WO2007032302A1

WO2007032302A1 - 保護膜形成方法および保護膜形成装置

Info

Publication number: WO2007032302A1
Application number: PCT/JP2006/317965
Authority: WO
Inventors: Kazuo Uetani; Kaname Mizokami; Yoshinao Ooe; Akira Shiokawa; Hiroyuki Kadou
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2005-09-13
Filing date: 2006-09-11
Publication date: 2007-03-22
Also published as: JP2007107092A; EP1925689A1; KR100868604B1; US8163085B2; KR20070060124A; EP1925689A4; JP5040217B2; US20090017189A1

Abstract

　蒸着室（２０１）において前面ガラス基板（１１）上に酸化マグネシウムの保護膜を形成する保護膜形成装置であって、酸素を蒸着室（２０１）へ導入する酸素吐出口（２２２）と、前面ガラス基板（１１）搬送方向の下流から水蒸気を蒸着室（２０１）へ導入する水蒸気吐出口（２１０）と、蒸着室（２０１）内の水素イオン強度と酸素イオン強度とを測定する質量分析器（２２４）と、質量分析器（２２４）により測定されたイオン強度によって水蒸気の導入流量を制御するマスフローコントローラ（２１５）と酸素の導入流量を制御するマスフローコントローラ（２２１）とを備えている。

Description

明細書

保護膜形成方法および保護膜形成装置

技術分野

[0001] 本発明はガラス基板上に保護膜を形成するための保護膜形成方法と保護膜形成装置に関し、特にプラズマディスプレイパネルの前面ガラス基板に形成された誘電体層を保護する酸ィ匕マグネシウム (MgO)保護膜の形成に関するものである。

背景技術

[0002] プラズマディスプレイパネル（以下、 PDPと呼ぶ）は、液晶パネルに比べて高速表示が可能、大型化が容易であることなど力大画面表示デバイスとして注目され、高精細化、高輝度化などの表示品質の向上と高、信頼性を目指した開発が盛んである。

[0003] 一般的に AC駆動面放電型 PDPは 3電極構造を採用しており、前面板と背面板の 2枚のガラス基板が所定の間隔で対向配置された構造となっている。前面板は、ガラス基板上に形成されたストライプ状の走査電極および維持電極よりなる表示電極と、この表示電極を被覆して電荷を蓄積するコンデンサとしての働きをする誘電体層と、この誘電体層上に形成された厚さ 1 m程度の保護膜とで構成されている。一方、背面板は、ガラス基板上に複数形成されたアドレス電極と、このアドレス電極を覆う下地誘電体層と、その上に形成された隔壁と、各隔壁によって形成された表示セル内に塗布された赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する蛍光体層とで構成されている

[0004] 前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって形成された放電空間にはネオンおよびキセノンなどの放電ガス力 00Torr〜600T orrの圧力で封入されている。表示電極に映像信号電圧を選択的に印加すること〖こよって放電ガスを放電させ、それによつて発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の各色を発光させることにより、カラー画像を表示している。

[0005] 保護膜は、イオン衝撃に対して耐スパッタ性の高、材料を用いて形成されて、放電によるスパッタリング力誘電体層を保護するとともに、保護膜の表面力も 2次電子を放出して放電ガスを放電させるための駆動電圧を低下させる役割を有して、る。このような特性から、保護膜は単結晶の酸化マグネシウム (MgO)材料を用い真空成膜技術によって形成されて!、る。

[0006] し力しながら、保護膜はイオン衝撃を受けて PDPの点灯時間の増加とともにその膜厚が薄くなり、さらに保護膜の表面からの 2次電子の放出特性が変化する。そのため、表示電極に電圧を印加してから放電が発生するまでの時間的な遅れ (放電遅れ）が発生し、これが表示画面のちらつきの原因となって表示品質を著しく劣化させる。

[0007] MgOの保護膜は製造方法によってその結晶組成が異なり、その結果として放電遅れゃ PDPの表示品質、寿命などが変化する。図 6は従来の保護膜形成装置の概略を示す図である。図 6を用いて従来の MgOの保護膜形成方法について説明する。高歪み点ガラスなどの基板 500が予備加熱室 501で予熱され、成膜室 502に矢印 F のように搬送される。 300°C程度に予備加熱された基板 500が成膜室 502に入ると下部から飛翔する MgOの蒸着粒子の蒸気 503に晒され、基板 500の表面に MgO 薄膜が成膜される。蒸着源 504内の蒸発材料である MgO粒塊にピアス式電子ガン 5 05から電子ビームを照射して MgOを溶融させて蒸発させ、蒸気 503を発生させてヽる。基板 500と蒸着源 504の間には邪魔板 506が設けられ、蒸気 503が基板 500の必要な箇所にのみ成膜されるようにして、る。

[0008] 蒸発材料として用いた MgO粒塊に電子ビームを照射すると、 MgOが分解し O原子が逃散するため成膜された MgOは酸素欠乏状態の膜となる。そのため成膜時の組成比をできるだけ化学量論比に近づけるために酸素ボンべ 507などより酸素を導入する力酸素の導入方法や量によって MgOの特性が大きく変化する。

[0009] 近年、 PDPの高精細化に対応して高速放電が要求されるようになり、 MgOの組成に起因する放電遅れを如何に低減するかが大きな課題になってきて、る。このような課題に対して、蒸着粒子の入射角によって放電遅れを改善する例が特開 2003— 2 97237号公報に開示されている。また、蒸発材料の MgOに Geや Siを添加することによって放電遅れを改善する例が特開 2004— 031264号公報に開示されている。さらに、励起または電離状態の水素を含む雰囲気中で熱処理を行いながら MgO薄膜を成膜することで、十分な耐スパッタ性を確保しつつ、放電遅れを短縮させる例が特開 2002— 33053号公報に開示されている。

[0010] し力しながら、近年、ディスプレイ装置はより高精細化、より高画質ィ匕が要求され、そのために PDPの放電にぉ、ても高速のアドレス放電が必要不可欠となってきて!/、る。このような高速のアドレス放電に対して放電遅れが発生すると、表示画質として黒抜けゃ不点灯が発生する。また、放電遅れを回避するためにアドレス時間を長くすると、維持放電時間が短くなるため輝度低下や階調低下が避けられないといった課題が発生する。特に、ハイビジョンの画像表示を実現するためには、放電遅れを最小限に留めることが重要な課題となって、る。

発明の開示

[0011] 本発明の保護膜形成方法は、成膜室において基板を搬送しながら酸ィ匕マグネシゥムの保護膜を形成する保護膜形成方法であって、酸素を成膜室へ導入するとともに、基板搬送方向の下流力水蒸気を成膜室へ導入し、成膜室の水素イオン強度と酸素イオン強度を測定し、水素イオン強度と酸素イオン強度の比率によって水蒸気の導入流量と酸素の導入流量とを制御することを特徴とする。

[0012] このような保護膜形成方法によれば、放電遅れの小さ!/ヽ保護膜を製造することが可能となり、ハイビジョンの画像表示でも表示品質に優れた PDPを実現することができる。

図面の簡単な説明

[0013] [図 1]図 1は PDPの概略構成を示す斜視図である。

[図 2]図 2は本発明の実施の形態における保護膜形成装置の構成を示す図である。

[図 3A]図 3Aは本発明の実施の形態における保護膜形成装置の水蒸気吐出口と前面ガラス基板との配置状況を示す斜視図である。

[図 3B]図 3Bは本発明の実施の形態における保護膜形成装置の水蒸気吐出口と前面ガラス基板との配置状況を示す側面図である。

圆 4]図 4は本発明の実施の形態における保護膜形成方法および保護膜形成装置により作製した保護膜の放電遅れ時間の測定結果を示す図である。

[図 5]図 5は本発明の実施の形態における保護膜形成方法および保護膜形成装置により作製した保護膜の基板と水蒸気吐出口との距離と放電遅れ時間との関係を示す図である。

[図 6]図 6は従来の保護膜形成装置の概略を示す図である。符号の説明

1 PDP

10 言板

11 前面ガラス基板

12 表示電極

12a 走査電極

12b 維持電極

13 ブラックス卜ライプ

14 誘電体層

15 保護膜

20 背面板

21 背面ガラス基板

22 アドレス電極

23 下地誘電体層

24 隔壁

25 蛍光体層

30 放電空間

200 予備加熱室

201 蒸着室 (成膜室）

202 徐冷室

203, 204 ゲートノレブ

205 蒸着源 (成膜源）

206 MgO蒸気

207 ピアス式電子ガン

208 電子ビーム

209 邪魔板 210 水蒸気吐出口

211 吐出管

212 孔

213 純水

214 容器

215, 221 マスフ口

216 恒温槽

217 ブライン

218 温度センサー

219 制御装置

220 酸素ボンべ

222 酸素吐出口

223 ターボポンプ

224 質量分析器

225 計測ボード

226 コンピュータ

230 水蒸気

240 水蒸気配管

発明を実施するための最良の形態

[0015] 以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。

[0016] (実施の形態）

まず、本発明の保護膜形成方法および保護膜形成装置で製造された保護膜が適用される PDPの構成について説明する。図 1は PDPの概略構成を示す斜視図である。図 1に示すように、 PDP1は、互いに対向して配置された前面板 10と背面板 20とを備えている。前面板 10は、前面ガラス基板 11上に走査電極 12aおよび維持電極 1 2bがストライプ状に複数対形成されて表示電極 12を構成している。また、表示電極 1 2の間にはブラックストライプ 13が形成されている。さらに、走査電極 12a、維持電極 12bおよびブラックストライプ 13の上には誘電体層 14が形成され、さらに誘電体層 1 4を覆って MgOを材料とする保護膜 15が形成されている。

[0017] 一方、背面板 20は、背面ガラス基板 21上にストライプ状のアドレス電極 22が、走査電極 12aおよび維持電極 12bと直交するように配設されている。また、下地誘電体層 23がアドレス電極 22を覆うように形成されて、アドレス電極 22を保護するとともに、可視光を前面板 10に反射する機能を有している。さらに、下地誘電体層 23上にはアドレス電極 22と同じ方向にアドレス電極 22を挟むように隔壁 24が形成され、隔壁 24間に蛍光体層 25が形成されている。

[0018] 前面板 10と背面板 20とを対向配置し、周囲を封着部材 (図示せず)で封着することによって放電空間 30を形成している。放電空間 30には、隣接する隔壁 24間に形成され、隣り合う一対の表示電極 12と 1本のアドレス電極 22とが交叉する領域の画像表示を行うセルが形成される。放電空間 30には、例えばネオン (Ne)やキセノン (Xe )の混合ガスなどの放電ガスが、 53200Pa (400Torr)〜79800Pa (600Torr)の圧力で封入されている。

[0019] このような構成の PDP1において、走査電極 12aと維持電極 12bの間にパルス状の電圧を印加することにより放電空間 30において放電ガスを放電させて紫外線を発生させ、紫外線を蛍光体層 25に照射する。これにより、各色の蛍光体層 25から可視光を放射し、前面板 10の表面から透過させてカラーの画像表示を行う。

[0020] 保護膜 15は、イオン衝撃に対して耐スパッタ性の高い材料を用いて形成され、放電によるスパッタリング力も誘電体層 14を保護するとともに、保護膜 15の表面力も 2 次電子を放出して放電ガスを放電させるための駆動電圧を低下させる役割を有している。

[0021] 図 2は本発明の実施の形態である保護膜形成装置の構成を示す図である。保護膜形成装置は基板搬送系と蒸着系とにより構成されている。基板搬送系としては、 PD P1の前面板 10の誘電体層 14までが形成されたガラス基板となる前面ガラス基板 11 が矢印 Aの方向に搬送されながら、予備加熱室 200、成膜室となる蒸着室 201、徐冷室 202を通過するように構成されている。また、予備加熱室 200、蒸着室 201、徐冷室 202の内部は真空に保たれており、ゲートバルブ 203、 204の開閉によってそれぞれの室に前面ガラス基板 11が搬送可能な構成として、る。 [0022] 蒸着室 201に搬送されてきた前面ガラス基板 11には、蒸着系である蒸着室 201の下部に設置された成膜源となる蒸着源 205から蒸発した MgO蒸気 206によって、誘電体層 14上に MgO薄膜の保護膜 15が形成される。この MgO蒸気 206は、蒸着源 205に配置された MgO結晶の粒塊にピアス式電子ガン 207によって電子ビーム 20 8を照射して、加熱、気化させること〖こよって得られる。蒸着源 205と前面ガラス基板 1 1との間には邪魔板 209が設置され、前面ガラス基板 11の所定の領域に MgO薄膜が形成されるように MgO蒸気 206を制限している。また、邪魔板 209によって蒸着源 205から前面ガラス基板 11に対して入射する蒸気の角度も制御して!/、る。

[0023] 本発明の実施の形態では、邪魔板 209と搬送されている前面ガラス基板 11との間に、蒸着室 201内に水蒸気を導入する水蒸気導入部である水蒸気吐出口 210が設けられている。図 3A、 Bは水蒸気吐出口 210と前面ガラス基板 11との配置状況を示す図であり、図 3Aは斜視図、図 3Bは側面図である。

[0024] 図 3Aに示すように、水蒸気吐出口 210は水蒸気発生装置に連結されて水蒸気が送出される吐出管 211に設けられた多数の孔 212であり、これらの孔 212が前面ガラス基板 11とほぼ並行に配列されている。図 3Bに示すように、前面ガラス基板 11は搬送方向 Bの方向に搬送されるとともに、孔 212から吹き出される水蒸気 230は前面ガラス基板 11の搬送方向 Bの下流側力搬送方向に対向し、前面ガラス基板 11の保護膜を形成する面に沿って矢印 Cの方向に蒸着室 201内に導入されて、る。また、図 3Bに示すように、水蒸気吐出口 210は前面ガラス基板 11の保護膜を形成する面力も Dの距離だけ離間させて蒸着室 201内に開口するようにしている。図 3A、図 3B に示すように、孔 212を複数設け、水蒸気 230を孔 212から前面ガラス基板 11の面に沿うように吹き出させることによって、前面ガラス基板 11に均一に大面積に水蒸気 230を作用させることができる。

[0025] 一方、図 2に示すように、水蒸気 230は水蒸気導入部の構成要素の一つである純水 213を封入した水蒸気発生装置となる容器 214によって発生し、その導入流量は水蒸気導入流量制御部であるマスフローコントローラ 215によって制御される。容器 2 14は恒温槽 216から循環するブライン 217によって温度制御がなされる。また、このブライン 217の温度は温度センサー 218の温度情報を制御装置 219に送って所定値となるように制御される。純水 213の温度を一定にすることによって、水蒸気圧は一定に保たれるので、マスフローコントローラ 215の制御を安定して行うことができる。

[0026] また、酸素導入部の構成要素の一つである酸素ボンべ 220から酸素が供給されるとともに、酸素導入流量制御部であるマスフローコントローラ 221によってその導入流量が制御され、酸素導入部の構成要素の一つである酸素吐出口 222から蒸着室 20 1内に酸素が導入される。

[0027] また、水蒸気導入部の構成要素であって、水蒸気発生装置となる容器 214と水蒸気の導入流量を制御する水蒸気導入流量制御部となるマスフローコントローラ 215とは、蒸着室 201の外部であって前面ガラス基板 11の搬送方向の下流側に配置するようにしている。本発明の実施の形態ではブライン 217の温度によって水蒸気発生を制御し、発生した水蒸気を水蒸気吐出口 210まで水蒸気配管 240によって供給している。したがって、容器 214から水蒸気吐出口 210までの水蒸気配管 240を温度制御する必要がある。本発明の実施の形態では、水蒸気吐出口 210は、図 2に示すように前面ガラス基板 11の搬送方向の下流側から上流側に向けて水蒸気を吐出するようにしている。したがって、容器 214とマスフローコントローラ 215とを蒸着室 201の外部であって前面ガラス基板 11の搬送方向の下流側に配置することによって、水蒸気を供給するための水蒸気配管 240の長さをできるだけ短くして水蒸気配管 240の断熱や加熱を容易にし、水蒸気の供給を安定化させることができる。

[0028] 蒸着室 201への酸素導入流量と水蒸気導入流量の制御は、ターボポンプ 223によつて差動排気されたイオン強度測定部である質量分析器 224から送られる酸素ィォン強度と水素イオン強度の比率を基にして行われる。つまり、質量分析器 224から送られてくる信号は計測ボード 225によって AZD変換されてコンピュータ 226に送られ、コンピュータ 226はその情報を基にマスフローコントローラ 215、 221に制御信号を送りそれぞれの導入流量を制御するようにして、る。

[0029] ここで、成膜室である蒸着室 201内のイオン強度を測定する部である質量分析器 2 24は、成膜源である蒸着源 205の近傍に設置されることが望ましい。

[0030] これは、蒸着源 205から蒸発した MgO蒸気 206に対してどの程度の水素イオン強度および酸素イオン強度が影響を及ぼしているかをモニターすることによって、保護膜の膜質の影響を把握しやすくなるからである。

[0031] 現状の VGAタイプの PDPでは、アドレス放電に費やす時間は 2 μ s〜3 μ s程度である。そのため、現状の放電遅れ時間て sが 500ns〜600ns程度の保護膜でも放電形成遅れ τ fと合わせるとトータル的な放電遅れは 1. 5 /z s〜2 /z sとなり、アドレス時間の範囲となる。一方、 VGAの 2倍以上の走査線数を持つハイビジョンの PDPの場合には、放電遅れて sは 300ns程度以下とする必要がある。

[0032] 図 4は、本発明の実施の形態における保護膜形成方法および保護膜形成装置により作製した保護膜での放電遅れ時間て sの測定結果を示す図である。図 4は保護膜を作製する際の酸素 (O )イオン強度に対する水素 (H )イオン強度の比率を横軸

2 2

とし、その保護膜を用いた PDPでの放電遅れ時間 τ sを縦軸としている。また、水蒸気吐出口 210の配置位置をパラメータとして示している。

[0033] 図 4に示すように、放電遅れ時間 τ sは蒸着室 201内の酸素イオン強度に対する水素イオン強度の比率によって大きく変化することが判る。特に、水蒸気吐出口 210を前面ガラス基板 11の搬送方向の下流側に設けるとともに前面ガラス基板 11との距離を 30mmとすると、水素イオン強度 Z酸素イオン強度が 50%以上で、放電遅れ時間て sを 300ns以下とすることができる。一方、前面ガラス基板 11と水蒸気吐出口 210 との距離が 30mmであっても、水蒸気を前面ガラス基板 11の搬送方向の上流側力導入する場合には、水素イオン強度 Z酸素イオン強度の比率に対する放電遅れ時間て sの減少は小さい。また、前面ガラス基板 11と水蒸気吐出口 210との距離が大きい場合には、水素イオン強度 Z酸素イオン強度の比率と放電遅れ時間 τ sとはほとんど関連性のないことが判る。

[0034] また、図 5は水蒸気 230を前面ガラス基板 11の搬送方向の下流側から導入した場合の、基板と水蒸気吐出口 210との距離と放電遅れ時間て sとの関係を示す図であり、水素イオン強度 Ζ酸素イオン強度の比率が 75%の場合につ、て測定した結果である。図 5より明らかなように、水素イオン強度 Ζ酸素イオン強度の比率が 75%の場合には放電遅れ時間て sを 300ns以下とするためには、前面ガラス基板 11と水蒸気吐出口 210との距離 Dを 50mm以下とすればよい。

[0035] 以上の結果より、基板と水蒸気吐出口との距離 Dを 50mm以下とし、水素イオン強度 Z酸素イオン強度の比率が 75%以上となるように水蒸気導入流量と酸素導入流量とを制御することによって、放電遅れ時間て sを 300ns以下として、ノ、イビジョンの画像表示でも表示品質の優れた画像表示が可能な PDP用の保護膜を実現できる。

[0036] また、基板と水蒸気吐出口との距離 Dを 30mmとした場合には、水素イオン強度 Z 酸素イオン強度の比率を 50%以上とするように水蒸気導入流量と酸素導入流量を制御することによって、放電遅れ時間て sを 300ns以下とすることができる。

[0037] このように、水蒸気吐出口の基板に対する位置や、搬送方向に対する位置によつて、効果に差異が生じる原因にっ、ては以下のことが考えられる。

[0038] まず、基板近傍であり、かつ基板搬送方向の下流側は、保護膜材料である酸化マグネシゥムが成膜された直後に相当する。ここでは、保護層である酸ィ匕マグネシウムは非常に活性な状態になっており、酸素原子もしくはマグネシウム原子が不安定な状態であり多数の欠陥部が存在している。さらに、保護層の断面が柱状構造を呈しているため、この多数の欠陥部は保護層の最表面だけでなぐその柱状同士の界面にも存在する。

[0039] そして、この位置に水蒸気吐出口が設置された場合、ここに水素イオン強度 Z酸素イオン強度の比率を 50%以上である水素イオン強度が比較的大きい水蒸気が吹き付けられることになる。これによつて、上記欠陥部には酸素だけでなく水素あるいは水蒸気が入り込んで、保護層が安定することになる。これが、放電遅れ時間て sを小さくする保護層の構造であると考えられる。

[0040] 一方で、基板と水蒸気吐出口との距離が大きい場合や、水蒸気吐出口が搬送方向の上流側にある場合は、上述したような現象は生じずに、放電遅れ時間て sを小さくする保護層の構造が形成されてヽなヽと考えられる。

[0041] なお、本実施の形態では、搬送方向に対して垂直に水蒸気導入配管を配し、当該配管に多数の水蒸気吐出口を設けたが、これに限らず、配管数、水蒸気吐出口数はもちろんのこと、成膜直後の保護層に水蒸気を供給する構造であれば、本発明の効果は得られる。

[0042] さらに、本実施の形態では、水蒸気導入部を基板搬送方向の下流側のみに配置したが、これに限らず、例えば基板搬送方向の上流側あるいは基板搬送方向と平行にも別途水蒸気導入部を設けることで、本発明の効果は相乗的に得られる。

[0043] また、本実施の形態では酸ィ匕マグネシウムの成膜手段として電子ビームを用いた蒸着方法について記述した力これに限らず、 RFもしくは DCを用いたスパッタ法またはプラズマガンを用いた蒸着方法にぉヽても同様に、本実施の形態を用いることによって本発明の効果は得られる。

[0044] 以上のように、本発明の実施の形態における保護膜形成方法と保護膜形成装置によって、大幅に放電時間の遅れを低減する保護膜を実現できるため、ハイビジョンなどの高精細画面表示でも欠陥のない高画質の画像を得ることができる。また、放電遅れ時間の短縮化とともに、保護膜の 2次電子放出率の向上ゃスパッタ率の低下も実現できるため、 PDPの寿命の向上や放電開始電圧低下による消費電力向上も可能となる。

産業上の利用可能性

[0045] 以上のように本発明の保護膜形成方法および保護膜形成装置によれば、 PDP用保護膜として高品質、長寿命の保護膜を実現でき、大画面表示装置の製造方法および製造装置として有用である。

Claims

請求の範囲

[1] 成膜室において基板を搬送しながら酸ィ匕マグネシウムの保護膜を形成する保護膜形成方法であって、酸素を前記成膜室へ導入するとともに、前記基板搬送方向の下流力水蒸気を前記成膜室へ導入し、前記成膜室の水素イオン強度と酸素イオン強度を測定し、前記水素イオン強度と前記酸素イオン強度の比率によって前記水蒸気の導入流量と前記酸素の導入流量とを制御することを特徴とする保護膜形成方法。

[2] 前記水蒸気の導入は、前記基板の保護膜を形成する面に沿って前記成膜室内に導入することを特徴とする請求項 1に記載の保護膜形成方法。

[3] 前記基板の保護膜を形成する面から 50mm以内の前記成膜室内に前記水蒸気を導入することを特徴とする請求項 1に記載の保護膜形成方法。

[4] 前記成膜室に成膜源を配置するとともに、前記成膜源を配置した近傍において前記水素イオン強度と前記酸素イオン強度とを測定することを特徴とする請求項 1に記載の保護膜形成方法。

[5] 前記酸素イオン強度に対する前記水素イオン強度の比率が 50%以上となるように前記酸素の導入流量と前記水蒸気の導入流量とを制御することを特徴とする請求項 1 に記載の保護膜形成方法。

[6] 成膜室において基板上に酸化マグネシウムの保護膜を形成する保護膜形成装置であって、前記基板を搬送しながら前記保護膜を形成する搬送部と、酸素を前記成膜室に導入する酸素導入部と、前記基板を搬送する方向の下流から水蒸気を前記成膜室に導入する水蒸気導入部と、前記成膜室内の水素イオン強度と酸素イオン強度とを測定するイオン強度測定部と、前記イオン強度測定部により測定されたイオン強度によって前記水蒸気の導入流量と前記酸素の導入流量とを制御する水蒸気導入流量制御部および酸素導入流量制御部とを備えたことを特徴とする保護膜形成装置

[7] 前記水蒸気導入部は、前記成膜室に開口する水蒸気吐出口を備え、前記基板の搬送方向の下流側力上流側に向けて水蒸気を吐出することを特徴とする請求項 6に記載の保護膜形成装置。

[8] 前記水蒸気導入部は、前記成膜室に開口する水蒸気吐出口を備え、前記水蒸気吐出口を前記基板の前記保護膜が形成される面力も 50mm以内の位置に設けたことを特徴とする請求項 6に記載の保護膜形成装置。

[9] 前記成膜室に前記保護膜の成膜源を備え、前記水素イオン強度と酸素イオン強度とを測定するイオン強度測定部を前記成膜源の近傍に備えたことを特徴とする請求項

6に記載の保護膜形成装置。

[10] 前記水蒸気導入部の構成要素であって、水蒸気を発生する水蒸気発生装置と水蒸気の導入流量を制御する水蒸気導入流量制御部を、前記成膜室外であって前記基板の搬送方向の下流側に配置したことを特徴とする請求項 6に記載の保護膜形成装置。