JP4945641B2 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の表示デバイスに関し、特に、ＰＤＰにおける放電を安定化するための粉体材料（プライミング粒子（電子）放出粉体など）に関する。

交流型ＰＤＰ及びその表示装置にとって、放電（放電空間及び表示セルでの放電）の安定化は重要な技術である。その放電の安定化のためには、より低電圧で放電を開始し、放電空間に対し豊富なプライミング粒子（電子）を供給する、ＰＤＰ構造及び材料が必要である。

そのためのＰＤＰ構造及び材料として、従来、放電（放電空間）に接する（露出する）表面には、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の膜（層）が使用されている。

例えば、ＰＤＰの前面基板構造体における誘電体層上に、ＭｇＯによる保護層（放電保護層）を設けた構造がある。また更に、その保護層上に、ＭｇＯ結晶体粉体などによるプライミング粒子放出粉体（層）を設けた構造がある。

上記ＭｇＯ膜は、十分に実用に耐え効果がある材料であるが、ＰＤＰの表示特性の更なる向上のためには、ＭｇＯ（それによる放電電圧低下等の効果）を凌ぐ材料が必要とされている。

上記更なる向上のための材料として、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）等が、放電電圧を低下させる材料として既に見出されている。しかしながら、これらの材料による膜（低電圧放電膜）は、大気中で不安定であり、そのままでは製造工程上うまく使いこなすことができない。

上記ＳｒＯ，ＣａＯ等の材料の膜を製造工程上うまく使いこなすために、特許第３０７３４５１号公報（特許文献１）に示されるように、成膜後のこれらの材料の膜の表面を、不活性な膜（大気保護層（一時保護膜））で覆うことで大気中での反応（水分や炭酸ガス等との反応）を抑制（防止）し、パネル組み立て後に、この不活性な膜を除去する、といった手法が提案されている。

また、上記放電安定化（放電遅れ改善）について補足すると以下である。ＰＤＰの高精細化に伴い、アドレス動作期間の短縮のためには、印加電圧パルスの幅を小さくすることが有効になる。しかしながら、電圧（例えばアドレス電圧）を印加してから放電（例えばアドレス放電）が発生するまでの時間（放電遅れ）には、ばらつきがある。そのため、印加電圧パルスの幅が小さい場合、当該パルスを印加しても放電が発生しないことがあり得る。その場合、当該表示セルで正しく点灯されないので、画質劣化を招く。上記放電遅れを改善する手段として、前面基板構造体において放電空間に露出するように、プライミング粒子放出粉体（層）として、ＭｇＯ結晶体（層）を設ける技術がある。このような技術については、例えば特開２００６−５９７８６号公報（特許文献２）に記載されている。
特許第３０７３４５１号公報 特開２００６−５９７８６号公報

前述の低電圧放電膜は、放電電圧が低いものの、プライミング粒子（電子）の供給が不足して高速で安定な放電が起こりにくい、という問題がある。換言すれば、例えば前記ＳｒＯ，ＣａＯによる放電保護層を設けた構造は、放電電圧低下効果はあるものの、例えばＭｇＯによる放電保護層上にプライミング粒子放出粉体（層）を設けた構造よりも、放電安定化（放電遅れ改善）効果はあまり無い、という問題がある。

本発明は以上のような問題に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、ＰＤＰ等において、放電電圧の低下または一定化と、放電安定化（放電遅れ改善）との両方を実現でき、従来よりも更に表示特性を高めることができる技術を提供することである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。前記目的を達成するために、代表的な実施の形態は、ＰＤＰ等の表示デバイスにおいて、前述の放電電圧低下と放電安定化との両方を実現する構成として、電極群及び誘電体層等が形成される基板構造体に対し、放電保護層（区別のために第１層と称する）、放電安定化粉体（区別のために第３層と称する）等を設ける技術であって、以下のような構成を有することを特徴とする。

本形態は、低電圧放電保護膜（放電保護層（第１層））の表面に大気保護層（第２層）を形成した構造と、放電空間に露出する放電安定化粉体（第３層）を設ける構造と、を組み合わせた構成である。本形態では、ＰＤＰの製造工程（大気に露出しない真空環境）において、基板構造体における誘電体層上の放電保護層（第１層）上に、前述の大気保護層（区別のために第２層と称する）が形成され、更にこの第２層上に放電安定化粉体（第３層）が形成される。この粉体（第３層）は、プライミング粒子の供給の能力の高い、結晶状の材料（結晶性の高い材料）を用いる。

そして、ＰＤＰ製造工程において、パネル組み立て、排気及び放電ガス封入等の後、初期放電（エージング放電）により、第２層（大部分）を除去する。これにより、第１層表面及び第３層（粉体）が放電空間（放電ガス）に露出する。これによりパネル製品状態となる。

本形態のＰＤＰでは、例えば、第１層としては、ＳｒＯまたはＣａＯまたはそれらの混合物などを用いる。第２層としては、ＭｇＯを用いる。第３層（粉体）としては、ＭｇＯ結晶体粉体を用いる。

上記構成（３つの種類の層の組み合わせ）により、基本的に、第１層による放電電圧低下、第２層による第１層の大気反応抑制、及び第３層による放電安定化（プライミング粒子の供給の利用）が実現される。

また他の形態のＰＤＰでは、更に、第３層（放電安定化粉体）に対し、当該粉体の各々の表面に、第２層と同様の機能または材料による大気保護層を表面膜として形成した構成とする。これにより第３層（粉体）の大気反応抑制も実現される。

本形態のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、例えば、基板構造体（前面基板構造体）における放電ガスが封入される放電空間（放電面）に露出する側の構造として、大気に露出しない真空製造時に、誘電体層上に放電保護機能を持つ第１層を形成する工程と、第１層上に、大気への露出に対して第１層を保護するための第２層を形成する工程と、第２層上に、放電空間に露出するように、放電安定化のための粉体による第３層を形成する工程と、を有する。そして本製造方法は、放電空間でのエージング放電により、第２層の少なくとも一部が除去されることにより、第１層の表面の少なくとも一部が前記除去後の第２層の部分から放電空間に露出する構造にする工程を有する。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。代表的な実施の形態によれば、ＰＤＰ等において、第１層と第３層（及び第２層）を含む組み合わせの構成により、放電電圧の低下または一定化と、放電安定化（放電遅れ改善）との両方の効果が得られ、従来よりも更に表示特性を高めることができる。

本発明の一実施の形態であるＰＤＰにおいて、基本的な構造例を、要部（画素）を拡大して分解斜視で示す図である。 本発明の一実施の形態のＰＤＰの製造方法において、基本的な製造フローの概略を示す図である。 本発明の実施の形態１のＰＤＰにおいて、真空製造時における、第１層、第２層及び第３層を含む前面基板構造体における、放電セル部分の断面（ｙ−ｚ）及び放電空間に露出する表面の構成を、斜視で概念的に示す図である。 本発明の実施の形態１のＰＤＰにおいて、第２層（大部分）を除去した状態（パネル製品時）の前面基板構造体における、放電セル部分の断面（ｙ−ｚ）及び放電空間に露出する表面の構成を、斜視で概念的に示す図である。 本発明の実施の形態２のＰＤＰにおいて、第３層を構成する放電安定化粉体における、表面膜（大気保護層）を有する場合における断面構成を概念的に示す図であり、（ａ）は、元の粉体の状態を、（ｂ）は、粉体に表面膜を形成した状態を、（ｃ）は、第２層上に粉体を付着した状態を、（ｄ）は、粉体の表面膜を除去した状態を、それぞれ示す。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

＜概要＞
本実施の形態のＰＤＰ及びその製造方法等の概要は以下である（なお符号は後述の実施の形態の符号と対応している）。本ＰＤＰ１０の製造時において、前面基板構造体１１における、ガラス基板１上の表示電極２群を被覆する誘電体層３上に、下記のように、第１層（放電保護層４）、第２層（大気保護層５）、及び第３層（放電安定化粉体６、換言すればプライミング粒子放出粉体（層））、が順に積層される構成である。前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とを組み合わせてパネル（ＰＤＰ１０）が組み立てられ、そのパネルの内部空間に対し、真空排気及び放電ガス封入等により放電空間３０が構成され、一旦、第２層を含む構造のパネルが作製される。その後、当該パネルの放電空間３０でのエージング放電（初期放電）の工程により、第２層（大部分）が除去され、第１層表面及び第３層の粉体が放電空間３０に露出する構造となる。これにより所望のＰＤＰ１０製品が完成する。

第１層（放電保護層４）の材料は、アルカリ土類金属系（Ｂｅ，Ｍｇを含む）の酸化物である、ＢｅＯ，ＭｇＯ，ＣａＯ（酸化カルシウム），ＳｒＯ（酸化ストロンチウム），ＢａＯのうちの１種類以上、または、アルカリ金属の酸化物である、Ｌｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏ，Ｋ_２Ｏ，Ｒｂ_２Ｏ，Ｃｓ_２Ｏのうちの１種類以上、を含んで成る。

第２層（大気保護層５）の材料は、前記特許文献１に記載の材料を同様に使用できる。即ち、第２層の材料は、ＳｉＮ，ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＭｇＯ，ＴｉＯ_２，ＭｇＦ_２，ＣａＦ_２等のうちの１種類以上を含んでなる。

第３層（放電安定化粉体６）の材料は、アルカリ土類金属系（Ｂｅ，Ｍｇを含む）の酸化物である、ＢｅＯ，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯのうちの１種類以上、または、アルカリ金属の酸化物である、Ｌｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏ，Ｋ_２Ｏ，Ｒｂ_２Ｏ，Ｃｓ_２Ｏのうちの１種類以上、の結晶粉体（粉末）を含んで成る。

本実施の形態では、各層の材料として、特に下記を使用する。第１層としては、ＭｇＯよりも放電電圧低下効果が高い材料として、ＳｒＯとＣａＯの混合物を使用して成膜する。その上の第２層としては、ＭｇＯ層を成膜する。その上の第３層（粉体６）としては、ＭｇＯ単結晶粉体を付着する。

第１層の形成方法としては、蒸着法などを用いることができる。第２層の形成方法としては、第１層上に連続的に蒸着する方法等を用いることができる。第３層（粉体６）の形成方法としては、例えば、当該粉体６を含有する材料を第２層上に散布（噴霧）または塗布する方法等を用いることができる。

本構成により、放電電圧（放電空間３０（表示セル）での放電のために印加する電圧）が、従来構成との比較で−３０Ｖ程度に低下され、それとともに、放電遅れも改善される。

＜ＰＤＰ基本構造＞
図１において、本実施の形態のＰＤＰ（パネル）１０の基本構造の一例を示している。画素に対応する各色の表示セル（単位領域９０）のセットの部分を示している。なお、説明のために、ｘ方向（横方向）、ｙ方向（縦方向）、ｚ方向（パネル面垂直方向）を有する。

本ＰＤＰ１０は、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２を組み合わせて成り、その間の内部空間に、放電ガスが気密に封入されることで、放電空間３０（図１中では放電保護層４と誘電体層２３との間における隔壁２４間の溝の領域）が構成される。

前面基板構造体１１において、ガラス基板１上に、ｘ方向に伸びて、ｙ方向に繰り返し、表示電極２（２Ｘ，２Ｙ）群が配置されている。表示電極２は、維持動作用の維持電極２Ｘと、維持動作及び走査動作用（兼用）の走査電極２Ｙと、を有する。表示電極２は、隣接する維持電極２Ｘと走査電極２Ｙの対により表示ラインを構成する。電極配列構成としては、ノーマル構成（非放電領域（逆スリット）となる表示電極２対を設ける構成）や、所謂ＡＬＩＳ構成（隣接するすべての表示電極２対により表示ラインを構成する構成）が可能である。

ガラス基板１上、表示電極２群は、誘電体層３により覆われている。誘電体層３上に、更に、放電保護層４が形成されている。誘電体層３及び放電保護層４は、ＰＤＰ１０の表示領域（画面）に対応した全面に形成されている。

背面基板構造体１２において、ガラス基板２１上に、表示電極２と交差するｙ方向に伸びて、アドレス電極２２群が配置されている。維持電極２Ｘ、走査電極２Ｙ、及びアドレス電極２２の交差部分に対応して表示セルが構成される。アドレス電極２２群は、誘電体層２３により覆われている。誘電体層２３上、アドレス電極２２間の位置に、例えばｙ方向に伸びるストライプ状に、隔壁２４が形成されている。なお隔壁２４は、ｘ方向及びｙ方向の隔壁部を持つボックス形状なども可能である。隔壁２４は、単位領域９０（表示セル）に対応して放電空間３０を区画する。アドレス電極２２の上方、隔壁２４で区画された領域には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色の蛍光体２５が、表示列毎に順に色分けして形成されている。

ＰＤＰ１０の駆動（サブフィールド法及びアドレス表示分離方式）において、アドレス動作期間では、選択する表示セルで、アドレス電極２２と走査電極２Ｙとの間に電圧印加により放電（アドレス放電）を発生させる。また、サステイン動作期間では、表示電極２の対（２Ｘ，２Ｙ）の間に電圧印加により、選択された表示セルで放電（維持放電など）を発生させる。これらにより、サブフィールドの所望の表示セルにおける発光（点灯）が行われる。また、フィールド中での点灯するサブフィールドを選択することで、画素（表示セル）の輝度が表現される。

＜ＰＤＰ製造方法＞
図２において、本実施の形態のＰＤＰ１０の製造方法（実施の形態１，２で共通）の概略について示している（Ｓは工程を示す）。前面基板構造体１１の作製の工程（Ｓ１〜Ｓ６）、背面基板構造体１２の作製の工程（Ｓ１１）、パネルの組み立てから完成までの工程（Ｓ７〜Ｓ９）、を有する。

まず、前面基板構造体１１の作製において、Ｓ１で、ガラス基板１を準備する。ガラス基板１は、ガラス等の透明材料を使用できる。Ｓ２で、ガラス基板１上に、表示電極２（２Ｘ，２Ｙ）群を、スクリーン印刷法や、フォトリソ＋エッチング法などを用いて形成する。

Ｓ３で、ガラス基板１上、表示電極２群を被覆して誘電体層３を形成する。誘電体層３は、例えば、低融点ガラスペーストをスクリーン印刷法などにより塗布し焼成することにより形成される。

Ｓ４で、誘電体層３上に、放電保護層４（第１層）を、例えば蒸着法（あるいはスパッタ法や塗布方法なども可能）により形成する。

Ｓ５で、放電保護層４（第１層）上に、大気保護層５（第２層）を、例えば第１層に連続して蒸着法により形成する。

Ｓ６で、大気保護層５（第２層）上に、放電安定化粉体６（第３層）を、例えばスラリー（粉体含有材料）の散布及び乾燥の方法により形成する。

なお、後述の実施の形態２の場合には、Ｓ２１で、放電安定化粉体６（第３層）の表面膜（大気保護層６２）を形成しておき、Ｓ６でその粉体６を用いる。

なお、Ｓ４〜Ｓ６は、大気に露出しない真空（真空槽）での製造工程である。

一方、Ｓ１１では、背面基板構造体１２を、公知技術を用いて例えば以下のように作製する。ガラス基板２１、アドレス電極２２、誘電体層２３等は、前面側同様に作製できる。隔壁２４は、例えば、低融点ガラスペースト等の材料による層を形成し、これをサンドブラスト等の方法により、パターニングし、焼成することで形成する。蛍光体２５は、Ｒ，Ｇ，Ｂ毎に、例えば、隔壁２５間の領域に、蛍光体ペーストを、スクリーン印刷法、ディスペンサ等の方法により塗布し、焼成することで形成する。

次に、Ｓ７で、上記作製した前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とを対向して組み合わせ、パネル（ＰＤＰ１０）を組み立てる。即ち、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２との間、外周部を封着材（低融点ガラス等）により貼り合わせて熱処理により封着する。

Ｓ８で、パネルの内部空間に対し、外部接続されるチップ管を通じて、真空排気し、放電ガスを封入し、チップ管を封じ切ること等により、放電空間３０を構成する。これにより、一旦、第２層を含む構造のパネルの状態となる。

Ｓ９で、パネルの電極（２Ｘ，２Ｙ，２２）への電圧印加による放電空間３０でのエージング放電（初期放電）により、第２層（及び実施の形態２の場合は第３層の表面膜）の大部分を除去する。これにより、第１層表面及び第３層の粉体６が放電空間３０に露出する状態となり、パネル製品として完成する。

（実施の形態１）
以上を踏まえ、図１〜図３等を用いて、より詳細な形態である、実施の形態１のＰＤＰ１０等（放電安定化粉体６等）及びその製造方法について説明する。

図３において、真空製造時、前面基板構造体１１における放電セル（単位領域９０）部分の断面（ｙ−ｚ）及び放電空間３０に露出する表面（放電面）の構成を概念的に示している。以下、前面基板構造体１１の構造を製造工程（図２）の順に説明する（但し実施の形態１ではＳ２１は不要）。

ガラス基板１上に、表示電極２（２Ｘ，２Ｙ）が形成される（Ｓ１，Ｓ２）。表示電極２（２Ｘ，２Ｙ）は、例えば、ＩＴＯ等による幅が広く放電ギャップを形成する透明電極２ａと、例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの三層構造による、幅が狭く電極抵抗を下げるバス電極２ｂと、から構成する。なお、図３は電極配列がノーマル構成の場合である。

その後、ガラス基板１上の表示電極２を被覆するように誘電体層３が形成される（Ｓ３）。誘電体層３としては、例えば、低融点ガラスによる層が、２０μｍの厚さで形成される。

誘電体層３上に、第１層（放電保護層４）が形成される（Ｓ４）。第１層としては、ＳｒＯとＣａＯの共晶（混晶）（（Ｓｒ，Ｃａ）Ｏと表す）による層が成膜される。この（Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ層は、真空蒸着法（真空槽で行う）により、１μｍの厚さで形成される。Ｓｒ（ＳｒＯ）とＣａ（ＣａＯ）の配分は、例えば５０％ずつである。放電保護層４は、誘電体層３の保護（スパッタ耐性）や、２次電子放出等の機能を持つ。

第１層の形成に連続して、第１層の表面上に第２層（大気保護層５）が形成される（Ｓ５）。第２層としては、ＭｇＯ層が、同様の蒸着法により、０．１μｍの厚さで形成される。第２層（ＭｇＯ層）は、大気中で安定な性質を持つ材料であり、第１層を、一時的、即ち大気露出（暴露）時に保護（大気反応抑制）する層である。

真空槽から基板（前面基板構造体１１）を取り出した後、第２層の表面上に、第３層（放電安定化粉体６）が形成される（Ｓ６）。第３層（粉体６）は、換言すれば、プライミング粒子放出粉体（層）である。第３層の放電安定化材料として、特に、ＭｇＯ単結晶粉体（粉末）を用いる。なお、単結晶体に限らず使用可能である（多結晶、凝集物など）。

粉体６（ＭｇＯ結晶体）により、放電空間３０にプライミング粒子（電子）を放出（供給）する機能による放電遅れ改善効果などが得られる。なお、この機能の詳細は必ずしも明らかではないが、例えば、放電に伴い、粉体６（ＭｇＯ結晶体）から放電空間３０にプライミング粒子（電子）が放出（供給）され、放電空間３０の粒子と反応することによるものと推測されている。

当該粉体６は、対象面（第２層表面）上に、散布により付着される。例えば、当該粉体６（ＭｇＯ単結晶粉体）を粉末状で溶剤（ＩＰＡ等）に混合、分散してなるスラリー（放電安定化粉体含有材料）を用意する。そして、このスラリーを、対象面に、塗装用スプレーガン等により散布することで面及び膜状に配置（付着）する。そして、この膜部（スラリー）を、加温により乾燥等することで溶剤成分を除去し、粉体６成分を対象面上に固着させる。上記スラリー散布方法以外にも、ペースト塗布方法などが使用可能である。以上により、前面基板構造体１１ができる。

なお、第３層（粉体６）では、対象面（第２層表面）に対し、当該粉体６（結晶体）（立方体で示す）が、疎あるいは密に分布する。本例では、当該粉体６が疎に分布する場合を概略的に示している。なお、疎に分布する場合も層（膜）と称する。

その後、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とを組み合わせ、外周部を封着することで、パネルが組み立てられる（Ｓ７）。そして、パネルの内部空間を、真空排気後に、昇温脱ガス処理を行い、放電ガス（例えばＸｅ１０％，Ｎｅ９０％）を、４５０Ｔｏｒｒの圧力で封入する（Ｓ８）。

その後、エージング放電により第２層の大部分を除去する（Ｓ９）。本工程では、表示電極２対に交流電圧を印加して、放電空間３０での放電を発生させる。この放電により、第２層（ＭｇＯ層）の表面をスパッタエッチング（プラズマエッチング）することにより、当該ＭｇＯを除去する。除去されたか否かの確認は、放電電圧の減少量をモニタすることで判断できる。

上記エージング放電の工程（Ｓ９）により、前面基板構造体１１は、図４の状態（パネル製品時）になる。第２層では、一部、即ち粉体６が付着している部分（粉体６の下側及びその周辺）は、スパッタエッチングにより除去されずに残存する（機能上は問題無い）。そして、それ以外の大部分が除去され、第１層表面が露出する。即ち、第１層、及び第３層の粉体６の両方が放電空間３０に露出する状態となることで、所定の機能層となる。

以上のようにして作製された実施の形態１のＰＤＰ１０は、従来のパネルにおけるＭｇＯ単体による放電保護層を有する場合と比較して、放電電圧が、−２０Ｖ低い（−３０Ｖ程度になる）。また、放電安定化の特性（効果）を表す放電遅れ時間についても、０．５μ秒以下になり、十分に早いパネルが実現されている。なお、第３層の存在による、放電安定化の特性（効果）を表す放電遅れ時間については、公知技術同様に試験用の電圧波形を電極に印加すること等により測定、診断することができる。

（実施の形態２）
図５を用いて、実施の形態２のＰＤＰ１０等及びその製造方法について説明する。実施の形態２の実施の形態１と異なる部分の構成は以下である。放電安定化粉体６（第３層）として、実施の形態１ではＭｇＯ単結晶を用いる場合を示したが、これ以外にも、ＳｒＯ単結晶やＣａＯ単結晶なども当該材料として機能する（なお単結晶に限らず使用可能である）。これらの粉体は、放電保護層４（第１層）の材料として用いる場合（実施の形態１）と同様に、大気中の水分（Ｈ_２Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ_２）と反応しやすく、当該反応により、当該粉体の結晶の表面に、水酸化物や炭酸化物の膜（反応層）を形成してしまう。

実施の形態２では、第３層を構成する上記放電安定化粉体６の結晶（ＳｒＯ単結晶，ＣａＯ単結晶など）についても、その結晶表面を、大気中で安定な性質を持つ材料、即ち前記第２層同様の材料により、被覆する構造とする。これにより、第３層の粉体６と大気との反応を抑制し、上記反応層の形成を防止できる。

粉体６の表面膜（大気保護層）６２の材料としては、マグネシウム（Ｍｇ），シリコン（Ｓｉ），アルミ（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），イットリウム（Ｙ），ジルコニウム（Ｚｒ），タンタル（Ｔａ），亜鉛（Ｚｎ），コバルト（Ｃｏ），マンガン（Ｍｎ），ランタン（Ｌａ）から選択できる。

図５（ａ）〜（ｄ）に示す放電安定化粉体６の断面構造において、核となる粉体６１部分と、その表面膜（大気保護層）６２部分とを有する。図５（ａ）は、元（加工前）の放電安定化粉体６であり、例えば上記ＳｒＯ単結晶やＣａＯ単結晶である。図５（ｂ）は、加工後の放電安定化粉体６であり、核となる粉体６１の周りに表面膜（大気保護層）６２が形成されている二重構造である。表面膜（大気保護層）６２としては、特に、ＭｇＯまたはＳｉＯ_２などを用いる。表面膜６２の形成方法としては、例えば、粉体６（６１）の表面に、ＣＶＤ法（化学気相成長法）により、表面膜６２を成長して付着させる。なお、表面膜６２の形成方法及び粉体６の構造としては、粉体６（６１）の表面上に表面膜６２を積層させる構成と捉えてもよいし、粉体６（６１）の表面部分を表面膜６２に変化させる構成と捉えてもよい。

図５（ｃ）は、上記により作製された表面膜６２付きの粉体６を、第２層上に付着して第３層としたものである。そして、図５（ｄ）に示すように、これらの大気保護層、即ち第２層（大気保護層５）、及び第３層の粉体６の表面膜６２は、エージング放電（Ｓ９）でのスパッタエッチングにより除去することができる。この除去により、パネル製品状態では、第３層の粉体６（６１）の表面を、清浄な結晶面として露出させることができる。

以上のようにして作製された実施の形態２のＰＤＰ１０によれば、実施の形態１同様の効果に加え、放電安定化粉体６（プライミング粒子放出粉体（層））に関しても大気反応抑制効果が得られる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

本発明は、ＰＤＰ等の表示デバイスに利用可能である。

Claims (4)

1. 基板構造体における放電ガスが封入される放電空間に露出する側の構造として、
   真空製造時に、誘電体層上に形成される、放電保護機能を持ちＣａＯとＳｒＯの少なくとも何れか１つを含む金属酸化物から成る第１層と、
   前記第１層上に形成される、大気への露出に対して前記第１層を保護するための第２層と、
   前記第２層上に前記放電空間に露出するように形成される、放電安定化のための粉体による第３層と、を有し、
   真空製造時において、前記第３層の粉体は、核となる粉体と、当該粉体の表面を被覆するように形成される、大気中の成分との反応性が低い材料による被覆層と、を有する構造であり、
   前記核となる粉体は、ＣａＯとＳｒＯの少なくとも何れか１つの結晶粉体を含み、
   前記放電空間でのエージング放電により、前記第２層の少なくとも一部、及び前記粉体の表面の層の少なくとも一部が除去されることにより、前記第１層の表面の少なくとも一部、及び前記核となる粉体の少なくとも一部が前記放電空間に露出する構造であること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルおいて、
   前記第２層、及び前記粉体の表面の層の材料は、Ｍｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｌａから選択される少なくとも１つを含む金属酸化物であること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
3. 基板構造体における放電ガスが封入される放電空間に露出する側の構造を形成する工程として、
   真空製造時に、誘電体層上に、放電保護機能を持ちＣａＯとＳｒＯの少なくとも何れか１つを含む金属酸化物から成る第１層を形成する工程と、
   前記第１層上に、大気への露出に対して前記第１層を保護するための第２層を形成する工程と、
   前記第２層上に、前記放電空間に露出するように、放電安定化のための粉体による第３層を形成する工程と、
   その後、前記放電空間でのエージング放電により、前記第２層の少なくとも一部が除去されることにより、前記第１層の表面の少なくとも一部が前記除去後の第２層の部分から前記放電空間に露出する構造にする工程と、を有し、
   前記第３層の粉体は、核となる粉体と、当該粉体の表面を被覆するように形成される、大気との反応性が低い材料による層と、を有する構造であり、
   前記核となる粉体は、ＣａＯ，ＳｒＯから選択される少なくとも１つの結晶粉体を含み、
   前記エージング放電の工程により前記第２層に加えて前記第３層の粉体の表面の層の少なくとも一部が除去され前記放電空間に露出する構造となること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
4. 請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法おいて、
   前記第２層、及び前記粉体の表面の層の材料は、Ｍｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｌａから選択される少なくとも１つを含む金属酸化物であること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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