JP3073451B2 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
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- JP3073451B2 JP3073451B2 JP08309589A JP30958996A JP3073451B2 JP 3073451 B2 JP3073451 B2 JP 3073451B2 JP 08309589 A JP08309589 A JP 08309589A JP 30958996 A JP30958996 A JP 30958996A JP 3073451 B2 JP3073451 B2 JP 3073451B2
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J2211/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマディス
プレイパネル（ＰＤＰ）の製造方法に関する。
プレイパネル（ＰＤＰ）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰは通常フラットであり、このよう
なフラットパネルディスプレイはＣＲＴディスプレイに
比較して、設置性や電力消費の点で有利である。
なフラットパネルディスプレイはＣＲＴディスプレイに
比較して、設置性や電力消費の点で有利である。
【０００３】ＰＤＰの構成をＡＣ駆動形式の３電極面放
電型ＰＤＰを例に挙げて図５により説明する。ＰＤＰ１
は、前面側のガラス基板（前面基板）１１と背面側のガ
ラス基板（背面基板）２１とを対向させて重ね合わせた
構造となっている。前面基板１１の内面には、マトリク
ス表示のラインＬ毎に一対のサスティン電極Ｘ，Ｙが配
列されている。サスティン電極Ｘ，Ｙは、それぞれが透
明電極４１とバス電極４２とからなっている。このサス
ティン電極Ｘ，ＹはＡＣ駆動のための誘電体層１７で被
覆され、誘電体層１７の表面には保護膜１８が形成され
ている。
電型ＰＤＰを例に挙げて図５により説明する。ＰＤＰ１
は、前面側のガラス基板（前面基板）１１と背面側のガ
ラス基板（背面基板）２１とを対向させて重ね合わせた
構造となっている。前面基板１１の内面には、マトリク
ス表示のラインＬ毎に一対のサスティン電極Ｘ，Ｙが配
列されている。サスティン電極Ｘ，Ｙは、それぞれが透
明電極４１とバス電極４２とからなっている。このサス
ティン電極Ｘ，ＹはＡＣ駆動のための誘電体層１７で被
覆され、誘電体層１７の表面には保護膜１８が形成され
ている。
【０００４】一方、背面基板２１の内面には、下地層２
２の上にストライプ状のアドレス電極Ａが配列され、そ
の上に絶縁層２４が形成されている。絶縁層２４上に
は、各アドレス電極Ａを区画するための帯状の隔壁２９
が形成されている。隔壁２９間の溝には、アドレス電極
Ａを被覆するように、カラー表示のための赤、青、緑の
蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが塗分けられている。
これらの隔壁２９によって放電空間３０がライン方向に
サブピクセル毎に区画され、かつ放電空間３０の間隙寸
法が一定値（例えば１５０μｍ）に規定されている。放
電空間３０には表示用の放電ガスが封入されている。表
示の１ピクセル（画素）は、ライン方向に並ぶ３つのサ
ブピクセルからなる。
２の上にストライプ状のアドレス電極Ａが配列され、そ
の上に絶縁層２４が形成されている。絶縁層２４上に
は、各アドレス電極Ａを区画するための帯状の隔壁２９
が形成されている。隔壁２９間の溝には、アドレス電極
Ａを被覆するように、カラー表示のための赤、青、緑の
蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが塗分けられている。
これらの隔壁２９によって放電空間３０がライン方向に
サブピクセル毎に区画され、かつ放電空間３０の間隙寸
法が一定値（例えば１５０μｍ）に規定されている。放
電空間３０には表示用の放電ガスが封入されている。表
示の１ピクセル（画素）は、ライン方向に並ぶ３つのサ
ブピクセルからなる。
【０００５】このＡＣ駆動方式のＰＤＰは、表示画素が
アドレス電極と片方のサスティン電極（例えばＹ電極）
とのアドレス放電によって選択された後は、その表示放
電を維持するために、サスティン電極Ｘ，Ｙ間に交流電
圧を印加し、誘電体層１７を介してプラズマ中に面放電
を発生させる。
アドレス電極と片方のサスティン電極（例えばＹ電極）
とのアドレス放電によって選択された後は、その表示放
電を維持するために、サスティン電極Ｘ，Ｙ間に交流電
圧を印加し、誘電体層１７を介してプラズマ中に面放電
を発生させる。
【０００６】保護膜１８は、このような放電時の放電開
始電圧を低くするために設けられており、この保護膜１
８としては、通常、２次電子放出効率が大きく、かつ表
示用の放電ガスによってスパッタされにくい２次電子放
出材料であるＭｇＯが用いられている。このような性質
を持つ材料としては、ＭｇＯ以外にも、ＣａＯ、ＳｒＯ
等が知られている。
始電圧を低くするために設けられており、この保護膜１
８としては、通常、２次電子放出効率が大きく、かつ表
示用の放電ガスによってスパッタされにくい２次電子放
出材料であるＭｇＯが用いられている。このような性質
を持つ材料としては、ＭｇＯ以外にも、ＣａＯ、ＳｒＯ
等が知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の保護膜１８に適した材料の多くは、空気中の水分や炭
酸ガス等との反応性（潮解性）が高く、成膜後空気中に
放置すると表面が変質してしまう。そのため、例えば保
護膜としてＭｇＯを用いた場合には、前面基板１１と背
面基板２１とを放電空間３０を介して重ね合わせて周辺
を封止しパネルに組み立てた後、パネル内の不浄ガスの
排気時に、約３５０℃程度の高温にしてこの表面の変質
層を分解し、その後、表示用の放電ガスを封入しなけれ
ばならなかった。
の保護膜１８に適した材料の多くは、空気中の水分や炭
酸ガス等との反応性（潮解性）が高く、成膜後空気中に
放置すると表面が変質してしまう。そのため、例えば保
護膜としてＭｇＯを用いた場合には、前面基板１１と背
面基板２１とを放電空間３０を介して重ね合わせて周辺
を封止しパネルに組み立てた後、パネル内の不浄ガスの
排気時に、約３５０℃程度の高温にしてこの表面の変質
層を分解し、その後、表示用の放電ガスを封入しなけれ
ばならなかった。
【０００８】また、保護膜としては、ＭｇＯ以外にＣａ
Ｏ、ＳｒＯ等を用いることも可能であるが、これらはＭ
ｇＯよりもさらに高温にしなければ表面の変質層を分解
することができないため、実用に供されてはいなかっ
た。
Ｏ、ＳｒＯ等を用いることも可能であるが、これらはＭ
ｇＯよりもさらに高温にしなければ表面の変質層を分解
することができないため、実用に供されてはいなかっ
た。
【０００９】なお、ＭｇＯを用いた保護膜の形成方法と
しては、特開平５−２３４５１９号公報に記載のよう
な、保護膜として、蒸着を酸素雰囲気中で行う真空蒸着
法またはイオンビームを照射するイオンアシスト蒸着法
によって、ＭｇＯの〈１１１〉配向膜を設けるようにし
た製造方法などが知られている。
しては、特開平５−２３４５１９号公報に記載のよう
な、保護膜として、蒸着を酸素雰囲気中で行う真空蒸着
法またはイオンビームを照射するイオンアシスト蒸着法
によって、ＭｇＯの〈１１１〉配向膜を設けるようにし
た製造方法などが知られている。
【００１０】この発明は、このような事情を考慮してな
されたもので、製造時には保護膜を一時保護膜で覆って
おき、パネルに組んだ後にその一時保護膜を除去するよ
うにし、これにより製造時に保護膜の表面に変質層が形
成されないようにし、さらに、保護膜表面の変質層を分
解する必要をなくして、封止材の耐熱温度を低く設定で
きるようにするとともに、保護膜としてＣａＯやＳｒＯ
等を用いることができるようにしたプラズマディスプレ
イパネルの製造方法を提供するものである。
されたもので、製造時には保護膜を一時保護膜で覆って
おき、パネルに組んだ後にその一時保護膜を除去するよ
うにし、これにより製造時に保護膜の表面に変質層が形
成されないようにし、さらに、保護膜表面の変質層を分
解する必要をなくして、封止材の耐熱温度を低く設定で
きるようにするとともに、保護膜としてＣａＯやＳｒＯ
等を用いることができるようにしたプラズマディスプレ
イパネルの製造方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、一対の基板
の少なくとも一方の基板上に電極を形成し、その電極を
誘電体膜で被覆し、その誘電体膜の表面に、該誘電体膜
を放電から保護するための保護膜と該保護膜の表面をパ
ネル組み立て工程までの期間一時的に保護するための一
時保護膜を形成し、該一方の基板と他方の基板とでパネ
ルを組み立てた後、パネル内部にプラズマを発生させて
前記一時保護膜を除去する工程を含んでなるプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法である。
の少なくとも一方の基板上に電極を形成し、その電極を
誘電体膜で被覆し、その誘電体膜の表面に、該誘電体膜
を放電から保護するための保護膜と該保護膜の表面をパ
ネル組み立て工程までの期間一時的に保護するための一
時保護膜を形成し、該一方の基板と他方の基板とでパネ
ルを組み立てた後、パネル内部にプラズマを発生させて
前記一時保護膜を除去する工程を含んでなるプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法である。
【００１２】この発明によれば、保護膜の形成後、その
真空雰囲気中でその上に連続的に一時保護膜を形成する
ので、保護膜が空気中にさらされることがない。このた
め、保護膜の表面に、空気中の水分や炭酸化物等との反
応によって生ずる変質層が形成されない。
真空雰囲気中でその上に連続的に一時保護膜を形成する
ので、保護膜が空気中にさらされることがない。このた
め、保護膜の表面に、空気中の水分や炭酸化物等との反
応によって生ずる変質層が形成されない。
【００１３】また、一方の基板と他方の基板とでパネル
を組み立てた後、パネル内部にプラズマを発生させて一
時保護膜を除去するので、保護膜の変質層の熱分解処理
が不要となる。これにより、パネルに組み立てた後のパ
ネル内の不浄ガスの排気時の温度を従来よりも低く設定
することができるので、従来よりも低い耐熱温度の封止
材を使用することが可能となる。また、保護膜の変質層
の熱分解処理が不要であるので、従来用いることができ
なかったＣａＯ、ＳｒＯ等を保護膜として用いることが
可能となる。
を組み立てた後、パネル内部にプラズマを発生させて一
時保護膜を除去するので、保護膜の変質層の熱分解処理
が不要となる。これにより、パネルに組み立てた後のパ
ネル内の不浄ガスの排気時の温度を従来よりも低く設定
することができるので、従来よりも低い耐熱温度の封止
材を使用することが可能となる。また、保護膜の変質層
の熱分解処理が不要であるので、従来用いることができ
なかったＣａＯ、ＳｒＯ等を保護膜として用いることが
可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明において、一対の基板は
前面基板と背面基板から構成することができ、これらの
基板は、ガラス材を用いて構成することができる。
前面基板と背面基板から構成することができ、これらの
基板は、ガラス材を用いて構成することができる。
【００１５】一対の基板の少なくとも一方の基板上に形
成される電極は、透明電極であればＩＴＯやネサ膜等を
用いて形成することができ、金属電極であれば銀、クロ
ム−銅−クロム（Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ）の三層金属、また
はアルミ等の抵抗の低い金属を用いて形成することがで
きる。誘電体膜としては、低融点ガラス等を用いること
ができる。
成される電極は、透明電極であればＩＴＯやネサ膜等を
用いて形成することができ、金属電極であれば銀、クロ
ム−銅−クロム（Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ）の三層金属、また
はアルミ等の抵抗の低い金属を用いて形成することがで
きる。誘電体膜としては、低融点ガラス等を用いること
ができる。
【００１６】保護膜は、２次電子放出効率が大きく、か
つ表示用の放電ガスによってスパッタされにくい２次電
子放出材料のものであれば、どのようなものでも用いる
ことができる。このような性質を有するものとして、例
えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、あるいはこれ
らの化合物を挙げることができる。この保護膜は、ＣＶ
Ｄ（化学蒸着）法やスパッタ法により形成することがで
きる。
つ表示用の放電ガスによってスパッタされにくい２次電
子放出材料のものであれば、どのようなものでも用いる
ことができる。このような性質を有するものとして、例
えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、あるいはこれ
らの化合物を挙げることができる。この保護膜は、ＣＶ
Ｄ（化学蒸着）法やスパッタ法により形成することがで
きる。
【００１７】一時保護膜は、透水性の低いものであれ
ば、どのようなものでも用いることができる。この低い
透水性とは、一時保護膜の下層に位置する保護膜が空気
中の水分や炭酸化物と反応することを阻止できる程度の
性質を意味し、このような性質を有するものとして、例
えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、
ＭｇＦ2、ＣａＦ2、あるいはこれらの化合物を挙げるこ
とができる。一方の基板と他方の基板とを重ね合わせて
周辺を封止しパネルを組み立てる際に用いられる封止材
としては、低融点ガラスや各種の有機系の材料を用いる
ことができる。
ば、どのようなものでも用いることができる。この低い
透水性とは、一時保護膜の下層に位置する保護膜が空気
中の水分や炭酸化物と反応することを阻止できる程度の
性質を意味し、このような性質を有するものとして、例
えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、
ＭｇＦ2、ＣａＦ2、あるいはこれらの化合物を挙げるこ
とができる。一方の基板と他方の基板とを重ね合わせて
周辺を封止しパネルを組み立てる際に用いられる封止材
としては、低融点ガラスや各種の有機系の材料を用いる
ことができる。
【００１８】一時保護膜の除去は、一対の基板間の放電
空間に除去用の放電ガスを導入し、電極間で放電させ、
それによるエッチングで行うことができる。具体的に
は、この一時保護膜の除去は、除去用の放電ガスに、例
えば、ＣＦ4、ＳＦ6等のフッ素を含むガスを用いて、プ
ラズマエッチングにより行うことができる。
空間に除去用の放電ガスを導入し、電極間で放電させ、
それによるエッチングで行うことができる。具体的に
は、この一時保護膜の除去は、除去用の放電ガスに、例
えば、ＣＦ4、ＳＦ6等のフッ素を含むガスを用いて、プ
ラズマエッチングにより行うことができる。
【００１９】この一時保護膜の除去後は、除去用の放電
ガスをパネル内から抜き去り、製品として使用する場合
の表示用の放電ガスをパネル内に封入するのであるが、
この場合、パネル内部にゲッタを設置し、パネル内部に
表示用の放電ガスと除去用の放電ガスとを導入し、放電
による一時保護膜の除去後、ゲッタを活性化し、この活
性化したゲッタで放電ガス中に含まれる除去用の放電ガ
ス成分を除去するようにしてもよい。
ガスをパネル内から抜き去り、製品として使用する場合
の表示用の放電ガスをパネル内に封入するのであるが、
この場合、パネル内部にゲッタを設置し、パネル内部に
表示用の放電ガスと除去用の放電ガスとを導入し、放電
による一時保護膜の除去後、ゲッタを活性化し、この活
性化したゲッタで放電ガス中に含まれる除去用の放電ガ
ス成分を除去するようにしてもよい。
【００２０】この発明は、また、表面に電極と該電極を
覆う誘電体層が形成され、さらに前記誘電体層を放電か
ら保護するための保護膜と、該保護膜の表面をパネル組
み立て工程までの期間一時的に保護するための一時保護
膜を積層してなるプラズマディスプレイパネルの電極基
板構造体である。
覆う誘電体層が形成され、さらに前記誘電体層を放電か
ら保護するための保護膜と、該保護膜の表面をパネル組
み立て工程までの期間一時的に保護するための一時保護
膜を積層してなるプラズマディスプレイパネルの電極基
板構造体である。
【００２１】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明
を詳述する。なお、これによってこの発明が限定される
ものではない。
を詳述する。なお、これによってこの発明が限定される
ものではない。
【００２２】実施例１ 図１は本発明によるＰＤＰの製造方法の実施例１の概要
を示す説明図である。なお、この実施例は図５に示され
た３電極面放電型ＰＤＰに適用した例であるが、背面基
板上のアドレス電極、隔壁などは図を省略している。こ
の図に示すように、本発明の実施例１の製造方法は、前
面基板１１の内面に、表示ライン毎に一対のサスティン
電極Ｘ，Ｙを形成し、そのサスティン電極Ｘ，Ｙを低融
点ガラスからなる誘電体膜１７で被覆し、その誘電体膜
１７の表面に放電特性の良いＭｇＯからなる保護膜１８
を形成する。
を示す説明図である。なお、この実施例は図５に示され
た３電極面放電型ＰＤＰに適用した例であるが、背面基
板上のアドレス電極、隔壁などは図を省略している。こ
の図に示すように、本発明の実施例１の製造方法は、前
面基板１１の内面に、表示ライン毎に一対のサスティン
電極Ｘ，Ｙを形成し、そのサスティン電極Ｘ，Ｙを低融
点ガラスからなる誘電体膜１７で被覆し、その誘電体膜
１７の表面に放電特性の良いＭｇＯからなる保護膜１８
を形成する。
【００２３】そして、保護膜１８を形成した真空（減
圧）雰囲気中で連続的にその保護膜１８上に透水性の低
いＳｉＮからなる一時保護膜（ＳｉＮ膜）１９を形成す
る。すなわち、真空蒸着法による保護膜１８の成膜後
に、真空槽内で高周波スパッタリング法で一時保護膜１
９を成膜し、その後、真空槽の外に取り出す（図１
（ａ）参照）。
圧）雰囲気中で連続的にその保護膜１８上に透水性の低
いＳｉＮからなる一時保護膜（ＳｉＮ膜）１９を形成す
る。すなわち、真空蒸着法による保護膜１８の成膜後
に、真空槽内で高周波スパッタリング法で一時保護膜１
９を成膜し、その後、真空槽の外に取り出す（図１
（ａ）参照）。
【００２４】このようにすることにより、前面基板１１
が真空槽から取り出され大気にさらされる状態になって
も、反応性の高い保護膜１８の表面が一時保護膜１９に
より保護されているために、保護膜１８の表面は空気中
の水分から遮断される。
が真空槽から取り出され大気にさらされる状態になって
も、反応性の高い保護膜１８の表面が一時保護膜１９に
より保護されているために、保護膜１８の表面は空気中
の水分から遮断される。
【００２５】そして、この前面基板１１と背面基板２１
とを、電極どうしを対向させて重ね合わせて周辺を封止
材１２で封止しパネルに組み立てた後、一時保護膜１９
をサスティン電極Ｘ，Ｙの上面部分（面放電領域）だけ
除去する（図１（ｂ）参照）。
とを、電極どうしを対向させて重ね合わせて周辺を封止
材１２で封止しパネルに組み立てた後、一時保護膜１９
をサスティン電極Ｘ，Ｙの上面部分（面放電領域）だけ
除去する（図１（ｂ）参照）。
【００２６】面放電領域上の一時保護膜１９は、実際に
ＰＤＰとして用いるときの表示放電時には不要であるた
め、パネル組み立て後の内部ガスの排気の際に、面放電
用のサスティン電極Ｘ，Ｙ間に電圧を加えて面放電を発
生させ、その放電を利用したいわゆるプラズマエッチン
グにより除去する。
ＰＤＰとして用いるときの表示放電時には不要であるた
め、パネル組み立て後の内部ガスの排気の際に、面放電
用のサスティン電極Ｘ，Ｙ間に電圧を加えて面放電を発
生させ、その放電を利用したいわゆるプラズマエッチン
グにより除去する。
【００２７】図２は実施例１の製造方法を工程毎に示す
説明図であり、この図に基づいて、実施例１の製造方法
を詳細に説明する。
説明図であり、この図に基づいて、実施例１の製造方法
を詳細に説明する。
【００２８】（ａ）電極形成、誘電体膜形成工程（図２
（ａ）参照） ガラスからなる前面基板１１の表面にスパッタリングに
より透明導電膜を形成し、フォトリソグラフィにより透
明電極を形成する。透明導電膜の材料としてはＩＴＯ、
ネサ膜等を用いる。透明電極の上に、スパッタリングに
より金属導電膜を形成し、フォトリソグラフィによりバ
ス電極を形成する。金属導電膜の材料としては銀、Ｃｒ
−Ｃｕ−Ｃｒ三層金属、アルミ等の抵抗の低い金属を用
いる。これらの透明電極とバス電極からなるものがサス
ティン電極Ｘ，Ｙである。サスティン電極Ｘ，Ｙを誘電
体膜１７でコーティングする。誘電体膜１７の材料とし
ては低融点ガラスを用いる。
（ａ）参照） ガラスからなる前面基板１１の表面にスパッタリングに
より透明導電膜を形成し、フォトリソグラフィにより透
明電極を形成する。透明導電膜の材料としてはＩＴＯ、
ネサ膜等を用いる。透明電極の上に、スパッタリングに
より金属導電膜を形成し、フォトリソグラフィによりバ
ス電極を形成する。金属導電膜の材料としては銀、Ｃｒ
−Ｃｕ−Ｃｒ三層金属、アルミ等の抵抗の低い金属を用
いる。これらの透明電極とバス電極からなるものがサス
ティン電極Ｘ，Ｙである。サスティン電極Ｘ，Ｙを誘電
体膜１７でコーティングする。誘電体膜１７の材料とし
ては低融点ガラスを用いる。
【００２９】（ｂ）保護膜形成工程（図２（ｂ）参照） 放電特性を向上させるために、誘電体膜１７の表面に、
２次電子放出効率が大きく、かつ表示用の放電ガスによ
ってスパッタされにくいＭｇＯからなる保護膜１８を形
成する。この保護膜１８の成膜は真空槽内で蒸着法で行
う。
２次電子放出効率が大きく、かつ表示用の放電ガスによ
ってスパッタされにくいＭｇＯからなる保護膜１８を形
成する。この保護膜１８の成膜は真空槽内で蒸着法で行
う。
【００３０】（ｃ）一時保護膜形成工程（図２（ｃ）参
照） 保護膜１８の成膜後、真空槽内で連続的に保護膜１８上
に、透水性の低いＳｉＮ膜１９を高周波スパッタリング
法で成膜し、その後、ガラス基板１１を真空槽の外に取
り出す。
照） 保護膜１８の成膜後、真空槽内で連続的に保護膜１８上
に、透水性の低いＳｉＮ膜１９を高周波スパッタリング
法で成膜し、その後、ガラス基板１１を真空槽の外に取
り出す。
【００３１】図３に保護膜と一時保護膜を形成するため
の装置の構成を示す。この図に示すように、誘電体膜上
に保護膜と一時保護膜を形成するには、まず、誘電体膜
１７まで形成した前面基板１１を仕込み室（ロード室）
５１に入れ、次に、前面基板１１を保護膜成膜室５２に
入れる。保護膜成膜室５２は酸素圧力１×１０-4Ｔｏｒ
ｒである。
の装置の構成を示す。この図に示すように、誘電体膜上
に保護膜と一時保護膜を形成するには、まず、誘電体膜
１７まで形成した前面基板１１を仕込み室（ロード室）
５１に入れ、次に、前面基板１１を保護膜成膜室５２に
入れる。保護膜成膜室５２は酸素圧力１×１０-4Ｔｏｒ
ｒである。
【００３２】そして、例えば、保護膜１８としてＭｇＯ
を用いるのであれば、ＭｇＯ蒸発源５２ａを用いて、誘
電体膜１７の表面にＭｇＯ膜を蒸着する。続いて、前面
基板１１を、高真空室のトランスファチャンバ５３入れ
て、次に一時保護膜成膜室５４に入れ、例えば、一時保
護膜１９としてＳｉＮを用いるのであれば、ＳｉＮター
ゲット５４ａを用いて、保護膜１８の上に連続してＳｉ
Ｎ膜を形成する。一時保護膜成膜室５４はガス圧５×１
０-3Ｔｏｒｒである。図中５６は真空ポンプである。そ
して、前面基板１１を取りだし室（アンロード室）５５
に入れて取り出す。そして、この前面基板１１の周囲
に、低融点ガラスからなる封止材１２でシール部分を形
成する。
を用いるのであれば、ＭｇＯ蒸発源５２ａを用いて、誘
電体膜１７の表面にＭｇＯ膜を蒸着する。続いて、前面
基板１１を、高真空室のトランスファチャンバ５３入れ
て、次に一時保護膜成膜室５４に入れ、例えば、一時保
護膜１９としてＳｉＮを用いるのであれば、ＳｉＮター
ゲット５４ａを用いて、保護膜１８の上に連続してＳｉ
Ｎ膜を形成する。一時保護膜成膜室５４はガス圧５×１
０-3Ｔｏｒｒである。図中５６は真空ポンプである。そ
して、前面基板１１を取りだし室（アンロード室）５５
に入れて取り出す。そして、この前面基板１１の周囲
に、低融点ガラスからなる封止材１２でシール部分を形
成する。
【００３３】（ｄ）パネル組み立て排気工程（図２
（ｄ）参照） ガラスからなる背面基板２１の表面にスパッタリングに
より金属導電膜を形成し、フォトリソグラフィによりア
ドレス電極を形成する。金属導電膜としては銀、Ｃｒ−
Ｃｕ−Ｃｒ三層金属、アルミ等の抵抗の低い金属を用い
る。
（ｄ）参照） ガラスからなる背面基板２１の表面にスパッタリングに
より金属導電膜を形成し、フォトリソグラフィによりア
ドレス電極を形成する。金属導電膜としては銀、Ｃｒ−
Ｃｕ−Ｃｒ三層金属、アルミ等の抵抗の低い金属を用い
る。
【００３４】アドレス電極を絶縁層でコーティングす
る。絶縁層の材料としては低融点ガラスを用いる。絶縁
層上に隔壁用の材料層を全面的に形成し、サンドブラス
ト加工により隔壁を形成する。隔壁の材料としては低融
点ガラスを用いる。そして、隔壁の中に蛍光体ペースト
をスクリーン印刷により形成する。
る。絶縁層の材料としては低融点ガラスを用いる。絶縁
層上に隔壁用の材料層を全面的に形成し、サンドブラス
ト加工により隔壁を形成する。隔壁の材料としては低融
点ガラスを用いる。そして、隔壁の中に蛍光体ペースト
をスクリーン印刷により形成する。
【００３５】このようにして形成した背面基板２１と前
面基板１１とを、アドレス電極とサスティン電極とが交
差するように対向させて重ね合わせ、この状態で昇温
し、封止材１２を溶かして、前面基板１１と背面基板２
１どうしを接着してパネルに組み立て、同時に排気のた
めのチップ管を接着する（チップ管は図示していな
い）。チップ管よりパネルの内部を排気してガス出しを
行う。
面基板１１とを、アドレス電極とサスティン電極とが交
差するように対向させて重ね合わせ、この状態で昇温
し、封止材１２を溶かして、前面基板１１と背面基板２
１どうしを接着してパネルに組み立て、同時に排気のた
めのチップ管を接着する（チップ管は図示していな
い）。チップ管よりパネルの内部を排気してガス出しを
行う。
【００３６】（ｅ）一時保護膜除去工程（図２（ｅ）参
照） 除去用の放電ガスをパネルの内部に封入し、サスティン
電極Ｘ，Ｙ間に交流電圧を印加して、両電極間にプラズ
マ（面放電）を発生させ、サスティン電極Ｘ，Ｙ表面の
ＳｉＮ膜１９をそのプラズマエッチングにより除去す
る。この場合、ＳｉＮ膜１９の除去は、サスティン電極
Ｘ，Ｙの上面部分（表示用の面放電領域）だけ行う。
照） 除去用の放電ガスをパネルの内部に封入し、サスティン
電極Ｘ，Ｙ間に交流電圧を印加して、両電極間にプラズ
マ（面放電）を発生させ、サスティン電極Ｘ，Ｙ表面の
ＳｉＮ膜１９をそのプラズマエッチングにより除去す
る。この場合、ＳｉＮ膜１９の除去は、サスティン電極
Ｘ，Ｙの上面部分（表示用の面放電領域）だけ行う。
【００３７】除去用の放電ガスとしては、エッチングの
容易さからＣＦ4、ＳＦ6等のフッ素系のガスを用いた
が、一時保護膜１９としてＳｉＮ膜を用いた場合にはス
パッタレートが早いので、不活性ガスを用いることもで
きる。
容易さからＣＦ4、ＳＦ6等のフッ素系のガスを用いた
が、一時保護膜１９としてＳｉＮ膜を用いた場合にはス
パッタレートが早いので、不活性ガスを用いることもで
きる。
【００３８】内部のガスを抜き取り、Ｎｅ＋Ｘｅからな
る表示用の放電ガスを充填し、チップ管を封じる。この
ようにしてできたＰＤＰは、大気暴露に弱い保護膜１８
が大気に触れないために、非常に良い放電特性を有した
ものとなる。
る表示用の放電ガスを充填し、チップ管を封じる。この
ようにしてできたＰＤＰは、大気暴露に弱い保護膜１８
が大気に触れないために、非常に良い放電特性を有した
ものとなる。
【００３９】実施例２ 本実施例においては、保護膜１８として、２次電子放出
特性の非常に良いＣａＳｒＯ2膜を用い、一時保護膜１
９としてＭｇＯ膜を用いている。その他の材料について
は全て実施例１と同じであり、保護膜１８と一時保護膜
１９の形成方法、および一時保護膜１９の除去方法につ
いても実施例１と同じである。
特性の非常に良いＣａＳｒＯ2膜を用い、一時保護膜１
９としてＭｇＯ膜を用いている。その他の材料について
は全て実施例１と同じであり、保護膜１８と一時保護膜
１９の形成方法、および一時保護膜１９の除去方法につ
いても実施例１と同じである。
【００４０】ＣａＳｒＯ2膜は、２次電子放出効率が非
常に大きく、放電開始電圧が大変に小さくなるという特
徴を有しているが、大気中で極めて不安定である。この
ため、ＣａＳｒＯ2膜は、空気中に放置すると、空気中
の水分や炭酸ガス等と反応し表面に変質層が形成されて
しまうが、この変質層の分解温度が非常に高いために、
従来では、ＰＤＰ用の保護膜として用いることができな
かった。
常に大きく、放電開始電圧が大変に小さくなるという特
徴を有しているが、大気中で極めて不安定である。この
ため、ＣａＳｒＯ2膜は、空気中に放置すると、空気中
の水分や炭酸ガス等と反応し表面に変質層が形成されて
しまうが、この変質層の分解温度が非常に高いために、
従来では、ＰＤＰ用の保護膜として用いることができな
かった。
【００４１】しかしながら、本発明においては、ＣａＳ
ｒＯ2膜を真空蒸着法により形成した後、その雰囲気中
で連続的にＣａＳｒＯ2膜上にＭｇＯ膜を形成するの
で、ＣａＳｒＯ2膜が空気に触れることがなく、ＣａＳ
ｒＯ2膜のように大気中で極めて不安定なものでも、保
護膜として用いることができる。
ｒＯ2膜を真空蒸着法により形成した後、その雰囲気中
で連続的にＣａＳｒＯ2膜上にＭｇＯ膜を形成するの
で、ＣａＳｒＯ2膜が空気に触れることがなく、ＣａＳ
ｒＯ2膜のように大気中で極めて不安定なものでも、保
護膜として用いることができる。
【００４２】本実施例では誘電体膜上に真空蒸着法でＣ
ａＳｒＯ2膜とＭｇＯ膜を連続的に形成し、このＭｇＯ
膜を一時保護膜として用いているが、この場合には、Ｍ
ｇＯ膜の放電特性が良いので、一時保護膜の除去を比較
的低電圧で行うことができる。
ａＳｒＯ2膜とＭｇＯ膜を連続的に形成し、このＭｇＯ
膜を一時保護膜として用いているが、この場合には、Ｍ
ｇＯ膜の放電特性が良いので、一時保護膜の除去を比較
的低電圧で行うことができる。
【００４３】実施例３ 本実施例においては、前面基板と背面基板とを電極どう
しを対向させて重ね合わせて周辺を封止し、パネルに組
み立てる工程までは、実施例１または実施例２と同じで
あり、一時保護膜１９を除去する工程のみが異なる。
しを対向させて重ね合わせて周辺を封止し、パネルに組
み立てる工程までは、実施例１または実施例２と同じで
あり、一時保護膜１９を除去する工程のみが異なる。
【００４４】実施例１および実施例２では、一時保護膜
１９を除去する場合、除去用の放電ガスを用いて一時保
護膜１９を除去した後、表示用の放電ガスに入れ替える
ようにしている。
１９を除去する場合、除去用の放電ガスを用いて一時保
護膜１９を除去した後、表示用の放電ガスに入れ替える
ようにしている。
【００４５】本実施例においては、その放電ガスの入れ
替えをなくし、一度だけ放電ガスを封入すればよいよう
にし、そのかわり、パネル内部にゲッタを設置し、プラ
ズマエッチングによる一時保護膜１９の除去後、ゲッタ
によって放電ガス中に含まれる除去用の放電ガス成分を
除去するようにしている。
替えをなくし、一度だけ放電ガスを封入すればよいよう
にし、そのかわり、パネル内部にゲッタを設置し、プラ
ズマエッチングによる一時保護膜１９の除去後、ゲッタ
によって放電ガス中に含まれる除去用の放電ガス成分を
除去するようにしている。
【００４６】図４は実施例３の製造方法を示す説明図で
あり、この図に基づいて、実施例３の製造方法を詳細に
説明する。本実施例においては、前面基板１１と背面基
板２１からなるパネルの内部、例えばチップ管内に、ゲ
ッタ３１を設置する。そして、例えば、表示用の放電ガ
スとしてＮｅ＋Ｘｅを用い、除去用の放電ガスとしてＣ
Ｆ4を用いるのであれば、両者を混合して、パネル内部
に導入し、プラズマエッチングによって一時保護膜１９
を除去する。この時のパネル内部の放電ガスの成分は、
ほぼ、Ｎｅ＋Ｘｅ＋ＣＦ4＋Ｏ2である（図４（ａ）参
照）。
あり、この図に基づいて、実施例３の製造方法を詳細に
説明する。本実施例においては、前面基板１１と背面基
板２１からなるパネルの内部、例えばチップ管内に、ゲ
ッタ３１を設置する。そして、例えば、表示用の放電ガ
スとしてＮｅ＋Ｘｅを用い、除去用の放電ガスとしてＣ
Ｆ4を用いるのであれば、両者を混合して、パネル内部
に導入し、プラズマエッチングによって一時保護膜１９
を除去する。この時のパネル内部の放電ガスの成分は、
ほぼ、Ｎｅ＋Ｘｅ＋ＣＦ4＋Ｏ2である（図４（ａ）参
照）。
【００４７】その後、レーザ照射等によってゲッタ３１
を活性化しておく（図４（ｂ）参照）。このようにし
て、パネル動作時に、放電ガス中に含まれるＣＦ4＋Ｏ2
の成分をこの活性化したゲッタに吸収させる。これによ
り、パネル内部の放電ガスの成分は、限りなくＮｅ＋Ｘ
ｅに近づく（図４（ｃ）参照）。
を活性化しておく（図４（ｂ）参照）。このようにし
て、パネル動作時に、放電ガス中に含まれるＣＦ4＋Ｏ2
の成分をこの活性化したゲッタに吸収させる。これによ
り、パネル内部の放電ガスの成分は、限りなくＮｅ＋Ｘ
ｅに近づく（図４（ｃ）参照）。
【００４８】この場合、パネル内部には、表示用の放電
ガスと除去用の放電ガスとを同時に導入してもよいし、
あらかじめ両者を混合したものを導入するようにしても
よい。これにより、パネル内の放電ガスを入れ替えるこ
となく、パネル内を表示放電に適したガス状態にするこ
とができる。
ガスと除去用の放電ガスとを同時に導入してもよいし、
あらかじめ両者を混合したものを導入するようにしても
よい。これにより、パネル内の放電ガスを入れ替えるこ
となく、パネル内を表示放電に適したガス状態にするこ
とができる。
【００４９】なお、上記実施例１〜３においては、全て
アドレス電極とサスティン電極対とを対向する２つの基
板に分けて配置したＡＣ駆動形式の３電極面放電型ＰＤ
Ｐを例に挙げて説明したが、本発明は、ＡＣ駆動形式で
あれば、前記３電極を片側の基板上に配置した３電極面
放電型ＰＤＰ、Ｘ電極とＹ電極の２電極を対向する２つ
の基板に分けて配置した汎用の２電極対向放電型ＰＤ
Ｐ、Ｘ電極とＹ電極を片側の基板上に配置した２電極面
放電型ＰＤＰなどにも適用することが可能である。
アドレス電極とサスティン電極対とを対向する２つの基
板に分けて配置したＡＣ駆動形式の３電極面放電型ＰＤ
Ｐを例に挙げて説明したが、本発明は、ＡＣ駆動形式で
あれば、前記３電極を片側の基板上に配置した３電極面
放電型ＰＤＰ、Ｘ電極とＹ電極の２電極を対向する２つ
の基板に分けて配置した汎用の２電極対向放電型ＰＤ
Ｐ、Ｘ電極とＹ電極を片側の基板上に配置した２電極面
放電型ＰＤＰなどにも適用することが可能である。
【００５０】
【発明の効果】この発明によれば、保護膜の形成後、そ
の上に連続的に一時保護膜を形成するので、保護膜の表
面に変質層が形成されず、ＰＤＰの保護膜を良好な放電
特性の保護膜とすることができる。また、一方の基板と
他方の基板とでパネルを組み立てた後、一時保護膜をパ
ネル内部にプラズマを発生させることにより除去するの
で、保護膜の変質層の熱分解処理が不要となり、これに
より、従来よりも低い耐熱温度の封止材を使用すること
が可能となる。また、従来用いることができなかったＣ
ａＯ、ＳｒＯ等を保護膜として用いることが可能とな
る。
の上に連続的に一時保護膜を形成するので、保護膜の表
面に変質層が形成されず、ＰＤＰの保護膜を良好な放電
特性の保護膜とすることができる。また、一方の基板と
他方の基板とでパネルを組み立てた後、一時保護膜をパ
ネル内部にプラズマを発生させることにより除去するの
で、保護膜の変質層の熱分解処理が不要となり、これに
より、従来よりも低い耐熱温度の封止材を使用すること
が可能となる。また、従来用いることができなかったＣ
ａＯ、ＳｒＯ等を保護膜として用いることが可能とな
る。
【図１】本発明によるＰＤＰの製造方法の実施例１の概
要を示す説明図である。
要を示す説明図である。
【図２】実施例１の製造方法を工程毎に示す説明図であ
る。
る。
【図３】保護膜と一時保護膜を形成するための装置の構
成を示す説明図である。
成を示す説明図である。
【図４】実施例３の製造方法を示す説明図である。
【図５】ＡＣ駆動形式の面放電型ＰＤＰの構成を示す説
明図である。
明図である。
１１ 前面基板 １２ 封止材 １７ 誘電体膜 １８ 保護膜 １９ 一時保護膜 ２１ 背面基板 ３１ ゲッタ ５１ 仕込み室 ５２ 保護膜成膜室 ５２ａ ＭｇＯ蒸発源 ５３ トランスファチャンバ ５４ 一時保護膜成膜室 ５４ａ ＳｉＮターゲット ５５ 取りだし室 ５６ 真空ポンプ Ｘ，Ｙ サスティン電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−153470（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−234519（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−310028（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 9/02 H01J 9/39 H01J 11/00 - 17/49
Claims (7)
- 【請求項１】 一対の基板の少なくとも一方の基板上に
電極を形成し、その電極を誘電体膜で被覆し、その誘電
体膜の表面に、該誘電体膜を放電から保護するための保
護膜と該保護膜の表面をパネル組み立て工程までの期間
一時的に保護するための一時保護膜を形成し、該一方の
基板と他方の基板とでパネルを組み立てた後、パネル内
部にプラズマを発生させて前記一時保護膜を除去する工
程を含んでなるプラズマディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項２】 保護膜が、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂ
ａＯ、あるいはこれらの化合物のグループ中から選択さ
れた材料からなり、一時保護膜が、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、ＭｇＦ2、ＣａＦ2、ある
いはこれらの化合物のグループ中から選択された材料か
らなることを特徴とする請求項１記載のプラズマディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項３】 一時保護膜の除去が、一対の基板間の放
電空間に除去用の放電ガスを導入し、電極による放電に
より行われることを特徴とする請求項１記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４】 除去用の放電ガスがフッ素を含むガスか
らなることを特徴とする請求項３記載のプラズマディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項５】 パネルの内部にゲッタを設置し、一対の
基板間の放電空間に表示用の放電ガスと除去用の放電ガ
スとを導入し、電極による放電により一時保護膜を除去
した後、ゲッタを活性化し、この活性化したゲッタで放
電ガス中に含まれる除去用の放電ガス成分を除去するこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。 - 【請求項６】 放電用のガスから絶縁された電極と、放
電用のガスと接する２次電子放出材料からなる保護膜を
備えた構成のプラズマディスプレイパネルの製造方法で
あって、 前記保護膜の表面をパネル組み立て工程までの期間一時
的に保護する一時保護膜を前記保護膜上に形成する工程
と、パネル組み立て後にパネル内部にプラズマを発生さ
せて前記一時保護膜を除去する工程とを含んでなること
を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項７】 表面に電極と該電極を覆う誘電体層が形
成され、さらに前記誘電体層を放電から保護するための
保護膜と、該保護膜の表面をパネル組み立て工程までの
期間一時的に保護するための一時保護膜を積層してなる
プラズマディスプレイパネルの電極基板構造体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08309589A JP3073451B2 (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| US08/828,294 US5938494A (en) | 1996-11-20 | 1997-03-21 | Method for producing a plasma display panel |
| FR9704596A FR2756096B1 (fr) | 1996-11-20 | 1997-04-15 | Procede de production d'un dispositif d'affichage a plasma et structure de substrat correspondante |
| KR1019970059380A KR100284458B1 (ko) | 1996-11-20 | 1997-11-12 | 플라즈마디스플레이패널의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08309589A JP3073451B2 (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149767A JPH10149767A (ja) | 1998-06-02 |
| JP3073451B2 true JP3073451B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=17994860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP3073451B2 (ja) |
| KR (1) | KR100284458B1 (ja) |
| FR (1) | FR2756096B1 (ja) |
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