JP2011165534A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】耐スパッタ性を有した２次電子放出特性に優れた保護膜を安定して生産することが可能となり、高品質のプラズマディスプレイパネルを安定して生産することが可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】保護膜１４をガラス基板１１に成膜するステップでは、成膜室３２を真空にする真空排気の処理を施し、ガラス基板１１を予備加熱するステップでは、クライオパネルの温度を５０Ｋ以上８０Ｋ以下に制御し、クライオパネルを用いた真空排気の処理を施しつつ、成膜室３２内の圧力と同じ圧力になるまで、成膜室３２に導入しているガスと同種のガスを予備過熱室３１に導入する方法である。
【選択図】 図２

Description

本発明は、基板上に保護膜を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、良質な保護膜を形成するために好適なプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。

プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）は、前面パネルと背面パネルとを対向配置してその周縁部を封着部材によって封着した構造を有し、前面パネルと背面パネルとの間に形成された放電空間には、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）などの放電ガスが封入されている。

前面パネルは、ガラス基板に形成されたストライプ状の走査電極と維持電極とからなる複数の表示電極対と、表示電極対を覆う誘電体層と、誘電体層を覆う保護膜とを備えている。表示電極対は、それぞれ透明電極とその透明電極上に形成された金属材料のバス電極とによって構成されている。

一方、背面パネルは、ガラス基板に形成されたストライプ状の複数のアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成され放電空間をアドレス電極毎に区画するストライプ状の隔壁と、隔壁間の下地誘電体層上と隔壁側面に形成された赤色、緑色、青色の蛍光体層とを備えている。

前面パネルと背面パネルとは表示電極対とアドレス電極とが直交するように対向配置され、それらの電極が交差する交差部に放電セルを形成している。放電セルはマトリクス状に配列されて、表示電極対の方向に並ぶ赤色、緑色、青色の蛍光体層を有する３個の放電セルがカラー表示のための画素を形成している。ＰＤＰは、走査電極とアドレス電極間、および、走査電極と維持電極間に所定の電圧を印加してガス放電を発生させ、そのガス放電で生じる紫外線によって蛍光体層を励起して発光させることによりカラー画像を表示している。

このような構造のＰＤＰにおいて、保護膜は耐スパッタ特性が大きいこと、かつ２次電子放出係数の大きいことなどが要求されて、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の保護膜が一般的に用いられている。これらの特性によって、誘電体層のスパッタを防止し、かつ放電電圧を低くするようにしている。

保護膜は、電子ビーム蒸着法やプラズマガンによる成膜法などにより形成されるが、成膜方法、成膜条件によって膜特性に大きな差が生じる。保護膜としての酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を電子ビーム蒸着法で形成する際に、蒸着室内の酸素ガスを始めとする各種ガスの分圧を一定の範囲に制御することによって、膜特性の良好な保護膜を安定に製造しようとする例が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、蒸着室内の水素及び水蒸気分圧にも注目し、酸素ガスを含め、これらを一定にしようとする例も開示されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００５−５０８０４号公報 特開２００７−１０９５３９号公報

保護膜として一般的に用いられている酸化マグネシウム（ＭｇＯ）は、耐スパッタ性が良好であり、一般的には真空製膜装置で形成されている。また、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の製膜時の基板温度が膜の耐スパッタ特性や２次電子放出特性に大きく影響するため、成膜前に、成膜時の基板温度が一定になるように真空中で基板を２５０度〜３５０度に加熱している。

基板加熱を行う理由は、基板及び基板を搬送するためのトレイに吸着している水分や炭酸ガス等の不純ガスを脱離し、不純ガスが蒸着室へ混入することを低減するためである。

一般的に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）は、大気中に放置すると、大気中の水分と結合して水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）となったり、さらには炭酸ガスと結合して炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）となったりする傾向が強い。

一方で、これらのマグネシウム塩は、成膜時に加熱される、と基板加熱温度が２５０度〜３５０度でも、水蒸気或いは炭酸ガスとして放出されるため、蒸着室内の雰囲気を大きく変化させてしまう可能性が高い。特に、基板を搬送するために用いられるトレイは蒸着室内で酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜が付着するために経時的にその膜厚が変化し、それに伴い、水蒸気や炭酸ガスの持ち込み量が変化してしまう課題があった。

水蒸気量の変化については、蒸着室内の水蒸気分圧を測定して分圧が一定になるように水蒸気を導入するなどの対応をしてきた。しかし、炭酸ガス量の変化については、課題が残存した。一般的にプロセスガスとして導入し、蒸着室内の圧力を一定にするための調圧ガスとしても用いられる酸素ガスの分圧が経時的に大きく変化し、炭酸ガスが増加するので、酸素ガスの導入量を極端に減少させる必要があった。

この解決策としては、一般的には、炭酸ガスの排気速度が大きいクライオポンプを真空中で基板加熱する真空容器にとりつけ、炭酸ガスも含めて排気するステップを設ける方法もある。しかし、通常の使用方法では水蒸気等の排気速度が非常に大きくなり、水素の溜め込み量が増加するので、酸素と化合して爆発する危険を避ける必要がある。このために、通常よりも早い頻度でクライオポンプの再生を行う必要ある。ポンプ台数を増加したり、交互に再生させて真空排気を行うなどの方法を用いたりする必要が生じ、設備コストやランニングコストについて不利になる。また、設備的にも真空容器に対するポンプ取り付けの面積が限られているため、一定台数以上のポンプの取り付けが不可能になるなどの課題もあり、根本的な解決策にはなっていなかった。

本発明は、以上の課題を考慮して、耐スパッタ性を有する２次電子放出特性に優れたＰＤＰ用の保護膜を安定して実現するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために本発明の製造方法は、基板に保護膜を成膜してプラズマディスプレイパネルを製造する製造方法であって、トレイに載せたガラス基板を予備加熱室に搬送して、前記基板を予備過熱するステップと、前記トレイに載せた前記基板を成膜室に搬送し、前記成膜室に配置した材料を加熱して蒸散させ、前記材料を成分とする保護膜を前記基板に成膜するステップを有し、前記保護膜を前記基板に成膜するステップでは、前記成膜室を真空にする真空排気の処理を施し、前記基板を予備加熱するステップでは、クライオパネルの温度を５０Ｋ以上８０Ｋ以下に制御し、前記クライオパネルを用いた真空排気の処理を施しつつ、前記成膜室内の圧力と同じ圧力になるまで、前記成膜室に導入しているガスと同種のガスを前記予備過熱室に導入する方法である。

また、上記目的を達成するために本発明の製造方法は、基板に保護膜を成膜してプラズマディスプレイパネルを製造する製造方法であって、トレイに載せた前記基板を予備加熱室に搬送して、前記基板を予備過熱するステップと、前記トレイに載せた前記基板を成膜室に搬送し、前記成膜室に配置した材料を加熱して蒸散させ、前記材料を成分とする保護膜を前記基板に成膜するステップを有し、前記保護膜を前記基板に成膜するステップでは、前記成膜室を真空にする真空排気の処理を施し、前記基板を予備加熱するステップでは、クライオパネルの温度を５０Ｋ以上６０Ｋ以下に制御し、前記クライオパネルを用いた真空排気の処理を施しつつ、前記成膜室内の圧力と同じ圧力になるまで、前記成膜室に導入しているガスと同種のガスを前記予備過熱室内に導入する方法である。

本発明によれば、ＰＤＰ用の保護膜を常に同一条件で安定して製造することが可能となり、耐スパッタ性を有した２次電子放出特性に優れたＰＤＰ用の保護膜を安定して実現することができる。

本発明の一実施の形態における交流面放電型のプラズマディスプレイパネルの斜視図 同プラズマディスプレイパネルの保護膜を製造するための製造装置の側断面図 同製造装置の真空蒸着室における成膜室の平面図 同製造装置のクライオパネルの温度に対する電子放出能を示す特性図

以下、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造方法について図面を参照しながら説明する。

図１は本発明の一実施の形態における交流面放電型のプラズマディスプレイパネルの斜視図である。プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）の前面パネル１００は、前面ガラス基板１１の一主面上に形成したＮ本の走査電極１２ａとＮ本の維持電極１２ｂとからなる表示電極対１２と、その表示電極対１２を覆うように形成した誘電体層１３と、さらにその誘電体層１３を覆うように形成した酸化マグネシウム（ＭｇＯ）薄膜からなる保護膜１４とを有している。走査電極１２ａと維持電極１２ｂとは、透明電極に金属のバス電極をそれぞれ積層した構造である。

背面パネル２００は、背面ガラス基板１６の一主面上に形成したＭ本のアドレス電極１７と、そのアドレス電極１７を覆うように形成した下地誘電体層１８と、下地誘電体層１８上のアドレス電極１７間に形成した隔壁１９と、隔壁１９間に塗布された蛍光体層２０とを有する構造である。

前面パネル１００と背面パネル２００とを隔壁１９を挟んで、表示電極対１２とアドレス電極１７とが直交するように対向させ、画像表示領域の周囲を封止部材により封止している。前面パネル１００と背面パネル２００との間に形成された放電空間２１には、例えばネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスの放電ガスが４５ｋＰａ〜８０ｋＰａの圧力で封入されている。表示電極対１２とアドレス電極１７との交差部が放電セルとして動作する。

次に、前面パネル１００の保護膜１４を製造するため製造方法とその製造装置について説明する。図２は本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの保護膜を製造するための製造装置の側断面図、図３は同製造装置の真空蒸着室における成膜室の平面図である。

図２に示す保護膜の製造装置は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を成膜する基板搬送型の電子ビーム蒸着装置である。図２に示すように、蒸着装置は基板搬入室３０、基板の予備加熱室３１、真空蒸着室となる成膜室３２、基板冷却室３３、基板取出室３４より構成されており、このような装置を用いてＰＤＰの保護膜成膜の方法を以下に示す。

図１におけるＰＤＰの誘電体層１３までが形成された前面パネル１００がトレイ３５に載せられるステップと、基板搬入室３０に搬入されステップがある。その後、予備加熱室３１に搬送されて予備加熱されるステップと、成膜室３２に搬送されて保護膜１４としての酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜が前面パネル１００の誘電体層１３上に成膜するステップがある。

ここで、予備加熱室３１において排気するステップの排気ポンプ３６は後述するように、排気するガスを吸着させるクライオパネルを含む排気系、ここではターボ分子ポンプとクライオパネルの組合せにて上記ステップを実施し、且つ、クライオパネルの温度は５０Ｋ以上８０Ｋ以下、望ましくは５０Ｋ以上６０Ｋ以下に制御しながら加熱するステップを有する。

成膜室３２には蒸着材料４０が収納された蒸着ハース４１と電子銃４２とが設置されていて、複数の排気ポンプ４３により内部を高真空に排気している。また、成膜室３２ではガス分析手段である四重極質量分析器（ＱＭＳ）などのガス分析装置４４で成膜中の各種のガス成分を測定している。成膜室３２内にはガス導入口４５を通じて流量バルブ４６によって流量を成膜室３２内の圧力が一定になるよう制御された少なくとも酸素ガスを含むガスを導入している。

成膜室３２においては、排気ポンプ４３によって成膜室３２内を高真空状態とし、電子銃４２から発射される電子ビーム４７によって蒸着材料４０を加熱して、その蒸気を前面ガラス基板１１面に堆積させることによって酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜の保護膜１４が成膜される。なお、成膜室３２内の前面ガラス基板１１の下部のシャッター４８により、蒸気の前面ガラス基板１１への到達を制御している。

図３に示すように、成膜室３２の側面には電子銃４２および排気ポンプ４３が成膜室３２の隣接する側面に設置されている。装置の構成上、電子銃４２と対向する側面に排気ポンプ４３を設置してもよい。大面積パネルの製造装置の場合、図３に示すように蒸着ハース４１と電子銃４２は複数設けられるとともに、成膜室３２内を高真空に排気するための排気手段としての排気ポンプ４３も複数台設置される。なお、図３に示すように、電子ビーム４７は蒸着ハース４１において複数のビーム照射部４９に照射されている。

また、図２に示すように、予備加熱室３１も排気ポンプ３６により減圧するとともに、酸素、窒素、水素、水蒸気、二酸化炭素のうちの少なくとも一つのガスを、第１のガス導入量可変手段となる流量バルブ５１とにより成膜室３２と予備加熱室３１の圧力が同等になるよう調整して予備加熱室３１に第１のガスをガス導入口５０より導入する。

なお、基板冷却室３３にも、内部を減圧状態にするための他の排気ポンプ（図示せず）が接続されているとともに、予備加熱室３１に接続される流量バルブ５１と成膜室３２に接続される流量バルブ４６とは、成膜室３２に設けられたガス分析装置４４のガス分析結果に基づき、所定の値になるようにその開度などにフィードバック制御がなされる。

次に、ＰＤＰの保護膜１４である酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜の成膜工程について説明する。誘電体層１３まで形成された前面パネル１００をトレイ３５に載せて基板搬入室３０に投入する。次に予備加熱室３１に搬送し、そこで真空に排気しながら前面パネル１００を加熱ヒータによって加熱した後、成膜室３２に搬送する。成膜室３２では一定の速度で搬送されながら誘電体層１３上に保護膜１４が形成される。この際に、成膜室３２の圧力を一定にするために、成膜室３２内に設置した真空計（図示せず）の値が一定になるようにプロセスガスである酸素ガスを流量バルブ４６で調整を行った後ガス導入口４５より導入する、或いは、排気ポンプ４３の排気能力を調整する、或いはこれらの組合せなどの方法により、圧力一定になるように調整を行っている。保護膜１４の形成が終了した後、前面パネル１００はトレイ３５とともに基板冷却室３３に搬送され、真空中で所定の温度まで冷却した後、基板取出室３４に搬送されて取り出され一連の作業が完了する。

成膜室３２においては、電子銃４２から出射された電子ビーム４７を偏向させるとともに複数のビーム照射部４９に集束させて、蒸着ハース４１上に収納されたＭｇＯ粒塊の蒸着材料４０に照射する。これにより蒸着材料４０が加熱されて蒸発し、上方を移動する前面パネル１００の誘電体層１３上に保護膜１４としての酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜が堆積される。蒸着ハース４１は低速度で回転して、電子ビーム４７による蒸着材料４０の加熱位置が常に移動するようにして局所的な蒸発消失を防いでいる。

このようにして形成される保護膜１４である酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜の物性は、その成膜過程での酸素欠損や不純物混入により変化する。その物性は成膜室３２中の水および水から解離して発生する水素に対して敏感に変化することが確認されているが、もちろん、プロセスガスである酸素ガスや、炭酸ガスの量にも大きく影響することも確認されている。これは、炭酸ガスの量が増加することにより、圧力一定にするために導入している酸素ガスの量が結果的に変動し、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜の酸素が欠損することの影響が大きいと考えられるが、Ｃなどの不純物が混入したりすると、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜表面のＭｇ原子とＯ原子との結合に乱れが生じて、結合に関与しない未結合手（ダングリングボンド）ができ２次電子放出係数を劣化させる。２次電子放出係数が劣化すると、放電開始電圧が高くなるとともに、ＰＤＰ面内での電子放出特性のばらつきが面内の表示ばらつきや表示欠陥を発生させる。このような膜物性の変化によるＰＤＰの表示品位の問題は、パネルサイズの大型化やパネルの高精細化などとともに特に大きな課題となる。

ＭｇＯ膜の物性に大きな影響を及ぼす炭酸ガス及び水の発生源としては、前面パネル１００とともに成膜室３２に投入されるトレイ３５などに付着した酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜に吸着している炭酸ガス及び水が挙げられる。水に関しては、低減するために前述のように大気中で用いるトレイ３５と真空中で用いるトレイ３５を別のものとしたり、トレイ３５が通過する大気の雰囲気を露点の低いドライな環境にしたりするという方法がとられている。しかしながら、水分を除去する方法としての効果は見られ、パネル特性の経時的変化も改善されているが、これだけではトレイ３５の通過する大気雰囲気中の炭酸ガス濃度が低減されているわけではないため、炭酸ガスの成膜室３２内への持込を防止することは不可能である。一方で、成膜室３２はもちろんのこと、予備加熱室３１の排気ポンプ３６は一般的に、前述したような理由でターボ分子ポンプおよびクライオパネルを内蔵するクライオポンプの組合せで排気することが多いが、この方法では水分を排気するためには非常に有効であるが、炭酸ガスの排気速度は非常に小さく、予備加熱室３１の段階で、炭酸ガスを除去することが困難である。結果的に、元々不純ガスの大部分を占めていた水分は、上記の対策によって大きく減少させることができたため、持ち込み不純ガスの大部分を占める炭酸ガスを排出することが必用となる。

発明者は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜の特性を安定させるためには、成膜室３２における酸素分圧に対する他のガスの分圧を一定範囲内とすることが重要であることを見出している。クライオパネルの温度を通常の９０〜１２０Ｋという水分を除去するための温度領域から、８０Ｋ以下の炭酸ガスの排気も可能な温度領域に設定するように、クライオパネルを冷却するためコンプレッサーの能力を高め、クライオパネルの温度を低温化する。この際、クライオパネルを５０Ｋ以下まで低温化してしまうと、水素爆発の危険が伴う。そこで、クライオパネルの温度測定を行い、コンプレッサーの能力を向上させても温度が５０Ｋ以下に下がらないようにフィードバック制御を実施する。

ここで、図４は、クライオパネルの温度に対する電子放出能を示す特性図である。図４では、基板をトレイに載せて成膜した場合において、１００枚成膜した直後のトレイに基板を載せて成膜した場合と、５０００枚成膜した後のトレイに基板を載せて成膜した場合とを比較している。すなわち、経時変化についても併せて検討した。

尚、５０００枚成膜した場合について特に記載したのは次の理由からである。５０００枚成膜した場合、トレイに堆積した膜厚が厚くなり、搬送中に膜剥がれを起こす可能性があるために、トレイの膜の除去を行う必用がある。５０００枚はこのタイミングであるため、ここまで特性として満足していれば、連続して安定した生産を持続できると考えられるからである。

前者は、温度による依存性はそれほど大きくないが、後者に置いては温度の依存性が見られている。高品質なパネル特性を満足する範囲内の変化、即ち、ここでは、電子放出能が初期の８０％以上の値を示すまでが高品質のパネル特性を満足することが、種々の実験より確認されているが、特に、８０Ｋ以下にした際には電子放出能の変化が、初期の８０％以内収まっているため、８０Ｋ以下にする必用があることが判る。また、５０００枚後のトレイでは、７０Ｋ、６０Ｋとクライオパネルの制御温度を低減すると共に経時変化が小さくなるが、６０Ｋから５０Ｋではほとんど変化がない。このため、クライオパネルによる炭酸ガス排気は、６０Ｋ以下にすることによって安定して生産することが可能だと考える。逆に、５０Ｋ以下にすることで、水はもちろんであるが、水素のわずかな吸着が始まるため、元々の目的である、水素をほとんど吸着しない温度という観点で、５０Ｋ以上が必用となる。以上のことより、クライオパネルの制御温度は５０Ｋ以上８０Ｋ以下、望ましくは、５０Ｋ以上６０Ｋ以下と言える。尚、電子放出特性の測定方法としては、特開２００３−５１２５９号公報で記載された方法を用いている。

なお、成膜装置の構成としては上述したもの以外に、例えば、温度プロファイルの設定条件に応じて、基板搬入室３０と成膜室３２の間に予備加熱室３１が一つ以上あるものや、また、成膜室３２と基板取出室３４の間にある基板冷却室３３が一つ以上あるものなどでも構わないし、ガス導入を成膜室３２および予備加熱室３１以外に導入しても構わない。

また、前面パネル１００に対する成膜室３２内での酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の蒸着は搬送を停止して静止した状態で行っても搬送しながら行ってもどちらでも構わない。

また、成膜室３２に配置される蒸着ハース４１、電子銃４２、排気ポンプ４３などは装置の搬送速度や成膜を行う前面パネル１００の大きさなどにより変わるものであり、図２、図３の数と異なるものでも構わない。

なお、本実施の形態では、保護膜１４を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜を蒸着で形成する例を用いて説明したが、材料として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に限るものでなく酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などの金属酸化物を成膜する場合に対しても同様の効果を得ることができる。

以上のように、本実施の形態では、水素ガスの排気速度がほとんど０に等しく、炭酸ガスの排気速度を向上させるので、真空蒸着法で保護膜１４を形成する際のガス分圧を適性に制御することが可能である。すなわち、耐スパッタ性を有した２次電子放出特性に優れた保護膜を安定して生産することが可能となり、高品質のプラズマディスプレイパネルを安定して生産することが可能となる。

本発明は耐スパッタ性を有した２次電子放出特性に優れた保護膜を安定して生産できるので、プラズマディスプパネルの製造方法に適用できる。

１１ 前面ガラス基板
１２ 表示電極対
１２ａ 走査電極
１２ｂ 維持電極
１３ 誘電体層
１４ 保護膜
１６ 背面ガラス基板
１７ アドレス電極
１８ 下地誘電体層
１９ 隔壁
２０ 蛍光体層
２１ 放電空間
３０ 基板搬入室
３１ 予備加熱室
３２ 成膜室
３３ 基板冷却室
３４ 基板取出室
３５ トレイ
３６ 排気ポンプ
４０ 蒸着材料
４１ 蒸着ハース
４２ 電子銃
４３ 排気ポンプ
４４ ガス分析装置
４５，５０ ガス導入口
４６，５１ 流量バルブ
４７ 電子ビーム
４８ シャッター
４９ ビーム照射部
１００ 前面パネル
２００ 背面パネル

Claims (2)

1. 基板に保護膜を成膜してプラズマディスプレイパネルを製造する製造方法であって、
   トレイに載せた前記基板を予備加熱室に搬送して、前記基板を予備過熱するステップと、
   前記トレイに載せた前記基板を成膜室に搬送し、前記成膜室に配置した材料を加熱して蒸散させ、前記材料を成分とする保護膜を前記基板に成膜するステップを有し、
   前記保護膜を前記基板に成膜するステップでは、前記成膜室を真空にする真空排気の処理を施し、前記基板を予備加熱するステップでは、クライオパネルの温度を５０Ｋ以上８０Ｋ以下に制御し、前記クライオパネルを用いた真空排気の処理を施しつつ、前記成膜室内の圧力と同じ圧力になるまで、前記成膜室に導入しているガスと同種のガスを前記予備過熱室に導入する
   プラズマディスプレイパネルの製造方法。
2. 基板に保護膜を成膜してプラズマディスプレイパネルを製造する製造方法であって、トレイに載せた前記基板を予備加熱室に搬送して、前記基板を予備過熱するステップと、前記トレイに載せた前記基板を成膜室に搬送し、前記成膜室に配置した材料を加熱して蒸散させ、前記材料を成分とする保護膜を前記基板に成膜するステップを有し、前記保護膜を前記基板に成膜するステップでは、前記成膜室を真空にする真空排気の処理を施し、前記基板を予備加熱するステップでは、クライオパネルの温度を５０Ｋ以上６０Ｋ以下に制御し、前記クライオパネルを用いた真空排気の処理を施しつつ、前記成膜室内の圧力と同じ圧力になるまで、前記成膜室に導入しているガスと同種のガスを前記予備過熱室内に導入する
   プラズマディスプレイパネルの製造方法。

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