JP4755262B2 - ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法 - Google Patents
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Description
神戸製鋼社製アンバランスドマグネトロンスパッタ(UBMS202)装置のチャンバを用い、図2に示す通り、基材3周辺を導電性材料製の円筒5で覆い、基材3にDCパルスバイアス電圧を印加してプラズマCVD法でDLC膜の成膜を行った。図2において、2は基材支持部である。電源4には非対称DCパルス電源(アドバンスドエナジー(AE)のPinnacle(登録商標)Plus+,5kW電源)を使用し、基板ステージに接続を行った。パルスデューティサイクルは70%一定で成膜を行うためにパルス幅を設定している。バイポーラDCパルス電圧のパルス周波数は250kHz、バイポーラDCパルス電圧における負バイアス電圧の大きさは600Vとした。前記導電性材料製の円筒5は、SUS板製のものを用い、図2に示す通り、円筒表面が試料表面から75mm離れるように配置し、かつ接地した。
混合ガスに占めるトルエン量(体積分率)が、成膜速度に及ぼす影響について調べた。
基材の周囲に配設する導電性材料の有無が成膜速度に及ぼす影響について調べた。
成膜時のバイポーラDCパルス電圧のパルス周波数が成膜速度に及ぼす影響について調べた。
成膜時のバイポーラDCパルス電圧における負バイアス電圧の大きさが、成膜速度に及ぼす影響について調べた。
2 基材支持部
3 試料(基材)
4 電源
5 導電性材料製円筒
6 アルゴン用マスフローコントローラー
7 メタン/アセチレン用マスフローコントローラー
8 トルエン用マスフローコントローラー
9 バルブ
10 恒温装置
11 液体トルエン容器
12 バタフライバルブ
13 ターボ分子ポンプ
14 ロータリーポンプ
Claims (7)
- プラズマCVD法で基材上にダイヤモンドライクカーボン膜を形成する方法であって、基材に印加する電圧をバイポーラDCパルス電圧とすると共に、
チャンバ内に供給するガスとしてトルエン含有ガスを用い、かつ、
チャンバ内のガスの全圧を4Pa以上7Pa以下にして、
さらに前記バイポーラDCパルス電圧における負バイアス電圧の大きさを400V以上650V以下にしてダイヤモンドライクカーボン膜を形成することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。 - 成膜速度が10μm/時間を超えるものである請求項1に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。
- 前記チャンバ内に供給するガスが、トルエンとアルゴンの混合ガスであり、この混合ガスにおけるトルエンの体積比率が40%以上である請求項1または2に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。
- 前記基材の周囲に導電性材料を配設し、かつ、この導電性材料を接地する請求項1〜3のいずれかに記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。
- 前記バイポーラDCパルス電圧のパルス周波数が200kHz以上である請求項1〜4のいずれかに記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。
- チャンバ内でPVD法により下地層を基材上に形成し、次いで、同チャンバ内でプラズマCVD法によりダイヤモンドライクカーボン膜を形成する請求項1〜5のいずれかに記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。
- 前記PVD法では、アンバランスド・マグネトロン型スパッタリング蒸発源から生成する成分で前記下地層を形成する請求項6に記載のダイヤモンドライクカーボン膜の製造方
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