JP2000021302A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】対向３電極面放電型ＡＣ型プラズマディスプレ
イパネルにおいて、誘電体層を保護するための保護膜に
起因する放電特性の経時変化、及び隔壁に起因する放電
特性の経時変化を抑制し、表示の安定化、及び長寿命化
を図る。 【解決手段】保護膜の形成時に後工程にて発生する熱工
程時の最大温度以上の温度にて該保護膜のアニール処理
を行うことにより、後工程にて膜構造の変化が生じない
安定した保護膜を形成すること、または、隔壁上に保護
膜を形成しプラズマ放電時の隔壁のスパッタを防止す
る。
イパネルにおいて、誘電体層を保護するための保護膜に
起因する放電特性の経時変化、及び隔壁に起因する放電
特性の経時変化を抑制し、表示の安定化、及び長寿命化
を図る。 【解決手段】保護膜の形成時に後工程にて発生する熱工
程時の最大温度以上の温度にて該保護膜のアニール処理
を行うことにより、後工程にて膜構造の変化が生じない
安定した保護膜を形成すること、または、隔壁上に保護
膜を形成しプラズマ放電時の隔壁のスパッタを防止す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル、特に対向３電極面放電型ＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネルに関するものであり、特に薄型軽量な
大画面フラット型フルカラー表示装置として表示の安定
化、及び長寿命化を図る技術に関するものである。
レイパネル、特に対向３電極面放電型ＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネルに関するものであり、特に薄型軽量な
大画面フラット型フルカラー表示装置として表示の安定
化、及び長寿命化を図る技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１（ａ）は従来の対向３電極面放電型
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの要部断面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ‘線に沿った断面図であ
る。前面側のガラス基板１上にＸ，Ｙ２本の平行な表示
電極１１を対として形成し、この平行電極間に交流電圧
を印加し面放電を行う。各表示電極はＩＴＯ等の透明電
極２とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｇ等からなるバス電極３に
より構成され、これらの表示電極上１１に誘電体層４と
保護膜５を設ける。
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの要部断面図、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ‘線に沿った断面図であ
る。前面側のガラス基板１上にＸ，Ｙ２本の平行な表示
電極１１を対として形成し、この平行電極間に交流電圧
を印加し面放電を行う。各表示電極はＩＴＯ等の透明電
極２とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｇ等からなるバス電極３に
より構成され、これらの表示電極上１１に誘電体層４と
保護膜５を設ける。
【０００３】一方、対向する背面側のガラス基板９上に
は、表示電極１１と直交する方向にアドレス電極８を構
成する。これらのアドレス電極８上に誘電体層７を設
け、その上に各アドレス電極間に位置するように隔壁６
を形成する。隔壁の側面と底にはＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体１
０を塗り分けて形成する。
は、表示電極１１と直交する方向にアドレス電極８を構
成する。これらのアドレス電極８上に誘電体層７を設
け、その上に各アドレス電極間に位置するように隔壁６
を形成する。隔壁の側面と底にはＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体１
０を塗り分けて形成する。
【０００４】この２枚のガラス基板間の放電空間にはＮ
ｅ−Ｘｅの混合ガスを封入し、放電時のＸｅから放出さ
れる波長１４７ｎｍの紫外光が蛍光体１０を励起する。
励起された蛍光体１０はＲ，Ｇ，Ｂの可視光を放射し前
面基板側より出光することによりフルカラーとして視認
される。このようなパネル構造は例えば特開昭５５−１
１３２３７号公報および富士通技報（０７．１９９６）
３３９ページに記載されている。
ｅ−Ｘｅの混合ガスを封入し、放電時のＸｅから放出さ
れる波長１４７ｎｍの紫外光が蛍光体１０を励起する。
励起された蛍光体１０はＲ，Ｇ，Ｂの可視光を放射し前
面基板側より出光することによりフルカラーとして視認
される。このようなパネル構造は例えば特開昭５５−１
１３２３７号公報および富士通技報（０７．１９９６）
３３９ページに記載されている。
【０００５】特開平５−２３４５１９号公報には、ＡＣ
型プラズマディスプレイパネルにおいて、前面板に形成
する保護膜が酸化マグネシウムの〈１１１〉配向膜であ
り、イオンビームアシスト蒸着法または酸素雰囲気真空
蒸着法にて成膜し、その後該保護膜をアニール処理する
こと無く後工程に送られることが記載されている。
型プラズマディスプレイパネルにおいて、前面板に形成
する保護膜が酸化マグネシウムの〈１１１〉配向膜であ
り、イオンビームアシスト蒸着法または酸素雰囲気真空
蒸着法にて成膜し、その後該保護膜をアニール処理する
こと無く後工程に送られることが記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来ＰＤＰは、放電が
経過するにつれて放電プラズマと、放電空間に接する材
料間との相互作用により、ペニングガス純度の低下、ガ
ス圧力の上昇、紫外線発生量の低下、等が発生し放電特
性の経時変化が生じる問題があった。
経過するにつれて放電プラズマと、放電空間に接する材
料間との相互作用により、ペニングガス純度の低下、ガ
ス圧力の上昇、紫外線発生量の低下、等が発生し放電特
性の経時変化が生じる問題があった。
【０００７】放電特性の経時変化は、放電空間と隣接す
る材料の構成元素または不純物の混入、または吸着物質
及び吸着ガスの混入に原因があると考えられる。
る材料の構成元素または不純物の混入、または吸着物質
及び吸着ガスの混入に原因があると考えられる。
【０００８】すなわち、前面板の保護膜である〈１１
１〉配向酸化マグネシウム膜からの酸素の脱離、蛍光膜
が形成されていない隔壁からの酸素の脱離、及び蛍光膜
が形成されていない隔壁のスパッタ、等が発生すると考
えられる。これによって、放電特性が変化し、ＰＤＰの
寿命が短命となる。
１〉配向酸化マグネシウム膜からの酸素の脱離、蛍光膜
が形成されていない隔壁からの酸素の脱離、及び蛍光膜
が形成されていない隔壁のスパッタ、等が発生すると考
えられる。これによって、放電特性が変化し、ＰＤＰの
寿命が短命となる。
【０００９】本発明の目的は、上記問題に鑑み、誘電体
層を保護するための保護膜に起因する放電特性の経時変
化、及び隔壁に起因する放電特性の経時変化を抑制し、
表示の安定化、及び長寿命化を図ることにある。
層を保護するための保護膜に起因する放電特性の経時変
化、及び隔壁に起因する放電特性の経時変化を抑制し、
表示の安定化、及び長寿命化を図ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係わる
製造方法は、前面板の該保護膜の成膜後に、後工程にて
発生する熱工程時の最大温度以上の温度にて該保護膜の
アニール処理を行い保護膜の形成を行う。従来、該保護
膜は、経時安定性の長所より〈１１１〉配向酸化マグネ
シウム膜を用いているが、製造方法としては基板温度１
５０℃〜３００℃にてある酸素分圧下での真空蒸着法に
て数千Åの膜厚を形成し、その後、蒸着源及び基板加熱
ヒータを停止し基板温度がある程度下がるのを待って、
チャンバーを大気圧に戻し、取り出した基板を後工程へ
送っていた。
製造方法は、前面板の該保護膜の成膜後に、後工程にて
発生する熱工程時の最大温度以上の温度にて該保護膜の
アニール処理を行い保護膜の形成を行う。従来、該保護
膜は、経時安定性の長所より〈１１１〉配向酸化マグネ
シウム膜を用いているが、製造方法としては基板温度１
５０℃〜３００℃にてある酸素分圧下での真空蒸着法に
て数千Åの膜厚を形成し、その後、蒸着源及び基板加熱
ヒータを停止し基板温度がある程度下がるのを待って、
チャンバーを大気圧に戻し、取り出した基板を後工程へ
送っていた。
【００１１】従って、その後の熱工程である蛍光膜の焼
成（４００℃〜５００℃）、封着（４００℃〜５００
℃）、パネル内壁面の活性化（３００℃〜４００℃）等
の経由により、該保護膜は構造変化（酸素の脱離、より
安定な結晶面方位の発現）をきたし、成膜時に制御し形
成した保護膜構造とは異なった構造に変容する。従っ
て、保護膜の形成時に後工程にて発生する熱工程時の最
大温度以上の温度にて該保護膜のアニール処理を行うこ
とにより、後工程にて膜構造の変化が生じない安定した
保護膜を形成することが可能となる。
成（４００℃〜５００℃）、封着（４００℃〜５００
℃）、パネル内壁面の活性化（３００℃〜４００℃）等
の経由により、該保護膜は構造変化（酸素の脱離、より
安定な結晶面方位の発現）をきたし、成膜時に制御し形
成した保護膜構造とは異なった構造に変容する。従っ
て、保護膜の形成時に後工程にて発生する熱工程時の最
大温度以上の温度にて該保護膜のアニール処理を行うこ
とにより、後工程にて膜構造の変化が生じない安定した
保護膜を形成することが可能となる。
【００１２】請求項２の発明に係わるＰＤＰは、前面板
の保護膜が酸化マグネシウムであり、後工程にて発生す
る熱工程時の最大温度以上の温度にて該保護膜のアニー
ル処理を行い、アニール処理後〈１１１〉配向膜とす
る。アニール処理を行うことにより、後工程にて構造変
化の無い緻密な保護膜が形成可能となる。
の保護膜が酸化マグネシウムであり、後工程にて発生す
る熱工程時の最大温度以上の温度にて該保護膜のアニー
ル処理を行い、アニール処理後〈１１１〉配向膜とす
る。アニール処理を行うことにより、後工程にて構造変
化の無い緻密な保護膜が形成可能となる。
【００１３】請求項３の発明に係わるＰＤＰは、背面板
の隔壁上に保護膜が形成される。放電空間に露出された
隔壁の一部領域が、プラズマによりスパッタされ放電空
間が汚染されることを防ぐ。
の隔壁上に保護膜が形成される。放電空間に露出された
隔壁の一部領域が、プラズマによりスパッタされ放電空
間が汚染されることを防ぐ。
【００１４】請求項４の発明に係わるＰＤＰは、背面板
の隔壁上に酸化マグネシウム膜の保護膜を形成する。
の隔壁上に酸化マグネシウム膜の保護膜を形成する。
【００１５】請求項５の発明に係わるＰＤＰは、背面板
の隔壁上に〈１１１〉配向酸化マグネシウム膜を形成す
る。
の隔壁上に〈１１１〉配向酸化マグネシウム膜を形成す
る。
【００１６】請求項６の発明に係わるＰＤＰは、背面板
の隔壁上に保護膜を成膜後、後工程にて発生する熱工程
時の最大温度以上の温度にて該保護膜のアニール処理を
行う。該アニール処理により後工程にて膜構造の変化が
生じない安定した保護膜を形成することが可能となる。
の隔壁上に保護膜を成膜後、後工程にて発生する熱工程
時の最大温度以上の温度にて該保護膜のアニール処理を
行う。該アニール処理により後工程にて膜構造の変化が
生じない安定した保護膜を形成することが可能となる。
【００１７】請求項７の発明に係わるＰＤＰは、背面板
の隔壁上に酸化マグネシウム膜の保護膜を成膜し、後工
程にて発生する熱工程時の最大温度以上の温度にて該保
護膜のアニール処理後〈１１１〉配向膜とする。
の隔壁上に酸化マグネシウム膜の保護膜を成膜し、後工
程にて発生する熱工程時の最大温度以上の温度にて該保
護膜のアニール処理後〈１１１〉配向膜とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて説明する。
いて説明する。
【００１９】図２は本発明に係る１実施例の前面板上に
形成された保護膜の熱工程の概略図である。
形成された保護膜の熱工程の概略図である。
【００２０】前面板上の保護膜５は、図１に示すよう
に、ガラス基板１、ガラス基板上に形成される帯状の透
明電極２、透明電極上に形成されたバス電極３、透明電
極２とバス電極３とで構成される表示電極１１の上に形
成される誘電体層４に積層され形成されている。保護膜
５の熱履歴工程は、保護膜成膜時の基板加熱工程（工程
Ａ、１５０℃〜３００℃）、アニール処理工程（工程
Ｂ）、蛍光膜の焼成工程（工程Ｃ、４００℃〜５００
℃）、封着工程（工程Ｅ、４００℃〜５００℃）、活性
化工程（工程Ｆ、３００℃〜４００℃）である。
に、ガラス基板１、ガラス基板上に形成される帯状の透
明電極２、透明電極上に形成されたバス電極３、透明電
極２とバス電極３とで構成される表示電極１１の上に形
成される誘電体層４に積層され形成されている。保護膜
５の熱履歴工程は、保護膜成膜時の基板加熱工程（工程
Ａ、１５０℃〜３００℃）、アニール処理工程（工程
Ｂ）、蛍光膜の焼成工程（工程Ｃ、４００℃〜５００
℃）、封着工程（工程Ｅ、４００℃〜５００℃）、活性
化工程（工程Ｆ、３００℃〜４００℃）である。
【００２１】アニール処理工程（工程Ｂ）の温度は、上
記工程Ｃから工程Ｆの内の最大温度以上の温度である。
ただし、誘電体４が低融点ガラスであり、ガラス基板１
がソーダライムガラスの際には６００℃以下に限定され
る。本発明のアニール処理工程（工程Ｂ）を行うことに
より、該保護膜は工程Ｃ以降も構造変化（酸素の脱離、
より安定な結晶面方位の発現）をきたすことはなく、経
時安定性に優れる。
記工程Ｃから工程Ｆの内の最大温度以上の温度である。
ただし、誘電体４が低融点ガラスであり、ガラス基板１
がソーダライムガラスの際には６００℃以下に限定され
る。本発明のアニール処理工程（工程Ｂ）を行うことに
より、該保護膜は工程Ｃ以降も構造変化（酸素の脱離、
より安定な結晶面方位の発現）をきたすことはなく、経
時安定性に優れる。
【００２２】該保護膜５が酸化マグネシウム膜の場合に
は、アニール処理工程（工程Ｂ）後、〈１１１〉配向膜
とする。アニール処理を行わない〈１１１〉配向膜に比
較し工程Ｃ以降も構造変化（酸素の脱離、より安定な結
晶面方位の発現）をきたすことはなく、経時安定性に優
れる。
は、アニール処理工程（工程Ｂ）後、〈１１１〉配向膜
とする。アニール処理を行わない〈１１１〉配向膜に比
較し工程Ｃ以降も構造変化（酸素の脱離、より安定な結
晶面方位の発現）をきたすことはなく、経時安定性に優
れる。
【００２３】図３（ａ）は本発明に係る１実施例の対向
３電極面放電型ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの要
部断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ‘線に沿っ
た断面図である。前面側のガラス基板１上にＸ，Ｙ２本
の平行な表示電極１１を対として形成し、この平行電極
間に交流電圧を印加し面放電を行う。各表示電極はＩＴ
Ｏ等の透明電極２とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｇ等からなる
バス電極３により構成され、これらの表示電極上１７に
誘電体層４と保護膜５を設ける。
３電極面放電型ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの要
部断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ‘線に沿っ
た断面図である。前面側のガラス基板１上にＸ，Ｙ２本
の平行な表示電極１１を対として形成し、この平行電極
間に交流電圧を印加し面放電を行う。各表示電極はＩＴ
Ｏ等の透明電極２とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｇ等からなる
バス電極３により構成され、これらの表示電極上１７に
誘電体層４と保護膜５を設ける。
【００２４】一方、対向する背面側のガラス基板９上に
は、表示電極１１と直交する方向にアドレス電極８を構
成する。これらのアドレス電極８上に誘電体層７を設
け、その上に各アドレス電極間に位置するように隔壁６
を形成する。隔壁６上には保護膜１２を形成する。保護
膜１２の側面と底にはＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体１０を塗り分
けて形成する。
は、表示電極１１と直交する方向にアドレス電極８を構
成する。これらのアドレス電極８上に誘電体層７を設
け、その上に各アドレス電極間に位置するように隔壁６
を形成する。隔壁６上には保護膜１２を形成する。保護
膜１２の側面と底にはＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体１０を塗り分
けて形成する。
【００２５】この２枚のガラス基板間の放電空間にはＮ
ｅ−Ｘｅの混合ガスを封入し、放電時のＸｅから放出さ
れる波長１４７ｎｍの紫外光が蛍光体を励起する。励起
された蛍光体はＲ，Ｇ，Ｂの可視光を放射し表面側基板
より出光することによりフルカラーとして視認される。
隔壁６上に保護膜１２を形成することにより、放電時に
隔壁がスパッタされることがなく経時安定性に優れる。
該保護膜１２は酸化マグネシウム膜が耐スパッタ性の点
で優れている。該保護膜１２が〈１１１〉配向酸化マグ
ネシウム膜であれば２次電子放出係数が大きいため放電
電圧を低く設定可能であるため更に好ましい。
ｅ−Ｘｅの混合ガスを封入し、放電時のＸｅから放出さ
れる波長１４７ｎｍの紫外光が蛍光体を励起する。励起
された蛍光体はＲ，Ｇ，Ｂの可視光を放射し表面側基板
より出光することによりフルカラーとして視認される。
隔壁６上に保護膜１２を形成することにより、放電時に
隔壁がスパッタされることがなく経時安定性に優れる。
該保護膜１２は酸化マグネシウム膜が耐スパッタ性の点
で優れている。該保護膜１２が〈１１１〉配向酸化マグ
ネシウム膜であれば２次電子放出係数が大きいため放電
電圧を低く設定可能であるため更に好ましい。
【００２６】図４は本発明に係る１実施例の背面板上に
形成された保護膜の熱工程の概略図である。
形成された保護膜の熱工程の概略図である。
【００２７】背面板上の保護膜１２は、図３に示すよう
に、隔壁６に積層され形成されている。保護膜１２の熱
履歴工程は、保護膜成膜時の基板加熱工程（工程Ａ、１
５０℃〜３００℃）、アニール処理工程（工程Ｂ）、蛍
光膜の焼成工程（工程Ｃ、４００℃〜５００℃）、フリ
ット仮焼工程（工程Ｄ、３００℃〜４００℃）、封着工
程（工程Ｅ、４００℃〜５００℃）、活性化工程（工程
Ｆ、３００℃〜４００℃）となる。
に、隔壁６に積層され形成されている。保護膜１２の熱
履歴工程は、保護膜成膜時の基板加熱工程（工程Ａ、１
５０℃〜３００℃）、アニール処理工程（工程Ｂ）、蛍
光膜の焼成工程（工程Ｃ、４００℃〜５００℃）、フリ
ット仮焼工程（工程Ｄ、３００℃〜４００℃）、封着工
程（工程Ｅ、４００℃〜５００℃）、活性化工程（工程
Ｆ、３００℃〜４００℃）となる。
【００２８】アニール処理工程（工程Ｂ）の温度は、上
記工程Ｃから工程Ｆの内の最大温度以上の温度である。
ただし、誘電体７および隔壁６が低融点ガラスであり、
ガラス基板９がソーダライムガラスの際には６００℃以
下に限定される。該本発明のアニール処理工程（工程
Ｂ）を行うことにより、該保護膜は工程Ｃ以降も構造変
化（酸素の脱離、より安定な結晶面方位の発現）をきた
すことはなく、経時安定性に優れる。
記工程Ｃから工程Ｆの内の最大温度以上の温度である。
ただし、誘電体７および隔壁６が低融点ガラスであり、
ガラス基板９がソーダライムガラスの際には６００℃以
下に限定される。該本発明のアニール処理工程（工程
Ｂ）を行うことにより、該保護膜は工程Ｃ以降も構造変
化（酸素の脱離、より安定な結晶面方位の発現）をきた
すことはなく、経時安定性に優れる。
【００２９】該保護膜１２が酸化マグネシウム膜の場合
には、アニール処理工程（工程Ｂ）後、〈１１１〉配向
膜とする。アニール処理を行わない〈１１１〉配向膜に
比較し工程Ｃ以降も構造変化（酸素の脱離、より安定な
結晶面方位の発現）をきたすことはなく、経時安定性に
優れる。
には、アニール処理工程（工程Ｂ）後、〈１１１〉配向
膜とする。アニール処理を行わない〈１１１〉配向膜に
比較し工程Ｃ以降も構造変化（酸素の脱離、より安定な
結晶面方位の発現）をきたすことはなく、経時安定性に
優れる。
【００３０】アニール処理時の雰囲気は、真空中、酸素
ガス中、放電ガスと同等のペニングガス中、キセノンガ
ス中のいずれかで行う。また、アニール処理は、図２お
よび図４の熱履歴工程に示すように、保護膜を成膜後、
同一成膜室または成膜室に連結した別室に移動させ、連
続して行うことが好ましい。ただし、成膜後大気中に取
り出し、アニール処理を行う際には短時間大気中露出で
あれば特性に大幅な劣化な劣化は見られないため、アニ
ール処理を連続処理することに限定するものではない。
ガス中、放電ガスと同等のペニングガス中、キセノンガ
ス中のいずれかで行う。また、アニール処理は、図２お
よび図４の熱履歴工程に示すように、保護膜を成膜後、
同一成膜室または成膜室に連結した別室に移動させ、連
続して行うことが好ましい。ただし、成膜後大気中に取
り出し、アニール処理を行う際には短時間大気中露出で
あれば特性に大幅な劣化な劣化は見られないため、アニ
ール処理を連続処理することに限定するものではない。
【００３１】保護膜材料としては、ＭｇＯの他に、Ｃａ
Ｏ，ＢａＯ，ＳｒＯ，Ｌａ2Ｏ3，ＣｅＯ2，ＳｒＧｄＯx
等の高融点酸化物もアニール処理を実施することにより
経時変化が緩和される。
Ｏ，ＢａＯ，ＳｒＯ，Ｌａ2Ｏ3，ＣｅＯ2，ＳｒＧｄＯx
等の高融点酸化物もアニール処理を実施することにより
経時変化が緩和される。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
誘電体層を保護するための保護膜に起因する放電特性の
経時変化、及び隔壁に起因する放電特性の経時変化を抑
制し、表示の安定化、及び長寿命化を図ることが可能で
ある。
誘電体層を保護するための保護膜に起因する放電特性の
経時変化、及び隔壁に起因する放電特性の経時変化を抑
制し、表示の安定化、及び長寿命化を図ることが可能で
ある。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は従来の対向３電極面放電型
ＡＣ型プラズマディスプレイパネル構造の要部断面図、
およびＡ−Ａ‘線に沿った断面図。
ＡＣ型プラズマディスプレイパネル構造の要部断面図、
およびＡ−Ａ‘線に沿った断面図。
【図２】本発明に係る１実施例の前面板上に形成された
保護膜の熱工程の概略図。
保護膜の熱工程の概略図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明に係る１実施例の対
向３電極面放電型ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの
要部断面図、およびＡ−Ａ‘線に沿った断面図。
向３電極面放電型ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの
要部断面図、およびＡ−Ａ‘線に沿った断面図。
【図４】本発明に係る１実施例の背面板上に形成された
保護膜の熱工程の概略図。
保護膜の熱工程の概略図。
１，９…ガラス基板、２…透明電極、３…バス電極、
４，７…誘電体層、５，１２…保護膜、６…隔壁、８…
アドレス電極、１０…蛍光体、１１…表示電極。
４，７…誘電体層、５，１２…保護膜、６…隔壁、８…
アドレス電極、１０…蛍光体、１１…表示電極。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C027 AA05 5C040 DD11
Claims (7)
- 【請求項１】ガス空間を挟んで対向配置する基板におい
て、一方の前面板には誘電体層により被覆された複数の
Ｘ電極及びＹ電極からなる表示電極と該誘電体層を被覆
する保護膜を形成し、他方の背面板には前記表示電極と
直交する方向にアドレス電極，隔壁，蛍光体を形成した
プラズマディスプレイパネルにおいて、前面板の該保護
膜の成膜後に、後工程にて発生する熱工程時の最大温度
以上の温度にて該保護膜のアニール処理を行うことを特
徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、前面板の該保護膜が酸
化マグネシウム膜であり、アニール処理後〈１１１〉配
向膜であることを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項３】ガス空間を挟んで対向配置する基板におい
て、一方の前面板には誘電体層により被覆された複数の
Ｘ電極及びＹ電極からなる表示電極と該誘電体層を被覆
する保護膜を形成し、他方の背面板には前記表示電極と
直交する方向にアドレス電極，隔壁，蛍光体を形成した
プラズマディスプレイパネルにおいて、背面板の隔壁上
に保護膜を形成し、その後蛍光体を形成することを特徴
とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】請求項３において、背面板の隔壁上に形成
する保護膜が酸化マグネシウム膜であることを特徴とす
るプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】請求項４において、背面板の隔壁上に形成
する保護膜が〈１１１〉配向酸化マグネシウム膜である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】請求項３から５のいずれか１項記載におい
て、背面板の該保護膜の成膜後に、後工程にて発生する
熱工程時の最大温度以上の温度にて該保護膜のアニール
処理を行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項７】請求項４から６のいずれか１項記載におい
て、背面板の該保護膜が酸化マグネシウム膜であり、ア
ニール処理後〈１１１〉配向膜であることを特徴とする
プラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18591898A JP2000021302A (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18591898A JP2000021302A (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021302A true JP2000021302A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16179163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18591898A Pending JP2000021302A (ja) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021302A (ja) |
-
1998
- 1998-07-01 JP JP18591898A patent/JP2000021302A/ja active Pending
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