JP2003109512A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2003109512A JP2003109512A JP2001296852A JP2001296852A JP2003109512A JP 2003109512 A JP2003109512 A JP 2003109512A JP 2001296852 A JP2001296852 A JP 2001296852A JP 2001296852 A JP2001296852 A JP 2001296852A JP 2003109512 A JP2003109512 A JP 2003109512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma display
- display panel
- magnesium oxide
- covered
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像表示デバイスなどに用いるプラズマディ
スプレイパネルにおいて、画像表示品位を向上させ、そ
の画像表示品位を長期間安定して維持させることを目的
とする。 【解決手段】 主電極対を構成する第１および第２の電
極が放電ガスに対して絶縁層で被覆されたプラズマディ
スプレイパネルであって、前記誘電体ガラス層１３のう
ちの少なくとも前記放電ガスと接する表層として保護膜
１４を設け、その表層の少なくとも一部が、水酸化マグ
ネシウム、炭酸マグネシウム、炭酸水素マグネシウム、
硝酸化マグネシウム、硫酸化マグネシウム等の標準生成
エンタルピーよりも低い値を持つ物質で覆われる構成と
している。
スプレイパネルにおいて、画像表示品位を向上させ、そ
の画像表示品位を長期間安定して維持させることを目的
とする。 【解決手段】 主電極対を構成する第１および第２の電
極が放電ガスに対して絶縁層で被覆されたプラズマディ
スプレイパネルであって、前記誘電体ガラス層１３のう
ちの少なくとも前記放電ガスと接する表層として保護膜
１４を設け、その表層の少なくとも一部が、水酸化マグ
ネシウム、炭酸マグネシウム、炭酸水素マグネシウム、
硝酸化マグネシウム、硫酸化マグネシウム等の標準生成
エンタルピーよりも低い値を持つ物質で覆われる構成と
している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示デバイス
などに用いるプラズマディスプレイパネルおよびその製
造方法に関する。
などに用いるプラズマディスプレイパネルおよびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマディスプレイパネルは、
図６に示すような構成のものが一般的である。
図６に示すような構成のものが一般的である。
【０００３】このプラズマディスプレイパネルは、前面
パネル１００と背面パネル２００とからなる。前面パネ
ル１００は、前面ガラス基板１０１上に走査電極１０２
ａ、維持電極１０２ｂが交互にストライプ状に形成さ
れ、さらにそれが誘電体ガラス層１０３および酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜１０４により覆われ
て形成されたものである。
パネル１００と背面パネル２００とからなる。前面パネ
ル１００は、前面ガラス基板１０１上に走査電極１０２
ａ、維持電極１０２ｂが交互にストライプ状に形成さ
れ、さらにそれが誘電体ガラス層１０３および酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜１０４により覆われ
て形成されたものである。
【０００４】背面パネル２００は、背面ガラス基板２０
１上に、ストライプ状にアドレス電極２０２が形成さ
れ、これを覆うように電極保護層２０３が形成され、更
にアドレス電極２０２を挟むように電極保護層２０３上
にストライプ状に隔壁２０４が形成され、更に隔壁２０
４間に蛍光体層２０５が設けられて形成されたものであ
る。そして、このような前面パネル１００と背面パネル
２００とが貼り合わせられ、隔壁２０４で仕切られた空
間２１０に放電ガスを封入することで放電空間が形成さ
れる。前記蛍光体層はカラー表示のために通常、赤、
緑、青の３色の蛍光体層が順に配置されている。
１上に、ストライプ状にアドレス電極２０２が形成さ
れ、これを覆うように電極保護層２０３が形成され、更
にアドレス電極２０２を挟むように電極保護層２０３上
にストライプ状に隔壁２０４が形成され、更に隔壁２０
４間に蛍光体層２０５が設けられて形成されたものであ
る。そして、このような前面パネル１００と背面パネル
２００とが貼り合わせられ、隔壁２０４で仕切られた空
間２１０に放電ガスを封入することで放電空間が形成さ
れる。前記蛍光体層はカラー表示のために通常、赤、
緑、青の３色の蛍光体層が順に配置されている。
【０００５】そして、放電空間２１０内には、例えばネ
オンおよびキセノンを混合してなる放電ガスが、通常
０．６７×１０5Ｐａ程度の圧力で封入されている。
オンおよびキセノンを混合してなる放電ガスが、通常
０．６７×１０5Ｐａ程度の圧力で封入されている。
【０００６】次に、前記プラズマディスプレイパネルの
駆動方式について説明する。
駆動方式について説明する。
【０００７】図７は、前記プラズマディスプレイパネル
の駆動回路の構成を示したブロック図である。
の駆動回路の構成を示したブロック図である。
【０００８】当該駆動回路は、アドレス電極駆動部２２
０と、走査電極駆動部２３０と、維持電極駆動部２４０
とから構成されている。
０と、走査電極駆動部２３０と、維持電極駆動部２４０
とから構成されている。
【０００９】プラズマディスプレイパネルのアドレス電
極２０２にアドレス電極駆動部２２０が接続され、走査
電極１０２ａに走査電極駆動部２３０が接続され、維持
電極１０２ｂに維持電極駆動部２４０が接続されてい
る。
極２０２にアドレス電極駆動部２２０が接続され、走査
電極１０２ａに走査電極駆動部２３０が接続され、維持
電極１０２ｂに維持電極駆動部２４０が接続されてい
る。
【００１０】一般に交流型のプラズマディスプレイパネ
ルでは１フレームの映像を複数のサブフィールド（Ｓ
Ｆ）に分割することによって階調表現をする方式が用い
られている。そして、この方式ではセル中の気体の放電
を制御するために１ＳＦを更に４つの期間に分割する。
この４つの期間について図８を使用して説明する。図８
は、１ＳＦ中の駆動波形である。
ルでは１フレームの映像を複数のサブフィールド（Ｓ
Ｆ）に分割することによって階調表現をする方式が用い
られている。そして、この方式ではセル中の気体の放電
を制御するために１ＳＦを更に４つの期間に分割する。
この４つの期間について図８を使用して説明する。図８
は、１ＳＦ中の駆動波形である。
【００１１】この図８において、セットアップ期間２５
０では放電を生じやすくするためにＰＤＰ内の全セルに
均一的に壁電荷を蓄積させる。アドレス期間２６０では
点灯させるセルの書き込み放電を行う。サステイン期間
２７０では前記アドレス期間２６０で書き込まれたセル
を点灯させその点灯を維持させる。イレース期間２８０
では壁電荷を消去させることによってセルの点灯を停止
させる。
０では放電を生じやすくするためにＰＤＰ内の全セルに
均一的に壁電荷を蓄積させる。アドレス期間２６０では
点灯させるセルの書き込み放電を行う。サステイン期間
２７０では前記アドレス期間２６０で書き込まれたセル
を点灯させその点灯を維持させる。イレース期間２８０
では壁電荷を消去させることによってセルの点灯を停止
させる。
【００１２】セットアップ期間２５０では、走査電極１
０２ａにアドレス電極２０２および維持電極１０２ｂに
比べ高い電圧を印加しセル内の気体を放電させる。それ
によって発生した電荷はアドレス電極２０２、走査電極
１０２ａおよび維持電極１０２ｂ間の電位差を打ち消す
ようにセルの壁面に蓄積されるので、走査電極１０２ａ
付近の保護膜表面には負の電荷が壁電荷として蓄積さ
れ、またアドレス電極付近の蛍光体層表面および維持電
極付近の保護膜表面には正の電荷が壁電荷として蓄積さ
れる。この壁電荷により走査電極−アドレス電極間、走
査電極−維持電極間には所定の値の壁電位が生じる。
０２ａにアドレス電極２０２および維持電極１０２ｂに
比べ高い電圧を印加しセル内の気体を放電させる。それ
によって発生した電荷はアドレス電極２０２、走査電極
１０２ａおよび維持電極１０２ｂ間の電位差を打ち消す
ようにセルの壁面に蓄積されるので、走査電極１０２ａ
付近の保護膜表面には負の電荷が壁電荷として蓄積さ
れ、またアドレス電極付近の蛍光体層表面および維持電
極付近の保護膜表面には正の電荷が壁電荷として蓄積さ
れる。この壁電荷により走査電極−アドレス電極間、走
査電極−維持電極間には所定の値の壁電位が生じる。
【００１３】アドレス期間２６０では、セルを点灯させ
る場合には走査電極１０２ａにアドレス電極２０２およ
び維持電極１０２ｂに比べ低い電圧を印加させることに
より、つまり走査電極−アドレス電極間には前記壁電位
と同方向に電圧を印加させるとともに、走査電極−維持
電極間に壁電位と同方向に電圧を印加させることにより
書き込み放電を生じさせる。これにより、蛍光体層表
面、保護膜表面には負の電荷が蓄積され、走査側電極付
近の保護膜表面には正の電荷が壁電荷として蓄積され
る。これにより、維持−走査電極間には所定の値の壁電
位が生じる。
る場合には走査電極１０２ａにアドレス電極２０２およ
び維持電極１０２ｂに比べ低い電圧を印加させることに
より、つまり走査電極−アドレス電極間には前記壁電位
と同方向に電圧を印加させるとともに、走査電極−維持
電極間に壁電位と同方向に電圧を印加させることにより
書き込み放電を生じさせる。これにより、蛍光体層表
面、保護膜表面には負の電荷が蓄積され、走査側電極付
近の保護膜表面には正の電荷が壁電荷として蓄積され
る。これにより、維持−走査電極間には所定の値の壁電
位が生じる。
【００１４】サステイン期間２７０では、走査電極１０
２ａに維持電極１０２ｂに比べ高い電圧を印加させるこ
とにより、つまり維持電極−走査電極間に前記壁電位と
同方向に電圧を印加させることにより維持放電を生じさ
せる。これによりセル点灯を開始させることができる。
そして、維持電極−走査電極交互に極性が入れ替わるよ
うにパルスを印加することにより断続的にパルス発光さ
せることができる。
２ａに維持電極１０２ｂに比べ高い電圧を印加させるこ
とにより、つまり維持電極−走査電極間に前記壁電位と
同方向に電圧を印加させることにより維持放電を生じさ
せる。これによりセル点灯を開始させることができる。
そして、維持電極−走査電極交互に極性が入れ替わるよ
うにパルスを印加することにより断続的にパルス発光さ
せることができる。
【００１５】イレース期間２８０では、幅の狭い消去パ
ルスを維持電極１０２ｂに印加することによって不完全
な放電が発生し壁電荷が消滅するため消去が行われる。
ルスを維持電極１０２ｂに印加することによって不完全
な放電が発生し壁電荷が消滅するため消去が行われる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】このように、プラズマ
ディスプレイパネルは壁電荷を形成し、それによって生
じた電位を利用して、放電に必要な電圧値を下げること
を可能とした駆動方法を用いている。ところが、放電空
間内に放電ガス以外の不純物ガスが存在した場合、ある
いは保護膜がそのガス等によって変質した場合、この壁
電荷を消去してしまう作用が生じてしまう。この作用に
より、通常の印加電圧ではアドレス放電の放電開始電圧
に達せず、点灯・非点灯の選択がされないセルが発生す
る。すなわち維持放電が起こらず点灯不良となり、画像
表示の際の不灯・ちらつきとなる。
ディスプレイパネルは壁電荷を形成し、それによって生
じた電位を利用して、放電に必要な電圧値を下げること
を可能とした駆動方法を用いている。ところが、放電空
間内に放電ガス以外の不純物ガスが存在した場合、ある
いは保護膜がそのガス等によって変質した場合、この壁
電荷を消去してしまう作用が生じてしまう。この作用に
より、通常の印加電圧ではアドレス放電の放電開始電圧
に達せず、点灯・非点灯の選択がされないセルが発生す
る。すなわち維持放電が起こらず点灯不良となり、画像
表示の際の不灯・ちらつきとなる。
【００１７】また、この壁電荷消去の現象は経時的に程
度を増して進行するため、点灯しようとするセルを選択
する順が遅い箇所、すなわち走査が遅い箇所に顕著に現
れる。図８を用いて示すならば、セットアップ期間２５
０での壁電荷を蓄積させてから、アドレス期間２６０で
のアドレス放電までの時間が長い箇所において、この現
象はより顕著に現れてくることになる。
度を増して進行するため、点灯しようとするセルを選択
する順が遅い箇所、すなわち走査が遅い箇所に顕著に現
れる。図８を用いて示すならば、セットアップ期間２５
０での壁電荷を蓄積させてから、アドレス期間２６０で
のアドレス放電までの時間が長い箇所において、この現
象はより顕著に現れてくることになる。
【００１８】ところで、テレビ映像を表示する場合、１
フィールド＝１／６０［ｓ］内で全てのシーケンスを終
了させる必要があり、将来的には、セル構造の高精細化
がすすむことに伴い、走査線数が増加することになる。
すなわちこの現象がより一層顕著になって現れてくるこ
とになる。
フィールド＝１／６０［ｓ］内で全てのシーケンスを終
了させる必要があり、将来的には、セル構造の高精細化
がすすむことに伴い、走査線数が増加することになる。
すなわちこの現象がより一層顕著になって現れてくるこ
とになる。
【００１９】また、さらにはこのような放電空間中の不
純物ガスの存在は、蛍光体の劣化、保護膜の放電による
耐摩耗性（スパッタ性）の低下を促進させることにもな
り、このことは画像表示品位の寿命劣化が促進すること
につながる。
純物ガスの存在は、蛍光体の劣化、保護膜の放電による
耐摩耗性（スパッタ性）の低下を促進させることにもな
り、このことは画像表示品位の寿命劣化が促進すること
につながる。
【００２０】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
放電空間への不純物ガスの取り込みを防止するのに効果
的な構造を備えたプラズマディスプレイパネルおよびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
放電空間への不純物ガスの取り込みを防止するのに効果
的な構造を備えたプラズマディスプレイパネルおよびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明は、保護膜の表層の少なくとも一部が、
保護膜の母材の水酸化物、炭酸化物、硝酸化物および硫
酸化物のうちのいずれかよりも標準生成エンタルピー値
が低い物質で覆われている構成としたものである。
るために本発明は、保護膜の表層の少なくとも一部が、
保護膜の母材の水酸化物、炭酸化物、硝酸化物および硫
酸化物のうちのいずれかよりも標準生成エンタルピー値
が低い物質で覆われている構成としたものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】まず、このような放電空間への不
純物ガスの取り込みは、下記の３点の状態が考えられ
る。
純物ガスの取り込みは、下記の３点の状態が考えられ
る。
【００２３】
１．前面パネルの保護膜に不純物ガスが吸着している場
合 ２．背面パネルの蛍光体に不純物ガスが吸着している場
合 ３．前面パネル、背面パネル貼り合わせ後の排気工程が
不十分である場合 上記１、２の場合、例えばＨ2Ｏ、ＣＯ2といった大気中
に存在するガスが吸着する物質として考えられる。特に
１においての状況は深刻である。
合 ２．背面パネルの蛍光体に不純物ガスが吸着している場
合 ３．前面パネル、背面パネル貼り合わせ後の排気工程が
不十分である場合 上記１、２の場合、例えばＨ2Ｏ、ＣＯ2といった大気中
に存在するガスが吸着する物質として考えられる。特に
１においての状況は深刻である。
【００２４】保護膜が従来のＭｇＯであった場合、この
ようなガスが吸着すると、吸着によってＭｇ（Ｏ
Ｈ）2、ＭｇＣＯ3等に変質すると考えられる。これらの
物質は、ＭｇＯから解離するのに必要なエネルギーが非
常に高い。そのため、貼り合わせ工程以前にこのような
ＭｇＯ膜の変質があった場合、その後の封着・排気等の
熱工程ではほとんど解離されなくなる。
ようなガスが吸着すると、吸着によってＭｇ（Ｏ
Ｈ）2、ＭｇＣＯ3等に変質すると考えられる。これらの
物質は、ＭｇＯから解離するのに必要なエネルギーが非
常に高い。そのため、貼り合わせ工程以前にこのような
ＭｇＯ膜の変質があった場合、その後の封着・排気等の
熱工程ではほとんど解離されなくなる。
【００２５】ところが、これらＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣ
Ｏ3等は放電によるイオン衝撃等のエネルギーによって
ようやく解離し、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2といった形、あるいはそ
のイオンの形にて放出される。すなわち、パネル形成後
の画像表示時に、ようやくこれら変質層は不純物ガスと
なって放出されることになり、放電空間に残留すること
になる。
Ｏ3等は放電によるイオン衝撃等のエネルギーによって
ようやく解離し、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2といった形、あるいはそ
のイオンの形にて放出される。すなわち、パネル形成後
の画像表示時に、ようやくこれら変質層は不純物ガスと
なって放出されることになり、放電空間に残留すること
になる。
【００２６】よって、前述したような不純物ガスの影響
が画像表示品位の劣化、その寿命劣化となって現れてく
る。
が画像表示品位の劣化、その寿命劣化となって現れてく
る。
【００２７】また、さらに保護膜の膜成長が、柱状構造
のような膜厚方向に対して垂直に界面が存在するような
形態の場合、この柱状構造の界面にもＭｇ（ＯＨ）2、
ＭｇＣＯ3は形成されると考えられる。この界面に形成
された変質層は、放電によって保護膜が摩耗される（イ
オン衝撃によってスパッタされる）と同時に、Ｈ2Ｏ、
ＣＯ2への解離が随時進行し、放電空間への不純物ガス
の供給が常時行われることになる。つまり、画像表示デ
バイスとして使用する時間とともに画像表示品位劣化が
促進されることになる。
のような膜厚方向に対して垂直に界面が存在するような
形態の場合、この柱状構造の界面にもＭｇ（ＯＨ）2、
ＭｇＣＯ3は形成されると考えられる。この界面に形成
された変質層は、放電によって保護膜が摩耗される（イ
オン衝撃によってスパッタされる）と同時に、Ｈ2Ｏ、
ＣＯ2への解離が随時進行し、放電空間への不純物ガス
の供給が常時行われることになる。つまり、画像表示デ
バイスとして使用する時間とともに画像表示品位劣化が
促進されることになる。
【００２８】従って、この課題に対する根本的対策とし
ては、貼り合わせ工程以前に、このようなＨ2Ｏ、ＣＯ2
の保護膜のＭｇＯへの吸着をさせなければ、上記のよう
な様々な画像表示品位の劣化を防止することができる。
ては、貼り合わせ工程以前に、このようなＨ2Ｏ、ＣＯ2
の保護膜のＭｇＯへの吸着をさせなければ、上記のよう
な様々な画像表示品位の劣化を防止することができる。
【００２９】このための方法として、Ｍｇ（ＯＨ）2、
ＭｇＣＯ3等よりも化学的に安定な物質で、これら変質
層が形成される前にＭｇＯを覆うことが効果的であると
考えられる。
ＭｇＣＯ3等よりも化学的に安定な物質で、これら変質
層が形成される前にＭｇＯを覆うことが効果的であると
考えられる。
【００３０】従って、本発明者らは、新たな工程を全く
加えることなく変質層であるＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3
を生成させない保護膜材料を模索した結果、本発明に想
到した。
加えることなく変質層であるＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3
を生成させない保護膜材料を模索した結果、本発明に想
到した。
【００３１】なお、上記説明においてはＭｇＯからの変
質層としてＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3のみについて記述
したが、これら以外にも、大気中のガスの吸着によっ
て、ＭｇＯはＭｇ（ＮＯ3）2、ＭｇＳＯ4、Ｍｇ（ＨＣ
Ｏ3）2等への変質も考えられるが、本発明を実施するこ
とによってこれらの変質層の形成についても同様に防止
することができ、かつ同様の効果が得られる。
質層としてＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3のみについて記述
したが、これら以外にも、大気中のガスの吸着によっ
て、ＭｇＯはＭｇ（ＮＯ3）2、ＭｇＳＯ4、Ｍｇ（ＨＣ
Ｏ3）2等への変質も考えられるが、本発明を実施するこ
とによってこれらの変質層の形成についても同様に防止
することができ、かつ同様の効果が得られる。
【００３２】すなわち、本発明では、主電極対を構成す
る第１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆
われ、前記絶縁層が保護膜で覆われたプラズマディスプ
レイパネルであって、前記保護膜の表層の少なくとも一
部が、前記保護膜の母材の水酸化物、炭酸化物、硝酸化
物、硫酸化物のうちのいずれかよりも標準生成エンタル
ピー値が大きい物質で覆われていることを特徴とする。
る第１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆
われ、前記絶縁層が保護膜で覆われたプラズマディスプ
レイパネルであって、前記保護膜の表層の少なくとも一
部が、前記保護膜の母材の水酸化物、炭酸化物、硝酸化
物、硫酸化物のうちのいずれかよりも標準生成エンタル
ピー値が大きい物質で覆われていることを特徴とする。
【００３３】また、本発明では、前記保護膜が酸化マグ
ネシウム［ＭｇＯ］であることを特徴とする。
ネシウム［ＭｇＯ］であることを特徴とする。
【００３４】さらに、本発明では、前記酸化マグネシウ
ムの表層の少なくとも一部が、水酸化マグネシウム［Ｍ
ｇ（ＯＨ）2］、炭酸マグネシウム［ＭｇＣＯ3］、炭酸
水素マグネシウム［Ｍｇ（ＨＣＯ3）2］、硝酸化マグネ
シウム［Ｍｇ（ＮＯ3）2］および硫酸化マグネシウム
［ＭｇＳＯ4］のうちのいずれかよりも標準生成エンタ
ルピー値が低い物質で覆われていることを特徴とする。
ムの表層の少なくとも一部が、水酸化マグネシウム［Ｍ
ｇ（ＯＨ）2］、炭酸マグネシウム［ＭｇＣＯ3］、炭酸
水素マグネシウム［Ｍｇ（ＨＣＯ3）2］、硝酸化マグネ
シウム［Ｍｇ（ＮＯ3）2］および硫酸化マグネシウム
［ＭｇＳＯ4］のうちのいずれかよりも標準生成エンタ
ルピー値が低い物質で覆われていることを特徴とする。
【００３５】また、本発明では、前記酸化マグネシウム
の表層の少なくとも一部が、標準生成エンタルピー値が
−９２５ｋＪ／ｍｏｌよりも低い物質、標準生成エンタ
ルピー値が−１０９６ｋＪ／ｍｏｌよりも低い物質、標
準生成エンタルピー値が−７９１ｋＪ／ｍｏｌよりも低
い物質または標準生成エンタルピー値が−１２８４ｋＪ
／ｍｏｌよりも低い物質で覆われていることを特徴とす
る。
の表層の少なくとも一部が、標準生成エンタルピー値が
−９２５ｋＪ／ｍｏｌよりも低い物質、標準生成エンタ
ルピー値が−１０９６ｋＪ／ｍｏｌよりも低い物質、標
準生成エンタルピー値が−７９１ｋＪ／ｍｏｌよりも低
い物質または標準生成エンタルピー値が−１２８４ｋＪ
／ｍｏｌよりも低い物質で覆われていることを特徴とす
る。
【００３６】また、本発明では前記酸化マグネシウムの
表層の少なくとも一部が、燐［Ｐ］または珪素［Ｓｉ］
を含む物質で覆われていることを特徴とする。そして、
その燐を含む物質は、Ｍｇ3（ＰＯ4）2であり、前記珪
素を含む物質は、ＭｇＳｉＯ3およびＭｇ2ＳｉＯ4の少
なくとも一方である。
表層の少なくとも一部が、燐［Ｐ］または珪素［Ｓｉ］
を含む物質で覆われていることを特徴とする。そして、
その燐を含む物質は、Ｍｇ3（ＰＯ4）2であり、前記珪
素を含む物質は、ＭｇＳｉＯ3およびＭｇ2ＳｉＯ4の少
なくとも一方である。
【００３７】また、本発明では、主電極対を構成する第
１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆わ
れ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマ
ディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウムに
燐［Ｐ］を含んでいることを特徴とする。そして、その
酸化マグネシウムに含まれる燐の濃度が、１００〜１５
０００ｐｐｍの範囲内であることを特徴とする。
１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆わ
れ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマ
ディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウムに
燐［Ｐ］を含んでいることを特徴とする。そして、その
酸化マグネシウムに含まれる燐の濃度が、１００〜１５
０００ｐｐｍの範囲内であることを特徴とする。
【００３８】また、前記酸化マグネシウムに含まれる燐
の濃度は、前記酸化マグネシウムの膜の成長方向に対し
て分布差を有することを特徴とし、さらに前記酸化マグ
ネシウムに含まれる燐の濃度の分布差は、前記誘電体層
側と比較して前記放電ガスと接する側の濃度が密である
ことを特徴とする。
の濃度は、前記酸化マグネシウムの膜の成長方向に対し
て分布差を有することを特徴とし、さらに前記酸化マグ
ネシウムに含まれる燐の濃度の分布差は、前記誘電体層
側と比較して前記放電ガスと接する側の濃度が密である
ことを特徴とする。
【００３９】また、前記酸化マグネシウムの膜は、燐を
含む層と、燐を含まない層との多層構造であることを特
徴としている。
含む層と、燐を含まない層との多層構造であることを特
徴としている。
【００４０】また、本発明では、主電極対を構成する第
１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆わ
れ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマ
ディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウム
に、珪素［Ｓｉ］を１００００〜１５０００ｐｐｍの範
囲内の割合で含んでいることを特徴とする。
１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆わ
れ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマ
ディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウム
に、珪素［Ｓｉ］を１００００〜１５０００ｐｐｍの範
囲内の割合で含んでいることを特徴とする。
【００４１】さらに、本発明では、主電極対を構成する
第１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆わ
れ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマ
ディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウム
に、珪素［Ｓｉ］を５００〜１５０００ｐｐｍの範囲内
の割合で含み、かつ前記酸化マグネシウムに含まれる珪
素の濃度が、前記酸化マグネシウムの成長方向に対して
分布差があることを特徴とする。そして、その酸化マグ
ネシウムに含まれる珪素の濃度の分布差が前記誘電体側
と比較して前記放電ガスと接する側の濃度が密であるこ
とを特徴とする。また、前記酸化マグネシウムの膜は、
珪素を含有する層と、珪素を含有しない層との多層構造
であることを特徴とする。
第１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆わ
れ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマ
ディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウム
に、珪素［Ｓｉ］を５００〜１５０００ｐｐｍの範囲内
の割合で含み、かつ前記酸化マグネシウムに含まれる珪
素の濃度が、前記酸化マグネシウムの成長方向に対して
分布差があることを特徴とする。そして、その酸化マグ
ネシウムに含まれる珪素の濃度の分布差が前記誘電体側
と比較して前記放電ガスと接する側の濃度が密であるこ
とを特徴とする。また、前記酸化マグネシウムの膜は、
珪素を含有する層と、珪素を含有しない層との多層構造
であることを特徴とする。
【００４２】また、本発明では、主電極対を構成する第
１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆わ
れ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマ
ディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウム
に、燐および珪素が含まれていることを特徴とする。そ
して、その酸化マグネシウムに含まれる燐および珪素の
濃度は、それぞれ、燐が１００〜１５０００ｐｐｍ、珪
素が５００〜１５０００ｐｐｍの範囲内であることを特
徴とする。
１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆わ
れ、前記絶縁層が酸化マグネシウムで覆われたプラズマ
ディスプレイパネルであって、前記酸化マグネシウム
に、燐および珪素が含まれていることを特徴とする。そ
して、その酸化マグネシウムに含まれる燐および珪素の
濃度は、それぞれ、燐が１００〜１５０００ｐｐｍ、珪
素が５００〜１５０００ｐｐｍの範囲内であることを特
徴とする。
【００４３】さらに、前記酸化マグネシウムに含まれる
燐および珪素の濃度は、それぞれ前記酸化マグネシウム
の膜の成長方向に対して分布差があることを特徴とし、
また、前記酸化マグネシウムに含まれる燐および珪素の
濃度の分布差は前記誘電体側と比較して前記放電ガスと
接する側の濃度が密であることを特徴としている。ま
た、前記酸化マグネシウムの膜は、燐および珪素を含む
層と、燐、珪素いずれかを含む層と、燐および珪素を含
まない層との多層構造であることを特徴とする。
燐および珪素の濃度は、それぞれ前記酸化マグネシウム
の膜の成長方向に対して分布差があることを特徴とし、
また、前記酸化マグネシウムに含まれる燐および珪素の
濃度の分布差は前記誘電体側と比較して前記放電ガスと
接する側の濃度が密であることを特徴としている。ま
た、前記酸化マグネシウムの膜は、燐および珪素を含む
層と、燐、珪素いずれかを含む層と、燐および珪素を含
まない層との多層構造であることを特徴とする。
【００４４】さらに、本発明による保護膜は、放電に面
した表面に配設されかつ主構成材料以外に少なくとも１
つの元素を含む保護膜であって、前記主構成材料以外の
元素が、放電のエネルギーにより解離し表面に再付着す
る際に、常に放電に面する表面側に移動するものである
ことを特徴とする。そして、その主構成材料が酸化マグ
ネシウムであり、主構成材料以外の元素が珪素または燐
であることを特徴とする。
した表面に配設されかつ主構成材料以外に少なくとも１
つの元素を含む保護膜であって、前記主構成材料以外の
元素が、放電のエネルギーにより解離し表面に再付着す
る際に、常に放電に面する表面側に移動するものである
ことを特徴とする。そして、その主構成材料が酸化マグ
ネシウムであり、主構成材料以外の元素が珪素または燐
であることを特徴とする。
【００４５】さらに、本発明では、この保護膜により、
プラズマディスプレイパネルの電極を覆う絶縁層を覆う
ことを特徴とする。
プラズマディスプレイパネルの電極を覆う絶縁層を覆う
ことを特徴とする。
【００４６】また、本発明では、主電極対を構成する第
１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆わ
れ、前記絶縁層が酸化マグネシウム膜で覆われたプラズ
マディスプレイパネルの製造方法であって、ペレット状
の酸化マグネシウムと、ペレット状またはパウダ状の燐
化合物、あるいはペレット状またはパウダ状の珪素化合
物とを混合して同時に加熱する蒸着方法によって酸化マ
グネシウム膜を形成することを特徴とする。
１および第２の電極が放電ガスに対して絶縁層で覆わ
れ、前記絶縁層が酸化マグネシウム膜で覆われたプラズ
マディスプレイパネルの製造方法であって、ペレット状
の酸化マグネシウムと、ペレット状またはパウダ状の燐
化合物、あるいはペレット状またはパウダ状の珪素化合
物とを混合して同時に加熱する蒸着方法によって酸化マ
グネシウム膜を形成することを特徴とする。
【００４７】さらに、本発明の製造方法では、パウダ状
の酸化マグネシウムと、パウダ状の燐化合物、パウダ状
の珪素化合物とを混合した焼結体を加熱する蒸着方法に
よって前記酸化マグネシウム膜を形成することを特徴と
する。
の酸化マグネシウムと、パウダ状の燐化合物、パウダ状
の珪素化合物とを混合した焼結体を加熱する蒸着方法に
よって前記酸化マグネシウム膜を形成することを特徴と
する。
【００４８】また、本発明の製造方法では、パウダ状の
酸化マグネシウムと、パウダ状の燐化合物、パウダ状の
珪素化合物とを混合した焼結体をターゲットとしてスパ
ッタリング方法によって前記酸化マグネシウム膜を形成
することを特徴とする。
酸化マグネシウムと、パウダ状の燐化合物、パウダ状の
珪素化合物とを混合した焼結体をターゲットとしてスパ
ッタリング方法によって前記酸化マグネシウム膜を形成
することを特徴とする。
【００４９】これらの本発明により、保護膜のＭｇＯが
変質層のＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3等を形成することな
く、かつ不純物ガスがパネル内に取り込まれることな
く、プラズマディスプレイパネルを作製することがで
き、画像表示品位を向上させ、またその高品位の状態を
長寿命的に保持できるようになる。また、上述のよう
に、ＭｇＯの成長方向に対してＳｉの濃度を変化させる
ことによって、ＭｇＯの放電ガスに接する側の表面層で
はＳｉ、Ｍｇの化合物が形成されるため、変質層のＭｇ
（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＮＯ3）2、ＭｇＳＯ4等
が形成されず、かつ表面層より内部側、すなわち保護膜
中では不純物が少ないＭｇＯのままであるため、電子放
出能力が維持されることになり、より一層の画像表示品
位の向上が得られる。
変質層のＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3等を形成することな
く、かつ不純物ガスがパネル内に取り込まれることな
く、プラズマディスプレイパネルを作製することがで
き、画像表示品位を向上させ、またその高品位の状態を
長寿命的に保持できるようになる。また、上述のよう
に、ＭｇＯの成長方向に対してＳｉの濃度を変化させる
ことによって、ＭｇＯの放電ガスに接する側の表面層で
はＳｉ、Ｍｇの化合物が形成されるため、変質層のＭｇ
（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＮＯ3）2、ＭｇＳＯ4等
が形成されず、かつ表面層より内部側、すなわち保護膜
中では不純物が少ないＭｇＯのままであるため、電子放
出能力が維持されることになり、より一層の画像表示品
位の向上が得られる。
【００５０】以下、本発明の一実施の形態によるプラズ
マディスプレイパネルについて図面を参照しながら具体
的に説明する。
マディスプレイパネルについて図面を参照しながら具体
的に説明する。
【００５１】図１は、本発明の一実施の形態に係る交流
面放電型プラズマディスプレイパネル１（以下、単にＰ
ＤＰ１という）の部分斜視図である。
面放電型プラズマディスプレイパネル１（以下、単にＰ
ＤＰ１という）の部分斜視図である。
【００５２】このＰＤＰ１は、各電極にパルス状の電圧
を印加することで放電を放電空間３０内で生じさせ、放
電に伴って背面パネルＰＡ２側で発生した各色の可視光
を前面パネルＰＡ１の主表面から透過させる交流面放電
型のＰＤＰである。
を印加することで放電を放電空間３０内で生じさせ、放
電に伴って背面パネルＰＡ２側で発生した各色の可視光
を前面パネルＰＡ１の主表面から透過させる交流面放電
型のＰＤＰである。
【００５３】前面パネルＰＡ１は、走査電極１２ａと維
持電極１２ｂとが放電ギャップ１２Ｃを設けてストライ
プ状に複数対配設（図では便宜上１対を記載してある）
された前面ガラス基板１１上に、表面１１ａを覆うよう
に絶縁層としての誘電体ガラス層１３が形成されてお
り、さらに、この誘電体ガラス層１３を覆うようにＭｇ
Ｏからなる保護膜１４が形成されたものである。
持電極１２ｂとが放電ギャップ１２Ｃを設けてストライ
プ状に複数対配設（図では便宜上１対を記載してある）
された前面ガラス基板１１上に、表面１１ａを覆うよう
に絶縁層としての誘電体ガラス層１３が形成されてお
り、さらに、この誘電体ガラス層１３を覆うようにＭｇ
Ｏからなる保護膜１４が形成されたものである。
【００５４】この保護膜１４は上述したような吸着ガス
の低減および変質層の形成を防止するような作製方法に
よって成膜される。
の低減および変質層の形成を防止するような作製方法に
よって成膜される。
【００５５】背面パネルＰＡ２は、アドレス電極１７が
前記走査電極１２ａと維持電極１２ｂと直交するように
ストライプ状に配設された背面ガラス基板１６上に、ア
ドレス電極を保護するとともに可視光を前面パネル側に
反射する作用を担う電極保護層１８が当該アドレス電極
１７を覆うように形成されており、この電極保護層１８
上にアドレス電極１７と同じ方向に向けて伸び、アドレ
ス電極１７を挟むように隔壁１９が立設され、さらに当
該隔壁１９間に蛍光体層２０が配設されたものである。
前記走査電極１２ａと維持電極１２ｂと直交するように
ストライプ状に配設された背面ガラス基板１６上に、ア
ドレス電極を保護するとともに可視光を前面パネル側に
反射する作用を担う電極保護層１８が当該アドレス電極
１７を覆うように形成されており、この電極保護層１８
上にアドレス電極１７と同じ方向に向けて伸び、アドレ
ス電極１７を挟むように隔壁１９が立設され、さらに当
該隔壁１９間に蛍光体層２０が配設されたものである。
【００５６】上記構成のＰＤＰの駆動は上述した図７に
示す駆動回路を用いて、図８に示す駆動波形に基づいて
駆動される。なお、アドレス駆動部２２０には、アドレ
ス電極１７が接続され、走査電極駆動部２３０には、走
査電極１２ａが、維持電極駆動部２４０には、維持電極
１２ｂが接続される。
示す駆動回路を用いて、図８に示す駆動波形に基づいて
駆動される。なお、アドレス駆動部２２０には、アドレ
ス電極１７が接続され、走査電極駆動部２３０には、走
査電極１２ａが、維持電極駆動部２４０には、維持電極
１２ｂが接続される。
【００５７】次に、本発明の保護膜の形態について述べ
る。
る。
【００５８】図２（ａ）は、図１におけるＡ−Ａ´線で
切断した断面図である。従来の技術では誘電体上に保護
層として酸化マグネシウムの１層のみの膜が形成される
だけであるが、本発明ではこの保護膜としての酸化マグ
ネシウムの放電空間に面した側にさらに第２の保護層が
設けられた構成としている。すなわち、保護膜１４が酸
化マグネシウムの第１保護層１４ａと第２保護層１４ｂ
により構成されている。
切断した断面図である。従来の技術では誘電体上に保護
層として酸化マグネシウムの１層のみの膜が形成される
だけであるが、本発明ではこの保護膜としての酸化マグ
ネシウムの放電空間に面した側にさらに第２の保護層が
設けられた構成としている。すなわち、保護膜１４が酸
化マグネシウムの第１保護層１４ａと第２保護層１４ｂ
により構成されている。
【００５９】この第２保護層１４ｂは、標準生成エンタ
ルピー値がＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3等のその値よりも
低くなり、化学的により安定な物質であり、またこの第
２保護層１４ｂは、マグネシウム、珪素の酸化物である
か、あるいはマグネシウム、燐の酸化物である。
ルピー値がＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3等のその値よりも
低くなり、化学的により安定な物質であり、またこの第
２保護層１４ｂは、マグネシウム、珪素の酸化物である
か、あるいはマグネシウム、燐の酸化物である。
【００６０】また、図２（ｂ）は、保護膜の酸化マグネ
シウムの膜構造が柱状構造であった場合について示して
いる。この場合も図２（ａ）と同様に、第１保護層１４
ａに相当する酸化マグネシウムの表面全体を覆うように
第２保護層１４ｂが形成される。すなわちそれら個々の
柱状構造部の界面においても第２保護層１４ｂが形成さ
れることになる。なお、図２では酸化マグネシウムの放
電空間に面した側の全体を覆うように第２保護層を図示
してあるが、本発明はこの形態だけに限らず第１保護層
の少なくとも一部を覆う場合でも同様の効果は得られ
る。
シウムの膜構造が柱状構造であった場合について示して
いる。この場合も図２（ａ）と同様に、第１保護層１４
ａに相当する酸化マグネシウムの表面全体を覆うように
第２保護層１４ｂが形成される。すなわちそれら個々の
柱状構造部の界面においても第２保護層１４ｂが形成さ
れることになる。なお、図２では酸化マグネシウムの放
電空間に面した側の全体を覆うように第２保護層を図示
してあるが、本発明はこの形態だけに限らず第１保護層
の少なくとも一部を覆う場合でも同様の効果は得られ
る。
【００６１】上記のように、第１保護層（酸化マグネシ
ウム）の放電空間に面した側に第２保護層を形成するこ
とによって、保護膜にＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ
（ＮＯ3）2、ＭｇＳＯ4、Ｍｇ（ＨＣＯ3）2等の変質層
が形成されなくなる。
ウム）の放電空間に面した側に第２保護層を形成するこ
とによって、保護膜にＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ
（ＮＯ3）2、ＭｇＳＯ4、Ｍｇ（ＨＣＯ3）2等の変質層
が形成されなくなる。
【００６２】図３（ａ）、（ｂ）に本発明、および従来
技術それぞれの保護膜の吸着量を示す。これは各ガラス
基板上にそれぞれの保護膜を形成し、その後ある一定時
間（製造時に要すると考えられる時間）放置し、それら
試料を昇温脱離による四重極質量分析装置にて各試料へ
の吸着量を測定したものである。これによると、従来の
ＭｇＯのみの保護膜と比較して、本発明のＭｇＯ＋Ｍ
ｇ、Ｓｉの酸化物、あるいはＭｇＯ＋Ｍｇ、Ｐの酸化物
である保護膜の方の吸着量が少ないことがわかる。
技術それぞれの保護膜の吸着量を示す。これは各ガラス
基板上にそれぞれの保護膜を形成し、その後ある一定時
間（製造時に要すると考えられる時間）放置し、それら
試料を昇温脱離による四重極質量分析装置にて各試料へ
の吸着量を測定したものである。これによると、従来の
ＭｇＯのみの保護膜と比較して、本発明のＭｇＯ＋Ｍ
ｇ、Ｓｉの酸化物、あるいはＭｇＯ＋Ｍｇ、Ｐの酸化物
である保護膜の方の吸着量が少ないことがわかる。
【００６３】また、この図３に示した３種類の保護膜で
作製したＰＤＰでの寿命試験の結果を図４に示す。これ
は放電に必要な電圧が急激に上昇した時間を寿命限界と
したものである。これによると従来のＭｇＯのみの保護
膜と比較して、本発明のＭｇＯ＋Ｍｇ、Ｓｉの酸化物、
あるいはＭｇＯ＋Ｍｇ、Ｐの酸化物である保護膜の方
が、寿命限界に達するまでの時間が長いことがわかる。
これら２種類の検討結果から、保護膜としてのＭｇＯの
変質層形成を防止することが、表示高品位および長寿命
化につながると考えられる。
作製したＰＤＰでの寿命試験の結果を図４に示す。これ
は放電に必要な電圧が急激に上昇した時間を寿命限界と
したものである。これによると従来のＭｇＯのみの保護
膜と比較して、本発明のＭｇＯ＋Ｍｇ、Ｓｉの酸化物、
あるいはＭｇＯ＋Ｍｇ、Ｐの酸化物である保護膜の方
が、寿命限界に達するまでの時間が長いことがわかる。
これら２種類の検討結果から、保護膜としてのＭｇＯの
変質層形成を防止することが、表示高品位および長寿命
化につながると考えられる。
【００６４】これは従来技術の保護膜では成膜後、Ｍｇ
Ｏの表面（パネル形成後放電空間に面する側）が、Ｍｇ
（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＮＯ3）2、ＭｇＳＯ4、
Ｍｇ（ＨＣＯ3）2等に化学変化し、その変質層がパネル
化された後に放電空間にＨ2Ｏ、ＣＯ2等になって放出さ
れることが影響していると考えられる。これはこの放電
ガス以外の不純物ガスの存在によって、本来セットアッ
プ期間２５０で形成された壁電荷が消去されるためであ
る。
Ｏの表面（パネル形成後放電空間に面する側）が、Ｍｇ
（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＮＯ3）2、ＭｇＳＯ4、
Ｍｇ（ＨＣＯ3）2等に化学変化し、その変質層がパネル
化された後に放電空間にＨ2Ｏ、ＣＯ2等になって放出さ
れることが影響していると考えられる。これはこの放電
ガス以外の不純物ガスの存在によって、本来セットアッ
プ期間２５０で形成された壁電荷が消去されるためであ
る。
【００６５】ところが本発明においては、第１保護層で
あるＭｇＯの表面に第２保護層が形成されている。この
第２保護層は変質層と成りうるＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣ
Ｏ3、Ｍｇ（ＮＯ3）2、ＭｇＳＯ4、Ｍｇ（ＨＣＯ3）2等
よりも標準生成エンタルピー値が低く、化学的に安定な
ため、これらの変質層は形成されない。すなわち、従来
技術では生じていたような、パネル化後に放電空間に不
純物ガスが放出されることは起こらない。この結果、壁
電荷の消去という問題が起こらず、製品の長寿命化に繋
がる。
あるＭｇＯの表面に第２保護層が形成されている。この
第２保護層は変質層と成りうるＭｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣ
Ｏ3、Ｍｇ（ＮＯ3）2、ＭｇＳＯ4、Ｍｇ（ＨＣＯ3）2等
よりも標準生成エンタルピー値が低く、化学的に安定な
ため、これらの変質層は形成されない。すなわち、従来
技術では生じていたような、パネル化後に放電空間に不
純物ガスが放出されることは起こらない。この結果、壁
電荷の消去という問題が起こらず、製品の長寿命化に繋
がる。
【００６６】表１に本発明で挙げた物質の標準生成エン
タルピー値を掲載しておく。なお、本発明では標準生成
エンタルピー値（ｋＪ／ｍｏｌ）とは標準状態（１ａｔ
ｍ、２５℃）における化合物１ｍｏｌあたりの生成熱を
示すこととしている。すなわち、化合物がその成分元素
の単体から反応して生成する熱（反応熱）のことであ
り、この標準生成エンタルピーが低い値の物質の方が安
定であるといえる。また、ある化合物についての標準生
成エンタルピー値が必要な場合は、化学便覧等の文献
（表１では化学便覧改訂４版［日本化学会編］より抜粋
した）から調べることができる。
タルピー値を掲載しておく。なお、本発明では標準生成
エンタルピー値（ｋＪ／ｍｏｌ）とは標準状態（１ａｔ
ｍ、２５℃）における化合物１ｍｏｌあたりの生成熱を
示すこととしている。すなわち、化合物がその成分元素
の単体から反応して生成する熱（反応熱）のことであ
り、この標準生成エンタルピーが低い値の物質の方が安
定であるといえる。また、ある化合物についての標準生
成エンタルピー値が必要な場合は、化学便覧等の文献
（表１では化学便覧改訂４版［日本化学会編］より抜粋
した）から調べることができる。
【００６７】
【表１】
【００６８】ところで第２保護層が厚くなれば、安定し
て変質層の形成を防止することが可能となるが、一方で
厚くなれば、ＭｇＯからの電子放出能力が阻害されるこ
とにもなる。このような観点から、第２保護層の膜厚が
重要になってくる。また、この第２保護層の膜厚はＭｇ
Ｏに含まれるＳｉの濃度に大きく起因しており、Ｓｉ濃
度が大きくなれば、膜厚も大きくなる。
て変質層の形成を防止することが可能となるが、一方で
厚くなれば、ＭｇＯからの電子放出能力が阻害されるこ
とにもなる。このような観点から、第２保護層の膜厚が
重要になってくる。また、この第２保護層の膜厚はＭｇ
Ｏに含まれるＳｉの濃度に大きく起因しており、Ｓｉ濃
度が大きくなれば、膜厚も大きくなる。
【００６９】そこで、図５にこのＭｇＯ膜に含まれるＳ
ｉの濃度とＰＤＰとしての画像表示品位のレベルを視認
評価した結果を示す。この視認レベルの数値は「ちらつ
き度合い」を示しており、低い値ほど良好な表示品位で
あるとした。視認レベル２を製品としての良品限界とし
たところ、Ｓｉの濃度で１５０００ｐｐｍ以下であるこ
とが望ましいということがわかった。なお、上記の濃度
検討はＳｉについてのみ記述したが、Ｐについても同様
の検討をした結果、Ｐの場合、濃度で１００〜１５００
０ｐｐｍの範囲内が有効であった。また、この評価は
「壁電荷消去」の発生しない特異な条件において検討し
ている。
ｉの濃度とＰＤＰとしての画像表示品位のレベルを視認
評価した結果を示す。この視認レベルの数値は「ちらつ
き度合い」を示しており、低い値ほど良好な表示品位で
あるとした。視認レベル２を製品としての良品限界とし
たところ、Ｓｉの濃度で１５０００ｐｐｍ以下であるこ
とが望ましいということがわかった。なお、上記の濃度
検討はＳｉについてのみ記述したが、Ｐについても同様
の検討をした結果、Ｐの場合、濃度で１００〜１５００
０ｐｐｍの範囲内が有効であった。また、この評価は
「壁電荷消去」の発生しない特異な条件において検討し
ている。
【００７０】次に、ＰＤＰの製造方法について説明す
る。
る。
【００７１】まず、前面パネルＰＡ１の作製について説
明すると、前面ガラス基板１１上に走査電極１２ａ、維
持電極１２ｂが交互に配列するように形成する。走査電
極１２ａ、維持電極１２ｂは、金属電極であって、白金
を電子ビーム蒸着法によって成膜した後、リフトオフ法
によってパターニングすることによって形成される。な
お、ＩＴＯなどの透明電極と金属電極の対により各走査
電極１２ａおよび維持電極１２ｂとを形成してもよい。
明すると、前面ガラス基板１１上に走査電極１２ａ、維
持電極１２ｂが交互に配列するように形成する。走査電
極１２ａ、維持電極１２ｂは、金属電極であって、白金
を電子ビーム蒸着法によって成膜した後、リフトオフ法
によってパターニングすることによって形成される。な
お、ＩＴＯなどの透明電極と金属電極の対により各走査
電極１２ａおよび維持電極１２ｂとを形成してもよい。
【００７２】次に、前記走査電極１２ａおよび維持電極
１２ｂを覆うように、誘電体ガラス層をスクリーン印刷
法などの公知の印刷法によって印刷後焼成することによ
って形成する。
１２ｂを覆うように、誘電体ガラス層をスクリーン印刷
法などの公知の印刷法によって印刷後焼成することによ
って形成する。
【００７３】次に、誘電体ガラス層１３の表面にＭｇＯ
の保護膜１４を形成する。具体的には、誘電体ガラス層
１３の表面にＭｇＯ薄膜を電子ビーム蒸着法によって析
出させることにより形成する。
の保護膜１４を形成する。具体的には、誘電体ガラス層
１３の表面にＭｇＯ薄膜を電子ビーム蒸着法によって析
出させることにより形成する。
【００７４】次に、背面パネルＰＡ２の作製について説
明すると、背面パネルＰＡ２は、背面ガラス基板１６上
にアドレス電極１７を形成し、その上を電極保護層１８
で覆い、この電極保護層１８の表面に隔壁１９を形成
し、その後蛍光体層２０を形成することによって作製す
る。アドレス電極１７は、背面ガラス基板１６上に前記
走査電極１２ａ、維持電極１２ｂと同様の方法にて作製
する。
明すると、背面パネルＰＡ２は、背面ガラス基板１６上
にアドレス電極１７を形成し、その上を電極保護層１８
で覆い、この電極保護層１８の表面に隔壁１９を形成
し、その後蛍光体層２０を形成することによって作製す
る。アドレス電極１７は、背面ガラス基板１６上に前記
走査電極１２ａ、維持電極１２ｂと同様の方法にて作製
する。
【００７５】電極保護層１８は、アドレス電極１７の上
にスクリーン印刷法などの印刷法を用いて印刷後、焼成
することによって形成されたもので、前記誘電体ガラス
層１３と同じようなガラスの組成物に、酸化チタン（Ｔ
ｉＯ2）粒子を含有させた薄膜である。
にスクリーン印刷法などの印刷法を用いて印刷後、焼成
することによって形成されたもので、前記誘電体ガラス
層１３と同じようなガラスの組成物に、酸化チタン（Ｔ
ｉＯ2）粒子を含有させた薄膜である。
【００７６】隔壁１９は、スクリーン印刷法、リフトオ
フ法、あるいはサンドブラスト法等の方法で隔壁形成原
料を塗布した後、これを焼成し、その後隔壁頂部に加工
処理を施すことによって形成されたものである。
フ法、あるいはサンドブラスト法等の方法で隔壁形成原
料を塗布した後、これを焼成し、その後隔壁頂部に加工
処理を施すことによって形成されたものである。
【００７７】蛍光体層２０は、スクリーン印刷法、ノズ
ル噴霧法などの方法によって形成されたものである。な
お、蛍光体には、赤色、緑色、青色の３色を用いる。そ
して、例えば、以下のものを用いることができる。
ル噴霧法などの方法によって形成されたものである。な
お、蛍光体には、赤色、緑色、青色の３色を用いる。そ
して、例えば、以下のものを用いることができる。
【００７８】
赤色蛍光体 ： Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ3+
緑色蛍光体 ： Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ2+
青色蛍光体 ： ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+
次に、前面パネルＰＡ１と背面パネルＰＡ２とを走査電
極１２ａ、維持電極１２ｂとアドレス電極１７とが直交
する状態に位置合わせして両パネルを貼り合わせる。そ
の後、隔壁１９に仕切られた放電空間３０内に放電ガ
ス、例えば、Ｈｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系の不活性ガス
を所定の圧力で封入する。
極１２ａ、維持電極１２ｂとアドレス電極１７とが直交
する状態に位置合わせして両パネルを貼り合わせる。そ
の後、隔壁１９に仕切られた放電空間３０内に放電ガ
ス、例えば、Ｈｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系の不活性ガス
を所定の圧力で封入する。
【００７９】次に、本発明の保護膜の製造方法について
説明する。
説明する。
【００８０】まず、Ｓｉを使用する形態の製造方法につ
いて説明すると、ＭｇＯ蒸着源にＳｉを含有した物質を
混合し、酸素雰囲気中において、ピアス式電子ビームガ
ンを加熱源として、同時に加熱し所望の膜を形成した。
このときＳｉが持つ特有の自己拡散能力により、酸素雰
囲気中であるため、膜成長中にＳｉ元素は常に膜表面に
移動する。このため、成膜終了時には、ＭｇＯとＭｇ、
Ｓｉの酸化物の２層に分離された保護膜が得られる。
いて説明すると、ＭｇＯ蒸着源にＳｉを含有した物質を
混合し、酸素雰囲気中において、ピアス式電子ビームガ
ンを加熱源として、同時に加熱し所望の膜を形成した。
このときＳｉが持つ特有の自己拡散能力により、酸素雰
囲気中であるため、膜成長中にＳｉ元素は常に膜表面に
移動する。このため、成膜終了時には、ＭｇＯとＭｇ、
Ｓｉの酸化物の２層に分離された保護膜が得られる。
【００８１】このとき上述のようなＳｉが持つ特有の自
己拡散能力を利用するためには、通常の成膜時よりも基
板にエネルギーを与えることが必要である。本実施の形
態では基板温度を通常値よりも高く設定し、さらに酸素
分圧を通常値よりも高く設定して行った。
己拡散能力を利用するためには、通常の成膜時よりも基
板にエネルギーを与えることが必要である。本実施の形
態では基板温度を通常値よりも高く設定し、さらに酸素
分圧を通常値よりも高く設定して行った。
【００８２】これ以外にも、例えば成膜後に保護膜表面
に紫外線を照射する手法や、オゾン雰囲気にて成膜する
手法や、蒸着源−基板間の距離を短くする手法などがあ
り、基板に通常よりもエネルギーを与える手法ならば同
様の構造の保護膜が得られ、同様の効果が得られる。
に紫外線を照射する手法や、オゾン雰囲気にて成膜する
手法や、蒸着源−基板間の距離を短くする手法などがあ
り、基板に通常よりもエネルギーを与える手法ならば同
様の構造の保護膜が得られ、同様の効果が得られる。
【００８３】また、このＭｇＯに含まれるＳｉ濃度は、
先述したように良好な画像表示品位を得るためには５０
０〜１５０００ｐｐｍであることが必要であった。この
濃度はパネル形成後の膜分析およびサファイア基板に同
時成膜した試料の発光分光分析結果から見積もった。
先述したように良好な画像表示品位を得るためには５０
０〜１５０００ｐｐｍであることが必要であった。この
濃度はパネル形成後の膜分析およびサファイア基板に同
時成膜した試料の発光分光分析結果から見積もった。
【００８４】さらには、Ｓｉ濃度１００００〜１５００
０ｐｐｍの範囲内では、ＭｇＯ膜内に均一に存在してい
ても同様の効果は得られるが、Ｓｉ濃度５００〜１００
００ｐｐｍの範囲内では、ＭｇＯの膜成長方向に対して
濃度分布が存在し、ＭｇＯ膜の放電ガスに接する側に密
に存在することが望ましい。
０ｐｐｍの範囲内では、ＭｇＯ膜内に均一に存在してい
ても同様の効果は得られるが、Ｓｉ濃度５００〜１００
００ｐｐｍの範囲内では、ＭｇＯの膜成長方向に対して
濃度分布が存在し、ＭｇＯ膜の放電ガスに接する側に密
に存在することが望ましい。
【００８５】また、上記実施の形態の例に限らず、パウ
ダ状のＭｇＯ材料とパウダ状のＳｉ含有の材料を混合
し、焼結したペレットを用いてもかまわない。あるいは
それを用いたスパッタリング方法でも同様の効果は得ら
れる。また、装置内のＭｇＯ蒸着源の容器にＳｉを含有
させる手法でも、上記同様に保護膜内にＳｉを含有させ
ることは可能である。
ダ状のＭｇＯ材料とパウダ状のＳｉ含有の材料を混合
し、焼結したペレットを用いてもかまわない。あるいは
それを用いたスパッタリング方法でも同様の効果は得ら
れる。また、装置内のＭｇＯ蒸着源の容器にＳｉを含有
させる手法でも、上記同様に保護膜内にＳｉを含有させ
ることは可能である。
【００８６】次に、Ｐを使用する形態の製造方法につい
て説明すると、この場合も上述のＳｉの場合と同様に蒸
着方法を使用した。ＭｇＯ蒸着源にＰを含有した物質を
混合し、酸素雰囲気中において、ピアス式電子ビームガ
ンを加熱源として、同時に加熱し所望の膜を形成した。
このときＳｉ同様、Ｐが持つ特有の自己拡散能力によ
り、酸素雰囲気中であるため、膜成長中にＰ元素は常に
膜表面に移動する。このため、成膜終了時には、ＭｇＯ
とＭｇ、Ｐの酸化物の２層に分離された保護膜が得られ
る。
て説明すると、この場合も上述のＳｉの場合と同様に蒸
着方法を使用した。ＭｇＯ蒸着源にＰを含有した物質を
混合し、酸素雰囲気中において、ピアス式電子ビームガ
ンを加熱源として、同時に加熱し所望の膜を形成した。
このときＳｉ同様、Ｐが持つ特有の自己拡散能力によ
り、酸素雰囲気中であるため、膜成長中にＰ元素は常に
膜表面に移動する。このため、成膜終了時には、ＭｇＯ
とＭｇ、Ｐの酸化物の２層に分離された保護膜が得られ
る。
【００８７】このとき上述のようなＰが持つ特有の自己
拡散能力を利用するためには、通常の成膜時よりも基板
にエネルギーを与えることが必要である。本実施の形態
では基板温度を通常値よりも高く設定し、さらに酸素分
圧を通常値よりも高く設定して行った。
拡散能力を利用するためには、通常の成膜時よりも基板
にエネルギーを与えることが必要である。本実施の形態
では基板温度を通常値よりも高く設定し、さらに酸素分
圧を通常値よりも高く設定して行った。
【００８８】これ以外にも、例えば成膜後に保護膜表面
に紫外線を照射する手法や、オゾン雰囲気にて成膜する
手法や、蒸着源−基板間の距離を短くする手法などがあ
り、基板に通常よりもエネルギーを与える手法ならば同
様の構造の保護膜が得られ、同様の効果が得られる。
に紫外線を照射する手法や、オゾン雰囲気にて成膜する
手法や、蒸着源−基板間の距離を短くする手法などがあ
り、基板に通常よりもエネルギーを与える手法ならば同
様の構造の保護膜が得られ、同様の効果が得られる。
【００８９】また、このＭｇＯに含まれるＰの濃度は、
良好な画像表示品位が得られるためには１００〜１５０
００ｐｐｍであることが効果的であった。この濃度はＳ
ｉの場合と同様にパネル形成後の膜分析およびサファイ
ア基板に同時成膜した試料の発光分光分析結果から見積
もった。
良好な画像表示品位が得られるためには１００〜１５０
００ｐｐｍであることが効果的であった。この濃度はＳ
ｉの場合と同様にパネル形成後の膜分析およびサファイ
ア基板に同時成膜した試料の発光分光分析結果から見積
もった。
【００９０】なお、上記実施の形態はＳｉ、Ｐが持つ自
己拡散能力を利用して作製されたものだが、第１保護層
としてＭｇＯ、第２保護層としてＳｉ、あるいはＰの化
合物として多層構造を形成する場合でも同様の効果が得
られる。これら第２保護層を別途形成する場合、作製方
法としては、従来技術通り、第１保護層となるＭｇＯを
成膜した直後、その表面を大気に晒すことなく、それら
第２保護層の原材料となる材料の成膜を行うことが望ま
しい。
己拡散能力を利用して作製されたものだが、第１保護層
としてＭｇＯ、第２保護層としてＳｉ、あるいはＰの化
合物として多層構造を形成する場合でも同様の効果が得
られる。これら第２保護層を別途形成する場合、作製方
法としては、従来技術通り、第１保護層となるＭｇＯを
成膜した直後、その表面を大気に晒すことなく、それら
第２保護層の原材料となる材料の成膜を行うことが望ま
しい。
【００９１】また、さらに上記実施の形態の例は、マグ
ネシウム、珪素の酸化物、マグネシウム、燐の酸化物の
作製方法についてのみ示したが、この場合に限らず、Ｍ
ｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＨＣＯ3）2、Ｍｇ（Ｎ
Ｏ3）2等の標準生成エンタルピーよりも低い値をもつ物
質を第２保護層として用いるならば本発明の効果は得ら
れる。
ネシウム、珪素の酸化物、マグネシウム、燐の酸化物の
作製方法についてのみ示したが、この場合に限らず、Ｍ
ｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＨＣＯ3）2、Ｍｇ（Ｎ
Ｏ3）2等の標準生成エンタルピーよりも低い値をもつ物
質を第２保護層として用いるならば本発明の効果は得ら
れる。
【００９２】ところで、プラズマディスプレイパネルの
放電空間内部の放電に面している部位では、放電ガスの
スパッタ作用によって、摩耗してくる。当然、第２保護
層であるＭｇ、Ｓｉの酸化物層、あるいはＭｇ、Ｐの酸
化物層も同様にスパッタ作用によって摩耗してくる。
放電空間内部の放電に面している部位では、放電ガスの
スパッタ作用によって、摩耗してくる。当然、第２保護
層であるＭｇ、Ｓｉの酸化物層、あるいはＭｇ、Ｐの酸
化物層も同様にスパッタ作用によって摩耗してくる。
【００９３】ところが、先述したようにＳｉ、Ｐは自己
拡散能力を保持しているため、スパッタされた後、保護
膜に再付着する際にも、最表面に拡散してくる。すなわ
ち、第２保護層は寿命劣化進行中においても常に形成さ
れ続けることになる。この結果、プラズマディスプレイ
パネルおよびそのパネルを用いた画像表示装置を経時的
に使用している最中でも本発明の効果は維持されること
になる。
拡散能力を保持しているため、スパッタされた後、保護
膜に再付着する際にも、最表面に拡散してくる。すなわ
ち、第２保護層は寿命劣化進行中においても常に形成さ
れ続けることになる。この結果、プラズマディスプレイ
パネルおよびそのパネルを用いた画像表示装置を経時的
に使用している最中でも本発明の効果は維持されること
になる。
【００９４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、主電極対
を構成する第１および第２の電極が放電ガスに対して絶
縁層で被覆されたプラズマディスプレイパネルであっ
て、前記絶縁層のうちの少なくとも前記放電ガスと接す
る表層として、酸化マグネシウム［ＭｇＯ］膜が設けら
れ、ＭｇＯ膜の表層の少なくとも一部が、水酸化マグネ
シウム［Ｍｇ（ＯＨ）2］、炭酸マグネシウム［ＭｇＣ
Ｏ3］、炭酸水素マグネシウム［Ｍｇ（ＨＣＯ3）2］、
硝酸化マグネシウム［Ｍｇ（ＮＯ3）2］、硫酸化マグネ
シウム［ＭｇＳＯ4］等の標準生成エンタルピーよりも
低い値を持つ物質で覆われることにより、ＭｇＯ膜の変
質層が形成されなくなり、かつパネル貼り合わせ後の放
電空間への不純物ガスの取り込みを防止することが可能
となり、その結果壁電荷消去問題が解決され、画像表示
品位が向上し、かつその良好な品位が長寿命的に維持で
きるようになる。
を構成する第１および第２の電極が放電ガスに対して絶
縁層で被覆されたプラズマディスプレイパネルであっ
て、前記絶縁層のうちの少なくとも前記放電ガスと接す
る表層として、酸化マグネシウム［ＭｇＯ］膜が設けら
れ、ＭｇＯ膜の表層の少なくとも一部が、水酸化マグネ
シウム［Ｍｇ（ＯＨ）2］、炭酸マグネシウム［ＭｇＣ
Ｏ3］、炭酸水素マグネシウム［Ｍｇ（ＨＣＯ3）2］、
硝酸化マグネシウム［Ｍｇ（ＮＯ3）2］、硫酸化マグネ
シウム［ＭｇＳＯ4］等の標準生成エンタルピーよりも
低い値を持つ物質で覆われることにより、ＭｇＯ膜の変
質層が形成されなくなり、かつパネル貼り合わせ後の放
電空間への不純物ガスの取り込みを防止することが可能
となり、その結果壁電荷消去問題が解決され、画像表示
品位が向上し、かつその良好な品位が長寿命的に維持で
きるようになる。
【図１】本発明の一実施の形態によるプラズマディスプ
レイパネルを示す斜視図
レイパネルを示す斜視図
【図２】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ保護膜の例を示す図
１のＡ−Ａ´線で切断した断面図
１のＡ−Ａ´線で切断した断面図
【図３】（ａ）、（ｂ）は本発明と従来技術でのＭｇＯ
膜へのＨ2Ｏ吸着量およびＣＯ2吸着量の違いを示す特性
図
膜へのＨ2Ｏ吸着量およびＣＯ2吸着量の違いを示す特性
図
【図４】本発明と従来技術の保護膜の寿命比較を示す特
性図
性図
【図５】ＭｇＯ膜中のＳｉ濃度に対するちらつきレベル
の変化を示す特性図
の変化を示す特性図
【図６】従来のプラズマディスプレイパネルを示す斜視
図
図
【図７】プラズマディスプレイパネルに駆動回路を接続
して構成した画像表示装置を示すブロック図
して構成した画像表示装置を示すブロック図
【図８】プラズマディスプレイパネルの駆動波形を示す
タイムチャート
タイムチャート
ＰＡ１ 前面パネル
ＰＡ２ 背面パネル
１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
１１ 前面ガラス基板
１２ａ 走査電極
１２ｂ 維持電極
１２ｃ 放電ギャップ
１３ 誘電体ガラス層
１４ 保護膜
１４ａ 第１保護層
１４ｂ 第２保護層
１６ 背面ガラス基板
１７ アドレス電極
１８ 電極保護層
１９ 隔壁
２０ 蛍光体層
３０ 放電空間
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 渡辺 由雄
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 中上 裕一
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 大江 良尚
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 吉岡 芳明
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 東野 秀隆
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5C027 AA07
5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GE02
GE07 GE08 GE09 JA07
Claims (31)
- 【請求項１】 主電極対を構成する第１および第２の電
極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が保
護膜で覆われたプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護膜の表層の少なくとも一部が、前記保護膜の母
材の水酸化物、炭酸化物、硝酸化物および硫酸化物のう
ちのいずれかよりも標準生成エンタルピー値が低い物質
で覆われていることを特徴とするプラズマディスプレイ
パネル。 - 【請求項２】 保護膜が酸化マグネシウムであることを
特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項３】 酸化マグネシウムの表層の少なくとも一
部が、水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、炭酸水
素マグネシウム、硝酸化マグネシウムおよび硫酸化マグ
ネシウムのうちのいずれかよりも標準生成エンタルピー
値が低い物質で覆われていることを特徴とする請求項２
記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】 酸化マグネシウムの表層の少なくとも一
部が、標準生成エンタルピー値が−９２５ｋＪ／ｍｏｌ
よりも低い物質で覆われていることを特徴とする請求項
２記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】 酸化マグネシウムの表層の少なくとも一
部が、標準生成エンタルピー値が−１０９６ｋＪ／ｍｏ
ｌよりも低い物質で覆われていることを特徴とする請求
項２記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】 酸化マグネシウムの表層の少なくとも一
部が、標準生成エンタルピー値が−７９１ｋＪ／ｍｏｌ
よりも低い物質で覆われていることを特徴とする請求項
２記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項７】 酸化マグネシウムの表層の少なくとも一
部が、標準生成エンタルピー値が−１２８４ｋＪ／ｍｏ
ｌよりも低い物質で覆われていることを特徴とする請求
項２記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項８】 酸化マグネシウムの表層の少なくとも一
部が、燐または珪素を含む物質で覆われていることを特
徴とする請求項２記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項９】 燐を含む物質が、Ｍｇ3（ＰＯ4）2であ
ることを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレ
イパネル。 - 【請求項１０】 珪素を含む物質が、ＭｇＳｉＯ3およ
びＭｇ2ＳｉＯ4のうちの少なくとも一方であることを特
徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１１】 主電極対を構成する第１および第２の
電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が
酸化マグネシウムの膜で覆われたプラズマディスプレイ
パネルであって、前記酸化マグネシウムは燐を含んでい
ることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１２】 酸化マグネシウムに含まれる燐の濃度
が、１００〜１５０００ｐｐｍの範囲内であることを特
徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項１３】 酸化マグネシウムに含まれる燐の濃度
は、前記酸化マグネシウムの膜の成長方向に対して分布
差を有することを特徴とする請求項１１記載のプラズマ
ディスプレイパネル。 - 【請求項１４】 酸化マグネシウムに含まれる燐の濃度
の分布差は、絶縁層側と比較して放電ガスと接する側の
濃度が密であることを特徴とする請求項１３記載のプラ
ズマディスプレイパネル。 - 【請求項１５】 酸化マグネシウムの膜は、燐を含む層
と、燐を含まない層との多層構造であることを特徴とす
る請求項１１記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１６】 主電極対を構成する第１および第２の
電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が
酸化マグネシウムの膜で覆われたプラズマディスプレイ
パネルであって、前記酸化マグネシウムは珪素を１００
００〜１５０００ｐｐｍの範囲内の割合で含んでいるこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１７】 主電極対を構成する第１および第２の
電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が
酸化マグネシウムで覆われたプラズマディスプレイパネ
ルであって、前記酸化マグネシウムは珪素を５００〜１
５０００ｐｐｍの範囲内の割合で含み、かつ前記酸化マ
グネシウムに含まれる珪素の濃度が前記酸化マグネシウ
ムの膜の成長方向に対して分布差を有することを特徴と
するプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１８】 酸化マグネシウムに含まれる珪素の濃
度の分布差が絶縁層側と比較して放電ガスと接する側の
濃度が密であることを特徴とする請求項１７記載のプラ
ズマディスプレイパネル。 - 【請求項１９】 酸化マグネシウムの膜は、珪素を含有
する層と、珪素を含有しない層との多層構造であること
を特徴とする請求項１７記載のプラズマディスプレイパ
ネル。 - 【請求項２０】 主電極対を構成する第１および第２の
電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が
酸化マグネシウムの膜で覆われたプラズマディスプレイ
パネルであって、前記酸化マグネシウムに燐および珪素
が含まれていることを特徴とするプラズマディスプレイ
パネル。 - 【請求項２１】 酸化マグネシウムに、１００〜１５０
００ｐｐｍの燐および５００〜１５０００ｐｐｍの珪素
が含まれていることを特徴とする請求項２０記載のプラ
ズマディスプレイパネル。 - 【請求項２２】 酸化マグネシウムに含まれる燐および
珪素の濃度は、それぞれ前記酸化マグネシウムの膜の成
長方向に対して分布差を有することを特徴とする請求項
２０記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２３】 酸化マグネシウムに含まれる燐および
珪素の濃度の分布差が絶縁層側と比較して放電ガスと接
する側の濃度が密であることを特徴とする請求項２０記
載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２４】 酸化マグネシウムの膜は、燐および珪
素を含む層と、燐または珪素のいずれかを含む層と、燐
および珪素を含まない層との多層構造であることを特徴
とする請求項２０記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２５】 放電に面した表面に配設されかつ主構
成材料以外に少なくとも１つの元素を含む保護膜であっ
て、放電のエネルギーにより解離し保護膜の表面に再付
着する際に、常に放電に面する表面側に移動するもので
あることを特徴とする保護膜。 - 【請求項２６】 主構成材料が酸化マグネシウムである
ことを特徴とする請求項２５記載の保護膜。 - 【請求項２７】 主構成材料以外の元素が珪素または燐
であることを特徴とする請求項２５記載の保護膜。 - 【請求項２８】 電極を覆う絶縁層が請求項２５記載の
保護膜で覆われていることを特徴とするプラズマディス
プレイパネル。 - 【請求項２９】 主電極対を構成する第１および第２の
電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が
酸化マグネシウム膜で覆われたプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法であって、ペレット状の酸化マグネシウ
ムと、ペレット状またはパウダ状の燐化合物、あるいは
ペレット状またはパウダ状の珪素化合物とを混合して同
時に加熱する蒸着方法によって酸化マグネシウム膜を形
成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項３０】 主電極対を構成する第１および第２の
電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が
酸化マグネシウム膜で覆われたプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法であって、パウダ状の酸化マグネシウム
と、パウダ状の燐化合物、パウダ状の珪素化合物とを混
合した焼結体を加熱する蒸着方法によって酸化マグネシ
ウム膜を形成することを特徴とするプラズマディスプレ
イパネルの製造方法。 - 【請求項３１】 主電極対を構成する第１および第２の
電極が放電ガスに対して絶縁層で覆われ、前記絶縁層が
酸化マグネシウム膜で覆われたプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法であって、パウダ状の酸化マグネシウム
と、パウダ状の燐化合物、パウダ状の珪素化合物とを混
合した焼結体をターゲットとしてスパッタリング方法に
よって酸化マグネシウム膜を形成することを特徴とする
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001296852A JP4736294B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001296852A JP4736294B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010287647A Division JP4821929B2 (ja) | 2010-12-24 | 2010-12-24 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003109512A true JP2003109512A (ja) | 2003-04-11 |
| JP4736294B2 JP4736294B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=19118020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001296852A Expired - Fee Related JP4736294B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4736294B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005098889A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ガス放電表示パネル |
| WO2011024445A1 (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法およびプラズマディスプレイ装置 |
| WO2011118153A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714516A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Central Glass Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JPH10334809A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Fujitsu Ltd | プラズマディスプレイパネル及びプラズマ表示装置 |
| JPH11213875A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル用保護膜材料及びその製造方法と、ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
| JP2000164136A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル用基板、その製造方法、ａｃ型プラズマディスプレイパネル、その製造方法、及びａｃ型プラズマディスプレイ装置 |
| JP2000294153A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用前面板ユニットおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
| JP2001035382A (ja) * | 1998-06-30 | 2001-02-09 | Mitsubishi Materials Corp | Ｆｐｄ用保護膜及びその製造方法並びにこれを用いたｆｐｄ |
| JP2001118511A (ja) * | 1999-09-15 | 2001-04-27 | Koninkl Philips Electronics Nv | プラズマ画像スクリーン |
-
2001
- 2001-09-27 JP JP2001296852A patent/JP4736294B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714516A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Central Glass Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JPH10334809A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Fujitsu Ltd | プラズマディスプレイパネル及びプラズマ表示装置 |
| JPH11213875A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル用保護膜材料及びその製造方法と、ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
| JP2001035382A (ja) * | 1998-06-30 | 2001-02-09 | Mitsubishi Materials Corp | Ｆｐｄ用保護膜及びその製造方法並びにこれを用いたｆｐｄ |
| JP2000164136A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル用基板、その製造方法、ａｃ型プラズマディスプレイパネル、その製造方法、及びａｃ型プラズマディスプレイ装置 |
| JP2000294153A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用前面板ユニットおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
| JP2001118511A (ja) * | 1999-09-15 | 2001-04-27 | Koninkl Philips Electronics Nv | プラズマ画像スクリーン |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005098889A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ガス放電表示パネル |
| US7812534B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-10-12 | Panasonic Corporation | Gas discharge display panel |
| WO2011024445A1 (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法およびプラズマディスプレイ装置 |
| CN102160138A (zh) * | 2009-08-25 | 2011-08-17 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体显示面板及其制造方法以及等离子体显示装置 |
| JP5126412B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2013-01-23 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JPWO2011024445A1 (ja) * | 2009-08-25 | 2013-01-24 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| KR101226325B1 (ko) * | 2009-08-25 | 2013-01-24 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법과 플라즈마 디스플레이 장치 |
| WO2011118153A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4736294B2 (ja) | 2011-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6788373B2 (en) | Protective film for protecting a dielectric layer of a plasma display panel from discharge, method of forming the same, plasma display panel and method of manufacturing the same | |
| KR100553985B1 (ko) | 기판구성체, 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 | |
| JPWO2005098890A1 (ja) | ガス放電表示パネル | |
| JP2006059786A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| KR101072936B1 (ko) | 가스 방전 표시 장치 | |
| KR100756153B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 | |
| JP4110234B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその駆動方法 | |
| JP4821929B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP4736294B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| KR100742061B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 | |
| JP4110857B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびその保護層を作製する原材料 | |
| JP3992089B2 (ja) | ガス放電パネル | |
| US7218050B2 (en) | Plasma display panel | |
| JP2003109511A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JP4952790B2 (ja) | プラズマディスプレイ装置 | |
| JP2003257324A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| US20060066239A1 (en) | Plasma display panel | |
| JP4476173B2 (ja) | ガス放電表示パネル | |
| KR100692032B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 | |
| JP2002352732A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| KR100290838B1 (ko) | 가스방전표시장치 | |
| JP4507694B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP2008171670A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその駆動方法 | |
| JP2007141481A (ja) | ガス放電表示パネル | |
| JP2005005086A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080804 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20080912 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091119 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100806 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110316 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110405 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110418 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |