JP5461856B2 - プラズマcvd装置 - Google Patents
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Description
12 真空槽
14 基板台
16 被処理物
24 パルス電源装置
40 アノード電極
42 アノード加熱用電源装置
44 直流電源装置
Claims (4)
- 内部に被処理物が収容される真空槽を具備し、該真空槽を陽極とし該被処理物を陰極とする第1電力の供給によって該真空槽と該被処理物との間にプラズマを発生させると共に該プラズマを用いたCVD法によって該被処理物の表面に絶縁性被膜を形成するプラズマCVD装置において、
上記真空槽の内部に設けられ該真空槽の電位よりも高電位の第2電力が供給される第3の電極と、
上記被処理物の周囲にミラー磁場が形成されるように上記真空槽の内部に磁界を印加する磁界印加手段と、
をさらに具備することを特徴とする、プラズマCVD装置。 - 上記第3の電極の導電性が維持される程度に該第3の電極を加熱する加熱手段をさらに備える、
請求項1に記載のプラズマCVD装置。 - 上記磁界印加手段は上記被処理物を間に挟むように設けられた1対の電磁石を含む、
請求項1または2に記載のプラズマCVD装置。 - 上記真空槽の内部に設けられ上記絶縁性被膜の形成に先立ってスパッタリング法により上記被処理物の表面に中間層を形成するためのターゲットをさらに備える、
請求項1ないし3のいずれかに記載のプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009059394A JP5461856B2 (ja) | 2009-03-12 | 2009-03-12 | プラズマcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009059394A JP5461856B2 (ja) | 2009-03-12 | 2009-03-12 | プラズマcvd装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010209446A JP2010209446A (ja) | 2010-09-24 |
JP5461856B2 true JP5461856B2 (ja) | 2014-04-02 |
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ID=42969910
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009059394A Expired - Fee Related JP5461856B2 (ja) | 2009-03-12 | 2009-03-12 | プラズマcvd装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5461856B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5603433B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-10-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | カーボン膜の製造方法及びプラズマcvd方法 |
JP6039429B2 (ja) * | 2012-05-30 | 2016-12-07 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法および電子写真感光体の製造方法 |
JP5968136B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2016-08-10 | 神港精機株式会社 | Dlc粉末作製装置および方法 |
JP6243796B2 (ja) * | 2014-05-26 | 2017-12-06 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜方法 |
DE102015106368B4 (de) * | 2015-04-24 | 2017-03-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beschichteter Gegenstand und Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Gegenstands |
CN104822219B (zh) | 2015-05-18 | 2017-09-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 等离子发生器、退火设备、镀膜结晶化设备及退火工艺 |
JP2020045520A (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマcvd装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2849831B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1999-01-27 | 神港精機株式会社 | プラズマcvd装置 |
JP2003293136A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-15 | Riken Corp | 非晶質硬質炭素皮膜およびそれを用いた摺動部材 |
JP2006161075A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Shinko Seiki Co Ltd | 硬質炭素膜およびその形成方法 |
JP2006169589A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Shinko Seiki Co Ltd | 表面処理装置 |
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2009
- 2009-03-12 JP JP2009059394A patent/JP5461856B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010209446A (ja) | 2010-09-24 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130610 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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