微鏡検査によって撮影された表面
の粗さを示す。
【符号の説明】
図において、1a、1bはターゲット、3はスリット、5は
陽極配置、7はガス噴射配置、9は処理ガスタンク、11
はガス噴入配置、13はガスタンク、15はキャリヤおよび
送り配置、17は基板を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G01N 37/00 G01N 37/00 F G09F 9/30 312 G09F 9/30 312Z H01J 9/02 H01J 9/02 F (72)発明者 クリストフ・ダウベ ドイツ連邦共和国、63755 アルツェナウ、 ヘムスバッハー・シュトラーセ、6・アー (72)発明者 アヒム・ギュルケ ドイツ連邦共和国、63739 アシャッフェ ンブルク、レーデルベーク、28

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一つのMgO 層で被覆された、
    少なくとも100mm ×100mm の大きさの基板であって、前
    記層がθ- 2θ- 方式の測定結果において少なくとも一
    つの突出したピークを示すことを特徴とする、基板。
  2. 【請求項2】 前記層が(200 )および/または(220
    )および/または(111 )においてピークを示し、好
    ましくは(111 )にピークが現出し、これが突出してお
    り、さらに好ましくは唯一のピークであることを特徴と
    する、請求項1に記載の基板。
  3. 【請求項3】 少なくとも400nm から800nm の波長領
    域、好ましくは少なくとも350nm から820nm の波長領域
    における光に対して、前記層が屈折率nを示し、この屈
    折率nは、 1,5 1,8 であり、好ましくは、 1,591,75 であることを特徴とする、請求項1または2のいずれか
    に記載の基板。
  4. 【請求項4】 前記層の表面の粗さが均一に分布してお
    り、走査型原子間力顕微鏡検査で測定すると、200nm か
    ら800nm の層厚の場合、0,5nm RMSから18nm RMS の間
    であることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに
    記載の基板。
  5. 【請求項5】 前記層の材料の密度が、化学量論的MgO
    バルク材料の密度ρ=3,58g /cm3 の少なくとも85% 、
    好ましくは少なくとも90% であることを特徴とする、請
    求項1から4のいずれかに記載の基板。
  6. 【請求項6】 前記層の材料が化学量論的MgO を含み、
    好ましくは前記MgO が化学量論的であることを特徴とす
    る、請求項1から5のいずれかに記載の基板。
  7. 【請求項7】 前記基板が、例えばガラス基板のよう
    な、プラズマ・ディスプレイ・パネル基板であることを
    特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の基板。
  8. 【請求項8】 前記層が反応性スパッタによって、好ま
    しくは以下の、製造方法に関する請求項の少なくともい
    ずれか一つにしたがって、特にガス流スパッタ供給源に
    よって製造されることを特徴とする、請求項1から7の
    いずれかに記載の基板。
  9. 【請求項9】 基板の製造方法、請求項1から8のいず
    れかに記載の基板の製造方法であって、 ―処理ガス(G )が、Mgからなる二つのスパッタ・ター
    ゲットの間に形成された少なくとも一つのスリットを通
    って、スリット端部からは距離をおかれた基板(17)に
    向けて流れ、その際のMgターゲットの純度は少なくとも
    99%であり、 ―スリット端部と基板との間の領域(B )には反応ガス
    が流入し、かつ ―被覆過程における基板の温度があらかじめ設定される
    (19)、ことを特徴とする、製造方法。
  10. 【請求項10】 反応ガスとして酸素、または酸素と水素
    とが用いられ、この際、水素は反応ガスの好ましくは、
    0 %から50%であり、さらに好ましくは、0 %から10%
    である、ことを特徴とする、請求項9に記載の製造方
    法。
  11. 【請求項11】 プロセス雰囲気内に水素を追加すること
    によってMgO 層の表面粗さが調整されることを特徴とす
    る、請求項9に記載の製造方法。
  12. 【請求項12】 プロセス雰囲気内に水素を追加すること
    によってMgO 層の結晶配向が調整されることを特徴とす
    る、請求項9から11のいずれかに記載の製造方法。
  13. 【請求項13】 単位時間あたりに流入する反応ガス量
    (13a )および/または基板温度(19)を調整すること
    によって、θ- 2θ- 方式の線図におけるピークの位置
    および/または強度を制御することを特徴とする、請求
    項9から12のいずれかに記載の製造方法。
  14. 【請求項14】 静的被覆速度R S が少なくとも5nm /se
    c に、好ましくは少なくとも10nm/sec に調整されるこ
    とを特徴とする、請求項9から13のいずれかに記載の製
    造方法。
  15. 【請求項15】 基板がスリット上を、好ましくは一定の
    直線上を、移動することを特徴とする、請求項9から14
    のいずれかに記載の製造方法。
  16. 【請求項16】 動的被覆速度が少なくとも30nm.m/min
    に、好ましくは少なくとも52nm.m/min に調整されるこ
    とを特徴とする、請求項15に記載の製造方法。
  17. 【請求項17】 請求項9から16のいずれかに記載の製造
    方法を実施するための被覆配置であって、 ―間にスリット(3)を挟み、少なくとも99% のMg純度
    を有する二つのMgターゲット(1a、1b)と、 ―前記スリットの端部領域には陽極配置(5 )と、処理
    ガスタンク(9 )に接続され、ガスが直接ターゲット間
    にではなく端部領域に注入され、渦を巻いて流れるよう
    にノズルが方向決めされたガス噴射配置(7 )とを含
    み、 ―前記スリット端部領域に相対する他方のスリット端部
    領域(B )からは距離をおいて、平らな基板(17)にス
    リット(3 )上を移動させることのできる基板キャリヤ
    および送り装置(15)と、さらに、 ―他方のスリット端部と、基板キャリヤおよび送り装置
    (15)上に配置された基板(17)との間の空間(B )に
    おいて作動する、酸素を含む反応ガスのためのタンク配
    置(13)と接続されたガス噴射配置とを含むことを特徴
    とする、配置。
  18. 【請求項18】 基板(17)のための、好ましくは調整可
    能な加熱および/または冷却装置(19)が設けられてい
    ることを特徴とする、請求項17に記載の配置。
JP10327873A 1997-11-20 1998-11-18 少なくとも一層のMgO層で被覆された基板およびその製造方法 Pending JPH11312469A (ja)

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