JP2007119833A - 蒸着膜の形成方法、保護膜の形成方法及びプラズマディスプレイパネル製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】成膜過程における酸素欠損や不純物の混入を防止して二次電子放出特性に優れたSrOとCaOを主成分とする蒸着膜を形成する方法及びこれを用いたプラズマディスプレイパネル製造装置を提供する。
【解決手段】本発明は、SrOとCaOを主成分とする蒸発材料を用い、真空処理槽内において処理対象基板上に蒸着膜を形成する方法であって、当該蒸着の際、真空処理槽内を真空排気しつつ、真空処理槽内にO2ガスを導入してその分圧が所定の範囲となるように制御するとともに、真空処理槽内における残留不純物ガスの分圧が所定の値以下となるように制御する(S12)ものである。このとき、真空処理槽内におけるO2ガスの分圧は、1×10-3Pa〜0.1Paとすることが好ましい。
【選択図】 図3
Description
前面基板には、維持電極及び表示電極が設けられており、さらにこの維持電極と表示電極を前面基板の間に挟み込むように透明誘電体層が設けられている。そして、この透明誘電体層の上には保護膜が形成されている。
このような状況の下、PDPの輝度を向上させる手法として、例えば放電ガスであるNe−Xeの混合ガス中のXeガスの濃度を5%程度から15%程度に増加させることが行われている。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記真空処理槽内におけるO2ガスの分圧が1×10-3Pa〜0.1Paとなるように制御するものである。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2のいずれか1項記載の発明において、前記残留不純物ガスがH2ガスであり、当該真空処理槽内におけるH2ガスの分圧が5×10-2Pa以下となるように制御するものである。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項記載の発明において、前記残留不純物ガスがH2Oガスであり、当該真空処理槽内におけるH2Oガスの分圧が5×10-3Pa以下となるように制御するものである。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至4のいずれか1項記載の発明において、前記残留不純物ガスがCOガスであり、当該真空処理槽内におけるCOガスの分圧が1×10-2Pa以下となるように制御するものである。
請求項6記載の発明は、請求項1乃至5のいずれか1項記載の発明において、前記残留不純物ガスがCO2ガスであり、当該真空処理槽内におけるCO2ガスの分圧が5×10-3Pa以下となるように制御するものである。
請求項7記載の発明は、プラズマディスプレイパネルを構成する前面基板上の透明誘電体層の上に、請求項1乃至6のいずれか1項記載の方法を用いてSrOとCaOを主成分とする保護膜を蒸着形成する工程を有する保護膜の形成方法である。
請求項8記載の発明は、複数の真空処理槽を有し、当該真空処理槽内において前面基板と背面基板に対して順次処理を行いプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネル製造装置であって、前記真空処理槽として、請求項1乃至6のいずれか1項記載の方法を用い、前記前面基板上の透明誘電体層の上にSrOとCaOを主成分とする保護膜を蒸着形成するための保護膜形成槽を備え、当該保護膜形成槽が、導入されたO2ガスの分圧を制御するための圧力調整手段と、前記保護膜形成槽内における残留不純物ガスの分圧を測定して制御するための質量分析計とを有するものである。
このように、本発明によれば、MgO保護膜を用いた従来のPDPに比べ、放電電圧が低く、かつ、パネル寿命を向上させたPDPを製造することが可能になる。
図1は、本発明のPDP製造装置の実施の形態を示す概略構成図、図2は、同PDP製造装置の要部を示す内部構成図である。
また、図3は、本発明のPDPの製造方法の実施の形態の手順を説明する工程図である。
仕込み加熱室2内には支持台15aが設けられ、この支持台15a上に支持された前面板31を加熱手段17aによって加熱するようになっている。
蒸発材料19の上方には支持台15bによって前面板31が支持され、この前面板31は、加熱手段17bによって加熱されるようになっている。
蒸着室3の後段にはバルブ10を介して冷却室4が連結されており、蒸着室3で蒸着膜が形成された前面板31を冷却室4に搬入するように構成されている。
冷却室4の後段にはバルブ11を介して搬送室6が連結されている。
図1〜図3に示すように、工程S11では、仕込み加熱室2内に前面板31を搬入し、真空排気しつつ、保護膜の耐スパッタ性を向上させるため、例えば、250℃、10分という条件で、前面板31の加熱を行う。
工程S12では、前面板31を蒸着室3に搬入し、蒸着室3内を真空排気しつつ、前面板31の透明誘電体層の上にSrOとCaOを主成分とする保護膜を形成する。
さらに、保護膜形成中の前面板31の加熱温度は、特に限定されるものではないが、保護膜の耐スパッタ性を十分に確保する観点からは、50〜350℃とすることが好ましい。
この工程S2においては、背面板32をバルブ14を介して背面板脱ガス室5内に搬入し、真空排気しつつ、背面板32上に配置した封着材(図示せず)を後述する封着温度以上の温度で加熱して脱ガスを行う。
その後、得られたプラズマディスプレイパネル33をバルブ15を介してアライメント・封着室7から取り出す。
例えば、上記実施の形態においては、SrOとCaOを主成分とする保護膜の形成以外の各処理工程を真空中で行うようにしたが、本発明はこれに限られず、H2、H2O、CO、CO2等の不純物ガスを含まない条件の下、不活性ガス雰囲気中で各処理工程を行うことも可能である。
Claims (8)
- SrOとCaOを主成分とする蒸発材料を用い、真空処理槽内において処理対象基板上に蒸着膜を形成する方法であって、
当該蒸着の際、前記真空処理槽内を真空排気しつつ、前記真空処理槽内にO2ガスを導入してその分圧が所定の範囲となるように制御するとともに、前記真空処理槽内における残留不純物ガスの分圧が所定の値以下となるように制御する蒸着膜の形成方法。 - 前記真空処理槽内におけるO2ガスの分圧が1×10-3Pa〜0.1Paとなるように制御する請求項1記載の蒸着膜の形成方法。
- 前記残留不純物ガスがH2ガスであり、当該真空処理槽内におけるH2ガスの分圧が5×10-2Pa以下となるように制御する請求項1又は2のいずれか1項記載の蒸着膜の形成方法。
- 前記残留不純物ガスがH2Oガスであり、当該真空処理槽内におけるH2Oガスの分圧が5×10-3Pa以下となるように制御する請求項1乃至3のいずれか1項記載の蒸着膜の形成方法。
- 前記残留不純物ガスがCOガスであり、当該真空処理槽内におけるCOガスの分圧が1×10-2Pa以下となるように制御する請求項1乃至4のいずれか1項記載の蒸着膜の形成方法。
- 前記残留不純物ガスがCO2ガスであり、当該真空処理槽内におけるCO2ガスの分圧が5×10-3Pa以下となるように制御する請求項1記載の蒸着膜の形成方法。
- プラズマディスプレイパネルを構成する前面基板上の透明誘電体層の上に、請求項1乃至6のいずれか1項記載の方法を用いてSrOとCaOを主成分とする保護膜を蒸着形成する工程を有する保護膜の形成方法。
- 複数の真空処理槽を有し、当該真空処理槽内において前面基板と背面基板に対して順次処理を行いプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネル製造装置であって、
前記真空処理槽として、請求項1乃至6のいずれか1項記載の方法を用い、前記前面基板上の透明誘電体層の上にSrOとCaOを主成分とする保護膜を蒸着形成するための保護膜形成槽を備え、
当該保護膜形成槽が、導入されたO2ガスの分圧を制御するための圧力調整手段と、前記保護膜形成槽内における残留不純物ガスの分圧を測定して制御するための質量分析計とを有するプラズマディスプレイパネル製造装置。
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