JP2007186771A - ガスフロースパッタリング成膜方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】、非導電性材料製ターゲットをも適用し得るガスフロースパッタリング成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガスフロースパッタリング装置の電源として、交流電源、好ましくは高周波電源を用いる。ガスフロースパッタリング装置の電源として交流電源を用いるため、非導電性材料よりなるターゲットを用いて成膜することが可能となる。
【選択図】図1
【解決手段】ガスフロースパッタリング装置の電源として、交流電源、好ましくは高周波電源を用いる。ガスフロースパッタリング装置の電源として交流電源を用いるため、非導電性材料よりなるターゲットを用いて成膜することが可能となる。
【選択図】図1
Description
本発明は、基材上に金属化合物の膜をガスフロースパッタリング法により成膜するガスフロースパッタリング成膜方法及び装置に関する。
金属化合物膜の成膜方法として、スパッタリングが周知であるが、プレーナー型マグネトロンスパッタ法等の通常のスパッタ法は、均一成膜が可能である反面、成膜速度が遅く、真空チャンバー内を高真空状態に排気するために大掛かりな排気装置が不可欠であるため、高額な設備を必要とするという欠点がある。
これに対して、ガスフロースパッタリング法が知られており、本出願人は先に、ガスフロースパッタリング法を、固体高分子型燃料電池用電極の触媒層や、色素増感型太陽電池用半導体電極層の形成に応用する技術を提案している(特許文献1〜3)。
ガスフロースパッタリング法は、比較的高い圧力下でスパッタリングを行い、スパッタ粒子をガスの強制流により成膜対象基板まで輸送して堆積させる方法である。このガスフロースパッタリング法は、高真空排気が不要であることから、従来の通常のスパッタ法のような大掛かりな排気装置を用いることなく、メカニカルなポンプ排気で成膜することが可能であり、従って、安価な設備で実施できる。しかも、ガスフロースパッタリング法は、通常のスパッタ法の10〜1000倍の高速成膜が可能である。従って、ガスフロースパッタリング法によれば、設備費の低減、成膜時間の短縮により、成膜コストを低減することが可能となる。
特願2004−319592号
特願2004−319548号
特願2004−319598号
従来のガスフロースパッタリング法は、電源として直流電源を用いており、この結果、ターゲット材料は導電性材料に限られていた。
本発明は上記従来の問題点を解決し、非導電性材料製ターゲットをも適用し得るガスフロースパッタリング成膜方法及び装置を提供することを目的とする。
本発明(請求項1)のガスフロースパッタリング成膜方法は、基材上に金属化合物の膜をガスフロースパッタリング装置により成膜する方法において、該ガスフロースパッタリング装置の電源として交流電源を用いることを特徴とする。
請求項2のガスフロースパッタリング成膜方法は、請求項1において、交流電源の周波数が50Hz〜50MHzであることを特徴とする。
請求項3のガスフロースパッタリング成膜方法は、請求項2において、交流電源が高周波電源であり、その周波数が500kHz〜50MHzであることを特徴とする。
請求項4のガスフロースパッタリング成膜方法は、請求項1ないし3のいずれか1項において、該金属化合物が金属酸化物を主成分とすることを特徴とする。
請求項5のガスフロースパッタリング成膜方法は、請求項1ないし3のいずれか1項において、該金属化合物が金属窒化物を主成分とすることを特徴とする。
請求項6のガスフロースパッタリング成膜方法は、請求項1ないし3のいずれか1項において、該金属化合物が金属炭化物を主成分とすることを特徴とする。
請求項7のガスフロースパッタリング成膜方法は、請求項1ないし6のいずれか1項において、ガスフロースパッタリング装置のターゲットが非導電性材料よりなることを特徴とする。
本発明(請求項8)のガスフロースパッタリング成膜装置は、ターゲットに電圧を印加する電源として交流電源を備えたことを特徴とする。
本発明では、ガスフロースパッタリング装置の電源として交流電源を用いるため、非導電性材料よりなるターゲットを用いて成膜することが可能である。
ガスフロースパッタリング法は、次のような利点を有し、工業的に極めて有用である。
(1) 高真空排気が不要であることから、従来の通常のスパッタ法のような大掛かりな排気装置を用いることなく、メカニカルなポンプ排気で成膜することが可能であり、従って、安価な設備で実施できる。
(2) 通常のスパッタ法の10〜1000倍の高速成膜が可能である。
(3) (1),(2)より設備費の低減、成膜時間の短縮により、成膜コストを低減できる。
(4) 基材に対して密着性の良い膜を成膜することができる。
(1) 高真空排気が不要であることから、従来の通常のスパッタ法のような大掛かりな排気装置を用いることなく、メカニカルなポンプ排気で成膜することが可能であり、従って、安価な設備で実施できる。
(2) 通常のスパッタ法の10〜1000倍の高速成膜が可能である。
(3) (1),(2)より設備費の低減、成膜時間の短縮により、成膜コストを低減できる。
(4) 基材に対して密着性の良い膜を成膜することができる。
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1を参照して、実施の形態に係るガスフロースパッタリング法による成膜方法及び装置について説明する。
図1(a)は、本発明の実施に好適なガスフロースパッタ装置の概略的な構成を示す模式図であり、図1(b)は、図1(a)のターゲット及びバックプレート構成を示す斜視図である。
ガスフロースパッタ装置では、スパッタガス導入口11からチャンバー20内にアルゴン等の希ガス等を導入し、交流電源12に接続されたアノード13及びカソードとなるターゲット15間での放電で発生したプラズマによりターゲット15をスパッタリングし、はじき飛ばされたスパッタ粒子をアルゴン等の希ガス等の強制流にて基板(又は基材)16まで輸送し堆積させる。なお、図示例において、基板16は、ホルダー17に支持されており、基板16の近傍には、反応性ガスの導入口18が配置されており、反応性スパッタリングを行うことが可能である。14は水冷バッキングプレートである。
本発明においては、このようなガスフロースパッタ装置を用いて、金属化合物の膜を成膜する。
交流電源としては、周波数が50Hz〜50MHz程度、とりわけ周波数が500kHz〜50MHz程度の高周波電源が好ましい。
このような交流電源、特に高周波電源を用いると、ターゲットが非導電性の金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物よりなるものであっても成膜することができる。もちろん、ターゲットは、金属や導電性金属化合物よりなるものであってもよい。
このような金属酸化物としては、ZnO、TiO2、SiO2、Ta2O5、Nb2O5、SnO2、In2O3、Al2O3などが例示されるが、これに限定されない。
金属窒化物としては、TiN、Si3N4などが例示されるが、これに限定されない。
金属炭化物としては、SiC、TiC、WCなどが例示されるが、これに限定されない。
なお、金属酸化物膜としてZn膜をガスフロースパッタリング法により成膜する場合、ターゲットとしてZnOを用い、次のような条件で成膜することができる。
スパッタ圧力:10〜100Pa
スパッタ電力密度:1〜10W/cm2
周波数:5〜20MHz
アルゴン:0.5〜30SLM
酸素:0〜30sccm
基板温度:室温
スパッタ圧力:10〜100Pa
スパッタ電力密度:1〜10W/cm2
周波数:5〜20MHz
アルゴン:0.5〜30SLM
酸素:0〜30sccm
基板温度:室温
金属窒化物としてSi3N4をガスフロースパッタリング法により成膜する場合、ターゲットとしてSi3N4を用い、次のような条件で成膜することができる。
スパッタ圧力:10〜100Pa
スパッタ電力密度:1〜10W/cm2
周波数:5〜20MHz
アルゴン:0.5〜30SLM
窒素:0〜30sccm
基板温度:室温
スパッタ圧力:10〜100Pa
スパッタ電力密度:1〜10W/cm2
周波数:5〜20MHz
アルゴン:0.5〜30SLM
窒素:0〜30sccm
基板温度:室温
金属炭化物としてSiCをガスフロースパッタリング法により成膜する場合、ターゲットとしてSiCを用い、次のような条件で成膜することができる。
スパッタ圧力:10〜100Pa
スパッタ電力密度:1〜10W/cm2
周波数:5〜20MHz
アルゴン:0.5〜30SLM
反応性ガス:なし
基板温度:室温
スパッタ圧力:10〜100Pa
スパッタ電力密度:1〜10W/cm2
周波数:5〜20MHz
アルゴン:0.5〜30SLM
反応性ガス:なし
基板温度:室温
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。
実施例1
図1に示すガスフロースパッタ装置を用い、チャンバー内に、基材としてPETフィルムをセットし、荒引きポンプ(ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ)で1×10−1Paまで排気した後、酸化亜鉛(ZnO)薄膜を成膜した。なお、目的の膜厚を得るために、基板移動速度を調整した。
図1に示すガスフロースパッタ装置を用い、チャンバー内に、基材としてPETフィルムをセットし、荒引きポンプ(ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ)で1×10−1Paまで排気した後、酸化亜鉛(ZnO)薄膜を成膜した。なお、目的の膜厚を得るために、基板移動速度を調整した。
具体的な成膜条件は下記表1の通りとし、その他の条件は以下の通りである。
・ターゲット材料:酸化亜鉛焼結ターゲット(絶縁性)
・ターゲット寸法:80mm×160mm×5mmt
・カソード形状:平行平板対向型(上記ターゲットを2枚使用、距離30mm)
・基板温度:室温(加熱なし)
・基板位置:カソード上端部と基板との距離50mm
・ターゲット材料:酸化亜鉛焼結ターゲット(絶縁性)
・ターゲット寸法:80mm×160mm×5mmt
・カソード形状:平行平板対向型(上記ターゲットを2枚使用、距離30mm)
・基板温度:室温(加熱なし)
・基板位置:カソード上端部と基板との距離50mm
比較例1
通常のRFマグネトロンスパッタ装置を用いて、実施例1と同様のZnO膜を成膜した。
通常のRFマグネトロンスパッタ装置を用いて、実施例1と同様のZnO膜を成膜した。
真空チャンバーに、基板としてPETフィルムをセットし、荒引きポンプ(ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ)で1×10−1Paまで排気した後、ターボ分子ポンプで1×10−4Paまで排気し、高周波(RF)電源により電力を印加してZnO薄膜を成膜した。なお、目的の膜厚を得るために、基板移動速度を調整した。
具体的な成膜条件は下記表2の通りとし、その他の条件は以下の通りである。
・ターゲット材料:酸化亜鉛焼結ターゲット(絶縁性)
・ターゲット寸法:125mm×500mm×5mmt
・カソード形状:プレーナ型マグネトロン、基板と対面して平行に配置
・基板温度:室温(加熱なし)
・基板位置:カソードと基板との距離80mm
・ターゲット材料:酸化亜鉛焼結ターゲット(絶縁性)
・ターゲット寸法:125mm×500mm×5mmt
・カソード形状:プレーナ型マグネトロン、基板と対面して平行に配置
・基板温度:室温(加熱なし)
・基板位置:カソードと基板との距離80mm
この結果、次のことが確認された。
即ち、通常のRFマグネトロンスパッタ法では成膜速度が遅く、ガスフロースパッタリング法と同じ程度の投入電力密度で成膜しても、基板移動速度が遅く、しかも膜厚の厚い膜を成膜する場合は、数回カソードを通過させなくては厚膜化ができない。これに対して、本発明によれば、ガスフロースパッタリング法を採用することにより、高速成膜が可能であり、しかも、高周波電源又はパルス電源を用いることで、絶縁性材料よりなるターゲットも適用可能となる。
即ち、通常のRFマグネトロンスパッタ法では成膜速度が遅く、ガスフロースパッタリング法と同じ程度の投入電力密度で成膜しても、基板移動速度が遅く、しかも膜厚の厚い膜を成膜する場合は、数回カソードを通過させなくては厚膜化ができない。これに対して、本発明によれば、ガスフロースパッタリング法を採用することにより、高速成膜が可能であり、しかも、高周波電源又はパルス電源を用いることで、絶縁性材料よりなるターゲットも適用可能となる。
12 DC電源
13 アノード
14 バッキングプレート
15 ターゲット
16 基板
13 アノード
14 バッキングプレート
15 ターゲット
16 基板
Claims (8)
- 基材上に金属化合物の膜をガスフロースパッタリング装置により成膜する方法において、
該ガスフロースパッタリング装置の電源として交流電源を用いることを特徴とするガスフロースパッタリング成膜方法。 - 請求項1において、交流電源の周波数が50Hz〜50MHzであることを特徴とするガスフロースパッタリング成膜方法。
- 請求項2において、交流電源が高周波電源であり、その周波数が500kHz〜50MHzであることを特徴とするガスフロースパッタリング成膜方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項において、該金属化合物が金属酸化物を主成分とすることを特徴とするガスフロースパッタリング成膜方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項において、該金属化合物が金属窒化物を主成分とすることを特徴とするガスフロースパッタリング成膜方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項において、該金属化合物が金属炭化物を主成分とすることを特徴とするガスフロースパッタリング成膜方法。
- 請求項1ないし6のいずれか1項において、ガスフロースパッタリング装置のターゲットが非導電性材料よりなることを特徴とするガスフロースパッタリング成膜方法。
- ターゲットに電圧を印加する電源として交流電源を備えたことを特徴とするガスフロースパッタリング成膜装置。
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---|---|---|---|---|
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JP2000054149A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-22 | Leybold Syst Gmbh | 引っ掻き防止層と反射防止層系とを被着させるための方法および該方法を実施するための装置 |
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-
2006
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