JP2000294153A - プラズマディスプレイパネル用前面板ユニットおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用前面板ユニットおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネルInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭｇＯの潮解反応を防止でき、極めて保存性
に優れることはもとより、パネルサイズの大型化にも比
較的容易に対応でき、作業性に優れるプラズマディスプ
レイパネル用前面板ユニットを提供すること、およびこ
れを用いたプラズマディスプレイパネルを提供すること
にある。 【解決手段】 基板と、この基板の上に形成された電
極、誘電体層、およびＭｇＯ保護層を備えるプラズマデ
ィスプレイパネル用前面板ユニットにおいて、前記Ｍｇ
Ｏ保護層の上に酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層を形成して
なるように構成する。
に優れることはもとより、パネルサイズの大型化にも比
較的容易に対応でき、作業性に優れるプラズマディスプ
レイパネル用前面板ユニットを提供すること、およびこ
れを用いたプラズマディスプレイパネルを提供すること
にある。 【解決手段】 基板と、この基板の上に形成された電
極、誘電体層、およびＭｇＯ保護層を備えるプラズマデ
ィスプレイパネル用前面板ユニットにおいて、前記Ｍｇ
Ｏ保護層の上に酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層を形成して
なるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル用前面板ユニットおよびそれを用いたプラズ
マディスプレイパネルに関する。
レイパネル用前面板ユニットおよびそれを用いたプラズ
マディスプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】ガス放電パネルであるプラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）は、２枚の対向するガラス基板に
それぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その間に
Ｎｅ、Ｈｅ、Ｘｅ等を主体とする希ガスを封入した構造
となっている。そして、これらの電極間に電圧を印加
し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることに
より、各セルを発光させて表示を行うようにしている。
情報を表示するためには、規則的に並んだセルを選択的
に放電発光させる。このＰＤＰには、電極が放電空間に
露出している直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われている
交流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、双方とも表示機能
や駆動方式の違いによって、さらにリフレッシュ駆動方
式とメモリー駆動方式に分類される。
レイパネル（ＰＤＰ）は、２枚の対向するガラス基板に
それぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その間に
Ｎｅ、Ｈｅ、Ｘｅ等を主体とする希ガスを封入した構造
となっている。そして、これらの電極間に電圧を印加
し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることに
より、各セルを発光させて表示を行うようにしている。
情報を表示するためには、規則的に並んだセルを選択的
に放電発光させる。このＰＤＰには、電極が放電空間に
露出している直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われている
交流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、双方とも表示機能
や駆動方式の違いによって、さらにリフレッシュ駆動方
式とメモリー駆動方式に分類される。
【０００３】上述のごとくプラズマディスプレイパネル
は、２枚のガラス基板を対向させた形態を採択してお
り、より詳細には、（１）透明基板と、この基板の上に
形成された電極、誘電体層、およびＭｇＯ保護層を備え
るプラズマディスプレイパネル用前面板ユニットと、
（２）蛍光体層を有するプラズマディスプレイパネル用
背面板ユニットとを備え、これら（１）および（２）の
ユニットは、密封されたセルを構成するように一定間隔
で固着されている。
は、２枚のガラス基板を対向させた形態を採択してお
り、より詳細には、（１）透明基板と、この基板の上に
形成された電極、誘電体層、およびＭｇＯ保護層を備え
るプラズマディスプレイパネル用前面板ユニットと、
（２）蛍光体層を有するプラズマディスプレイパネル用
背面板ユニットとを備え、これら（１）および（２）の
ユニットは、密封されたセルを構成するように一定間隔
で固着されている。
【０００４】前面板ユニットに形成されるＭｇＯ保護層
は、主として、放電によるイオン衝撃を防ぐため（耐ス
パッタ）、および２次電子放出比を高め放電電圧を低下
させるために用いられており、このようなＭｇＯ保護層
は、一般に、ＥＢ蒸着法等の真空プロセスにより成膜さ
れる。
は、主として、放電によるイオン衝撃を防ぐため（耐ス
パッタ）、および２次電子放出比を高め放電電圧を低下
させるために用いられており、このようなＭｇＯ保護層
は、一般に、ＥＢ蒸着法等の真空プロセスにより成膜さ
れる。
【０００５】しかしながら、ＭｇＯには潮解性があるた
めに、例えばＭｇＯ保護層を成膜した後に大気中で前面
板ユニットを保管すると、ＭｇＯ表面には下記式で示さ
れるような反応、すなわち、ＭｇＯがＨ２ＯおよびＣＯ
２とそれぞれ反応して、ＭｇＣＯ３・Ｍｇ（ＯＨ）２を
生成させる。
めに、例えばＭｇＯ保護層を成膜した後に大気中で前面
板ユニットを保管すると、ＭｇＯ表面には下記式で示さ
れるような反応、すなわち、ＭｇＯがＨ２ＯおよびＣＯ
２とそれぞれ反応して、ＭｇＣＯ３・Ｍｇ（ＯＨ）２を
生成させる。
【０００６】４ＭｇＯ＋３ＣＯ２＋４Ｈ２Ｏ → ３Ｍ
ｇＣＯ３・Ｍｇ（ＯＨ）２・３Ｈ２Ｏ
ｇＣＯ３・Ｍｇ（ＯＨ）２・３Ｈ２Ｏ
【０００７】このような反応により潮解したＭｇＯ表面
は白濁し、この白濁部分は簡単に削り落とせるくらい脆
くなってしまっている。そのため、このようなＭｇＯ表
面の変化は、ＰＤＰパネルの寿命、放電電圧等の性能を
低下させてしまい、信頼性、耐久性等の観点から問題が
ある。
は白濁し、この白濁部分は簡単に削り落とせるくらい脆
くなってしまっている。そのため、このようなＭｇＯ表
面の変化は、ＰＤＰパネルの寿命、放電電圧等の性能を
低下させてしまい、信頼性、耐久性等の観点から問題が
ある。
【０００８】このような問題に対処するために、従来よ
り、（１）ＭｇＯを成膜させ前板ユニットを完成させた
直後すぐに、このものを真空中で背面板ユニットと接合
させて封着したり、あるいは（２）ＭｇＯを成膜させ完
成した前板ユニットを真空中で保管する等の方法が採択
されていた。
り、（１）ＭｇＯを成膜させ前板ユニットを完成させた
直後すぐに、このものを真空中で背面板ユニットと接合
させて封着したり、あるいは（２）ＭｇＯを成膜させ完
成した前板ユニットを真空中で保管する等の方法が採択
されていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（１）および（２）の対処方法では、パネルサイズが大
型化してきた場合には、満足のいく対応をとることがで
きない。
（１）および（２）の対処方法では、パネルサイズが大
型化してきた場合には、満足のいく対応をとることがで
きない。
【００１０】このような実状のもとに本発明は創案され
たものであり、その目的は、ＭｇＯの潮解反応を防止で
き、極めて保存性に優れることはもとより、パネルサイ
ズの大型化にも比較的容易に対応でき、作業性に優れる
プラズマディスプレイパネル用前面板ユニットを提供す
ること、およびこれを用いたプラズマディスプレイパネ
ルを提供することにある。
たものであり、その目的は、ＭｇＯの潮解反応を防止で
き、極めて保存性に優れることはもとより、パネルサイ
ズの大型化にも比較的容易に対応でき、作業性に優れる
プラズマディスプレイパネル用前面板ユニットを提供す
ること、およびこれを用いたプラズマディスプレイパネ
ルを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明は、基板と、この基板の上に形成され
た電極、誘電体層、およびＭｇＯ保護層を備えるプラズ
マディスプレイパネル用前面板ユニットにおいて、前記
ＭｇＯ保護層の上に酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層が形成
されてなるように構成される。
るために、本発明は、基板と、この基板の上に形成され
た電極、誘電体層、およびＭｇＯ保護層を備えるプラズ
マディスプレイパネル用前面板ユニットにおいて、前記
ＭｇＯ保護層の上に酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層が形成
されてなるように構成される。
【００１２】また、本発明の好ましい態様として、前記
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層におけるＳｉＯｘのＸ値
は、１．０〜２．０とされる。
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層におけるＳｉＯｘのＸ値
は、１．０〜２．０とされる。
【００１３】また、本発明のより好ましい態様として、
前記酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層におけるＳｉＯｘのＸ
値は、１．３〜１．９とされる。
前記酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層におけるＳｉＯｘのＸ
値は、１．３〜１．９とされる。
【００１４】また、本発明の好ましい態様として、前記
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層の膜厚は、２００〜１００
０Åとされる。
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層の膜厚は、２００〜１００
０Åとされる。
【００１５】また、本発明の好ましい態様として、前記
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層は、前記ＭｇＯ保護層の形
成後に連続的に真空成膜される。
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層は、前記ＭｇＯ保護層の形
成後に連続的に真空成膜される。
【００１６】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルは、前記プラズマディスプレイパネル用前面板ユニッ
トと、蛍光体層を有するプラズマディスプレイパネル用
背面板ユニットとを備え、これら一対のユニットが密封
されたセルを構成するように固着されて構成される。
ルは、前記プラズマディスプレイパネル用前面板ユニッ
トと、蛍光体層を有するプラズマディスプレイパネル用
背面板ユニットとを備え、これら一対のユニットが密封
されたセルを構成するように固着されて構成される。
【００１７】また、前記プラズマディスプレイパネルの
セル内には、プラズマ放電に起因して飛散した前記酸化
シリコン（ＳｉＯｘ）層成分が存在してなるように構成
される。
セル内には、プラズマ放電に起因して飛散した前記酸化
シリコン（ＳｉＯｘ）層成分が存在してなるように構成
される。
【００１８】本発明のプラズマディスプレイパネル用前
面板ユニットにおけるＭｇＯ保護層の上には、酸化シリ
コン（ＳｉＯｘ）層が被着形成されているので、酸素・
水蒸気バリア性に優れ、ＭｇＯ保護層の劣化が極めて少
ない。
面板ユニットにおけるＭｇＯ保護層の上には、酸化シリ
コン（ＳｉＯｘ）層が被着形成されているので、酸素・
水蒸気バリア性に優れ、ＭｇＯ保護層の劣化が極めて少
ない。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマディスプ
レイパネル用前面板ユニット１００の説明をする前に、
プラズマディスプレイパネル全体の構成を簡単に説明し
ておく。
レイパネル用前面板ユニット１００の説明をする前に、
プラズマディスプレイパネル全体の構成を簡単に説明し
ておく。
【００２０】図１は、ＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示す斜
視図である。この図において、プラズマディスプレイパ
ネル用前面板ユニット１００（以下、単に「前面板ユニ
ット１００」と称す）は、前面板１と、この上に形成さ
れた維持電極４、バス電極５、誘電体層６、およびＭｇ
Ｏ層７を有し、さらに本発明においてはこのＭｇＯ層７
の上に形成された酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層３０を備
えている。この一方で、前面板ユニット１００と対をな
すプラズマディスプレイパネル用背面板ユニット２００
（以下、単に「背面板ユニット２００」と称す）は、背
面板２と、この背面板１上に所定の間隙で立設された複
数の隔壁３と、隔壁間に設けられたアドレス電極８と、
このアドレス電極８を覆うように隔壁３間に被着された
蛍光体層９を有している。
視図である。この図において、プラズマディスプレイパ
ネル用前面板ユニット１００（以下、単に「前面板ユニ
ット１００」と称す）は、前面板１と、この上に形成さ
れた維持電極４、バス電極５、誘電体層６、およびＭｇ
Ｏ層７を有し、さらに本発明においてはこのＭｇＯ層７
の上に形成された酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層３０を備
えている。この一方で、前面板ユニット１００と対をな
すプラズマディスプレイパネル用背面板ユニット２００
（以下、単に「背面板ユニット２００」と称す）は、背
面板２と、この背面板１上に所定の間隙で立設された複
数の隔壁３と、隔壁間に設けられたアドレス電極８と、
このアドレス電極８を覆うように隔壁３間に被着された
蛍光体層９を有している。
【００２１】図１は、ＰＤＰの構成が理解しやすいよう
に、前面板１（前面板ユニット１００）と背面板２（背
面板ユニット２００）を離した状態で示してある。図１
に示されるようにＡＣ型ＰＤＰは、例えばガラス板等の
透明基板である前面板１と背面板２とが互いに平行に対
峙され、背面板２に立設された隔壁３によって前面板１
と背面板２とが密封されたセルを構成するように一定間
隔で固着されている。
に、前面板１（前面板ユニット１００）と背面板２（背
面板ユニット２００）を離した状態で示してある。図１
に示されるようにＡＣ型ＰＤＰは、例えばガラス板等の
透明基板である前面板１と背面板２とが互いに平行に対
峙され、背面板２に立設された隔壁３によって前面板１
と背面板２とが密封されたセルを構成するように一定間
隔で固着されている。
【００２２】前面板１の背面板２側（図面において下
側）には、前述したように例えば、透明電極である維持
電極４と金属電極であるバス電極５とからなる複合電極
が互いに平行に形成され、これを覆うように誘電体層
６、ＭｇＯ層７、および酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層３
０が順次形成されている。このような積層状態は、図２
の部分拡大断面図に詳細に示されている。
側）には、前述したように例えば、透明電極である維持
電極４と金属電極であるバス電極５とからなる複合電極
が互いに平行に形成され、これを覆うように誘電体層
６、ＭｇＯ層７、および酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層３
０が順次形成されている。このような積層状態は、図２
の部分拡大断面図に詳細に示されている。
【００２３】また、背面板２の前面側（図面において上
側）には、複合電極と直交するとともに隔壁３の間に位
置するようにアドレス電極８がストライプ状に互いに平
行に形成され、また、アドレス電極８上のセル底面上に
蛍光体層９が設けられている。
側）には、複合電極と直交するとともに隔壁３の間に位
置するようにアドレス電極８がストライプ状に互いに平
行に形成され、また、アドレス電極８上のセル底面上に
蛍光体層９が設けられている。
【００２４】このようなＡＣ型ＰＤＰは面放電型であ
り、前面板１における複合電極間に交流電源から所定の
電圧を印加して電場を形成することにより、前面板１と
背面板２と隔壁３とで区画される表示要素としての各セ
ル内で放電が行われる。
り、前面板１における複合電極間に交流電源から所定の
電圧を印加して電場を形成することにより、前面板１と
背面板２と隔壁３とで区画される表示要素としての各セ
ル内で放電が行われる。
【００２５】そして、この放電により生じる紫外線によ
り蛍光体９を発光させることで、前面板１を透過する光
を観察者が視認できるようになっている。
り蛍光体９を発光させることで、前面板１を透過する光
を観察者が視認できるようになっている。
【００２６】ＰＤＰ用の隔壁３は、隔壁形成用塗布組成
物をスクリーン印刷により隔壁形状にパターン印刷する
方法や、隔壁形成用塗布組成物をスクリーン印刷、ブレ
ードコート、ダイコート等により塗布、乾燥しベタ膜を
形成した後、ベタ膜上に耐サンドブラスト性を有するマ
スクをパターン状に形成し、サンドブラスト加工を行
い、マスクを剥離した後焼成する方法等により形成され
る。
物をスクリーン印刷により隔壁形状にパターン印刷する
方法や、隔壁形成用塗布組成物をスクリーン印刷、ブレ
ードコート、ダイコート等により塗布、乾燥しベタ膜を
形成した後、ベタ膜上に耐サンドブラスト性を有するマ
スクをパターン状に形成し、サンドブラスト加工を行
い、マスクを剥離した後焼成する方法等により形成され
る。
【００２７】このような焼成後に形成される隔壁３は、
隔壁３の溶融母体となるガラスフリットと、主として、
隔壁の形態および強度を維持するための骨材とが含有さ
れている。
隔壁３の溶融母体となるガラスフリットと、主として、
隔壁の形態および強度を維持するための骨材とが含有さ
れている。
【００２８】本発明における第１の特徴は、図１および
図２に示されるように前面板ユニット１００の構造にあ
る。すなわち、本発明の前面板ユニット１００における
ＭｇＯ保護層７の上には酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層３
０が形成されている。
図２に示されるように前面板ユニット１００の構造にあ
る。すなわち、本発明の前面板ユニット１００における
ＭｇＯ保護層７の上には酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層３
０が形成されている。
【００２９】このような酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層３
０におけるＳｉＯｘのＸ値は、１．０〜２．０の範囲、
好ましくは、１．３〜１．９の範囲に設定される。この
値が１．０未満になると、透明性が悪くなったり、絶縁
性が乏しくなったりしてプラズマディスプレイパネルと
して好ましくない特性傾向が生じる。また、この値が大
きくなると水蒸気および酸素バリア性が悪くなる傾向が
生じ、ＭｇＯ表面の保護が十分でなくなるという不都合
が生じる。なお、Ｘ値は、ＥＳＣＡによる測定で、膜表
面から、深さ１０〜１００Åまでの平均値で定義され
る。
０におけるＳｉＯｘのＸ値は、１．０〜２．０の範囲、
好ましくは、１．３〜１．９の範囲に設定される。この
値が１．０未満になると、透明性が悪くなったり、絶縁
性が乏しくなったりしてプラズマディスプレイパネルと
して好ましくない特性傾向が生じる。また、この値が大
きくなると水蒸気および酸素バリア性が悪くなる傾向が
生じ、ＭｇＯ表面の保護が十分でなくなるという不都合
が生じる。なお、Ｘ値は、ＥＳＣＡによる測定で、膜表
面から、深さ１０〜１００Åまでの平均値で定義され
る。
【００３０】また、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層３０の
膜厚は、２００〜１０００Å、好ましくは、２００〜５
００Åに設定するのがよい。この値が２００Å未満とな
ると、十分なバリア機能が発揮できなくなるという不都
合が生じ、また、この値が１０００Åを超えると、過剰
の膜厚となり経済的にも好ましくないし、また、セル発
光によりスパッタ（いわゆるエージング）された酸化シ
リコンの飛散成分がセル内に多く存在するようになり特
性に悪影響を及ぼすおそれがある。
膜厚は、２００〜１０００Å、好ましくは、２００〜５
００Åに設定するのがよい。この値が２００Å未満とな
ると、十分なバリア機能が発揮できなくなるという不都
合が生じ、また、この値が１０００Åを超えると、過剰
の膜厚となり経済的にも好ましくないし、また、セル発
光によりスパッタ（いわゆるエージング）された酸化シ
リコンの飛散成分がセル内に多く存在するようになり特
性に悪影響を及ぼすおそれがある。
【００３１】このような酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層３
０は、ＭｇＯ保護層７を真空成膜した後に、同じ真成膜
槽内にて引き続き連続的に真空成膜されることが好まし
い。ＭｇＯ保護層７表面の潮解反応および汚染を効率く
防止するためである。真空成膜法としては、例えば、ス
パッタ、ＥＢ蒸着等が挙げられる。
０は、ＭｇＯ保護層７を真空成膜した後に、同じ真成膜
槽内にて引き続き連続的に真空成膜されることが好まし
い。ＭｇＯ保護層７表面の潮解反応および汚染を効率く
防止するためである。真空成膜法としては、例えば、ス
パッタ、ＥＢ蒸着等が挙げられる。
【００３２】このようにしてＭｇＯ保護層７表面を酸化
シリコン（ＳｉＯｘ）層３０で覆うことによりＭｇＯ表
面は大気に晒されることなく、次ぎの封着工程に移行す
ることができる。
シリコン（ＳｉＯｘ）層３０で覆うことによりＭｇＯ表
面は大気に晒されることなく、次ぎの封着工程に移行す
ることができる。
【００３３】封着工程では、図１に示されるように上述
してきた前面板ユニット１００と、前記蛍光体層９を有
する背面板ユニット２００とが封着され、密封されたセ
ルが構成される。この封着工程でプラズマディスプレイ
パネルの形態が完成する。
してきた前面板ユニット１００と、前記蛍光体層９を有
する背面板ユニット２００とが封着され、密封されたセ
ルが構成される。この封着工程でプラズマディスプレイ
パネルの形態が完成する。
【００３４】このようにして封着工程を経て形成された
プラズマディスプレイパネルは、このまま製品として使
用可能であるが、一般には、封着後にエージング工程を
設け、このエージング工程で、予め酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏｘ）層３０をスパッタ（セル内を発光させると必然的
にスパッタされる）により除去することが望ましい。Ｍ
ｇＯを露出させて放電性能を高めるためである。このエ
ージング工程は、セル中に封入されたＮｅやＸｅ等の封
入ガスにより、例えば圧力３００ｍＴｏｒｒ、放電電圧
２１０Ｖ、エージング時間１０時間で行なわれる。酸化
シリコン層３０はＭｇＯに比べて比較的容易にスパッタ
（エージング）により除去される。このエージング処理
により、セル内にはプラズマ放電に起因して飛散した前
記酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層成分が存在していること
が確認されている。
プラズマディスプレイパネルは、このまま製品として使
用可能であるが、一般には、封着後にエージング工程を
設け、このエージング工程で、予め酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏｘ）層３０をスパッタ（セル内を発光させると必然的
にスパッタされる）により除去することが望ましい。Ｍ
ｇＯを露出させて放電性能を高めるためである。このエ
ージング工程は、セル中に封入されたＮｅやＸｅ等の封
入ガスにより、例えば圧力３００ｍＴｏｒｒ、放電電圧
２１０Ｖ、エージング時間１０時間で行なわれる。酸化
シリコン層３０はＭｇＯに比べて比較的容易にスパッタ
（エージング）により除去される。このエージング処理
により、セル内にはプラズマ放電に起因して飛散した前
記酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層成分が存在していること
が確認されている。
【００３５】また、仮に、エージング工程を設けること
なく、製品出荷としても、実際の使用時間の経過ととも
に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層３０は除去される傾向
にあり、セル内には、プラズマ放電に起因して飛散した
前記酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層成分が存在する。
なく、製品出荷としても、実際の使用時間の経過ととも
に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層３０は除去される傾向
にあり、セル内には、プラズマ放電に起因して飛散した
前記酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層成分が存在する。
【００３６】
【実施例】以下に具体的実施例を示し、本発明をさらに
詳細に説明する。 ［実験例Ｉ］
詳細に説明する。 ［実験例Ｉ］
【００３７】（実施例1）
【００３８】コーニング１７３７ガラス基板の上にＭｇ
Ｏ保護層を厚さ５０００ÅにＥＢ蒸着法で成膜した。Ｍ
ｇＯ保護層の成膜条件としては、作動圧力（成膜真空
度）５×１０−５Ｔｏｒｒ、加速電圧６．１ｋＶ、基板
温度１００℃とした。
Ｏ保護層を厚さ５０００ÅにＥＢ蒸着法で成膜した。Ｍ
ｇＯ保護層の成膜条件としては、作動圧力（成膜真空
度）５×１０−５Ｔｏｒｒ、加速電圧６．１ｋＶ、基板
温度１００℃とした。
【００３９】次いで、このように成膜したＭｇＯ保護層
の上に、同一の成膜装置を用いて連続的に厚さ５００Å
の酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層を反応性スパッタ法で成
膜し、実施例1のサンプルを作製した。ＳｉＯｘ層の成
膜条件としては、作動圧力（成膜真空度）３．８×１０
−４Ｔｏｒｒ、導入アルゴン（Ａｒ）ガス流量１７ｓｃ
ｃＭ、導入酸素（Ｏ２）ガス流量５ｓｃｃＭ、放電圧力
０．２ｋＷとした。
の上に、同一の成膜装置を用いて連続的に厚さ５００Å
の酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層を反応性スパッタ法で成
膜し、実施例1のサンプルを作製した。ＳｉＯｘ層の成
膜条件としては、作動圧力（成膜真空度）３．８×１０
−４Ｔｏｒｒ、導入アルゴン（Ａｒ）ガス流量１７ｓｃ
ｃＭ、導入酸素（Ｏ２）ガス流量５ｓｃｃＭ、放電圧力
０．２ｋＷとした。
【００４０】ＳｉＯｘのＸ値をＥＳＣＡ（ＶＧ ＳＣＩ
ＥＮＴＩＦＩＣ社製、ＥＳＣＡＬＡＢ Ｍｋ ＩＩ）で
測定したところ、Ｘ＝１．９であった。この時の測定条
件は、Ｘ線源：Ａｌｋα、Ｘ線出力：１５ｋＶ・２０ｍ
Ａ、測定領域：１０ｍｍΦ、光電子脱出角度：９０度で
あった。
ＥＮＴＩＦＩＣ社製、ＥＳＣＡＬＡＢ Ｍｋ ＩＩ）で
測定したところ、Ｘ＝１．９であった。この時の測定条
件は、Ｘ線源：Ａｌｋα、Ｘ線出力：１５ｋＶ・２０ｍ
Ａ、測定領域：１０ｍｍΦ、光電子脱出角度：９０度で
あった。
【００４１】（実施例２〜４）
【００４２】上記実施例１において、酸化シリコン（Ｓ
ｉＯｘ）層を形成する際の導入酸素（Ｏ２）ガス流量を
種々変えて酸化度の異なる酸化シリコン層を設けた。そ
れ以外は上記実施例１と同様にして、Ｘ＝１．６（実施
例２サンプル）、Ｘ＝１．３（実施例３サンプル）、Ｘ
＝１．１（実施例４サンプル）のサンプルをそれぞれ作
製した。
ｉＯｘ）層を形成する際の導入酸素（Ｏ２）ガス流量を
種々変えて酸化度の異なる酸化シリコン層を設けた。そ
れ以外は上記実施例１と同様にして、Ｘ＝１．６（実施
例２サンプル）、Ｘ＝１．３（実施例３サンプル）、Ｘ
＝１．１（実施例４サンプル）のサンプルをそれぞれ作
製した。
【００４３】（実施例５および実施例６）
【００４４】上記実施例１において、酸化シリコン（Ｓ
ｉＯｘ）層の厚さを２００Å（実施例５サンプル）、８
００Å（実施例６サンプル）にそれぞれ変えた。それ以
外は上記実施例１と同様にして、実施例５および実施例
６のサンプルを作製した。
ｉＯｘ）層の厚さを２００Å（実施例５サンプル）、８
００Å（実施例６サンプル）にそれぞれ変えた。それ以
外は上記実施例１と同様にして、実施例５および実施例
６のサンプルを作製した。
【００４５】（比較例１）
【００４６】上記実施例１において、酸化シリコン（Ｓ
ｉＯｘ）層を設けなかった。それ以外は、上記実施例１
と同様にして比較例１のサンプルを作製した。
ｉＯｘ）層を設けなかった。それ以外は、上記実施例１
と同様にして比較例１のサンプルを作製した。
【００４７】このように作製した各種サンプル（実施例
１〜６、比較例１）について、下記の要領で加速試験を
行い、（１）外観、および（２）ＳＥＭ表面観察を行っ
た。
１〜６、比較例１）について、下記の要領で加速試験を
行い、（１）外観、および（２）ＳＥＭ表面観察を行っ
た。
【００４８】加速試験 ８０℃、８０％ＲＨの恒温恒湿槽（スガ試験 屋内外温
度差劣化試験機）内にサンプルを６０分間放置した。そ
の後、サンプルを取り出し加速試験後でのサンプルの外
観写真を撮り、予め撮っておいた試験前の状態の外観写
真と比較した。さらに、試験前後におけるサンプルの表
面状態をＳＥＭ（日立製作所製、Ｓ−４５００；測定条
件：加速電圧５ｋＶ，エミッション電流１０μＡ）によ
り比較観察した。試験結果 （１）外観 比較例１のサンプルにおけるＭｇＯ層は、加速試験によ
りその全面が白濁してしまった。これに対して、ＭｇＯ
層の上にＳｉＯｘ層を有する実施例１〜実施例６のサン
プルはいずれもＭｇＯ層全面が透明な状態を維持できて
おり、加速試験前後での変化は見られなかった。 （２）ＳＥＭ表面観察 比較例１のサンプルにおけるＭｇＯ層は、加速試験によ
りその表面がポーラスな（海綿状）構造となっているこ
とが確認された。これに対して、ＭｇＯ層の上にＳｉＯ
ｘ層を有する実施例１〜実施例６のサンプルはいずれ
も、加速試験前後での変化はほとんど見られなかった。
度差劣化試験機）内にサンプルを６０分間放置した。そ
の後、サンプルを取り出し加速試験後でのサンプルの外
観写真を撮り、予め撮っておいた試験前の状態の外観写
真と比較した。さらに、試験前後におけるサンプルの表
面状態をＳＥＭ（日立製作所製、Ｓ−４５００；測定条
件：加速電圧５ｋＶ，エミッション電流１０μＡ）によ
り比較観察した。試験結果 （１）外観 比較例１のサンプルにおけるＭｇＯ層は、加速試験によ
りその全面が白濁してしまった。これに対して、ＭｇＯ
層の上にＳｉＯｘ層を有する実施例１〜実施例６のサン
プルはいずれもＭｇＯ層全面が透明な状態を維持できて
おり、加速試験前後での変化は見られなかった。 （２）ＳＥＭ表面観察 比較例１のサンプルにおけるＭｇＯ層は、加速試験によ
りその表面がポーラスな（海綿状）構造となっているこ
とが確認された。これに対して、ＭｇＯ層の上にＳｉＯ
ｘ層を有する実施例１〜実施例６のサンプルはいずれ
も、加速試験前後での変化はほとんど見られなかった。
【発明の効果】上記の結果より本発明の効果は明らかで
ある。すなわち、本発明は、透明基板と、この基板の上
に形成された電極、誘電体層、およびＭｇＯ保護層を備
えるプラズマディスプレイパネル用前面板ユニットにお
いて、前記ＭｇＯ保護層の上に酸化シリコン（ＳｉＯ
ｘ）層が形成され構成されているので、ＭｇＯの潮解反
応を防止でき、極めて保存性に優れるプラズマディスプ
レイパネル用前面板ユニットを提供することができ、取
り扱い、作業性も良好である。このような効果はパネル
サイズの大型化が図られたとしても極めて有効に作用す
るものである。また、ＳｉＯｘは、ＭｇＯに比べてスパ
ッタ率（atoms/ion）が４倍以上（Ａｒイオン６００ｅ
Ｖ）高いので、従来行なわれていたエージング時間の短
縮化が図られる傾向にある（なお、ＳｉＯｘを設けた場
合、ＭｇＯ表面のエージングは汚染がないので不要）。
ある。すなわち、本発明は、透明基板と、この基板の上
に形成された電極、誘電体層、およびＭｇＯ保護層を備
えるプラズマディスプレイパネル用前面板ユニットにお
いて、前記ＭｇＯ保護層の上に酸化シリコン（ＳｉＯ
ｘ）層が形成され構成されているので、ＭｇＯの潮解反
応を防止でき、極めて保存性に優れるプラズマディスプ
レイパネル用前面板ユニットを提供することができ、取
り扱い、作業性も良好である。このような効果はパネル
サイズの大型化が図られたとしても極めて有効に作用す
るものである。また、ＳｉＯｘは、ＭｇＯに比べてスパ
ッタ率（atoms/ion）が４倍以上（Ａｒイオン６００ｅ
Ｖ）高いので、従来行なわれていたエージング時間の短
縮化が図られる傾向にある（なお、ＳｉＯｘを設けた場
合、ＭｇＯ表面のエージングは汚染がないので不要）。
【図１】ＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示す斜視図である。
【図２】図１の前面板ユニットの構造を説明するための
断面図である
断面図である
１…前面板 ２…背面板 ３…隔壁 ４…維持電極 ５…バス電極 ６…誘電体層 ７…ＭｇＯ層 ８…アドレス電極 ３０…酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層 １００…前面板ユニット ２００…背面板ユニット
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、この基板の上に形成された電
極、誘電体層、およびＭｇＯ保護層を備えるプラズマデ
ィスプレイパネル用前面板ユニットにおいて、 前記ＭｇＯ保護層の上に酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層が
形成されてなることを特徴とするプラズマディスプレイ
パネル用前面板ユニット。 - 【請求項２】 前記酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層におけ
るＳｉＯｘのＸ値が、１．０〜２．０である請求項１に
記載のプラズマディスプレイパネル用前面板ユニット。 - 【請求項３】 前記酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層におけ
るＳｉＯｘのＸ値が、１．３〜１．９である請求項１に
記載のプラズマディスプレイパネル用前面板ユニット。 - 【請求項４】 前記酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層の膜厚
が、２００〜１０００Åである請求項１ないし請求項３
のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用前面
板ユニット。 - 【請求項５】 前記酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層は、前
記ＭｇＯ保護層の形成後に連続的に真空成膜されてなる
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のプラズマデ
ィスプレイパネル用前面板ユニット。 - 【請求項６】 前記請求項１ないし請求項５のいずれか
に記載のプラズマディスプレイパネル用前面板ユニット
と、蛍光体層を有するプラズマディスプレイパネル用背
面板ユニットとを備え、これらの一対のユニットが密封
されたセルを構成するように固着されてなることを特徴
とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項７】 前記セル内には、プラズマ放電に起因し
て飛散した前記酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層成分が存在
してなる請求項６に記載のプラズマディスプレイパネ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10380599A JP3563994B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | プラズマディスプレイパネル用前面板ユニットおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10380599A JP3563994B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | プラズマディスプレイパネル用前面板ユニットおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294153A true JP2000294153A (ja) | 2000-10-20 |
| JP3563994B2 JP3563994B2 (ja) | 2004-09-08 |
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|---|---|---|---|
| JP10380599A Expired - Fee Related JP3563994B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | プラズマディスプレイパネル用前面板ユニットおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
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| JP (1) | JP3563994B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003109512A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| KR100670246B1 (ko) | 2004-07-13 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 산화된 다공성 실리콘을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널및 평판 램프 |
| US7166961B2 (en) * | 2002-10-10 | 2007-01-23 | Lg Electronics, Inc. | Protective film of plasma display panel and method of fabricating the same |
| US7408300B2 (en) | 2004-02-26 | 2008-08-05 | Sony Corporation | Alternating current driven type plasma display device and production method therefor |
| US7439675B2 (en) * | 2003-04-22 | 2008-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel having a magnesium oxide protective film and method for producing same |
| WO2009044456A1 (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法、並びに放電安定化粉体 |
| JP2011060783A (ja) * | 2010-12-24 | 2011-03-24 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8692463B2 (en) | 2008-11-28 | 2014-04-08 | Hitachi Consumer Electronics Co., Ltd. | Plasma display panel having inert film and manufacturing method |
-
1999
- 1999-04-12 JP JP10380599A patent/JP3563994B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2003109512A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP4736294B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2011-07-27 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| US7166961B2 (en) * | 2002-10-10 | 2007-01-23 | Lg Electronics, Inc. | Protective film of plasma display panel and method of fabricating the same |
| US7439675B2 (en) * | 2003-04-22 | 2008-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel having a magnesium oxide protective film and method for producing same |
| US7408300B2 (en) | 2004-02-26 | 2008-08-05 | Sony Corporation | Alternating current driven type plasma display device and production method therefor |
| KR100670246B1 (ko) | 2004-07-13 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 산화된 다공성 실리콘을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널및 평판 램프 |
| WO2009044456A1 (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法、並びに放電安定化粉体 |
| JP4945641B2 (ja) * | 2007-10-02 | 2012-06-06 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| US8207672B2 (en) | 2007-10-02 | 2012-06-26 | Hitachi, Ltd | Plasma display panel having a discharge stabilizer powder and method of manufacturing the same |
| JP2011060783A (ja) * | 2010-12-24 | 2011-03-24 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
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| JP3563994B2 (ja) | 2004-09-08 |
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