JP2010209446A - プラズマcvd装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係るプラズマCVD装置10によれば、接地電位に接続された真空槽12の内壁が陽極とされ、被処理物16が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Epが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたCVD法によって、被処理物16の表面にDLC膜が生成される。ただし、DLC膜が陽極としての真空槽12の内壁に付着することで、当該真空槽12の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽12の内壁に代わって、アノード電極40が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽12内に磁界Eが印加されることで、プラズマ密度が増大し、DLC膜の成膜レートが向上する。
【選択図】 図1
Description
12 真空槽
14 基板台
16 被処理物
24 パルス電源装置
40 アノード電極
42 アノード加熱用電源装置
44 直流電源装置
Claims (4)
- 内部に被処理物が収容される真空槽を具備し、該真空槽を陽極とし該被処理物を陰極とする第1電力の供給によって該真空槽の内部にプラズマを発生させると共に該プラズマを用いたCVD法によって該被処理物の表面に絶縁性被膜を形成するプラズマCVD装置において、
上記真空槽の内部に設けられ該真空槽の電位よりも高電位の第2電力が供給される第3の電極と、
上記真空槽の内部に磁界を印加する磁界印加手段と、
をさらに具備することを特徴とする、プラズマCVD装置。 - 上記第3の電極の導電性が維持される程度に該第3の電極を加熱する加熱手段をさらに備える、
請求項1に記載のプラズマCVD装置。 - 上記磁界印加手段は上記被処理物を間に挟むように設けられた1対の電磁石を含む、
請求項1または2に記載のプラズマCVD装置。 - 上記真空槽の内部に設けられ上記絶縁性被膜の形成に先立ってスパッタリング法により上記被処理物の表面に中間層を形成するためのターゲットをさらに備える、
請求項1ないし3のいずれかに記載のプラズマCVD装置。
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